KR100920468B1 - 접촉식 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 접촉식 패널에 관한 것이다. 보다 상세하게는 접촉식 패널의 보호층과 전도층 사이에 겔 형태의 광투과층을 형성하여 빛의 투과율을 높이며 접촉식 패널의 동작시에 가해지는 충격을 흡수하는 것이 가능한 접촉식 패널에 관한 것이다. 본 발명은 접촉식 패널의 동작을 위한 소정의 전압이 인가될 수 있도록 형성되는 제1 전도층; 상기 제1 전도층 상부에 형성되며 유동성을 갖는 입자를 포함하는 광투과층; 및 상기 광투과층 상부에 형성되는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 접촉식 패널의 보호층과 전도층 사이에 전도층의 구성 성분과 굴절율이 비슷한 겔 형태의 실리콘 성분을 갖는 광투과층을 형성하여 보호층과 전도층 사이의 빛의 반사율은 낮추고 빛의 투과율은 높이는 것이 가능한 효과를 가진다.

접촉식 패널, 실리콘, 겔, ITO

Description

접촉식 패널{Touch Panel}

본 발명은 접촉식 패널에 관한 것이다. 보다 상세하게는 접촉식 패널의 보호층과 전도층 사이에 겔 형태의 광투과층을 형성하여 빛의 투과율을 높이며 접촉식 패널의 동작시에 가해지는 충격을 흡수하는 것이 가능한 접촉식 패널에 관한 것이다.

일반적으로 접촉식 패널(Touch Panel)은 손 또는 펜으로 표면을 접촉하여 사용하는 입력장치로서 최초 군수용으로 개발되었으나 점차 그 사용 영역이 확대되어 최근에 와서는 은행의 ATM기, PDA, 차량의 네비게이션, 및 휴대폰 등에 이르기까지 광범위하게 사용되고 있으며, 접촉식 패널이 모니터 또는 단말기에 결합되어 활용되는 경우에는 터치스크린(Touch Screen), 마우스를 대신하여 커서를 이동하는 목적으로 사용되는 경우에는 터치 패드(Touch Pad)라고 불리운다.

접촉식 패널의 동작원리는 다음과 같다. 먼저, 전도막이 증착되고 일정한 전압이 걸려있는 상태로 이격되어 있는 상판과 하판을 구성한 후 손 또는 펜의 접촉에 의해 상판이 하방으로 눌려 상판과 하판이 접촉되면 그에 따라 접촉 지점에서 전위차가 발생하게 된다.

발생한 전위차는 컨트롤러에 전송되어 컨트롤러에서 정확한 포인트를 찾기 위한 수차례의 필터링 과정을 거친 후 접촉 지점에 대한 정확한 X,Y 좌표를 산출하여 컴퓨터에 전달하게 된다.

접촉식 패널은 접촉 방식에 따라 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 및 초음파 방식으로 나눌 수 있다.

도 1a은 종래의 저항막 방식의 접촉식 패널에 대한 사시도, 및 도 1b는 종래의 저항막 방식의 접촉식 패널에 대한 부분 단면도이다. 도 1a 에 도시된 바와 같이 접촉식 패널(1)은 하판(2), 상판(3), 도트 스페이서(Dot Spacer)(4), 보호층(5), 공극층(6), 및 접착층(7)을 포함한다.

하판(2)과 상판(3)은 투명 전도막이 증착되어 있으며 일정 전압이 인가된 상태로 이격되어 있다. 도트 스페이서(4)는 하판(2)과 상판(4) 사이에 복수 개가 결합되어 하판(2)과 상판(3)을 이격시키며 하판(2)과 상판(3)이 접촉되는 일 지점 외의 다른 지점에서의 하판(2)과 상판(4) 간의 접촉을 방지한다. 보호층(5)은 가요성을 가지며 손 또는 펜을 이용하여 보호층(5)을 가압하게 되면 하방으로 눌려 상판(3)과 하판(2)이 접촉하도록 하며 손 또는 펜에 의한 상판(3)의 손상을 방지한다. 공극층(6)은 상판(3)과 보호층(4) 사이에 절연을 위해 형성되는 층이며 접착층은(8)는 상판(3)과 보호층(5)을 결합시킴과 동시에 공극층(6) 주위를 감싸 외부 공기의 유입을 막는다.

종래의 접촉식 패널의 경우 도 1a에 도시된 바와 같이 상판(3)과 보호층(5) 간의 직접 접촉을 방지하기 위하여 상판(3)과 보호층(5) 사이에 공극층(6)을 형성 하거나 상판(3)과 보호층(5) 사이에 압축 공기를 주입하는 방식이 주로 사용되었다.

그러나 상기와 같은 방식의 경우 도 1b에서 도시된 바와 같이 상판(3)과 보호층(5) 간의 굴절율 차이에 의해 빛의 반사율은 높아지며 빛의 투과율은 낮아지는 문제점이 있었다.

따라서 이러한 문제점을 해결하기 위하여 상판(3)과 보호층(5) 사이에 액상의 애폭시 수지와 같은 절연성 액체를 주입하거나 자외선 경화를 거친 아크릴 시트층 또는 접착 테이프 층을 형성하는 방식을 사용하였다.

그러나 절연성 액체를 주입하는 경우 접촉식 패널(1)의 사용을 위하여 손이나 펜 등으로 보호층(5)을 가압하게 되는 경우 압력을 받는 절연성 액체가 균일한 도포 상태를 유지하지 못하여 빛의 투과율이 낮아지며, 아크릴 시트층을 형성한 경우에는 접착성이 약하여 상판(3)과 보호층(5)간에 틈이 발생하게 되며, 접착 테이프 층을 형성한 경우에는 충격에 약하여 보호층(5)을 통해 전달되는 충격에 의해 상판(3)이 손상되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로 접촉식 패널의 보호층과 전도층 사이에 겔 형태의 광투과층을 형성하여 빛의 투과율을 높이며 접촉식 패널의 동작시에 가해지는 충격을 흡수하는 것이 가능한 접촉식 패널에 관한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 접촉식 패널은 접촉식 패널의 동작을 위한 소정의 전압이 인가될 수 있도록 형성되는 제1 전도층; 상기 제1 전도층 상부에 형성되며 유동성을 갖는 입자를 포함하는 광투과층; 및 상기 광투과층 상부에 형성되는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 광투과층은 겔 형태의 실리콘 성분을 포함할 수 있다.

또한, 상기 제1 전도층 하부에 형성되는 제2 전도층, 상기 제2 전도층 하부에 형성되는 기판, 및 상기 제1 전도층 및 상기 제2 전도층 사이에 놓이는 복수 개의 도트 스페이서를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 기판, 상기 제1 전도층, 상기 도트 스페이서, 상기 제2 전도층, 상기 광투과층, 및 상기 보호층은 투명으로 형성될 수 있다.

또한, 상기 광투과층은 실리콘 유체, 상기 실리콘 유체 100 중량부에 대하여, 비닐기 함유 폴리오가노 실록산 10 내지 60중량부, 및 수소 함유 폴리실록산 0.5 내지 10 중량부를 포함하는 혼합 성분이 열경화될 수 있다.

또한, 상기 광투과층은 상기 실리콘 유체를 포함하는 혼합 성분에 대한 교반 공정, 탈포 공정, 및 열경화 공정을 거쳐 형성될 수 있다.

또한, 상기 열경화는 70 내지 170도에서 이루어질 수 있다.

또한, 상기 광투과층은 침입도 30이상, 굴절률(nD25) 1.4이상, 및 80nm 내지 400nm의 파장에 대한 투과율이 90% 이상일 수 있다.

본 발명에 의하면 접촉식 패널의 보호층과 전도층 사이에 전도층의 구성 성분과 굴절율이 비슷한 겔 형태의 실리콘 성분을 갖는 광투과층을 형성하여 보호층과 전도층 사이의 빛의 반사율은 낮추고 빛의 투과율은 높이는 것이 가능한 효과를 가진다.

또한, 광투과층을 겔 형태로 형성하여 점착성이 우수하므로 접촉식 패널의 보호층과 전도층 사이에 틈이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 광투과층을 겔 형태로 형성하여 광투과층의 상부에서 가해지는 충격으로부터 전도층을 보호하며, 외부에서 전도층으로 습기가 유입되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 광투과층을 겔 형태로 형성하여 접촉식 패널의 반복적인 사용에 따른 광투과층의 우그러짐을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 첨가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 발명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 실시될 수 있음은 물론이다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항막 방식의 접촉식 패널의 단면도이다.

접촉식 패널에 적용되는 접촉 인식 방법은 크게 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 및 초음파 방식으로 나눌 수 있으며 이중 저항막 방식과 정전용량 방식이 가장 많이 사용되고 있다.

먼저, 저항막 방식은 전도막이 코팅된 기판을 스페이서 도트(Spacer dot)를 사이에 두고 서로 마주보도록 한 방식으로서 다시 PDA와 같은 휴대용 기기에 주로 사용되는 4선 저항막 방식과 산업용 POS 시스템에 주로 사용되는 5선 저항막 방식, 및 최근 터치 스크린 방식을 채용한 휴대폰 등에 사용되고 있는 터치 윈도우(Touch Window) 방식 등으로 나눌 수 있다.

4선 저항막 방식은 일정한 전압이 걸린 상판과 하판이 서로 접촉하게 되는 경우 접촉 지점에서 전위차가 발생되며 상기 발생된 전위차를 컨트롤러가 감지하여 접촉된 부분을 감지하는 방식으로 회로 구현이 편리하며 정확도가 우수하여 가장 많이 쓰인다.

5선 저항막 방식은 상판이 손상되는 경우 동작의 왜곡현상이 발생하는 4선 저항막 방식의 문제점을 보안하기 위하여 개발된 방식으로서 상판은 접촉을 인식하는 역할만 수행하고 하판에만 일정한 전압이 걸려 있어 상판 손상에 의한 동작의 왜곡현상을 방지하는 것이 가능하므로 열악한 환경에서도 사용이 가능하다.

다음으로, 정전용량 방식은 기판 상부에 특수 전도성 금속 물질을 코팅하여 투명 전극을 형성한 후 일정량의 전류를 기판 상부에 흐르게 하는 방식으로서 사용자의 손이 기판 상부와 접촉하게 되면 사용자의 몸에 흐르는 정전용량을 통해 전류의 양이 변경된 부분을 컨트롤러가 감지하여 접촉된 위치를 인식하는 방식으로서, 저항막 방식과 달리 한장의 기판으로 접촉식 패널을 구현하는 것이 가능하여 빛의 투과율이 우수하며 표면이 하방으로 눌려질 필요가 없으므로 내구성이 우수한 장점을 가진다.

그러나 사용자의 몸에 흐르는 전류를 이용하므로 펜이나 장갑을 낀 상태로는 인식이 되지 않고, 예기치 않은 정전기 등으로 오작동이 발생하는 단점이 있다.

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항막 방식의 접촉식 패널(10)은 기판(20), 제2 전도층(30), 제1 전도층(40), 도트 스페이서(Dot Spacer)(50), 보호층(60), 및 광투과층(70)을 포함한다.

기판(20)은 접촉식 패널(10)의 구성 요소들이 놓이며, 소재로써 유리를 사용할 수 있다.

제2 전도층(30)은 기판(20)의 상부에 형성되며 소재로써 접촉식 패널(10)의 동작을 위한 일정한 전압이 인가될 수 있도록 도전성을 갖는 산화 인듐(Indium Tin Oxide:ITO)을 사용할 수 있다.

제1 전도층(40)은 제2 전도층(30) 상부에 형성되며 소재로써 접촉식 패널(10)의 동작을 위한 일정한 전압이 인가될 수 있도록 도전성을 갖는 산화 인듐(Indium Tin Oxide:ITO)를 사용할 수 있다.

도트 스페이서(50)는 실린더 형태로 형성되며 복수 개가 제1 전도층(40)과 제2 전도층(30) 사이에 놓여 제1 전도층(40)과 제2 전도층(30)을 이격시키며, 소재로써 절연성 합성수지인 에폭시 수지를 사용할 수 있다.

또한, 도트 스페이서(50)는 일정한 전압이 인가되어 있는 제1 전도층(40)의 일 지점과 제2 전도층(30)의 일 지점이 서로 접촉하여 제1 전도층(40)과 제2 전도층(30)간의 전하차가 발생되는 지점을 제외한 제1 전도층(40)과 제2 전도층(30)의 다른 지점이 서로 접촉하게 되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 상기 도 2에서는 실린더 형태의 도트 스페이서(50)를 도시하였으나 이는 실시예의 하나일뿐 스페이서 도트(50)는 큐브 형태, 피라미드 형태, 또는 구형으로 형성될 수 있다.

보호층(60)은 제1 전도층(40) 상부에 형성되며 가요성을 갖는 소재로 형성되어 접촉식 패널(10)의 동작을 위해 손이나 펜으로 보호층(60)의 상부 일지점을 접촉하게 되면 상기 일지점을 중심으로 하방으로 휘어져 제1 전도층(40)을 가압하게 되므로 일정한 전압이 인가되어 있는 제1 전도층(40)과 제2 전도층(30)이 서로 접촉하여 전하차가 발생하게 된다.

또한, 보호층(60)은 손이나 펜의 접촉에 의한 긁힘 방지를 위하여 긁힘 방지 코팅 처리가 될 수 있다.

광투과층(70)은 제1 전도층(40)과 보호층(60) 사이에 형성되고, 유동성을 갖는 입자를 포함하여 접촉식 패널(10)의 동작시 보호층(60)과 제1 전도층(40)이 직접 접촉되는 것을 방지함과 동시에 보호층(60)과 제1 전도층(40) 사이를 절연한다.

이때, 광투과층(70)은 제1 전도층(40)과 보호층(60) 사이의 광반사율을 낮추며 광투과율은 높일 수 있도록 제1 전도층(40)을 형성하는 산화인듐(Indium Tin Oxide:ITO)과 비슷한 굴절율을 갖도록 형성될 수 있다.

또한, 광투과층(70)은 겔(Gel)의 형태의 실리콘 성분을 포함하도록 형성되는 것이 바람직한데, 여기에서 겔(Gel)이란 용액속의 콜로이드 입자가 유동성을 잃고 약간의 탄성과 견고성을 가진 고체나 반고체의 상태로 굳어진 물질을 말한다.

이때, 광투과층(70)의 제조 방법, 조성비, 및 물성은 이하 도 4에서 설명하도록 한다.

또한, 접촉식 패널(10)을 구성하는 기판(20), 제1 전도층(40), 제2 전도층(30), 도트 스페이서(50), 보호층(60), 및 광투과층(70)은 접촉식 패널(10)이 디스플레이 장치와 결합되어 터치 스크린으로 활용되는 경우 디스플레이 장치에 표시되는 화면을 용이하게 확인할 수 있도록 투명하게 형성되는 것이 바람직하다.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항막 방식의 접촉식 패널의 부분 단면도이다.

도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 접촉식 패널(10)은 제1 전도층(40)과 보호층(60)사이에 광투과층(70)이 형성되며, 광투과 층(70)은 겔 형태의 실리콘 성분을 포함하는 것이 바람직하다.

이와 같이 광투과층(70)을 제1 전도층(40)의 소재인 산화 인듐(Indium Tin Oxide:ITO)과 비슷한 굴절율을 가지며, 겔 형태의 실리콘 성분을 포함하도록 형성하여 종래의 접촉식 패널(1)에서 상판(3)과 보호층(5) 사이에 공극측(6)을 형성하거나 상판(3)과 보호층(5) 사이에 압축 공기를 주입하는 경우와 비교했을 시에 제 1 전도층(40)과 보호층(60)을 통과하는 빛의 반사율은 낮추고 빛의 투과율은 높이는 것이 가능해진다.

또한, 광투과층(70)을 겔 타입으로 형성함으로써 종래의 접촉식 패널(1)에서 상판(3)과 보호층(5) 사이에 액상의 애폭시 수지나 실리콘 오일과 같은 투명의 절연성 액체를 주입한 것과 비교하여 접촉식 패널(1)의 동작을 위한 압력이 상부에서 가해질 경우에도 고른 형태를 유지하므로 빛의 반사율 및 투과율이 유지될 수 있다.

그리고 상판(3)과 보호층(5) 사이에 자외선 경화를 거친 아크릴 시트층을 형성한 경우와 비교했을 시에 점착력이 우수하여 제1 전도층(40)과 보호층(60) 간의 틈이 발생되지 않으며, 상판(3)과 보호층(5) 사이에 접착 테이프 층을 형성한 경우와 비교했을 시에 충격 흡수성이 우수하며 보호층(60)을 통하여 유입가능한 습기가 제2 전도층(40)으로 스며드는 것을 방지하며 상기 자외선 경화를 거친 아크릴 시트층 및 접착 테이프 층에 비해 접촉식 패널의 반복적 사용으로 인한 우그러짐이 발생하지 않는다.

또한, 광학 필름층(70)을 겔 타입으로 형성함으로써 종래의 접촉식 패널(1) 에서 상판(3)과 보호층(5) 사이에 액상의 애폭시 수지나 실리콘 오일과 같은 투명의 절연성 액체를 주입한 경우에 누수 방지를 위해 별도로 요구되던 밀폐 장치를 구비할 필요가 없으므로 경제적인 효과를 가진다.

도 4는 도 2에 도시된 저항막 방식의 접촉식 패널에서 광투과체의 제조 방법에 대한 참고도이다. 도 4에 도시된 바와 같이 광투과체(70)의 제조 방법은 다음과 같다.

먼저, 실리콘 유체를 형성하기 위하여 비닐기 함유 폴리오가노 실록산(A) 및 수소 함유 폴리실록산(B)이 포함된 혼합 성분에 대한 교반 공정이 이루어진다. 여기에서, 유체란 액체와 기체의 통칭으로 고체에 비해 변형하기 쉽고 어떤 형상도 될 수 있으며, 자유로이 흐르는 특성을 지니는 물질을 의미한다.

이때, 비닐기 함유 폴리오가노 실록산(A) 및 수소 함유 폴리실록산(B)의 성분비는 상기 실리콘 유체 100 중량부에 대하여, 비닐기 함유 폴리오가노 실록산(A) 10 내지 60 중량부 및 수소 함유 폴리실록산(B) 0.5 내지 10 중량부인 것이 바람직하다.

또한, 비닐기 함유 폴리오가노 실록산(A)은 상기 실리콘 유체를 형성시에 반응성을 높이기 위한 작용기인 비닐기를 함유하는 폴리오가노 실록산이며, 수소 함유 폴리실록산(B)은 광투과체(70)의 침입도를 조절하기 위해 첨가될 수 있다.

또한, 수소 함유 폴리실록산(B)의 함량이 상기 실리콘 유체 100 중량부에 대하여 0.5 내지 10 중량부를 초과하는 경우에는 높은 침입도를 가지는 광투과체(70)를 제조할 수 있으나 침입도가 높아질수록 광투과체(70)가 잘 휘어지지 않으므로 접촉식 패널(10)의 동작에 지장을 주며, 수소 함유 폴리실록산(B)의 함량이 상기 실리콘 유체 100 중량부에 대하여 0.5 내지 10 중량부 미만인 경우에는 광투과체(70)의 침입도가 낮아져 접촉식 패널(10)에 사용시에 접촉식 패널(10)의 반복적 사용에 의해 광투과체(70)의 우그러짐이 발생하므로 수소 함유 폴리실록산(B)의 함량을 상기 실리콘 유체 100 중량부에 대하여 0.5 내지 10 중량부로 하여 접촉식 패널(10)의 동작에 지장을 주지 않는 것과 동시에 접촉식 패널(10)이 반복적 사용에 따른 광투과체(70)의 우그러짐을 방지하는 소정의 침입도를 유지하는 것이 가능해진다.

다음으로, 상기 교반 공정을 거쳐 형성된 실리콘 유체에 대한 탈포 공정이 이루어진다. 이때, 실리콘 유체에 대한 탈포 공정을 실시하는 이유는 탈포 공정이 이루어지지 않는 경우 실리콘 유체에서 다량의 기포가 발생하여 접촉식 패널(10)에 적용되는 광투과층(70)에 요구되는 소정의 투과율을 유지할 수 없기 때문이다.

그리고, 상기 교반 공정 및 상기 탈포 공정을 거친 실리콘 유체에 대한 열경화 공정을 거치면 겔 형태의 실리콘 성분을 포함하는 광투과층(70)이 형성된다. 이때, 상기 열경화 공정은 70 내지 170도에서 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 실리콘 유체를 포함하는 혼합 성분에 대한 교반 공정, 탈포 공정, 및 열경화 공정을 거쳐 형성되는 광투과층(70)은 침입도 30이상, 굴절율(nD25) 1.4이상, 및 80nm 내지 400nm 의 파장에서의 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.

본 발명의 접촉식 패널(10)의 광투과층(70)은 실리콘 유체를 포함하는 혼합 성분이며, 상기 실리콘 유체 100 중량부에 대하여, 비닐기 함유 폴리오가노 실록산 10 내지 60중량부 및 수소 함유 폴리실록산 0.5 내지 10 중량부의 성분비로 조성되는 혼합 성분에 대한 교반 공정, 탈포 공정, 및 열경화 공정을 거쳐 침임도 30이상, 굴절율(nD25) 1.4이상, 및 80nm 내지 400nm의 파장에서의 투과율이 90%이상이 되도록 겔 형태로 형성된다.

따라서, 빛의 투과율이 우수하며 70 내지 170도에서의 열경화 공정 후에도 수축율이 1% 미만으로 넓은 온도 범위에서 충격 흡수력이 우수하여 접촉식 패널(10)의 반복적 사용으로 인한 우그러짐이 발생하지 않는다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경, 및 치환이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면들에 의해서 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

본 발명에 의하면 접촉식 패널의 동작을 위한 전도층 성분과 굴절율이 비슷한 겔 타입의 실리콘 성분을 포함하는 광투과층을 형성하여 빛의 반사율은 낮추고 빛의 투과율은 높이며 상부로부터 가해지는 충격을 흡수하는 것이 가능하므로 종래의 접촉식 패널을 대체하여 활용할 수 있다.

도 1a는 종래의 저항막 방식의 접촉식 패널에 대한 단면도,

도 1b는 종래의 저항막 방식의 접촉식 패널에 대한 부분 단면도,

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항막 방식의 접촉식 패널의 단면도,

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저항막 방식의 접촉식 패널의 부분 단면도, 및

도 4는 도 2에 도시된 저항막 방식의 접촉식 패널에서 광투과체의 제조 방법에 대한 참고도이다.

<도면의 주요 부위에 대한 간단한 설명>

(1, 10) : 접촉식 패널 (2) : 하판

(3) : 상판 (4, 50) : 도트 스페이서

(5, 60) : 보호층 (6) : 공극층

(7) : 접착층 (20) : 기판

(30) : 제2 전도층 (40) : 제1 전도층

(70) : 광투과층

Claims (8)

1. 접촉식 패널의 동작을 위한 소정의 전압이 인가될 수 있도록 형성되는 제1 전도층;

   상기 제1 전도층 상부에 형성되는 보호층; 및

   상기 제1 전도층과 상기 보호층 사이에 형성되며 비닐기 함유 폴리오가노 실록산과 수소 함유 폴리실록산을 함유한 실리콘 유체를 열경화하여 형성되는 점착성을 갖는 겔 형태의 광투과층을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 패널.
2. 삭제
3. 제 1항에 있어서,

   상기 제1 전도층 하부에 형성되는 제2 전도층, 상기 제2 전도층 하부에 형성되는 기판, 및 상기 제1 전도층 및 상기 제2 전도층 사이에 놓이는 복수 개의 도트 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉식 패널.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 기판, 상기 제1 전도층, 상기 도트 스페이서, 상기 제2 전도층, 상기 광투과층, 및 상기 보호층은 투명으로 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉식 패널.
5. 삭제
6. 제 1항에 있어서,

   상기 광투과층은 상기 실리콘 유체를 포함하는 혼합 성분에 대한 교반 공정, 탈포 공정, 및 열경화 공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉식 패널.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 열경화 공정은 70 내지 170도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉식 패널.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 광투과층은 침입도 30이상, 굴절률(nD25) 1.4이상, 및 80nm 내지 400nm의 파장에 대한 투과율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 접촉식 패널.

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