KR100861823B1

KR100861823B1 - Method for forming mask pattern

Info

Publication number: KR100861823B1
Application number: KR1020060135928A
Authority: KR
Inventors: 전승호
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2006-12-28
Filing date: 2006-12-28
Publication date: 2008-10-07
Also published as: KR20080061078A

Abstract

마스크 패턴 형성 방법이 개시된다. 이 방법은 마스크 패턴 구조에 있어서, (a) 수직 금속 라인으로 구성된 주패턴을 형성하는 단계, (b) 상기 수직 금속 라인 간에 존재하는 광 강도를 보상하기 위한 고스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.A method of forming a mask pattern is disclosed. The method includes, in a mask pattern structure, (a) forming a main pattern consisting of vertical metal lines, and (b) forming a ghost pattern to compensate for the light intensity existing between the vertical metal lines.

본 발명에 따르면, 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 수직 금속 라인으로 구성된 주 패턴 사이의 강 광도를 보상하기 위하여 수직 금속 라인 사이에 고스트 패턴을 형성함으로써, 주 패턴의 왜곡 현상과 홀 엔드(Hole End)가 커지는 현상을 방지하는 효과가 있다. According to the present invention, in forming the mask pattern, by forming a ghost pattern between the vertical metal lines to compensate for the intensity of the intensity between the main pattern consisting of the vertical metal line, the distortion of the main pattern and the hole end (Hole End) It is effective to prevent the phenomenon of increasing.

마스크 패턴, 고스트 패턴, 홀 엔드 Mask pattern, ghost pattern, hole end

Description

Method for forming mask pattern

도 1a와 도1b는 종래 기술의 OPC 마스크를 이용한 패터닝 공정에서의 레지스트 패턴 프로파일과 에치 바이어스의 관계를 나타낸 그래프이다.1A and 1B are graphs showing a relationship between a resist pattern profile and an etch bias in a patterning process using a conventional OPC mask.

도 2는 종래에 90nm Flash 레이어 디자인 및 상기 디자인으로 구현된 웨이퍼 이미지를 도시한 것이다.Figure 2 shows a conventional 90nm Flash layer design and a wafer image implemented with the design.

도 3은 본 발명에 의한 주 패턴에 고스트 이미지를 포함하여 형성한 패턴 및 상기 디자인으로 구현된 웨이퍼 이미지를 도시한 것이다.Figure 3 shows a pattern formed by including a ghost image in the main pattern according to the present invention and a wafer image implemented in the design.

본 발명은 마스크 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 특히, 마스크 패턴을 형성할 때, 고스트 패턴을 포함하여 강 광도를 보상해주는 마스크 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a mask pattern, and more particularly, to a method of forming a mask pattern including a ghost pattern to compensate for intensity of intensity when forming a mask pattern.

일반적으로 마스크 패턴 형성 기술은 반도체 기판에 형성되는 패턴의 정확도에 밀접한 영향을 준다. 특히, 마스크 패턴의 광 근접 효과를 정확히 고려하지 못하면, 리소그라피 본래 노광 의도와 달리 패턴 선폭 왜곡이 발생하여 선폭 선형성(Linearity)이 짧아지는 현상이 나타나, 반도체 소자 특성에 나쁜 영향을 많이 주게 된다. 이에 따라 개발된 반도체 포토 리소그라피 기술은 마스크 설계를 정교하게 해줌으로써, 마스크로 투광되어 나오는 빛의 양을 적절히 조절할 수 있게 되는데, 이를 위해 광학 근접 보상 기술(Optical Proximity Correcton)과 위상 반전 마스크 기술(Phase Shifting Mask) 등이 등장하고, 마스크에 그려진 패턴 형상에 의한 빛의 왜곡 현상을 최소화시킬 수 있는 여러 방안들이 모색되었다. 그리고 최근에는 패턴과 분리된 형태로 광근접 효과를 제어하는 보조 패턴(일종의 더미 패턴) 형성 기술도 해상도 개선에 많은 기여를 한다.In general, the mask pattern forming technique has a close influence on the accuracy of the pattern formed on the semiconductor substrate. In particular, if the optical proximity effect of the mask pattern is not accurately considered, the pattern line width distortion occurs due to the lithography original exposure intention, resulting in a shortening of the line width linearity, which adversely affects the semiconductor device characteristics. The semiconductor photolithography technology developed in this way can precisely control the amount of light projected by the mask by precisely designing the mask. For this, an optical proximity compensation technology and a phase reversal mask technology (Phase) Shifting Mask) appeared, and various ways to minimize the distortion of light due to the pattern shape drawn on the mask were sought. Recently, an auxiliary pattern (a kind of dummy pattern) forming technology that controls the optical proximity effect in a form separated from the pattern also contributes to the improvement of the resolution.

일반적으로 반도체 장치를 제조하기 위해서 사용되는 포토 공정은 패턴을 형성하기 위해서 필연적으로 포토 공정용 마스크가 필요하다. 이러한 포토공정용 마스크는 표면에 빛을 차광하는 차광 물질로 형성된 막 위에 제작하고자 하는 집적회로의 다양한 형태의 패턴들을 형성하여 빛을 선택적으로 투과할 수 있도록 제작되어 있다. 그리하여 포토 공정의 정렬노광시 원하는 패턴이 포토 레지스트에 정확히 전사되도록 한다. 이러한 마스크 제작 방법은, 반도체 장치의 회로 선폭이 좁아지고 이에 따라서 노광용 광원의 파장이 짧아짐에 따라, 포토 마스크 상에 형성된 패턴들끼리 상호 간섭을 하여 실제 원하는 선폭이 제대로 형성되지 않는 단점이 있다. Generally, the photo process used for manufacturing a semiconductor device inevitably requires a photo process mask in order to form a pattern. Such a photo process mask is formed to selectively transmit light by forming patterns of various types of integrated circuits to be manufactured on a film formed of a light blocking material that shields light on a surface thereof. Thus, during the alignment exposure of the photo process, the desired pattern is accurately transferred to the photo resist. Such a mask fabrication method has a disadvantage in that, as the circuit line width of the semiconductor device is narrowed and thus the wavelength of the light source for exposure is shortened, the patterns formed on the photo masks interfere with each other, thereby not actually forming a desired line width.

즉, 비교적 선폭이 세밀한 선형의 패턴은 주변의 패턴 밀도에 따라서 선폭이 영향을 받게 되는데, 마스크 상에는 정상적인 선폭으로 패턴이 되었다 하더라도, 실제 포토 공정에서 노광을 하여 포토 레지스트에 패턴을 형성하면, 패턴 크기가 달라지게 된다. 이러한 문제를 해결하여 패턴의 선폭이 정확하게 전사되도록 하기 위해서 현재 적용되고 있는 기술은 OPC(Optical Proximity Correction) 기술이다. 즉, 실제 패턴과 정렬 노광 후에 실제로 포토 레지스트에 형성되는 패턴 크기 사이의 관계를 통계적 또는 실험적으로 계산하여 이 계산에 따라 포토 마스크 상의 패턴 크기를 미리 조정하여 그에 맞게 패턴을 형성하는 방법이다. In other words, a linear pattern having a relatively fine line width is affected by the pattern density of the surroundings. Even if the pattern has a normal line width on the mask, when the pattern is formed on the photoresist by exposure in the actual photo process, the pattern size Will be different. To solve this problem and to ensure that the line width of the pattern is accurately transferred, the currently applied technology is OPC (Optical Proximity Correction) technology. That is, the relationship between the actual pattern and the pattern size actually formed in the photoresist after the alignment exposure is calculated statistically or experimentally, and the pattern size on the photomask is adjusted in advance according to this calculation to form the pattern accordingly.

이하에서 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 OPC 마스크 제조 기술에 관하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, an OPC mask manufacturing technique of the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a와 도1b는 종래 기술의 OPC 마스크를 이용한 패터닝 공정에서의 레지스트 패턴 프로파일과 에치 바이어스의 관계를 나타낸 그래프이다. OPC 모델링의 정확도를 결정하는 인자에는 OPC 모델링의 정확도(Optical Modeling accuracy)와 안정적인 식각 프로세스(Etch process) 즉, 일정한 식각 바이어스(etch bias)이다. OPC 모델링의 정확도는 포토 프로세스 마진(Photo process margin)을 고려한 룰(Rule)이 셋업되면 마스크의 종류에 따라 재현성에 영향을 줄만한 인자는 거의 없다. 하지만, 식각 바이어스는 마스크가 바뀔 경우에는 OPC 정밀도에 영향을 주는 경우가 많다. 마스크에 따른 차이는 패턴 밀도(Pattern Density)의 차이를 의미하는데 이 차이에 의해서 포토 프로세스의 정확성은 거의 영향을 받지 않지만, 식각 바이어스는 패턴 치수(Critical Dimension)가 작아짐에 따라 영향을 크게 받는다. 그 이유는 패턴 치수가 작아짐으로써 실제 포토레지스트 프로파일의 슬로프가 작아지게 되고, 식각 프로세스를 진행할 때 패턴의 에지 부분에서 레지스트의 식각 저지능력(etch resistance)이 작아지는 것에 의해 식각 공정의 여유도가 감소하기 때문이다. 1A and 1B are graphs showing a relationship between a resist pattern profile and an etch bias in a patterning process using a conventional OPC mask. Factors that determine the accuracy of OPC modeling are OPC modeling accuracy (Optical Modeling accuracy) and a stable etching process (that is, a constant etch bias). The accuracy of OPC modeling is rarely a factor that affects reproducibility depending on the type of mask when a rule is set up considering the photo process margin. However, etch bias often affects OPC precision when the mask changes. The difference according to the mask means the difference in the pattern density, and the accuracy of the photo process is hardly affected by the difference, but the etching bias is greatly affected by the decrease in the critical dimension. The reason is that the smaller the pattern dimension, the smaller the slope of the actual photoresist profile, and the etch resistance of the resist decreases at the edge portion of the pattern during the etching process, thereby reducing the margin of the etching process. Because.

이와 같이 디바이스의 제조 기술이 발전할수록 구현해야 될 CD(Critical Dimension)는 작아지게 되고 공정 여유도 역시 작아지게 됨으로써 예전 제조기술에는 중요하지 않던 부분이 점점 더 중요하게 된다. 그 중에 직접적으로 OPC 정밀도에 영향을 미치는 식각 프로세스의 식각 바이어스가 중요하다. As the manufacturing technology of the device advances, the critical dimension (CD) to be implemented becomes smaller, and the process margin also becomes smaller, so that parts which are not important to the previous manufacturing technology become more important. Among them, the etching bias of the etching process that directly affects OPC precision is important.

도 1a와 도 1b에서와 같이, 리소그래프 프로세스가 식각 바이어스에 영향을 주는 인자에는 포토레지스트의 종류, 레지스트 패턴의 프로파일, 마스크 내의 패턴 밀도 등을 들 수 있는데, 포토레지스트의 종류는 프로세스 셋업이 이루어지면 변하지 않는 인자이므로 레지스트 패턴의 프로파일과 마스크 내의 패턴 밀도 등이 OPC 정밀도에 영향을 미치게 된다. As shown in FIGS. 1A and 1B, factors affecting the etch bias of the lithographic process may include the type of photoresist, the profile of the resist pattern, and the pattern density in the mask. Since the surface does not change, the profile of the resist pattern and the pattern density in the mask affect the accuracy of the OPC.

즉, 레지스트 패턴의 지수가 작아지면서 레지스트 슬로우프 역시 작아지는데, 식각 프로세스에서 배리어(barrier) 역할을 하는 레지스트의 양이 패턴 에지에서 상대적으로 적어져 식각 바이어스를 증가시킨다. In other words, as the index of the resist pattern decreases, the resist sweep also decreases, and the amount of resist serving as a barrier in the etching process is relatively small at the pattern edge, thereby increasing the etching bias.

또한, OPC 모델을 위해 사용했던 레티클과 OPC 모델을 사용하여 제작한 마스크(Production Mask) 간에 마스크 패턴 밀도(Mask pattern density)가 다르면 식각 프로세스 후에 패턴 별 바이어스가 달라지는 경우가 발생하고 식각 프로세스에서 사용되는 레시피(Recipe)의 종류에 따라 일정한 오프셋 차이를 갖고 비슷한 경향을 나타낸다. In addition, if the mask pattern density is different between the reticle used for the OPC model and the mask produced using the OPC model, the bias for each pattern may be different after the etching process, and may be used in the etching process. There is a constant offset difference according to the recipe type and shows a similar tendency.

특정 기술 노드(Technology node)의 OPC 룰 셋업이 이루어지면 항상 같은 OPC 룰을 여러 커스터머 DB에 적용하는 것이 가장 이상적인 방법이고 시간을 절약할 수 있지만, 0.13um 이하의 디바이스에서는 마스크가 바뀌면 같은 OPC 룰을 적용 하는데 어려움이 있었다. 그 이유는 마스크 내의 패턴 밀도(Pattern Density)가 다름으로 인해 식각 공정을 진행한 후에 CD(Critical Dimension)가 영향을 크게 받기 때문이다. Once the OPC rule is set up for a particular technology node, it is always ideal to apply the same OPC rule to multiple customer databases and save time.However, if the mask changes, the same OPC rule is applied to devices below 0.13um. There was a difficulty in applying. This is because the CD (Critical Dimension) is greatly affected after the etching process due to the different pattern density in the mask.

도 2는 종래에 90nm Flash 레이어 디자인 및 상기 디자인으로 구현된 웨이퍼 이미지를 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 실제 설계한 패턴(20)과 구현된 웨이퍼 이미지(24)를 비교할 때, 패턴의 왜곡현상이 심하게 발생하였음을 알 수 있다. 또한 홀 엔드(Hole End)가 커지는 현상이 발생하였다. 이와 같은, OPC 모델의 정확도가 떨어짐에 의하여 발생하는 패턴 왜곡(Pattern Deform) 현상 및 홀 엔드(Hole End)가 커지는 현상을 방지하는 고스트 패턴(Ghost Pattern)의 적용이 요구된다.Figure 2 shows a conventional 90nm Flash layer design and a wafer image implemented with the design. Referring to FIG. 2, when comparing the actually designed pattern 20 and the implemented wafer image 24, it can be seen that the distortion of the pattern occurred severely. In addition, the phenomenon that the hole end (Hole End) is large. As described above, the application of a ghost pattern that prevents a pattern distortion phenomenon and a phenomenon in which a hole end is enlarged due to a decrease in the accuracy of the OPC model is required.

따라서, 본 발명의 목적은 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 수직 금속 라인으로 구성된 주 패턴 사이의 강 광도를 보상하기 위하여 수직 금속 라인 사이에 고스트 패턴을 형성함으로써, 주 패턴의 왜곡 현상과 홀 엔드(Hole End)가 커지는 현상을 방지하도록 하는 마스크 패턴 형성 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to form a mask pattern, by forming a ghost pattern between the vertical metal lines to compensate the intensity between the main pattern consisting of vertical metal lines, thereby causing distortion of the main pattern and hole end (Hole) It is to provide a mask pattern forming method for preventing the phenomenon that the end) increases.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 마스크 패턴 구조에 있어서, (a) 수직 금속 라인으로 구성된 주패턴을 형성하는 단계, (b) 상기 수직 금속 라인 간에 존재하는 광 강도를 보상하기 위한 고스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the mask pattern structure, (a) forming a main pattern consisting of vertical metal lines, (b) ghost pattern for compensating the light intensity existing between the vertical metal lines Forming a step.

바람직하게는, 고스트 패턴은 수평 폭이 40nm ~ 60nm 인 것을 특징으로 한다.Preferably, the ghost pattern is characterized in that the horizontal width is 40nm ~ 60nm.

바람직하게는, 고스트 패턴은 광 강도의 강도를 고려하여 상기 수평 폭의 길이가 조절되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the ghost pattern is characterized in that the length of the horizontal width is adjusted in consideration of the intensity of the light intensity.

바람직하게는, (c) 리소그래피 투영장치에서 상기 마스크 패턴의 투영시에 생성될 수도 있는 에어리얼 이미지를 시뮬레이션 하는 단계, (d) 주 패턴과 그 시뮬레이션 된 에어리얼 이미지를 비교하는 단계, (e) 마스크 패턴을 수정하여 그 수정된 마스크 패턴의 수정된 에어리얼 이미지가 상기 마스크 패턴에 더욱 가깝게 형상화되는 것을 특징으로 한다.Preferably, (c) simulating an aerial image, which may be generated upon projection of the mask pattern in a lithographic projection apparatus, (d) comparing the main pattern with the simulated aerial image, (e) a mask pattern The modified aerial image of the modified mask pattern is shaped to be closer to the mask pattern.

바람직하게는, (c) 내지 (e) 단계는 그 비교 결과가 사전설정된 임계값 이하가 될 때까지 반복되는 것을 특징으로 한다.Preferably, steps (c) to (e) are repeated until the comparison result is less than or equal to a predetermined threshold.

본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above and other objects and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the present invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3을 참조하면, 주 패턴(31, 32)의 수직 금속 라인 간에 존재하는 광 강도를 보상하기 위해서, 도 3에 도시하는 바와 같이 고스트 패턴(34)을 포함시킨다. 여기서, 고스트 패턴은 수평 폭이 40nm ~ 60nm 내에서 조절한다. 이때, 고스트 패턴은 광 강도의 강도를 고려하여 상기 수평 폭의 길이를 조절한다. 그 결과 시뮬레이션 결과는 도 3의 36과 같고, 에이리얼 이미지가 도3의 38과 같이 나타난다. 에이리얼 이미지(38)를 참조하면, 주 패턴(31, 32)에 삽입되었던 고스트 패턴(34)은 형성되지 않았고, 홀 엔드(Hole End)는 커졌으며, 홀의 원형성(Circularity)는 향상되었음을 알 수 있다. Referring to FIG. 3, a ghost pattern 34 is included as shown in FIG. 3 to compensate for the light intensity existing between the vertical metal lines of the main patterns 31 and 32. Here, the ghost pattern is adjusted within the horizontal width of 40nm ~ 60nm. In this case, the ghost pattern adjusts the length of the horizontal width in consideration of the intensity of the light intensity. As a result, the simulation result is as shown in 36 of FIG. 3, and the actual image is shown as 38 in FIG. 3. Referring to the actual image 38, it can be seen that the ghost pattern 34 inserted in the main patterns 31 and 32 was not formed, the hole end was enlarged, and the circularity of the hole was improved. have.

이와 같은 향상된 에이리얼 이미지(38)를 얻기 까지, 리소그래피 투영장치에서 상기 마스크 패턴(30)의 투영시에 생성될 수도 있는 에어리얼 이미지(38)를 시뮬레이션 하는 단계와 주 패턴(31,32)과 그 시뮬레이션 된 에어리얼 이미지(38)를 비교하는 단계와 마스크 패턴(30)을 수정하여 그 수정된 마스크 패턴(30)의 수정된 에어리얼 이미지(38)가 상기 마스크 패턴에 더욱 가깝게 형상화하는 단계를 반복한다. 이 반복은 에이리얼 이미지(38)와 마스크 패턴(30)의 비교 결과가 사전설정된 임계값 이하가 될 때까지 반복한다. Simulating the aerial image 38, which may be generated in the projection of the mask pattern 30 in the lithographic projection apparatus, and the main pattern 31, 32 and its simulation, until such an improved aerial image 38 is obtained. Comparing the modified aerial image 38 and modifying the mask pattern 30 to shape the modified aerial image 38 of the modified mask pattern 30 closer to the mask pattern. This iteration is repeated until the result of the comparison of the actual image 38 and the mask pattern 30 is less than or equal to a predetermined threshold.

상기 고스트 패턴(34)은 광 근접성 효과를 보정하기 위한 것이다. 현상된 이미지를 수정하지만, 그 현상된 이미지에서는 고스트 패턴(34)이 나타나지 않는다. 즉, 고스트 패턴(34) 자체는 레지스트에 프린트되지 않아야 한다. 이는 임계 치수(CD)보다 훨씬 더 작은 고스트 패턴(34)을 만듦으로써 달성된다. 따라서, 고스트 패턴(34) 주위의 회절로 인해, 에어리얼 이미지(38)의 콘트라스트가 감소된다. 그 후 원하는 프린팅 패턴들(주 패턴들, 예컨대 현상된 레지스트에 생성되도록 의도된 마크들 또는 타겟들)이 레지스트를 노광시키지만 고스트 패턴(34)들은 그렇지 않도록 노광 도즈 및 레지스트 임계값이 선택된다. 하지만, 몇가지 경우에서, 고스트 패턴(34)들은 실제로 레지스트 임계값을 초과할 수도 있지만, 이들은 레지스트의 현상시에 씻겨 나가게(washed away) 된다는 것을 유의하여야 한다. The ghost pattern 34 is for correcting the optical proximity effect. Correct the developed image, but the ghost pattern 34 does not appear in the developed image. That is, the ghost pattern 34 itself should not be printed on the resist. This is achieved by making a ghost pattern 34 that is much smaller than the critical dimension CD. Thus, due to the diffraction around the ghost pattern 34, the contrast of the aerial image 38 is reduced. The exposure dose and resist threshold are then selected such that the desired printing patterns (main patterns, such as marks or targets intended to be created in the developed resist) expose the resist while the ghost patterns 34 do not. However, in some cases it should be noted that while the ghost patterns 34 may actually exceed the resist threshold, they are washed away upon development of the resist.

고스트 패턴(34) 들은 주패턴(31, 32) 들과 동일한 페이즈(phase) 또는 아웃 오브 페이즈(out of phase)중 어느 하나를 가질 수도 있다. 아웃-오브-페이즈 고스트 패턴(34)들은 네거티브-그레이(negative gray)인 것으로 설명될 수도 있다. 고스트 패턴(34)들의 페이즈를 조정하는 선택사항(option)은 고스트 패턴(34)들을 제공하는 데 추가 유연성을 제공한다. The ghost patterns 34 may have either the same phase or out of phase as the main patterns 31 and 32. The out-of-phase ghost patterns 34 may be described as being negative gray. The option of adjusting the phase of the ghost patterns 34 provides additional flexibility in providing the ghost patterns 34.

1 이상의 중간 세기 레벨들을 갖는 고스트 패턴(34)을 정의함으로써, 고스트 패턴(34)들의 치수(dimension)상의 제약(constraint)들이 감소되거나 제거된다. 중간 세기 레벨이 레지스트 임계값보다 작은 경우, 즉 레지스트를 현상하기 위한 주어진 노광에 충분하지 않은 경우, 고스트 패턴(34)은 주 패턴(31, 32)들 만큼 크게 만들어질 수 있다. 중간 세기 레벨이 레지스트 임계값보다 높은 경우일 지라도, 주 패턴(31, 32)들과 동일한 레베로 정의된 경우보다 크게 고스트 패턴(34)이 만들어 질수 있으며, 여전히 현상된 이미지에서는 보이지 않는다. By defining a ghost pattern 34 having one or more intermediate intensity levels, the constraints on the dimensions of the ghost patterns 34 are reduced or eliminated. If the intermediate intensity level is smaller than the resist threshold, i.e., not sufficient for a given exposure to develop the resist, the ghost pattern 34 can be made as large as the main patterns 31, 32. Even if the medium intensity level is higher than the resist threshold, the ghost pattern 34 can be made larger than if defined by the same level as the main patterns 31 and 32, and still not visible in the developed image.

상기 '투영 장치'라는 용어는, 예를 들어 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절한, 굴절 광학 시스템, 반사 광학 시스템, 및 카타디옵트릭 광학 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. The term 'projection device' is suitable for, for example, exposure radiation to be used or for other factors such as the use of an immersion fluid or the use of a vacuum, refractive optical system, reflective optical system, and It should be interpreted broadly as encompassing various types of projection systems, including catadioptric optical systems.

리소그래피 투영장치는 2개(듀얼 스테이지)이상의 기판 테이블(및/또는 2이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장 치에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. The lithographic projection apparatus may be of a type having two (dual stage) or more substrate tables (and / or two or more mask tables). In such "multiple stage" devices additional tables may be used in parallel, or preparatory steps may be carried out on one or more tables while one or more other tables are being used for exposure.

또한 리소그래피 장치는, 투영 시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 기판을 침지시키는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장체에서, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이의 다른 공간들에도 적용될 수 있다. 침지 기술(immersion technique)은 투영시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 해당 기술 분야에 잘 알려져 있다. 또한 이 장치에는 유체와 기판의 조사된 부분(irridiated part) 들과의 상호작용(interaction)을 허용하는(예컨대, 기판에 화학제(chemicals)를 선택적으로 도포하거나 또는 기판의 표면 구조를 선택적으로 수정하는) 유체 처리 셀(fluid processing cell)이 제공될 수도 있다. The lithographic apparatus can also be constructed in the form of immersing the substrate in a liquid (eg water) having a relatively high refractive index to fill the space between the final element of the projection system and the substrate. Immersion liquids can also be applied in lithographic bodies, for example in other spaces between the mask and the first element of the projection system. Immersion techniques are well known in the art for increasing the numerical aperture of projection systems. The device also includes the selective application of chemicals to the substrate or the modification of the surface structure of the substrate to allow for interaction of the fluid with irradiated parts of the substrate. Fluid processing cells may be provided.

이상의 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 제시하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함을 것을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.In the above description has been described by presenting a preferred embodiment of the present invention, but the present invention is not necessarily limited thereto, and those skilled in the art to which the present invention pertains have various scope within the technical spirit of the present invention. It will be readily understood that branch substitutions, modifications and variations are possible.

본 발명에 따르면, 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 수직 금속 라인으로 구성된 주 패턴 사이의 강 광도를 보상하기 위하여 수직 금속 라인 사이에 고스트 패턴을 형성함으로써, 주 패턴의 왜곡 현상과 홀 엔드(Hole End)가 커지는 현상을 방지하는 효과가 있다.According to the present invention, in forming the mask pattern, by forming a ghost pattern between the vertical metal lines to compensate for the intensity of the intensity between the main pattern consisting of the vertical metal line, the distortion of the main pattern and the hole end (Hole End) It is effective to prevent the phenomenon of increasing.

Claims

delete

In the method of forming a mask pattern,

(a) forming a main pattern composed of vertical metal lines;

(b) forming a ghost pattern to compensate for the light intensity present between the vertical metal lines;

(c) simulating an aerial image generated upon projection of the mask pattern in a lithographic projection apparatus;

(d) comparing the main pattern with its simulated aerial image; And

(e) modifying the mask pattern such that the modified aerial image of the modified mask pattern is shaped closer to the mask pattern

Mask pattern forming method comprising a.

The method of claim 4, wherein

(C) to (e) are repeated until the comparison result is less than a predetermined threshold value.