KR100921508B1 - Polarization insensitivity slab waveguide, multiplexer/demultiplexer and method for making polarization insensitivity slab waveguide - Google Patents

Polarization insensitivity slab waveguide, multiplexer/demultiplexer and method for making polarization insensitivity slab waveguide Download PDF

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Abstract

본 발명은, 광 대역 전송망에서 이용되는 광 소자에 관한 것으로, 특히 광 신호의 향상된 편광 보상 기능을 갖는 광 소자 및 이의 제작 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to optical devices used in wideband transmission networks, and more particularly, to optical devices having an improved polarization compensation function of optical signals and a method of manufacturing the same.

이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로는, 기판의 일측 상부에 형성되며 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역; 및 상기 기판의 타측 상부에 형성되며 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하되, 상기 광 도파 영역은, 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하고, 상기 편광 보상 영역은, 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함으로써, 본 발명은 종래 편광 보상 광 소자에 비하여 향상된 신뢰도를 갖는 광 소자를 제공한다. To this end, a polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention includes: an optical waveguide region formed on one side of a substrate and guiding an input optical signal; And a polarization compensation region formed on the other side of the substrate and compensating for the polarization of the optical signal that is input from the optical waveguide region and reflected and diffracted in the diffraction grating, wherein the optical waveguide region is in turn on the upper side of the substrate. A lower clad layer, a first core layer, and an upper clad layer formed, wherein the polarization compensation region extends from the optical waveguide region and is formed in turn on the other side of the substrate; And a second core layer formed between the first core layer and the upper clad layer, the present invention provides an optical device having improved reliability compared to conventional polarization compensation optical devices.

슬랩 도파로, 다중화기, 회절 격자, 편광 보상 Slab Waveguide, Multiplexer, Diffraction Grating, Polarization Compensation

Description

편광 무의존 슬랩 도파로 및 이의 제조 방법과 이를 이용한 편광 무의존 다중화기/역다중화기{POLARIZATION INSENSITIVITY SLAB WAVEGUIDE, MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD FOR MAKING POLARIZATION INSENSITIVITY SLAB WAVEGUIDE}POLARIZATION INSENSITIVITY SLAB WAVEGUIDE, MULTIPLEXER / DEMULTIPLEXER AND METHOD FOR MAKING POLARIZATION INSENSITIVITY SLAB WAVEGUIDE}

본 발명은, 광 대역 전송망에서 이용되는 광 소자에 관한 것으로, 특히 광 신호의 편광을 보상하는 광 소자 및 이의 제작 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to optical devices used in wideband transmission networks, and more particularly, to optical devices for compensating polarization of optical signals and methods of manufacturing the same.

본 발명은 정보통신부 및 정보통신연구진흥원의 IT신성장동력핵심기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2007-S-011-01, 과제명: ROADM용 광스위치 기술개발].The present invention is derived from the research conducted as part of the IT new growth engine core technology development project of the Ministry of Information and Communication and the Ministry of Information and Communication Research and Development. [Task Management Number: 2007-S-011-01, Title: Development of Optical Switch Technology for ROADM] ].

최근 정보 통신 기술의 발달로 인한 수많은 정보를 처리하기 위하여 파장 분할 다중화(Wavelength Division Multiplexing ; 이하, WDM이라 함) 방식 등의 광 대역 전송망을 해결하는 기술이 빠르게 발전하고 있다. 이에 따라, WDM 방식 등에 사용되는 다중화기(multiplexer : MUX) 및 역다중화기(demultiplexer : DEMUX) 등 의 광 소자의 성능 향상과 안전성의 문제가 대두되고 있다. Recently, technologies for solving a wideband transmission network such as wavelength division multiplexing (hereinafter, referred to as WDM) have been rapidly developed in order to process a large amount of information due to the development of information and communication technology. Accordingly, problems of performance improvement and safety of optical devices such as a multiplexer (MUX) and a demultiplexer (DEMUX) used in a WDM method and the like have arisen.

이러한 광 대역 전송망에서 전송되는 광 신호들은 광 섬유 도파로를 통하여 전파되면서 편광(polarization)이 규칙적으로 또는 온도 및 압력 등의 환경 요인에 의하여 불규칙적으로 바뀌게 된다. 따라서, 이러한 광 대역 전송망에서 전송되는 광 신호들을 다중화, 역다중화, 스위칭, 파장 변환 및 증폭 등을 하기 위하여 광 소자에 입사시킬 경우, 입사되는 광 신호들의 편광 특성이 무작위적이기 때문에 광 신호가 입사되는 광 소자들은 편광 무의존성(polarization insensitivity)일 것이 요구된다. As the optical signals transmitted in such an optical band transmission network propagate through the optical fiber waveguide, polarization is changed regularly or irregularly by environmental factors such as temperature and pressure. Therefore, when the optical signals transmitted in such a wideband transmission network are incident on the optical device for multiplexing, demultiplexing, switching, wavelength conversion and amplification, the optical signals are incident because the polarization characteristics of the incident optical signals are random. Optical devices are required to be polarization insensitivity.

한편, 일반적으로 광 소자는 실리콘(Si), 실리카(SiO2), 폴리머(polymer), 니오브산리튬(LiNbO3) 및 갈륨비소(GaAs) 또는 인듐인(InP) 등의 III-V 족 반도체 등으로 제작되며 광 도파로(optical waveguide) 구조를 지닌다. On the other hand, optical devices generally include group III-V semiconductors such as silicon (Si), silica (SiO 2 ), polymers, lithium niobate (LiNbO 3 ), and gallium arsenide (GaAs) or indium phosphorus (InP). It is fabricated as an optical waveguide structure.

광 섬유에서 출사되어 상기와 같은 광 도파로 구조에 결합되는 신호들은 도파로 구조에 맞는 모드, 즉 도파 모드(guided mode)를 형성하며 전파하는데, 도파 모드를 구성하는 기저(basis)인 TE(Transverse Electric) 모드와 TM(Transverse Magnetic) 모드는 매질간 경계 조건이 다르기 때문에, 두 모드의 전파 상수(propagation constant)는 달라진다. 전파 상수(β)는 <수학식 1>과 같이 정의된다. Signals emitted from the optical fiber and coupled to the optical waveguide structure are propagated in a mode suitable for the waveguide structure, that is, a guided mode, which is the basis of the waveguide mode (TE) (Transverse Electric) Since the mode and the transverse magnetic (TM) mode have different boundary conditions between media, propagation constants of the two modes are different. The propagation constant β is defined as in Equation 1.

Figure 112007072465274-pat00001
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여기서, 도파 모드의 고유치(eigen value)인 유효 굴절률(neff)은 편광에 대해 광 도파로 구조(도파로 폭, 코어 물질의 굴절률 및 클래드 층의 두께 등)에 의하여 결정된다. Here, the effective refractive index n eff , which is the eigen value of the waveguide mode, is determined by the optical waveguide structure (waveguide width, refractive index of the core material and the thickness of the clad layer, etc.) with respect to the polarized light.

한편, 모드별 광 진행 방향으로 진행 광의 위상이 달라지므로, TE 모드와 TM 모드 간의 위상 차가 발생한다. 진행 광의 위상(phase)은 <수학식 2>와 같이 정의된다. On the other hand, since the phase of the traveling light varies in the light propagation direction for each mode, a phase difference occurs between the TE mode and the TM mode. The phase of the traveling light is defined as in Equation 2.

Figure 112007072465274-pat00002
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이러한 위상 차는 광 경로 길이에 따른 간섭(interference) 현상을 이용한 소자들(광 결합기, 파장 변환기, 회절 격자 등)의 특성에 큰 영향을 미치며, 특히 회절 특성을 이용한 광 소자, 즉 도파로 형 오목 회절 격자(planar-type Concave Diffraction Grating : CDG) 및 어레이 도파로 회절 격자(Arrayed Waveguide Grating : AWG)의 성능에 매우 지대한 영향을 미치게 된다. 이러한 위상 차에 의한 문제점을 도 1을 참조하여 이하에서 설명한다. This phase difference greatly affects the characteristics of devices (optical couplers, wavelength converters, diffraction gratings, etc.) using interference phenomena according to the optical path length, and in particular, optical elements using diffraction characteristics, that is, waveguide-type concave diffraction gratings (planar-type concave diffraction grating (CDG)) and arrayed waveguide grating (AWG) have a significant impact on the performance. Problems caused by such a phase difference will be described below with reference to FIG.

도 1은 종래 도파로형 오목 회절 격자를 이용한 역다중화기를 보여주는 예시도이다. 1 is an exemplary view showing a demultiplexer using a conventional waveguide-type concave diffraction grating.

종래 오목 회절 격자를 이용한 역다중화기는 입력 도파로, 슬랩 도파로, 오목 회절 격자 및 출력 도파로 열을 포함하며, 일반적으로 기판 상에 하부 클래드 층, 코어 층 및 상부 클래드 층을 차례로 성장시킨 후, 패터닝 및 식각 작업을 통하여 구현된다. Conventional demultiplexers using concave diffraction gratings include input waveguides, slab waveguides, concave diffraction gratings, and output waveguide columns, and typically grow the lower clad layer, the core layer, and the upper clad layer on the substrate, followed by patterning and etching. It is implemented through work.

광 섬유로부터 출력되는 서로 다른 파장의 광 신호들은 입력 도파로 및 슬랩 도파로를 거쳐서 오목 회절 격자로 전파된다. 오목 회절 격자로 전파된 광 신호들은 각 격자면에서 반사가 일어나며, 서로 인접한 격자면에서 반사된 광 신호들 중 위상 차가 2π의 정수배가 되는 파장들은 보강 간섭이 일어나 파장별로 해당 방향, 즉 회절각으로 반사된다. 상술한 회절 특성은 <수학식 3>과 같이 정의된다. Optical signals of different wavelengths output from the optical fiber propagate through the input waveguide and the slab waveguide to the concave diffraction grating. Optical signals propagated to the concave diffraction grating are reflected at each grating plane. Wavelengths of which the phase difference is an integer multiple of 2π among the optical signals reflected from adjacent grating planes are subjected to constructive interference, so that the wavelengths have corresponding directions, that is, diffraction angles. Reflected. The diffraction characteristic described above is defined as in <Equation 3>.

Figure 112007072465274-pat00003
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여기서, m은 회절 차수를 나타내며, 통상 도파로형 회절 격자 구조에서는 도파로의 유효 굴절율이 공기(굴절률=1)에 비해 크기 때문에 고차(m>1) 회절 격자 구조를 가진다. Here, m represents a diffraction order, and in the waveguide type diffraction grating structure, since the effective refractive index of the waveguide is larger than that of air (refractive index = 1), m has a high order (m> 1) diffraction grating structure.

한편, 상기 오목 회절 격자의 회절 특성에 의해 파장 별로 서로 다른 회절각 β로 집속된 광 신호들은 다른 위치의 출력 도파로로 전파된다. 이러한 파장에 따른 회절각 변화를 각 분산(angular dispersion), 위치 변화를 선형 분산(linear dispersion)이라 한다. Meanwhile, optical signals focused at different diffraction angles β for each wavelength are propagated to output waveguides at different positions by the diffraction characteristics of the concave diffraction grating. The change in diffraction angle according to the wavelength is called angular dispersion and the change in position is called linear dispersion.

도 1과 같은 구조에서 입력 도파로 및 출력 도파로 열은 종방향으로 성장된 물질 구조에 대해 제한된 영역 내에 횡방향 구조(도파로의 폭, 도파로의 형태)를 조절함으로써 편광에 무의존성을 띠도록 구현할 수 있다. 그러나, 슬랩 도파로는 종방향 구조에 의해서만 유효 굴절률이 정해지며, 대개의 경우 편광 모드별 유효 굴절률이 같지 않은, 즉 복굴절을 가지기 때문에 입력 광 신호에 대한 출력 광 신호의 TE 모드 성분과 TM 모드 성분의 위상이 달라진다. 이를 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. In the structure shown in FIG. 1, the input waveguide and the output waveguide columns may be implemented to be independent of polarization by controlling the transverse structure (the width of the waveguide and the shape of the waveguide) within a limited region with respect to the longitudinally grown material structure. . However, the slab waveguide is determined only by the longitudinal structure, and in most cases, the effective refractive index of each polarization mode is not the same, that is, birefringence, so that the TE mode component and the TM mode component of the output optical signal for the input optical signal Phase changes. This will be described with reference to FIG. 2.

도 2는 종래 슬랩 도파로에서 입력 광 신호에 대한 출력 광 신호의 위상 차를 보여주기 위한 예시도이다. 2 is an exemplary diagram for showing a phase difference of an output optical signal to an input optical signal in a conventional slab waveguide.

도 2의 (a)는 입력 도파로로부터 슬랩 도파로로 입력되는 광 신호의 위상을 보여주는 예시도이며, 이 때 광 신호는 TE 모드와 TM 모드가 혼합된 임의의 편광을 가지는 광 신호이다. 도 2의 (b)는 도 2의 (a)와 같은 입력 광 신호가 회절 격자에서 반사 및 회절되어 출력 도파로 열 상에 전파되었을 때 출력 광 신호의 위상 차를 보여주는 예시도이다. FIG. 2 (a) is an exemplary diagram showing the phase of an optical signal input from an input waveguide to a slab waveguide, wherein the optical signal is an optical signal having an arbitrary polarization in which a TE mode and a TM mode are mixed. FIG. 2B is an exemplary diagram showing the phase difference of the output optical signal when the input optical signal as shown in FIG. 2A is reflected and diffracted in the diffraction grating and propagated on the output waveguide column.

도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하면, 출력 광 신호의 위상은 입력 광 신호와 비교하여 TE 모드 성분과 TM 모드 성분의 위상이 달라짐을 알 수 있다. 상기 위 상의 변화는 선형 분산에 의한 파장으로도 표현할 수 있다. Referring to FIGS. 2A and 2B, it can be seen that the phase of the output optical signal is different from that of the TE mode component and the TM mode component compared to the input optical signal. The phase change can also be expressed as a wavelength due to linear dispersion.

따라서, 회절 특성을 이용한 광 소자에 있어서 상기와 같은 위상 차로 인한 문제점 해결할 수 있는 기술, 즉 복굴절율이 0인 도파로를 구현하여 편광에 대하여 무의존성을 띠는 광 소자를 개발할 수 있는 기술이 요구된다. 복굴절율이 0인 도파로가 요구되는 이유는 TE 모드와 TM 모드 간의 위상 차 또는 전파 상수의 차는 유효 굴절율 차인 복굴절율로 표현할 수 있기 때문이다. Therefore, there is a need for a technology that can solve the problems caused by the phase difference in the optical device using diffraction characteristics, that is, a technology capable of developing an optical device that is independent of polarization by implementing a waveguide having a birefringence of zero. . The reason why a waveguide with zero birefringence is required is that the difference in phase difference or propagation constant between the TE mode and the TM mode can be expressed by the birefringence which is the effective refractive index difference.

한편, 상기와 같은 역 다중화기에 사용되는 슬랩 도파로의 복굴절로 인한 편광 특성을 해결하기 위한 방법으로 슬랩 도파로 내 편광 보상 영역의 상부 클래드 층의 두께에 차이를 둠으로써 각 영역별로 편광 보상 구조를 구현한 방법(He et al. "Optical Grating-based device having a slab waveguide polarization compensating region", US Patent no. 5,937,113, Date of patent Aug. 19, 1999 ; 이하, 참고 문헌 1 이라 함)이 대두되었다. 상기와 같은 방법을 도 3을 참조하여 이하에서 설명한다. On the other hand, in order to solve the polarization characteristics due to the birefringence of the slab waveguide used in the demultiplexer as described above, the polarization compensation structure for each region by implementing a difference in the thickness of the upper clad layer of the polarization compensation region in the slab waveguide A method (He et al. "Optical Grating-based device having a slab waveguide polarization compensating region", US Patent no. 5,937,113, Date of patent Aug. 19, 1999; hereinafter referred to as Reference 1) has emerged. The above method will be described below with reference to FIG. 3.

도 3은 종래 편광 보상 구조를 갖는 슬랩 도파로를 설명하기 위한 예시도이다. 3 is an exemplary diagram for describing a slab waveguide having a conventional polarization compensation structure.

도 3의 (a)를 참조하면 종래 편광 보상 구조를 갖는 슬랩 도파로는, nTE1 의 유효 굴절율과 Δn1 의 복굴절율을 갖는 영역 1과 nTE2 의 유효 굴절율과 Δn2 의 복굴절율을 갖는 편광 보상을 위한 영역 2 로 구성된다. Referring to FIG. 3A, a slab waveguide having a conventional polarization compensation structure includes a region 1 having an effective refractive index of n TE1 , a birefringence of Δn 1 , and an effective refractive index of n TE2 , and a birefringence of Δn 2 . Consists of area 2 for.

도 3의 (b)는 1550nm 의 파장에서 도 3의 (a)와 같은 구조를 갖는 슬랩 도파로의 상부 클래드 층의 두께에 따른 유효 굴절율과 복굴절율의 변화를 보여주기 위한 예시도이다. 도 3의 (b)를 참조하면 상부 클래드 층의 두께(tclad)가 얇아질수록 TE 모드의 유효 굴절율 nTE와 TM 모드의 유효 굴절율 nTM 은 감소하고, 복굴절율 Δn(nTE - nTM)은 증가함을 알 수 있다. FIG. 3B is an exemplary diagram for showing the change of the effective refractive index and the birefringence according to the thickness of the upper clad layer of the slab waveguide having the structure as shown in FIG. 3A at the wavelength of 1550 nm. Referring to (b) of FIG. 3, as the thickness of the upper clad layer (t clad ) becomes thinner, the effective refractive index n TE of the TE mode and the effective refractive index n TM of the TM mode decrease, and the birefringence Δn (n TE − n TM It can be seen that increases.

또한, 상부 클래드 층 두께가 1㎛ 이상 증가하게 되면, TE 모드와 TM 모드의 유효 굴절률은 점차 일정한 값으로 수렴하게 되며 이 경우 복굴절률도 수렴하게 된다. 한편, 도 3의 (b)에서 상부 클래드 층 두께에 대한 굴절률의 변화는 코어층 두께와 굴절률에 의존하게 되며 코어 층의 두께가 두꺼울수록 또는 굴절률이 높을수록 도파 모드가 코어 층에 모이므로 결국 수렴되는 클래드 층 두께가 감소한다. In addition, when the thickness of the upper clad layer increases by 1 μm or more, the effective refractive indices of the TE mode and the TM mode gradually converge to a constant value, and in this case, the birefringence also converges. Meanwhile, in FIG. 3B, the change of the refractive index with respect to the upper cladding layer thickness depends on the core layer thickness and the refractive index, and the thicker the core layer or the higher the refractive index, the more the waveguide mode is collected in the core layer. The clad layer thickness is reduced.

도 3의 (c)는 도 3의 (a)와 같은 구조의 편광 보상 영역이 구현되기 전, 즉 도 1과 같은 구조에서 상부 클래드 층의 두께가 1㎛인 경우의 TE 모드와 TM 모드의 응답 스펙트럼(spectral response)을 나타내는 예시도이고, 도 3의 (d)는 편광 보상 영역이 구현된 도 3의 (a)와 같은 구조에서 영역 1 의 상부 클래드 층의 두께가 1㎛, 영역 2 의 상부 클래드 층의 두께가 0.3㎛인 경우의 TE 모드와 TM 모드의 응답 스펙트럼을 나타내는 예시도이다. FIG. 3C illustrates the response of the TE mode and the TM mode before the polarization compensation region having the structure as shown in FIG. 3A is implemented, that is, when the thickness of the upper clad layer is 1 μm in the structure as shown in FIG. 1. 3 is an exemplary diagram illustrating a spectral response, and FIG. 3 (d) shows a thickness of the upper clad layer of region 1 having a thickness of 1 μm and an upper portion of region 2 in the structure shown in FIG. It is an exemplary figure which shows the response spectrum of TE mode and TM mode when the thickness of a clad layer is 0.3 micrometer.

도 3의 (c)를 참조하면, 편광 보상 영역이 구현되기 전의 슬랩 도파로에 있어서, 출력 광 신호의 TE 모드와 TM 모드의 응답 스펙트럼은 약 0.4nm 의 위상 차가 발생함을 알 수 있다. Referring to FIG. 3C, in the slab waveguide before the polarization compensation region is implemented, it can be seen that a phase difference of about 0.4 nm occurs between the TE and TM modes of the output optical signal.

도 3의 (d)를 참조하면, 도 3의 (c)에 나타나는 0.4nm 의 위상 차에 대하여 상부 클래드 층의 두께가 0.3㎛인 편광 보상 영역을 도입하여 슬랩 도파로의 영역별 복굴절율이 다르게 함으로써 편광 보상이 이루어졌음을 알 수 있다. 이러한 보상 패턴은 회절 격자 구조에서 입사 광 신호의 진행 경로에 따른 위상 차가 2π의 정수배가 되는 회절 조건(Monolithically integrated grating cavity tunable lasers, IEEE Photonics Technology Letter, vol. 17, no.9, PP.1794-1796, Sept. 2005, Oh Kee Kwon)으로부터 얻을 수 있다. Referring to (d) of FIG. 3, by introducing a polarization compensation region having a thickness of 0.3 μm of the upper clad layer with respect to the phase difference of 0.4 nm shown in FIG. It can be seen that polarization compensation has been made. This compensation pattern is based on diffraction conditions where the phase difference of the propagation path of the incident optical signal in the diffraction grating structure is an integer multiple of 2π (Monolithically integrated grating cavity tunable lasers, IEEE Photonics Technology Letter, vol. 17, no.9, PP.1794- 1796, Sept. 2005, Oh Kee Kwon.

도 3의 (e)는 도 3의 (a)와 같은 구조를 갖는 슬랩 도파로의 영역별로 도파 모드에 따른 광 분포를 보여주는 예시도이다. 여기서, 설명의 편의상 TM 모드에 대한 광 분포만을 도시하여 설명한다. FIG. 3E is an exemplary view showing light distribution according to a waveguide mode for each region of a slab waveguide having the structure as shown in FIG. 3A. For convenience of explanation, only the light distribution for the TM mode is shown and described.

도 3의 (e)를 참조하면, 영역 1 에서의 광 분포는 코어 층의 굴절율이 가장 높기 때문에 코어 층 내에 광 세기의 피크(peak) 치가 위치하는 전형적인 광 분포를 나타내는 데 반해, 영역 2 에서의 광 분포는 영역 1 에 비하여 상대적으로 얇은 상부 클래드 층의 두께로 인하여 광 분포의 중심 축이 코어 층을 벗어나는 비정상적인 광 분포 특성을 띰을 알 수 있다. Referring to FIG. 3E, the light distribution in the region 1 represents a typical light distribution in which the peak value of the light intensity is located in the core layer because the refractive index of the core layer is the highest. It can be seen that the light distribution exhibits an abnormal light distribution characteristic in which the central axis of the light distribution deviates from the core layer due to the thickness of the upper clad layer which is relatively thin compared to the region 1.

따라서, 영역 2의 도파 모드는 구조적으로 불안정하고, 상부 클래드 층 두께에 대하여 복굴절 특성 및 위상차 변동치가 매우 민감하기 때문에(도 3의 (b)에서 영역 2의 상부 클래드 층의 두께(0.3㎛)에서 ±0.05㎛ 변할 경우, 복굴절률은 5×10-4 , 위상차는 0.075nm 발생) 상부 클래드 층의 두께를 매우 정밀하게 구현해야 하는 불편함이 있다. Therefore, the waveguide mode of the region 2 is structurally unstable, and because the birefringence characteristic and the retardation variation are very sensitive to the upper clad layer thickness (in FIG. 3 (b), the thickness of the upper clad layer of the region 2 (0.3 mu m) If the change is ± 0.05㎛, the birefringence is 5 × 10 −4 , and the phase difference occurs at 0.075 nm.

한편, 상기와 같은 영역 2 를 구현하기 위한 식각 공정을 하기 위해서는 정확한 식각 깊이가 요구된다. 이 때, 건식 식각만으로는 식각 깊이를 정밀하게 조절하기 어렵기 때문에 참고 문헌 1에서는 InGaAsP 를 사용한 식각 방지층(etch stop layer)을 이용하여 InP 에 대한 선택 습식 식각(selective wet etching)과 건식 식각(dry etching)을 병행함으로써 정밀한 상부 클래드 층의 두께를 구현한다. Meanwhile, an accurate etching depth is required to perform an etching process for implementing the region 2 as described above. In this case, since the etching depth alone is difficult to precisely control the etching depth, in Reference 1, selective wet etching and dry etching of InP using an etch stop layer using InGaAsP is used. In parallel, the thickness of the upper cladding layer is realized.

그러나, 상기와 같은 구조의 InP 물질을 습식 식각하기 위한 식각제(etchant)로 널리 쓰이는 염산과 인산이 포함된 식각제(HCl : H3PO4)에서 염산은 물질의 격자 방향에 따라 식각율과 식각면이 달라지는 비등방성(anisotropic) 식각 특성(Handbook of semiconductor lasers and photonic integrated circuits, Chapman & Hall, pp.495-495, 1994, Y. Suematsu and A.R.Adams)을 가지므로 편광 보상 경계선에 대하여 균일한 식각면을 구현하기 어려운 문제점이 있다. However, in hydrochloric acid and phosphoric acid-containing etchant (HCl: H 3 PO 4 ) which is widely used as an etchant for wet etching the InP material having the above structure, the hydrochloric acid may be etched according to the lattice direction of the material. Uniform etching for polarization compensation boundary due to anisotropic etching characteristics (Handbook of semiconductor lasers and photonic integrated circuits, Chapman & Hall, pp. 495-495, 1994, Y. Suematsu and ARAdams) There is a problem that is difficult to implement.

한편, 참고 문헌 1의 도 8에서는 영역 2 에 전극(electrode)을 증착하고, 전극 패턴 내에 전류를 주입시켜 추가적으로 편광 보상을 할 수 있는 구조를 제시하고 있다. 그러나 상기와 같이 얇은 클래드 층 위에 전극과 같은 금속 패턴을 증착할 경우 금속 물질의 반사로 인하여 도파 모드의 섭동이 크며, 또한, 옴 접 촉(ohmic contact)을 위한 열처리(thermal annealing)를 할 경우 금(Au)과 같은 금속 물질이 반도체 물질에 침투하여 광 흡수를 증가시키기 때문에 제조 공정에 어려움이 있다. Meanwhile, FIG. 8 of Reference 1 discloses a structure in which an electrode is deposited in the region 2 and an additional polarization compensation is performed by injecting a current into the electrode pattern. However, when the metal pattern such as the electrode is deposited on the thin clad layer as described above, the perturbation of the waveguide mode is large due to the reflection of the metal material, and also, when the thermal annealing for the ohmic contact is performed. There is a difficulty in the manufacturing process because a metal material such as (Au) penetrates into the semiconductor material and increases light absorption.

한편, 회절 격자는 영역 2 의 도파로 구조에서 수직 방향으로 건식 식각을 통하여 구현되며, 식각 깊이 방향으로의 수직성과 균일성은 회절 격자의 성능에 영향을 미친다. 따라서, 영역 2 의 광 세기(optical intensity)의 1/e2(약 0.135)에 해당하는 폭이 2.7㎛임을 감안하면, 상기 광 세기 폭에 대한 건식 식각 장비는 수직성과 균일성을 보장할 수 있는 매우 정밀한 장비일 것이 요구된다. On the other hand, the diffraction grating is implemented through dry etching in the vertical direction in the waveguide structure of the region 2, the verticality and uniformity in the etching depth direction affects the performance of the diffraction grating. Therefore, considering that the width corresponding to 1 / e 2 (about 0.135) of the optical intensity of the area 2 is 2.7 μm, the dry etching equipment for the light intensity width can guarantee verticality and uniformity. It is required to be very precise equipment.

따라서, 본 발명의 목적은, 편광 보상 영역 내의 광 분포가 도파로 물질 및 구조 변수에 대하여 덜 민감한 도파로를 구현하여 광 소자의 성능 및 소자의 신뢰성을 향상시키고 동시에 수율을 높이는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to implement a waveguide in which the light distribution in the polarization compensation region is less sensitive to waveguide material and structural parameters, thereby improving the performance and reliability of the optical device and at the same time increasing the yield.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기 도파로를 구현함에 있어서 식각제의 비등방성으로 인한 불규칙적인 패턴이 발생하지 않도록 하는 데 있다. In addition, another object of the present invention, to implement the waveguide is to prevent the irregular pattern caused by the anisotropy of the etchant.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기 도파로를 구현함에 있어서 전극 증착으로 발생하는 금속 물질의 반사 특성에 의한 도파 모드의 섭동을 줄이도록 하는 데 있다. In addition, another object of the present invention is to reduce the perturbation of the waveguide mode due to the reflective properties of the metal material generated by electrode deposition in implementing the waveguide.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 종래 기술에 사용되는 식각 조건에 비하여 낮은 식각 조건을 요구하는 도파로를 구현하는 데 있다. In addition, another object of the present invention is to implement a waveguide requiring an etching condition lower than the etching conditions used in the prior art.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 하기의 설명 및 본 발명의 일실시 예에 의하여 파악될 수 있다. In addition, another object of the present invention can be understood by the following description and an embodiment of the present invention.

이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로는, 기판의 일측 상부에 형성되며 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역; 및 상기 기판의 타측 상부에 형성되며 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하되, 상기 광 도파 영역은, 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하고, 상기 편광 보상 영역은, 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함한다. To this end, a polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention includes: an optical waveguide region formed on one side of a substrate and guiding an input optical signal; And a polarization compensation region formed on the other side of the substrate and compensating for the polarization of the optical signal that is input from the optical waveguide region and reflected and diffracted in the diffraction grating, wherein the optical waveguide region is in turn on the upper side of the substrate. A lower clad layer, a first core layer, and an upper clad layer formed, wherein the polarization compensation region extends from the optical waveguide region and is formed in turn on the other side of the substrate; And a second core layer formed between the first core layer and the upper clad layer.

또한, 이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 다중화기/역다중화기는, 외부로부터 광 신호를 입력받거나 외부로 광 신호를 출력하는 광 도파로; 상기 광 도파로와 광학적으로 연결되며, 상기 광 도파로부터 광 신호를 입력 받거나 상기 광 도파로로 광 신호를 출력하는 슬랩 도파로; 상기 슬랩 도파로로부터 입력되는 광 신호를 반사 및 회절시켜 상기 슬랩 도파로로 출력하는 오목 회절 격자를 포함하되, 상기 슬랩 도파로는, 기판의 일측 상부에 형성되며 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역; 및 상기 기판의 타측 상부에 형성되며 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 상기 오목 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하고, 상기 광 도파 영역은, 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하며, 상기 편광 보상 영역은, 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함한다. In addition, the polarization independent multiplexer / demultiplexer according to an embodiment of the present invention for this purpose, the optical waveguide for receiving an optical signal from the outside or outputs the optical signal to the outside; A slab waveguide optically connected to the optical waveguide and receiving an optical signal from the optical waveguide or outputting an optical signal to the optical waveguide; And a concave diffraction grating for reflecting and diffracting an optical signal input from the slab waveguide and outputting the light signal to the slab waveguide, wherein the slab waveguide includes: an optical waveguide region formed on one side of a substrate and guiding an input optical signal; And a polarization compensation region formed on the other side of the substrate and compensating for the polarization of the optical signal that is input from the optical waveguide region and is reflected and diffracted by the concave diffraction grating, wherein the optical waveguide region is on the upper side of the substrate A lower cladding layer, a first core layer, and an upper cladding layer, which are formed in turn, wherein the polarization compensation region extends from the optical waveguide region and sequentially forms a lower clad layer, a first core layer, and an upper portion of the other side of the substrate; A clad layer and a second core layer formed between the first core layer and the upper clad layer.

또한, 이를 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로 제조 방법은, 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역 및 상기 광 도파 영역으로부터 입력 되어 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법에 있어서, (a) 기판 상에 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 식각 방지 층, 제 2 코어 층 및 제 1 상부 클래드 층을 차례로 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 상부 클래드 층 상에 제 1 마스크 패턴을 형성하고 건식 식각 및 선택적 습식 식각을 수행함으로써 상기 광 도파 영역의 제 1 상부 클래드 층 및 제 2 코어 층을 제거한 후, 상기 제 1 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 (c) 상기 광 도파 영역과 상기 편광 보상 영역의 상부에 제 2 상부 클래드 층을 형성하는 단계를 포함한다. In addition, the slab waveguide manufacturing method according to an embodiment of the present invention, to compensate for the polarization of the optical waveguide for guiding the optical signal input and the optical signal reflected and diffracted in the diffraction grating input from the optical waveguide region A slab waveguide manufacturing method comprising a polarization compensation region, comprising: (a) sequentially forming a lower clad layer, a first core layer, an etch stop layer, a second core layer, and a first upper clad layer on a substrate; (b) removing the first upper clad layer and the second core layer of the optical waveguide region by forming a first mask pattern on the first upper clad layer and performing dry etching and selective wet etching, and then the first mask Removing the pattern; And (c) forming a second upper clad layer on top of the optical waveguide region and the polarization compensation region.

상술한 바와 같이 본 발명은, 제 2 코어 층이 형성된 편광 보상 영역의 도입으로 인하여 굴절률 및 복굴절률 특성은 제 2 코어 층의 구조에 의하여 결정되므로, 종래 기술에 비하여 클래드 층의 두께에 영향을 받지 않는 도파로를 구현할 수 있는 이점이 있다. As described above, in the present invention, since the refractive index and the birefringence characteristics are determined by the structure of the second core layer due to the introduction of the polarization compensation region in which the second core layer is formed, the thickness of the cladding layer is not affected by the thickness of the cladding layer as compared with the prior art. There is an advantage to implement a waveguide.

또한, 본 발명은, 제 2 코어 층 성장 시 성장 장비를 통하여 1nm 이하의 두께 정밀성을 얻을 수 있기 때문에 매우 정확한 소자 구현을 할 수 있는 이점이 있다. In addition, the present invention has a merit that a very accurate device can be realized because the thickness precision of 1 nm or less can be obtained through the growth equipment when the second core layer is grown.

또한, 본 발명은, 식각 방지 층을 InP 물질로 형성하고 비등방성 식각제에 의하여 식각될 수 있는 InGaAsP 물질을 식각함으로써 식각제의 비등방성으로 인한 불규칙적인 패턴에 의하여 발생되는 문제점을 해결할 수 있는 이점이 있다. In addition, the present invention, by forming an etch stop layer of the InP material and etching the InGaAsP material that can be etched by the anisotropic etchant to solve the problems caused by the irregular pattern caused by the anisotropy of the etchant There is this.

또한, 본 발명은, 편광 보상 영역의 클래드 층의 두께를 종래 구조의 클래드 층 두께보다 두껍게하여 편광 보상을 구현할 수 있기 때문에, 전극 증착으로 인한 금속 물질의 반사 특성에 의한 도파 모드의 섭동을 줄일 수 있는 이점이 있다. In addition, since the polarization compensation can be realized by making the thickness of the cladding layer of the polarization compensation region thicker than the thickness of the cladding layer of the conventional structure, the perturbation of the waveguide mode due to the reflection characteristic of the metal material due to electrode deposition can be reduced. There is an advantage to that.

또한, 본 발명은, 종래 기술에 사용되는 식각 장비 및 식각 조건과 동일한 장비 및 조건 하에서 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. In addition, the present invention has the advantage of improving the reliability of the device under the same equipment and conditions as the etching equipment and etching conditions used in the prior art.

다중화기는 여러 포트에서 들어오는 각기 서로 다른 파장의 입력 광 신호들을 공간적으로 하나의 도파로 합쳐주는 역할을 수행하며, 역다중화기는 하나의 입력 포트에서 들어오는 여러 채널의 광 신호들을 파장별로 분리시키는 역할을 수행하는 것으로 서로 가역 관계가 있으므로, 설명의 편의상 이하에서는 역다중화기에 대하여 설명하기로 한다. 그러나 하기의 설명에 의한 본 발명 범위는 역다중화기에 한정되는 것이 아니라 다중화기도 포함한다. The multiplexer serves to spatially combine input optical signals of different wavelengths coming from different ports into a single waveguide, and the demultiplexer separates optical signals of multiple channels coming from one input port by wavelength. Since there is a reversible relationship with each other, a demultiplexer will be described below for convenience of description. However, the scope of the present invention by the following description is not limited to the demultiplexer but also includes a multiplexer.

또한, 상기 다중화 및 역다중화를 수행하는 광 소자는 상술한 바와 같이 도파로형 오목 회절 격자와 어레이 도파로 회절 격자가 있으며, 설명의 편의상 이하에서는 도파로형 오목 회절 격자에 대하여 설명하기로 한다. 그러나 하기의 설명에 의한 본 발명의 범위는 도파로형 오목 회절 격자에 한정되는 것이 아니라 어레이 도파로 회절 격자도 포함한다. In addition, the optical device performing the multiplexing and demultiplexing includes a waveguide-type concave diffraction grating and an array waveguide diffraction grating as described above. Hereinafter, the waveguide-type concave diffraction grating will be described. However, the scope of the present invention by the following description is not limited to the waveguide concave diffraction grating but also includes an array waveguide diffraction grating.

도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 역다중화기를 보여주는 예 시도이다. 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 역다중화기는, 입력 도파로, 출력 도파로 열, 슬랩 도파로 및 오목 회절 격자를 포함한다. 이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 역다중화기의 구조 및 역할에 대하여 상세히 설명한다. Figure 4 is an example attempt to show a polarization independent demultiplexer according to an embodiment of the present invention. A polarization independent demultiplexer according to an embodiment of the present invention includes an input waveguide, an output waveguide column, a slab waveguide, and a concave diffraction grating. Hereinafter, the structure and role of the polarization independent demultiplexer according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 4.

상기에서 설명한 바와 같이 외부로부터 입력되는 서로 다른 파장의 임의의 편광을 가지는 광 신호들은 입력 도파로 및 상기 입력 도파로와 광학적으로 연결된 슬랩 도파로를 거쳐 오목 회절 격자로 전파되며, 상기 오목 회절 격자 면의 회절 특성에 따라 파장 별로 각기 다른 위치의 출력 도파로로 전파된다. 이 때, 출력 광 신호의 TE 모드와 TM 모드의 위상 차로 인한 상기한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 역다중화기는, 광 도파 영역 및 편광 보상을 위한 편광 보상 영역을 포함하는 슬랩 도파로를 구비한다. 이러한, 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로에 대하여 이하에서 좀 더 상세히 설명한다. As described above, optical signals having arbitrary polarizations of different wavelengths input from the outside are propagated to the concave diffraction grating through an input waveguide and a slab waveguide optically connected to the input waveguide, and diffraction characteristics of the concave diffraction grating plane Depending on the wavelength, it propagates to the output waveguide at different positions. In this case, in order to solve the above problems caused by the phase difference between the TE mode and the TM mode of the output optical signal, the polarization independent demultiplexer according to the embodiment of the present invention may include an optical waveguide region and a polarization compensation region for polarization compensation. A slab waveguide is included. Such a slab waveguide according to an embodiment of the present invention will be described in more detail below.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로는, 기판(substrate), 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하는 광 도파 영역과 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함하는 편광 보상 영역을 포함한다. Referring to FIG. 4, a slab waveguide according to an embodiment of the present invention includes a substrate, an optical waveguide region including a lower cladding layer, a first core layer, and an upper cladding layer sequentially formed on one side of the substrate; Polarization compensation including a lower clad layer, a first core layer, an upper clad layer, and a second core layer formed between the first core layer and the upper clad layer extending from the optical waveguide region and sequentially formed on the other side of the substrate; It includes an area.

상기와 같은 구조에서 기판, 하부 클래드 층 및 상부 클래드 층은 III-V 족 결합물로 이루어질 수 있으며, InP 물질 또는 GaAs 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. In the above structure, the substrate, the lower clad layer and the upper clad layer may be made of a group III-V combination, preferably made of InP material or GaAs material.

또한, 제 1 코어 층 및 제 2 코어 층은 InGaAsP 물질로 이루어질 수 있다. 이 때, 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장이 광 신호의 동작 파장보다 길다면 광 신호를 흡수하기 때문에, 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 광 신호의 동작 파장보다 짧아야한다. In addition, the first core layer and the second core layer may be made of InGaAsP material. At this time, if the band gap wavelength of the second core layer material is longer than the operating wavelength of the optical signal, the band gap wavelength of the second core layer material should be shorter than the operating wavelength of the optical signal.

한편, 제 2 코어 층 도입으로 인한 도파 모드의 특성(굴절률, 복굴절률)을 효과적으로 변화시키기 위해서, 제 2 코어 층의 굴절률이 제 1 코어 층 굴절률보다 작게 설계될 경우, 즉 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장이 제 1 코어 층 물질의 밴드 갭 파장보다 짧은 경우에는 제 2 코어 층의 두께를 제 1 코어 층 두께보다 두껍게 하는 편이 바람직하다. 그러나 이러한 경우에는 전체 코어 층 두께가 증가하여 다모드(multi-mode) 특성이 쉽게 나타나므로, 단일 모드 특성을 얻을 수 있는 범위 내에서 설계해야한다. 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장이 긴 경우는 제 2 코어 층 두께를 제 1 코어 층 두께보다 얇게 설계함으로써 단일 모드 특성과 복굴절 변화 특성을 쉽게 만족시킬 수 있다. 이 때, 제 1 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 1.05㎛, 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 1.05㎛보다 높은 것이 바람직하다. On the other hand, in order to effectively change the characteristics (refractive index, birefringence) of the waveguide mode due to the introduction of the second core layer, when the refractive index of the second core layer is designed to be smaller than the first core layer refractive index, that is, When the band gap wavelength is shorter than the band gap wavelength of the first core layer material, it is preferable to make the thickness of the second core layer thicker than the thickness of the first core layer. In this case, however, the overall core layer thickness is increased, so that the multi-mode characteristics are easily shown. Therefore, it is necessary to design within the range to obtain the single mode characteristics. When the band gap wavelength of the second core layer material is long, the single core characteristic and the birefringence change characteristic can be easily satisfied by designing the second core layer thickness to be thinner than the first core layer thickness. At this time, it is preferable that the band gap wavelength of the first core layer material is higher than 1.05 mu m, and the band gap wavelength of the second core layer material is higher than 1.05 mu m.

또한, 상부 클래드 층의 두께는 하기하는 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로 제조 과정에서 임의로 조정할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로의 제조 방법에 대하여 이하에서 도 5를 참조하여 상세히 설명한 다. In addition, the thickness of the upper clad layer can be arbitrarily adjusted during the slab waveguide manufacturing process according to an embodiment of the present invention described below. Such a method for manufacturing a slab waveguide according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 5 below.

도 5는 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로의 제조 방법을 나타내는 예시도이다. 5 is an exemplary view showing a method of manufacturing a slab waveguide according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 5의 (a)와 같이 기판(substrate) 상에 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 식각 방지 층, 제 2 코어 층 및 제 1 상부 클래드 층을 차례로 형성한다. First, as shown in FIG. 5A, a lower clad layer, a first core layer, an etch stop layer, a second core layer, and a first upper clad layer are sequentially formed on a substrate.

이 때, 기판은 InP 기판을 사용할 수 있으며, 하부 클래드 층, 식각 방지 층 및 제 1 상부 클래드 층은 III-V 족 결합물, 바람직하게는 InP 물질 또는 GaAs 물질을 사용할 수 있다. In this case, the substrate may use an InP substrate, and the lower clad layer, the etch stop layer, and the first upper clad layer may use a III-V group bond, preferably an InP material or a GaAs material.

또한, 제 1 코어 층 및 제 2 코어 층은 InGaAsP 물질을 사용할 수 있으며, 제 2 코어 층 물질의 굴절율은 제 1 코어 층 물질의 굴절율보다 높게 한다. 즉, 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 제 1 코어 층 물질의 밴드 갭 파장보다 길어야하며, 제 1 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 1.05㎛(두께=0.6㎛), 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 1.05㎛ 이상, 바람직하게는 1.3㎛이다. In addition, the first core layer and the second core layer may use InGaAsP material, and the refractive index of the second core layer material is higher than that of the first core layer material. That is, the band gap wavelength of the second core layer material should be longer than the band gap wavelength of the first core layer material, and the band gap wavelength of the first core layer material is 1.05 μm (thickness = 0.6 μm), that of the second core layer material The band gap wavelength is at least 1.05 탆, preferably 1.3 탆.

이후, 도 5의 (b)와 같이 제 1 상부 클래드 층 상에 마스크 패턴을 형성하고 건식 식각 및 선택적 습식 식각을 수행함으로써 상기 광 도파 영역의 제 1 상부 클래드 층 및 제 2 코어 층을 제거한 후 상기 마스크 패턴을 제거한다. Thereafter, as shown in FIG. 5B, a mask pattern is formed on the first upper clad layer, and dry etching and selective wet etching are performed to remove the first upper clad layer and the second core layer of the optical waveguide region. Remove the mask pattern.

이 때, 상기 마스크 패턴 형성 단계에서 실리콘 니트라이드(SiNX) 또는 실리카(SiO2) 등의 절연 물질을 사용하는 것이 바람직하다. In this case, it is preferable to use an insulating material such as silicon nitride (SiN X ) or silica (SiO 2 ) in the mask pattern forming step.

또한, 상기 InGaAsP의 선택적 습식 식각 수행 시 사용되는 식각제는 매질에 대하여 등방성을 지니는 식각제인 것이 바람직하다. 상기 식각제는 인산, 과산화 수소 및 물이 혼합된 용액(H3PO4 : H2O2 : H2O) 또는 황산, 과산화 수소 및 물이 혼합된 용액(H2SO4 : H2O2 : H2O)일 수 있다. In addition, the etchant used in the selective wet etching of InGaAsP is preferably an etchant having isotropy with respect to the medium. The etchant is a solution of phosphoric acid, hydrogen peroxide and water (H 3 PO 4 : H 2 O 2 : H 2 O) or a solution of sulfuric acid, hydrogen peroxide and water (H 2 SO 4 : H 2 O 2 : H 2 O).

상기와 같이, 본 발명은, 식각 방지 층을 InGaAsP 물질로 형성하고 InP를 습식 식각하는 종래 기술과 달리, 식각 방지 층을 InP 물질로 형성하고 비등방성 식각제에 의하여 식각될 수 있는 InGaAsP 물질을 식각함으로써 식각제의 비등방성으로 인한 불규칙적인 패턴에 의하여 발생되는 문제점을 해결할 수 있다. As described above, the present invention, unlike the prior art of forming the etch stop layer of the InGaAsP material and wet etching the InP, etching the InGaAsP material that can form the etch stop layer of InP material and can be etched by an anisotropic etchant As a result, problems caused by irregular patterns due to anisotropy of the etchant may be solved.

이후, 도 5의 (c)와 같이 마스크 패턴을 제거한 후, 제 1 상부 클래드 층의 물질과 같은 물질로 제 2 상부 클래드 층을 형성한다. 이 때, 제 2 상부 클래드 층의 형성 두께는 편광 보상을 위한 구조 변수에 따라 적절하게 조절될 수 있다. Subsequently, after removing the mask pattern as shown in FIG. 5C, the second upper clad layer is formed of the same material as that of the first upper clad layer. At this time, the formation thickness of the second upper clad layer may be appropriately adjusted according to the structural parameters for polarization compensation.

이후, 도 5의 (d)와 같이 회절 격자의 결합을 위하여 제 2 상부 클래드 층 상에 마스크 패턴을 형성하고 건식 식각을 수행한 후, 상기 마스크 패턴을 제거하면 도 5의 (e)와 같은 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로가 완성된다. 도 5와 같이 제작된 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로에 대하여 이하에서 도 6을 참조하여 설명하기로 한다. Subsequently, after forming a mask pattern on the second upper clad layer and performing dry etching to bond the diffraction grating as shown in (d) of FIG. 5, the mask pattern is removed when the mask pattern is removed. A polarization independent slab waveguide according to one embodiment of the invention is completed. A polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention manufactured as shown in FIG. 5 will be described below with reference to FIG. 6.

도 6은 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로 제조 방법에 따라 제작된 편광 무의존 슬랩 도파로를 설명하기 위한 예 시도이다. FIG. 6 is an example attempt to explain a polarization independent slab waveguide manufactured according to the method for manufacturing a polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention described with reference to FIG. 5.

도 6의 (a)는 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로의 광 도파 영역의 단면도, 도 6의 (b)는 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로의 편광 보상 영역의 단면도, 도 6의 (c)는 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로의 구조 변수에 따른 유효 굴절율과 복굴절율을 나타내는 예시도이다. 입력 광 신호는 1550nm 파장을, 기판은 InP 물질을 사용하여 시뮬레이션하였다. 또한, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 보이는 바와 같이 제 1 상부 클래드 층의 두께를 0.2 ㎛, 제 2 상부 클래드 층의 두께를 1 ㎛로 하여 시뮬레이션하였다. 6 (a) is a cross-sectional view of the optical waveguide region of the slab waveguide according to an embodiment of the present invention, Figure 6 (b) is a cross-sectional view of the polarization compensation region of the slab waveguide according to an embodiment of the present invention, Figure 6 (C) is an exemplary diagram showing the effective refractive index and the birefringence according to the structural parameters of the slab waveguide according to an embodiment of the present invention. The input optical signal was simulated using a 1550 nm wavelength and the substrate using InP material. 6 (a) and 6 (b), the thickness of the first upper clad layer was 0.2 µm and the thickness of the second upper clad layer was 1 µm.

도 6의 (c)는 제 2 코어 층의 두께(tcore) 변화 시에 TE 모드와 TM 모드의 유효 굴절율과 복굴절율을 시뮬레이션한 그래프이다. 도 6의 (c)를 참조하면, 제 2 코어 층의 두께(tcore)가 0 ㎛ 인 경우, 즉 영역 1 에서의 TE 모드의 유효 굴절율은 3.19638, 복굴절율은 0.001652 이며, 제 2 코어 층의 두께(tcore)가 두꺼워 질수록 유효 굴절율과 복굴절율이 증가함을 알 수 있다. 6C is a graph simulating the effective refractive index and the birefringence of the TE mode and the TM mode when the thickness t core of the second core layer is changed. Referring to FIG. 6C, when the thickness t core of the second core layer is 0 μm, that is, the effective refractive index of the TE mode in the region 1 is 3.19638, the birefringence is 0.001652, and It can be seen that as the thickness t core increases, the effective refractive index and the birefringence increase.

한편, 편광 보상기를 구현하기 위해서는 편광 보상 영역의 복굴절율은 광 도파 영역의 복굴절율보다 약 2.5배 이상 되어야 편광 보상 영역 패턴을 슬랩 도파로 영역 내에 설계할 수 있다. 또한, 편광 보상 영역의 복굴절률이 클수록 좁은 영역으로 편광 보상을 시킬 수 있고, 제 2 코어 층의 두께 변화에 대해 복굴절률의 변화가 작은 영역에서 안정적인 편광 보상 구조를 구현할 수 있다. Meanwhile, in order to implement a polarization compensator, the birefringence of the polarization compensation region should be about 2.5 times or more than the birefringence of the optical waveguide region to design the polarization compensation region pattern in the slab waveguide region. In addition, as the birefringence of the polarization compensation region increases, polarization compensation may be performed in a narrow region, and a stable polarization compensation structure may be realized in a region where the change in birefringence is small with respect to the thickness change of the second core layer.

도 6의 (c)를 참조하면, 제 2 코어 층의 두께(tcore)는 0.28㎛ ~ 0.34㎛ (0.36㎛ 이상에서는 multi-mode 발생)범위가 적절한 두께로 나타나며, 0.3㎛인 경우 복굴절률은 0.00536, 즉 광 도파 영역의 3.35배로 얻어진다. 제 2 코어 층의 두께의 정확성은 성장 장비(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition : MOCVD)를 통해 1nm 이하로 얻을 수 있으며, 설령 약간의 두께 변동이 있더라도 복굴절률 변화가 매우 완만히 변화하므로, 안정적으로 편광 보상을 시킬 수 있다. 상기 제 2 코어 층의 두께가 0.3㎛인 경우의 응답 스펙트럼을 도 7을 참조하여 이하에서 설명한다. Referring to (c) of FIG. 6, the thickness t core of the second core layer is in a range of 0.28 μm to 0.34 μm (multi-mode occurs at 0.36 μm or more), and the birefringence is 0.3 μm. 0.00536, i.e., 3.35 times the optical waveguide region. The accuracy of the thickness of the second core layer can be obtained at 1 nm or less through growth equipment (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD), and even if there is a slight thickness variation, the birefringence change is changed very slowly, so that the polarization compensation is stable. You can let The response spectrum when the thickness of the second core layer is 0.3 μm will be described below with reference to FIG. 7.

도 7은 도 6과 같은 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로의 TE 모드와 TM 모드의 응답 스펙트럼을 보여주는 예시도이다. FIG. 7 is an exemplary view illustrating a response spectrum of a TE mode and a TM mode of a polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention as shown in FIG. 6.

도 7을 참조하면, TE 모드와 TM 모드의 응답 스펙트럼이 일치함을 알 수 있다. 즉, 입력 광 신호에 대한 출력 광 신호의 편광 보상이 되었음을 알 수 있다. Referring to FIG. 7, it can be seen that the response spectra of the TE mode and the TM mode coincide. That is, it can be seen that the polarization compensation of the output optical signal with respect to the input optical signal.

이처럼 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로는, 편광 보상 영역의 클래드 층의 두께를 종래 구조의 클래드 층 두께보다 두껍게하여 편광 보상을 구현할 수 있기 때문에, 전극 증착으로 인한 금속 물질의 반사 특성에 의한 도파 모드의 섭동을 줄일 수 있게 된다. As described above, since the slab waveguide according to the embodiment of the present invention can implement polarization compensation by making the thickness of the cladding layer of the polarization compensation region thicker than the thickness of the cladding layer of the conventional structure, The perturbation in the waveguide mode can be reduced.

도 8은 도 6과 같은 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로의 영역별로 도파 모드에 따른 광 분포를 보여주는 예시도이다. FIG. 8 is an exemplary view illustrating light distribution according to a waveguide mode for each region of a polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention as shown in FIG. 6.

도 8을 참조하면, 광 도파 영역의 광 분포의 피크치는 제 1 코어 층에, 편광 보상 영역의 광 분포의 피크치는 제 2 코어 층에 있음을 알 수 있다. Referring to FIG. 8, it can be seen that the peak value of the light distribution of the optical waveguide region is in the first core layer and the peak value of the light distribution of the polarization compensation region is in the second core layer.

이처럼 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로에서는 편광 보상 영역에서의 광 분포의 피크치가 제 2 코어 층에 있는 정상적인 도파 모드를 나타내며, 이는 종래 구조에 비해 클래드 층 두께에 영향을 받지 않는 구조임을 알 수 있게 해준다. 또한, 상기 구조에 대해 광 도파 영역과 편광 보상 영역의 상부 클래드 층 두께를 무한히 증가시킨 구조에서 광 도파 영역에 대한 편광 보상 영역의 복굴절률 비의 변동치는 5% 이내이므로 무시할 수 있다. As described above, in the polarization independent slab waveguide according to the exemplary embodiment of the present invention, the peak value of the light distribution in the polarization compensation region represents a normal waveguide mode in the second core layer, which is not affected by the cladding layer thickness compared to the conventional structure. It's a structure. In addition, in the structure in which the thickness of the upper cladding layer of the optical waveguide region and the polarization compensation region is infinitely increased with respect to the structure, the variation in the birefringence ratio of the polarization compensation region with respect to the optical waveguide region is within 5% and can be ignored.

또한, 편광 보상 영역의 광 세기의

Figure 112007072465274-pat00004
폭이 약 1.6㎛를 나타내므로, 종래 기술에 의한 2.7㎛보다 식각 깊이에 대한 수직성과 균일성이 덜 요구되는 장비 또는 식각 조건을 사용할 수 있는 이점이 있다. 다시 말해, 종래 기술에 사용되는 장비 및 조건과 동일한 장비 및 조건을 사용하여 광 소자의 신뢰성 및 특성 향상을 이룰 수 있게 된다. In addition, the light intensity of the polarization compensation region
Figure 112007072465274-pat00004
Since the width represents about 1.6 μm, there is an advantage in that it is possible to use equipment or etching conditions that require less perpendicularity and uniformity to the depth of etching than 2.7 μm in the prior art. In other words, it is possible to achieve the reliability and characteristics of the optical device by using the same equipment and conditions as those used in the prior art.

상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 일실시 예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 도파로 형 오목 회절 격자뿐만 아니라 입출력 도파로, 슬랩 도파로 및 어레이 도파로 열로 구성되는 어레이 도파로 회절 격자에도 적용할 수 있으며, 특히 슬랩 도파로, 즉 FPR(free propagation range) 영역에 상기 편광 보상 구조를 적용할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특 허청구범위와 특허청구범위의 균등한 것에 의해 정해져야 한다.In the above description of the present invention, a specific embodiment has been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. For example, the present invention can be applied not only to a waveguide-type concave diffraction grating but also to an array waveguide diffraction grating composed of input / output waveguides, slab waveguides, and array waveguide columns, in particular, the polarization in a slab waveguide, i.e., a free propagation range (FPR) region. Compensation structures can be applied. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.

도 1은 종래 도파로형 오목 회절 격자를 이용한 역다중화기를 보여주는 예시도, 1 is an exemplary view showing a demultiplexer using a conventional waveguide-type concave diffraction grating,

도 2는 종래 슬랩 도파로에서 입력 광 신호에 대한 출력 광 신호의 위상 차를 보여주기 위한 예시도, 2 is an exemplary diagram for showing a phase difference of an output optical signal with respect to an input optical signal in a conventional slab waveguide;

도 3은 종래 편광 보상 구조를 갖는 슬랩 도파로를 설명하기 위한 예시도, 3 is an exemplary diagram for explaining a slab waveguide having a conventional polarization compensation structure;

도 4는 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 역다중화기를 보여주는 예시도, 4 is an exemplary view showing a polarization independent demultiplexer according to an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 일실시 예에 따른 슬랩 도파로의 제조 방법을 나타내는 예시도, 5 is an exemplary view showing a method of manufacturing a slab waveguide according to an embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 일실시 예에 따라 제작된 편광 무의존 슬랩 도파로를 설명하기 위한 예시도, 6 is an exemplary diagram for explaining a polarization independent slab waveguide manufactured according to an embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로의 TE 모드와 TM 모드의 응답 스펙트럼을 보여주는 예시도,7 is an exemplary view illustrating a response spectrum of a TE mode and a TM mode of a polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention;

도 8은 본 발명의 일실시 예에 따른 편광 무의존 슬랩 도파로의 영역별로 도파 모드에 따른 광 분포를 보여주는 예시도.8 is an exemplary view showing light distribution according to a waveguide mode for each region of a polarization independent slab waveguide according to an embodiment of the present invention.

Claims (13)

기판의 일측 상부에 형성되며 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역; 및An optical waveguide region formed on one side of the substrate and configured to guide the input optical signal; And 상기 기판의 타측 상부에 형성되며 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역A polarization compensation region formed on the other side of the substrate and compensating for polarization of an optical signal that is input from the optical waveguide region and is reflected and diffracted by a diffraction grating 을 포함하되, Including, 상기 광 도파 영역은, 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하고, The optical waveguide region includes a lower clad layer, a first core layer, and an upper clad layer, which are sequentially formed on one side of the substrate, 상기 편광 보상 영역은, 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함하는The polarization compensation region extends from the optical waveguide region and includes a lower clad layer, a first core layer, an upper clad layer, and a second core formed between the first core layer and the upper clad layer, which are sequentially formed on the other side of the substrate. Covering layer 편광 무의존 슬랩 도파로.Polarization independent slab waveguide. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 동작 파장보다 짧은The band gap wavelength of the second core layer material is shorter than the operating wavelength 편광 무의존 슬랩 도파로. Polarization independent slab waveguide. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 코어 층 및 제 2 코어 층은, The method of claim 1, wherein the first core layer and the second core layer, 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층보다 높은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 Made of a material having a higher refractive index than the upper clad layer and the lower clad layer 편광 무의존 슬랩 도파로. Polarization independent slab waveguide. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 코어 층 및 제 2 코어 층은, The method of claim 1, wherein the first core layer and the second core layer, InGaAsP 물질로 이루어진 Made of InGaAsP material 편광 무의존 슬랩 도파로. Polarization independent slab waveguide. 제 1항에 있어서, 상기 상부 클래드 층 및 상기 하부 클래드 층은, The method of claim 1, wherein the upper clad layer and the lower clad layer, InP 물질 또는 GaAs 물질로 이루어진Made of InP material or GaAs material 편광 무의존 슬랩 도파로.Polarization independent slab waveguide. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 코어 층 물질의 밴드 갭 파장은 상기 제 1 코어 층 물질의 밴드 갭 파장보다 긴The band gap wavelength of the second core layer material is longer than the band gap wavelength of the first core layer material. 편광 무의존 슬랩 도파로Polarization independent slab waveguide 외부로부터 광 신호를 입력받거나 외부로 광 신호를 출력하는 광 도파로;An optical waveguide configured to receive an optical signal from an external source or output an optical signal to an external device; 상기 광 도파로와 광학적으로 연결되며, 상기 광 도파로부터 광 신호를 입력 받거나 상기 광 도파로로 광 신호를 출력하는 슬랩 도파로;A slab waveguide optically connected to the optical waveguide and receiving an optical signal from the optical waveguide or outputting an optical signal to the optical waveguide; 상기 슬랩 도파로로부터 입력되는 광 신호를 반사 및 회절시켜 상기 슬랩 도파로로 출력하는 오목 회절 격자A concave diffraction grating that reflects and diffracts an optical signal input from the slab waveguide and outputs the light signal to the slab waveguide 를 포함하되,Including but not limited to: 상기 슬랩 도파로는, 기판의 일측 상부에 형성되며 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역; 및 상기 기판의 타측 상부에 형성되며 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 상기 오목 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하고, The slab waveguide may include an optical waveguide region formed on one side of a substrate and configured to guide an input optical signal; And a polarization compensation region formed on the other side of the substrate and compensating for the polarization of the optical signal inputted from the optical waveguide region and reflected and diffracted by the concave diffraction grating. 상기 광 도파 영역은, 상기 기판의 일측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층 및 상부 클래드 층을 포함하며,The optical waveguide region includes a lower clad layer, a first core layer, and an upper clad layer, which are sequentially formed on one side of the substrate, 상기 편광 보상 영역은, 상기 광 도파 영역으로부터 연장되어 상기 기판의 타측 상부에 차례로 형성된 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 상부 클래드 층 및 상기 제 1 코어 층과 상기 상부 클래드 층 사이에 형성된 제 2 코어 층을 포함하는The polarization compensation region extends from the optical waveguide region and includes a lower clad layer, a first core layer, an upper clad layer, and a second core formed between the first core layer and the upper clad layer, which are sequentially formed on the other side of the substrate. Covering layer 편광 무의존 다중화기/역다중화기.Polarization independent multiplexer / demultiplexer. 입력되는 광 신호를 도파시키는 광 도파 영역 및 상기 광 도파 영역으로부터 입력되어 회절 격자에서 반사 및 회절되는 광 신호의 편광을 보상하는 편광 보상 영역을 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법에 있어서, A slab waveguide manufacturing method comprising an optical waveguide region for guiding an input optical signal and a polarization compensation region for compensating polarization of an optical signal inputted from the optical waveguide region and reflected and diffracted in a diffraction grating. (a) 기판 상에 하부 클래드 층, 제 1 코어 층, 식각 방지 층, 제 2 코어 층 및 제 1 상부 클래드 층을 차례로 형성하는 단계;(a) sequentially forming a lower clad layer, a first core layer, an etch stop layer, a second core layer, and a first upper clad layer on the substrate; (b) 상기 제 1 상부 클래드 층 상에 제 1 마스크 패턴을 형성하고 건식 식각 및 선택적 습식 식각을 수행함으로써 상기 광 도파 영역의 제 1 상부 클래드 층 및 제 2 코어 층을 제거한 후, 상기 제 1 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및(b) removing the first upper clad layer and the second core layer of the optical waveguide region by forming a first mask pattern on the first upper clad layer and performing dry etching and selective wet etching, and then the first mask Removing the pattern; And (c) 상기 광 도파 영역과 상기 편광 보상 영역의 상부에 제 2 상부 클래드 층을 형성하는 단계(c) forming a second upper clad layer on top of the optical waveguide region and the polarization compensation region; 를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법. Slab waveguide manufacturing method comprising a. 제 8항에 있어서, The method of claim 8, (d) 상기 제 2 상부 클래드 층 상부에 제 2 마스크 패턴을 형성하고 건식 식각을 수행함으로써 상기 회절 격자를 결합하기 위한 영역을 형성하는 단계(d) forming a region for joining the diffraction grating by forming a second mask pattern over the second upper clad layer and performing dry etching 를 더 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법. Slab waveguide manufacturing method further comprising. 제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계는, According to claim 8, wherein step (b) is, 실리콘 니트라이드(SiNX) 또는 실리카(SiO2)로 상기 제 1 마스크 패턴을 형성하는 단계Forming the first mask pattern from silicon nitride (SiN X ) or silica (SiO 2 ) 를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법. Slab waveguide manufacturing method comprising a. 제 9항에 있어서, 상기 (d) 단계는, The method of claim 9, wherein step (d) 실리콘 니트라이드(SiNX) 또는 실리카(SiO2)로 상기 제 2 마스크 패턴을 형성하는 단계Forming the second mask pattern from silicon nitride (SiN X ) or silica (SiO 2 ) 를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법. Slab waveguide manufacturing method comprising a. 제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계는, The method of claim 8, wherein step (a) comprises: InGaAsP 물질로 상기 제 1 코어 층 및 상기 제 2 코어 층을 형성하는 단계Forming the first core layer and the second core layer from an InGaAsP material 를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법. Slab waveguide manufacturing method comprising a. 제 12항에 있어서, 상기 (b) 단계는, The method of claim 12, wherein step (b) comprises: 상기 제 2 코어 층의 선택적 습식 식각 시에 인산, 과산화 수소 및 물이 혼합된 용액(H3PO4 : H2O2 : H2O) 또는 황산, 과산화 수소 및 물이 혼합된 용액(H2SO4 : H2O2 : H2O)를 식각제로 사용하는 단계In the case of selective wet etching of the second core layer, a solution in which phosphoric acid, hydrogen peroxide and water are mixed (H 3 PO 4 : H 2 O 2 : H 2 O) or a solution in which sulfuric acid, hydrogen peroxide and water are mixed (H 2 SO 4 : H 2 O 2 : H 2 O) as an etchant 를 포함하는 슬랩 도파로 제조 방법. Slab waveguide manufacturing method comprising a.
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