KR100915764B1 - Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern - Google Patents

Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern

Info

Publication number
KR100915764B1
KR100915764B1 KR1020070137237A KR20070137237A KR100915764B1 KR 100915764 B1 KR100915764 B1 KR 100915764B1 KR 1020070137237 A KR1020070137237 A KR 1020070137237A KR 20070137237 A KR20070137237 A KR 20070137237A KR 100915764 B1 KR100915764 B1 KR 100915764B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
information
spc
control information
control
measurement
Prior art date
Application number
KR1020070137237A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090069538A (en
Inventor
백정헌
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020070137237A priority Critical patent/KR100915764B1/en
Publication of KR20090069538A publication Critical patent/KR20090069538A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100915764B1 publication Critical patent/KR100915764B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Abstract

실시예에 의한 PR 패턴 형성 방법은 웨이퍼 상의 PR 패턴을 노광하는 스텝퍼 장치 및 상기 PR 패턴의 CD 측정정보를 생성하는 CD계측기를 이용한 PR 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 스텝퍼 장치로 제어정보를 전달하여 노광 동작을 제어하고, 상기 CD 측정정보를 생성하는 단계; SPC 규칙정보에 의하여 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 통계처리함으로써 SPC 정보를 생성하는 단계를 포함한다.In the PR pattern forming method according to the embodiment, a PR pattern forming method using a stepper device for exposing a PR pattern on a wafer and a CD measuring instrument for generating CD measurement information of the PR pattern, the control information is transferred to the stepper device to be exposed. Controlling an operation and generating the CD measurement information; Generating SPC information by statistically processing the control information and the measurement information according to SPC rule information.

실시예에 의하면, CD 계측기의 측정정보 및 스텝퍼의 제어정보를 함께 반영하여 SPC 정보를 생성할 수 있으므로, CD 오류를 신속하게 감지할 수 있고, CD 오류의 원인 분석을 충실하게 할 수 있다. 따라서, 반도체 소자의 동작 신뢰성을 확보할 수 있고, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, since the SPC information can be generated by reflecting the measurement information of the CD measuring instrument and the control information of the stepper, the CD error can be detected quickly and the cause analysis of the CD error can be faithfully performed. Therefore, operation reliability of a semiconductor element can be ensured and production yield can be improved.

Description

ＰＲ 패턴 형성 방법 및 ＰＲ 패턴 형성 장치{Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern}Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photoresist pattern

실시예는 PR 패턴 형성 방법 및 PR 패턴 형성 장치에 관하여 개시한다.An embodiment discloses a PR pattern forming method and a PR pattern forming apparatus.

반도체 회로의 직접도가 높아져 감에 따라 PR(Photo Resist) 패턴의 더욱 높은 CD(Critical Dimension) 정밀도가 요구되고 있다.As the directivity of semiconductor circuits increases, higher CD (Critical Dimension) precision of the PR (Photo Resist) pattern is required.

도 1은 스텝퍼(stepper)(10)를 포함한 APC(Advanced Process Control) 시스템의 구성 요소를 개략적으로 도시한 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating components of an APC (Advanced Process Control) system including a stepper 10.

반도체 회로 형성을 위한 PR 패턴 공정에는 노광을 위한 스텝퍼(10)가 이용되는데, 스텝퍼(10)로 입력되는 노광 에너지와 관련된 제어정보는 제1DB(Data Base)(12)에 저장되고, CD계측기(Metrology device)(11)에서 측정된 PR 패턴의 CD 측정정보는 제2DB(13)에 저장된다.In the PR pattern process for forming a semiconductor circuit, a stepper 10 for exposure is used. Control information related to exposure energy input to the stepper 10 is stored in a first DB (Data Base) 12 and a CD measuring instrument ( CD measurement information of the PR pattern measured by the metrology device 11 is stored in the second DB 13.

APC 장치(14)는 제1DB(12) 및 제2DB(13)로부터 각각 제어정보 및 측정정보를 액세스하여 비교하고 보상 정보를 계산한다. 상기 보상 정보는 APC GUI(Graphic User Interface)(15)를 통하여 스텝퍼(10)로 전달되고, 스텝퍼(10)는 노광 에너지를 조정하여 웨이퍼 상의 PR을 노광한다.The APC apparatus 14 accesses and compares the control information and the measurement information from the first DB 12 and the second DB 13, respectively, and calculates the compensation information. The compensation information is transferred to the stepper 10 through the APC Graphic User Interface (GUI) 15, and the stepper 10 adjusts the exposure energy to expose the PR on the wafer.

이와 같이, APC 시스템은 선행 공정의 정보들을 이용하여 후속 공정의 제어정보를 생성하며, 공정이 진행됨에 따라 제어정보는 순환적으로 생성된다. 따라서, PR 패턴의 CD 정밀도를 기준에 맞출 수 있다.As such, the APC system generates control information of the subsequent process using the information of the preceding process, and the control information is cyclically generated as the process proceeds. Therefore, the CD precision of a PR pattern can be matched with a reference.

도 2는 APC GUI(15)가 제공하는 관리 화면을 예시한 도면이고, 도 3은 APC GUI(15)가 제공하는 SPC 차트를 예시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a management screen provided by the APC GUI 15, and FIG. 3 is a diagram illustrating an SPC chart provided by the APC GUI 15.

도 2에 도시된 것처럼, 상기 APC GUI(15)는 제어정보(A), 측정정보(B), 보상 정보(C)를 관리 화면으로 구성하여 제공하며, 측정정보(B)를 통계처리하여 SPC(Statistical Process Control) 정보를 생성한다. 상기 SPC 정보는 새로운 제어정보를 생성할 때 이용될 수 있으며, 도 3에 도시된 것처럼 차트 화면으로 제공된다.As shown in FIG. 2, the APC GUI 15 configures and provides control information (A), measurement information (B), and compensation information (C) as a management screen, and statistically processes the measurement information (B) by SPC. (Statistical Process Control) information is generated. The SPC information may be used when generating new control information, and is provided in a chart screen as shown in FIG. 3.

이와 같은 종래의 PR 패턴의 CD 관리 방법은 SPC 정보에 기초하여 측정정보만이 반영되는 방식으로서, 상기 SPC 차트에 표시된 것처럼 공정 산포의 유동량(D)을 계산하여 문제점을 유추한다.The CD management method of the conventional PR pattern is a method in which only measurement information is reflected on the basis of the SPC information, and the problem is inferred by calculating the flow amount D of the process dispersion as shown in the SPC chart.

따라서, PR 패턴의 CD 관리는 상기 CD계측기(11)의 측정정보에 전적으로 의존하게 되며, 선행 공정의 측면에서는 CD 계측이 항상 후속되는 점, 선행 공정 처리시 발생된 문제점의 원인 규명 부족 등의 단점을 초래할 수 있다.Therefore, the CD management of the PR pattern is completely dependent on the measurement information of the CD measuring instrument 11, and in the aspect of the preceding process, CD measurement is always followed, disadvantages such as lack of identification of the cause of the problem occurred during the preceding process May result.

또한, CD계측기(11)에 측정 오차가 발생되는 경우, 잘못된 정보가 APC 장치(14)에 의하여 피드백되고, 보상 수치가 왜곡되어 PR 패턴의 CD는 기준 수치에 미달되는 현상이 발생될 수 있다.In addition, when a measurement error occurs in the CD measuring instrument 11, erroneous information is fed back by the APC device 14, the compensation value is distorted, the CD of the PR pattern may fall below the reference value may occur.

이러한 경우 반도체 소자의 동작 신뢰성이 저하되고, 생산 수율이 저하되는 등의 문제점이 있다.In this case, there is a problem that the operation reliability of the semiconductor device is lowered and the production yield is lowered.

실시예는 CD 계측기의 측정정보에만 의존하는 종래의 APC 및 SPC 방식을 탈피하여 제어정보도 함께 APC 및 SPC 방식에 반영함으로써 정밀하고 균일한 CD를 가지는 PR 패턴 형성 방법 및 PR 패턴 형성 장치를 제공한다.The embodiment provides a PR pattern forming method and a PR pattern forming apparatus having a precise and uniform CD by avoiding the conventional APC and SPC methods that depend only on the measurement information of the CD measuring instrument, and reflecting the control information to the APC and SPC methods. .

실시예에 의한 PR 패턴 형성 장치는 웨이퍼 상의 PR 패턴을 노광하는 스텝퍼 장치; 상기 PR 패턴의 CD 측정정보를 생성하는 CD계측기; 상기 스텝퍼 장치로 제어정보를 전달하고, 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 통계처리하여 SPC 정보를 생성하는 APC 시스템을 포함한다.PR pattern forming apparatus according to the embodiment includes a stepper device for exposing a PR pattern on a wafer; A CD measuring instrument for generating CD measurement information of the PR pattern; And an APC system for transmitting control information to the stepper device and generating SPC information by statistically processing the control information and the measurement information.

실시예에 의한 PR 패턴 형성 방법은 웨이퍼 상의 PR 패턴을 노광하는 스텝퍼 장치 및 상기 PR 패턴의 CD 측정정보를 생성하는 CD계측기를 이용한 PR 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 스텝퍼 장치로 제어정보를 전달하여 노광 동작을 제어하고, 상기 CD 측정정보를 생성하는 단계; SPC 규칙정보에 의하여 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 통계처리함으로써 SPC 정보를 생성하는 단계를 포함한다.In the PR pattern forming method according to the embodiment, a PR pattern forming method using a stepper device for exposing a PR pattern on a wafer and a CD measuring instrument for generating CD measurement information of the PR pattern, the control information is transferred to the stepper device to be exposed. Controlling an operation and generating the CD measurement information; Generating SPC information by statistically processing the control information and the measurement information according to SPC rule information.

실시예에 의하면, 다음과 같은 효과가 있다.According to the embodiment, the following effects are obtained.

첫째, CD 계측기의 측정정보 및 스텝퍼의 제어정보를 함께 반영하여 SPC 정보를 생성할 수 있으므로, CD 오류를 신속하게 감지할 수 있고, CD 오류의 원인 분석을 충실하게 할 수 있다. 따라서, 반도체 소자의 동작 신뢰성을 확보할 수 있고, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.First, since the SPC information can be generated by reflecting the measurement information of the CD measuring instrument and the control information of the stepper, the CD error can be detected quickly and the cause analysis of the CD error can be faithfully performed. Therefore, operation reliability of a semiconductor element can be ensured and production yield can be improved.

둘째, CD계측기의 오동작 등으로 인하여 측정 오차가 발생되는 경우를 감지하여 품질 사고를 예방할 수 있고, CD계측기의 측정 능력에 대한 평가 및 보정이 용이해지는 효과가 있다.Second, it is possible to prevent a quality accident by detecting a case where a measurement error occurs due to a malfunction of the CD measuring instrument, and to facilitate the evaluation and correction of the measuring capability of the CD measuring instrument.

셋째, CD 계측기의 측정정보 및 스텝퍼의 제어정보를 함께 반영하여 생성된 SPC 정보를 스텝퍼 장치의 절대값 제어정보로 활용할 수 있고, 스텝퍼 장치의 이상 유무를 손쉽게 판단할 수 있는 효과가 있다.Third, the SPC information generated by reflecting the measurement information of the CD measuring instrument and the control information of the stepper can be utilized as the absolute value control information of the stepper device, and it is possible to easily determine the abnormality of the stepper device.

넷째, PR 패턴 형성 장치의 문제점을 조기에 감지할 수 있으므로, 패턴 형성의 재작업률이 감소될 수 있고 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 공정 시간을 단축시킬 수 있다.Fourth, since the problem of the PR pattern forming apparatus can be detected early, the rework rate of pattern formation can be reduced and the process efficiency can be improved. In addition, the process time can be shortened.

도 1은 스텝퍼를 포함한 APC 시스템의 구성 요소를 개략적으로 도시한 블록도.1 is a block diagram schematically illustrating the components of an APC system including a stepper;

도 2는 APC GUI가 제공하는 관리 화면을 예시한 도면.2 is a diagram illustrating a management screen provided by the APC GUI.

도 3은 APC GUI가 제공하는 SPC 차트를 예시한 도면.3 is a diagram illustrating an SPC chart provided by an APC GUI.

도 4는 실시예에 따른 PR 패턴 형성 장치의 구성요소를 개략적으로 도시한 블록도.4 is a block diagram schematically showing components of a PR pattern forming apparatus according to the embodiment;

도 5는 실시예에 따른 PR 패턴 형성 장치의 인터페이스부가 제공하는 SPC 관리 화면을 예시한 도면.5 is a diagram illustrating an SPC management screen provided by an interface unit of a PR pattern forming apparatus according to an embodiment.

첨부된 도면을 참조하여, 실시예에 따른 PR 패턴 형성 방법 및 PR 패턴 형성 장치에 관하여 상세히 설명하는데, 설명의 편의를 위하여 PR 패턴 형성 방법 및 PR 패턴 형성 장치를 함께 설명하기로 한다.The PR pattern forming method and the PR pattern forming apparatus according to the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 실시예에 따른 PR 패턴 형성 장치(100)의 구성요소를 개략적으로 도시한 블록도이다.4 is a block diagram schematically illustrating the components of the PR pattern forming apparatus 100 according to the embodiment.

도 4에 의하면, 실시예에 따른 PR 패턴 형성 장치(100)는 스텝퍼 장치(105), CD계측기(110), 제1 DB(115), 제2 DB(120), 제3 DB(125), 제4 DB(130), 제5 DB(135), APC 시스템(140)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 4, the PR pattern forming apparatus 100 according to the embodiment includes a stepper device 105, a CD measuring instrument 110, a first DB 115, a second DB 120, a third DB 125, The fourth DB 130, the fifth DB 135, and the APC system 140 are configured.

또한, 상기 APC 시스템(140)은 인터페이스부(142), APC처리부(144), SPC처리부(146), 스텝퍼 제어부(148)를 포함하여 구성된다.In addition, the APC system 140 includes an interface unit 142, an APC processing unit 144, an SPC processing unit 146, and a stepper control unit 148.

상기 스텝퍼(stepper) 장치(105)는 노광공정시 웨이퍼(wafer) 상에 패턴을 형성하기 위해 상기 웨이퍼를 일정한 전송피치만큼 정밀하게 이송시키며 노광하는 장비이다.The stepper device 105 is a device for precisely transferring and exposing the wafer by a predetermined transfer pitch to form a pattern on the wafer during the exposure process.

상기 스텝퍼 장치(105)는 웨이퍼를 진공 흡착하는 웨이퍼 척(wafer chuck), 상기 웨이퍼 척을 고정시키는 웨이퍼 스테이지 및 상기 웨이퍼 스테이지를 전, 후, 좌, 우 이송시킬 수 있는 이송부, 웨이퍼로 빛을 조사하는 노광부 등으로 이루어져 있다.The stepper device 105 includes a wafer chuck that vacuum-adsorbs a wafer, a wafer stage that fixes the wafer chuck, and a transfer unit capable of transferring the wafer stage before, after, left and right, and irradiates light onto the wafer. It consists of exposure part etc. which are mentioned.

상기 스텝퍼 장치(105)는 상기 스텝퍼 제어부(148)로부터 전달된 제어정보에 의하여 노광 에너지 및 웨이퍼 이송을 조정하면서 웨이퍼 상의 PR을 노광한다.The stepper device 105 exposes the PR on the wafer while adjusting exposure energy and wafer transfer based on the control information transmitted from the stepper control unit 148.

상기 스텝퍼 장치(105)에 이용된 제어정보는 상기 제1 DB(115)와 상기 제3 DB(125)에 각각 저장된다.Control information used in the stepper device 105 is stored in the first DB 115 and the third DB 125, respectively.

상기 CD 계측기(110)는 노광 공정을 통하여 형성된 PR 패턴의 CD를 측정하고, 측정정보는 상기 제2 DB(120)와 상기 제4 DB(130)에 각각 저장된다.The CD meter 110 measures the CD of the PR pattern formed through the exposure process, and the measurement information is stored in the second DB 120 and the fourth DB 130, respectively.

상기 APC처리부(144)는 상기 제1 DB(115)와 상기 제2 DB(120)로부터 각각 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 액세스하여 비교하고, 보상정보를 계산한다.The APC processor 144 accesses and compares the control information and the measurement information from the first DB 115 and the second DB 120, respectively, and calculates compensation information.

상기 APC처리부(144)는 보상정보에 의하여 새로운 제어정보를 생성하고, 새롭게 생성된 제어정보는 스텝퍼 제어부(148)로 전달된다.The APC processor 144 generates new control information based on the compensation information, and the newly generated control information is transmitted to the stepper controller 148.

상기 스텝퍼 제어부(148)는 새롭게 생성된 제어정보를 상기 스텝퍼 장치(105)로 전달하고, 상기 스텝퍼 장치(105)는 전술한 대로 제어정보를 이용하여 다음 로트(lot)의 웨이퍼 노광 공정을 진행한다.The stepper control unit 148 transfers the newly generated control information to the stepper device 105, and the stepper device 105 performs a wafer exposure process of the next lot using the control information as described above. .

즉, 상기 제1 DB(115)와 상기 제2 DB(120)는 상기 APC처리부(144)의 동작을 위하여 구비된 저장 장치이다.That is, the first DB 115 and the second DB 120 are storage devices provided for the operation of the APC processor 144.

또한, 상기 APC처리부(144)는 상기 제어정보, 상기 측정정보, 상기 보상정보를 상기 인터페이스부(142)로 전달하고, 상기 인터페이스부(142)는 전달된 정보들을 관리 화면으로 구성하여 제공한다.In addition, the APC processing unit 144 transfers the control information, the measurement information, and the compensation information to the interface unit 142, and the interface unit 142 configures and provides the transferred information as a management screen.

상기 인터페이스부(142)는 상기 제어정보, 상기 측정정보, 상기 보상정보를 이용하여, 도 2와 같은 관리 화면을 구성할 수 있다.The interface unit 142 may configure a management screen as shown in FIG. 2 using the control information, the measurement information, and the compensation information.

한편, 상기 SPC처리부(146)는 상기 제3 DB(125)와 상기 제4 DB(130)로부터 각각 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 액세스하여 통계처리함으로써 SPC 정보를 생성한다.Meanwhile, the SPC processor 146 generates SPC information by accessing the control information and the measurement information from the third DB 125 and the fourth DB 130 and performing statistical processing.

상기 SPC처리부(146)는 상기 SPC 정보를 APC처리부(144)로 전달하고, 상기 APC처리부(144)는 상기 SPC 정보를 반영하여 상기 제어정보를 생성한다.The SPC processor 146 transfers the SPC information to the APC processor 144, and the APC processor 144 generates the control information by reflecting the SPC information.

즉, 상기 APC 처리부(144)는 상기 보상정보를 이용하여 새로운 제어정보를 생성함에 있어서, 상기 SPC 정보를 반영할 수 있다.That is, the APC processor 144 may reflect the SPC information in generating new control information using the compensation information.

상기 SPC 정보가 반영된 제어정보는 상기 스텝퍼 제어부(148)로 전달되고, 상기 스텝퍼 제어부(148)는 상기 SPC 정보가 반영된 제어정보를 상기 스텝퍼 장치(105)로 전달한다.The control information reflecting the SPC information is transmitted to the stepper control unit 148, and the stepper control unit 148 transmits the control information reflecting the SPC information to the stepper device 105.

상기 스텝퍼 장치(105)는 전술한 대로 제어정보를 이용하여 다음 로트(lot)의 웨이퍼 노광 공정을 진행한다.The stepper device 105 performs the wafer exposure process of the next lot using the control information as described above.

SPC는 공정에서 요구되는 품질이나 생산성 목표를 달성하기 위하여 PDCA 사이클을 돌려가면서 통계적 방법으로 공정을 효율적으로 운영해 나가는 관리방법을 의미한다.SPC is a control method that runs the process efficiently in a statistical manner while rotating the PDCA cycle to achieve the quality or productivity targets required by the process.

상기 PDCA는 계획(Plan) 단계, 실행(Do) 단계, 검토(Check) 단계, 조처(Action) 단계를 의미하는 것으로서, SPC는 통계적 자료와 분석기법의 도움을 받아 공정의 품질변동 원인과 공정 능력상태를 파악하며, 주어진 품질목표가 달성될 수 있도록 PDCA 사이클을 돌려가며 끊임없는 품질개선이 이루어지도록 관리하는 동작을 의미한다.The PDCA refers to the plan phase, do phase, check phase, and action phase. SPC is the source of quality variability and process capability with the help of statistical data and analytical methods. It refers to the operation of grasping the status and managing the continuous quality improvement by rotating the PDCA cycle to achieve a given quality goal.

상기 제5 DB(135)는 제어정보의 기준설정정보 및 SPC 규칙정보를 저장하고 있으며, 상기 SPC처리부(146)는 상기 SPC 규칙정보에 의하여 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 통계처리할 수 있다.The fifth DB 135 stores reference setting information and SPC rule information of the control information, and the SPC processor 146 may statistically process the control information and the measurement information according to the SPC rule information.

또한, 상기 기준설정정보는 노광 에너지(dose)와 관련된 제어정보, APC 처리부(144)의 동작(process), 측정정보의 기준 수치를 설정한 정보이다.The reference setting information is information for setting control information related to exposure energy, a process of the APC processing unit 144, and reference values of measurement information.

가령, 상기 SPC처리부(146)는 상기 제어정보가 상기 기준설정정보의 범위에 있는지의 여부를 판단하고, 판단 결과, 상기 제어정보가 상기 기준설정정보의 범위를 충족하면 상기 스텝퍼 제어부(148)로 동작계속정보를 전달한다.For example, the SPC processing unit 146 determines whether the control information is within the range of the reference setting information, and if the control information satisfies the range of the reference setting information, the SPC processing unit 146 returns to the stepper control unit 148. It conveys operation continuation information.

따라서, 상기 스텝퍼 장치(105)는 노광 공정을 계속 진행한다.Therefore, the stepper device 105 continues the exposure process.

반면, 상기 제어정보가 상기 기준설정정보의 범위를 충족시키지 못하면 상기 스텝퍼 제어부(148)로 동작중지정보를 전달한다.On the other hand, if the control information does not meet the range of the reference setting information, the operation stop information is transmitted to the stepper control unit 148.

따라서, 상기 스텝퍼 장치(105)는 노광 공정을 중지한다.Thus, the stepper device 105 stops the exposure process.

이처럼, 실시예에 따른 PR 패턴 형성 장치(100)는 종래와 같이 측정정보에만 의존하지 않고 제어정보를 통계처리하고, 그 기준을 관리함으로써 CD 오류를 신속하게 감지할 수 있고, CD 오류의 원인 분석을 충실하게 수행할 수 있다.As described above, the PR pattern forming apparatus 100 according to the exemplary embodiment may statistically process the control information without relying only on the measurement information and manage the criterion as described above, and quickly detect the CD error, and analyze the cause of the CD error. You can faithfully perform

또한, 실시예에 따른 PR 패턴 형성 장치(100)는 CD계측기의 오동작 등으로 인하여 측정 오차가 발생되는 경우를 감지하여 품질 사고를 예방할 수 있고, CD계측기의 측정 능력에 대한 평가 및 보정을 가능하게 한다.In addition, the PR pattern forming apparatus 100 according to the embodiment may prevent a quality accident by detecting a case where a measurement error occurs due to a malfunction of the CD measuring instrument, and enables evaluation and correction of the measuring capability of the CD measuring instrument. do.

상기 제1 DB(115) 내지 제5 DB(135)는 저장되는 정보의 종류, 액세스되는 구성부의 종류에 따라 구분되어 구비된 것으로 하였으나, 경우에 따라 하나의 DB로 구축될 수 있음은 물론이다.The first DB 115 to the fifth DB 135 are classified according to the type of information to be stored and the type of the component to be accessed. However, in some cases, the first DB 115 to the fifth DB 135 may be configured as one DB.

상기 SPC처리부(146)는 상기 SPC 정보를 인터페이스부(142)로 전달하고, 상기 인터페이스부(142)는 상기 SPC 정보를 관리 화면으로 구성하여 제공할 수 있다.The SPC processing unit 146 may transfer the SPC information to the interface unit 142, and the interface unit 142 may provide the SPC information as a management screen.

도 5는 실시예에 따른 PR 패턴 형성 장치(100)의 인터페이스부(142)가 제공하는 SPC 관리 화면을 예시한 도면이다.5 is a diagram illustrating an SPC management screen provided by the interface unit 142 of the PR pattern forming apparatus 100 according to an embodiment.

도 5에 예시된 것처럼, 상기 인터페이스부(142)는 SPC 정보, 즉 통계처리된 제어정보 및 분석정보를 함께 차트 화면으로 디스플레이할 수 있다.As illustrated in FIG. 5, the interface unit 142 may display SPC information, that is, statistically processed control information and analysis information together on a chart screen.

따라서, 상기 SPC처리부(146)는 제어정보의 공정 산포 유동량(F) 및 분석정보의 공정 산포 유동량(E)을 함께 계산하여 문제점을 분석할 수 있다.Accordingly, the SPC processor 146 may analyze the problem by calculating the process dispersion flow amount F of the control information and the process dispersion flow amount E of the analysis information together.

참고로, 도 5의 차트에서 표시선 "G"는 USL(Upper Spec Limit)을 나타낸 것이고, 표시선 "H"는 LSL(Low Spec Limit)을 나타낸 것이다. 이외에 UCL(Upper Control Limit), LCL(Low Control Limit), OOC(Out Of Control), OOS(Out Of Spec) 등의 정보는 SPC 규칙정보에 포함될 수 있다.For reference, in the chart of FIG. 5, the display line "G" represents an upper spec limit (USL), and the display line "H" represents a low spec limit (LSL). In addition, information such as Upper Control Limit (UCL), Low Control Limit (LCL), Out Of Control (OOC), and Out Of Spec (OOS) may be included in the SPC rule information.

상기 SPC처리부(146)는 SPC 정보를 영역 "I"와 같이 데이터 테이블로도 제공할 수 있다.The SPC processing unit 146 may also provide the SPC information as a data table like the area "I".

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described above with reference to the preferred embodiments, which are merely examples and are not intended to limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains do not depart from the essential characteristics of the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications are not possible that are not illustrated above. For example, each component specifically shown in the embodiment of the present invention can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims (10)

웨이퍼 상의 PR 패턴을 노광하는 스텝퍼 장치;A stepper device for exposing the PR pattern on the wafer; 상기 PR 패턴의 CD 측정정보를 생성하는 CD계측기;A CD measuring instrument for generating CD measurement information of the PR pattern; 상기 스텝퍼 장치로 제어정보를 전달하고, 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 통계처리하여 SPC 정보를 생성하는 APC 시스템을 포함하는 PR 패턴 형성 장치.And an APC system for transmitting control information to the stepper device and generating SPC information by statistically processing the control information and the measurement information. 제1항에 있어서, 상기 APC 시스템은The system of claim 1, wherein the APC system is SPC 규칙정보에 의하여 상기 SPC 정보를 생성하는 SPC 처리부;An SPC processor configured to generate the SPC information according to SPC rule information; 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 비교하여 보상정보를 생성하고, 상기 보상정보 및 상기 SPC 정보를 이용하여 새로운 제어정보를 생성하는 APC처리부;An APC processing unit for generating compensation information by comparing the control information and the measurement information and generating new control information using the compensation information and the SPC information; 상기 제어정보에 의하여 상기 스텝퍼 장치의 동작을 제어하는 스텝퍼 제어부;A stepper control unit controlling an operation of the stepper device based on the control information; 상기 제어정보, 상기 측정정보, 상기 보상정보, 상기 SPC 정보를 관리화면으로 구성하는 인터페이스부를 포함하는 것을 특징으로 하는 PR 패턴 형성 장치.And a control unit configured to configure the control information, the measurement information, the compensation information, and the SPC information as a management screen. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스텝퍼 장치에 이용된 상기 제어정보가 저장되고, 상기 APC처리부에 의하여 액세스되는 제1 DB;A first DB in which the control information used in the stepper device is stored and accessed by the APC processor; 상기 측정정보가 저장되고, 상기 APC처리부에 의하여 액세스되는 제2 DB;A second DB in which the measurement information is stored and accessed by the APC processor; 상기 스텝퍼 장치에 이용된 상기 제어정보가 저장되고, 상기 SPC처리부에 의하여 액세스되는 제3 DB;A third DB in which the control information used in the stepper device is stored and accessed by the SPC processor; 상기 측정정보가 저장되고, 상기 SPC처리부에 의하여 액세스되는 제4 DB를 포함하는 것을 특징으로 하는 PR 패턴 형성 장치.And a fourth DB in which the measurement information is stored and accessed by the SPC processor. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제어정보의 기준설정정보 및 상기 SPC 규칙정보가 저장되고, 상기 SPC처리부에 의하여 액세스되는 제5 DB를 포함하는 것을 특징으로 하는 PR 패턴 형성 장치.And a fifth DB in which the reference setting information of the control information and the SPC rule information are stored and accessed by the SPC processing unit. 제4항에 있어서, 상기 SPC처리부는The method of claim 4, wherein the SPC processing unit 상기 제어정보 및 상기 기준설정정보를 비교하여, 상기 제어정보가 상기 기준설정정보의 범위를 충족하면 상기 스텝퍼 장치의 동작이 유지되도록 하고,By comparing the control information and the reference setting information, if the control information meets the range of the reference setting information, the operation of the stepper device is maintained, 상기 제어정보가 상기 기준설정정보의 범위를 충족하지 못하면 상기 스텝퍼 장치의 동작을 중단하도록 하는 것을 특징으로 하는 PR 패턴 형성 장치.And if the control information does not satisfy the range of the reference setting information, stop the operation of the stepper device. 삭제delete 웨이퍼 상의 PR 패턴을 노광하는 스텝퍼 장치 및 상기 PR 패턴의 CD 측정정보를 생성하는 CD계측기를 이용한 PR 패턴 형성 방법에 있어서,In a PR pattern forming method using a stepper device for exposing a PR pattern on a wafer and a CD measuring instrument for generating CD measurement information of the PR pattern, 상기 스텝퍼 장치로 제어정보를 전달하여 노광 동작을 제어하고, 상기 CD 측정정보를 생성하는 단계;Transferring control information to the stepper device to control an exposure operation and to generate the CD measurement information; SPC 규칙정보에 의하여 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 통계처리함으로써 SPC 정보를 생성하는 단계를 포함하는 PR 패턴 형성 방법.And generating SPC information by statistically processing the control information and the measurement information according to SPC rule information. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제어정보 및 상기 측정정보를 비교하여 보상정보를 생성하고, 상기 보상정보 및 상기 SPC 정보를 이용하여 새로운 제어정보를 생성하는 단계를 포함하는 PR 패턴 형성 방법.And generating compensation information by comparing the control information and the measurement information, and generating new control information using the compensation information and the SPC information. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제어정보, 상기 측정정보, 상기 보상정보, 상기 SPC 정보를 관리화면으로 구성하여 제공하는 단계를 포함하는 PR 패턴 형성 방법.And providing the control information, the measurement information, the compensation information, and the SPC information as a management screen. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 기준설정정보와 상기 제어정보를 비교하는 단계;Comparing reference setting information with the control information; 비교 결과, 상기 제어정보가 상기 기준설정정보의 범위를 충족하면 상기 스텝퍼 장치의 동작을 유지하는 단계; 및Maintaining operation of the stepper device if the control information satisfies the range of the reference setting information; And 비교 결과, 상기 제어정보가 상기 기준설정정보의 범위를 충족하지 못하면 상기 스텝퍼 장치의 동작을 중단하는 단계를 포함하는 PR 패턴 형성 방법.And stopping the operation of the stepper device if the control information does not meet the range of the reference setting information.
KR1020070137237A 2007-12-26 2007-12-26 Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern KR100915764B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137237A KR100915764B1 (en) 2007-12-26 2007-12-26 Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137237A KR100915764B1 (en) 2007-12-26 2007-12-26 Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090069538A KR20090069538A (en) 2009-07-01
KR100915764B1 true KR100915764B1 (en) 2009-09-04

Family

ID=41321171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070137237A KR100915764B1 (en) 2007-12-26 2007-12-26 Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100915764B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050088238A (en) * 2002-12-30 2005-09-02 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Determining lithographic parameters to optimise a process window
KR20060017931A (en) * 2004-08-23 2006-02-28 삼성전자주식회사 Method of inspecting a pattern on a substrate and apparatus for inspecting a pattern using the same
US20070005280A1 (en) * 2005-06-28 2007-01-04 Yukiyasu Arisawa Photomask quality estimation system and method for use in manufacturing of semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050088238A (en) * 2002-12-30 2005-09-02 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Determining lithographic parameters to optimise a process window
KR20060017931A (en) * 2004-08-23 2006-02-28 삼성전자주식회사 Method of inspecting a pattern on a substrate and apparatus for inspecting a pattern using the same
US20070005280A1 (en) * 2005-06-28 2007-01-04 Yukiyasu Arisawa Photomask quality estimation system and method for use in manufacturing of semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090069538A (en) 2009-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11086229B2 (en) Method to predict yield of a device manufacturing process
US9696635B2 (en) Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process
US8717536B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product
CN105807576B (en) The method of exposure device and manufacturing equipment
TW202036173A (en) Method of manufacturing devices
WO2007052699A1 (en) Analyzing apparatus, processing apparatus, measuring instrument, exposure apparatus, substrate processing system, analysis method, and program
TWI225665B (en) Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method
US11796978B2 (en) Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process
CN106154768A (en) A kind of ic substrate re-expose method based on mask plate
JP4088588B2 (en) Photolithographic short dimension control using reticle measurements
KR102183619B1 (en) Method of monitoring and device manufacturing method
WO2015058472A1 (en) Method and system for realizing automatic value filling in glass substrate exposure process
KR100915764B1 (en) Formation method of photo resist pattern and formation apparatus of photo resist pattern
US7669171B2 (en) Prediction model and prediction method for exposure dose
US20230153582A1 (en) Configuration of an imputer model
EP3913435A1 (en) Configuration of an imputer model
KR100391158B1 (en) in-line system having function for measuring overlay accuracy and method for measuring same
JP2004079681A (en) Exposure method of substrate and substrate processing apparatus
KR20190026576A (en) Patterning method, lithography apparatus, and article manufacturing method
TWI791321B (en) Methods and computer programs for configuration of a sampling scheme generation model
US20240111214A1 (en) Novel interface definition for lithographic apparatus
US7643126B2 (en) Method of setting focus condition at time of exposure, apparatus for setting focus condition at time of exposure, program, and computer readable recording medium
CN115826367A (en) Method and device for compensating critical dimension of wafer and manufacturing system
CN116868127A (en) Novel interface definition for lithographic apparatus
JPH04168715A (en) Forming device for photoresist pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee