KR100890668B1 - 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물 - Google Patents

반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100890668B1
KR100890668B1 KR1020070087125A KR20070087125A KR100890668B1 KR 100890668 B1 KR100890668 B1 KR 100890668B1 KR 1020070087125 A KR1020070087125 A KR 1020070087125A KR 20070087125 A KR20070087125 A KR 20070087125A KR 100890668 B1 KR100890668 B1 KR 100890668B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
adhesive
composition
resin composition
adhesive paste
Prior art date
Application number
KR1020070087125A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090022073A (ko
Inventor
김지은
강병언
서준모
김재훈
현순영
이준우
김주혁
Original Assignee
엘에스엠트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘에스엠트론 주식회사 filed Critical 엘에스엠트론 주식회사
Priority to KR1020070087125A priority Critical patent/KR100890668B1/ko
Publication of KR20090022073A publication Critical patent/KR20090022073A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100890668B1 publication Critical patent/KR100890668B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은, 접착 페이스트 조성물 내에 포함되는 접착력 부여 화학작용기의 적외선 흡수 신호 세기의 감소율이 비스테이지(B-stage) 공정 진행 중에 10 내지 40%로 유지되며, 1,000 gf/㎝ 이상의 접착력을 보유하는 것을 특징으로 한다. 상기 접착력 부여 화학작용기는, 히드록시기(-OH), 카르복시기(-COOH), 시안기(-CN) 및 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-) 중 선택된 하나의 작용기이면 바람직하다. 본 발명에 따르면, 비스테이지 공정이 완료된 이후의 고강도의 접착력 발현 및 제어를 용이하게 이루어낼 수 있다.
접착력, 화학작용기, 프린팅, 아크릴로니트릴, 가소제

Description

반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물{Composition of semiconductor device attaching paste}
본 발명은 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 조성물 내에 포함되는 화학작용기와 접착력 발현간의 기술적 작용 관계를 규명하여, 요구되는 높은 강도의 접착력을 발현시킬 수 있는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 패키징 공정에 있어서, 칩을 적층하거나 PCB 또는 리드-프레임(Lead-frame)과 같은 지지부재에 접착할 때 사용되는 접착제로써 다이 접착 페이스트가 널리 사용되고 있다.
반도체 패키지의 한 형태에서, 반도체 다이 또는 칩은 기판에 전기적으로 접속되는 한편 접착제에 의해 기계적으로 접합된다. 기판은 다른 전기적 소자 또는 외부 파워 소스에 연결된다. 제조 공정은 연속적인 일련의 단계로 실행될 수 있고, 그렇지 않으면 기계적 부착을 위해 접착제를 사용하여 기판을 제조한 다음 추후 일정 시간까지 유지시킬 수 있다.
제조 공정이 연속적인 일련의 단계로 실행될 경우, 기판 상에 접착제가 도포 되고, 반도체 칩을 접착제와 접촉시키고, 접착제는 열 또는 열과 압력을 가함으로써 경화된다. 적합한 접착제는 무용매 액체 및 페이스트 또는 고체일 수 있다. 액체나 페이스트 형태일 경우, 접착제는 가열에 의해 경화와 함께 응고된다. 접착제를 기판에 도포한 후 제조 공정을 중단하고 최종 조립 공정을 추후 시점까지 보류해야 할 경우, 접착제는 온전히 보존되기 위해 응고된 형태로 존재해야 한다. 고체 접착제는 블리딩(bleeding)이 최소이거나 전혀 없는 이점 및 본드라인(bondline), 즉 칩과 접착제간 계면(interface)의 두께 및 틸트(tilt)를 양호하게 제어할 수 있는 이점을 제공한다.
일부 반도체 패키지 응용에 있어서, 공정상의 이유에서 페이스트 접착제가 필름 접착제보다 바람직하지만, 고체의 본드라인 및 필렛(fillet) 제어가 요구된다. 그러한 경우에, B-스테이지 가능형(B-stageable) 접착제로 알려진 접착제가 사용될 수 있다. 원료인 접착제 물질이 고체인 경우, 상기 고체는 용매에 분산되거나 용해되어 페이스트를 형성하고, 그 페이스트가 기판에 적용된다. 이어서, 용매를 증발시키기 위해 접착제를 가열하여, 고체 상태로서 경화되지 않은 접착제를 기판에 남긴다. 원료인 접착제 물질이 액체 또는 페이스트인 경우, 접착제는 기판 상에 분배되고, 접착제가 고체 상태로 부분 경화되도록 가열된다.
이러한 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물의 경우에는 일정 강도 이상으로 요구되는 접착력을 충분하게 발현할 수 있어야 하며, 이러한 접착력과 직접적으로 관련된 인자를 찾아내어 이를 제어함으로써, 접착 페이스트의 열적 안정성 및 신뢰성 확보가 요구되고 있으며, 이러한 기술적 배경하에서 본 발명이 안출되었 다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 종래의 접착 페이스트 조성물의 표면에 함유되는 화학 작용기의 분석을 통해 접착력 발현과의 상관관계를 규명하고, 이로부터 접착 페이스트의 접착력 발현을 제어하고자 함에 있다. 본 발명은 이러한 과제를 달성할 수 있는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 과제 해결 수단으로 제공되는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물은, 에폭시 수지, 경화제, 고무 내에 포함되는 접착력 부여 화학작용기의 적외선 흡수 신호 세기의 감소율이 비스테이지(B-stage) 공정 진행 중에 10 내지 40%로 유지되며, 1,000 gf/㎝ 이상의 접착력을 보유하는 것을 특징으로 한다. 상기 접착력 부여 화학작용기는, 히드록시기(-OH), 카르복시기(-COOH), 시안기(-CN) 및 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-) 중 선택된 하나의 작용기이면 바람직하다.
본 발명의 과제 해결 수단으로 제공되는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물은, 10 내지 50 중량%의 에폭시 수지; 5 내지 45 중량%의 카르복실기를 말단으로 하는 아크릴로니트릴계 고무; 10 내지 30 중량%의 충진제; 5 내지 30 중량%의 경화제; 경화제 대비 0.1 내지 2 중량%의 경화촉진제; 및 40 내지 80 중량%의 희석제;를 포함하여 이루어지되, 상기 에폭시 수지는 고상 및 액상의 혼합(혼합비율 30:70 ~ 70:30)으로 이루어지며, 에폭시 수지, 경화제, 고무등에 포함되는 접착력 부여 화학작용기가. 적외선 흡수 신호 세기의 감소율을 비스테이지(B-stage) 공정 진행 중에 10 내지 40%로 유지하고, 그 접착력이 1,000kgf/㎝ 이상인 것을 특징으로 한다. 상기 접착력 부여 화학작용기는, 히드록시기(-OH), 카르복시기(-COOH), 시안기(-CN), 및 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-) 중 선택된 하나의 작용기이면 바람직하다. 상기 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물은, 그 산도(pH)가 4 내지 6이면 바람직하다.
본 발명에 따르면, 비스테이징 공정이 완료된 이후의 고강도의 접착력 발현 및 제어를 용이하게 이루어낼 수 있다. 또한, 제공된 접착 페이스트의 접착력을 미리 예측하므로써 원하는 최적의 반도체 소자 제조 공정이 진행될 수 있게 한다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명의 과제 해결 수단으로 제공되는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물은, 에폭시 수지, 카르복시기를 말단으로 하는 아크릴로니트릴계 고무, 충진제, 경화제, 경화촉진제, 희석제로 이루어진 6가지 성분을 포함하여 이루어진다.
상기 에폭시 수지는, 고상 및 액상의 혼합으로 이루어지며, 그 혼합비는 고상과 액상이 3:7 내지 7:3의 비율로 혼합되면 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 고상과 액상의 혼합비율에 대해, 상기 하한에 미달하면 내열성이 저하되어 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 깨지기 쉬워짐으로 바람직하지 못하다. 상기 에폭시 수지는 상기 6가지 성분으로 이루어진 조성물 내에서 10 내지 50 중량%의 함량으로 포함되면 바람직하다. 상기 에폭시 수지 성분의 함량에 대해, 상기 하한에 미달하면 경화도가 저하되어 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 내열성이 저하되어 바람직하지 못하다. 상기 액상 및 고상의 에폭시 수지는, 비스페놀A, 비스페놀F. 크레졸 노볼락, 페녹시계의 에폭시 등이 사용되면 바람직하나, 반드시 이 에 한정되는 것은 아니다. 상기 에폭시 수지는 취급성을 위한 택성의 조절과 가용성을 위해 고상과 액상의 비율이 3:7 내지 7:3이면 바람직하다. 상기 에폭시수지로는 비스페놀A, 페녹시계의 에폭시 물질들이 이용될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따르는 하기 실시예에서는 구체적으로 고상 및 액상 비율이 4:6인 것이 사용되었다.
상기 카르복시기를 말단으로 하는 아크릴로니트릴계 고무는, 상기 6가지 성분으로 이루어진 조성물 내에서 5 내지 45 중량%의 함량으로 포함되면 바람직하다. 상기 아크릴로니트릴계 고무의 함량에 대해, 상기 하한에 미달하면 강인력이 저하되어 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 연하점이 낮아져 바람직하지 못하다. 아크로니트릴계 고무는 조성물 내에서 접착력을 부여하고, 강인력을 증가시키는 역할을 한다.
상기 충진제는, 상기 6가지 성분으로 이루어진 조성물 내에서 10 내지 30 중량%의 함량으로 포함되면 바람직하다. 상기 무기충진제는, 내습 및 완충재로서 작용하며, 그 함량 범위에 미달하면 제품 신뢰성이 저하되고, 그 함량범위를 초과하면 접착력 및 프린팅성을 저해하여 바람직하지 못하다. 상기 충진제로는 실리카 입자(Si), 알루미늄 옥사이드 입자(Al2O3), 안티몬(Sb)물질 등이 이용될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따르는 하기 실시예에서는 구체적으로 나노 실리카 입자가 사용되었다.
상기 경화제는, 상기 6가지 성분으로 이루어진 조성물 내에서 5 내지 30 중 량%의 함량으로 포함되면 바람직하다. 상기 경화제는, 페놀계 또는 산무수물계, 아민계이면 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 함량 범위에 미달하면 경화율이 너무 낮아지고, 그 함량 범위를 초과하면 내열성 및 경화도 저하에 따른 연하점 저하가 유발될 수 있어 바람직하지 못하다. 상기 경화제로는 페놀계, 산무수물계, 아민계 물질들이 이용될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따르는 하기 실시예에서는 구체적으로 페놀계가 사용되었다.
상기 경화촉진제는, 상기 6가지 성분으로 이루어진 조성물 내에서 경화제 대비 0.1 내지 2 중량%의 함량으로 포함되면 바람직하다. 상기 경화촉진제 성분의 함량에 대해, 상기 하한에 미달하면 경화제 촉진성이 부족하여 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 빠른 경화에 의한 접착력 저하로 바람직하지 못하다. 상기 경화촉진제는, 상기와 같이 미량으로 포함되도록 하여, 다이 접착 공정 진행 중에 과경화의 문제가 발생되지 않도록 하며, 다이 접착 불량의 문제 및 다이 접착제의 접착력 저하의 문제를 제어하고 있다. 상기 경화촉진제로는 아민계, 멜라민계, 폭스핀계 물질 등이 이용될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따르는 하기 실시예에서는 구체적으로 트리페닐포스핀이 사용되었다.
상기 희석제는, 상기 6가지 성분으로 이루어진 조성물 내에서 40 내지 80 중량%의 함량으로 포함되면 바람직하다. 상기 희석제 성분의 함량에 대해, 상기 하한에 미달하면 믹싱 상태가 불균일하고, 프린팅성이 나빠져 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 블리딩(bleeding), 테일링(tailing)과 같은 프린팅 상 문제가 발생하여 바람직하지 못하다. 여기서 사용된 희석제는 에폭시 수지와 반응성이 있어 서 B-stage 경화에 참여를 하므로, 용매의 증발에 따른 void, 끓는 현상과 같은 문제를 회피할 수 있다. 상기 희석제로는 카비톨(cabitol)계, 알코올(alcohol)계, 아세테이트(acetate)계 물질들이 이용될 수 있으며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따르는 하기 실시예에서는 구체적으로 카비톨아세테이트(cabitol acetate)가 사용되었다.
전술한 바에 따르는 반도체 소자 제조용 비스테이(B-stage) 공정 진행 중에 IR 피크의 높이 감소율이 10 내지 40%로 유지되며, 그 접착력이 1,000kgf/㎝ 이상인 것을 특징으로 한다. 상기 접착력 부여 화학작용기는, 히드록시기(-OH), 카르복시기(-COOH), 시안기(-CN), 및 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-) 중 선택된 하나의 작용기이면 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따르는 하기 실시예에서는 구체적으로 (-OH기 또는 -COOH) 작용기가 포함되도록 하였다. 상기 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물은, 그 산도가 4 내지 6이면 바람직하다. 본 발명에 따르는 하기 실시예에서는 구체적으로 5.0±0.3인 산도를 갖는 조성물이 사용되었다.
이하, 본 발명의 구체적 실시예 및 이에 대비되는 비교예를 하기와 표 1과 같이 구분 설정한 후, 본 발명이 갖는 장점을 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1
에폭시수지 45 좌동 좌동 45
고무 25 좌동 좌동 25
충진제 20 좌동 좌동 20
경화제 15 좌동 좌동 5
경화촉진제 0.1 좌동 좌동 0.1
희석제 60 좌동 좌동 60
실시예 1
상기 표 1과 같은 조성을 갖는 액상 페이스트 조성물을 스텐실을 이용하여 PCB 기판에 스크린 프린팅 하였다. 이후, 135℃에서 30분 동안 경화시키는 비스테이징 공정을 진행한 후, ART 장치가 부착된 FT-IR에서 450㎚의 페이스트 표면을 측정하였다.
실시예 2
상기 표 1에서의 실시예 1과 동일한 액상 페이스트 조성물을 이용하여, 상기 실시예 1에서의 비스테이징 공정에서의 온도 조건이 155℃로 다르게 조정한 경우만 다르고, 나머지의 다른 모든 조건은 상기 실시예 1과 동일한 방법을 진행하였다.
실시예 3
상기 표 1에서의 실시예 1과 동일한 액상 페이스트 조성물을 이용하여, 상기 실시예 1에서의 비스테이징 공정에서의 온도 조건이 165℃로 다르게 조정한 경우만 다르고, 나머지의 다른 모든 조건은 상기 실시예 1과 동일한 방법을 진행하였다.
비교예 1
상기 표 1에서의 비교예 1에 따르는 조성을 갖는 액상 페이스트 조성물을 분비한 후, 스텐실을 이용하여 PCB 기판에 스크린 프린팅 하였다. 이후, 165℃에서 30분 동안 경화시키는 비스테이징 공정을 진행한 후, ART 장치가 부착된 FT-IR에서 450㎚의 페이스트 표면을 측정하였다.
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에 따른 측정 결과 및 조성물의 산가, 동박 부착 이후의 접착력에 대해서도 그 측정 결과를 하기 표 2에 함께 나타내었다.
구분 실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1
-OH기 피크 강도 1 0.86±0.1 0.8±0.1 0.3 이하
산도 5.0±0.3 5.0±0.3 5.0±0.3 6.5±0.3
동박부착 후 접착력 (gf/cm) 2214.3.0±100 1387±100 1398±100 300 이하
상기 표 2에서, -OH기 피크 강도에 대한 실시예 2, 3 및 비교예 1의 결과는 실시예 1을 기준하여 상대적인 값으로 나타낸 것이다. 접착 페이스트에서의 -OH 피크는 3100 내지 3400 ㎝-1에서 나타난 값을 측정한 것이다. 비교예 1의 경우에는 그 피크 강도 값이 실시예 1 내지 3에 비하여 현저하게 낮은 값을 갖고 있음을 알 수 있다. 또한, 비교예 1은 측정된 산가가 실시예들과는 격별한 차이를 보이고 있으며, 동박 부착 후의 접착력(gf/㎝)에서 실시예들에 비해 30%에도 달하지 못함은 물론, 기준 접착력으로 요구되는 1,000 gf/㎝보다도 현저하게 낮은 접착력을 갖고 있어 바람직하지 못함을 알 수 있다. 이는 접착 페이스트의 표면에서의 접착력 부여 화학 작용기인 -OH기가 접착력 발현과 기술적 인과 관계를 갖고 있음을 밝혀주는 객관적이고 명백한 근거임을 알 수 있으며, 본 발명은 이에 착안하여 안출된 것임을 주목하여야 한다.
이상에서 설명된 본 발명의 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 당업자에게 본 발명을 상세히 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위해 사용된 것이 아니다.

Claims (6)

  1. 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물에 있어서,
    상기 조성물은 에폭시 수지, 경화제와 카르복시기를 말단으로 하는 아크로니트릴계 고무를 함유하고,
    상기 조성물 내 히드록시기, 카르복시기, 시안기 및 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-) 중 선택된 하나의 작용기의 적외선 흡수 신호 세기 감소율은 B-스테이지 공정 진행 중에 10 내지 40%로 유지되며,
    조성물이 1,000 gf/㎝ 이상의 접착력을 보유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물.
  2. 삭제
  3. 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물에 있어서,
    10 내지 50 중량%의 에폭시 수지;
    5 내지 45 중량%의 카르복실기를 말단으로 하는 아크릴로니트릴계 고무;
    10 내지 30 중량%의 충진제;
    5 내지 30 중량%의 경화제;
    경화제 대비 0.1 내지 2 중량%의 경화촉진제; 및
    40 내지 80 중량%의 희석제;를 포함하여 이루어지되,
    상기 에폭시 수지는 고상 및 액상의 혼합비가 3:7 내지 7:3으로 이루어지며,
    상기 페이스트 수지 조성물 내 히드록시기, 카르복시기, 시안기 및 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-) 중 선택된 하나의 작용기의 적외선 흡수 신호 세기 감소율은 B-스테이지 공정 진행 중에 10 내지 40%로 유지되며,
    접착력은 1,000 gf/㎝ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물은, 그 산도(pH)가 4 내지 6 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 작용기는 히드록시기이고, 상기 적외선 흡수 신호는 파수 3100~3400 cm-1에서 측정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 수지 조성물.
KR1020070087125A 2007-08-29 2007-08-29 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물 KR100890668B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070087125A KR100890668B1 (ko) 2007-08-29 2007-08-29 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070087125A KR100890668B1 (ko) 2007-08-29 2007-08-29 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090022073A KR20090022073A (ko) 2009-03-04
KR100890668B1 true KR100890668B1 (ko) 2009-03-26

Family

ID=40692014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070087125A KR100890668B1 (ko) 2007-08-29 2007-08-29 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100890668B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004352871A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nitto Denko Corp 接着剤組成物、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
KR20070061446A (ko) * 2005-12-08 2007-06-13 엘에스전선 주식회사 다이 접착용 페이스트 조성물
KR20080050189A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 주식회사 엘지화학 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이본딩 필름 및반도체 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004352871A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Nitto Denko Corp 接着剤組成物、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
KR20070061446A (ko) * 2005-12-08 2007-06-13 엘에스전선 주식회사 다이 접착용 페이스트 조성물
KR20080050189A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 주식회사 엘지화학 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이본딩 필름 및반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090022073A (ko) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100980383B1 (ko) 다이 부착용 이중 경화 ｂ-스테이지 가능형 접착제
JP5900602B2 (ja) 半導体用接着剤、フラックス剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP7196841B2 (ja) 半導体用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR101355855B1 (ko) 이방성 도전 필름
JP5681432B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置
JP3999840B2 (ja) 封止用樹脂シート
JP2006022195A (ja) 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂シート及び回路基板接合体
KR100981396B1 (ko) 반도체 패키지용 접착 페이스트 조성물
US20030207491A1 (en) Connecting material and mounting method which uses same
KR100890668B1 (ko) 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물
KR20110050561A (ko) 다이본딩용 수지 페이스트, 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치
KR100981394B1 (ko) 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물
KR100947783B1 (ko) 반도체 접착 페이스트 조성물
KR20100005503A (ko) 반도체 패키징 방법
KR101036353B1 (ko) 스크린 프린팅이 가능한 반도체 패키징용 접착 페이스트
KR20040105832A (ko) 도전성 및 열전도성을 갖는 열경화성 접착 시트
KR102629861B1 (ko) 반도체용 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR100994963B1 (ko) 에폭시-고무 부가 생성물을 포함한 다이 접착용 페이스트조성물
KR100773639B1 (ko) 다이 접착용 페이스트 조성물 및 그 경화 방법
JP2005206664A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
KR100676562B1 (ko) 다이싱 다이 접착필름 제조용 조성물
KR100924728B1 (ko) 다이 접착 필름과 이를 위한 수지 조성물
KR20090022072A (ko) 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물
JP2000174044A (ja) 半導体素子の組立方法
WO2000029500A1 (en) Thermosetting adhesive composition, adhesive and production process for adhesive

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee