KR100854080B1 - Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma - Google Patents

Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma Download PDF

Info

Publication number
KR100854080B1
KR100854080B1 KR1020080004173A KR20080004173A KR100854080B1 KR 100854080 B1 KR100854080 B1 KR 100854080B1 KR 1020080004173 A KR1020080004173 A KR 1020080004173A KR 20080004173 A KR20080004173 A KR 20080004173A KR 100854080 B1 KR100854080 B1 KR 100854080B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tube
exhaust gas
insulated tube
voltage electrode
atmospheric pressure
Prior art date
Application number
KR1020080004173A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
채영민
조준석
Original Assignee
(주) 이이시스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 이이시스 filed Critical (주) 이이시스
Priority to KR1020080004173A priority Critical patent/KR100854080B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100854080B1 publication Critical patent/KR100854080B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816Pressure
    • H01J37/32825Working under atmospheric pressure or higher
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/32Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
    • B01D53/323Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00 by electrostatic effects or by high-voltage electric fields
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2259/00Type of treatment
    • B01D2259/80Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
    • B01D2259/818Employing electrical discharges or the generation of a plasma
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

An exhaust gas processing apparatus using atmospheric plasma is provided to prevent a solid deposit from being stuck to the inner wall of an exhaust pipe by analyzing and exhausting the composition of gas exhausted from an exhaust pipe of a bake apparatus. An insulation pipe(100) is connected to an exhaust pipe(40) in a manner that exhaust gas can pass. A high voltage electrode part(200) is installed in the inner or outer portion of the insulation pipe, separated from the end of the insulation pipe. A low voltage electrode part(300) is installed in the inner or outer portion of the insulation pipe, separated from the high voltage electrode part and the end of the insulation pipe. A power part(400) applies a voltage to a gap between the high voltage electrode part and the low voltage electrode part. The high voltage electrode part and the low voltage electrode part can be installed in the inner portion of the insulation pipe.

Description

상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치{APPARATUS FOR TREATING EXHAUST GAS USING ATMOSPHERIC PLASMA} Exhaust gas treatment system using atmospheric pressure plasma {APPARATUS FOR TREATING EXHAUST GAS USING ATMOSPHERIC PLASMA}

본 발명은 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 관한 것으로서, 특히 베이크장치의 배기관을 통해 배출되는 배기가스의 성분을 처리하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma, and more particularly, to an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma for treating components of exhaust gas discharged through an exhaust pipe of a baking apparatus.

일반적으로 반도체 소자의 고집적화에 따라 회로 패턴의 사이즈는 더욱 미세화되면서 포토리소그라피(photolithography) 공정의 각종 파라미터(parameter)들의 관리는 더욱더 엄격하게 관리되고 있다. In general, as the size of the circuit pattern becomes smaller with increasing integration of semiconductor devices, management of various parameters of the photolithography process is more and more strictly managed.

포토리소그라피 공정은 웨이퍼 상에 감광막을 도포하는 단계, 감광막에 회로 패턴의 빛을 노출시키는 단계, 상기 빛에 노출된 웨이퍼를 현상하는 단계로 이루어지며 각각의 단계 사이에 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하는 베이크(bake) 단계를 수행하게 된다. The photolithography process consists of applying a photoresist film on the wafer, exposing the light of the circuit pattern to the photoresist film, and developing the wafer exposed to the light, and baking the wafer to a constant temperature between each step. will perform the (bake) step.

이와 같은 포토리소그라피 공정을 수행하기 위해 각 단계별로 필요한 장치들, 예를 들어 도포장치, 노광장치, 현상장치 및 베이크장치 등이 사용되며, 최근에는 상기 도포장치, 현상장치 및 베이크장치를 하나의 장소에 밀집시켜 이동거리 와 시간을 줄임으로써 공정의 효율화를 도모한 밀집 시스템(clustered system)의 사용이 점차 증가하고 있는 추세이다. In order to perform the photolithography process, apparatuses necessary for each step, for example, a coating apparatus, an exposure apparatus, a developing apparatus, and a baking apparatus, are used, and recently, the coating apparatus, the developing apparatus, and the baking apparatus are located in one place. Increasingly, the use of clustered systems, which aim to streamline the process by reducing the travel distance and time, is increasing.

한편, 상술한 베이크 단계는 웨이퍼에 감광막을 도포하기 전에 수행하는 프리베이크(pre bake), 감광막의 도포 후에 진행하는 소프트베이크(soft bake 또는 pre exposure bake), 노광단계를 거친 후에 진행하는 노광후베이크(post exposurebake), 식각 또는 이온주입 공정 전에 진행하는 하드베이크(hard bake)가 있다. On the other hand, the above-described bake step is a pre bake performed before the photosensitive film is applied to the wafer, a soft bake or pre exposure bake performed after the photosensitive film is applied, and a post-exposure bake performed after the exposure step. (post exposurebake), there is a hard bake (etch) before the etching or ion implantation process.

여기서, 상기 소프트베이크 공정은 감광제 도포 후에 감광제의 성분 중 용제(solvent)를 제거하기 위한 목적으로 진행되는 공정이며, 일반적으로 100 ~ 140℃ 정도의 고온으로 유지되는 핫플레이트(hot plate) 위에 감광제가 도포된 웨이퍼를 일정시간 놓아 용제를 제거하는 단계이다. 이러한 소프트베이크 공정을 통해서 감광제 내에 포함된 휘발성 용제는 배기 라인을 통하여 배기되고, 감광막은 안정화되는 것이다. In this case, the soft bake process is a process for removing the solvent (solvent) of the components of the photosensitive agent after the photosensitive agent is applied, and the photosensitive agent is generally placed on a hot plate maintained at a high temperature of about 100 ~ 140 ℃ The solvent is removed by leaving the coated wafer for a certain time. Through this soft baking process, the volatile solvent contained in the photosensitive agent is exhausted through the exhaust line, and the photosensitive film is stabilized.

이때, 용제로 사용되는 물질의 일예로 에톡시에틸아세틸린(ethoxyethyl acetylene, 화학식:C2H12O3)이 있으며, 이 외에도 PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate), EGMEA(ethylene glycol monoethylether acetate), MMP(methyl-3-methoxypropionate) 등이 있다. 이러한 용제들은 휘발성 물질로서 감광제의 다른 성분인 레진(resin), PAC(photo active compound) 등을 녹인다. At this time, an example of the material used as a solvent is ethoxyethyl acetylene (C 2 H 12 O 3 ), in addition to PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), EGMEA (ethylene glycol monoethylether acetate), MMP (methyl-3-methoxypropionate). These solvents are volatiles that dissolve other components of the photoresist, such as resin and photo active compounds.

한편, 도 1은 통상의 베이크장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 베이크장치의 배기관을 나타내는 사시도이다. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a conventional baking apparatus, and FIG. 2 is a perspective view showing an exhaust pipe of the baking apparatus of FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 통상의 베이크장치는 감광제가 도포된 웨이퍼가 안착되는 원통형의 핫플레이트(10), 상기 핫플레이트를 가열하기 위한 가열수단(미도시), 상측이 개방되어 상기 핫플레이트(10)의 외부를 둘러싸도록 구비되는 베이크챔버(20), 상기 베이크챔버(20)의 상부를 덮도록 구비되는 원판형의 덮개부(30), 상기 덮개부(30)와 연통되도록 형성된 배기관(40)으로 이루어진다. As shown in FIG. 1, a conventional baking apparatus includes a cylindrical hot plate 10 on which a wafer coated with a photosensitive agent is mounted, a heating means (not shown) for heating the hot plate, and an upper side thereof is opened to open the hot plate. A baking chamber 20 provided to surround the outside of the 10, a disc shaped cover portion 30 provided to cover the upper portion of the baking chamber 20, and an exhaust pipe formed to communicate with the cover portion 30 ( 40).

따라서 감광제가 도포된 웨이퍼가 상기 가열된 핫플레이트(10)에 놓인 상태에서 일정시간 동안 소프트베이크 공정이 진행된다. 이러한 소프트베이크 공정 단계에서 웨이퍼의 상면에 도포된 감광제의 휘발성 성분인 용제와 포토레지스트 레진(이하, "PR레진"으로 통칭함)이 증발하여 상기 덮개부(30)와 연통된 배기관(40)을 통하여 빠져나가게 된다. Therefore, the soft bake process is performed for a predetermined time while the photosensitive agent-coated wafer is placed on the heated hot plate 10. In this soft bake process step, a solvent and a photoresist resin (hereinafter referred to as "PR resin"), which are volatile components of the photoresist applied to the upper surface of the wafer, are evaporated to communicate the exhaust pipe 40 in communication with the cover part 30. Passed through.

그러나 여러 번의 소프트베이크 공정이 진행됨에 따라 웨이퍼로부터 증발된 용제 및 PR레진은, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 배기관(40)의 내벽에 점차 고착되고, 이렇게 고착되는 고체침전물(A)을 주기적으로 제거하지 않을 경우 배기관(40)이 막히거나, 온도조절을 위한 배기관 개폐시 적정한 제어가 이루어지지 않는 문제점이 있다. However, the solvent and the PR resin evaporated from the wafer as the several soft bake processes progress, are gradually fixed to the inner wall of the exhaust pipe 40, as shown in Figure 2, and periodically fixed solid precipitate (A) If not removed, there is a problem that the exhaust pipe 40 is blocked, or proper control is not made when opening and closing the exhaust pipe for temperature control.

또한, 상기 문제점으로 인하여 전체 베이크장치의 공정 수율이 저하되고, 일정한 양산을 위한 수율 관리가 용이하지 않으며, 주기적 배기관(40)을 청소하여야하는 번거로움이 발생하므로, 전체 반도체 장비의 수율을 저하하는 문제점을 유발한다. In addition, the process yield of the entire baking device is lowered due to the above problems, the yield management for a constant mass production is not easy, and the trouble of having to clean the periodic exhaust pipe 40 occurs, thereby reducing the yield of the entire semiconductor equipment. Cause problems.

또한, 주기적으로 배기관(40)을 청소하는 작업으로 인해 베이크장치의 정기적인 휴지 기간 발생하여 반도체 생산성이 저하되고, 유지보수 비용이 지속적으로 발생하는 문제점이 있다.In addition, there is a problem that the periodic productivity of the baking apparatus due to the operation of periodically cleaning the exhaust pipe 40, the semiconductor productivity is lowered, and the maintenance cost is continuously generated.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 상압 플라즈마를 이용하여 베이크장치의 배기관을 통해 배출되는 배기가스의 성분을 분해하여 배출함에 따라 배기관 내벽에 고체 침전물이 고착되는 것을 방지하고, 배기가스에 포함된 유기화합물이 그대로 대기 중에 방출되는 것을 방지하여 환경오염이 발생하지 않도록 할 수 있는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치를 제공한다.The present invention has been made in view of the above problems, by using a normal pressure plasma to decompose and discharge the components of the exhaust gas discharged through the exhaust pipe of the baking apparatus to prevent the solid deposits fixed on the inner wall of the exhaust pipe, exhaust Provided is an exhaust gas treating apparatus using an atmospheric pressure plasma which can prevent the organic compound contained in the gas from being released into the air as it is so that environmental pollution does not occur.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 베이크(bake)장치의 배기관에 장착되되, 상기 배기가스가 통과되도록 상기 배기관과 연결되는 절연관; 상기 절열관의 내측부 또는 외측부에 구비되는 고압전극부; 상기 고압전극부와 이격되어 상기 절연관의 내측부 또는 외측부에 구비되는 저압전극부; 및 상기 고압전극부와 저압전극부의 사이에 전압을 인가하는 전원부;를 포함한다. In order to achieve this technical problem, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the present invention is mounted to the exhaust pipe of the bake (bak) device, the insulated pipe connected to the exhaust pipe so that the exhaust gas passes; A high voltage electrode unit provided at an inner side or an outer side of the heat pipe; A low voltage electrode part spaced apart from the high voltage electrode part and provided on an inner side or an outer side of the insulation tube; And a power supply unit applying a voltage between the high voltage electrode part and the low pressure electrode part.

바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode part may be provided on the inner side of the insulated tube, and the low pressure electrode part may be provided on the outer side of the insulated tube.

더욱 바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 내측부 중심축선 상에 봉형태로 고정설치되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측표면에 코팅 또는 도포되어 구비될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode part may be fixedly installed in the shape of a rod on the inner central axis of the insulated tube, and the low pressure electrode part may be coated or coated on the outer surface of the insulated tube.

더욱 바람직하게, 상기 절연관은 장(長)절연관과 단(短)절연관이 서로 연접 하여 구성되며, 상기 고압전극부의 일단부가 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되고, 상기 고압전극부의 타단부가 상기 장(長)절연관의 내부공간 중심축선을 따라 연장형성될 수 있다. More preferably, the insulated tube is formed by connecting a long insulated tube and a short insulated tube to each other, and one end of the high voltage electrode part is connected to the long insulated tube and the short insulated tube. The other end of the high voltage electrode part may be fixed along a central axis of the inner space of the long insulating tube.

더욱 바람직하게, 상기 고압전극부의 일단에는 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부가 형성되고, 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에는 상기 십자형 결합부에 대응되는 결합홈이 각각 형성될 수 있다. More preferably, at one end of the high voltage electrode portion, a cross-shaped coupling portion is formed to be fixed to the connection portion between the long insulated tube and the short insulated tube, and the long insulated tube and the short insulated tube are formed. Connection portions of the coupling grooves corresponding to the cross-shaped coupling portion may be formed respectively.

바람직하게, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 상기 절연관의 외측표면을 소정간격마다 감싸는 다수의 링이 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다. Preferably, the low voltage electrode unit is any one of a cylindrical shape surrounding the outer surface of the insulated tube or a coil type wound around the outer surface of the insulated tube or a ring type connected to a plurality of rings surrounding the outer surface of the insulated tube at predetermined intervals. It may be formed in the form of.

바람직하게, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 저압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성될 수 있다. Preferably, a ceramic coating layer may be formed on the outer surface of the insulator tube to cover the low pressure electrode.

바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode part may be provided at an outer side of the insulator tube, and the low pressure electrode unit may be provided at an inner side of the insulator tube.

더욱 바람직하게, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 내측부 중심축선 상에 봉형태로 고정설치되고, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측표면에 코팅 또는 도포되어 구비될 수 있다. More preferably, the low pressure electrode portion may be fixedly installed in a rod shape on the inner central axis of the insulated tube, and the high voltage electrode portion may be provided coated or coated on the outer surface of the insulated tube.

더욱 바람직하게, 상기 절연관은 장(長)절연관과 단(短)절연관이 서로 연접하여 구성되며, 상기 저압전극부의 일단부가 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되고, 상기 저압전극부의 타단부가 상기 장(長)절연관의 내부공간 중심축선을 따라 연장형성될 수 있다. More preferably, the insulated tube is formed by connecting a long insulated tube and a short insulated tube to each other, and one end of the low voltage electrode part is connected to the long insulated tube and the short insulated tube. It is fixed to the portion, the other end of the low voltage electrode portion may be formed along the central axis of the internal space of the long insulated tube (long).

더욱 바람직하게, 상기 저압전극부의 일단에는 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부가 형성되고, 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에는 상기 십자형 결합부에 대응되는 결합홈이 각각 형성될 수 있다. More preferably, at one end of the low voltage electrode portion, a cross coupling portion is formed to be fixed to a connection portion between the long insulator tube and the short insulator tube, and the long insulator tube and the short insulator tube are formed. Connection portions of the coupling grooves corresponding to the cross-shaped coupling portion may be formed respectively.

바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 상기 절연관의 외측표면을 소정간격마다 감싸는 다수의 링이 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode unit is any one of a cylindrical shape surrounding the outer surface of the insulated tube or a coil type wound around the outer surface of the insulated tube or a ring type in which a plurality of rings are wrapped around the outer surface of the insulated tube at predetermined intervals. It may be formed in the form of.

바람직하게, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 고압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성될 수 있다. Preferably, a ceramic coating layer covering the high voltage electrode part may be formed on an outer surface of the insulating tube.

바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode part and the low pressure electrode part may be provided on the inner side of the insulating tube.

더욱 바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 교호적으로 번갈아 배열될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode portion and the low voltage electrode portion may be alternately arranged in the inner portion of the insulating tube.

바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode portion and the low pressure electrode portion may be provided on the outer side of the insulating tube.

더욱 바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 교호적으로 번갈아 배열될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode portion and the low voltage electrode portion may be alternately arranged in the outer portion of the insulating tube.

더욱 바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 나선형으로 구비될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode portion and the low pressure electrode portion may be provided in a spiral in the outer portion of the insulating tube.

바람직하게, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 고압전극부 및 저압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성될 수 있다. Preferably, a ceramic coating layer covering the high voltage electrode part and the low pressure electrode part may be formed on an outer surface of the insulating tube.

바람직하게, 상기 절연관의 양측에는, 상기 배기관과 연결하기 위한 연결캡이 구비될 수 있다. Preferably, both sides of the insulated tube, may be provided with a connection cap for connecting to the exhaust pipe.

바람직하게, 상기 절연관의 외측부에는, 상기 절연관을 열을 방출하기 위한 히트싱크가 구비될 수 있다. Preferably, a heat sink for dissipating heat from the insulating tube may be provided at an outer portion of the insulating tube.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 상압 플라즈마를 이용하여 베이크장치의 배기관을 통해 배출되는 배기가스의 성분을 분해하여 배출함에 따라 배기관 내벽에 고체 침전물이 고착되는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention as described above, by decomposing and discharging the components of the exhaust gas discharged through the exhaust pipe of the baking apparatus by using the atmospheric pressure plasma it is possible to prevent the solid deposit on the inner wall of the exhaust pipe.

또한, 배기가스에 포함된 유기화합물이 그대로 대기 중에 방출되는 것을 방지하여 환경오염이 발생하지 않도록 할 수 있다. In addition, the organic compound contained in the exhaust gas can be prevented from being released into the atmosphere as it is so that environmental pollution does not occur.

또한, 주기적으로 배기관을 청소하지 않아도 되므로, 반도체 웨이퍼, LCD 등과 같이 베이크장치를 이용하는 제품의 생산이 증대되고, 전체 반도체 장비 또는 LCD장비의 수율이 향상되는 이점이 있다. In addition, since it is not necessary to periodically clean the exhaust pipe, there is an advantage that the production of a product using a baking device, such as a semiconductor wafer, LCD, etc. is increased, and the yield of the entire semiconductor equipment or the LCD equipment is improved.

<< 제1실시예First embodiment :: 고압전극부가High voltage electrode part 절연관의 내측부에 구비되고,  It is provided in the inner side of the insulated tube, 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 외측부에 구비된 경우> When provided on the outer side of the insulated pipe>

제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 크게, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, the insulating tube 100, the high pressure electrode unit 200, the low pressure electrode unit 300, and the power supply unit 400 are basically components, and the connection cap ( 500, and further comprises a heat sink 600.

상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되고, 상기 저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되며, 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The insulator tube 100 is a portion in which an inlet and an outlet are formed to pass through the exhaust gas G discharged from the exhaust pipe 40 of the baking apparatus and communicate with the exhaust pipe 40. The high voltage electrode part 200 is fixedly installed on an inner space center axis of the insulating tube 100, and the low pressure electrode part 300 is provided to surround the outer surface of the insulating tube 100. The voltage is applied by the power supply unit 400 between the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 to generate an atmospheric pressure plasma.

먼저, 절연관(100)에 대하여 설명하도록 한다. First, the insulating tube 100 will be described.

절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 원통형으로 형성된 부분으로서, 배기가스(G)가 유입되는 측이 유입구가 되고, 배기가스(G)가 배출되는 측이 유출구가 된다. 이때, 상기 절연관(100)의 형상은 원형 이외에도 사각형, 육각형 등 임의로 선택하여 형성할 수 있음은 물론이다. The insulated pipe 100 is formed in a cylindrical shape so that the exhaust gas G discharged from the exhaust pipe 40 of the baking apparatus passes. The side into which the exhaust gas G flows becomes an inlet, and the exhaust gas G The discharge side becomes the outlet. At this time, the shape of the insulation tube 100 can be formed by selecting arbitrarily, such as square, hexagon, etc. in addition to the circular.

상기 절연관(100)은 배기관(40)과 연결되어 배기가스(G)가 통과하는 동안에 상압 플라즈마가 발생할 수 있는 공간을 제공함과 동시에 후술하게 될 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이를 절연하는 기능을 한다. The insulator tube 100 is connected to the exhaust pipe 40 to provide a space where atmospheric pressure plasma can be generated while the exhaust gas G passes, and at the same time, the high pressure electrode unit 200 and the low pressure electrode unit 300 to be described later. It functions to insulate between.

한편, 상기 절연관(100)의 양측, 즉, 유입구와 유출구에는 배기관(40)과 연결을 용이하게 할 수 있도록 연결캡(500)이 구비될 수 있다. On the other hand, both sides of the insulating tube 100, that is, the inlet and outlet may be provided with a connection cap 500 to facilitate the connection with the exhaust pipe (40).

또한, 상기 절연관(100)의 재질은 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이를 절연하기 용이하도록 세라믹(ceramic), 운모(mica), 유리, 석영 등으로 이루어질 수 있으며, 원통 형태의 구조물을 내열처리 및 절연처리한 절연관(100)을 사용할 수도 있다. In addition, the material of the insulation tube 100 may be made of ceramic (ceramic), mica (mica), glass, quartz, etc. to easily insulate between the high voltage electrode portion 200 and the low voltage electrode portion 300, Insulating tube 100 heat-resistant and insulated cylindrical structure may be used.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 절연관(100)은 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)이 서로 연접하여 구성되며, 후술하게 될 고압전극부(200)의 일단부가 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 고정될 수 있도록 상기 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에는 결합홈(110h, 120h)이 각각 형성된다. 이러한 장(長)절연관(110), 단(短)절연관(120), 고압전극부(200)의 결합관계에 대해서는 고압전극부(200)에 대한 설명시 상세히 하도록 한다. As shown in FIGS. 4 and 5, the insulator tube 100 is formed by connecting the long insulator tube 110 and the short insulator tube 120 to each other and to be described later. The long insulated tube 110 and the short insulated tube may be fixed such that one end of the 200 may be fixed to a connection portion between the long insulated tube 110 and the short insulated tube 120. Coupling grooves 110h and 120h are formed in connection portions of 120, respectively. The coupling relationship between the long insulator tube 110, the short insulator tube 120, and the high voltage electrode unit 200 will be described in detail with respect to the high voltage electrode unit 200.

한편, 상술한 바와 같이, 고압전극부(200)의 일단부가 절연관(100)의 단부측에 위치하지 않고, 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 위치하도록 함으로써 고압전극부(200)의 일단부로부터 절연관(100)의 홀을 통해 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지할 수 있다. On the other hand, as described above, one end of the high voltage electrode portion 200 is not located at the end side of the insulator tube 100, and the long insulated tube 110 and the short insulated tube 120 are connected. By being located in the portion, it is possible to prevent the spark that can occur to the outside through the hole of the insulating tube 100 from one end of the high-voltage electrode portion 200.

상기 절연관(100)의 외측표면에는 상압 플라즈마 반응 시 발생하는 열을 방출하기 위한 히트싱크(600)가 구비될 수 있으며, 이러한 히트싱크(600)에 의해 절연관(100)의 자체온도가 너무 높게 상승하는 것을 방지할 수 있다. The outer surface of the insulator tube 100 may be provided with a heat sink 600 for dissipating heat generated during the atmospheric pressure plasma reaction, the heat sink 600 by the heat sink 600 is too hot It can prevent rising high.

이때, 히트싱크(600)의 재질은 열전달이 우수한 알루미늄 재질로 이루어지는 것이 바람직하며, 일예로 "AL 6061"로 이루어질 수 있다. At this time, the heat sink 600 is preferably made of an aluminum material having excellent heat transfer. For example, the heat sink 600 may be formed of “AL 6061”.

그리고 히트싱크(600)에 의해서 절연관(100)의 자체온도를 일정하게 유지하 지 못하고 절연관(100)의 자체온도가 너무 높게 상승하는 경우에 대비하여, 절연관(100)의 자체온도를 감지하는 온도센서(미도시)를 구비하고, 이 온도센서를 통해 절연관(100)의 자체온도를 감지하여 설정온도보다 높게 온도가 감지되면, 알람을 발생하여 단속할 수 있도록 할 수 있다. In addition, the heat sink 600 does not maintain its own temperature of the insulated tube 100 and the self-temperature of the insulated tube 100 is sensed in case the temperature of the insulated tube 100 rises too high. It is provided with a temperature sensor (not shown), and if the temperature is sensed higher than the set temperature by detecting the self temperature of the insulation tube 100 through this temperature sensor, it can be made to interrupt by generating an alarm.

다음으로, 고압전극부(200)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the high voltage electrode unit 200 will be described.

고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되어, 후술하게 될 전원부(400)로부터 교류전압을 인가받는 부분이다. The high voltage electrode part 200 is fixedly installed on an inner space center axis of the insulating tube 100 and is a part receiving an AC voltage from the power supply part 400 which will be described later.

도 5에 도시된 바와 같이, 고압전극부(200)의 일단에는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부(210)가 형성되고, 고압전극부(200)의 타단은 장(長)절연관(110)의 내부공간 중심축선을 따라 봉 형태로 연장형성된다. As shown in FIG. 5, at one end of the high voltage electrode part 200, a cross coupling part 210 is fixed to a connection portion between the long insulating tube 110 and the short insulating tube 120. The other end of the high voltage electrode part 200 extends in the form of a rod along the central axis of the inner space of the long insulating tube 110.

상기 십자형 결합부(210)의 각 단부는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 형성된 결합홈(110h, 120h)에 각각 끼워져 결합되며, 십자형 결합부(210)로부터 타단 방향으로 돌출부(212)가 형성되어 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤된다. Each end of the cross coupling portion 210 is fitted into the coupling grooves (110h, 120h) formed in the connection portion of the long insulated pipe (110) and the short insulated pipe (120), respectively, the cross coupling A protruding portion 212 is formed in the other end direction from the portion 210 and is fitted to the inner surface of the long insulating tube 110.

즉, 십자형 결합부(210)의 각 단부가 결합홈(110h, 120h)에 끼워짐과 동시에 돌출부(212)가 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤되어, 고압전극부(200)의 타단으로 연장된 봉 형태의 부분이 장(長)절연관(110)의 중심축선과 일치되도록 직진성이 향상되도록 설치되는 것이다. That is, each end of the cross coupling portion 210 is fitted into the coupling grooves 110h and 120h, and at the same time, the protrusion 212 is fitted to the inner surface of the long insulated pipe 110, so that the high voltage electrode portion ( The rod-shaped portion extending to the other end of the 200 is installed so that the straightness is improved to coincide with the central axis of the long insulated pipe 110.

그리고 십자형 결합부(210)의 각 단부 중 어느 하나에는 전원케이블을 삽입 하여 연결하기 위한 연결홈(210h)이 형성되어 있다. And at any one of each end of the cross coupling portion 210 is formed a connection groove 210h for inserting and connecting the power cable.

한편, 고압전극부(200)의 일단부가 절연관(100)의 단부측에 위치하지 않고, 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 위치하도록 함으로써 고압전극부(200)의 일단부로부터 절연관(100)의 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지하고, 도 3에 도시된 바와 같이, 고압전극부(200)의 타단부가 절연관(100)의 단부측으로부터 소정거리 떨어진 위치까지 연장되도록 형성됨으로써 고압전극부(200)의 타단부로부터 절연관(100)의 홀을 통해 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지한다. On the other hand, one end portion of the high voltage electrode portion 200 is not located at the end side of the insulated tube 100, but is located at the connection portion between the long insulated tube 110 and the short insulated tube 120. To prevent sparks that may occur from one end of the high voltage electrode portion 200 to the outside of the insulating tube 100, as shown in Figure 3, the other end of the high voltage electrode portion 200 of the insulating tube 100 It is formed to extend to a position away from the end side by a predetermined distance to prevent sparks that may occur to the outside through the hole of the insulating tube 100 from the other end of the high-voltage electrode portion 200.

이때, 상기 연결홈(210h)이 형성된 단부를 제외한 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분을 포함한 외측표면에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 브레이징(brazing)처리 및 세라믹코팅 처리하여 세라믹코팅층(700)을 형성함으로써 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 저압전극부(300)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. At this time, the outer surface including the connection portion of the long insulated pipe 110 and the short insulated pipe 120 except for the end formed with the connecting groove 210h, as shown in Figure 3, brazing By forming the ceramic coating layer 700 by brazing and ceramic coating, the spark is prevented from occurring in the gap between the connecting portion between the long insulating tube 110 and the short insulating tube 120. The low voltage electrode 300 is protected and insulated from contact with the outside.

상기 고압전극부(200)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The material of the high voltage electrode part 200 may be made of tungsten having good electrical conductivity and high melting point. In addition, silver, copper, gold, aluminum, and chromium may be arbitrarily selected.

다음으로, 저압전극부(300)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the low voltage electrode unit 300 will be described.

저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되는 부분으로서, 절연관(100)의 외측표면에 전기전도성이 좋은 재질을 코팅 또는 도포하여 구성될 수 있다. The low voltage electrode unit 300 is a portion provided to surround the outer surface of the insulation tube 100, and may be configured by coating or applying a material having good electrical conductivity to the outer surface of the insulation tube 100.

이러한 저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관(100)의 외측표면을 권취하는 코일형 또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 다수개의 링이 서로 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있으며, 바람직하게, 상기 저압전극부(300)는 3개의 링이 4부분에서 서로 연결된 구조로 형성된다. The low voltage electrode unit 300 is a cylindrical or entirely coiled around the outer surface of the insulated tube 100 or coil type wound around the outer surface of the insulated tube 100, as shown in Figure 5, a plurality of rings The low voltage electrode part 300 may be formed in a structure in which three rings are connected to each other in four parts.

한편, 저압전극부(300)의 일부분에는 케이블을 연결하기 위한 연결부(302)가 형성되어 있다. Meanwhile, a part of the low voltage electrode part 300 is formed with a connection part 302 for connecting a cable.

상기에서는 저압전극부(300)의 형태가 원통형, 코일형, 링형 중 어느 하나로 형성된다고 하였으나, 저압전극부(300)의 형태는 절연관(100)의 외측표면에 구비된다는 기본 개념을 벗어나지 않는 한 임의로 변형하여 적용할 수 있다. In the above, the shape of the low voltage electrode part 300 is formed in any one of a cylindrical shape, a coil shape, and a ring shape, but the shape of the low pressure electrode part 300 is provided on the outer surface of the insulating tube 100 without departing from the basic concept. It can be arbitrarily modified and applied.

그리고, 상술한 바와 같이, 절연관(100)의 외측표면에 저압전극부(300)를 커버하는 세라믹코팅층(도 3의 700)을 형성하여 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 저압전극부(300)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. As described above, the ceramic coating layer (700 of FIG. 3) covering the low voltage electrode part 300 is formed on the outer surface of the insulating tube 100 to form the long insulating tube 110 and the end. The spark is prevented from occurring in the gap between the connection part of the insulator tube 120, and the low pressure electrode part 300 is protected and insulated from contact with the outside.

다음으로, 전원부(400)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the power supply unit 400 will be described.

전원부(400)는 상기 고압전극부(200)에 교류전압을 인가하는 부분으로서, 상세하게는, 사인파나 코사이파와 같은 정현파 또는 사각파, 계단파 등과 같은 특정한 형태의 교류전압을 발생하여 고압전극부(200)에 인가하게 된다. The power supply unit 400 is a portion for applying an alternating voltage to the high voltage electrode unit 200. In detail, the power supply unit 400 generates a specific type of alternating voltage such as a sine wave, a square wave, a stair wave, or the like, such as a sine wave or a cosine wave. It is applied to the unit 200.

상기 전원부(400)는 절연관(100)의 자체온도를 감지하는 온도센서에서 감지된 온도가 설정온도보다 높게 감지된 경우에, 고압전극부(200)로 인가하는 교류전 압의 공급이 중단될 수 있도록 할 수도 있다. The power supply unit 400 may stop supplying the AC voltage applied to the high voltage electrode unit 200 when the temperature detected by the temperature sensor detecting the self temperature of the insulation tube 100 is higher than the set temperature. You can also do that.

이하에서는, 상술한 바와 같이 구성된 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 배기가스 처리원리에 대하여 설명하도록 한다. Hereinafter, the exhaust gas processing principle of the exhaust gas processing apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment configured as described above will be described.

도 3에 도시된 바와 같이, 감광제가 도포된 웨이퍼가 가열된 핫플레이트(10)에 놓인 상태에서 일정시간 동안 베이크 공정이 진행되는 동안에 웨이퍼의 상면에 도포된 감광제의 휘발성 성분인 용제와 PR레진이 증발하여 덮개부(30)와 연통된 배기관(40)을 통하여 배출되며, 이러한 배기가스(G)는 절연관(100)을 통과하게 된다. As shown in FIG. 3, the solvent and the PR resin, which are volatile components of the photosensitive agent applied to the upper surface of the wafer during the baking process for a predetermined time in a state where the photosensitive agent-coated wafer is placed on the heated hot plate 10, Evaporated and discharged through the exhaust pipe 40 in communication with the cover 30, this exhaust gas (G) is passed through the insulating tube (100).

절연관(100)을 통과하는 배기가스(G)는 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에 발생된 상압 플라즈마에 의해 화학적반응 및 물리적반응에 의해 분해되어 CO2, CO, O3, H2O 등의 형태로 변화되어 배기된다. The exhaust gas G passing through the insulator tube 100 is decomposed by chemical and physical reactions by atmospheric pressure plasma generated between the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300, thereby decomposing CO 2 , CO, O 3 , H 2 O and the like changes to exhaust.

예를 들면, 베이크 공정이 진행되는 동안에 웨이퍼의 상면에 도포된 감광제의 휘발성 성분인 용제(2-Heptanone(화학식:C7H14O), 1-methoxy-2-propyl acetate(화학식:C2H12O3))와 PR레진(주요성분이 카본(화학식:C))이 배기관(40)을 통해 배출되어 절연관(100)을 통과하게 되며, 절연관(100)을 통과하는 중에 용제(C7H14O, C2H12O3)와 PR레진(주요성분이 카본(화학식:C))은 상압 플라즈마에 의해 체인결합이 끊어지게 된다. For example, a solvent (2-Heptanone (C 7 H 14 O), 1-methoxy-2-propyl acetate (C 2 H), which is a volatile component of a photosensitive agent applied to an upper surface of a wafer during a baking process, may be used. 12 O 3 )) and PR resin (the main component is carbon (Chemical Formula: C)) is discharged through the exhaust pipe 40 to pass through the insulated tube 100, the solvent (C) while passing through the insulated tube 100 7 H 14 O, C 2 H 12 O 3 ) and PR resin (the main component is carbon (C)) are broken the chain bond by the atmospheric pressure plasma.

따라서, 절연관(100) 내부에는 용제(C7H14O, C2H12O3)가 C, -COOH, OH, COO-, H2, O3, H 등으로 분해되며, 절연관(100) 내부에 존재하는 O*, O2 와 결합하여 CO, CO2, O3, H2O의 형태로 기화되거나 타버리게 된다. Accordingly, the solvent (C 7 H 14 O, C 2 H 12 O 3 ) is decomposed into C, -COOH, OH, COO-, H 2 , O 3 , H, etc. in the insulating tube 100, and the insulating tube ( 100) It is combined with O * and O 2 present in the interior to vaporize or burn in the form of CO, CO 2 , O 3 , H 2 O.

◎ C7H14O, C2H12O3, C (배기관 내) ◎ C 7 H 14 O, C 2 H 12 O 3 , C (in exhaust pipe)

→ C, -COOH, OH, COO-, H2, O3, H (절연관 내) ¡Æ C, -COOH, OH, COO-, H 2 , O 3 , H (in insulated tubes)

→ CO, CO2, O3, H2O (배출)→ CO, CO 2 , O 3 , H 2 O (emission)

<실험예>Experimental Example

도 3에 도시된 바와 같이, 베이크장치의 덮개부(30)와 베이크챔버(20)에 의해 밀폐된 공간으로부터 절연관(100), 유기물 측정기(1), 펌프(2)를 순차적으로 지나 배기벽(3)으로 배출되도록 하였다. As shown in FIG. 3, the exhaust wall sequentially passes through the insulating tube 100, the organic material measuring device 1, and the pump 2 from the space enclosed by the cover part 30 and the baking chamber 20 of the baking apparatus. It was discharged to (3).

이때, 상기 밀폐된 공간에 0.1CC의 포토레지스트를 투여한 후 핫플레이트(10)를 가열하여 배기가스(G)가 생성되도록 하고, 펌프(2)의 흡입유량을 15ml/min~500ml/min로 하여 생성된 배기가스(G)가 배기벽(3)으로 배출되도록 하였다. In this case, after the 0.1CC photoresist is administered to the enclosed space, the hot plate 10 is heated to generate the exhaust gas G, and the suction flow rate of the pump 2 is 15 ml / min to 500 ml / min. The exhaust gas G thus produced was discharged to the exhaust wall 3.

절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시키지 않은 상태에서 휘발성 유기화화물(TVOC)의 양은 371.4ppm이고, 대표적인 성분의 양은 다음과 같이 측정되었다. The amount of volatile organic sulfide (TVOC) was 371.4 ppm and the amount of representative components was measured as follows without generating atmospheric pressure plasma in the inner space of the insulator tube 100.

·2-Heptanone(C7H14O) : 214.4ppm2-Heptanone (C 7 H 14 O): 214.4 ppm

·1-methoxy-2-propyl acetate(C2H12O3) : 24.2ppm1-methoxy-2-propyl acetate (C 2 H 12 O 3 ): 24.2ppm

절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시킨 상태에서 휘발성 유기 화화물(TVOC)의 양은 9.7ppm이고, 대표적인 성분의 양은 다음과 같이 측정되었다. In the state where atmospheric pressure plasma was generated in the inner space of the insulator tube 100, the amount of volatile organic sulfide (TVOC) was 9.7 ppm, and the amount of representative components was measured as follows.

·2-Heptanone(C7H14O) : 1.5ppm2-Heptanone (C 7 H 14 O): 1.5 ppm

·1-methoxy-2-propyl acetate(C2H12O3) : 2.3ppm1-methoxy-2-propyl acetate (C 2 H 12 O 3 ): 2.3ppm

따라서, 절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시키지 않은 상태와 절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시킨 상태를 비교하면, 유기물 저감율이 97.388% 정도가 되었다. Therefore, when the state in which the atmospheric pressure plasma was not generated in the inner space of the insulated tube 100 and the state in which the atmospheric pressure plasma was generated in the inner space of the insulated tube 100 were compared, the organic matter reduction rate was about 97.388%.

포토레지스트 투여량Photoresist Dosage 펌프 흡입유량Pump suction flow rate 플라즈마 발생 OFFPlasma generation OFF 플라즈마 발생 ONPlasma Generation ON 유기물 저감율Organic matter reduction rate 0.1CC0.1CC 15ml/min~500ml/min15ml / min ~ 500ml / min 371.4ppm371.4 ppm 9.7ppm9.7 ppm 96%96%

<< 제2실시예Second embodiment :: 고압전극부가High voltage electrode part 절연관의 외측부에 구비되고,  It is provided in the outer part of the insulated tube, 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 내측부에 구비된 경우> When provided inside the insulator tube>

제2실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 도 6에 도시된 바와 같이, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the second embodiment, as shown in FIG. 6, the insulator tube 100, the high pressure electrode unit 200, the low pressure electrode unit 300, and the power supply unit 400 are basic components. And, it is configured to further include a connection cap 500, the heat sink 600.

상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되고, 상기 저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되며, 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The insulator tube 100 is a portion in which an inlet and an outlet are formed to pass through the exhaust gas G discharged from the exhaust pipe 40 of the baking apparatus and communicate with the exhaust pipe 40. The high voltage electrode part 200 is provided to surround the outer surface of the insulator tube 100, and the low pressure electrode part 300 is fixedly installed on an inner space center axis of the insulated tube 100. The voltage is applied by the power supply unit 400 between the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 to generate an atmospheric pressure plasma.

한편, 제2실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치와 비교할 때, 고압전극부(200), 저압전극부(300)의 구성을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 고압전극부(200), 저압전극부(300)에 대해서만 설명하도록 한다. On the other hand, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the second embodiment compared with the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, except for the configuration of the high-pressure electrode unit 200, low pressure electrode unit 300 Since is the same, only the high voltage electrode 200 and the low voltage electrode 300 will be described.

그리고 제2실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 있어서, 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성요소와 동일한 명칭을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였다. In the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the second embodiment, the same reference numerals are used for the components having the same names as the components of the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment.

먼저, 고압전극부(200)에 대하여 설명하도록 한다. First, the high voltage electrode unit 200 will be described.

고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되는 부분으로서, 절연관(100)의 외측표면에 전기전도성이 좋은 재질을 코팅 또는 도포하여 구성될 수 있다. The high voltage electrode part 200 is provided to surround the outer surface of the insulating tube 100, and may be configured by coating or applying a material having good electrical conductivity to the outer surface of the insulating tube 100.

이러한 고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관(100)의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 다수개의 링이 서로 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있으며, 바람직하게, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 고압전극부(200)는 3개의 링이 4부분에서 서로 연결된 구조로 형성된다. The high voltage electrode part 200 may be any one of a cylindrical shape surrounding the outer surface of the insulated tube 100 or a coil type wound around the outer surface of the insulated tube 100 or a ring type in which a plurality of rings are connected to each other. 6, the high voltage electrode part 200 is formed in a structure in which three rings are connected to each other in four parts.

한편, 고압전극부(200)의 일부분에는 케이블을 연결하기 위한 연결부(202)가 형성되어 있다. Meanwhile, a part of the high voltage electrode part 200 is formed with a connection part 202 for connecting a cable.

상기에서는 고압전극부(200)의 형태가 원통형, 코일형, 링형 중 어느 하나로 형성된다고 하였으나, 고압전극부(200)의 형태는 절연관(100)의 외측표면에 구비된 다는 기본 개념을 벗어나지 않는 한 임의로 변형하여 적용할 수 있다. Although the shape of the high voltage electrode part 200 is formed in any one of a cylindrical shape, a coil shape, and a ring shape, the shape of the high voltage electrode part 200 does not deviate from the basic concept of being provided on the outer surface of the insulation tube 100. One can arbitrarily modify and apply.

그리고 상술한 바와 같이, 절연관(100)의 외측표면에 고압전극부(200)를 커버하는 세라믹코팅층(미도시)을 형성하여 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 고압전극부(200)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. As described above, the ceramic coating layer (not shown) covering the high voltage electrode part 200 is formed on the outer surface of the insulating tube 100 to form the long insulating tube 110 and the short insulating tube ( The spark is prevented from occurring in the gap between the connection portions of the 120 and protects the high voltage electrode part 200 and insulates it from contact with the outside.

다음으로, 저압전극부(300)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the low voltage electrode unit 300 will be described.

저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되어, 후술하게 될 전원부(400)로부터 교류전압을 인가받는 부분이다. The low voltage electrode part 300 is a part that is fixedly installed on the inner space center axis of the insulating tube 100 and receives an AC voltage from the power supply part 400 which will be described later.

도 6에 도시된 바와 같이, 저압전극부(300)의 일단에는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부(310)가 형성되고, 저압전극부(300)의 타단은 장(長)절연관(110)의 내부공간 중심축선을 따라 봉 형태로 연장형성된다. As shown in FIG. 6, at one end of the low voltage electrode unit 300, a cross coupling part 310 is fixed to a connection portion between the long insulator tube 110 and the short insulator tube 120. The other end of the low voltage electrode part 300 extends in a rod shape along the central axis of the internal space of the long insulating tube 110.

상기 십자형 결합부(310)의 각 단부는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 형성된 결합홈(110h, 120h)에 각각 끼워져 결합되며, 십자형 결합부(310)로부터 타단 방향으로 돌출부(312)가 형성되어 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤된다. Each end of the cross coupling portion 310 is fitted into the coupling grooves (110h, 120h) formed in the connection portion of the long insulated pipe (110) and the short insulated pipe (120), respectively, the cross coupling A protruding portion 312 is formed in the other end direction from the portion 310 and fitted to the inner side surface of the long insulating tube 110.

즉, 십자형 결합부(310)의 각 단부가 결합홈(110h, 120h)에 끼워짐과 동시에 돌출부(312)가 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤되어, 저압전극부(300)의 타단으로 연장된 봉 형태의 부분이 장(長)절연관(110)의 중심축선과 일치되도록 직진성이 향상되도록 설치되는 것이다. That is, each end of the cross coupling portion 310 is fitted into the coupling grooves 110h and 120h, and at the same time, the protrusion 312 is fitted to the inner side surface of the long insulated pipe 110 so that the low voltage electrode portion ( The rod-shaped portion extending to the other end of 300 is installed so that the straightness is improved to coincide with the central axis of the long insulated pipe 110.

그리고 십자형 결합부(310)의 각 단부 중 어느 하나에는 전원케이블을 삽입하여 연결하기 위한 연결홈(310h)이 형성되어 있다. And one of each end of the cross coupling portion 310 is formed with a connection groove 310h for inserting and connecting the power cable.

한편, 저압전극부(300)의 일단부가 절연관(100)의 단부측에 위치하지 않고, 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 위치하도록 함으로써 저압전극부(300)의 일단부로부터 절연관(100)의 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지하고, 저압전극부(300)의 타단부가 절연관(100)의 단부측으로부터 소정거리 떨어진 위치까지 연장되도록 형성됨으로써 저압전극부(300)의 타단부로부터 절연관(100)의 홀을 통해 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지한다. On the other hand, one end of the low voltage electrode portion 300 is not located at the end side of the insulated tube 100, but is located at the connection portion between the long insulated tube 110 and the short insulated tube 120. Prevents sparks that may occur from one end of the low pressure electrode 300 to the outside of the insulating tube 100, and the other end of the low pressure electrode 300 to a position away from the end of the insulating tube 100 by a predetermined distance It is formed to extend to prevent sparks that may occur to the outside through the hole of the insulating tube 100 from the other end of the low-voltage electrode 300.

이때, 상기 연결홈(310h)이 형성된 단부를 제외한 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분을 포함한 외측표면에는 브레이징(brazing)처리 및 세라믹코팅 처리하여 세라믹코팅층(미도시)을 형성함으로써 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 저압전극부(300)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. At this time, the outer surface including the connection portion of the long insulated pipe 110 and the short insulated pipe 120 except for the end where the connection groove 310h is formed is subjected to brazing treatment and ceramic coating treatment. By forming a ceramic coating layer (not shown), a spark is prevented from occurring in a gap between a connection portion between the long insulating tube 110 and the short insulating tube 120, and the low voltage electrode part 300 is protected. And insulate it from contact with the outside.

상기 저압전극부(300)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The material of the low pressure electrode part 300 may be made of tungsten having good electrical conductivity and high melting point. In addition, silver, copper, gold, aluminum, and chromium may be arbitrarily selected.

<< 제3실시예Third embodiment :: 고압전극부High voltage electrode part  And 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 내측부에 구비된 경우> When provided inside the insulator tube>

제3실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 도 7에 도시된 바와 같이, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본 적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. Exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the third embodiment, as shown in Figure 7, the basic configuration of the insulating tube 100, high voltage electrode portion 200, low voltage electrode portion 300, power source 400 The element further comprises a connection cap 500 and a heat sink 600.

상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 상기 절연관의 내부에 서로 이격된 상태로 구비되며, 이들 사이에는 별도의 절연층이 구비될 수도 있다. 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The insulator tube 100 is a portion in which an inlet and an outlet are formed to pass through the exhaust gas G discharged from the exhaust pipe 40 of the baking apparatus and communicate with the exhaust pipe 40. The high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 may be provided to be spaced apart from each other inside the insulating tube, and a separate insulating layer may be provided therebetween. A voltage is applied by the power supply unit 400 between the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 to generate an atmospheric pressure plasma.

한편, 제3실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치와 비교할 때, 고압전극부(200), 저압전극부(300)의 구성을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 고압전극부(200), 저압전극부(300)에 대해서만 설명하도록 한다. On the other hand, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the third embodiment is compared with the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, except for the configuration of the high-pressure electrode unit 200 and the low-pressure electrode unit 300 Since is the same, only the high voltage electrode 200 and the low voltage electrode 300 will be described.

그리고 제3실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 있어서, 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성요소와 동일한 명칭을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였다. In the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the third embodiment, the same reference numerals are used for the components having the same names as the components of the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment.

도 7에 도시된 바와 같이, 제3실시예의 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 절연관(100)의 내측부에 구비되며, 이때, 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 십자형 결합부(250)에 결합되는 구조로 구성될 수 있다. As shown in FIG. 7, the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 of the third embodiment are provided on the inner side of the insulation tube 100, and at this time, the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part ( 300 may be of a structure that is coupled to the cross coupling portion (250).

즉, 십자형 결합부(250)의 일측에 삽입구(250h1, 250h2)를 형성하고, 이 삽입구(250h1, 250h2)에 고압전극부(200)와 저압전극부(300)가 서로 이격된 상태로 삽입되어 간격이 유지되도록 하는 것이다. That is, insertion holes 250h1 and 250h2 are formed at one side of the cross coupling part 250, and the high voltage electrode part 200 and the low voltage electrode part 300 are inserted into the insertion holes 250h1 and 250h2 while being spaced apart from each other. To keep the gap.

한편, 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)의 배열은, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 다양하게 적용될 수 있음은 물론이다. On the other hand, the arrangement of the high voltage electrode unit 200 and the low voltage electrode unit 300, as shown in Figure 8 and 9, of course, can be applied in various ways.

또한, 상기 십자형 결합부(250)의 재질은 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이를 절연하기 용이하도록 세라믹(ceramic), 운모(mica), 유리, 석영 등으로 이루어질 수 있다. In addition, the cross-shaped coupling part 250 may be made of ceramic, mica, glass, quartz, or the like so as to easily insulate between the high voltage electrode part 200 and the low voltage electrode part 300. .

상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The materials of the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 may be made of tungsten having good electrical conductivity and high melting point. In addition, silver, copper, gold, aluminum, and chromium may be arbitrarily selected. Of course.

<< 제4실시예Fourth embodiment :: 고압전극부High voltage electrode part  And 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 외측부에 구비된 경우> When provided on the outer side of the insulated pipe>

제4실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 크게, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the fourth embodiment, the insulator tube 100, the high pressure electrode unit 200, the low pressure electrode unit 300, and the power supply unit 400 are basically components. 500, and further comprises a heat sink 600.

상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 상기 절연관의 외부에 서로 이격된 상태로 구비되며, 상기 절연관의 외부에 구비된 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)를 커버하는 절연층이 구비되는 것이 바람직하다. 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The insulator tube 100 is a portion in which an inlet and an outlet are formed to pass through the exhaust gas G discharged from the exhaust pipe 40 of the baking apparatus and communicate with the exhaust pipe 40. The high voltage electrode part 200 and the low voltage electrode part 300 are provided to be spaced apart from each other on the outside of the insulated tube, and the high pressure electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 provided on the outside of the insulated tube. It is preferable that an insulating layer covering the is provided. A voltage is applied by the power supply unit 400 between the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 to generate an atmospheric pressure plasma.

한편, 제4실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치와 비교할 때, 고압전극부(200), 저압전극부(300)의 구성을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 고압전극부(200), 저압전극부(300)에 대해서만 설명하도록 한다. On the other hand, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the fourth embodiment is compared with the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, except for the configuration of the high-pressure electrode unit 200, low pressure electrode unit 300 Since is the same, only the high voltage electrode 200 and the low voltage electrode 300 will be described.

그리고 제4실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 있어서, 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성요소와 동일한 명칭을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the fourth embodiment, the same reference numerals are used for the components having the same names as the components of the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment.

도 10에 도시된 바와 같이, 제3실시예의 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 절연관(100)의 외측부에 구비되며, 이때, 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 절연관(100)의 외측표면을 감싸는 나선형으로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 10, the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 of the third embodiment are provided on the outer side of the insulation tube 100. In this case, the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part ( 300 may be formed spirally surrounding the outer surface of the insulating tube (100).

그리고, 고압전극부(200)와 저압전극부(300)에는 케이블을 연결하기 위한 연결부(202, 302)가 각각 형성되어 있다. In addition, connection parts 202 and 302 for connecting cables are formed in the high voltage electrode part 200 and the low voltage electrode part 300, respectively.

상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The materials of the high voltage electrode part 200 and the low pressure electrode part 300 may be made of tungsten having good electrical conductivity and high melting point. In addition, silver, copper, gold, aluminum, and chromium may be arbitrarily selected. Of course.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

도 1은 통상의 베이크장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a conventional baking apparatus.

도 2는 도 1의 베이크장치의 배기관을 나타내는 사시도. 2 is a perspective view showing an exhaust pipe of the baking apparatus of FIG.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치가 설치된 베이크장치의 배기가스 처리 시스템을 나타내는 개략도. 3 is a schematic view showing an exhaust gas treatment system of a baking apparatus provided with an exhaust gas treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 사시도. 4 is a perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to the first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 5 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to the first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 6 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 7 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to a third embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 절연관 내부 구조의 다른 예를 나타내는 단면도. 8 and 9 are cross-sectional views showing another example of the internal structure of the insulating tube of the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma according to the third embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 10 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to a fourth embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10:핫플레이트 20:베이크챔버10: hot plate 20: bake chamber

30:덮개부 40:배기관30: cover part 40: exhaust pipe

100:절연관 110:장(長)절연관100: insulated tube 110: long insulated tube

110h, 120h:결합홈 120:단(短)절연관110h, 120h: Coupling groove 120: Single insulated pipe

200:고압전극부 210:십자형 결합부200: high voltage electrode portion 210: cross coupling portion

300:저압전극부 400:전원부300: low voltage electrode 400: power supply

500:연결캡 600:히트싱크500: connection cap 600: heat sink

Claims (21)

베이크(bake)장치의 배기관에 장착되는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 있어서, In the exhaust gas treatment apparatus using atmospheric pressure plasma mounted to the exhaust pipe of the bake device, 상기 배기가스가 통과되도록 상기 배기관과 연결되는 절연관; An insulated tube connected to the exhaust pipe so that the exhaust gas passes; 상기 절열관의 단부측에서 이격되어 내측부 또는 외측부에 구비되는 고압전극부; A high voltage electrode unit spaced apart from an end side of the heat pipe and disposed on an inner side or an outer side; 상기 고압전극부와 이격되고, 상기 절연관의 단부측에서 이격되어 내측부 또는 외측부에 구비되는 저압전극부; 및 A low voltage electrode part spaced apart from the high voltage electrode part and spaced apart from an end side of the insulating tube and provided on an inner side or an outer side; And 상기 고압전극부와 저압전극부의 사이에 전압을 인가하는 전원부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. And a power supply unit configured to apply a voltage between the high pressure electrode unit and the low pressure electrode unit. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high pressure electrode unit is provided on the inner side of the insulated tube, the low pressure electrode unit is an exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that provided on the outer side. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 내측부 중심축선 상에 봉형태로 고정설치되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측표면에 코팅 또는 도포되어 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high pressure electrode unit is fixed in a rod shape on the inner central axis of the insulated tube, the low pressure electrode unit is an exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that the coating or coating is provided on the outer surface of the insulated tube. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 절연관은 장(長)절연관과 단(短)절연관이 서로 연접하여 구성되며, 상기 고압전극부의 일단부가 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되고, 상기 고압전극부의 타단부가 상기 장(長)절연관의 내부공간 중심축선을 따라 연장형성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The insulated tube is composed of a long insulated tube and a short insulated tube connected to each other, and one end of the high voltage electrode part is fixed to a connection portion of the long insulated tube and the short insulated tube. And the other end of the high voltage electrode part is extended along an inner space center axis of the long insulating tube. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 고압전극부의 일단에는 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부가 형성되고, 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에는 상기 십자형 결합부에 대응되는 결합홈이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. At one end of the high voltage electrode portion, a cross-shaped coupling portion is formed to be fixed to the connection portion between the long insulated tube and the short insulated tube, and the connecting portion between the long insulated tube and the short insulated tube is formed. Exhaust gas treatment apparatus using atmospheric pressure plasma, characterized in that the coupling groove corresponding to the cross-shaped coupling portion is formed, respectively. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 상기 절연관의 외측표면을 소정간격마다 감싸는 다수의 링이 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The low voltage electrode unit may be any one of a cylindrical shape surrounding the outer surface of the insulated tube, a coil type winding the outer surface of the insulated tube, or a ring type in which a plurality of rings are wrapped around the outer surface of the insulated tube at predetermined intervals. Exhaust gas treatment apparatus using atmospheric pressure plasma, characterized in that formed. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 3 to 5, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 저압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. An exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma, wherein a ceramic coating layer covering the low pressure electrode part is formed on an outer surface of the insulating tube. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high pressure electrode unit is provided on the outer side of the insulated tube, the low pressure electrode unit is an exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that provided on the inner side. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 내측부 중심축선 상에 봉형태로 고정설치되고, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측표면에 코팅 또는 도포되어 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The low pressure electrode unit is fixed in a rod shape on the inner central axis of the insulated tube, the high pressure electrode unit is an exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that the coating or coating is provided on the outer surface of the insulated tube. 제9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 절연관은 장(長)절연관과 단(短)절연관이 서로 연접하여 구성되며, 상기 저압전극부의 일단부가 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되고, 상기 저압전극부의 타단부가 상기 장(長)절연관의 내부공간 중심축선을 따라 연장형성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The insulator tube is composed of a long insulated tube and a short insulated tube connected to each other, and one end of the low voltage electrode part is fixed to a connection portion of the long insulated tube and the short insulated tube. And the other end of the low pressure electrode portion is formed along an inner space center axis of the long insulating tube. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 저압전극부의 일단에는 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부가 형성되고, 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에는 상기 십자형 결합부에 대응되는 결합홈이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. At one end of the low voltage electrode portion, a cross-shaped coupling portion is formed to be fixed to the connection portion between the long insulated tube and the short insulated tube. Exhaust gas treatment apparatus using atmospheric pressure plasma, characterized in that the coupling groove corresponding to the cross-shaped coupling portion is formed, respectively. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 8 to 11, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 상기 절연관의 외측표면을 소정간격마다 감싸는 다수의 링이 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high voltage electrode unit may be any one of a cylindrical shape surrounding the outer surface of the insulated tube, a coil type winding the outer surface of the insulated tube, or a ring type in which a plurality of rings are wrapped around the outer surface of the insulated tube at predetermined intervals. Exhaust gas treatment apparatus using atmospheric pressure plasma, characterized in that formed. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 9 to 11, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 고압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. An exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma, wherein a ceramic coating layer is formed on an outer surface of the insulating tube to cover the high voltage electrode part. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high pressure electrode unit and the low pressure electrode unit exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that provided on the inner side of the insulating tube. 제14항에 있어서, The method of claim 14, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 교호적으로 번갈아 배열된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high pressure electrode unit and the low pressure electrode unit exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that alternately arranged in the inner portion of the insulating tube. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비되고, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 고압전극부 및 저압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high pressure electrode part and the low pressure electrode part are provided on the outer side of the insulator tube, and an outer surface of the insulator tube has a ceramic coating layer covering the high pressure electrode unit and the low pressure electrode unit, characterized in that the exhaust gas treatment apparatus using atmospheric pressure plasma. . 제16항에 있어서, The method of claim 16, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 교호적으로 번갈아 배열된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. And the high voltage electrode portion and the low pressure electrode portion are alternately arranged in an outer portion of the insulated tube. 제16항에 있어서, The method of claim 16, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 나선형으로 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. The high pressure electrode unit and the low pressure electrode unit exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that provided in a spiral in the outer portion of the insulating tube. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 절연관의 양측에는, 상기 배기관과 연결하기 위한 연결캡이 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. Both sides of the insulated tube, exhaust gas processing apparatus using an atmospheric pressure plasma, characterized in that the connection cap for connecting with the exhaust pipe is provided. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 절연관의 외측부에는, 상기 절연관을 열을 방출하기 위한 히트싱크가 구비된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치. An exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma, wherein a heat sink for dissipating heat from the insulating tube is provided at an outer side of the insulating tube.
KR1020080004173A 2008-01-15 2008-01-15 Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma KR100854080B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080004173A KR100854080B1 (en) 2008-01-15 2008-01-15 Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080004173A KR100854080B1 (en) 2008-01-15 2008-01-15 Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100854080B1 true KR100854080B1 (en) 2008-08-25

Family

ID=39878564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080004173A KR100854080B1 (en) 2008-01-15 2008-01-15 Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100854080B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047019A (en) * 1990-04-24 1992-01-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Exhaust gas treating device
KR20000031393A (en) * 1998-11-06 2000-06-05 송민종 Method and device for disposing exhaust gas of vehicle by using plasma
JP2000303177A (en) 1999-04-19 2000-10-31 Canon Inc Treatment of exhaust gas
KR20070118419A (en) * 2006-06-12 2007-12-17 주식회사 테라텍 Apparatus for cleaning exhaust portion and vacuum pump of the semiconductor and lcd process reaction chamber

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047019A (en) * 1990-04-24 1992-01-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Exhaust gas treating device
KR20000031393A (en) * 1998-11-06 2000-06-05 송민종 Method and device for disposing exhaust gas of vehicle by using plasma
JP2000303177A (en) 1999-04-19 2000-10-31 Canon Inc Treatment of exhaust gas
KR20070118419A (en) * 2006-06-12 2007-12-17 주식회사 테라텍 Apparatus for cleaning exhaust portion and vacuum pump of the semiconductor and lcd process reaction chamber

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101127714B1 (en) Plasma treatment device and plasma ashing method
TWI594087B (en) Method for processing resist mask and method for producing semiconductor
US6193802B1 (en) Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
TWI703643B (en) Method and apparatus for selective nitridation process
TWI359628B (en) Toroidal low-field reactive gas and plasma source
JP5486303B2 (en) Fluid treatment system including radiation source and cooling means
JPH0698301B2 (en) Cleaning equipment
EP0781599A2 (en) Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions
JP2006523934A5 (en)
CN1802722A (en) Plasma ashing apparatus and endpoint detection process
US8808564B2 (en) Method and apparatus for selective nitridation process
KR101570551B1 (en) A method for etching features in an etch layer
TWI354328B (en) Apparatus for treating substrates using plasma, me
TWI357089B (en) Vacuum reaction chamber with x-lamp heater
CN110459460B (en) Excimer light source
KR100854080B1 (en) Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma
JP2007517650A (en) Gas treatment method by high frequency discharge
TWI303850B (en)
JP3966932B2 (en) Ashing equipment
US7041993B2 (en) Protective coatings for radiation source components
US20120199288A1 (en) Method and system for introduction of an active material to a chemical process
TW201814768A (en) Apparatus for processing process byproduct and method for determining exchange period of collector
JP5412110B2 (en) Vacuum reaction chamber with X lamp heater
WO2009023330A2 (en) Discharge lamp
JPH04370699A (en) Cylindrical plasma generating device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140519

Year of fee payment: 6

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150520

Year of fee payment: 7

R401 Registration of restoration
LAPS Lapse due to unpaid annual fee