KR100909134B1 - Reference voltage generator - Google Patents

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KR100909134B1 KR1020070105952A KR20070105952A KR100909134B1 KR 100909134 B1 KR100909134 B1 KR 100909134B1 KR 1020070105952 A KR1020070105952 A KR 1020070105952A KR 20070105952 A KR20070105952 A KR 20070105952A KR 100909134 B1 KR100909134 B1 KR 100909134B1
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    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices

Abstract

본 발명은 기준 전압 발생 장치에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 기준 전압 배선으로 기생 노이즈 신호가 유입되지 않도록 하는데 있다.The present invention relates to a reference voltage generator, and the technical problem to be solved is to prevent the parasitic noise signal from flowing into the reference voltage wiring.

이를 위해 본 발명은 전원 배선, 접지 배선 및 기준 전압 배선을 갖는 기준 전압 발생 장치에 있어서, 상기 기준 전압 배선을 중심으로 대향되는 수평 좌우 방향 및 대향되는 수직 상하 방향에 다수의 접지 배선이 형성된 것 특징으로 한다.To this end, the present invention is a reference voltage generator having a power wiring, a ground wiring and a reference voltage wiring, characterized in that a plurality of ground wiring is formed in the horizontal horizontal direction and the vertical vertical direction opposite to the reference voltage wiring as a center It is done.

이와 같이 하여 본 발명은 기준 전압 배선으로 기생 노이즈 신호가 유입되지 않음으로써, 더욱 안정적인 기준 전압을 출력하게 된다.In this manner, in the present invention, parasitic noise signals do not flow into the reference voltage wiring, thereby outputting a more stable reference voltage.

기준 전압 발생 장치, 접지 배선, 기준 전압 배선, 기생 노이즈 신호 Reference voltage generator, ground wiring, reference voltage wiring, parasitic noise signal

Description

기준 전압 발생 장치{REFERENCE VOLTAGE GENERATOR}Reference voltage generator {REFERENCE VOLTAGE GENERATOR}

본 발명은 기준 전압 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a reference voltage generator.

도 1은 통상의 기준 전압 발생 장치를 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a conventional reference voltage generator.

도 1에 도시된 바와 같이 통상의 기준 전압 발생 장치는 전원 배선(VDD)과, 접지 배선(VSS)과, 기준 전압 배선(VREF)과, 상기 전원 배선(VDD)에 제1전극(소스 또는 드레인)이 연결되고, 상호간의 게이트 전극이 연결된 두개의 P채널 전계효과트랜지스터(M1,M2)와, 상기 각 P채널 전계효과트랜지트터(M1,M2)의 제2전극(드레인 또는 소스)에 제1전극(소스 또는 드레인)이 연결되고, 상호간의 게이트 전극이 연결되며, 제2전극(드레인 또는 소스)은 상기 접지 배선(VSS)에 연결된 N채널 전계효과트랜지스터(M3,M4)를 포함한다. 여기서, 상기 기준 전압 배선(VREF)은 상기 N채널 전계효과트랜지스터(M3,M4)의 공통 게이트 전극에 연결됨으로써, 전원 전압과 접지 전압 사이의 소정 전압을 기준 전압으로 출력하도록 되어 있다.As shown in FIG. 1, a conventional reference voltage generator includes a power supply line VDD, a ground line VSS, a reference voltage line VREF, and a first electrode (source or drain) on the power line VDD. ) Is connected to the two P-channel field effect transistors M1 and M2 and the second electrode (drain or source) of each of the P-channel field effect transistors M1 and M2. One electrode (source or drain) is connected, the gate electrodes are connected to each other, and the second electrode (drain or source) includes N-channel field effect transistors M3 and M4 connected to the ground line VSS. The reference voltage line VREF is connected to a common gate electrode of the N-channel field effect transistors M3 and M4 to output a predetermined voltage between a power supply voltage and a ground voltage as a reference voltage.

도 2a는 종래의 기준 전압 발생 장치에서 출력단을 도시한 평면도이고, 도 2b는 그 단면도이다.2A is a plan view showing an output terminal of a conventional reference voltage generator, and FIG. 2B is a cross-sectional view thereof.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 기준 전압 발생 장치는 각종 기생 노이 즈 신호가 상기 기준 전압 배선(VREF)으로 흘러 들어가지 않도록 상기 기준 전압 배선(VREF)을 중심으로 수평한 좌우 양측에 접지 배선(VSS1,VSS2)이 위치하도록 제조된다. 즉, 집적회로를 위한 반도체칩 제조 공정에서 층간 절연막 사이에 기준 전압 배선(VREF)을 중심으로 수평한 양측에 접지 배선(VSS1,VSS2)이 위치하도록 한다. 도면중 미설명 부호 1'~6'는 층간 절연막이다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the reference voltage generator includes a ground wiring on both sides of the horizontal left and right around the reference voltage wiring VREF such that various parasitic noise signals do not flow into the reference voltage wiring VREF. (VSS1, VSS2) are manufactured to be located. That is, in the semiconductor chip manufacturing process for the integrated circuit, the ground wirings VSS1 and VSS2 are positioned at both horizontal sides of the reference voltage wiring VREF between the interlayer insulating films. In the drawings, reference numerals 1 'to 6' are interlayer insulating films.

그러나, 이러한 구조는 기준 전압 배선을 중심으로 2차원적으로만 접지 배선이 위치함으로써, 상부 방향이나 하부 방향으로부터의 기생 노이즈는 방지할 수 없는 문제가 있다. 즉, 동일한 층간 절연막에 기준 전압 배선 및 접지 배선이 수평한 방향으로만 배치됨으로써, 상부 방향이나 하부 방향으로부터의 기생 노이즈가 상기 기준 전압 배선에 흘러 들어갈 수 있고, 따라서 기준 전압 배선으로부터 출력되는 기준 전압이 불안정해지는 문제가 있다.However, such a structure has a problem that parasitic noise from the upper direction or the lower direction cannot be prevented because the ground wiring is positioned only two-dimensionally around the reference voltage wiring. That is, since the reference voltage wiring and the ground wiring are disposed only in the horizontal direction on the same interlayer insulating film, parasitic noise from the upper direction or the lower direction can flow into the reference voltage wiring, and thus the reference voltage output from the reference voltage wiring. There is a problem of this instability.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 접지 배선을 이용하여 기준 전압 배선을 3차원적으로 쉴딩(shilding)하여 기생 노이즈의 유입을 방지할 수 있는 기준 전압 발생 장치을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a reference voltage generator capable of preventing influx of parasitic noise by three-dimensionally shielding the reference voltage wiring using ground wiring. To provide.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 전원 배선, 접지 배선 및 기준 전압 배선을 갖는 기준 전압 발생 장치에 있어서, 상기 접지 배선이 상기 기준 전압 배선을 중심으로 대향되는 수평 방향 및 대향되는 수직 방향에 각각 형성된 것을 주 요 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a reference voltage generator having a power supply wiring, a ground wiring, and a reference voltage wiring, wherein the ground wiring is respectively opposed to the horizontal direction and the vertical direction opposite to the reference voltage wiring. It is characterized by what is formed.

여기서, 상기 접지 배선은 제1층간 절연막에 형성된 제1접지 배선과, 상기 제1층간 절연막 위에 제2층간 절연막 및 제3층간 절연막이 순차적으로 형성되고, 상기 제3층간 절연막에 기준 전압 배선이 형성되며, 상기 기준 전압 배선을 중심으로 대향되는 양측의 수평 위치에 형성된 제2접지 배선 및 제3접지 배선과, 상기 제3층간 절연막 위에 제4층간 절연막 및 제5층간 절연막이 순차적으로 형성되고, 상기 제5층간 절연막에 형성된 제4접지 배선으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1접지 배선, 상기 기준 전압 배선 및 상기 제4접지 배선은 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성될 수 있다.Here, the ground wiring may include a first ground wiring formed on a first interlayer insulating film, a second interlayer insulating film and a third interlayer insulating film sequentially formed on the first interlayer insulating film, and a reference voltage wiring formed on the third interlayer insulating film. And a second interlayer wiring and a third ground wiring formed at horizontal positions on opposite sides of the reference voltage wiring, and a fourth interlayer insulating film and a fifth interlayer insulating film are sequentially formed on the third interlayer insulating film. The fourth ground line may be formed on the fifth interlayer insulating layer. The first ground line, the reference voltage line and the fourth ground line may be formed at positions facing each other in the vertical direction.

더불어, 상기 접지 배선은 제1층간 절연막에 형성된 제1접지 배선과, 상기 제1층간 절연막에 수평 방향으로 평행하게 형성된 제1접지 배선, 제2접지 배선 및 제3접지 배선과, 상기 제1층간 절연막 위에 제2층간 절연막 및 제3층간 절연막이 순차적으로 형성되고, 상기 제3층간 절연막에 기준 전압 배선이 형성되며, 상기 기준 전압 배선을 중심으로 대향되는 양측의 수평 위치에 형성된 제4접지 배선 및 제5접지 배선과, 상기 제3층간 절연막 위에 제4층간 절연막 및 제5층간 절연막이 순차적으로 형성되고, 상기 제5층간 절연막에 수평 방향으로 평행하게 형성된 제6접지 배선, 제7접지 배선 및 제8접지 배선으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1접지 배선, 상기 제4접지 배선 및 상기 제6접지 배선이 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성되고, 상기 제2접지 배선, 상기 기준 전압 배선 및 상기 제7접지 배선이 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성되며, 상기 제3접지 배선, 상기 제5접 지 배선 및 상기 제8접지 배선이 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성될 수 있다.In addition, the ground wiring may include a first ground wiring formed in a first interlayer insulating film, a first ground wiring, a second ground wiring and a third ground wiring formed parallel to the first interlayer insulating film in a horizontal direction, and the first interlayer. A fourth ground wiring formed on the insulating film in order, a second interlayer insulating film and a third interlayer insulating film are sequentially formed; a reference voltage wiring is formed on the third interlayer insulating film; A fifth ground wiring, a fourth interlayer insulating film and a fifth interlayer insulating film are sequentially formed on the third interlayer insulating film, and the sixth ground wiring, the seventh ground wiring and the fifth interlayer insulating film are formed in parallel to the fifth interlayer insulating film in a horizontal direction; It may consist of eight ground wires. The first ground wiring, the fourth ground wiring and the sixth ground wiring are formed at positions facing each other in the vertical direction, and the second ground wiring, the reference voltage wiring and the seventh ground wiring are in the vertical direction. The third ground wiring, the fifth ground wiring and the eighth ground wiring may be formed at positions facing each other in the vertical direction.

상술한 바와 같이 하여, 본 발명에 따른 기준 전압 발생 장치는 기준 전압 배선을 중심으로 수평 방향인 양측에 제2접지 배선 및 제3접지 배선이 형성되고, 또한 상기 기준 전압 배선을 중심으로 수직 방향인 상하부에 제1접지 배선 및 제4접지 배선이 형성됨으로써, 기준 전압 배선이 상,하,좌,우 방향으로부터 모두 쉴드되어 기생 노이즈의 유입이 더욱 효율적으로 방지된다.As described above, in the reference voltage generator according to the present invention, the second ground wiring and the third ground wiring are formed on both sides in the horizontal direction with respect to the reference voltage wiring, and the vertical voltage is perpendicular to the reference voltage wiring. By forming the first ground wiring and the fourth ground wiring in the upper and lower portions, the reference voltage wiring is shielded from up, down, left and right directions, thereby preventing the inflow of parasitic noise more efficiently.

또한, 본 발명에 따른 기준 전압 발생 장치는 기준 전압 배선을 중심으로 수평 방향인 양측에 제3접지 배선 및 제4접지 배선이 형성되고, 또한 상기 기준 전압 배선을 중심으로 수직 방향인 상하부에 제1접지 배선, 제6접지 배선, 제2접지 배선, 제7접지 배선, 제3접지 배선, 제8접지 배선이 각각 형성됨으로써, 기준 전압 배선이 더욱 조밀하게 상,하,좌,우 방향으로부터 모두 쉴되어 기생 노이즈의 유입이 더욱 효율적으로 방지된다.In addition, in the reference voltage generator according to the present invention, the third ground wire and the fourth ground wire are formed on both sides of the reference voltage wire in the horizontal direction, and the first and the upper and lower parts of the reference voltage wire are disposed in the vertical direction. The ground wiring, the sixth ground wiring, the second ground wiring, the seventh ground wiring, the third ground wiring and the eighth ground wiring are respectively formed so that the reference voltage wiring is more densely rested from up, down, left and right directions. Thus, the inflow of parasitic noise is prevented more efficiently.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art may easily implement the present invention.

본 발명은 전원 배선(VDD), 접지 배선(VSS) 및 기준 전압 배선(VREF)을 갖는 기준 전압 발생 장치에 있어서, 상기 접지 배선(VSS)은 상기 기준 전압 배선(VREF) 을 중심으로 대향되는 좌우 수평 방향 및 대향되는 상하 수직 방향에 각각 형성된 것을 주요 특징으로 한다. 물론, 상기 기준 전압 발생 장치에는 전원 배선 및 다수의 전계효과트랜지스터 등도 더 포함하지만 이는 종래 기술과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하도록 한다.The present invention relates to a reference voltage generator having a power supply line (VDD), a ground line (VSS), and a reference voltage line (VREF), wherein the ground line (VSS) is opposite to the reference voltage line (VREF). The main feature is that each formed in the horizontal direction and the vertical direction opposite to each other. Of course, the reference voltage generator further includes a power supply wiring and a plurality of field effect transistors, etc., but the description thereof will be omitted since it is the same as the prior art.

한편, 상기와 같은 기준 전압 발생 장치는 집적회로를 제조하기 위한 반도체 칩에 구현된다. 따라서, 상기 기준 전압 배선(VREF) 및 접지 배선(VSS)이 형성된 반도체칩의 일부 구조를 설명하기로 한다.Meanwhile, the reference voltage generator as described above is implemented in a semiconductor chip for manufacturing an integrated circuit. Therefore, some structures of the semiconductor chip in which the reference voltage line VREF and the ground line VSS are formed will be described.

도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 기준 전압 발생 장치에서 출력단을 도시한 평면도이고, 도 3b는 그 단면도이다.3A is a plan view illustrating an output terminal of a reference voltage generator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view thereof.

도시된 바와 같이 본 발명은 제1층간 절연막(1)이 구비되고, 상기 제1층간 절연막(1)에 제1접지 배선(VSS1)이 형성되어 있다. 상기 제1층간 절연막(1) 위에 제2층간 절연막(2) 및 제3층간 절연막(3)이 순차적으로 형성된다. 또한, 상기 제3층간 절연막(3)에 기준 전압 배선(VREF)이 형성되며, 상기 기준 전압 배선(VREF)을 중심으로 대향되는 양측의 수평 위치에 제2접지 배선(VSS2) 및 제3접지 배선(VSS3)이 형성된다. 여기서, 상기 기준 전압 배선(VREF)은 상기 제1접지 배선(VSS1)과 대향되는 상부에 형성됨으로써, 하부 방향으로부터의 기생 노이즈 신호의 유입이 방지된다. 물론, 상기 좌우 수평 위치의 제2접지 배선(VSS2) 및 제3접지 배선(VSS3)은 수평 방향으로부터의 기생 노이즈 신호가 상기 기준 전압 배선(VREF)에 유입되는 현상을 방지한다.As shown in the drawing, the first interlayer insulating film 1 is provided, and the first ground wiring VSS1 is formed on the first interlayer insulating film 1. A second interlayer insulating film 2 and a third interlayer insulating film 3 are sequentially formed on the first interlayer insulating film 1. In addition, a reference voltage line VREF is formed on the third interlayer insulating layer 3, and the second ground line VSS2 and the third ground line are disposed at horizontal positions on both sides of the third interlayer insulating layer 3 facing each other. VSS3 is formed. Here, the reference voltage line VREF is formed on an upper side of the first ground line VSS1 to prevent inflow of parasitic noise signals from the lower direction. Of course, the second ground line VSS2 and the third ground line VSS3 in the horizontal position prevent the parasitic noise signal from the horizontal direction from flowing into the reference voltage line VREF.

더불어, 상기 제3층간 절연막(3) 위에 제4층간 절연막(4) 및 제5층간 절연 막(5)이 순차적으로 형성된다. 또한, 상기 제5층간 절연막(5)에는 제4접지 배선(VSS4)이 형성된다. 여기서, 상기 제4접지 배선(VSS4)은 상기 기준 전압 배선(VREF)과 대향되는 상부에 형성됨으로써, 상부 방향으로부터의 기생 노이즈 신호가 상기 기준 전압 배선(VREF)에 유입되는 현상을 방지한다.In addition, a fourth interlayer insulating film 4 and a fifth interlayer insulating film 5 are sequentially formed on the third interlayer insulating film 3. In addition, a fourth ground line VSS4 is formed on the fifth interlayer insulating layer 5. The fourth ground line VSS4 is formed above the reference voltage line VREF to prevent the parasitic noise signal from the upper direction from flowing into the reference voltage line VREF.

물론, 상기와 같이 하여 상기 제1접지 배선(VSS1), 상기 기준 전압 배선(VREF) 및 상기 제4접지 배선(VSS4)은 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성된다.Of course, the first ground wiring VSS1, the reference voltage wiring VREF, and the fourth ground wiring VSS4 are formed at positions facing each other in the vertical direction as described above.

이와 같이 하여 본 발명은 기준 전압 배선(VREF)을 중심으로 대략 마름모꼴 형태로 제1접지 배선(VSS1), 제2접지 배선(VSS2), 제3접지 배선(VSS3) 및 제4접지 배선(VSS4)이 위치된다. 따라서, 기준 전압 배선(VREF)은 좌우 수평 방향 뿐만 아니라 상하 수직 방향으로도 기생 노이즈 신호의 유입이 방지된다.In this way, the present invention has a substantially rhombic shape centering on the reference voltage wiring VREF. The first ground wiring VSS1, the second ground wiring VSS2, the third ground wiring VSS3, and the fourth ground wiring VSS4. This is located. Therefore, the reference voltage line VREF is prevented from introducing parasitic noise signals not only in the horizontal and horizontal directions but also in the vertical and vertical directions.

도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기준 전압 발생 장치에서 출력단을 도시한 평면도이고, 도 4b는 그 단면도이다.4A is a plan view illustrating an output terminal of a reference voltage generator according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view thereof.

도시된 바와 같이 본 발명은 제1층간 절연막(1)이 구비되고, 상기 제1층간 절연막(1)에 수평 방향으로 평행하게 제1접지 배선(VSS1), 제2접지 배선(VSS2) 및 제3접지 배선(VSS3)이 형성된다. 또한, 상기 제1층간 절연막(1) 위에 제2층간 절연막(2) 및 제3층간 절연막(3)이 순차적으로 형성되고, 상기 제3층간 절연막(3)에 기준 전압 배선(VREF)이 형성된다.As illustrated, the present invention includes a first interlayer insulating film 1, and includes a first ground wiring VSS1, a second ground wiring VSS2, and a third parallel to the first interlayer insulating film 1 in a horizontal direction. Ground wire VSS3 is formed. In addition, a second interlayer insulating film 2 and a third interlayer insulating film 3 are sequentially formed on the first interlayer insulating film 1, and a reference voltage line VREF is formed on the third interlayer insulating film 3. .

여기서, 상기 기준 전압 배선(VREF)은 상기 제2접지 배선(VSS2)과 대향되는 상부에 형성됨으로써, 하부 방향으로부터의 기생 노이즈 신호 유입이 방지된다. 물론, 상기 좌우 수평 위치의 제4접지 배선(VSS4) 및 제5접지 배선(VSS5)은 수평 방향으로부터의 기생 노이즈 신호가 상기 기준 전압 배선(VREF)에 유입되는 현상을 방지한다. 또한 상기 제1접지 배선(VSS1), 제2접지 배선(VSS2) 및 제3접지 배선(VSS3)은 하부 방향으로부터 상기 기준 전압 배선(VREF)에 기생 노이즈 신호가 유입되는 현상을 방지한다.In this case, the reference voltage line VREF is formed on an upper side of the second ground line VSS2 so as to prevent the parasitic noise signal from flowing from the lower direction. Of course, the fourth ground line VSS4 and the fifth ground line VSS5 in the horizontal position prevent the parasitic noise signal from the horizontal direction from flowing into the reference voltage line VREF. In addition, the first ground wiring VSS1, the second ground wiring VSS2, and the third ground wiring VSS3 prevent a parasitic noise signal from flowing into the reference voltage wiring VREF from a downward direction.

계속해서, 상기 제3층간 절연막(3) 위에 제4층간 절연막(4) 및 제5층간 절연막(5)이 순차적으로 형성된다. 또한, 상기 제5층간 절연막(5)에 수평 방향으로 평행하게 제6접지 배선(VSS6), 제7접지 배선(VSS7) 및 제8접지 배선(VSS8)이 형성된다. 여기서, 상기 제7접지 배선(VSS7)은 상기 기준 전압 배선(VREF)과 대응되는 상부에 형성된다.Subsequently, a fourth interlayer insulating film 4 and a fifth interlayer insulating film 5 are sequentially formed on the third interlayer insulating film 3. In addition, a sixth ground wiring VSS6, a seventh ground wiring VSS7, and an eighth ground wiring VSS8 are formed on the fifth interlayer insulating film 5 in parallel in the horizontal direction. Here, the seventh ground wiring VSS7 is formed at an upper portion corresponding to the reference voltage wiring VREF.

좀더 구체적으로, 상기 제1접지 배선(VSS1), 상기 제4접지 배선(VSS4) 및 상기 제6접지 배선(VSS6)이 상하 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성된다. 또한, 상기 제2접지 배선(VSS2), 상기 기준 전압 배선(VREF) 및 상기 제7접지 배선(VSS7)이 상하 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성된다. 더욱이, 상기 제3접지 배선(VSS3), 상기 제5접지 배선(VSS5) 및 상기 제8접지 배선(VSS8)이 상하 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성된다.More specifically, the first ground wiring VSS1, the fourth ground wiring VSS4, and the sixth ground wiring VSS6 are formed at positions facing each other in the vertical direction. The second ground wiring VSS2, the reference voltage wiring VREF, and the seventh ground wiring VSS7 are formed at positions facing each other in the vertical direction. Furthermore, the third ground wiring VSS3, the fifth ground wiring VSS5, and the eighth ground wiring VSS8 are formed at positions facing each other in the vertical direction.

더불어, 상기 제1접지 배선(VSS1), 제2접지 배선(VSS2) 및 제3접지 배선(VSS3)이 좌우 수평 방향으로 나란히 형성된다. 또한, 상기 제4접지 배선(VSS4), 기준 전압 배선(VREF) 및 제5접지 배선(VSS5)이 좌우 수평 방향으로 나란히 형성된 다. 더욱이, 상기 제6접지 배선(VSS6), 제7접지 배선(VSS7) 및 제8접지 배선(VSS8)이 좌우 수평 방향으로 나란히 형성된다.In addition, the first ground wiring VSS1, the second ground wiring VSS2, and the third ground wiring VSS3 are formed side by side in the horizontal direction. In addition, the fourth ground wiring VSS4, the reference voltage wiring VREF, and the fifth ground wiring VSS5 are formed in parallel in the horizontal direction. In addition, the sixth ground wiring VSS6, the seventh ground wiring VSS7, and the eighth ground wiring VSS8 are formed side by side in the horizontal direction.

이와 같이 하여 본 발명은 기준 전압 배선(VREF)을 중심으로 대략 사각 형태로 제1접지 배선(VSS1), 제2접지 배선(VSS2), 제3접지 배선(VSS3), 제4접지 배선(VSS4), 제5접지 배선(VSS5), 제6접지 배선(VSS6), 제7접지 배선(VSS7) 및 제8접지 배선(VSS8)이 위치된다. 따라서, 상기 기준 전압 배선(VREF)에는 수평 방향 및 수직 방향으로부터의 모든 기생 노이즈 신호 유입이 방지된다.In this manner, the present invention has a substantially rectangular shape centering on the reference voltage wiring VREF, such as the first ground wiring VSS1, the second ground wiring VSS2, the third ground wiring VSS3, and the fourth ground wiring VSS4. The fifth ground wiring VSS5, the sixth ground wiring VSS6, the seventh ground wiring VSS7, and the eighth ground wiring VSS8 are positioned. Therefore, inflow of all parasitic noise signals from the horizontal direction and the vertical direction is prevented in the reference voltage line VREF.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 기준 전압 발생 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing the reference voltage generating device according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, and as claimed in the following claims, the gist of the present invention Without departing from the technical spirit of the present invention to the extent that any person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains various modifications can be made.

도 1은 통상의 기준 전압 발생 장치를 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a conventional reference voltage generator.

도 2a는 종래의 기준 전압 발생 장치에서 출력단을 도시한 평면도이고, 도 2b는 그 단면도이다.2A is a plan view showing an output terminal of a conventional reference voltage generator, and FIG. 2B is a cross-sectional view thereof.

도 3a는 본 발명의 일실시예에 따른 기준 전압 발생 장치에서 출력단을 도시한 평면도이고, 도 3b는 그 단면도이다.3A is a plan view illustrating an output terminal of a reference voltage generator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view thereof.

도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기준 전압 발생 장치에서 출력단을 도시한 평면도이고, 도 4b는 그 단면도이다.4A is a plan view illustrating an output terminal of a reference voltage generator according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view thereof.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1; 제1층간 절연막 2; 제2층간 절연막One; A first interlayer insulating film 2; Second interlayer insulation film

3; 제3층간 절연막 4; 제4층간 절연막3; A third interlayer insulating film 4; 4th interlayer insulation film

5; 제5층간 절연막 VREF; 기준 전압 배선5; A fifth interlayer insulating film VREF; Reference voltage wiring

VSS1; 제1접지 배선 VSS2; 제2접지 배선VSS1; First ground wiring VSS2; 2nd ground wiring

VSS3; 제3접지 배선 VSS4; 제4접지 배선VSS3; Third ground wiring VSS4; 4th ground wiring

VSS5; 제5접지 배선 VSS6; 제7접지 배선VSS5; Fifth ground wiring VSS6; 7th Ground Wiring

VSS7; 제7접지 배선 VSS8; 제8접지 배선VSS7; Seventh ground wiring VSS8; 8th Ground Wiring

Claims (5)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 전원 배선, 접지 배선 및 기준 전압 배선을 갖는 기준 전압 발생 장치에 있어서,A reference voltage generator having power supply wiring, ground wiring and reference voltage wiring, 상기 접지 배선은 상기 기준 전압 배선을 중심으로 대향되는 수평 방향 및 대향되는 수직 방향에 형성되어 있되,The ground wire is formed in a horizontal direction facing each other and a vertical direction opposite to the reference voltage wire, 상기 접지 배선은The ground wire 제1층간 절연막에 형성된 제1접지 배선과,A first ground wiring formed on the first interlayer insulating film, 상기 제1층간 절연막에 수평 방향으로 평행하게 형성된 제1접지 배선, 제2접지 배선 및 제3접지 배선과,A first ground wiring, a second ground wiring and a third ground wiring formed in parallel in the horizontal direction on the first interlayer insulating film; 상기 제1층간 절연막 위에 제2층간 절연막 및 제3층간 절연막이 순차적으로 형성되고, 상기 제3층간 절연막에 상기 기준 전압 배선이 형성되며, 상기 기준 전압 배선을 중심으로 대향되는 양측의 수평 위치에 형성된 제4접지 배선 및 제5접지 배선과,A second interlayer insulating film and a third interlayer insulating film are sequentially formed on the first interlayer insulating film, and the reference voltage wiring is formed on the third interlayer insulating film, and formed at horizontal positions on opposite sides of the reference interlayer wiring. The fourth ground wiring and the fifth ground wiring, 상기 제3층간 절연막 위에 제4층간 절연막 및 제5층간 절연막이 순차적으로 형성되고, 상기 제5층간 절연막에 수평 방향으로 평행하게 형성된 제6접지 배선, 제7접지 배선 및 제8접지 배선으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준 전압 발생 장치.A fourth interlayer insulating film and a fifth interlayer insulating film are sequentially formed on the third interlayer insulating film, and the sixth ground wiring, the seventh ground wiring, and the eighth ground wiring are formed on the fifth interlayer insulating film in parallel in the horizontal direction. A reference voltage generator. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1접지 배선, 상기 제4접지 배선 및 상기 제6접지 배선이 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성되고,The first ground wiring, the fourth ground wiring and the sixth ground wiring are formed at positions facing each other in the vertical direction; 상기 제2접지 배선, 상기 기준 전압 배선 및 상기 제7접지 배선이 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성되며,The second ground wiring, the reference voltage wiring and the seventh ground wiring are formed at positions facing each other in the vertical direction, 상기 제3접지 배선, 상기 제5접지 배선 및 상기 제8접지 배선이 수직 방향으로 서로 대향되는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 기준 전압 발생 장치.And the third ground wiring, the fifth ground wiring and the eighth ground wiring are formed at positions facing each other in the vertical direction.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5110664A (en) * 1989-07-10 1992-05-05 Hitachi, Ltd. Thick film and thin film composite substrate and electronic circuit apparatus using it
KR970030848A (en) * 1995-11-10 1997-06-26 김광호 Cell array arrangement method of semiconductor memory device

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