KR100879195B1 - 대용량 데이터 흐름을 프린트하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

당해 발명의 한 측면은 전자기 방사에 민감한 레이어를 부분적으로 커버하는 워크피스를 패터닝하기 위한 방법에 의해 획득되며, 상기 워크 피스의 다수의 위치로 하나 이상의 이미지의 데이터 표현이 이미지 되도록 제공하는 단계들을 포함하고, 상기 데이터 표현을 다수의 필드 줄무늬로 분할하며, 상기 단계들을 반복하고, 상기 데이터 표현의 제 1 필드 줄무늬를 래스터하며, 상기 래스터된 필드 줄무늬에 따라 변조기를 조정하고, 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 상기 제 1 필드 줄무늬를 이미징 하는 동안 상기 워크피스의 다수의 위치로 제 2 필드 줄무늬를 래스터하며, 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 상기 이미지의 미리 지정된 양이 이미지 되는 때에 상기 반복을 종료하는 단계를 포함한다.

Description

대용량 데이터 흐름을 프린트하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PRINTING LARGE DATA FLOWS}
당해 발명은 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 그것은 집적 회로 기판 또는 마스크 기판과 같은 워크피스 상의 원하는 패턴을 형성하기 위한 직접-기록 리소그래픽 방법에 관한 것이다.
종래의 집적 회로는 상기 집적 회로에서 레이어의 패턴을 포함하는 다수의 마스크 또는 레티클 등만을 이용함으로써 대체로 제작되어왔다. 오늘날의 집적 회로에서 다수의 레이어들은 30보다 더 클 수 있다. 상기 마스크들 또는 레티클들은 선택된 빔의 타입을 감지하기 위해 물질 레이어에 노출에 대해 예를 들어 전자 빔 또는 레이저 빔을 이용함으로써 리소그래픽 방법으로 준비된다. 상기 마스크 물질은 대부분 일반적으로 그것의 얇은 레이어의 위 측면 상에서 전해지고 투명 물질 레이어가 부착된다. 상기 얇은 물질에서, 상기 집적 회로의 한 레이어의 패턴이 생성된다. 상기 마스크는 특히 상기 집적 회로를 형성하기 위한 반도체 기판 상에 패턴이 출력되는 것보다 일반적으로 N 배 더 큰 패턴이다. 크기에 있어 감소는 스테퍼에서 수행되고, 이는 상기 집적 회로를 형성하기 위한 마스크를 사용한다.
보다 최근에, 종래의 마스크를 이용하는 것을 제외한 수단에 의한 집적 회로 를 제작하기 위한 필요가 다수의 이유를 위해 개발되어왔다. 예를 들어, 마스크 제조 가격이 제조상의 복잡성에 따라 증가되는 것, 집적 회로의 매우 작은 시리즈를 필요로 하는 작은-규모 개발 등이다.
불행하게도, 종래의 마스크 또는 레티클들을 이용함 없이 집적 회로를 형성하기 위해 현재 알려진 기술의 모두는 단점 내지 제한을 지니고 있다.
예를 들어, 당업자에게 알려진 대부분의 직접-기록기들은 전자 빔에 기초하고, 특히 빔 모양이라고 불린다. 그곳에서 상기 패턴은 플래쉬들로부터 결집되며, 각각은 단순한 기하학 모양을 결정한다. 다른 시스템들은 가우시안 빔의 래스터 스캐닝을 이용하는 것으로 알려진다. 종래의 마스크 기록기를 이용함으로써, 이는 워크 피스 상의 패턴을 형성하기 위한 전자 또는 레이저 빔들의 빔들을 이용하며, 이는 상대적으로 낮은 스캐닝 속도에 제한되며, 아마 최악의 경우 단일 차원만을 스캔할 수 있다.
당해 발명 및 참고로 통합된 양수인들 중의 한명에 의한 WO 01/18606 그리고 US 특허 출원 NO 09/954,721 과 같은 다른 특허 출원에 설명된 SLM 기록기들은, 그것이 비트맵 패턴을 허용하나 각 픽셀들로부터 패턴을 형성하는 대신 하나의 플래쉬 내의 패턴의 전체 프레임을 프린팅함으로써 분리된다는 점에서 스캐닝을 래스터 하는 것에 관련된다.
공간 광 변조기(SLM)는 다수의 변조기 성분들을 포함하고, 이는 원하는 패턴을 형성하기 위한 바람직한 방법 내에서 세트될 수 있다. 반사적 SLM들은 마스크 상에 원하는 패턴을 형성하기 위한 DUV 또는 EUV 와 같은 전자기 방사의 종류에 노 출된다.
데이터로부터 직접적으로 반도체 디자인을 함에 있어 특정 레이어를 기록하기 위한 직접-기록 패턴 발생기는 산업에 대해 높은 가치를 지닐 수 있다. 그러나 모던 칩들의 복잡성은 매우 심하며 모든 새로운 기술 발생에 의해 더 복잡해진다. 상기 직접-기록기는 300mm 웨이퍼 상에 1회가 아닌 100회의 복잡한 패턴을 기록하여야 한다.
도 1 은 단순화된 형태에서 분자 빔(120)과 함께 한 번에 하나의 칩(110)에 기록하는 공지기술 직접 기록기에 대한 표현을 도시한다.
도 2a 는 다중 e-빔 칼럼(250), 패턴 저장(240), 래스터 유닛(230), 메모리 유닛(220) 그리고 칼럼 버퍼(210)를 지닌 고안된 직접-기록 시스템(200)의 설명을 도시한다. 도 1 그리고 2a 는 ISMT/SRC 마스크가 없는 리소그래피 워크샵 2002 년 동일한 해의 8월에 ETEC 시스템의 Mark Gesley에 의해 표현되는 물질로부터이다. 상기 표현은 래스터 스캔 그레이-스케일 원칙을 이용하는 고안된 다중 마이크로-칼럼 e-빔 시스템을 설명한다. 상기 마이크로-칼럼들은 5*5로부터 20*20mm 분리를 지닌 규칙적 배열을 형성한다. 상기 배열은 웨이퍼 지역의 실질적 부분을 커버하고 그리고 상기 스테이지는 단지 5*5mm(등) 지역을 채우기 위해서만 스캐닝하고 있다. 다음 마이크로-칼럼 지역으로 스캐닝은 중복을 위해 사용될 수 있다. 다중 마이크로-칼럼들의 이미지는 상기 동일한 데이터가 각 마이크로-칼럼으로 전송되는지를 표시하고 그리고 다수의 필드들은 다수의 칼럼들과 동일하다.
UC 버클리에서 연구원들은 대용량 데이터 흐름을 처리하는 다른 측면을 개발 해왔다. 직접-기록기에 의해 처리되는 하나의 아이템은 상기 변환기 상으로 데이터의 로딩이며, 여기서 마이크로-기계 상의 SLM 이다. 상기 패턴을 강하게 압축함으로써, 하드 디스크 상에 저장하는 것이 가능하고 그리고 기록 시간에서 다수의 병렬적 스텝에서 압력을 줄인다. 도 2b 는 대용량 데이터 흐름을 처리하기 위한 UC 버클리에 따른 병렬 구조의 도시이다. 압력을 푸는 것의 하나 이상의 스텝이 상기 SLM 칩 상에서 행해진다. 이 방법에 의해 양 저장장치 및 전송 문제들이 해결될 것으로 생각된다.
현대 마이크로전자 디자인들은 너무 복잡해서 단순한 저장장치 및 디자인 파일들의 전송이 점차 문제화된다. 상기 디자인이 평편하게 펴질 때, 예를 들어, 체계가 분해될 때, 상기 데이터양은 팽창하고 그리고 마침내 그것이 비트맵으로 변환될 때 모든 실용적 저장장치 선택으로 확장한다. 10-100G 바이트들의 디자인 파일로부터 1000Tbyte의 비트맵 량이 웨이퍼를 위해 생성된다. 상기 도면들은 단지 크기의 차원의 표시일 뿐이고 당연히 웨이퍼 크기 및 기술 방법에 의해 변화한다. 단지 압축은 데이터가 비트맵 데이터로 전환동안 처리되고 수정되어야만 하기 때문에 데이터 흐름의 대역폭 문제를 해결하지 못할 것이다. 예를 들어 오버랩은 제거되어야만 하며 그리고 상기 오버랩의 제거 이후 프로세스 바이어스는 부가된다.
필요로 하는 것은 공지 기술보다 실질적으로 더 빠른 워크피스 상에 패턴을 생성하고 대용량 데이터 흐름을 필요하도록 처리할 수 있는 방법 및 장치이다.
따라서 워크피스를 패터닝 하는 방법을 제공하는 것은 당해 발명의 목표이 며, 이는 대용량 데이터 흐름에 따라 제조 시간을 소비하는 위에서-언급된 문제를 극복하거나 또는 적어도 감소시킨다.
이 문제는 다른 것 간에서, 전자기 방사에 민감한 레이어를 부분적으로 커버하는 워크피스를 패터닝하기 위한 방법에 의해 획득되며, 상기 워크 피스의 다수의 위치로 하나 이상의 이미지의 데이터 표현이 이미지 되도록 제공하는 단계들을 포함하고, 상기 데이터 표현을 다수의 필드 줄무늬로 분할하며, 상기 단계들을 반복하고, 상기 데이터 표현의 제 1 필드 줄무늬를 래스터하며, 상기 래스터 된 필드 줄무늬에 따라 변조기를 조정하고, 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 상기 제 1 필드 줄무늬를 이미징 하는 동안 상기 워크피스의 다수의 위치로 제 2 필드 줄무늬를 래스터하며, 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 상기 이미지의 미리 지정된 양이 이미지 되는 때에 상기 반복을 종료한다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 두 개의 연속적 스트로크에 속하는 상기 필드 줄무늬들은 서로 인접하지 않는다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 두 개의 연속적 스트로크에 속하는 상기 필드 줄무늬들은 서로 인접하다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 이미지는 상기 전자기 방사에 의해 조명되는 SLM을 수단으로 상기 워크피스 상으로 이미지 된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 워크피스는 웨이퍼이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 이미지는 집적 회로를 표현한다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 두 개의 연속한 스트로크에 속하는 필드 줄무늬들은 상기 워크피스 상의 반대 방향에서 이미지 된다.
당해 발명의 또 다른 측면은 전자기 방사에 민감한 레이어에서 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝하기 위한 방법에 관련되며, 상기 워크피스의 다수의 위치로 하나 이상의 이미지의 데이터 표현이 이미지 되도록 제공하는 단계들을 포함하며, 상기 데이터 표현을 다수의 필드 줄무늬들로 분할하고, 상기 래스터된 필드 줄무늬에 따라 변조기를 변조하고, 상기 워크피스의 다수의 위치로 상기 제 1 필드 줄무늬를 이미지하며, 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 상기 제 1 필드 줄무늬가 이미지 되는 동안 상기 데이터 표현의 제 2 필드 줄무늬를 래스터하고, 상기 이미지들의 미리 지정된 부분이 상기 워크피스의 상기 다수 부분으로 이미지 되는 때에 반복을 끝낸다.
당해 발명의 또 다른 실시예에 따라, 두 개의 연속적 줄무늬들에 속하는 상기 필드 줄무늬들은 서로 인접해 있지 않다.
당해 발명의 또 다른 실시예에 따라, 두 개의 연속적 줄무늬들에 속하는 상기 필드 줄무늬 들은 서로 인접해 있다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 이미지는 상기 전자기 방사에 의해 조명되는 SLM을 수단으로 상기 워크피스 상으로 이미지 된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 워크피스는 웨이퍼이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 이미지는 집적 회로를 표시한다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 두 개의 연속적 스트로크에 속한 필드 줄무늬들은 상기 워크피스의 반대 방향에서 이미지 된다.
당해 발명은 또한 워크피스를 패터닝 하는 장치에 관한 것으로서, 하나 이상의 이미지의 데이터 표현이 상기 워크 피스 상에 기록되도록 하기 위해 저장하는 메모리, 상기 데이터 표현을 다수의 필드 줄무늬들로 분할하기 위한 분할 장치, 상기 필드 줄무늬를 래스터하기 위한 래스터 장치, 래스터된 필드 줄무늬들을 버퍼하기 위한 두 개 이상의 버퍼 메모리들, 상기 래스터된 데이터를 기록하기 위한 버퍼 메모리로 제어를 위한 버퍼 기록 제어, 래스터된 데이터가 상기 워크피스 상에 이미지 되도록 읽기 위한 버퍼 메모리로부터 제어하기 위한 버퍼 판독 제어, 래스터된 데이터를 버퍼하기 위한 때 그리고 상기 워크피스 상으로 데이터가 이미지 되도록 읽는 때에, 래스터를 위한 필드 줄무늬를 조절하기 위한 스케줄러, 상기 래스터된 데이터가 상기 워크피스의 다수의 위치들로 이미지 되도록 함에 따라 전자기 방사의 빔을 수정할 수 있는 변조기, 이 때 상기 장치는 상기 워크피스로 또 다른 필드 줄무늬를 이미지 하는 동안 필드 줄무늬를 래스터할 수 있다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 워크피스는 웨이퍼이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 이미지는 집적 회로를 표시한다.
당해 발명에 따른 또 다른 실시예에서, 상기 이미지는 상기 전자기 방사에 의해 표시되는 SLM 을 수단으로 상기 워크 피스 상에 이미지 된다.
당해 발명의 또 다른 특징과 그것의 이점들이 첨부되는 도 1-8 및 이후에 주어지는 당해 발명의 선호되는 실시예의 상세한 설명으로부터 명확해 질 것이며, 이는 단지 도면을 통해서만 주어지며, 따라서 당해 발명을 제한하는 것은 아니다.
도 1 은 웨이퍼를 패터닝 하는 공지 기술의 방법을 도시한다.
도 2a 는 마이크로-칼럼의 배열을 지닌 직접-기록을 위해 개념적 공지 기술의 데이터 경로를 도시한다.
도 2b 는 직접-기록기가 하드 디스크 상에 저장된 오프-라인 상으로 준비된 데이터를 기록하는 것을 허용하는 개념적 공지 기술의 데이터 압축을 설명한다.
도 3 은 워크 피스 상의 패턴을 형성하기 위한 당해 발명에 따른 일 실시예를 도시한다.
도 4 는 워크 피스 상의 패턴을 형성하기 위한 당해 발명에 따른 또 다른 실시예를 도시한다.
도 5 는 소프트 레티클과 그것의 칩 줄무늬로의 분할을 도시한다.
도 6 은 도 3 및 도 4 에 따른 발명적 방법의 구현을 구조적으로 도시한다.
도 7 은 어떻게 레티클 디자인이 물리적 레티클 그리고/또는 다수의 소프트 레티클들을 생성하기 위해 사용되는지를 도시한다.
도 8 은 단지 하나의 실시예가 래스터될 필요가 있는 곳에서 반복 칩을 지닌 소프트-레티클을 도시한다.
아래의 상세한 설명은 도면 번호와 관련하여 설명된다. 선호되는 실시예들이 당해 발명을 설명하기 위해 도시되었으며, 청구항에 의해 정의되는 발명을 제한하는 것은 아니다.
또한, 선호되는 실시예들이 SLM 과 관련하여 설명된다. SLM을 제외한 엑츄에 이터(actuator)가 동일하게 적용가능하다는 점이 당업자에게 명백할 것이다. 예를 들어 2-차원 변조기는 음향 광학(acoustooptic) 구동되는 변조기의 배열을 포함하고, 2-차원 액츄에이터 배열은 예를 들어, LCD 타입 또는 유사한 2-차원 조정 장치와 같이 전송적이 된다.
당해 발명은 반도체 웨이퍼 또는 마스크 기판과 같은 워크피스의 직접-쓰기와 관계된다. 어떠한 방사를 이용하던지, 예를 들어 IR 로부터 EUV까지의 광, X-레이 또는 전자, 이온 또는 원자 빔과 같은 입자 빔들은 직접-쓰기를 수행한다.
당해 발명의 상기 방법은 동일한 칩을 위해 다시 동일한 데이터를 처리하는 반복적인 데이터 경로를 처분한다. 이는 증가된 기계적 오버헤드의 희생을 통해 행해진다. 선호되는 실시예 중의 하나는 상기 증가된 기계적 오버헤드가 처리량 페널티 없이 흡수되는 곳에서 구조를 설명한다. 패턴 버퍼링과 공지 기술의 상태의 웨이퍼 스캐너 상태의 결합은 행에서 또는 웨이퍼 상에서 다수의 동일한 필드에 의한 데이터 처리를 감소한다. 웨이퍼 상의 필드의 각 타입, 특히 단지 하나를 위해, 상기 데이터는 일단 단지 비트맵으로 만들어진다. 게다가, 각 필드 내의 짜 넣은 반복 함수가 있으므로 필드 내부의 동일한 칩들은 단지 한 번 래스터될 필요가 있다.
도 3 은 정지된 기록 빔, 이미지 형성 광학 또는 동등한 기록 구조(307)하에서 스캐닝 단계(302) 상의 웨이퍼(301)를 도시한다. 상기 단계(302)의 움직임(305)은 스트로크(306) 내에서 연속적이며, 각 스트로크는 웨이퍼를 가로질러 줄무늬를 기록한다. 상기 웨이퍼는 다수의 미리 준비된 칩(303)을 포함한다. 스텝퍼 내의 레티클에 대응하는 상기 지역(308)은 분할되고 래스터되며, 상기 데이터는 다양하게 또는 전체, 줄무늬를 따른 필드를 위채 버퍼 되거나 재사용된다. 상기 지역(308)은 "소프트 레티클"에 의해 입력 데이터 , 동일한 필드를 프린트하기 위한 실제의 물리적 레티클을 생산하기 위해 사용되는 마스크 파일에 가깝게 관련되는 데이터 세트에 의해 설명된다. 이는 보다 상세히 후술하겠다.
버퍼 되는 상기 지역은 필드-줄무늬(309)라고 불리며, 소프트 레티클(308) 및 줄무늬 간의 교차 지역이 되며, 이는 기록 및 데이터 경로 처리를 위해 필요로 되는 어떠한 줄무늬 오버랩이라도 포함한다.
상기 기계는 하나의 줄무늬를 기록하기 위해 시작하고, 상기 단계 및 데이터가 준비되자마자 필드-줄무늬 비트맵 버퍼로부터 데이터를 취한다. 필드-줄무늬 들은 도 6에서 설명되는 분할 과정에서 생성된다. 스트로크의 기록을 수행하는 동안 제 2 버퍼는 래스터기에 의해 생성되는 비트맵 데이터에 의해 로드 된다. 실시예가 도 6에 도시된다. 상기 소프트-레티클 데이터는 대용량 저장 장치 내에 거주하고 있고, 특히 하드 디스크 내에 있다. 스케줄러는 다수의 필드가 프린트 되도록 설명하는 직업 정의 파일을 판독하고 그리고 데이터 경로 및 상기 상태 제어를 위한 제어 순서를 생성한다. 상기 스케줄러는 올바른 데이터를 가져오기 위해 상기 분할된 유닛을 향하고 그리고 래스터를 위해 그것을 미리 처리한다. 상기 데이터는 적합한 버퍼링을 이용하면서 상기 래스터기로 전송된다.
상기 대시된 프레임(501)이 그것이 물리적 레티클이었던 경우 석영 기판을 표시하는 곳에서 소프트 레티클을 도시하는 도 5는 또한 상기 순열의 좋은 예가 될 수 있다. 상기 패턴 지역(502)은 필드-줄무늬(503)로 분배되고, 선택적으로 오버래 핑 된다. 웨이퍼의 기록 동안 특정 순간에서 다수의 줄무늬들은 이미 기록된다(506). 하나의 필드-줄무늬는 비트맵 버퍼(1) 내에서 비트맵 데이터로서 존재한다. 도 6 참고. 반드시 인접할 필요가 없는 순열에서 다음 필드-줄무늬는 비트맵 버퍼 2 로 래스터되고 있다. 도 6에서 줄러 및 상기 버퍼 기록 제어는 상기 버퍼 판독 제어가 다른 버퍼로부터 프린트 헤더까지의 데이터를 향하는 동안 상기 기록 버퍼로 래스터된 데이터를 향한다. 상기 버퍼 판독 제어는 마찬가지로 또 다른 기능을 지닌다. 그것은 도 3 및 4에서 줄무늬의 방향에 따라 앞쪽 또는 뒤쪽으로 버퍼 된 데이터를 판독한다.
필드에서 어떠한 개업자라도 도 6을 위한 대안적 하드웨어 구조를 고안할 수 있다. 두 개의 분리된 버퍼 지역을 지닌 상기 구조는 필드-줄무늬를 위한 버퍼 크기가 이전에 알려졌기 때문에 합리적이며, 주어진 최대 필드 크기는 일정한 최대값을 지니게 된다. 그러나 메모리의 연속적 메모리 및 동적 할당을 지닌 대안 책은 동일하게 유용하며 그리고 특정 시스템 타입의 상세한 요구에 따라 선호된다. 두 개의 물리적 메모리 지역 이상을 이용하는 것, 예를 들어 하나 이상의 래스터 유닛을 하나의 프린트-헤드로 인터페이스 하는 방법이 또한 유용하다.
도 4 는 필드의 한 행으로부터 다음 행까지를 스텝 하기 위한 시간에 매우 빠르고 정확한 단계를 지닌 또 다른 실시예를 도시하며, 요구되는 위치 정확성 내에서 그곳에 정착한다. 그 결과 그것은 시스템을 실질적으로 느리게 하지 않는다. 공지 상태의 ASML 스캐너에서 사용되는 ATLAS 상태는 초당 최대 속도 500mm, 12m/s2 의 가속화 그리고 한 열로부터 다음까지의 0.2 초보다 적은 스테핑 시간을 지닌다. 가장 높은 상태 속도에서 조차, 300mm 웨이퍼에 대해 줄무늬를 기록하는 0.6 초의 시간을 지닌 500mm/s 이며, 기계적 오버헤드는 전체 시간의 25% 또는 그것보다 적다.
보다 중요한 것은 상기 스테핑 시간이 스캐닝 움직임의 방향을 변화시키는 데 걸리는 시간보다 짧다는 점이다. 따라서 상기 기계적 오버헤드는 도 3 및 도 4에서 구조에 대해 실질적으로 동일하다. 그것은 하나의 실행에서 웨이퍼 상의 필드-줄무늬(402)의 모든 발생을 기록하기 때문에 상기 전체 웨이퍼를 위해 단지 한번만 상기 소프트웨어 레티클(401)을 래스터한다. 300mm 웨이퍼 내의 다수의 필드가 약 100이기 때문에, 도 1에 비유된 데이터 처리량의 감소는 또한 성분 100이다.
선호되는 실시예에서 상기 웨이퍼는 배열 마크(304)를 이용하는 글로벌 배열이 이미 이전의 패터닝 스텝에서 웨이퍼 상에 배치된 이후에 기록된다. 상기 마크들 4개가 도시되었으나 2 위쪽으로부터 어떠한 숫자도 될 수 있고 또한 배열하기 위해 칩 내부에 프린트 된 패턴을 이용하는 것이 가능하며, 그것은 측정되고 그리고 웨이퍼가 계산되는 동안 선택적으로 비-선형 좌표 시스템이다. 대안적으로 왜곡 파일이 다양한 성분들, 패턴 밀도, 이전의 레이어 왜곡 등에 기초하여 왜곡 예측 EH는 측정으로부터 미리 생성되고 판독된다. 분리된 왜곡 맵이 사용되는 경우, 그것은 웨이퍼가 생성되는 동안 상기 배열 마크 및 좌표 시스템의 측정과 함께 결합된다. 상기 웨이퍼의 기록은 그 후 기준과 같이 이 좌표 시스템과 함께 만들어진다.
이와 같이, 웨이퍼의 높이 맵은 상기 기록이 시작되기 전에 측정되고 그리고 프린트 헤드의 포커싱은 높이 맵 상에 기초한 죽은 수에 의해 행해진다.
도 7 은 그들이 생성될 때 소프트 및 하드(물리적) 레티클 간의 유사성, 그리고 그들이 사용될 때 대응하는 유사성이 존재하는 것을 도시한다. 이것은 동일한 데이터 파일이 그들을 생성하기 위해 사용되는 것을 보여주며 그리고 상기 동일한 잡 파일이 스테퍼-스캐너 그리고 그들을 이용하기 위한 직접-기록기 상에서 사용된다. 상기 잡 파일은 이와 같은 주요 코드를 지닌다.
Figure 112004042738013-pct00001
Figure 112004042738013-pct00002
디지털 저장장치로부터일 경우 상기 집적 기록기가 가져오는 동안 상기 스테퍼는 레티클 저장장치로부터 레티클을 호출한다. 실질적으로, 상기 소프트 레티클들은 직접 기록기, 도 7의 박스 "DW 프리-프로세싱"에 의해 표시되는 것에 적용될 필요가 있다. 한 실시예가 마스크 패턴이 4개의 동일한 칩들을 지니는 곳의 도 8에 도시된다. 그들 중 단지 하나만이 래스터될 필요가 있고 상기 잡 파일은 더 작은 소프트 레티클의 반복에 의해 다른 3 부분을 생성한다.
선호되는 실시예는 당해 출원의 출원인들 중의 한명에게 양도된 미국 특허 6,258,488에 설명된 SLM 원칙에 기초하며, 여기에 193nm 방사를 이용하여 기준으로 통합된다. 그것은 4개의 SLM들을 지니고, 각각은 2048*4096 거울들을 지닌다. 상기 투사 광선은 각 미러가 실리콘 상의 사각형 내부에 픽셀 40nm 로 감소된다. 시간당 두 개의 프린트(5) 웨이퍼들은 오버헤드를 포함하고 플래쉬 비율은 4kHz가 되어야만 한다. 각 픽셀은 65 회색 값을 지니고 할당된 데이터 바이트이다. 상기 데이터 비율은 그 후 4*4000*2048*4096 = 134Gbyte/s 이다. 상기 상태 속도는 상기 기록 스트로크 및 스트로크가 300mm 웨이퍼에 대해 1초 걸리는 동안 320mm/s이다. 상기 소프트 레티클 크기는 줄무늬를 따라 38mm로 제한되고 상기 버퍼 크기는 16G바이트이다. 상기 시스템은 위에서 설명한 것과 같은 ATLAS 상태를 지니고 그리고 줄무늬 마다 기계적 오버헤드는 17%이다. 16*32 mm 의 특정 패턴을 가정한다. 버퍼 되는 실제의 데이터양은 14Gb이고 웨이퍼 상에 필드의 19행이 있다. 따라서 그것은 하나의 패스에서 웨이퍼 상의 모든 필드를 기록하기 위해 19*(1+0.2) =23 초가 걸린다. 23초 동안 다음 버퍼는 래스터되어야만 하고, 이는 래스터 용량 14/23=0.6Gbyte/s 를 제공한다. 상기 래스터기는 미국 특허 출원 번호 09/954,721 에 설명되어 있고 그리고 개발에 따라 Micronic SIGMA 내부에서 실행되고 있다.
하나의 필드 이상이 동일한 웨이퍼 상에 프린트 되는 경우 필요로 되는 래스터링 용량은 비례하여 올라간다. 두 개의 다른 필드들은 1.6G바이트/s를 요구하고, 4개의 필드들은 2.4 G바이트/s 를 요구한다. 그러나 상기 래스터기 및 분할된 모듈은 매우 복잡한 패턴 이후 그리고 특정 디자인 파일과 함께 크기가 정해지며, 그것은 또한 0.6 Gbyte/s 를 지닌 웨이퍼 상에 4개의 다른 디자인을 기록하는 것이 가능하다.
제 2 실시예는 EUV 조명을 이용하고 그리고 웨이퍼 상에 12.5 nm의 픽셀 격자를 지닌다. 그것은 5kHz에서 업데이트 되는 2560*8196 거울들을 지닌 12 개의 SLM들을 지닌다. 상기 단계 속도는 160mm/s 이고 그리고 하나의 줄무늬는 기록을 위해 2초가 걸린다. 상기 버퍼 크기는 그 후 256G바이트 인 경우, 필요한 상기 래스터 용량은 단일 디자인을 위해 6,2 G바이트이다.
주장되는 방법을 실행할 수 있는 프로그램을 포함하는 마그네틱 메모리는 그러한 하나의 장치이다. 청구된 방법을 실행하는 프로그램과 함께 로드 되는 메모리를 지닌 컴퓨터 시스템은 또 다른 그러한 장치이다.

Claims (18)

  1. 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법으로서, 상기 방법은
    - 상기 워크피스의 다수의 위치에 이미징될 한개 이상의 이미지의 데이터 표현을 제공하는 단계,
    - 상기 데이터 표현을 다수의 필드 줄무늬들로 분할하는 단계,
    - 동작을 반복하는 단계로서,
    - 상기 데이터 표현의 제 1 필드 줄무늬를 래스터하는 동작,
    - 상기 래스터된 필드 줄무늬에 따라 변조기를 조정하는 동작,
    - 상기 워크피스의 다수의 위치에 상기 제 1 필드 줄무늬를 이미징하는 동작,
    - 상기 제 1 필드가 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 이미징 되는 동안 상기 데이터 표현의 제 2 필드 줄무늬를 래스터하는 동작
    을 반복하는 단계,
    - 상기 이미지의 미리 지정된 양이 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 이미징 되는 때 상기 반복을 종료하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 두 개의 연속한 스트로크에 속하는 상기 필드 줄무늬들은 서로 인접하지 않은 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 두 개의 연속한 스트로크에 속한 상기 필드 줄무늬 들은 서로 인접하는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 이미지는 상기 전자기파에 의해 조명되는 SLM을 이용하여 워크피스에 이미징 되는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 워크피스는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 이미지는 집적 회로를 표현하는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 두 개의 연속한 스트로크에 속하는 필드 줄무늬들은 워크피스 상의 반대 방향에서 이미징 되는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하기 위한 방법.
  8. 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법으로서, 상기 방법은
    - 상기 워크피스의 다수의 위치에 이미징될 한개 이상의 이미지의 데이터 표현을 제공하는 단계,
    - 상기 데이터 표현을 다수의 필드 줄무늬들로 분할하는 단계,
    - 동작을 반복하는 단계로서,
    - 상기 데이터 표현의 제 1 필드 줄무늬를 래스터하는 동작,
    - 상기 래스터된 필드 줄무늬에 따라 변조기를 조정하는 동작,
    - 상기 제 1 필드 줄무늬를 상기 워크피스의 다수의 위치로 이미징 하는 동작,
    - 상기 제 1 필드 줄무늬를 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 이미징 하는 동안 상기 데이터 표현의 제 2 필드 줄무늬를 래스터하는 동작
    을 반복하는 단계,
    - 미리 지정된 수의 이미지들이 상기 워크피스의 상기 다수의 위치로 이미징 될 때 상기 반복을 종료하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 두 개의 연속한 스트로크에 속하는 상기 필드 줄무늬들은 서로 인접하지 않는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 두 개의 연속한 스트로크에 속하는 상기 필드 줄무늬들은 서로 인접하는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 이미지는 상기 전자기파에 의해 조명되는 SLM을 이용하여 워크피스 상에 이미징되는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 워크피스는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 이미지는 집적 회로를 표시하는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법.
  14. 제 8 항에 있어서, 두 개의 연속한 스트로크에 속하는 필드 줄무늬들은 상기 워크피스의 반대 방향에서 이미징 되는 것을 특징으로 하는 전자기파에 감응하는 레이어로 부분적으로 커버되는 워크피스를 패터닝 하는 방법.
  15. 워크피스를 패터닝 하기 위한 장치로서, 상기 장치는
    -상기 워크피스 상에 기록될 하나 이상의 이미지의 데이터 표현을 저장하는 메모리,
    - 상기 데이터 표현을 다수의 필드 줄무늬들로 분할하기 위한 분할 장치,
    - 상기 필드 줄무늬를 래스터하기 위한 래스터 장치,
    - 래스터된 필드 줄무늬를 버퍼링하기 위한 두 개 이상의 버퍼 메모리,
    - 래스터된 데이터를 어느 버퍼 메모리에 기록할 것인지를 결정하기 위한 버퍼 기록 제어기,
    - 상기 워크피스 상에 이미징될 래스터된 데이터를 어느 버퍼 메모리로부터 판독할 것인지를 결정하기 위한 버퍼 판독 제어기,
    - 어느 필드 줄무늬를 라스터할 것인지, 래스터된 데이터를 언제 버퍼링할 것인지, 그리고, 상기 워크피스에 이미징될 데이터를 언제 판독할 것인지를 예약하기 위한 스케줄러(scheduler), 그리고,
    - 상기 워크피스 상의 다수의 위치에 이미징될 상기 래스터된 데이터에 따라 전자기파의 빔을 조정하기 위한 변조기(modulator)
    를 포함하고, 상기 장치는 상기 워크 피스에 필드 줄무늬를 이미징 하는 동안 또다른 필드 줄무늬를 래스터할 수 있는 것을 특징으로 하는 워크피스를 패터닝 하기 위한 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 워크피스는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 워크피스를 패터닝 하기 위한 장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 이미지는 집적 회로를 표현하는 것을 특징으로 하는 워크피스를 패터닝 하기 위한 장치.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 이미지는 상기 전자기파에 의해 조명되는 SLM을 이용하여 워크 피스 상에 이미징 되는 것을 특징으로 하는 워크피스를 패터닝 하기 위한 장치.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7317510B2 (en) 2004-12-27 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7965373B2 (en) 2005-06-28 2011-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load
CN101305323B (zh) * 2005-09-26 2011-03-30 麦克罗尼克激光系统公司 用于基于多种形式的设计数据的图案生成的方法和系统
JP5630634B2 (ja) * 2007-07-13 2014-11-26 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP5020745B2 (ja) * 2007-08-29 2012-09-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US8065638B2 (en) 2009-01-30 2011-11-22 Synopsys, Inc. Incremental concurrent processing for efficient computation of high-volume layout data
US8893061B2 (en) * 2009-01-30 2014-11-18 Synopsys, Inc. Incremental concurrent processing for efficient computation of high-volume layout data
CN102109614A (zh) * 2010-11-30 2011-06-29 中国石油集团川庆钻探工程有限公司 一种将地震资料绘制成图件的方法
CN102043166A (zh) * 2010-12-15 2011-05-04 中国石油集团川庆钻探工程有限公司 一种地震数据的处理方法
US8507159B2 (en) 2011-03-16 2013-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electron beam data storage system and method for high volume manufacturing
US8473877B2 (en) * 2011-09-06 2013-06-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Striping methodology for maskless lithography
JP5886979B2 (ja) * 2011-11-29 2016-03-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置用の所望のデバイスパターンのベクタ形式表現を変換する装置および方法、プログラマブルパターニングデバイスにデータを供給する装置および方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法
US8609308B1 (en) * 2012-05-31 2013-12-17 Taiwan Semicondcutor Manufacturing Company, Ltd. Smart subfield method for E-beam lithography

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5533170A (en) 1992-11-02 1996-07-02 Etec Systems, Inc. Rasterizer for a pattern generation apparatus
WO2001018606A1 (en) * 1999-09-09 2001-03-15 Micronic Laser Systems Ab Data path for high performance pattern generator
US6285488B1 (en) 1998-03-02 2001-09-04 Micronic Laser Systems Ab Pattern generator for avoiding stitching errors

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5533170A (en) 1992-11-02 1996-07-02 Etec Systems, Inc. Rasterizer for a pattern generation apparatus
US6285488B1 (en) 1998-03-02 2001-09-04 Micronic Laser Systems Ab Pattern generator for avoiding stitching errors
WO2001018606A1 (en) * 1999-09-09 2001-03-15 Micronic Laser Systems Ab Data path for high performance pattern generator

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