KR100912573B1 - Manufacturing Process for Protecting Breakdown of SMD Type Ceramic Capacitor - Google Patents

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KR100912573B1
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Abstract

본 발명은 SMD형 세라믹 디스크 커패시터의 몰드 표면을 개선하여 양 단자간의 절연성을 향상시킨 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법에 관한 것으로, 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계; 상기 커패시터의 상기 몰드의 일면에 절연성 소재로 이루어진 잉크를 이용하여 도포하는 단계; 및 상기 잉크를 경화시키는 단계로 이루어진다.The present invention relates to a method for manufacturing a dielectric breakdown prevention SMD ceramic capacitor which improves the insulation between both terminals by improving the mold surface of the SMD ceramic disc capacitor. Preparing a ceramic capacitor consisting of a pair of leads and one end of each of the pair of electrode plate and the pair of electrode plate and a mold surrounding the dielectric and the pair of electrode plate and the pair of leads step; Applying an ink made of an insulating material to one surface of the mold of the capacitor; And curing the ink.

본 발명은 고압용 세라믹 커패시터의 형상 및 자재를 변경하지 않고도 후속 공정을 통해 커패시터 몰드의 절연성을 향상시켜 줌으로써 부품의 신뢰도를 높여 주는 효과를 제공한다.The present invention provides the effect of improving the reliability of the component by improving the insulation of the capacitor mold through a subsequent process without changing the shape and material of the high voltage ceramic capacitor.

커패시터, 몰드, 전기 절연성 Capacitor, Mold, Electrical Insulation

Description

절연 파괴 방지 처리된 ＳＭＤ형 세라믹 커패시터의 제조방법{Manufacturing Process for Protecting Breakdown of SMD Type Ceramic Capacitor}Manufacturing Process for Protecting Breakdown of SMD Type Ceramic Capacitors {Manufacturing Process for Protecting Breakdown of SMD Type Ceramic Capacitor}

본 발명은 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 SMD형 세라믹 디스크 커패시터의 몰드 표면을 개선하여 양 단자간의 절연성을 향상시킨 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an SMD-type ceramic capacitor treated with dielectric breakdown prevention, and more particularly, an SMD-type ceramic capacitor with dielectric breakdown prevention which improves insulation between both terminals by improving the mold surface of the SMD-type ceramic disc capacitor. It relates to a manufacturing method of.

일반적으로, 평판 디스플레이의 백라이트 유닛에 사용되는 광원 소자 중 대표적으로 이용되는 냉음극 형광램프(CCFL) 등을 구동시키기 위한 전원 장치 즉, 인버터는 통상적으로 도 1에 나타낸 바와 같이 구성되는데, 도 1의 참조번호 L1은 트랜스(T)의 1차측 권선을 지칭하며, 참조번호 L2는 트랜스(T)의 2차측 권선을 지칭하고, 참조번호 C1은 트랜스(T)의 1차측 권선(L1)의 일단과 접지단 사이에 연결되어 있으며 전하의 충전상태에서 상기 1차측 권선(L1)과 함께 LC공진을 수행하기 위한 제 1커패시터이며, 참조번호 C2는 상기 트랜스(T)의 2차측 권선(L2)을 통해 유기되는 고전압을 냉음극 형광램프(CCFL)에 안전하게 인가하기 위한 제 2커패시터이다.In general, a power supply device for driving a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) or the like, which is typically used among light source elements used in a backlight unit of a flat panel display, that is, an inverter is generally configured as shown in FIG. Reference numeral L1 refers to the primary winding of the transformer (T), reference numeral L2 refers to the secondary winding of the transformer (T), reference numeral C1 refers to one end of the primary winding (L1) of the transformer (T) and It is connected between the ground terminal and is a first capacitor for performing LC resonance with the primary winding (L1) in the state of charge of charge, and reference numeral C2 is through the secondary winding (L2) of the transformer (T) A second capacitor for safely applying the induced high voltage to the cold cathode fluorescent lamp (CCFL).

이때, 상기 트랜스(T)의 1차측 권선(L1)에 흐르는 전류의 변동을 주기 위한 수단으로써 상기 제 1커패시터(C1)에 병렬로 연결되어 있는 스위치(Q)가 구비된다.In this case, a switch Q connected in parallel to the first capacitor C1 is provided as a means for varying the current flowing in the primary winding L1 of the transformer T.

상기와 같이 구성된 인버터에서 상기 스위치(Q)는 별도의 스위칭 제어부의 제어에 따라 스위칭되는데, 상기 스위치(Q)가 온(on)되면 트랜스(T)의 1차측 권선(L1)에 에너지가 축적되고, 상기 스위치(Q)가 오프되면 상기 트랜스(T)의 1차측 권선(L1)에 축적되어진 에너지가 방전되는 가운데 연결되어 있는 제1커패시터(C1)에 충전되며, 이후 상기 제1커패시터(C1)의 방전 경로 상에 존재하는 상기 트랜스(T)의 1차측 권선(L1)에 다시 에너지가 축적되는 과정을 반복하여 LC공진이 일어나게 된다.In the inverter configured as described above, the switch Q is switched under the control of a separate switching controller. When the switch Q is turned on, energy is accumulated in the primary winding L1 of the transformer T. When the switch Q is turned off, the energy accumulated in the primary winding L1 of the transformer T is discharged and charged to the first capacitor C1 connected to the first capacitor C1. LC resonance occurs by repeating a process in which energy is accumulated again in the primary winding L1 of the transformer T existing on the discharge path of the T.

이와 같은 방법으로 상기 트랜스(T)의 1차측 권선(L1)에 흐르는 전류의 방향이 변동되고 이를 기준으로 트랜스(T)는 2차측 권선(L2)으로 고전압의 전원을 유기시켜서 상기 냉음극 형광램프(CCFL)을 점등시키는 것이다.In this way, the direction of the current flowing in the primary winding L1 of the transformer T is varied, and based on this, the transformer T induces a high voltage power supply to the secondary winding L2 to the cold cathode fluorescent lamp. It turns on (CCFL).

이때, 상기 제 2커패시터(C2)는 상기 트랜스(T)의 2차측 권선(L2)에서 상기 냉음극 형광램프(CCFL)로 공급되는 전류를 제한하기 위한 밸러스트 콘덴서이다.In this case, the second capacitor C2 is a ballast capacitor for limiting the current supplied from the secondary winding L2 of the transformer T to the cold cathode fluorescent lamp CCFL.

즉, 상기 트랜스(T)의 2차측 출력전압은 냉음극 형광램프의 종류에 따라 다르지만 구동 전압이 보통 1~10KV 이상이기 때문에 상기 제 2커패시터(C2)에 의한 공진을 통해 전류를 제한함으로써 냉음극 형광램프를 보호한다.That is, the secondary output voltage of the transformer (T) is different depending on the type of cold cathode fluorescent lamp, but since the driving voltage is usually 1 ~ 10KV or more, the cold cathode by limiting the current through resonance by the second capacitor (C2) Protect the fluorescent lamp.

여기서, 상기 제 2커패시터(C2)는 통상적으로 내압 특성이 우수한 SMD형 세라믹 디스크 커패시터로 구성되는 것이 일반적이다.In this case, the second capacitor C2 is generally composed of a SMD type ceramic disk capacitor having excellent breakdown voltage characteristics.

상기 SMD형 세라믹 디스크 커패시터는 도 2에 나타낸 바와 같이, 세라믹 소 재로 이루어진 유전체(10)의 양면에 부착된 제 1전극판(11) 및 제 2전극판(12)과, 상기 제 1전극판(11) 및 제 2전극판(12)의 일측에 각 일단이 연결된 제 1리드(13)와 제 2리드(14), 그리고 상기 유전체(10)의 측면과 상기 제 1전극판(11) 및 제 2전극판(12) 등을 절연시켜 주기 위해 에폭시나 페놀 등의 소재로 이루어진 몰드(15)로 구성된다.As shown in FIG. 2, the SMD type ceramic disc capacitor includes a first electrode plate 11 and a second electrode plate 12 attached to both surfaces of a dielectric material 10 made of ceramic material, and the first electrode plate ( 11) and the first lead 13 and the second lead 14, one end of which is connected to one side of the second electrode plate 12, the side of the dielectric 10 and the first electrode plate 11 and the first In order to insulate the second electrode plate 12 and the like, the mold 15 is made of a material such as epoxy or phenol.

여기서, 상기 몰드(15)는 상기 제 1리드(13)와 제 2리드(14) 사이에 인가되는 고전압에 의해 발생될 수 있는 플래쉬 오버(flash over) 현상을 방지하면서 각 구성 요소간의 조립성을 부여하며 고온, 내습과 같은 환경적 신뢰성을 보완하여 주는 기능을 가지고 있다. In this case, the mold 15 may be assembled to each component while preventing a flash over phenomenon that may be generated by a high voltage applied between the first lead 13 and the second lead 14. It has a function to complement environmental reliability such as high temperature and humidity.

그런데, 냉음극 형광램프와 램프 구동을 위한 전원 장치간에 직렬 연결되는 커패시터에 인가되는 전압이 상기 설명과 같이 매우 높은 고전압(1~10KV)이기 때문에 상기 몰드(15)에 의해 절연 성능이 향상되었음에도 불구하고, 상기 몰드(15)의 여러 종류의 요인으로 인하여 절연이 파괴되어 커패시터가 파괴되는 문제점이 발생할 수 있다.By the way, since the voltage applied to the capacitor connected in series between the cold cathode fluorescent lamp and the power supply for driving the lamp is a very high high voltage (1 to 10 KV) as described above, the insulation performance is improved by the mold 15. In addition, insulation may be broken due to various kinds of factors of the mold 15, and a problem may occur in which the capacitor is broken.

이때, 절연 파괴의 요인 중 대표적인 것으로 충분한 절연성 확보를 위해 양 리드간의 거리를 확보하지 못하는 것이 가장 큰 이유이다. 이는 기판에 실장되는 소자들의 밀집도 향상을 위해 소자 크기를 충분하게 확보할 수 없기 때문이다.At this time, one of the factors of the dielectric breakdown is the failure to secure the distance between the two leads in order to ensure sufficient insulation is the main reason. This is because the device size may not be sufficiently secured to improve the density of the devices mounted on the substrate.

이러한 문제점을 개선하기 위해 종래에는 상기 몰드(15)의 두께나 폭을 최대한 확장하거나, 각 리드간의 표면 거리를 연장시키기 위해 도 3(동일 참조번호는 도 2의 설명과 같다)의 일례와 같이 몰드(15)의 일면에 톱니 형태 또는 반원형태의 요철부(15a)를 형성하여 패키징하거나, 양면의 각 단부에 배리어를 형성함으로써 절연성을 높였다.In order to improve such a problem, conventionally, as shown in FIG. 3 (the same reference numerals are the same as those of FIG. 2) in order to extend the thickness or width of the mold 15 as much as possible or to extend the surface distance between the leads, Insulation was improved by forming the sawtooth or semicircular uneven | corrugated part 15a in one surface of (15), or forming a barrier in each end of both surfaces.

그런데, 이와 같은 상기 몰드(15)의 구조를 변경하게 되면, 몰드(15)의 표면이 평탄하지 못하므로 후 공정 작업(표면실장 공정)을 원활하게 진행할 수 없게 되는 문제점을 야기시킬 수 있다. 이때, 발생할 수 있는 문제점으로는 제품 구별을 위해 실시하는 마킹 표시의 공간적 제한 및 제품 실장시 에어핀셋을 사용시 진공이 되지 않아 작업성이 떨어지는 등의 문제점이 나타날 수 있다. However, when the structure of the mold 15 is changed, the surface of the mold 15 may not be flat, which may cause a problem that the post-process operation (surface mounting process) may not proceed smoothly. In this case, problems may arise such as spatial limitation of marking marking to distinguish products and poor workability due to not being vacuum when using air tweezers when the product is mounted.

또한, 고압용 커패시터의 절연 파괴의 요인으로 상기 몰드(15)의 표면에 형성되는 마크(용량 및 제조업체 등의 표시)를 형성하는 도중에 발생되는 크랙 등의 표면 결함(defect)으로 인하여 절연이 파괴되는 문제점이 있다.In addition, insulation is broken due to surface defects such as cracks generated during the formation of marks (markings of capacity and manufacturer, etc.) formed on the surface of the mold 15 as a factor of dielectric breakdown of the high voltage capacitor. There is a problem.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고압용 세라믹 커패시터의 몰드 형성에 있어 형상 및 재질의 변경 없이 별도의 후속 공정을 통해 양 리드간의 절연성을 높여 부품 신뢰도를 향상시켜 주는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공하는데 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, in the mold forming of the high-voltage ceramic capacitor insulation to improve the reliability of parts by increasing the insulation between the two leads through a separate subsequent process without changing the shape and material The present invention provides a method of manufacturing an anti-destructive SMD type ceramic capacitor.

본 발명은 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰 드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계; 상기 커패시터의 상기 몰드의 일면에 절연성 소재로 이루어진 잉크를 이용하여 도포하는 단계; 및 상기 잉크를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공한다.The present invention is a dielectric material made of a ceramic material and a pair of electrode plates formed on both sides of the dielectric and a pair of leads each end is connected to one side of the pair of electrode plates and the dielectric and the pair of electrode plates and the Preparing a ceramic capacitor comprising a mold surrounding a portion of the pair of leads; Applying an ink made of an insulating material to one surface of the mold of the capacitor; And curing the ink to provide a method of manufacturing the SMD-type ceramic capacitor, which is subjected to the dielectric breakdown treatment.

상기 잉크는 절연성을 가지는 UV 경화성 잉크 또는 열경화성 잉크인 것을 특징으로 한다.The ink is characterized in that the insulating UV curable ink or thermosetting ink.

상기 잉크는 에폭시계 잉크, 크레졸노블락 잉크, 멜라민 잉크, 페놀계 잉크 중에서 선택된 어느 한 잉크인 것을 특징으로 한다.The ink may be any ink selected from an epoxy ink, a cresol noblock ink, a melamine ink, and a phenol ink.

본 발명은 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계; 상기 몰드 내부 또는 외부의 결함 부위에 스며드는 절연 물질로 이루어진 용액에 침지시켜 상기 몰드의 표면에 형성된 표면 결함을 제거하는 단계; 및 상기 커패시터를 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공한다.The present invention is a dielectric material made of a ceramic material and a pair of electrode plates formed on both sides of the dielectric and a pair of leads each end is connected to one side of the pair of electrode plates and the dielectric and the pair of electrode plates and the Preparing a ceramic capacitor comprising a mold surrounding a portion of the pair of leads; Removing surface defects formed on the surface of the mold by immersing in a solution made of an insulating material that penetrates a defect site inside or outside the mold; And drying the capacitor to provide a method of manufacturing the SMD-type ceramic capacitor, which is subjected to the dielectric breakdown treatment.

본 발명은 상기 커패시터를 상기 용액에 침지하기 전에 표면 조직 내의 수분을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The invention further comprises the step of removing moisture in the surface tissue before immersing the capacitor in the solution.

본 발명은 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계; 및 상기 커패시터의 상기 몰드 표면에 플라즈마 방전시켜 표면의 이물질 및 미반응물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공한다.The present invention is a dielectric material made of a ceramic material and a pair of electrode plates formed on both sides of the dielectric and a pair of leads each end is connected to one side of the pair of electrode plates and the dielectric and the pair of electrode plates and the Preparing a ceramic capacitor comprising a mold surrounding a portion of the pair of leads; And removing the foreign matter and the unreacted material from the surface by plasma discharge the surface of the mold of the capacitor.

상기 플라즈마 방전 처리는 상기 몰드의 표면에 OH기 및 기타 오염물을 최소화 하도록 이루어지는 것을 특징으로 한다.The plasma discharge treatment is characterized in that to minimize the OH group and other contaminants on the surface of the mold.

본 발명은 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계; 및 상기 커패시터의 상기 몰드에 감마선을 조사시켜 상기 몰드 내부 및 외부의 미가교 부분들을 가교시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공한다.The present invention is a dielectric material made of a ceramic material and a pair of electrode plates formed on both sides of the dielectric and a pair of leads each end is connected to one side of the pair of electrode plates and the dielectric and the pair of electrode plates and the Preparing a ceramic capacitor comprising a mold surrounding a portion of the pair of leads; And irradiating gamma rays to the mold of the capacitor to crosslink uncrosslinked portions inside and outside the mold.

본 발명에 따른 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법은 고압용 세라믹 커패시터의 형상 및 자재를 변경하지 않고도 후속 공정을 통해 커패시터 몰드의 절연성을 향상시켜 주는 효과를 제공한다.The method of manufacturing an insulation breakdown-treated SMD type ceramic capacitor according to the present invention provides an effect of improving the insulation of the capacitor mold through a subsequent process without changing the shape and material of the high voltage ceramic capacitor.

본 발명은 고압용 세라믹 커패시터의 절연성을 향상시켜 부품의 신뢰도를 높여 주는 효과를 제공한다.The present invention provides the effect of improving the insulation of the high-voltage ceramic capacitor to improve the reliability of the component.

본 발명에 따른 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법은 평판 디스플레이 등의 백라이트 유닛의 광원으로 이용되는 냉음극 형광램프의 구동을 위한 전원 장치인 인버터의 출력단과 상기 냉음극 형광램프 사이에 직렬로 연결되는 고압용 세라믹 커패시터의 몰드에 적용되는 것이다.According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a SMD-type ceramic capacitor with a dielectric breakdown prevention process, between an output terminal of an inverter, which is a power supply for driving a cold cathode fluorescent lamp, which is used as a light source of a backlight unit such as a flat panel display, and the cold cathode fluorescent lamp. It is applied to a mold of a high voltage ceramic capacitor connected in series.

다시 말하면, 본 발명은 도 2(본 발명에 따른 실시예의 설명을 위해 이용되는 도면은 종래 기술의 설명에 이용된 도 2를 참조하여 설명한다)에 나타낸 바, 세라믹 소재로 이루어진 유전체(10)와, 상기 유전체(10)의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판(11, 12)과 상기 한 쌍의 전극판(11, 12)의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드(13, 14) 및 상기 유전체(10)와 상기 한 쌍의 전극판(11, 12) 및 상기 한 쌍의 리드(13, 14)의 일부를 감싸는 몰드(15)로 이루어진 고압용 세라믹 커패시터의 상기 몰드(15)의 절연성을 향상시키기 위한 기술이다.In other words, the present invention is shown in FIG. 2 (the drawings used for the description of the embodiment according to the present invention are described with reference to FIG. 2 used in the description of the prior art), and a dielectric 10 made of a ceramic material and A pair of leads 13 and 14 having one end connected to one side of the pair of electrode plates 11 and 12 and the pair of electrode plates 11 and 12 formed on both surfaces of the dielectric 10 and the Insulation properties of the mold 15 of the high-pressure ceramic capacitor composed of a dielectric 10, a pair of electrode plates 11 and 12, and a mold 15 covering a part of the pair of leads 13 and 14 Technology to improve.

본 발명은 상기 몰드(15)의 절연성 향상을 위해 다음과 같은 여러 가지 실시예로 이루어진다.The present invention consists of various embodiments as follows to improve the insulation of the mold 15.

1. 제 1실시예1. First embodiment

본 발명의 제 1실시예는 상기 몰드(15)의 전기 절연성을 높이기 위해, 상기 몰드(15)의 윗면 또는 양면에 절연성 잉크를 도포한 후에 건조시킴으로써 상기 몰드(15)의 표면에 형성되어 있을 수 있는 표면 결함을 제거하는 실시예이다.The first embodiment of the present invention may be formed on the surface of the mold 15 by applying an insulating ink on the top or both sides of the mold 15 and then drying to increase the electrical insulation of the mold 15. This is an embodiment for eliminating surface defects.

이를 위해 사용되는 잉크는 80% 이상(무기계 50% 이상)의 고형분을 포함하며 자외선(UV ray)에 의해 경화되는 UV 경화성 잉크 또는 150 ~ 200℃의 열에 의해 경화되는 열경화성 잉크를 사용하는데, 그 종류는 에폭시계 잉크, 크레졸노블락 잉크, 멜라민 잉크, 페놀계 잉크 등을 사용하며, 상기 잉크를 상기 몰드(15)의 표면에 도포하는 방법으로는 분사(spray) 또는 일부 침지 방법을 이용한다.The ink used for this purpose is a UV curable ink which contains 80% or more (50% or more of inorganic) and a UV curable ink or a thermosetting ink that is cured by heat of 150 to 200 ° C. Epoxy-based ink, cresol noblock ink, melamine ink, phenol-based ink and the like are used, and the method of applying the ink to the surface of the mold 15 uses a spray or a partial immersion method.

이때, 충분한 전기절연성을 확보하기 위해 경화 처리 후의 두께가 10~30㎛ 범위로 형성되게 경화 전 도포 두께는 50㎛ 이상으로 도포하는 것이 좋으며, 이와 같은 절연성 잉크를 통해 확보되는 전기절연성은 1012Ω 이상이다.At this time, it is recommended that before the coating thickness so that the thickness after the curing treatment to form a 10 ~ 30㎛ range curing is applied over 50㎛ to ensure sufficient electric insulation, this electrical insulation is secured by the same insulating ink 10 12 Ω That's it.

2. 제 2실시예2. Second Embodiment

본 발명의 제 2실시예는 상기 몰드(15)의 전기 절연성을 높이기 위해, 상기 고압용 세라믹 커패시터를 전기 절연성이 우수한 불소 코팅액에 침지시킴으로써, 상기 몰드의 표면에 형성된 표면 결함을 제거하는 실시예이다.The second embodiment of the present invention is to remove the surface defects formed on the surface of the mold by immersing the high voltage ceramic capacitor in the fluorine coating liquid having excellent electrical insulation in order to increase the electrical insulation of the mold 15. .

이를 위해, 본 발명의 제 2실시예는 고압용 세라믹 커패시터의 상기 몰드(15)에 포함되어 있는 수분을 제거하기 위해 10-3 torr 이하의 진공 챔버 내에서 건조시킨 후에, 상기 커패시터를 불소 코팅액(예를 들어 DSF-500)에 침지시킨다.To this end, the second embodiment of the present invention after drying in a vacuum chamber of 10 -3 torr or less in order to remove the moisture contained in the mold 15 of the high-pressure ceramic capacitor, the capacitor fluorine coating liquid ( For example, DSF-500).

그리고, 상기 몰드(15)의 표면에 형성되어 있을 수 있는 결함 부위에 상기 불소 코팅액이 충분히 투입될 수 있도록 2시간 이상 침지시킨 후 50℃ 에서 약 1시간 동안 건조시키면, 몰드표면은 물론 마킹공정 중 손상을 입은 부분까지도 개선이된 제품이 된다. In addition, when the fluorine coating solution is immersed for 2 hours or more so as to sufficiently inject the fluorine coating solution into the defect site which may be formed on the surface of the mold 15, and then dried at 50 ° C. for about 1 hour, the surface of the mold as well as the marking process Even damaged parts are improved products.

이때, 얻어진 제품은 내압 10kV에서도 문제가 없는 결과를 나타내었다.At this time, the obtained product showed no problem even at a breakdown voltage of 10 kV.

한편, 본 발명의 제 2실시예에서는 침지액을 불소 코팅액을 예로 들어 설명 하였으나, 상기 몰드(15)의 내외부에 형성되어 있을 수 있는 결함 부위에 스며들어 건조 후에 상기 고전압에 대한 전기 절연성을 확보할 수 있는 용액이라면 다른 용액을 사용해도 무방하다.Meanwhile, in the second embodiment of the present invention, the immersion liquid has been described as an example of the fluorine coating liquid, but after soaking into a defective part that may be formed in the inside and outside of the mold 15 to ensure electrical insulation against the high voltage after drying. If possible, other solutions may be used.

3. 제 3실시예3. Third embodiment

본 발명의 제 3실시예는 상기 몰드(15)의 전기 절연성을 높이기 위해, 상기 고압용 세라믹 커패시터에 플라즈마를 방사하여 표면에 묻어 있어 전기 절연성을 저하시키는 이물질이나 미반응(OH기) 물질을 제거하는 실시예이다.In the third embodiment of the present invention, in order to increase the electrical insulation of the mold 15, the plasma is radiated to the high-pressure ceramic capacitor to remove foreign substances or unreacted (OH group) substances that are buried on the surface to reduce the electrical insulation. This is an embodiment.

이를 위해 제 3실시예는 고압용 세라믹 커패시터를 플라즈마 방전 설비의 챔버에 투입하여 Ar 또는 O2 플라즈마를 방사함으로써 상기 몰드(15)의 표면에서 플라즈마 반응으로 수십 나노 이상의 표면이 손실되고 표면의 산화로 인하여 높은 유전상수를 갖는 표면이 이루어지게 한다.To this end, in the third embodiment, a ceramic capacitor for high pressure is injected into a chamber of a plasma discharge facility to radiate Ar or O 2 plasma, thereby causing the plasma reaction on the surface of the mold 15 to lose several tens of nanometers or more. This results in a surface having a high dielectric constant.

이와 같은 플라즈마 처리는 표면에 이물질이나 미반응 물질을 분리시켜 제거하는 것은 물론, 상기 몰드(15)의 표면에서 플라즈마 반응이 이루어짐으로써 표면에 미세한 요철을 형성시켜 결과적으로 양 리드(13, 14)간의 표면 거리를 연장시켜 줌으로써 전기 절연성을 더욱 높여 주는 이점이 있다.Such plasma treatment not only separates and removes foreign matters or unreacted substances on the surface, but also plasma reactions on the surface of the mold 15 to form fine unevenness on the surface, and as a result, between the leads 13 and 14 Extending the surface distance has the advantage of further increasing electrical insulation.

4. 제 4실시예4. Fourth embodiment

본 발명의 제 4실시예는 상기 몰드(15)에 사용되는 에폭시 수지 등은 완전히 가교화되어야만 안정적으로 전기 절연성이 확보되기 때문에, 상기 몰드(15)의 전기 절연성을 높이기 위해, 상기 고압용 세라믹 커패시터에 감마선을 조사함으로써 상 기 몰드(15)의 미가교 부분을 가교화시켜 주는 실시예이다.In the fourth embodiment of the present invention, since the epoxy resin and the like used in the mold 15 must be completely crosslinked to ensure stable electrical insulation, the ceramic capacitor for high voltage may be used to increase the electrical insulation of the mold 15. Irradiating gamma rays to the crosslinked uncrosslinked portion of the mold 15.

이를 위해 제 4실시예는 고압용 세라믹 커패시터를 감마선 처리 챔버에 투입하여 감마선을 조사함으로써, 상기 몰드(15)의 내부 및 외부의 미가교 부분들을 가교 처리한다.To this end, the fourth embodiment applies a high-pressure ceramic capacitor to the gamma ray treatment chamber to irradiate gamma rays, thereby crosslinking the uncrosslinked portions inside and outside the mold 15.

이때, 상기 몰드(15)에 대한 감마선 조사량은 20Mrad(4Mrad/일) 이상으로 처리한다.At this time, the gamma-irradiation dose to the mold 15 is treated at 20 Mrad (4 Mrad / day) or more.

이때, 확보된 전기절연성은 1013Ω 이상이다.At this time, the secured electrical insulation is 10 13 Ω or more.

도 1은 평판 디스플레이의 백라이트 유닛의 광원 구동을 위한 전원회로를 설명하기 위한 회로도.1 is a circuit diagram for explaining a power supply circuit for driving a light source of a backlight unit of a flat panel display.

도 2는 종래의 고압용 세라믹 커패시터의 구조를 설명하기 위한 단면도.2 is a cross-sectional view for explaining the structure of a conventional high voltage ceramic capacitor.

도 3은 종래의 다른 고압용 세라믹 커패시터의 구조를 설명하기 위한 단면도.3 is a cross-sectional view for explaining the structure of another conventional high voltage ceramic capacitor.

도 4는 감마선 조사 선량에 따른 가교도를 나타낸 그래프.4 is a graph showing the degree of crosslinking according to gamma-irradiation dose.

Claims (8)

세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계;A pair of electrode plates formed on both sides of the dielectric and a pair of leads formed by connecting ceramics with one end connected to one end of the pair of electrode plates, and the dielectric, the pair of electrode plates, and the pair of Preparing a ceramic capacitor made of a mold surrounding a portion of the lead; 상기 커패시터의 상기 몰드의 일면에 절연성 소재로 이루어진 잉크를 이용하여 도포하는 단계; 및Applying an ink made of an insulating material to one surface of the mold of the capacitor; And 상기 잉크를 경화시키는 단계를 포함하며,Curing the ink; 상기 잉크는 에폭시계 잉크, 멜라민 잉크, 페놀계 잉크 중에서 선택된 어느 한 잉크인 것을 특징으로 하는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법.The ink is a method of manufacturing an insulating fracture-resistant SMD-type ceramic capacitor, characterized in that any ink selected from epoxy ink, melamine ink, phenol ink. 삭제delete 삭제delete 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계;A pair of electrode plates formed on both sides of the dielectric and a pair of leads formed by connecting ceramics with one end connected to one end of the pair of electrode plates, and the dielectric, the pair of electrode plates, and the pair of Preparing a ceramic capacitor made of a mold surrounding a portion of the lead; 상기 몰드 내부 또는 외부의 결함 부위에 스며드는 절연 물질로 이루어진 용액에 침지시켜 상기 몰드의 표면에 형성된 표면 결함을 제거하는 단계; 및Removing surface defects formed on the surface of the mold by immersing in a solution made of an insulating material that penetrates a defect site inside or outside the mold; And 상기 커패시터를 건조하는 단계를 포함하며,Drying the capacitor; 상기 커패시터를 상기 용액에 침지하기 전에 표면 조직 내의 수분을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법.And removing moisture in surface tissue before the capacitor is immersed in the solution. 삭제delete 세라믹 소재로 이루어진 유전체와 상기 유전체의 양면에 형성된 한 쌍의 전극판과 상기 한 쌍의 전극판의 일측에 각 일단이 연결된 한 쌍의 리드 및 상기 유전체와 상기 한 쌍의 전극판 및 상기 한 쌍의 리드의 일부를 감싸는 몰드로 이루어진 세라믹 커패시터를 준비하는 단계; 및A pair of electrode plates formed on both sides of the dielectric and a pair of leads formed by connecting ceramics with one end connected to one end of the pair of electrode plates, and the dielectric, the pair of electrode plates, and the pair of Preparing a ceramic capacitor made of a mold surrounding a portion of the lead; And 상기 커패시터의 상기 몰드 표면에 플라즈마 방전시켜 표면의 이물질 및 미반응물을 제거하는 단계를 포함하며,Plasma discharge on the mold surface of the capacitor to remove foreign matter and unreacted material on the surface, 상기 플라즈마 방전 처리는 상기 몰드의 표면에 요철을 형성할 때까지 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연 파괴 방지 처리된 SMD형 세라믹 커패시터의 제조방법.And the plasma discharge treatment is performed until an uneven surface is formed on the surface of the mold. 삭제delete 삭제delete
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