KR100904638B1 - 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법 - Google Patents

마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마이크로스트립패치 안테나 및 배열 안테나의 급전 방법에 관한 것으로, 유전체기판 위에 에칭된 마이크로스트립패치 안테나에 신호를 급전할 때 유전체기판 밑에 신호가 흐를 수 있는 선로층을 별도로 만들어, 이 선로층의 신호를 패치 안테나와 연결하는 스루홀을 가공하여 급전함으로써 급전선로에서 발생하는 불필요한 복사에너지의 발산을 차단하여 안테나의 방사특성을 향상시키고 지향성을 높이며 방사패턴의 백로브 및 사이드로브를 낮추는 효과를 얻어, 동일주파수를 사용하는 안테나 내장형의 중계기용 안테나로 사용될 수가 있다.
마이크로스트립패치 안테나, 유전체기판, 사이드로브, 백로브, 중계기용 안테나

Description

마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법{Microstrip Antenna and Array Antenna Feeding Solution}
도 1a, 도 1b : 사시도,
도 2a, 도 2b : 본 안테나의 측면도,
도 3 : 제작된 본 안테나의 반사손실(S11)특성,
도 4 : 본 안테나의 주파수별 3차원 방사패턴,
도 5, 도 6 : 본 안테나의 주파수별 2차원 방사패턴(0도, 90도).
<세부명칭에 대한 상세한 설명>
10, 15, 20: 유전체기판, 11: 라디에이터, 12: 라디에이터 급전점,
13: 부공진용 스루홀, 14: 라디에이터용 그라운드판, 16: 스트립선로층,
17: 분배선로, 17-1: 스트립선로의 중심점(급전포트 연결점),
18, 19: 급전선로, 18-1, 18-2, 19-1, 19-2: 스트립선로의 급전점,
21: 스트립선로용 그라운드판, 22: 포트, 23: 스루홀
[문헌1] JP 2002-151100
[문헌2] KR 10-0613603 2006.08.10
[문헌3] KR 10-0542830 2006.01.05
[문헌4] KR 10-0525313 2005.10.25
[문헌5] KR 10-0542829 2006.01.05
[문헌6] KR 10-2006-0070790 2006.06.26
[문헌7] KR 10-2006-0070793 2006.06.26
[문헌8] KR 10-2006-0070795 2006.06.26
본 발명은 마이크로스트립패치 안테나 및 패치 안테나들의 급전 방법에 관한 것이다. 이 방법은 기존의 마이크로스트립패치 안테나를 구성함에 있어, 패치 안테나 패턴과 급전선로를 동일한 유전체기판 위에 형성하여 발생하는 문제점인 (1)패치 안테나와 급전선로 간에서 발생되는 전/자계의 충돌과 (2)패치 안테나의 끝부분에 급전함으로 인해 안테나의 급전점에서의 임피던스와 선로의 임피던스가 일치하지 않아 발생하는 미스매칭을 해결하는 것에 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 마이크로스트립 안테나가 인쇄/에칭된 유전 체기판층 밑에 급전선로가 있는 급전선로층을 만들어, 이 급전선로층의 스트립선로와 유전체기판 위의 라디에이터를 스루홀을 가공하여 연결하고, 이 급전선로의 상/하에는 그라운드판을 부착하여, 급전선로에서의 전자파가 방사되는 것을 막아주고, 급전선로 주위에는 일정간격을 가지는 그라운드판을 가공하여 선로의 상/하 그라운드판과 스루홀을 가공함으로써 좌/우로의 전자파 방사까지 막아 선로 주위에서 일어나는 전자파의 방사를 차단시켜, 급전선로상에서의 전/자계 모드를 TEM 모드로 만들어 전송선로를 형성하게 된다. 이렇게 TEM 모드의 전송선로가 만들어짐으로써 선로에서의 전송손실이 없는 급전선로를 형성할 수 있고 이로 인해 안테나 방사특성을 향상시켜 지향성을 높이고, 또한 라디에이터와 급전선로가 별도로 존재하여 두 사이에는 그라운드판이 존재함으로 서로 전/자계의 방사충돌이 방지되어 방사효율을 높이며, 안테나 방사패턴에서 사이드로브 및 백로브를 감소시켜 동일한 주파수를 사용하는 중계기용의 안테나로 사용할 수 있게 한다.
종래의 특허 문헌 1, 문헌 2, 문헌 3, 문헌 4, 문헌 5 의 경우와 같이 유전체기판 위에 라디에이터를 형성시키고, 그 라디에이터에 급전하기 위하여 스트립선로를 유전체기판 위에 형성시켜 라디에이터와 연결한다. 이렇게 동일한 유전체기판 위에 라디에이터와 급전선로가 같이 존재할 경우, 라디에이터에서 전자파가 방사되지만 급전선로에서도 미량의 에너지가 방사되어 라디에이터에서 방사되는 전자파에 방해를 주게 된다. 이 급전선로가 라디에이터 주위를 지날 때에는 급전선로에서 방사되는 전/자계와 라디에이터에서 방사되는 전/자계가 서로 충돌하여 효율적인 안테나로서의 동작을 방해하게 된다.
또한, 라디에이터와 급전선로가 동일한 층의 유전체기판상에 존재함으로써, 라디에이터의 급전점이 항상 라디에이터의 끝부분에만 위치하게 되는데, 이렇게 라디에이터의 끝부분에 급전이 될 경우 급전점의 임피던스가 높아져 50옴의 임피던스를 가지는 선로와의 연결시 최대 에너지가 전달되지 못하고 반사손실이 커지게 된다.
상기 라디에이터와 급전스트립선로가 동일한 유전체기판상에 존재할 경우에는, 방해 전자파의 방사와 임피던스 미스매칭 문제로 인해 고효율 안테나의 제작에 어려움이 발생하며, 안테나 방사효율이 저하되어 방사패턴의 백로브 및 사이드로브 특성이 나쁘게 된다.
이러한 안테나 방사패턴의 백로브 및 사이드로브 특성을 개선하기 위하여 특허 문헌 6, 문헌 7, 문헌 8 과 같이 도너안테나의 라디에이터와 서비스안테나의 라디에이터 사이에 그라운드판을 부착하고, 그 거리를 제어함으로써 안테나 간의 아이솔레이션을 높이는 방법을 사용하나 이 경우에는 안테나의 크기가 커져서 소형화가 곤란하며, 특히 안테나 내장형의 일체형 중계기 등의 목적으로는 사용이 곤란하다.
본 발명은 소형의 기판형 마이크로스트립패치 안테나에서 유전체기판 위에 인쇄/에칭된 라디에이터에 신호를 원활하게 급전하여 방사효율을 높이고 안테나 방사특성을 개선하여 인접한 거리에서의 복수개의 안테나가 존재할 경우, 안테나 간 의 간섭현상을 막고 안테나 간의 아이솔레이션을 높여 소형의 안테나 일체형의 중계기 등을 구현함에 그 목적이 있다.
마이크로스트립패치 안테나의 경우, 유전체기판 위에 에칭된 라디에이터와 동일한 층에 급전용 스트립이 존재할 경우 급전용 스트립에서 발생하는 전/자계가 라디에이터에서 방사되는 전/자계와 충돌하여 안테나의 방사효율이 나빠지고 게인 및 백로브 특성이 악화되는 것을 막는 것에 그 목적이 있다 .
또한, 유전체기판 위에 에칭된 라디에이터와 급전용 스트립선로가 동일한 층에서 라디에이터에 급전할 경우, 라디에이터의 급전점에서의 임피던스가 급전용 스트립선로 임피던스보다 높아 신호의 전송손실이 커지고 반사파가 증가되는 것을 막기 위하여, 라디에이터와 별도로 급전용 선로층을 만들어 최적 임피던스가 되는 라디에이터 위치에서 급전시켜 전송효율을 높이고 반사손실을 최대한 줄이는 것에 그 목적이 있다.
따라서, 본 발명에서는 유전체기판(10) 위에 안테나 라디에이터(11)를 에칭/인쇄하고 이 라디에이터에 신호를 급전하기 위하여 라디에이터와 동일한 기판 층이 아닌 그 밑의 층에 급전선로용의 별도의 신호전달용층(16)을 만들고 이 층에 신호입력포트(22, 17-1)에서 라디에이터(11)로 연결하는 스트립선로(17, 18, 19)를 형성시킨다.
마이크로스트립패치 안테나의 경우에는 안테나의 방사효율을 높이고 게인 및 백로브를 향상시키기 위하여 복수개의 라디에이터를 에칭 등의 기법으로 만드는 경우가 있는데, 이러한 경우에 라디에이터 밑의 신호전달용층(16)이 별도로 존재할 경우 신호의 전달을 원활하게 하기 위하여 급전선로를 배치, 연결할 수가 있다.
상기 신호전달용층(16)과 라디에이터층(10) 사이에 라디에이터용 그라운드판(14)을 넣어 신호전달용층(16)의 급전용 스트립선로(17, 18, 19)에서 방사되는 전/자계가 라디에이터에서 방사되는 전/자계에 영향을 주지 않게 하며, 신호전달용층(16) 밑에도 다시 유전체기판(20)을 넣고, 다시 그 밑에 스트립선로용 그라운드판(21)을 배치하여 신호전달용층(16)의 급전선로(17, 18, 19)에서의 전/자계 방사가 상/하로 일어나지 않게 한다.
상기 신호전달용층(16)의 스트립선로(17, 18, 19)의 주위에 일정간격 d 를 두고 같은 층에서 그라운드판(16)을 형성하고, 스트립선로(17, 18, 19) 위의 그라운드층(14)에서부터 스루홀을 가공하여 스트립선로층(16)을 통과하여 스트립선로 밑의 그라운드층(21)까지 스루홀(23)로 연결한다. 이렇게 하면 신호전달용층(16)의 급전용 스트립선로(17, 18, 19)는 상/하(14, 21) 및 좌/우(23)에 모두 그라운드로 둘러싸여 전/자계가 외부로 방사하지 못하게 된다. 이렇게 급전용 선로의 상/하 및 좌/우로 그라운드판이 둘러싸이게 되면, 전송선로에서의 전/자계는 완전히 차단이 되어 외부로 방사가 되지 않아 라디에이터에서 방사되는 전/자계에 영향을 주지 않게 된다.
상기 급전선로 좌/우의 간격 d 와 상/하의 유전체기판(15, 20)의 두께를 사용주파수의 λ/2 이내로 하게 되면 전송선로(17, 18, 19)는 동축선로와 동일한 순 수한 TEM 모드로만 신호가 전송되고 고차모드가 발생하지 않아 매우 안정적이면서 전송손실이 거의 없는 선로가 형성이 된다.
또한, 상기 스트립선로층(16)의 급전용 스트립선로(17, 18, 19)는 공간적으로 움직임이 자유로워 라디에이터(11)의 위치와 상관없이 어느 위치에서나 급전(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)이 가능하다.
상기 분배하는 스트립선로(18, 19)를 사용함에 있어, T 분배기를 사용하여 분배기를 형성하거나 윌킨스디바이드를 사용하여 분배함으로 인해 분배손실을 더욱 최소화할 수 있다.
라디에이터의 위치에 따라 급전점의 임피던스가 변화하는 마이크로스트립패치 안테나에서 급전점이 자유롭지 못할 경우 임피던스 매칭에 어려움이 발생하나, 상기 급전용선로에서는 포트(22)에서 들어오는 신호(17-1)를 스트립선로(17)를 통하여 2분배 되고, 다시 스트립선로를(18, 19) 통하여 4분배하여 라디에이터 밑으로 연결(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)하여 라디에이터의 50옴에 알맞은 위치에서 스루홀(12)을 가공하여 라디에이터와 스루홀로 연결함으로써 임피던스 매칭을 항상 50옴의 위치에서 할 수가 있어, 공간적으로 자유로워 전송손실을 줄이고 반사손실을 최소화하는 안테나의 제작이 가능하다.
상기 방법으로 복수개의 라디에이터에 급전함으로 인해 기판 위에 에칭/인쇄하여 각 라디에이터의 간격을 조절하여 각 라디에이터가 방사하는 방사패턴을 조절함으로써 안테나 빔의 지향성을 높이며 빔의 백로브를 매우 낮춤으로 인해 소형으로 기판형의 최저백로브 빔패턴의 안테나를 구현할 수가 있다.
상기 안테나를 동일주파수를 사용하는 중계기용으로 사용할 경우 안테나의 백로브가 매우 낮으므로 인해 인접공간에서 복수개의 안테나를 위치시킬 경우 안테나 간의 아이솔레이션을 높일 수가 있어 이 기판형의 최저 백로브 안테나를 이용하 면 안테나 일체형의 중계기를 구현할 수가 있게 된다.
본 발명은 다음과 같이 실시 예에 의하여 보다 상세히 설명하고 그 결과를 나타낸다.
도 1a, 도 1b 에서 가로/세로 100*100mm, 두께 3.2mm 의 유전율 4.5 유전체기판(10) 위에 주공진주파수 2,150 ~ 2,170MHz 에 공진하기 위해 사용주파수의 λ/2 길이인 31mm 의 라디에이터(11) 4개를 에칭 기법으로 형성하고, 유전체기판 밑에 동박 1Oz 두께의 라디에이터용 그라운드판(14)를 부착한다. 상기 라디에이터용 그라운드판(14)과 라디에이터의 부공진점(13)과는 스루홀로 가공하여 연결한다. 이로서 주공진주파수 2,150 ~ 2,170MHz 에 공진하면서 부공진주파수 1,960MHz ~ 1,980MHz 에 공진하는 4 어레이 마이크로스트립패치 안테나를 형성한다.
상기 라디에이터용 그라운드판(14) 밑에는 두께가 h2=0.4mm 인 얇은 유전체기판(15)를 다시 부착하고 유전체기판(15) 밑에 다시 스트립선로층(16)을 부착한다. 상기 스트립선로층(16)에는 포트(22)에서 들어오는 신호를 분배하는 분배기(17)과 라디에이터 급전점(12)에 분배/급전하는 선로(18, 19) 및 스트립선로의 급전점(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)으로 구성된다.
상기 스트립선로층(16)에서 분배선로(17)과 급전선로(18, 19) 주위에는 일정간격 d 를 가지고 그라운드판으로 에워싸서 스트립선로에서의 전/자계의 방사를 막는다.
본 발명에서는 분배선로(18, 19)를 구현함에 있어, T 분배기로 구현하였으나 분배손실을 줄이기 위해 윌킨스디바이드를 사용하여 분배손실을 더욱 최소화할 수 있다.
상기 분배선로(17)과 분배/급전선로(18, 19)의 폭은 스트립선로층(16) 위의 유전체기판(15)의 두께 h2 와 유전율 및 스트립선로층(16) 밑의 유전체기판(20)의 두께 h3 과 유전율의 함수로 결정된다.
상기 스트립선로층(16) 밑에는 다시 유전체기판(20)을 부착하고 그 밑에는 다시 스트립선로용 그라운드판(21)을 부착한다. 이로써 스트립선로층(16)에 존재하는 스트립선로(17, 18, 19)의 전/자계는 상(14)/하(21), 좌/우(16)에 모두 그라운드판으로 둘러싸여 전/자계가 외부로 누설되지 못하고 선로를 따라 손실 없이 전송되게 된다.
또한, 스트립선로층(16) 위의 유전체기판(15)와 밑의 유전체기판(20) 사이로 전/자계가 외부로 누설되는 것을 막기 위하여 스트립선로(17, 18, 19) 주위의 그라운드판을 따라 직경이 작은 스루홀(23)을 일정간격으로 뚫어 스트립선로층(16) 위의 라디에이터용 그라운드판(14)와 스트립선로용 그라운드판(21) 사이를 스루홀(23)로 연결한다. 이로써 스트립선로(17, 18, 19) 주위에는 일정간격(h2, h3, d)을 두고 모두 그라운드판으로 막는 결과가 되어 스트립선로에서의 전/자계 누설은 완벽하게 차단이 된다. 또한, 이 스트립선로(17, 18, 19) 주위의 그라운드판(14, 16, 21) 사이의 상/하 간격(h2, h3)과 좌/우 간격(d)를 사용주파수의 λ/2 이내로 조절함으로 인해 선로에서의 전/자계는 TEM 모드로 되고, 고차모드가 발생하지 않아 수백 MHz 의 낮은 주파수에서부터 수십 GHz 까지 넓은 통과대역에 손실이 없는 이상적인 고주파 선로가 된다.
상기 그라운드판으로 사방이 둘러싸인 스트립선로에 포트에서의 신호를 인입 하기 위해서는 외부에 돌출되는 스트립선로용 그라운드판(21)의 포트(22)에서 스루홀을 가공하여 스트립선로의 중심점(17-1)로 연결한다. 스트립선로의 중심점(17-1)에서의 신호는 스트립선로(17)을 따라 2분배(18, 19) 되고, 다시 2분배 되어진 신호는 4분배 되어 급전점(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)으로 연결된다. 이 스트립선로의 급전점(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)에서 라디에이터의 급전점(12)로는 스루홀로서 연결이 된다.
상기 스트립선로의 급전점(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)은 주위가 그라운드로 둘러싸여 전/자계의 방사가 일어나지 않게 되는데, 라디에이터 급전점(12)이 여러 목적 혹은 주파수에 따라 이동할 경우에도 라디에이터와는 라디에이터용 그라운드(14)로 차단이 되어 있는 관계로 어느 위치로 이동하여도 전자계의 방사가 발생하지 않아 라디에이터에서 방사되는 전/자계와 충돌하는 경우가 발생하지 않는다. 이로써, 도 3과 같이 전체 안테나의 반사손실이 낮은 주파수대역 및 높은 주파수대역 모두 -40dB 까지 내려가고, 표 1과 같이 -15dB 에서의 대역폭이 낮은 주파수대역에서 33MHz, 높은 주파수대역에서 46MHz, -20dB 에서 대역폭이 낮은 주파수대역에서 19MHz, 높은 주파수대역에서 26MHz 가 되는 특성을 얻을 수가 있었다.
또한, 상기 안테나는 표 2와 같이 안테나의 방사효율이 92% ~ 98% 까지 높아지며, 안테나의 방사패턴의 조절이 자유로이 되어 게인이 8 ~ 9dBi 까지 높아지고 안테나의 사이드로브 및 백로브가 도 4, 도 5, 도 6 과 같이 메인로브 대비 -25dB ~ -35dB 까지 내려가 방사패턴이 매우 우수한 안테나를 만들 수가 있게 된다.
상기 백로브가 아주 적은 안테나를 이용하면, 동일 주파수를 사용하는 안테나 내장형의 일체형 중계기를 소형으로 구현할 수가 있게 된다.
주공진점과 부공진점에서의 반사손실
부공진점 (1.97GHz) 주공진점 (2.16GHz)
min (GHz) max (GHz) 폭 (MHz) min (GHz) max (GHz) 폭 (MHz)
1.96 1.98 (20) 2.15 2.17 (20)
-10dB 1.9398 2.0007 (60.868) 2.1135 2.1976 (84.141)
-15dB 1.9536 1.9868 (33.175) 2.1347 2.1814 (46.765)
-20dB 1.9605 1.9792 (18.715) 2.1455 2.1721 (26.633)
-25dB 1.9641 1.9748 (10.732) 2.1510 2.1659 (14.884)
각 주파수별 게인, 효율, 백로브 특성
Gain (dB) Tot. Effic. Side lobe level (dB)
Phi=0 Phi=90
1.96GHz 8.249 0.9180 -23.3 -31
1.97GHz 8.229 0.9214 -22.7 -35
1.98GHz 8.241 0.9090 -22.1 -36
2.15GHz 9.075 0.9823 -26.0 -27.7
2.16GHz 9.106 0.9862 -26.6 -27.9
2.17GHz 9.131 0.9764 -27.1 -27.9

Claims (6)

  1. 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나의 급전방법에 있어서,
    라디에이터용 제1 유전체기판(10) 위에 인쇄하거나 에칭기법으로 주공진주파수의 λ/2 의 크기로 형성하는 라디에이터(11)를 1개 혹은 2개이상 복수개로 형성하고,
    라디에이터용 제1 유전체기판(10) 밑에는 라디에이터용 그라운드판(14)를 부착하고,
    라디에이터용 그라운드판(14) 밑에는 사용주파수의 λ/2 이내의 두께(h2)를 가지는 선로용 제2 유전체기판(15)를 부착하고,
    선로용 제2 유전체기판(15) 밑에는 스트립선로층(16)을 형성하고,
    스트립선로층(16)에는 포트(22)와 연결된 스트립선로의 중심점(17-1)에서 들어오는 신호를 분배하여 스트립선로의 급전점(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)으로 연결하는 스트립선로(17, 18, 19)를 에칭 또는 인쇄 등의 기법으로 형성하고,
    각 라디에이터(11)는 스트립선로의 급전점(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)과 스루홀로 각 라디에이터 급전점(12)으로 연결되고,
    각 라디에이터(11) 위에 부공진주파수의 λ/4 길이로 라디에이터 급전점(12)와 떨어진 지점에 쇼트점 부공진용 스루홀(13)을 복수개 형성하여 라디에이터용 그라운드판(14)과 연결하고,
    스트립선로층(16) 밑에는 사용주파수의 λ/2 이내의 두께(h3)를 가지는 그라운드용 제3 유전체기판(20)을 부착하고,
    그라운드용 제3 유전체기판(20) 밑에는 스트립선로용 그라운드판(21)을 부착하고,
    스트립선로용 그라운드판(21)에는 포트(22)를 스루홀로 가공하여 스트립선로층(16)에 있는 스트립선로의 중심점(17-1)로 연결하고,
    스트립선로층(16)과 동일평면상에 있는 스트립선로(17, 18, 19) 주위 및 스트립선로층(16)의 외곽 가장자리에 일정 크기의 스루홀(23)을 연속적으로 가공하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    그라운드용 제3 유전체기판(20) 및 스트립선로용 그라운드판(21)을 제거하고,
    스트립선로층(16)의 스루홀(23)을 스트립선로(17, 18, 19) 주위 및 스트립선로층(16)의 외곽 가장자리에 가공하여 스트립선로층(16)과 라디에이터용 그라운드판(14) 사이를 연결하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법.
  3. 제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,
    포트(22)에서 들어오는 신호는 스트립선로의 중심점(17-1)로 연결되고, 스트립선로의 중심점(17-1)로부터 스트립선로(17)에서 2분배 되고,
    2분배된 스트립선로(17)를 다시 2분배하는 스트립선로(18, 19)를 형성시켜 4분배 되도록 하여 라디에이터에 급전하며, 이때, 스트립선로(17)와 스트립선로(18, 19)에 의해 형성되는 분배기는 T 분배기 혹은 윌킨스디바이드인 것을 특징으로 하는 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    스트립선로(17, 18, 19)의 배치를 스트립선로의 중심점(17-1)에서 상 및 하 또는 좌 및 우로 2분배되고,
    상기 2분배된 스트립선로(17)에서 다시 상 및 하 또는 좌 및 우로 2분배되어, 전체적으로 스트립선로(17, 18, 19)의 모양이 I 자 혹은 H 자 모양으로 되어 라디에이터(11)의 급전점(18-1, 18-2, 19-1, 19-2)으로 급전하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    스트립선로층(16)과 동일평면상에 있는 스트립선로(17, 18, 19) 주위 및 스트립선로층(16)의 외곽 가장자리에 있는 일정 크기의 스루홀(23)을 라디에이터용 그라운드판(14)부터 스트립선로용 그라운드판(21)까지 연결하여 가공하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법.
  6. 제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,
    라디에이터용 제1 유전체기판(10) 및 선로용 제2 유전체기판(15)와 그라운드용 제3 유전체기판(20)의 재료를 유전율 1 이상 10 이하로 하여 사용주파수와 안테나크기에 따라 유전율이 다른 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립패치안테나 및 배열안테나 급전방법.
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