KR100921702B1 - 보조 열처리부가 구비된 폐가스 처리장치 - Google Patents
보조 열처리부가 구비된 폐가스 처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100921702B1 KR100921702B1 KR1020070128801A KR20070128801A KR100921702B1 KR 100921702 B1 KR100921702 B1 KR 100921702B1 KR 1020070128801 A KR1020070128801 A KR 1020070128801A KR 20070128801 A KR20070128801 A KR 20070128801A KR 100921702 B1 KR100921702 B1 KR 100921702B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- waste gas
- chamber
- heat treatment
- gas
- wall
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
Abstract
반도체, 평판 디스플레이 등의 제조에 사용된 인체 유해물질, 공해유발물질 등을 포함하는 폐가스의 처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 폐가스 처리장치는 고온의 열을 이용하여 폐가스를 정화 처리하는 열처리부, 상기 열처리부를 고정하며 상기 폐가스의 처리가 이루어지는 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버를 냉각시키는 냉각부 및 상기 챔버의 외벽을 따라 구비되어, 상기 챔버의 외벽을 가열하는 보조 열처리부를 포함하여 구성된다. 따라서, 상기 챔버 내부의 온도를 고온으로 균일하게 유지함으로써 폐가스 처리 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
플라즈마, 히터, 활성화 가스
Description
본 발명은 폐가스 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 보조열처리부로 히터를 삽입하여 챔버 내부의 온도분포를 고열 분위기로 고르게 분포시킬 수 있어, 고온처리로 폐가스 처리 효율을 높인 폐가스 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정이나 화학공정 등에서 배출되는 유독성, 가연성 및 부식성 등 그 독성이 강한 각종 폐가스, 예를 들면 C2F4, CF4, C3F8, NF3, SF6 등과 같은 PFC(Perfluorocompound)가스를 확실히 정화하기 위해서, 유해성분의 함량을 허용농도 이하로 낮추는 무해화 처리과정을 필수적으로 거쳐서 대기 중으로 배출시켜야 한다.
상기한 무해와 처리과정을 위해 종래에는 건식 또는 습식의 가스세정이 이루어지고 있으며, 최근 들어서는 열분해를 이용하는 방식 중에서 액화천연가스(LNG) 및 산소(O2)를 별도로 필요로 하지 않는 플라즈마 분해식이 각광을 받고 있는 추세이다.
여기서, 상기 플라즈마 분해식의 종류로는 쇼크(shock), 스파크방전(spark discharge), 핵반응 및 아크방전(arc discharge) 등이 있다.
상기 아크방전은 두 개의 전극 사이에 고전압 전류 전압을 인가함으로써 발생시킬 수 있다. 이러한 아크 사이에 불활성 가스 및 질소 등의 플라즈마를 형성할 수 있는 가스를 통과시켜 매우 높은 고온까지 가열시키면 가스가 이온화하게 되는데, 이와 같은 방법으로 다양한 종류의 반응성 입자를 생성함으로써 플라즈마를 형성하게 된다.
플라즈마의 온도는 적어도 1000℃ 이상이 되고, 이와 같은 1000℃ 이상의 플라즈마에 폐가스를 주입함으로써 이를 분해 처리하게 된다.
하지만, 종래의 플라즈마에 의한 폐가스 처리장치는 플라즈마가 형성된 영역만 국부적으로 온도가 높고 플라즈마의 주변 온도는 상대적으로 낮아 폐가스가 처리되는 챔버 내의 온도가 고르지 못한 문제점이 있었다.
이에 따라, 종래의 플라즈마 폐가스 처리장치로만 폐가스를 처리할 경우, 상대적으로 온도가 낮은 영역이 존재하여 폐가스를 효과적으로 허용농도 이하까지 무해화하기 힘들뿐만 아니라, 폐가스의 무해화의 효능이 상당히 떨어지는 문제점이 있었다. 따라서, 폐가스 처리를 위한 챔버 내에서 전체적으로 고온의 분위기를 만들어 폐가스를 확실히 제거하기 위한 폐가스 처리장치가 절실히 요구되고 있는 실 정이다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 폐가스 처리를 위한 챔버 내의 온도를 고온으로 고르게 분포시킨 폐가스 처리장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 고온 처리로 폐가스 처리효율을 높이고 가스가 배출되는 과정에서 생성되는 유해물질의 발생을 최소화하여 대기 환경오염을 막는데 효과가 있는 폐가스 처리장치를 제공하는 것에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 고온의 열을 이용하여 폐가스를 정화 처리하는 열처리부, 상기 열처리부를 고정하며 상기 폐가스의 처리가 이루어지는 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버를 통하여 정화 처리된 가스를 냉각시키는 냉각부 및 상기 챔버의 외벽을 따라 구비되어, 상기 챔버의 외벽을 가열하는 보조 열처리부를 포함하여 구성되는 폐가스 처리장치를 제공한다.
그리고, 상기 보조열처리부는 상기 챔버의 외벽을 따라 구비되어 상기 챔버의 외벽을 가열함으로써, 챔버 내부로 전도열을 발생시키는 역할을 수행하는 것을 특징으로 한다. 한편, 상기 보조 열처리부는 전기 코일이 감싸고 있는 봉 형태를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 열처리부는 인가된 전압에 따라 열전자를 방출하는 음극봉, 상기 음극 봉과 소정거리 이격되어 전압의 인가 시 아크 방전을 발생시키는 양전극, 상기 양전극의 하단부에 위치하며 상기 음극봉과 양전극에서 발생된 아크 방전이 유지되도록 함과 아울러 플라즈마 생성 가스를 공급하는 플라즈마 생성 가스 공급관을 포함하여 구성된다.
이에 따라, 복수 개의 폐가스 유입부를 통하여 상기 폐가스가 상기 챔버 내부의 처리공간으로 유입되어 상기 열처리부의 플라즈마 아크 토치의 화염에 의해서 정화처리 된다.
또한, 상기 냉각부는 재결합 방지를 위한 활성화 가스를 분사하는 유입구를 가지며 상기 챔버를 통하여 정화 처리된 가스를 냉각시키는 냉각수를 유입하는 냉각수 주입관을 구비하고 있다.
상기의 구성을 가지는 본 발명에 따른 폐가스 처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.
플라즈마 아크 토치에서 발생하는 화염에 의한 승온 외에 별도로 부가된 보조 열처리부에 의한 승온 효과가 있다. 따라서, 상기 플라즈마 아크 토치의 화염 중앙에 비해 상대적으로 낮은 화염 주변 온도를 보상해 주어 폐가스가 처리되는 처리 공간인 챔버 내부의 온도 분포를 고온으로 균일하게 분포 시킬 수 있다.
또한, 상기 폐가스가 처리되는 처리공간의 고온 처리로 상기 폐가스의 처리 효율을 높이고, 가스가 배출되는 과정에서 생성되는 유해물질의 발생을 최소화하여 대기 환경오염을 막는데 효과가 있다.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
우선, 도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 폐가스 처리장치의 구성을 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도 1은 본 발명에 따른 폐가스 처리장치의 구성도이다.
본 발명에 따른 폐가스 처리장치는 크게 고온의 열을 이용하여 폐가스를 정화 처리하는 열처리부(100), 상기 열처리부(100)를 고정하며 상기 폐가스의 처리가 이루어지는 처리공간(201)을 제공하는 챔버(200), 상기 챔버(200)를 통하여 정화 처리된 가스를 냉각시키는 냉각시키는 냉각부(400) 및 상기 챔버(200)의 외벽을 따라 구비되어, 상기 챔버(200)의 외벽을 가열하는 보조 열처리부(300)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 열처리부(100)는 도면에 도시되지는 않았지만, 인가된 전압에 따라 열전자를 방출하는 음극봉, 상기 음극봉과 소정거리 이격되어 전압의 인가 시 아크 방전을 발생시키는 양전극, 상기 양전극의 하단부에 위치하며 상기 음극봉과 양전극에서 발생된 아크 방전이 유지되도록 함과 아울러 플라즈마 생성 가스를 공급하는 플라즈마 생성 가스 공급관을 포함하여 구성된다.
상기 챔버(200)는 도 1에 도시된 바와 같이 상부에 상기 열처리부(100)와 보조 열처리부(300)가 구비되고, 측면으로 폐가스가 유입되는 가스 유입관(210)이 적어도 하나 이상 장착되며, 유입된 상기 폐가스가 처리되는 처리공간(201)으로 구성된다.
여기에서, 상기 가스 유입관(210)을 통하여 상기 챔버 내부의 처리공간(201)으로 유입되는 상기 폐가스는 도 1에 도시된 바와 같이 A와 같은 흐름을 보이게 된다. 그리하여, 상기 폐가스가 상기 챔버 내부의 처리공간(201) 중앙부분을 통과하게 되면 상기 열처리부(100)의 화염으로 인한 고온으로 인해 상기 폐가스의 열분해가 효율적으로 이루어 지게 된다.
한편, 상기 폐가스가 상기 챔버 내부의 처리공간(201)의 외곽부분 즉, 상기 챔버의 내벽 쪽으로 가까워 질수록 상기 열처리부(100)에서 발생한 화염의 영향이 상대적으로 적어 상기 챔버의 중앙부분과 비교하였을 때 상대적인 저온을 형성하게 된다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 보조 열처리부(300)를 장착함으로써 챔버 내부의 처리공간(201)을 전체적으로 고온분위기로 이끌 수 있게 되어 상기 폐가스 처리의 효율이 높아지게 되는 효과를 가진다.
한편, 상기 가스 유입관(210)으로부터 유입된 상기 폐가스가 상기 챔버 내부의 처리공간(210)에서 처리되어 상기 챔버(200)의 하부에 위치하고 있는 냉각부(400)로 이동하여 고온의 가스가 그대로 외부로 방출되지 않도록 냉각수를 이용하여 상온에 근접한 온도로 냉각된다.
또한, 상기 냉각부(400)는 상기 챔버 내부의 처리공간(201)에서 열분해 된 상기 폐가스가 재결합하는 것을 방지하기 위하여 활성화 가스를 분사하는 재결합 방지 가스 유입구(420)가 설치 되어 있다.
이에 따라, 상기 챔버 내부의 처리공간(201)에서 열분해 된 상기 폐가스가 상기 냉각부로 유입될 때 활성화 가스를 분사하는 재결합 방지 가스 유입구(420)를 통하여 분사된 활성화 가스와 반응을 하게 함으로써, 폐가스가 재결합하는 것을 방지하게 되는 것이다. 상기 활성화 가스의 예로는 질소(N2)가스, 산소(O2)가스를 들 수 있으며 이 밖에 고온 분위기에서 상기 폐가스와의 반응이 원활하게 이루어 질 수 있는 가스를 모두 포함한다.
다음으로, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명에 따른 보조 열처리부에 대한 구체적인 구성을 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도 2는 도 1의 평면도이고, 도 3은 도 2의 단면도이다.
본 발명에 따른 보조 열처리부(300)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 챔버(200)의 내벽(220)과 외벽(250) 사이에 구비되어 챔버 내벽으로 열을 전달하는 역할을 수행한다.
상기 보조 열처리부(300)는 전기 코일이 감싸고 있는 봉 형태로 구비되고 전기를 발열의 소스로 이용하여 열을 발생시키는 히터를 사용하는 것이 바람직하다. 하지만, 이에 국한되지 않고 다양한 형태의 히터를 사용하는 것이 가능하다.
상기 보조 열처리부(300)는 상기 챔버 외벽(250)으로의 열 손실을 줄이고 열 효율을 높이기 위하여 단열재(230)를 구비함으로써 상기 보조 열처리부(300)에서 발생한 열이 상기 챔버 외벽(250)으로 전달되는 것을 억제 한다.
상기 챔버(200)는 상기 폐가스가 처리되는 처리공간(201)과 직접 접촉을 하는 내벽(220), 상기 보조 열처리부(300)가 삽입되는 공간, 상기 보조 열처리부(300)에서 발생한 열이 외부로 빠져나가는 것을 억제하는 단열재(230), 상기 챔버(200)의 온도를 상온으로 유지시켜주는 냉각코일(240) 및 상기 챔버(200)를 외부에서 감싸고 있는 외벽(250)을 포함하여 구성된다.
상기 챔버의 내벽(220)은 폐가스와 직접 접촉하고 있고, 상기 열처리부(100)와 상기 보조 열처리부(300)에서 발생되는 고온에 견딜 수 있는 내열성 및 내 부식성이 강한 재료를 사용하여 제작되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 보조 열처리부(300)에서 발생된 열이 외부로 유출되는 것을 방지하기 위하여 상기 챔버의 내벽(220)과 상기 단열재(230) 사이는 실링을 통하여 밀봉하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 보조 열처리부(300)가 상기 챔버 내벽(220)을 따라 복수 개의 히터봉으로 구성되지만, 이에 한정되지 않으며 이는 일 예를 표시한 것이며, 그 수나 배치 등은 다양하게 변형이 가능하다.
다음으로, 도 4 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 냉각부를 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도 4는 본 발명의 냉각부를 확대한 구성도 이고, 도 5는 도 4의 평면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 냉각부(400)에는 상기 챔버(200)와 연통하는 플렌지(415), 상기 폐가스가 처리되어 유입되는 유입구(411), 상기 폐가스가 외부로 배출되는 배출구(413), 처리된 상기 폐가스가 재결합하는 것을 방지하기 위해 활성화 가스를 주입하는 활성화 가스 주입관(420) 및 상기 처리된 상기 폐가스를 상온의 상태로 배출시키기 위하여 냉각수를 주입하는 냉각수 주입관(450)으로 구성되어 있다.
상기 활성화 가스 주입관(420)은 복수 개로 이루어져 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 폐가스의 재결합을 방지하기 위하여 상기 챔버(200)에서 처리된 가스가 유입될 때 가스 분사구(421)를 통하여 활성화 가스를 분사한다.
상기 활성화 가스의 예로는 질소가스, 산소가스 등을 들 수 있으며, 이밖에 고온분위기에서 활성을 나타내는 가스를 모두 사용할 수 있다.
한편, 상기 냉각수 주입관(450)으로부터 주입된 냉각수는 냉각부의 외벽(410)과 내벽(430) 사이로 안내되어 냉각수 가이드(440)를 통하여 흐르게 된다. 또한, 상기 활성화 가스를 분사하는 분사구(421)에 의하여 발생되는 분진은 상기 냉각부(400)에 적층되지 않으며, 상기 냉각부(400)의 하단에 위치한 배출구(413)를 통하여 오버플로우(over-flow)된 냉각수와 함께 외부로 배출된다.
또한, 상기 냉각부(400)에는 상기 열처리부(100)에 의한 폐가스 처리과정에서 폐가스에 포함된 이물이 연소되어 발생되는 분진과 상기 챔버(200)에서 처리된 폐가스와 상기 활성화 가스를 분사하는 분사구(421)에서 분사된 활성화 가스가 반응하여 발생된 분진이 상기 냉각수의 흐름을 방해하는 것을 차단하고, 오버플로우(over-flow)되는 냉각수가 상기 챔버(200)의 내부로 튀는 것을 방지할 수 있는 차단판(423)이 구비되어 있다.
본 발명은 상술한 내용에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 정신을 벗어나지 않고 변형이 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.
도 1은 본 발명의 폐가스 처리장치의 구성도;
도 2는 도 1의 평면도;
도 3은 도 2의 단면도;
도 4는 본 발명의 냉각부의 구성도;
도 5는 도 4의 평면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호 설명 >
100: 열처리부 200: 챔버
210: 가스 유입관 220: 챔버 내벽
230: 단열재 240: 냉각 코일
250: 챔버 외벽 300: 보조 열처리부
400: 냉각부 410: 냉각부 외벽
411: 유입구 413: 배출구
420: 가스 주입관 421: 가스 분사구
430: 냉각부 내벽 440: 냉각수 가이드
450: 냉각수 주입관
Claims (6)
- 아크 방전을 일으키는 플라즈마 토치의 고온의 열을 이용하여 폐가스를 정화 처리하는 열처리부;상기 열처리부를 고정하며 상기 폐가스의 처리가 이루어지는 처리공간을 제공하는 챔버;상기 챔버를 통하여 정화 처리된 가스를 냉각시키는 냉각부; 및상기 챔버의 내벽으로 열을 전달하여 상대적인 저온 분위기를 이루는 챔버 내벽 주위를 고온 분위기로 유도하는 보조 열처리부;를 포함하여 구성되는 폐가스 처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 보조 열처리부는,상기 챔버의 내벽과 외벽 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 폐가스 처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 보조 열처리부는,전기 코일이 감싸고 있는 봉 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 폐가스 처리장치.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 챔버의 측부에는,상기 폐가스의 유입을 위한 복수 개의 폐가스 유입부가 구비되는 것을 특징으로 하는 폐가스 처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 냉각부는,재결합 방지를 위한 활성화 가스를 분사하는 유입구를 가지는 것을 특징으로 하는 폐가스 처리장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070128801A KR100921702B1 (ko) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | 보조 열처리부가 구비된 폐가스 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070128801A KR100921702B1 (ko) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | 보조 열처리부가 구비된 폐가스 처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090061834A KR20090061834A (ko) | 2009-06-17 |
KR100921702B1 true KR100921702B1 (ko) | 2009-10-15 |
Family
ID=40991166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070128801A KR100921702B1 (ko) | 2007-12-12 | 2007-12-12 | 보조 열처리부가 구비된 폐가스 처리장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100921702B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101227441B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2013-01-29 | (주)플라즈마텍 | 폐가스 처리 시스템 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101959165B1 (ko) * | 2018-04-27 | 2019-03-15 | (주)엔노피아 | 플라즈마 폐가스 처리 장치 및 그를 포함하는 폐가스 처리 시스템 |
CN113019084A (zh) * | 2021-03-14 | 2021-06-25 | 国网内蒙古东部电力有限公司呼伦贝尔供电公司 | 一种sf6废气介质阻挡放电处理装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329991A (ja) | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Sony Corp | 急速加熱処理装置及びその方法 |
KR20040104989A (ko) * | 2003-06-03 | 2004-12-14 | (주)영인테크 | 웨이퍼제조용 가스히팅장치 |
KR20060066299A (ko) * | 2004-12-13 | 2006-06-16 | 유니셈 주식회사 | 폐가스 처리 장치 |
-
2007
- 2007-12-12 KR KR1020070128801A patent/KR100921702B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329991A (ja) | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Sony Corp | 急速加熱処理装置及びその方法 |
KR20040104989A (ko) * | 2003-06-03 | 2004-12-14 | (주)영인테크 | 웨이퍼제조용 가스히팅장치 |
KR20060066299A (ko) * | 2004-12-13 | 2006-06-16 | 유니셈 주식회사 | 폐가스 처리 장치 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101227441B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2013-01-29 | (주)플라즈마텍 | 폐가스 처리 시스템 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090061834A (ko) | 2009-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101995211B1 (ko) | 배기 가스 처리 장치 | |
KR100910875B1 (ko) | 플라즈마 스크러버 | |
JP2007326089A (ja) | プラズマトーチを用いた廃ガス処理装置 | |
TWI748044B (zh) | 電漿產生裝置及氣體處理裝置 | |
KR101464997B1 (ko) | 배기 가스 처리 장치 | |
KR20110117753A (ko) | 폐가스 처리 장치 | |
TWI794201B (zh) | 氮氧化物減少裝置及氣體處理裝置 | |
KR100921702B1 (ko) | 보조 열처리부가 구비된 폐가스 처리장치 | |
KR101961947B1 (ko) | 고에너지 열플라즈마와 고온챔버를 이용한 배기가스 처리장치 | |
KR20120021651A (ko) | PFCs 가스 분해 장치 및 방법 | |
KR102286586B1 (ko) | 플라즈마-촉매 방식의 스크러버 | |
KR101226603B1 (ko) | 플라즈마와 유해가스의 대향류를 이용한 유해가스 처리장치 및 처리방법 | |
KR101688611B1 (ko) | 플라즈마-촉매 방식의 스크러버 | |
KR100937697B1 (ko) | 폐가스 처리장치 | |
KR20190127244A (ko) | 폐가스 처리 장치 | |
TWI726527B (zh) | 有害氣體分解用反應器 | |
KR20090061835A (ko) | 복수 개의 플라즈마 토치가 구비된 폐가스 처리장치 | |
KR100743375B1 (ko) | 가스 스크러버 | |
US20110000432A1 (en) | One atmospheric pressure non-thermal plasma reactor with dual discharging-electrode structure | |
KR102381916B1 (ko) | 반도체 공정 폐가스 플라즈마 열분해장치 | |
KR100972829B1 (ko) | 폐가스 처리장치 | |
KR102619579B1 (ko) | 배기가스 처리를 위한 플라즈마 장치 | |
KR102228888B1 (ko) | 열플라즈마 처리장치 | |
KR20090096087A (ko) | 폐가스 처리장치 | |
KR101142184B1 (ko) | 플라즈마 토치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |