KR100888067B1 - Batch-type atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same - Google Patents

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Abstract

한 번에 다수의 웨이퍼에 대해 원자층 증착의 단위공정을 진행할 수 있는 배치형 원자층 증착장치가 개시된다. Once the batch-type ALD apparatus that can conduct a unit process for atomic layer deposition on a plurality of wafers is disclosed in. 이 원자층 증착장치는 내부와 외부를 분리하는 하우징; The atomic layer deposition apparatus housing for separating the inside and outside; 상기 하우징과 일정 간격 이격되어 동심원 형상으로 설치되는 내부 지지벽; Inner support walls are spaced apart from the housing with a predetermined interval, which is installed in concentric circles; 상기 하우징과 내부 지지벽 사이에 회전 가능하게 설치되고 다수의 웨이퍼가 탑재되는 링 형상의 베이스 플레이트; A ring-shaped base plate that can be installed on the rotation between the housing and the inner support wall and is mounted a plurality of wafers; 및 상기 베이스 플레이트 상에서 원주방향을 따라 제거가능하게 설치되는 다수의 분리유닛을 포함하며, 상기 하우징, 상기 내부 지지벽, 상기 베이스 플레이트 및 상기 분리유닛으로 이루어지는 적어도 하나 이상의 반응챔버 쌍이 형성되고, 베이스 플레이트가 상기 반응챔버 쌍에 대응하여 순차적으로 회전됨으로써 상기 다수의 웨이퍼 각각에 대해 상기 반응챔버에 대응하는 단위 공정이 순차적으로 진행된다. And wherein on the base plate comprises a plurality of separate units that can be installed to remove the circumferential direction, the housing, the inner support wall, a pair at least one reaction chamber formed by the base plate and the separating unit is formed, and the base plate the reaction being rotated in sequence corresponding to the pair of chamber unit processes corresponding to the reaction chamber for each of the plurality of wafers and proceeds sequentially.
ALD, 제조효율, 균일도, 회전, 승강, 격벽 ALD, production efficiency, uniformity, and rotating, elevating, partition

Description

배치형 원자층 증착장치 및 증착방법{Batch-type atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same} Batch-type ALD apparatus and a deposition method {Batch-type atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치를 설명하는 개념도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view taken along the Ⅱ-Ⅱ of Figure 1;

도 3은 본 발명의 적용되는 분리벽의 일 예를 나타내는 설명도이다. Figure 3 is an illustration of an example of the separation wall to be applied to the present invention.

도 4는 본 발명에 적용되는 분리벽의 다른 예를 나타내는 설명도이다. 4 is an explanatory diagram showing another example of the separation wall to be applied to the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 증착방법을 설명하는 플로차트이다. 5 is a flowchart illustrating a vapor deposition method according to an embodiment of the invention.

도 6은 로더/언로더를 하우징의 외측과 내부 지지벽의 내측에 동시에 설치한 구성을 나타낸다. 6 shows a configuration in which to install the loader / unloader at the same time on the inner side of the outer and inner support walls of the housing.

본 발명은 배치형 원자층 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다. The present invention relates to a batch-type ALD apparatus and a deposition method. 특히 본 발명은 한 번에 다수의 웨이퍼에 대해 원자층 증착의 단위공정을 진행할 수 있는 기술에 관련한다. In particular, the present invention relates to technology which is capable of promoting the unit process of the atomic layer deposition for a large number of wafers at a time.

원자층 증착(Atomic Layer Deposition)이란 단원자층의 화학적 흡착 및 탈착을 이용한 나노스케일의 박막 증착기술로서 각 반응물질들을 개별적으로 분리하여 펄스 형태로 챔버에 공급함으로써 기판표면에 반응물질의 표면포화(surface saturation) 반응에 의한 화학적 흡착과 탈착을 이용한 새로운 개념의 박막 증착기술이다. Atomic layer deposition (Atomic Layer Deposition) surface saturation is section reactants as jacheung thin-film deposition techniques in the nanoscale by the chemical adsorption and desorption of the surface of the substrate by individually separate each reactant supplied to the chamber with a pulse shape (surface using the chemical adsorption and desorption according to saturation) reaction is a thin film deposition technique, a new concept.

원자층 증착은 최초에 EL 디스플레이(Electro Luminescent Display) 소자를 위한 ZnS의 다결정질 구조와 산화물의 비정질 구조의 박막을 성장시키기 위해 개발되었지만, 현재에는 원자층 증착의 우수한 계단 도포성과 재현성의 장점을 이용한, 조성제어가 까다로운 TiN, BST, PZT, Ta 2 O 5 등과 같은 다결정질 물질과 산화물의 차세대 반도체 소자 재료 개발을 위해 계속 연구중에 있다. Atomic layer deposition has been developed to grow a ZnS is a thin film of amorphous structure, a crystalline structure with an oxide for an EL display (Electro Luminescent Display) devices for the first time, nowadays with the excellent advantage of the step applied and reproducibility of the atomic layer deposition , and during the continued studies for the next generation of semiconductor device development material of a crystalline material and the oxide such as the composition control difficult TiN, BST, PZT, Ta 2 O 5.

원자층 증착의 특징은, 반응가스를 펄스 형태로 주입함으로써 박막의 조성 및 두께 조절이 용이하고, 퍼지(purge) 공정을 삽입하기 때문에 불순물이 적고, 화학 반응시 형성될 수 있는 불순물 입자의 형성을 효과적으로 억제할 수 있다는 것이다. Characteristics of the atomic layer deposition is, by injecting a reactive gas into a pulse shape because inserting the thin film composition and the purge (purge) easily, and the thickness adjusting process of the formation of the impurity particles that less impurities, can be formed during the chemical reaction that it can be effectively suppressed. 또한, 표면 반응제어가 우수하여 박막의 물리적 성질의 재현성이 우수하고 대면적에 걸쳐 매우 균일한 두께로 박막 형성이 가능하며 우수한 계단 도포성의 특성과 더불어 핀홀 밀도를 매우 낮출 수 있다. In addition, a surface excellent reaction control is excellent in reproducibility of the physical properties of the thin film and the thin film can be formed with a very uniform thickness over a large area and can be very lower pinhole density, with excellent properties Castle stairs coating.

그 외에 기존의 CVD 방법에 비해 상당히 낮은 온도에서 박막을 성장시킬 수 있으며 사이클 수에 두께가 의존하므로 매우 얇은 박막을 증착시킬 수 있는 여러 가지 장점을 가지고 있는 새로운 개념의 CVD 기술이다. In addition a number of growing the thin film in a considerably low temperature CVD technique, and a new concept of which has a number of advantages which can deposit a very thin film, because the thickness depends on the number of cycles than the conventional CVD method.

단원자 물질을 원자층 증착방법으로 증착하기 위한 방법 중에서, 1 사이클당 4 단계의 공정을 필요로 하는 증착방법에 의하면, 원료기체를 기판에 공급하고, 과잉으로 공급된 원료기체를 퍼지하며, 다시 반응기체를 기판에 공급하고 과잉으로 공급된 반응기체와 반응부산물을 퍼지한다. In a method for depositing a monoatomic material by the atomic layer deposition method, according to the deposition method that requires a step of Step 4 per one cycle, supplying a source gas to the substrate, and purge a raw material gas supplied to the excess, again supplying a reactant gas to a substrate and to purge the reaction gas and reaction by-products supplied in excess.

이와 같이, 원료기체의 공급과 퍼지 및 반응기체의 공급과 퍼지로 이루어지는 증착 사이클을 각 대상 웨이퍼에 대해 수 회 반복적으로 수행함으로써 원하는 결과물을 얻을 수 있기 때문에, 당연히 제조효율이 떨어진다는 문제점이 있다. In this way, since the deposition cycle consisting of supply and purge and feed and purge the reaction gas of the raw material gas can be obtained the desired result by performing a number of times repeatedly for each target wafer, of course, there is a problem in the production efficiency is poor.

본 발명은 이러한 종래의 문제점을 개선하기 위하여 제시되는 것으로, 본 발명의 목적은 한 번에 다수의 웨이퍼에 대해 원자층 증착의 단위공정을 진행함으로써 제조효율을 향상시킬 수 있는 원자층 증착장치 및 방법을 제공하는 것이다. The present invention is proposed to improve such conventional problems, an object of the present invention is to improve the production efficiency by proceeding the unit process of atomic layer deposition for a large number of wafers at a time, an atomic layer deposition apparatus and method to provide.

이러한 본 발명의 목적과 다른 목적, 그리고 이를 구현하기 위한 특징적 기술 및 그에 따른 효과는 이하에 기술되는 실시예를 통하여 명확히 이해될 것이다. These and other objects of the present invention, and the technical characteristic and resulting effects to implement it will be clearly understood through the embodiments described below.

상기한 목적은, 내부와 외부를 분리하는 하우징; The above object is a housing for separating the inside and outside; 상기 하우징과 일정 간격 이격되어 동심원 형상으로 설치되는 내부 지지벽; Inner support walls are spaced apart from the housing with a predetermined interval, which is installed in concentric circles; 상기 하우징과 내부 지지벽 사이에 회전 가능하게 설치되고 다수의 웨이퍼가 탑재되는 링 형상의 베이스 플레이트; A ring-shaped base plate that can be installed on the rotation between the housing and the inner support wall and is mounted a plurality of wafers; 및 상기 베이스 플레이트 상에서 원주방향을 따라 제거가능하게 설치되는 다수의 분리유닛을 포함하며, 상기 하우징, 상기 내부 지지벽, 상기 베이스 플레이트 및 상기 분리유닛으로 이루어지는 적어도 하나 이상의 반응챔버 쌍이 형성되고, 상기 베이스 플레이트가 상기 반응챔버 쌍에 대응하여 순차적으로 회전됨으로써 상기 다수의 웨이퍼 각각에 대해 상기 반응챔버에 대응하는 단위 공정이 순차적으로 진행되는 배치형 원자층 증착장치에 의해 달성된다. And wherein on the base plate comprises a plurality of separate units that can be installed to remove the circumferential direction, and the pair of the at least one reaction chamber is formed consisting of the housing, the inner support wall, said base plate and the separation unit, the base whereby the plate is rotated in sequence corresponding to the pair of the reaction chamber is achieved by a batch-type atomic layer deposition process, the unit corresponding to the reaction chamber for each of the plurality of wafers are conducted sequentially.

여기서, 분리유닛은 판 형상의 몸체로 구성되어 승강유닛에 의해 승강하는 격벽일 수 있다. Here, the separation unit is composed of a plate-like body may be a partition wall for elevated by the elevating unit.

또한, 상기 분리유닛은 상기 베이스 플레이트를 향하여 상부로부터 분사되어 형성되는 에어 커튼일 수 있다. Further, the separating unit may be an air curtain that is formed by the injection from the upper part toward the base plate.

또한, 상기 반응챔버에 상기 웨이퍼를 로딩하거나 상기 반응챔버로부터 상기 웨이퍼를 언로딩하는 로더/언로더가 상기 하우징의 외측 또는 상기 내부 지지벽의 내측에 설치될 수 있다. In addition, to the reaction chamber, a loader / unloader for loading or unloading the wafer from the reaction chamber, the wafer may be provided inside the outer or the inner support wall of the housing.

상기 분리유닛은 상기 베이스 플레이트를 가로지르는 종 분리벽과 인접하는 종 분리벽을 가로질러 연결하는 횡 분리벽이 일체로 형성되어 구성되며, 상기 반응챔버에 상기 웨이퍼를 로딩하거나 상기 반응챔버로부터 상기 웨이퍼를 언로딩하는 로더/언로더가 상기 하우징의 외측과 상기 내부 지지벽의 내측에 각각 설치될 수 있다. The separation unit includes transverse separation wall is configured integrally formed, loading the wafer into the reaction chamber or the wafers from the reaction chamber to connect across the longitudinal separating wall adjacent the longitudinal separating wall transverse to the base plate there is a loader / unloader for unloading can be respectively provided inside the outer and the inner support wall of the housing.

바람직하게, 상기 반응챔버 쌍 중 어느 하나 또는 모두에 플라즈마 공급유닛이 설치될 수 있다. Preferably, the plasma may be a supply unit provided on either or both of the reaction chamber pair.

또한, 상기 플라즈마 공급유닛으로부터 인가되는 플라즈마는 다이렉트 플라즈마(direct plasma) 및 리모트 플라즈마(remote plasma)를 포함할 수 있다. Further, the plasma is applied from the plasma supply unit may comprise a direct plasma (direct plasma) and a remote plasma (remote plasma).

상기한 목적은, 공정을 수행할 복수의 웨이퍼를 탑재한 로더/언로더로부터 하나의 반응챔버 영역에서 베이스 플레이트에 웨이퍼를 로딩하는 제 1 단계; Above object, a first step of loading the wafer to the base plate in one reaction chamber from the area of ​​the loader / unloader with a plurality of wafers to perform the process; 분리벽을 형성하여 상기 복수의 반응챔버 영역에 반응챔버를 형성하는 제 2 단계; To form a separating wall a second step of forming a reaction chamber to the reaction chamber a plurality of regions; 상기 복수의 반응챔버 각각에 기설정된 종류의 소스를 공급하는 제 3 단계; A third step of supplying the type of the source set up in each of the plurality of reaction chambers; 상기 복수의 반응챔버 각각에 퍼지가스를 공급하는 제 4 단계; A fourth step of supplying a purge gas to each of the plurality of reaction chambers; 상기 분리벽을 제거하는 제 5 단계; A fifth step of removing the separation wall; 상기 어느 하나의 반응챔버 영역에 인접한 반응챔버 영역과 상기 로더/언로더가 대응하도록 상기 베이스 플레이트를 회전하는 제 6 단계를 포함하며, 상기 제 1 내지 제 6 단계를 기설정된 회수만큼 반복한 후, 공정 완료된 웨이퍼를 상기 로더/언로더로부터 언로딩하는 원자층 증착방법에 의해 달성된다. After the one and a sixth step of rotating the base plate one of the reaction the reaction chamber region and the loader / unloader adjacent to the chamber region so as to correspond to, repeating the first through as many times as the sixth step the predetermined, the process is completed the wafer is achieved by the atomic layer deposition method of unloading from the loader / unloader.

다음은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. The following describes an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치를 설명하는 개념도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view taken along the Ⅱ-Ⅱ of Figure 1; 이 실시예에서는 반응실이 4개 형성된 경우를 예로 들어 설명한다. This embodiment will be explained with an example in the reaction chamber 4 is formed as an example.

전체 구성 Overall Configuration

본 발명의 원자층 증착장치는 전체적으로 원통 형상인 하우징(100)으로 외부와 분리된다. An atomic layer deposition apparatus according to the present invention is isolated from the outside as a whole in a cylindrical shape of the housing 100. 물론 하우징(100)이 반드시 원통 형상일 필요는 없으며, 외부와 내부를 분리할 수 있으면 충분하다. Of course, the housing 100 is not necessarily be cylindrical in shape, it is sufficient if it can be done to remove the external and internal.

하우징(100)의 내부는 수직방향을 따라 크게 3개의 영역으로 구획된다. The interior of the housing 100 is largely divided into three regions along the vertical direction.

상부 영역에는 다수 개의 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 플라즈마를 인가하기 위한 플라즈마 공급유닛, 분리벽(130)을 승강하는 승강유닛, 에어 커튼(air curtain)을 형성하기 위해 공기를 분사하기 위한 분사유닛, 그리고 원료가스와 반 응가스 및 퍼지가스를 공급하기 위한 각종 배관 등이 설치된다. An upper area, spraying the air so as to form a plurality of reaction chambers lifting unit, an air curtain (air curtain) for elevating the plasma supply unit, a separation wall 130 for applying a plasma (122, 124, 126, 128) this injection unit, and various piping for supplying the raw material gas and the reaction gas and the purge gas or the like to be installed.

여기서, 플라즈마 공급유닛은 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 대응하여 설치되거나, 교대로 설치될 수 있다. Here, the plasma supply unit is installed or correspondingly to each of the reaction chambers (122, 124, 126, 128), can be installed alternately. 이때, 반응챔버(122, 124, 126, 128) 모두에 플라즈마 공급유닛을 설치하는 경우, 플라즈마 공급유닛을 선택적으로 구동하도록 제어함으로써, 소스 주입과 동시에 플라즈마를 인가하는 공정이 진행되는 반응챔버에만 플라즈마를 공급할 수 있다. At this time, when installing the plasma supply unit for both the reaction chamber (122, 124, 126, 128), by controlling so as to selectively drive the plasma supply unit, only the reaction chamber in which the process is conducted to apply the plasma at the same time as the source injection plasma the can supply. 여기서, 플라즈마 공급유닛으로부터 인가되는 플라즈마는 다이렉트 플라즈마(direct plasma) 및 리모트 플라즈마(remote plasma)를 포함할 수 있다. Here, the plasma is applied from the plasma supply unit may comprise a direct plasma (direct plasma) and a remote plasma (remote plasma).

중간 영역에는 공정을 진행할 다수 매의 웨이퍼(202, 204, 2060, 208)가 적재되며 회전하는 베이스 플레이트(120)와, 베이스 플레이트(120) 상에 반응챔버(122, 124, 126, 128)를 형성하도록 개폐 가능한 분리벽(130), 그리고 하우징(100)과 동심을 이루는 내부 지지벽(110)으로 이루어진다. The intermediate region has a wafer of a number of sheets to proceed to step (202, 204, 2060, 208) is loaded, and the reaction chamber on the base plate 120 and base plate 120 for rotation (122, 124, 126, 128) It comprises a separation wall 130 can be opened so as to form, and the housing 100 and the inner support wall 110 form a concentric. 도시하지는 않았지만, 퍼지를 위한 배출경로는 베이스 플레이트(120) 등에 마련될 수 있다. Although not shown, the discharging path for the purge may be provided or the like base plate 120.

하부 영역에는 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 탑재된 웨이퍼(202, 204, 2060, 208)에 열을 전달하기 위한 히터유닛이, 가령 베이스 플레이트(120)의 이면에 부착되며, 또한 베이스 플레이트(120)를 회전하기 위한 회전유닛이 설치된다. The lower region has a heater unit for transferring heat to a wafer (202, 204, 2060, 208) mounted on each of the reaction chambers (122, 124, 126, 128), for example, it is attached to the back surface of the base plate 120, Further are provided a rotating unit for rotating the base plate 120.

하우징 (100) Housing 100

하우징(100)은 상기한 상부, 중간 및 하부 영역을 모두 수납하도록 밀폐된 원통 형상이다. The housing 100 is a cylindrical seal to receive all of the aforementioned upper, middle and lower regions. 도 1과 2를 참조하면, 하우징(100)의 내측벽에는 일정한 회전각마다 수직방향으로 연장하는 직선형 가이드 그루우브(102)가 형성되고, 베이스 플레 이트(120)에 접하는 부분에서 원주 방향으로 연장하는 링 형상의 가이드 그루우브(101)가 형성된다. Referring to Figure 1 and 2, the inner wall of the housing 100 is formed with a straight guide tree probe 102 extending in the vertical direction at regular rotation angles, extends in the circumferential direction at a portion in contact with the base plate (120) the guide tree probe 101 of the ring-shaped is formed.

가이드 그루우브(102)에는 분리벽(130)의 일단이 끼워져 분리벽(130)의 상하 이동시 가이드 되고, 가이드 그루우브(101)에는 베이스 플레이트(120)의 일단이 끼워져 베이스 플레이트(120)가 회전시 가이드 된다. Guide tree probe 102 is inserted into one end of a separation wall 130 and the vertical movement guide of the separation wall 130, a guide tree probe 101 has one end fitted rotating the base plate 120 of the base plate 120 when guided.

가이드 그루우브(101, 102)와 베이스 플레이트(120) 및 분리벽(130)과의 사이에는 밀폐를 유지하기 위한 실링재가 개재될 수 있다. Between the tree guide probe (101, 102) and the base plate 120 and separation wall 130 has a sealing member may be interposed to maintain the seal.

내부 지지벽 (110) The inner support wall 110

도 1과 2를 참조하면, 내부 지지벽(110)의 하우징(100) 내측벽에 대향하는 측에는 직선형 가이드 그루우브(102)에 대응하여 직선형 그루우브(112)가 형성되고, 베이스 플레이트(120)에 접하는 부분에서 원주 방향으로 연장하는 링 형상의 가이드 그루우브(111)가 형성된다. Referring to Figure 1 and 2, corresponding to housing 100, a straight guide tree probe 102 side opposite to the inner wall of the inner support wall 110 is formed with a straight tree probe 112, a base plate 120 the guide tree probe 111, a ring-shape extending in the circumferential direction is formed in contact with part of the.

가이드 그루우브(112)에는 분리벽(130)의 타단이 끼워져 분리벽(130)의 상하 이동시 가이드 되고, 가이드 그루우브(101)에는 베이스 플레이트(120)의 타단이 끼워져 베이스 플레이트(120)가 회전시 가이드 된다. Guide tree probe 112 and the vertical movement guide of the separation wall 130 is sandwiched between the separating wall 130, the other end of the guide tree probe 101 is inserted into the other end of the base plate 120, base plate 120 is rotated when guided.

가이드 그루우브(111, 112)와 베이스 플레이트(120) 및 분리벽(130)과의 사이에는 밀폐를 유지하기 위한 실링재가 개재될 수 있다. Between the tree guide probe (111, 112) and the base plate 120 and separation wall 130 has a sealing member may be interposed to maintain the seal.

도 2를 참조하면, 내부 지지벽(110)은 상단에서 절곡되고 하우징(100)까지 연장하여 천정부(150)를 형성함으로써, 하우징(100)의 내측벽, 베이스 플레이트(120), 내부 지지벽(110)과 천정부(150), 그리고 분리벽(130)으로 이루어지는 다 수의 반응챔버(122, 124, 126, 128)를 형성한다. 2, the inner support wall 110 has an inner wall, the base plate 120, the inner support wall of the by forming the ceiling portion 150 is bent at the top and extending to the housing 100, the housing 100 ( 110) and the ceiling portion 150, and the separation wall 130, the number of reaction chambers (122, 124, 126, 128) made of the form a.

베이스 플레이트(120) Base plate 120

베이스 플레이트(120)는 하우징(100)과 내부 지지벽(110) 사이에 개재되며, 링 형상으로 이루어져 하부 영역에 설치된 구동모터 등의 회전유닛에 의해 회전한다. Base plate 120 is interposed between the housing 100 and the inner support wall (110), consists of a ring-shaped and rotates by the rotating unit, such as a driving motor provided in the lower region. 베이스 플레이트(120)는, 상기한 바와 같이, 챔버를 이루는 요소 중 하나이며, 공정을 진행할 웨이퍼를 탑재하는 기능을 한다. The base plate 120, as described above, is one of the elements of a chamber, serves to mount the wafer proceed with the process.

도시되지는 않았지만, 반응챔버(122, 124, 126, 128)를 구성하는 베이스 플레이트(120)의 이면에는 탑재된 웨이퍼(202, 204, 206, 208)를 가열하기 위한 가열유닛이 부착되어 베이스 플레이트(120)와 함께 회전한다. Although not shown, the rear surface of the base plate 120 constituting the reaction chamber (122, 124, 126, 128) there is a heating unit to heat a mounted wafer (202, 204, 206, 208) attached to the base plate It rotates with the 120.

베이스 플레이트(120)의 원주 방향으로 일정한 회전각마다 분리벽(130)의 하단이 끼워지는 밀폐 홈(도 3의 129 참조)이 형성되거나, 에어가 통과하는 슬롯(도 4의 129a 참조)이 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 후술한다. (See 129 in FIG. 3) sealing groove which is at the bottom of the separation wall 130 at regular rotational angle in the circumferential direction of the base plate 120 is fitted is formed or, slots for air to pass through (see 129a of FIG. 4) is formed and it can be, as described below.

분리벽 (130) Separation wall 130

도 3은 본 발명의 적용되는 분리벽의 일 예를 나타내는 설명도이다. Figure 3 is an illustration of an example of the separation wall to be applied to the present invention.

도 3을 참조하면, 내부 지지벽(120)의 천정부(150)에는 상승하는 분리벽(130)을 밀폐 수용하기 위한 밀폐 서랍(152)이 설치되고, 분리벽(130)은 승강유닛(미도시)의 승강로드(140)와 연결되어 승강유닛의 구동에 의해 승강로드(140)가 상하로 이동하면 그에 따라 승강한다. 3, a closed drawer 152 is for accommodating sealing the separation wall 130, which increases the ceiling portion 150 of the inner support wall 120 is provided, the separation wall 130 is elevating unit (not shown ) it is connected to the lifting rod 140. When the lifting rod 140 by the drive of the lifting unit is moved up and down to lift accordingly.

상기한 바와 같이, 베이스 플레이트(120)에는 밀폐 홈(129)이 형성되어 분리벽(130)이 하강하면, 하단이 이 밀폐 홈(129)에 끼워져 반응챔버(202, 204, 206, 208) 내의 밀폐가 유지된다. In the base plate 120 has a closed groove 129 is be formed is lowered the separation wall 130, the bottom is fitted to the sealing groove 129, the reaction chamber (202, 204, 206, 208) as described above, the sealing is maintained.

도 4는 본 발명에 적용되는 분리벽의 다른 예를 나타내는 설명도이다. 4 is an explanatory diagram showing another example of the separation wall to be applied to the present invention.

이 예에 따르면, 천정부(150)에 설치된 슬릿 형상의 노즐(154)을 통하여 에어 공급관(156)으로부터 공급되는 에어가 하방으로 분사되어 에어 커튼(160)을 형성하며, 분사된 에어는 베이스 플레이트(120)에 형성된 배출 슬릿(129a)을 통하여 하부 영역으로 배출된다. According to the present example, air is injected downwardly supplied from the air supply pipe 156 through the nozzle 154 of the slit provided in the ceiling portion 150 forms an air curtain 160, the injected air to the base plate ( through the discharge slit (129a) formed in 120) is discharged to the lower region.

상기한 두 종류의 분리벽 중 어느 것을 적용하더라고 원하는 효과를 얻을 수 있다. Hadeorago applying any of the above-described two types of separating walls to obtain the desired effect.

한편, 하우징(200)의 소정 위치에는 입출력 포트용 개구(미도시)가 형성되어 이를 통하여 로더/언로더(50)로부터 공정을 진행할 웨이퍼가 로딩되거나 공정이 완료된 웨이퍼가 언로딩된다. On the other hand, a predetermined position of the housing 200 there is formed an opening (not shown) for input and output ports of the wafer continue the process from the loader / unloader 50, it is loaded through the loading or unloading the wafer process is completed.

이와 같은 구조를 갖는 원자층 증착장치의 동작에 대해 설명한다. As will be described operation of the atomic layer deposition apparatus having the same structure.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 증착방법을 설명하는 플로차트이다. 5 is a flowchart illustrating a vapor deposition method according to an embodiment of the invention.

설명의 편의를 위하여 도 1의 원자층 증착장치를 예로 들어 각 웨이퍼에 대해 2 사이클의 증착 공정을 진행하는 것으로 가정한다. Figure for convenience of description, for atomic layer deposition apparatus of the first example, it is assumed that the progress of the deposition process of the second cycle for each wafer. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 형성되는 층의 수에 대응하여 복수의 사이클, 가령 2 사이클 내지 9 사이클을 진행할 수 있음은 물론이다. However, the present invention can proceed with a plurality of cycles, e.g., 2 cycles to 9 cycles corresponding to the number of the layer formed is not limited thereto as a matter of course. 또한, 주입되는 소스 B와 D는 플라즈마 인가가 필요하여, 플라즈마 공급유닛은 각각 반응챔버(124, 128)의 상부 영역에만 설치된 것으로 가정한다. The source B and D which is injected by the plasma is required, a plasma supply unit is assumed to be installed only on the upper regions of the reaction chamber (124, 128).

도 1에서 반응챔버(122)를 기준으로 시계방향으로 회전하면서 공정을 진행할 때, 최초에 공정을 수행할 복수의 웨이퍼를 탑재한 로더/언로더(50)로부터 반응챔버(122)에 웨이퍼(202)를 로딩한다(단계 S51). When holding a process, while also rotating in the clockwise direction relative to the reaction chamber 122 in the first wafer (202 in reaction chamber 122 from the loader / unloader 50 is equipped with a plurality of wafers to perform the process in the first ) to be loaded (step S51). 이때, 다른 반응챔버(124, 126, 128)는 비어 있다. At this time, the other reaction chambers (124, 126, 128) is empty.

각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에는 서로 다른 종류의 소스를 공급하는 소스 공급관(미도시)이 연결되어 있으며, 여기서 이들 소스를 각각 A, B, C, 및 D라고 한다. And each reaction chamber is, the each other (not shown) source supply line for supplying a different type of source connections (122, 124, 126, 128), wherein each is referred to as A, B, C, D and the source thereof.

웨이퍼(202)가 로딩되면, 분리벽(130)을 하강시키거나 에어 커튼(160)을 형성하여 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)를 밀폐시키고(단계 S52), 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 대응하는 소스를 주입한다(단계 S53). The wafer 202, to form a separation wall 130, the air curtain 160, falling to or sealing the respective reaction chamber (122, 124, 126, 128) (step S52), each reaction chamber (122 When the loading , it is injected into the source that corresponds to the 124, 126, 128) (step S53). 따라서, 웨이퍼(202)가 로딩된 반응챔버(122)에는 소스 A가 주입되고, 나머지 반응챔버(124, 126, 128)에는 각각 소스 B, C, 및 D가 주입된다. Thus, the wafer 202 is the A source include injecting the reaction chamber 122 is loaded, and the other reaction chambers (124, 126, 128), respectively, the source B, C, and D are implanted.

이어 퍼지가스가 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 주입되어 퍼지공정이 진행된다(단계 S54). Following the purge gas is injected into the respective reaction chamber (122, 124, 126, 128), the purging process is in progress (step S54). 이 실시예에서는 퍼지공정이 소스가 주입된 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 주입되는 것으로 설명하고 있으나, 후술하는 바와 같이, 웨이퍼를 이송하는 동안에 퍼지공정이 수행될 수 있다. In this embodiment, although described as being purging process is injected into the respective reaction chamber (122, 124, 126, 128), the source is injected, and as shown, the purging process during the transfer of the wafer may be performed as will be described later.

퍼지공정이 완료되면, 모든 분리벽(130)을 상승시키거나 에어 공급을 중단하여 에어 커튼(160)을 제거한다(단계 S55). When the purging process is completed, to raise all the separation wall 130, or stop the air supply and remove the air curtain 160 (step S55).

이어, 베이스 플레이트(120)를 기설정된 각도로 회전시켜 웨이퍼(202)가 반응챔버(124)에 위치하도록 한다(단계 S56). Next, a rotating angle with the predetermined base plate 120, wafer 202 is positioned in the reaction chamber 124 (step S56). 이 상태에서, 반응챔버(122)에는 로더/언로더(50)로부터 새로운 웨이퍼가 공급된다. In this state, the reaction chamber 122, the new wafer from the loader / unloader 50 is supplied.

새로운 웨이퍼가 로딩되면, 다시 분리벽(130)을 하강시키거나 에어 커튼(160)을 형성하여 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)를 밀폐시키고, 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 대응하여 소스 A, B, C, 및 D가 주입되며, 이와 함께 반응챔버(124, 128)에 플라즈마가 인가된다. After a new wafer is loaded, the separation wall 130 to fall to, or to form an air curtain 160, and sealing the respective reaction chamber (122, 124, 126, 128), each of the reaction chambers (122, 124, 126 again, 128), the source a, B, C, and D are implanted, it is applied to the plasma in the reaction chamber (124, 128), with this corresponding to.

이에 따라 새로이 로딩된 웨이퍼에는 소스 A가 흡착되고, 웨이퍼(202)에는 소스 A와 B가 반응하여 형성된 혼합물이 흡착되어 웨이퍼(202)는 한 사이클이 완료된다. Accordingly adsorbed a newly loaded wafer, the sources A, wafer 202 is formed by the reaction of the mixture are adsorbed sources A and B, wafer 202 is a cycle is completed.

이어, 상기한 바와 같이, 퍼지가스가 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에 주입되어 퍼지공정이 진행되고, 퍼지공정이 완료되면, 모든 분리벽(130)을 상승시키거나 에어 공급을 중단하여 에어 커튼(160)을 제거한 후, 베이스 플레이트(120)를 기설정된 각도로 회전시켜 웨이퍼(202)가 반응챔버(126)에 위치하고 소스 A가 흡착된 웨이퍼는 반응챔버(124)에 위치하도록 한다. Next, the purge gas is the purging process is in progress is injected into the respective reaction chamber (122, 124, 126, 128), when the purging process is completed, to raise all the separation wall 130 or the air supply as described above, interrupted by the air curtain 160 was removed, followed by rotation at an angle predetermined for the base plate 120, wafer 202 is positioned in the reaction chamber 126, source a is adsorbed the wafer is to be placed in the reaction chamber 124, do. 이 상태에서, 반응챔버(122)에는 로더/언로더(50)로부터 새로운 웨이퍼가 공급된다. In this state, the reaction chamber 122, the new wafer from the loader / unloader 50 is supplied.

상기한 공정을 반복하여 웨이퍼(202)는 두 사이클이 완료되어 반응챔버(122)로 다시 복귀하면, 로더/언로더(50)를 통하여 배출되고, 새로운 웨이퍼가 반응챔버(122)에 로딩된다. Wafer 202 by repeating the above process, if the two cycle is complete is returned back to the reaction chamber 122, and discharged through the loader / unloader 50, a new wafer is loaded into the reaction chamber 122.

이와 같이 다수의 웨이퍼에 대해 순차적으로 원자층 증착의 단위공정을 진행되기 때문에 제조효율을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다. Since this way of proceeding successively to a unit process for atomic layer deposition on a plurality of wafers has the advantage to improve the production efficiency.

상기에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다음의 구성도 가능하다. Although in the above described with reference to the embodiments of the invention, the invention is not limited to this it is also possible in the following configuration.

1. 상기의 실시예에서 반응챔버가 4개인 경우를 설명하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 적어도 2개 이상이면 본 발명의 목적을 구현할 수 있다. 1 has been described a case in which the reaction chamber in the embodiment of the four present invention, however, is at least 2 or more can be realized the object of the present invention. 구체적으로, 반응챔버가 서로 대향하여 2개 형성되는 경우, 로딩되는 웨이퍼마다 순차적으로 소스 A 주입(또는 플라즈마 인가) - 퍼지 - 소스 B(또는, 플라즈마 인가) - 퍼지가 진행되어 배출되는데, 각 반응챔버에 로딩된 웨이퍼에 대해 동시로 진행되기 때문에 제조효율이 종래보다 2배 정도 향상될 수 있다. Specifically, when the reaction chamber is formed of two opposite to each other, sequentially source A (applied or plasma) injecting each wafer loaded-purge-source B (or the plasma is applied) is the purge is in progress there is discharged, each reaction since for a wafer loading chamber to be conducted simultaneously it may be prepared efficiency is improved about two times than before.

2. 상기의 실시예에서 가열유닛이 각 반응챔버의 하부에 설치되는 것으로 설명하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 베이스 플레이트의 하부에 원주 방향 전체에 걸쳐 가열유닛을 설치함으로써 전체 온도를 일정하게 유지하도록 구성할 수 있다. 2. While the heating unit in the embodiments of the description to be provided at the lower part of each reaction chamber, the present invention provides a constant temperature by providing the entire unit is heated over the entire circumferential direction at the lower portion of the base plate is not limited to this It can be configured to maintain.

3. 상기의 실시예에서 퍼지 공정이 각 반응챔버(122, 124, 126, 128)에서 이루어지는 것으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 이송 공정 중에 이루어질 수 있다. 3. While the purging process in the embodiment of the described that takes place in each of the reaction chambers (122, 124, 126, 128), the invention may be formed during the transfer process is not limited to this. 구체적으로, 반응챔버(122, 124, 126, 128)에서 소스 주입과 선택적으로 플라즈마 인가가 완료된 후, 바로 퍼지 공정을 수행하지 않고 분리벽(130)을 제거한 후 베이스 플레이트(120)를 회전하여 각 웨이퍼가 반응챔버(122, 124, 126, 128) 사이의 위치(121, 123, 125, 127)에 놓이도록 한 다음 퍼지 공정을 수행할 수 있다. Specifically, after the plasma is applied to the source implantation and optionally in a reaction chamber (122, 124, 126, 128) it has been completed, instead of directly performing a purging process after removing the separation wall 130 to rotate the base plate 120 each such that a wafer is placed in the reaction chamber (122, 124, 126, 128) location (121, 123, 125, 127) between the can do the following purge step. 이때, 베이스 플레이트(130)와 내부 지지벽(110)과 천정부(150) 그리고 하우징(100)으로 이루어진 단일의 공간 내에서 퍼지 공정이 수행된다. At this time, the purging process is carried out in the space of a single consisting of the base plate 130 and the inner support wall 110 and the ceiling portion 150 and the housing 100.

4. 상기의 실시예에서 로더/언로더(50)가 하우징(100)의 외측에 위치하는 것으로 기재하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 로더/언로더(50)가 내부 지 지벽(110)의 내측에 위치할 수 있다. 4. if the embodiment of the loader / unloader 50 in the example, but is described as being located outside of the housing 100, the present invention is not limited to the loader / unloader 50 is inside jibyeok 110 a may be located on the inner side. 이때, 웨이퍼 입출력 포트용 개구는 내부 지지벽(110)의 소정 위치에 형성될 수 있으며, 로더/언로더(50)는 수직방향으로 승강할 수 있다. In this case, wafer openings for input and output ports may be formed at a predetermined position on the inner support wall 110, the loader / unloader 50 may be elevated in a vertical direction.

또한, 로더/언로더를 하우징의 외측과 내부 지지벽의 내측에 동시에 설치할 수 있다. Further, it is possible to install the loader / unloader at the same time on the inner side of the outer and inner support walls of the housing. 이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. If it described in detail below.

도 6은 로더/언로더를 하우징의 외측과 내부 지지벽의 내측에 동시에 설치한 구성을 나타낸다. 6 shows a configuration in which to install the loader / unloader at the same time on the inner side of the outer and inner support walls of the housing.

도 6을 참조하면, 도 1의 실시예와 같이 하우징(1100)과 내부 지지벽(1110)은 일정한 거리를 두고 동심원 상으로 이격되며, 이들 사이에 베이스 플레이트(120)가 개재되어 회전 가능하도록 설치된다. Referring to Figure 6, as in the embodiment of Figure 1, the housing 1100 and an internal support wall 1110 are spaced apart in a concentric circle with a certain distance, installation so as to be rotatable is disposed a base plate 120 between them do.

또한, 하우징(1100)의 외측과 내부 지지벽(1110)의 내측에는 각각 로더/언로더(1050, 1060)가 설치되어, 도시되지 않은 웨이퍼 입출력 포트용 개구를 통하여 웨이퍼를 로딩하거나 언로딩한다. Further, is the inner side of each of the loader / unloader (1050, 1060) of the housing 1100, the outer and inner support wall 1110 of the installation, to load the wafer through the opening, not shown, the wafer input and output ports or unloading.

그러나, 도 1과 달리, 베이스 플레이트(120) 위에서 분리벽 모듈이 상하로 이동하는데, 분리벽 모듈은 베이스 플레이트(120)를 가로지르는 종 분리벽(1300)과 인접하는 종 분리벽(1300)을 가로질러 연결하는 횡 분리벽(1310)이 일체로 형성되어 구성된다. However, the separation wall module longitudinal separation wall 1300 adjacent to the transverse longitudinal separation wall 1300, the base plate 120 to move up and down, the separating wall module on the base plate 120, unlike the Figure 1 horizontal transverse separation wall 1310 that connects across the consists are integrally formed. 이 분리벽 모듈은 도 1의 분리벽(130)과 같은 방식으로 동작하며, 다만 그 구성이 다르다. The separation wall module also operates in the same way as the separating wall 130 of Figure 1, but is different in structure. 따라서, 이 분리벽 모듈에 의해 도 1에서의 하나의 반응챔버가 둘로 분할되어, 반응챔버(1122, 1123, 1125, 1126, 1128, 1129, 1131, 1132)를 형성한다. Thus, the separation is split in two single reaction chamber in FIG. 1 by the wall modules, to form a reaction chamber (1122, 1123, 1125, 1126, 1128, 1129, 1131, 1132).

이러한 구성에 의하면, 도 1과 비교하여 2배 많은 매수의 웨이퍼를 한꺼번에 처리할 수 있어 제조효율이 더 좋아지게 된다. With such a configuration, becomes even compared to the first it is possible to simultaneously process the wafer in twice the number of production efficiency it is better.

5. 상기의 실시예에서는 서로 다른 소스가 주입되는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 동일한 사이클(1 사이클)을 수행하는 반응챔버의 쌍을 적어도 하나 준비할 수 있다. 5 has been described a case in which the above-described example of different sources are introduced, the invention is a pair of reaction chambers for performing the same cycle (one cycle) is not limited to this can be at least one preparation. 즉, 도 1을 참조하면, 반응챔버(122, 126)에는 소스 A가 주입되고 반응챔버(124, 128)에는 소스 B가 주입되도록 구성하되, 로더/언로더(50)를 반응챔버(122, 126)에 대응하여 설치할 수 있다. That is, 1, the reaction chamber (122, 126) to the source A is injected and the reaction chamber (124, 128) include, but configured such that the source B injection, loader / unloader 50, the reaction chamber (122, may be provided to correspond to 126).

이 구성에 따르면, 웨이퍼 A 로딩 - 소스 주입 - 퍼지 - 회전 - 웨이퍼 B 로딩 - 소스 주입(선택적으로 플라즈마 인가) - 퍼지 - 회전 - 웨이퍼 A 언로딩을 통하여 웨이퍼 2매씩 한꺼번에 공정을 진행할 수 있어 제조효율이 향상된다. With this structure, the wafer A loading-source insertion-fuzzy-rotation-wafer B load-source implantation (optionally plasma applied) purge-rotation-wafer A can proceed with the wafer 2 by one at a time step through the unloading production efficiency this is enhanced. 같은 방식으로, 웨이퍼당 2 사이클이 필요한 경우에는 소스 A와 B를 각각 주입하는 반응챔버의 쌍을 4개 준비함으로써 웨이퍼 1매씩 2 사이클을 진행할 수 있다. In the same way, in the case that requires two cycles per wafer has a pair of reaction chambers, each injection source A and B may be carried out to the wafer one by one, by preparing two-cycle four.

6. 상기의 실시예에서, 플라즈마를 사용하는 원자층 증착공정에 적용되는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 플라즈마를 사용하지 않는 원자층 증착공정 적용될 수 있다. 6 has been described that in the above embodiment, applied to an atomic layer deposition process using plasma, the present invention can be applied to an atomic layer deposition process that uses a plasma it is not limited to this.

따라서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 되며, 이하에 기재된 특허청구범위에 기초하여 해석되어야 할 것이다. Accordingly, the invention should be construed based on the claims listed below should not be construed as limited to the embodiments described above.

본 발명에 따르면 여러 가지의 효과를 갖는다. According to the present invention has a number of advantages.

먼저, 적어도 둘 이상으로 분할된 반응챔버를 통하여 다수의 웨이퍼를 한꺼 번에 처리함으로써 제조효율이 향상된다는 효과를 갖는다. First, by processing a number of wafers through a reaction chamber at least it divided in two or more times to collectively has the effect that the production efficiency is improved.

또한, 각각의 소스가 분리된 각 반응챔버에 주입되어 단위공정이 진행되므로 종래 하나의 반응챔버에서 증착되는 박막보다 더 균일한 조성의 박막을 형성할 수 있으며, 각 소스 간의 반응도 방지할 수 있다. In addition, since each of the source is injected into the respective reaction chamber, a separate unit process is in progress, and can form a further thin film having a uniform composition than the thin layer prior deposited on one of the reaction chamber, it is possible to prevent reaction between the respective source.

반응챔버의 개수, 형상 등의 설계조건을 다양화함으로써, 공정조건을 유동적으로 설정할 수 있다. By varying the design conditions of the number of reaction chambers, the shape and so on screen, it is possible to set the processing conditions as in flux.

Claims (8)

  1. 내부와 외부를 분리하는 하우징; A housing separating the interior and exterior;
    상기 하우징과 일정 간격 이격되어 동심원 형상으로 설치되는 내부 지지벽; Inner support walls are spaced apart from the housing with a predetermined interval, which is installed in concentric circles;
    상기 하우징과 내부 지지벽 사이에 회전 가능하게 설치되고 다수의 웨이퍼가 탑재되는 링 형상의 베이스 플레이트; A ring-shaped base plate that can be installed on the rotation between the housing and the inner support wall and is mounted a plurality of wafers; And
    상기 베이스 플레이트 상에서 원주방향을 따라 설치되며, 공정 진행에 따라 개폐되는 다수의 분리유닛을 포함하며, Is provided along the circumferential direction on the base plate, includes a plurality of separate units to be opened and closed in accordance with the process in progress,
    상기 하우징, 상기 내부 지지벽, 상기 베이스 플레이트 및 상기 분리유닛으로 이루어지는 적어도 하나 이상의 반응챔버 쌍이 형성되고, The housing, the inner support wall, at least one pair of reaction chambers formed by the base plate and the separating unit is formed,
    상기 베이스 플레이트가 상기 반응챔버 쌍에 대응하여 순차적으로 회전됨으로써 상기 다수의 웨이퍼 각각에 대해 상기 반응챔버에 대응하는 단위 공정이 순차적으로 진행되는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. Whereby said base plate to rotate in sequence corresponding to the pair of reaction chambers disposed type atomic layer deposition apparatus, characterized in that the process unit corresponding to the reaction chamber for each of the plurality of wafers are conducted sequentially.
  2. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1,
    상기 분리유닛은 판 형상의 몸체로 구성되어 승강유닛에 의해 승강하는 격벽인 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. The separation unit is composed of a plate-like body of the batch-type ALD apparatus it characterized in that the partition walls raised and lowered by the lifting unit.
  3. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1,
    상기 분리유닛은 상기 베이스 플레이트를 향하여 상부로부터 분사되어 형성 되는 에어 커튼인 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. The separation unit is batch-type ALD apparatus characterized in that the air curtain is formed is ejected from the upper portion towards the base plate.
  4. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1,
    상기 반응챔버에 상기 웨이퍼를 로딩하거나 상기 반응챔버로부터 상기 웨이퍼를 언로딩하는 로더/언로더가 상기 하우징의 외측 또는 상기 내부 지지벽의 내측에 설치되는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. Batch-type ALD apparatus, characterized in that the reaction chamber a loader / unloader for loading or unloading the wafer from the reaction chamber, the wafer mounted on an inside of the outer or the inner support wall of the housing.
  5. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1,
    상기 분리유닛은 상기 베이스 플레이트를 가로지르는 종 분리벽과 인접하는 종 분리벽을 가로질러 연결하는 횡 분리벽이 일체로 형성되어 구성되며, The separation unit is composed of a transverse separation wall which connect across the longitudinal separating wall adjacent the longitudinal separating wall transverse to the said base plate are integrally formed,
    상기 반응챔버에 상기 웨이퍼를 로딩하거나 상기 반응챔버로부터 상기 웨이퍼를 언로딩하는 로더/언로더가 상기 하우징의 외측과 상기 내부 지지벽의 내측에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. Batch-type ALD apparatus, characterized in that the reaction chamber a loader / unloader for loading or unloading the wafer from the reaction chamber, the wafer is respectively provided inside the outer and the inner support wall of the housing.
  6. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1,
    상기 반응챔버 쌍 중 어느 하나 또는 모두에 플라즈마 공급유닛이 설치되는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. Batch-type ALD apparatus characterized in that the plasma supply unit is installed on any or all of the reaction chamber pair.
  7. 청구항 6에 있어서, The method according to claim 6,
    상기 플라즈마 공급유닛으로부터 인가되는 플라즈마는 다이렉트 플라즈 마(direct plasma) 및 리모트 플라즈마(remote plasma)를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. The plasma supply town plasma is a direct plasma is applied from a unit (direct plasma) and remote plasma batch type atomic layer deposition apparatus comprising: a (remote plasma).
  8. 공정을 수행할 복수의 웨이퍼를 탑재한 로더/언로더로부터 복수의 반응챔버 영역 중 어느 하나의 반응챔버 영역의 베이스 플레이트에 웨이퍼를 로딩하는 제 1 단계; A first step of loading the wafer to the base plate of any one of the reaction chamber area, of the plurality of the reaction chamber range from the loader / unloader with a plurality of wafers to perform the process;
    분리벽을 닫아 상기 복수의 반응챔버 영역에 반응챔버를 형성하는 제 2 단계; Closing the separating wall a second step of forming a reaction chamber to the reaction chamber portion of the plurality;
    상기 복수의 반응챔버 각각에 기설정된 종류의 소스를 공급하는 제 3 단계; A third step of supplying the type of the source set up in each of the plurality of reaction chambers;
    상기 복수의 반응챔버 각각에 퍼지가스를 공급하는 제 4 단계; A fourth step of supplying a purge gas to each of the plurality of reaction chambers;
    상기 분리벽을 여는 제 5 단계; A fifth step of opening the separation wall;
    상기 어느 하나의 반응챔버 영역에 인접한 반응챔버 영역과 상기 로더/언로더가 대응하도록 상기 베이스 플레이트를 회전하는 제 6 단계를 포함하며, And a sixth step of rotating the base plate is the one of the reaction chamber, the reaction region and the loader / unloader adjacent to the chamber region so as to correspond,
    상기 제 1 내지 제 6 단계를 기설정된 회수만큼 반복한 후, 공정 완료된 웨이퍼를 상기 로더/언로더로부터 언로딩하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법. The first to then repeated as many times as the sixth step a predetermined, the wafer process is completed the atomic layer deposition method, characterized in that the unloading from the loader / unloader.
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