KR100906944B1 - Correction method for difference in critical dimension owing to aberration - Google Patents

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Abstract

본 발명은 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조용 노광장비에서 렌즈 수차로 인한 패턴의 차이를 마스크 레이아웃에 의하여 보정하는 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for correcting a CD difference due to lens aberration, and more particularly, to a method for correcting a CD difference due to lens aberration for correcting a pattern difference due to lens aberration by a mask layout in an exposure apparatus for semiconductor manufacturing.

본 발명의 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법은 렌즈의 수차로 인하여 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 모니터하기 위한 테스트 레티클을 제작하는 제1 단계; 상기 테스트 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 실제 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 측정하는 제2 단계; 상기 패어 라인의 CD 차이를 반영한 공정용 레티클을 제작하는 제3 단계; 그리고 상기 공정용 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 감광막을 패터닝하는 제4 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The method for correcting a CD difference by lens aberration of the present invention includes a first step of manufacturing a test reticle for monitoring a CD difference of a pair line on a wafer due to lens aberration; Performing a photolithography process using the test reticle to measure a CD difference of a pair line on an actual wafer; A third step of manufacturing a process reticle reflecting the CD difference of the pair line; And a fourth step of patterning the photoresist film by performing a photolithography process using the process reticle.

본 발명에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에 의하면 반도체 제조용 노광장비에서 렌즈 수차로 인한 패턴의 차이를 마스크 레이아웃 단계에서 보정함으로써 패턴의 충실도를 향상시켜 반도체 소자의 안정적인 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.According to the CD difference correction method according to the lens aberration according to the present invention, by improving the fidelity of the pattern by correcting the pattern difference due to the lens aberration in the mask layout step in the exposure equipment for semiconductor manufacturing to obtain a stable characteristic of the semiconductor device have.

포토리소그래피, 수차(aberration), 패어 라인 패턴(pair line pattern) Photolithography, aberration, pair line pattern

Description

렌즈 수차에 의한 ＣＤ 차이 보정방법{Correction method for difference in critical dimension owing to aberration}Correction method for CD difference by lens aberration {Correction method for difference in critical dimension owing to aberration}

본 발명은 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조용 노광장비에서 렌즈 수차로 인한 패턴의 차이를 마스크 레이아웃에 의하여 보정하는 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for correcting a CD difference due to lens aberration, and more particularly, to a method for correcting a CD difference due to lens aberration for correcting a pattern difference due to lens aberration by a mask layout in an exposure apparatus for semiconductor manufacturing.

일반적으로 반도체 제조에서 개발 및 생산 원가를 줄이기 위한 방법으로 해상 능력 및 성능이 월등히 좋은 고가의 신모델 노광 장비의 사용 대신에 기존에 보유하고 있는 노광 장비를 사용하여 노광 장비 자체의 한계에 비해 작은 패턴을 형성하려는 시도가 이루어지고 있다.In general, as a way to reduce development and production costs in semiconductor manufacturing, instead of using expensive new model exposure equipment with excellent resolution capability and performance, the existing exposure equipment is used to reduce the pattern smaller than the exposure equipment itself. Attempts have been made to form.

노광 장비를 구성하는데 있어서 렌즈기술은 가장 핵심적인 단위기술로서 레티클 위에 새겨진 정밀패턴을 변형 없이 일정한 배율로 웨이퍼 위로 전사시키느냐를 결정하는 기술이다. Lens technology is the most important unit technology in constructing exposure equipment. It is a technology that determines whether or not to transfer a precision pattern on a reticle onto a wafer at a constant magnification without deformation.

이러한 렌즈기술은 설계기술보다는 정밀 가공기술이 핵심기술이다. 더욱이 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세패턴을 형성하기 위해 파장이 짧아짐에 따라 렌즈에서 많은 흡수가 일어나므로 새로운 재료의 개발기술도 필수적이다. Such lens technology is a key technology rather than design technology. In addition, as the degree of integration of semiconductor devices increases, a shorter wavelength is required to form a fine pattern, and thus a lot of absorption occurs in the lens.

렌즈기술을 이루는 요소기술로서는 색지움 렌즈(Acromatic Lens), 단색성 렌즈(Monochromatic Lens), 전자기 렌즈(Electro-Magnetic Lens), 광축정렬 및 광학계 조립, 박막 코팅(Thin Film Coating), 렌즈 가공 및 테스트, 카타다이옵트릭 시스템(Catadioptric System), 텔로센트릭 시스템(Telecentric System) 등의 기술이 있다. Elements of lens technology include Acromatic Lens, Monochromatic Lens, Electro-Magnetic Lens, Optical Axis Alignment and Optical System Assembly, Thin Film Coating, Lens Processing and Testing, Technologies include the Catadioptric System and the Telecentric System.

상기 렌즈기술은 주로 렌즈의 수차(aberration)라는 불완전성을 극복하고자 시도되는 것이다. 그러나 광학 렌즈에 있어서 석영(Quartz) 단결정을 기계적 연마 과정을 통해 렌즈를 제작하기 때문에 수차가 전혀 없는 이상적인 렌즈의 제작은 불가능하다. The lens technique is mainly attempted to overcome an imperfection called lens aberration. However, in the optical lens, since the quartz single crystal is manufactured through mechanical polishing, it is impossible to manufacture an ideal lens without any aberration.

여기서 수차라 함은 상(像)을 맺을 때 한점에서 나온 빛이 광학계를 통한 다음 한점에 모이지 않아 맺히는 상에 빛깔이 있어 보이거나 일그러지는 현상이 나타나는 것을 말한다. Here, aberration refers to a phenomenon in which the light from one point does not gather through the optical system and is colored or distorted when it forms an image.

이러한 수차는 나타나는 원인에 따라 구면 수차(spherical aberration), 파면 수차(wavefront aberration), 비점 수차(astigmatism), 코마(coma), 왜곡(distortion), 만곡(field curvature), 색 수차(chromatic aberration) 등이 있다.Such aberrations can be caused by spherical aberration, wavefront aberration, astigmatism, coma, distortion, field curvature, chromatic aberration, etc. There is this.

종래의 기술에 따른 포토리소그래피 공정의 패턴 형성방법에서는 비점수차에 의해서 웨이퍼에 수평 대 수직 패턴(horizontal vs vertical pattern) 간의 CD(critical dimension, 이하 'CD'라 한다) 차이가 발생하며, 코마에 의해서는 패어 라인 패턴(pair line pattern)에서 좌우 패턴 또는 상하 패턴의 CD 차이 및 포지션 시프트(position shift) 현상이 발생한다. In the pattern formation method of the photolithography process according to the prior art, a difference in CD (critical dimension, hereinafter referred to as 'CD') between horizontal and vertical patterns occurs due to astigmatism, In the pair line pattern, a CD difference and a position shift phenomenon of the left and right patterns or the top and bottom patterns occur.

도 1은 종래의 기술에 따른 패어 라인의 패턴의 일부를 보여주는 마스크 레이아웃도이고, 도 2는 종래의 기술에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이를 보여주는 그래프이다.1 is a mask layout diagram showing a part of a pattern of a pair line according to the prior art, Figure 2 is a graph showing the CD difference due to the lens aberration according to the prior art.

예를 들어 130나노미터(nm)의 고립된 라인(isolated line)의 패턴의 형성이 보장되는 노광 장비에서 130nm 선폭의 패어 라인 패턴의 상하 패턴의 CD 차이가 3nm라고 하면, 만약 이 장비에서 110nm 패어 라인 패턴을 형성하게 되면 그 차이가 더욱 커져 6nm 이상이 된다. 즉 첨부된 도 1의 상부 패턴과 하부 패턴 간의 웨이퍼 상의 CD차이가 6nm 이상이 되는 현상이 발생하는 것이다.For example, if the CD difference between the top and bottom patterns of a 130 nm line width line pattern is 3 nm in the exposure equipment that ensures the formation of a pattern of 130 nm isolated lines, a 110 nm pair is used in this equipment. If the line pattern is formed, the difference becomes larger and becomes 6 nm or more. That is, a phenomenon in which the CD difference on the wafer between the upper pattern and the lower pattern of FIG. 1 attached is 6 nm or more occurs.

이러한 노광 장비에서 130nm 선폭의 게이트를 패터닝하게 되면 3nm의 차이는 최소 선폭(minimum feature size) 대비 2.3% 이므로, 반도체 소자의 특성에 영향을 주지 않을 수 있으나, 만약 이를 110nm 공정에 적용하게 되면 6nm 이상 차이는 5% 이상의 차이를 가져오게 되어 반도체 소자의 특성에 영향을 미치게 된다. When patterning the gate of 130nm line width in such exposure equipment, the difference of 3nm is 2.3% of the minimum feature size, so it may not affect the characteristics of the semiconductor device, but if it is applied to 110nm process, it is 6nm or more. The difference is more than 5% of the difference affects the characteristics of the semiconductor device.

특히 90nm 플래시 메모리 소자(flash memory device)에서는 첨부된 도면 1과 같은 DICD 115nm 패어 라인 패턴을 gate로 형성해야 한다. 그런데 종래의 기술에 따른 포토리소그래피 공정의 패턴 형성방법에서는 패어 라인 패턴의 상부 패턴과 하부 패턴 간의 CD 차이가 6 ~ 8nm 정도 발생하고 있다(도 2 참조). In particular, in a 90nm flash memory device, a DICD 115nm pair line pattern as shown in FIG. 1 must be formed as a gate. However, in the pattern forming method of the photolithography process according to the related art, a CD difference between the upper pattern and the lower pattern of the pair line pattern is generated about 6 to 8 nm (see FIG. 2).

이러한 CD 차이는 115nm의 최소 선폭(minimum feature size) 대비 6% 이상이어서 원하는 플래시 메모리 소자 특성을 확보하기가 곤란하다는 문제점이 있다.The CD difference is more than 6% of the minimum feature size of 115nm, which makes it difficult to secure desired flash memory device characteristics.

따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 반도체 제조용 노광장비에서 렌즈 수차로 인한 패턴의 차이를 마스크 레이아웃(mask layout) 단계에서 보정함으로써 패턴의 충실도(fidelity)를 향상시킬 수 있는 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, a lens that can improve the fidelity of the pattern by correcting the difference in the pattern due to the lens aberration in the mask layout step in the exposure equipment for semiconductor manufacturing An object of the present invention is to provide a method for correcting a CD difference by aberration.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법은 렌즈의 수차로 인하여 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 모니터하기 위한 테스트 레티클을 제작하는 제1 단계; 상기 테스트 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 실제 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 측정하는 제2 단계; 상기 패어 라인의 CD 차이를 반영한 공정용 레티클을 제작하는 제3 단계; 그리고 상기 공정용 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 감광막을 패터닝하는 제4 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The CD difference correction method by the lens aberration of the present invention for achieving the above object is a first step of manufacturing a test reticle for monitoring the CD difference of the pair line on the wafer due to the lens aberration; Performing a photolithography process using the test reticle to measure a CD difference of a pair line on an actual wafer; A third step of manufacturing a process reticle reflecting the CD difference of the pair line; And a fourth step of patterning the photoresist film by performing a photolithography process using the process reticle.

또한, 상기 제1 단계는 웨이퍼에서 패어 라인의 CD 차이가 -4nm ~ 4nm가 되는 범위를 갖는 테스트 패턴들의 마스크 레이아웃을 제작하는 것을 특징으로 한다.In addition, the first step is characterized in that the mask layout of the test patterns having a range in which the CD difference of the pair line in the wafer is -4nm ~ 4nm is characterized.

또한, 상기 제3 단계는 플래시 메모리 소자의 이온 주입 레이어 및 컨트롤 게이트 레이어를 사용한 마스크 툴링 작업에 의하여 패어 라인의 선폭을 사이징하는 것을 특징으로 한다.The third step may include sizing the line width of the pair line by a mask tooling operation using an ion implantation layer and a control gate layer of a flash memory device.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에 의하면 반도체 제조용 노광장비에서 렌즈 수차로 인한 패턴의 차이를 마스크 레이아웃 단계에서 보정함으로써 패턴의 충실도를 향상시켜 반도체 소자의 안정적인 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, according to the CD difference correction method by lens aberration according to the present invention, the pattern difference due to lens aberration is corrected in the mask layout step in the exposure equipment for semiconductor manufacturing to improve the fidelity of the pattern to stabilize the semiconductor device. There is an effect that can get the characteristics.

본 발명의 일실시예에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법은 제1 단계 내지 제4 단계를 포함하여 이루어져 있다.CD difference correction method by the lens aberration according to an embodiment of the present invention comprises a first step to a fourth step.

상기 제1 단계는 렌즈의 수차로 인하여 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 모니터하기 위한 테스트 레티클을 제작하는 단계이다. The first step is to produce a test reticle for monitoring the CD difference of the pair line on the wafer due to lens aberration.

상기 제2 단계는 상기 테스트 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 실제 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 측정하는 단계이다. The second step is to perform a photolithography process using the test reticle to measure the CD difference of the pair line on the actual wafer.

상기 제3 단계는 상기 패어 라인의 CD 차이를 반영한 공정용 레티클을 제작하는 단계이다. The third step is to produce a process reticle reflecting the CD difference of the pair line.

상기 제4 단계는 상기 공정용 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행 하여 감광막을 패터닝하는 단계이다. The fourth step is a step of patterning the photoresist by performing a photolithography process using the process reticle.

본 발명의 다른 일실시예에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에서, 상기 제1 단계는 웨이퍼에서 패어 라인의 CD 차이가 -4nm ~ 4nm가 되는 범위를 갖는 테스트 패턴들의 마스크 레이아웃을 제작하는 것이 바람직하다.In the CD difference correction method by lens aberration according to another embodiment of the present invention, the first step is to produce a mask layout of test patterns having a CD difference of -4 nm to 4 nm of the pair line on the wafer. desirable.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에서, 상기 제3 단계는 플래시 메모리 소자의 이온 주입 레이어 및 컨트롤 게이트 레이어를 사용한 마스크 툴링 작업에 의하여 패어 라인의 선폭을 사이징하는 것이 바람직하다.In the CD difference correction method by lens aberration according to another embodiment of the present invention, the third step is to size the line width of the pair line by the mask tooling operation using the ion implantation layer and the control gate layer of the flash memory device It is preferable.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 각 단계의 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of each step of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings in detail as follows.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 툴링 작업에 사용되는 레이어를 보여주는 마스크 레이아웃도이고, 도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 CG 레이어를 사이징하는 MDP 룰을 설명하기 위한 마스크 레이아웃도이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 상의 CD를 보여주는 그래프이다.3 is a mask layout diagram showing a layer used in a mask tooling operation according to an embodiment of the present invention, Figures 4a to 4f is a mask layout diagram for explaining the MDP rule sizing the CG layer of the present invention, 5 is a graph showing a CD on a wafer according to an embodiment of the present invention.

90nm 플래시 메모리 소자에 적용되는 본 발명의 일실시예에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법을 설명하면 다음과 같다.A CD difference correction method by lens aberration according to an embodiment of the present invention applied to a 90 nm flash memory device will be described below.

불화크립톤(KrF) 노광장비에서 종래의 기술로 컨트롤 게이트를 패터닝하게 되면 렌즈의 수차에 의해 패어 라인 패턴의 상부 패턴과 하부 패턴 간의 CD 차이가 평균 7nm 발생하게된다. When the control gate is patterned by a conventional technique in a krypton fluoride (KrF) exposure apparatus, the CD difference between the upper pattern and the lower pattern of the pair line pattern is generated by 7 nm due to lens aberration.

이러한 차이를 보정하기 위하여 상부 패턴과 하부 패턴 간의 마스크 레이아웃 상에서 CD 차이가 각각 -4nm, -2nm, 2nm, 4nm가 되도록 하는 테스트 패턴을 포함하는 테스트 레티클을 제작한다. In order to correct the difference, a test reticle including a test pattern having a CD difference of -4 nm, -2 nm, 2 nm, and 4 nm on the mask layout between the upper pattern and the lower pattern is manufactured.

이후 상기 테스트 레티클을 사용하여 포토리소그래피 공정을 진행하여 실제 웨이퍼상에서 패어 라인의 상부 패턴과 하부 패턴 간의 CD 차이를 측정한다. 상기 웨이퍼상의 CD는 노광장비의 렌즈의 수차에 의해 변형이 가해진 것이므로, 이 과정에서 원하는 선폭을 갖고 상부 패턴과 하부 패턴 간의 CD 차이가 최소가 되는 테스트 패턴을 얻을 수 있게 되는 것이다.The test reticle is then used to perform a photolithography process to measure the CD difference between the upper and lower patterns of the paired lines on the actual wafer. Since the CD on the wafer is deformed by the aberration of the lens of the exposure apparatus, it is possible to obtain a test pattern having a desired line width and minimizing the CD difference between the upper pattern and the lower pattern in this process.

그리고나서 상기 상부 패턴과 하부 패턴 간의 CD 차이가 최소가 되는 테스트 패턴의 정보를 반영하여 실제로 반도체 소자를 제작하는 마스크에 적용한다. 예를 들어 상기 -4nm가 되도록 하는 테스트 패턴이 웨이퍼 상에서 가장 양호한 결과를 나타내었다고 가정한다면, 패어 라인의 하부 패턴을 3nm 줄임으로써 렌즈의 수차에 의한 변형을 보정할 수 있는 것이다.Then, the test pattern reflects information of a test pattern in which the CD difference between the upper pattern and the lower pattern is minimized and is applied to a mask for actually fabricating a semiconductor device. For example, assuming that a test pattern of −4 nm results in the best results on the wafer, the distortion caused by lens aberration can be corrected by reducing the lower pattern of the pair line by 3 nm.

본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법에서, 상기 제3 단계는 플래시 메모리 소자의 이온 주입 레이어 및 컨트롤 게이트 레이어를 사용한 마스크 툴링 작업에 의하여 패어 라인의 선폭을 사이징하는 것이 바람직하다. In the CD difference correction method by lens aberration according to another embodiment of the present invention, the third step is to size the line width of the pair line by the mask tooling operation using the ion implantation layer and the control gate layer of the flash memory device It is preferable.

플래시 메모리 소자의 상기 패어 라인 패턴의 상부 패턴과 하부 패턴은 기본적으로는 대칭인 형태이므로 컨트롤 게이트 레이어만으로는 상기 패어 라인 패턴의 하부 패턴을 선택하는 것은 불가능하다.Since the upper pattern and the lower pattern of the pair line pattern of the flash memory device are basically symmetrical, it is impossible to select the lower pattern of the pair line pattern only by the control gate layer.

따라서 첨부된 도 3에 도시한 바와 같이, 컨트롤 게이트 레이어(이하 'CG' 레이어'라 한다)의 패어 라인 패턴의 상부 패턴과 하부 패턴 사이에 패턴이 형성되는 이온 주입 레이어(이하 'RCS 레이어'라 한다)를 사용함으로써 상부 패턴과 하부 패턴을 선택하는 것이 가능하게 된다.Therefore, as shown in FIG. 3, an ion implantation layer (hereinafter, referred to as an 'RCS layer') in which a pattern is formed between the upper and lower patterns of the pair line pattern of the control gate layer (hereinafter, referred to as a 'CG' layer '). ), It becomes possible to select the upper pattern and the lower pattern.

이후 마스크 툴링(mask tooling) 작업에 의하여 선택된 상부 패턴과 하부 패턴의 선폭을 사이징(sizing)하여 마스크 레이아웃을 제작한다.Subsequently, a mask layout is manufactured by sizing the line widths of the upper pattern and the lower pattern selected by mask tooling.

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첨부된 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 상의 CD를 보여주는 그래프로서, 패어 라인 패턴의 상부 패턴(A)과 패어 라인 패턴의 하부 패턴(B) 사이의 CD 차이가 감소된 결과를 보여준다.5 is a graph showing a CD on a wafer according to an embodiment of the present invention, and shows a result of a reduced CD difference between an upper pattern A of a pair line pattern and a lower pattern B of a pair line pattern. .

본 발명은 상기 실시 예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. will be.

도 1은 종래의 기술에 따른 패어 라인의 패턴의 일부를 보여주는 마스크 레이아웃도, 1 is a mask layout showing a part of a pattern of a pair line according to the prior art,

도 2는 종래의 기술에 따른 렌즈 수차에 의한 CD 차이를 보여주는 그래프, 2 is a graph showing a CD difference due to lens aberration according to the prior art;

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 툴링 작업에 사용되는 레이어를 보여주는 마스크 레이아웃도, 3 is a mask layout diagram showing a layer used in a mask tooling operation according to an embodiment of the present invention;

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 CG 레이어를 사이징하는 MDP 룰을 설명하기 위한 마스크 레이아웃도, 4A to 4F are mask layout diagrams for explaining an MDP rule for sizing a CG layer of the present invention;

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 상의 CD를 보여주는 그래프.5 is a graph showing a CD on a wafer in accordance with one embodiment of the present invention.

Claims (3)

렌즈의 수차로 인하여 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 모니터하기 위해 상기 패어 라인의 CD 차이가 -4nm ~ 4nm가 되는 범위를 갖는 테스트 레티클을 제작하는 제1 단계; 상기 테스트 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 실제 웨이퍼 상에서 패어 라인의 CD 차이를 측정하는 제2 단계; 상기 패어 라인의 CD 차이를 반영한 공정용 레티클을 제작하는 제3 단계; 그리고 상기 공정용 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 감광막을 패터닝하는 제4 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 렌즈 수차에 의한 CD 차이 보정방법.A first step of manufacturing a test reticle having a range in which the CD difference of the pair line is -4 nm to 4 nm to monitor the CD difference of the pair line on the wafer due to lens aberration; Performing a photolithography process using the test reticle to measure a CD difference of a pair line on an actual wafer; A third step of manufacturing a process reticle reflecting the CD difference of the pair line; And a fourth step of patterning a photoresist film by performing a photolithography process using the process reticle. 삭제delete 삭제delete
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