KR100854080B1 - Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma - Google Patents
Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma Download PDFInfo
- Publication number
- KR100854080B1 KR100854080B1 KR1020080004173A KR20080004173A KR100854080B1 KR 100854080 B1 KR100854080 B1 KR 100854080B1 KR 1020080004173 A KR1020080004173 A KR 1020080004173A KR 20080004173 A KR20080004173 A KR 20080004173A KR 100854080 B1 KR100854080 B1 KR 100854080B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tube
- exhaust gas
- insulated tube
- voltage electrode
- atmospheric pressure
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
- B01D53/323—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00 by electrostatic effects or by high-voltage electric fields
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
- B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 관한 것으로서, 특히 베이크장치의 배기관을 통해 배출되는 배기가스의 성분을 처리하는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma, and more particularly, to an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma for treating components of exhaust gas discharged through an exhaust pipe of a baking apparatus.
일반적으로 반도체 소자의 고집적화에 따라 회로 패턴의 사이즈는 더욱 미세화되면서 포토리소그라피(photolithography) 공정의 각종 파라미터(parameter)들의 관리는 더욱더 엄격하게 관리되고 있다. In general, as the size of the circuit pattern becomes smaller with increasing integration of semiconductor devices, management of various parameters of the photolithography process is more and more strictly managed.
포토리소그라피 공정은 웨이퍼 상에 감광막을 도포하는 단계, 감광막에 회로 패턴의 빛을 노출시키는 단계, 상기 빛에 노출된 웨이퍼를 현상하는 단계로 이루어지며 각각의 단계 사이에 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하는 베이크(bake) 단계를 수행하게 된다. The photolithography process consists of applying a photoresist film on the wafer, exposing the light of the circuit pattern to the photoresist film, and developing the wafer exposed to the light, and baking the wafer to a constant temperature between each step. will perform the (bake) step.
이와 같은 포토리소그라피 공정을 수행하기 위해 각 단계별로 필요한 장치들, 예를 들어 도포장치, 노광장치, 현상장치 및 베이크장치 등이 사용되며, 최근에는 상기 도포장치, 현상장치 및 베이크장치를 하나의 장소에 밀집시켜 이동거리 와 시간을 줄임으로써 공정의 효율화를 도모한 밀집 시스템(clustered system)의 사용이 점차 증가하고 있는 추세이다. In order to perform the photolithography process, apparatuses necessary for each step, for example, a coating apparatus, an exposure apparatus, a developing apparatus, and a baking apparatus, are used, and recently, the coating apparatus, the developing apparatus, and the baking apparatus are located in one place. Increasingly, the use of clustered systems, which aim to streamline the process by reducing the travel distance and time, is increasing.
한편, 상술한 베이크 단계는 웨이퍼에 감광막을 도포하기 전에 수행하는 프리베이크(pre bake), 감광막의 도포 후에 진행하는 소프트베이크(soft bake 또는 pre exposure bake), 노광단계를 거친 후에 진행하는 노광후베이크(post exposurebake), 식각 또는 이온주입 공정 전에 진행하는 하드베이크(hard bake)가 있다. On the other hand, the above-described bake step is a pre bake performed before the photosensitive film is applied to the wafer, a soft bake or pre exposure bake performed after the photosensitive film is applied, and a post-exposure bake performed after the exposure step. (post exposurebake), there is a hard bake (etch) before the etching or ion implantation process.
여기서, 상기 소프트베이크 공정은 감광제 도포 후에 감광제의 성분 중 용제(solvent)를 제거하기 위한 목적으로 진행되는 공정이며, 일반적으로 100 ~ 140℃ 정도의 고온으로 유지되는 핫플레이트(hot plate) 위에 감광제가 도포된 웨이퍼를 일정시간 놓아 용제를 제거하는 단계이다. 이러한 소프트베이크 공정을 통해서 감광제 내에 포함된 휘발성 용제는 배기 라인을 통하여 배기되고, 감광막은 안정화되는 것이다. In this case, the soft bake process is a process for removing the solvent (solvent) of the components of the photosensitive agent after the photosensitive agent is applied, and the photosensitive agent is generally placed on a hot plate maintained at a high temperature of about 100 ~ 140 ℃ The solvent is removed by leaving the coated wafer for a certain time. Through this soft baking process, the volatile solvent contained in the photosensitive agent is exhausted through the exhaust line, and the photosensitive film is stabilized.
이때, 용제로 사용되는 물질의 일예로 에톡시에틸아세틸린(ethoxyethyl acetylene, 화학식:C2H12O3)이 있으며, 이 외에도 PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate), EGMEA(ethylene glycol monoethylether acetate), MMP(methyl-3-methoxypropionate) 등이 있다. 이러한 용제들은 휘발성 물질로서 감광제의 다른 성분인 레진(resin), PAC(photo active compound) 등을 녹인다. At this time, an example of the material used as a solvent is ethoxyethyl acetylene (C 2 H 12 O 3 ), in addition to PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), EGMEA (ethylene glycol monoethylether acetate), MMP (methyl-3-methoxypropionate). These solvents are volatiles that dissolve other components of the photoresist, such as resin and photo active compounds.
한편, 도 1은 통상의 베이크장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 베이크장치의 배기관을 나타내는 사시도이다. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a conventional baking apparatus, and FIG. 2 is a perspective view showing an exhaust pipe of the baking apparatus of FIG.
도 1에 도시된 바와 같이, 통상의 베이크장치는 감광제가 도포된 웨이퍼가 안착되는 원통형의 핫플레이트(10), 상기 핫플레이트를 가열하기 위한 가열수단(미도시), 상측이 개방되어 상기 핫플레이트(10)의 외부를 둘러싸도록 구비되는 베이크챔버(20), 상기 베이크챔버(20)의 상부를 덮도록 구비되는 원판형의 덮개부(30), 상기 덮개부(30)와 연통되도록 형성된 배기관(40)으로 이루어진다. As shown in FIG. 1, a conventional baking apparatus includes a cylindrical
따라서 감광제가 도포된 웨이퍼가 상기 가열된 핫플레이트(10)에 놓인 상태에서 일정시간 동안 소프트베이크 공정이 진행된다. 이러한 소프트베이크 공정 단계에서 웨이퍼의 상면에 도포된 감광제의 휘발성 성분인 용제와 포토레지스트 레진(이하, "PR레진"으로 통칭함)이 증발하여 상기 덮개부(30)와 연통된 배기관(40)을 통하여 빠져나가게 된다. Therefore, the soft bake process is performed for a predetermined time while the photosensitive agent-coated wafer is placed on the heated
그러나 여러 번의 소프트베이크 공정이 진행됨에 따라 웨이퍼로부터 증발된 용제 및 PR레진은, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 배기관(40)의 내벽에 점차 고착되고, 이렇게 고착되는 고체침전물(A)을 주기적으로 제거하지 않을 경우 배기관(40)이 막히거나, 온도조절을 위한 배기관 개폐시 적정한 제어가 이루어지지 않는 문제점이 있다. However, the solvent and the PR resin evaporated from the wafer as the several soft bake processes progress, are gradually fixed to the inner wall of the
또한, 상기 문제점으로 인하여 전체 베이크장치의 공정 수율이 저하되고, 일정한 양산을 위한 수율 관리가 용이하지 않으며, 주기적 배기관(40)을 청소하여야하는 번거로움이 발생하므로, 전체 반도체 장비의 수율을 저하하는 문제점을 유발한다. In addition, the process yield of the entire baking device is lowered due to the above problems, the yield management for a constant mass production is not easy, and the trouble of having to clean the
또한, 주기적으로 배기관(40)을 청소하는 작업으로 인해 베이크장치의 정기적인 휴지 기간 발생하여 반도체 생산성이 저하되고, 유지보수 비용이 지속적으로 발생하는 문제점이 있다.In addition, there is a problem that the periodic productivity of the baking apparatus due to the operation of periodically cleaning the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 상압 플라즈마를 이용하여 베이크장치의 배기관을 통해 배출되는 배기가스의 성분을 분해하여 배출함에 따라 배기관 내벽에 고체 침전물이 고착되는 것을 방지하고, 배기가스에 포함된 유기화합물이 그대로 대기 중에 방출되는 것을 방지하여 환경오염이 발생하지 않도록 할 수 있는 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치를 제공한다.The present invention has been made in view of the above problems, by using a normal pressure plasma to decompose and discharge the components of the exhaust gas discharged through the exhaust pipe of the baking apparatus to prevent the solid deposits fixed on the inner wall of the exhaust pipe, exhaust Provided is an exhaust gas treating apparatus using an atmospheric pressure plasma which can prevent the organic compound contained in the gas from being released into the air as it is so that environmental pollution does not occur.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 베이크(bake)장치의 배기관에 장착되되, 상기 배기가스가 통과되도록 상기 배기관과 연결되는 절연관; 상기 절열관의 내측부 또는 외측부에 구비되는 고압전극부; 상기 고압전극부와 이격되어 상기 절연관의 내측부 또는 외측부에 구비되는 저압전극부; 및 상기 고압전극부와 저압전극부의 사이에 전압을 인가하는 전원부;를 포함한다. In order to achieve this technical problem, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the present invention is mounted to the exhaust pipe of the bake (bak) device, the insulated pipe connected to the exhaust pipe so that the exhaust gas passes; A high voltage electrode unit provided at an inner side or an outer side of the heat pipe; A low voltage electrode part spaced apart from the high voltage electrode part and provided on an inner side or an outer side of the insulation tube; And a power supply unit applying a voltage between the high voltage electrode part and the low pressure electrode part.
바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode part may be provided on the inner side of the insulated tube, and the low pressure electrode part may be provided on the outer side of the insulated tube.
더욱 바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 내측부 중심축선 상에 봉형태로 고정설치되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측표면에 코팅 또는 도포되어 구비될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode part may be fixedly installed in the shape of a rod on the inner central axis of the insulated tube, and the low pressure electrode part may be coated or coated on the outer surface of the insulated tube.
더욱 바람직하게, 상기 절연관은 장(長)절연관과 단(短)절연관이 서로 연접 하여 구성되며, 상기 고압전극부의 일단부가 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되고, 상기 고압전극부의 타단부가 상기 장(長)절연관의 내부공간 중심축선을 따라 연장형성될 수 있다. More preferably, the insulated tube is formed by connecting a long insulated tube and a short insulated tube to each other, and one end of the high voltage electrode part is connected to the long insulated tube and the short insulated tube. The other end of the high voltage electrode part may be fixed along a central axis of the inner space of the long insulating tube.
더욱 바람직하게, 상기 고압전극부의 일단에는 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부가 형성되고, 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에는 상기 십자형 결합부에 대응되는 결합홈이 각각 형성될 수 있다. More preferably, at one end of the high voltage electrode portion, a cross-shaped coupling portion is formed to be fixed to the connection portion between the long insulated tube and the short insulated tube, and the long insulated tube and the short insulated tube are formed. Connection portions of the coupling grooves corresponding to the cross-shaped coupling portion may be formed respectively.
바람직하게, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 상기 절연관의 외측표면을 소정간격마다 감싸는 다수의 링이 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다. Preferably, the low voltage electrode unit is any one of a cylindrical shape surrounding the outer surface of the insulated tube or a coil type wound around the outer surface of the insulated tube or a ring type connected to a plurality of rings surrounding the outer surface of the insulated tube at predetermined intervals. It may be formed in the form of.
바람직하게, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 저압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성될 수 있다. Preferably, a ceramic coating layer may be formed on the outer surface of the insulator tube to cover the low pressure electrode.
바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비되고, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode part may be provided at an outer side of the insulator tube, and the low pressure electrode unit may be provided at an inner side of the insulator tube.
더욱 바람직하게, 상기 저압전극부는 상기 절연관의 내측부 중심축선 상에 봉형태로 고정설치되고, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측표면에 코팅 또는 도포되어 구비될 수 있다. More preferably, the low pressure electrode portion may be fixedly installed in a rod shape on the inner central axis of the insulated tube, and the high voltage electrode portion may be provided coated or coated on the outer surface of the insulated tube.
더욱 바람직하게, 상기 절연관은 장(長)절연관과 단(短)절연관이 서로 연접하여 구성되며, 상기 저압전극부의 일단부가 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되고, 상기 저압전극부의 타단부가 상기 장(長)절연관의 내부공간 중심축선을 따라 연장형성될 수 있다. More preferably, the insulated tube is formed by connecting a long insulated tube and a short insulated tube to each other, and one end of the low voltage electrode part is connected to the long insulated tube and the short insulated tube. It is fixed to the portion, the other end of the low voltage electrode portion may be formed along the central axis of the internal space of the long insulated tube (long).
더욱 바람직하게, 상기 저압전극부의 일단에는 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부가 형성되고, 상기 장(長)절연관과 단(短)절연관의 연결부분에는 상기 십자형 결합부에 대응되는 결합홈이 각각 형성될 수 있다. More preferably, at one end of the low voltage electrode portion, a cross coupling portion is formed to be fixed to a connection portion between the long insulator tube and the short insulator tube, and the long insulator tube and the short insulator tube are formed. Connection portions of the coupling grooves corresponding to the cross-shaped coupling portion may be formed respectively.
바람직하게, 상기 고압전극부는 상기 절연관의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 상기 절연관의 외측표면을 소정간격마다 감싸는 다수의 링이 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode unit is any one of a cylindrical shape surrounding the outer surface of the insulated tube or a coil type wound around the outer surface of the insulated tube or a ring type in which a plurality of rings are wrapped around the outer surface of the insulated tube at predetermined intervals. It may be formed in the form of.
바람직하게, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 고압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성될 수 있다. Preferably, a ceramic coating layer covering the high voltage electrode part may be formed on an outer surface of the insulating tube.
바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode part and the low pressure electrode part may be provided on the inner side of the insulating tube.
더욱 바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 내측부에 교호적으로 번갈아 배열될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode portion and the low voltage electrode portion may be alternately arranged in the inner portion of the insulating tube.
바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 구비될 수 있다. Preferably, the high voltage electrode portion and the low pressure electrode portion may be provided on the outer side of the insulating tube.
더욱 바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 교호적으로 번갈아 배열될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode portion and the low voltage electrode portion may be alternately arranged in the outer portion of the insulating tube.
더욱 바람직하게, 상기 고압전극부 및 저압전극부는 상기 절연관의 외측부에 나선형으로 구비될 수 있다. More preferably, the high voltage electrode portion and the low pressure electrode portion may be provided in a spiral in the outer portion of the insulating tube.
바람직하게, 상기 절연관의 외측표면에는 상기 고압전극부 및 저압전극부를 커버하는 세라믹코팅층이 형성될 수 있다. Preferably, a ceramic coating layer covering the high voltage electrode part and the low pressure electrode part may be formed on an outer surface of the insulating tube.
바람직하게, 상기 절연관의 양측에는, 상기 배기관과 연결하기 위한 연결캡이 구비될 수 있다. Preferably, both sides of the insulated tube, may be provided with a connection cap for connecting to the exhaust pipe.
바람직하게, 상기 절연관의 외측부에는, 상기 절연관을 열을 방출하기 위한 히트싱크가 구비될 수 있다. Preferably, a heat sink for dissipating heat from the insulating tube may be provided at an outer portion of the insulating tube.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 상압 플라즈마를 이용하여 베이크장치의 배기관을 통해 배출되는 배기가스의 성분을 분해하여 배출함에 따라 배기관 내벽에 고체 침전물이 고착되는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention as described above, by decomposing and discharging the components of the exhaust gas discharged through the exhaust pipe of the baking apparatus by using the atmospheric pressure plasma it is possible to prevent the solid deposit on the inner wall of the exhaust pipe.
또한, 배기가스에 포함된 유기화합물이 그대로 대기 중에 방출되는 것을 방지하여 환경오염이 발생하지 않도록 할 수 있다. In addition, the organic compound contained in the exhaust gas can be prevented from being released into the atmosphere as it is so that environmental pollution does not occur.
또한, 주기적으로 배기관을 청소하지 않아도 되므로, 반도체 웨이퍼, LCD 등과 같이 베이크장치를 이용하는 제품의 생산이 증대되고, 전체 반도체 장비 또는 LCD장비의 수율이 향상되는 이점이 있다. In addition, since it is not necessary to periodically clean the exhaust pipe, there is an advantage that the production of a product using a baking device, such as a semiconductor wafer, LCD, etc. is increased, and the yield of the entire semiconductor equipment or the LCD equipment is improved.
<< 제1실시예First embodiment :: 고압전극부가High voltage electrode part 절연관의 내측부에 구비되고, It is provided in the inner side of the insulated tube, 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 외측부에 구비된 경우> When provided on the outer side of the insulated pipe>
제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 크게, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, the
상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되고, 상기 저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되며, 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The
먼저, 절연관(100)에 대하여 설명하도록 한다. First, the
절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 원통형으로 형성된 부분으로서, 배기가스(G)가 유입되는 측이 유입구가 되고, 배기가스(G)가 배출되는 측이 유출구가 된다. 이때, 상기 절연관(100)의 형상은 원형 이외에도 사각형, 육각형 등 임의로 선택하여 형성할 수 있음은 물론이다. The insulated
상기 절연관(100)은 배기관(40)과 연결되어 배기가스(G)가 통과하는 동안에 상압 플라즈마가 발생할 수 있는 공간을 제공함과 동시에 후술하게 될 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이를 절연하는 기능을 한다. The
한편, 상기 절연관(100)의 양측, 즉, 유입구와 유출구에는 배기관(40)과 연결을 용이하게 할 수 있도록 연결캡(500)이 구비될 수 있다. On the other hand, both sides of the insulating
또한, 상기 절연관(100)의 재질은 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이를 절연하기 용이하도록 세라믹(ceramic), 운모(mica), 유리, 석영 등으로 이루어질 수 있으며, 원통 형태의 구조물을 내열처리 및 절연처리한 절연관(100)을 사용할 수도 있다. In addition, the material of the
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 절연관(100)은 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)이 서로 연접하여 구성되며, 후술하게 될 고압전극부(200)의 일단부가 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 고정될 수 있도록 상기 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에는 결합홈(110h, 120h)이 각각 형성된다. 이러한 장(長)절연관(110), 단(短)절연관(120), 고압전극부(200)의 결합관계에 대해서는 고압전극부(200)에 대한 설명시 상세히 하도록 한다. As shown in FIGS. 4 and 5, the
한편, 상술한 바와 같이, 고압전극부(200)의 일단부가 절연관(100)의 단부측에 위치하지 않고, 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 위치하도록 함으로써 고압전극부(200)의 일단부로부터 절연관(100)의 홀을 통해 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지할 수 있다. On the other hand, as described above, one end of the high
상기 절연관(100)의 외측표면에는 상압 플라즈마 반응 시 발생하는 열을 방출하기 위한 히트싱크(600)가 구비될 수 있으며, 이러한 히트싱크(600)에 의해 절연관(100)의 자체온도가 너무 높게 상승하는 것을 방지할 수 있다. The outer surface of the
이때, 히트싱크(600)의 재질은 열전달이 우수한 알루미늄 재질로 이루어지는 것이 바람직하며, 일예로 "AL 6061"로 이루어질 수 있다. At this time, the
그리고 히트싱크(600)에 의해서 절연관(100)의 자체온도를 일정하게 유지하 지 못하고 절연관(100)의 자체온도가 너무 높게 상승하는 경우에 대비하여, 절연관(100)의 자체온도를 감지하는 온도센서(미도시)를 구비하고, 이 온도센서를 통해 절연관(100)의 자체온도를 감지하여 설정온도보다 높게 온도가 감지되면, 알람을 발생하여 단속할 수 있도록 할 수 있다. In addition, the
다음으로, 고압전극부(200)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the high
고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되어, 후술하게 될 전원부(400)로부터 교류전압을 인가받는 부분이다. The high
도 5에 도시된 바와 같이, 고압전극부(200)의 일단에는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부(210)가 형성되고, 고압전극부(200)의 타단은 장(長)절연관(110)의 내부공간 중심축선을 따라 봉 형태로 연장형성된다. As shown in FIG. 5, at one end of the high
상기 십자형 결합부(210)의 각 단부는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 형성된 결합홈(110h, 120h)에 각각 끼워져 결합되며, 십자형 결합부(210)로부터 타단 방향으로 돌출부(212)가 형성되어 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤된다. Each end of the
즉, 십자형 결합부(210)의 각 단부가 결합홈(110h, 120h)에 끼워짐과 동시에 돌출부(212)가 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤되어, 고압전극부(200)의 타단으로 연장된 봉 형태의 부분이 장(長)절연관(110)의 중심축선과 일치되도록 직진성이 향상되도록 설치되는 것이다. That is, each end of the
그리고 십자형 결합부(210)의 각 단부 중 어느 하나에는 전원케이블을 삽입 하여 연결하기 위한 연결홈(210h)이 형성되어 있다. And at any one of each end of the
한편, 고압전극부(200)의 일단부가 절연관(100)의 단부측에 위치하지 않고, 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 위치하도록 함으로써 고압전극부(200)의 일단부로부터 절연관(100)의 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지하고, 도 3에 도시된 바와 같이, 고압전극부(200)의 타단부가 절연관(100)의 단부측으로부터 소정거리 떨어진 위치까지 연장되도록 형성됨으로써 고압전극부(200)의 타단부로부터 절연관(100)의 홀을 통해 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지한다. On the other hand, one end portion of the high
이때, 상기 연결홈(210h)이 형성된 단부를 제외한 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분을 포함한 외측표면에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 브레이징(brazing)처리 및 세라믹코팅 처리하여 세라믹코팅층(700)을 형성함으로써 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 저압전극부(300)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. At this time, the outer surface including the connection portion of the long insulated
상기 고압전극부(200)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The material of the high
다음으로, 저압전극부(300)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the low
저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되는 부분으로서, 절연관(100)의 외측표면에 전기전도성이 좋은 재질을 코팅 또는 도포하여 구성될 수 있다. The low
이러한 저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관(100)의 외측표면을 권취하는 코일형 또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 다수개의 링이 서로 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있으며, 바람직하게, 상기 저압전극부(300)는 3개의 링이 4부분에서 서로 연결된 구조로 형성된다. The low
한편, 저압전극부(300)의 일부분에는 케이블을 연결하기 위한 연결부(302)가 형성되어 있다. Meanwhile, a part of the low
상기에서는 저압전극부(300)의 형태가 원통형, 코일형, 링형 중 어느 하나로 형성된다고 하였으나, 저압전극부(300)의 형태는 절연관(100)의 외측표면에 구비된다는 기본 개념을 벗어나지 않는 한 임의로 변형하여 적용할 수 있다. In the above, the shape of the low
그리고, 상술한 바와 같이, 절연관(100)의 외측표면에 저압전극부(300)를 커버하는 세라믹코팅층(도 3의 700)을 형성하여 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 저압전극부(300)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. As described above, the ceramic coating layer (700 of FIG. 3) covering the low
다음으로, 전원부(400)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the
전원부(400)는 상기 고압전극부(200)에 교류전압을 인가하는 부분으로서, 상세하게는, 사인파나 코사이파와 같은 정현파 또는 사각파, 계단파 등과 같은 특정한 형태의 교류전압을 발생하여 고압전극부(200)에 인가하게 된다. The
상기 전원부(400)는 절연관(100)의 자체온도를 감지하는 온도센서에서 감지된 온도가 설정온도보다 높게 감지된 경우에, 고압전극부(200)로 인가하는 교류전 압의 공급이 중단될 수 있도록 할 수도 있다. The
이하에서는, 상술한 바와 같이 구성된 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 배기가스 처리원리에 대하여 설명하도록 한다. Hereinafter, the exhaust gas processing principle of the exhaust gas processing apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment configured as described above will be described.
도 3에 도시된 바와 같이, 감광제가 도포된 웨이퍼가 가열된 핫플레이트(10)에 놓인 상태에서 일정시간 동안 베이크 공정이 진행되는 동안에 웨이퍼의 상면에 도포된 감광제의 휘발성 성분인 용제와 PR레진이 증발하여 덮개부(30)와 연통된 배기관(40)을 통하여 배출되며, 이러한 배기가스(G)는 절연관(100)을 통과하게 된다. As shown in FIG. 3, the solvent and the PR resin, which are volatile components of the photosensitive agent applied to the upper surface of the wafer during the baking process for a predetermined time in a state where the photosensitive agent-coated wafer is placed on the heated
절연관(100)을 통과하는 배기가스(G)는 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에 발생된 상압 플라즈마에 의해 화학적반응 및 물리적반응에 의해 분해되어 CO2, CO, O3, H2O 등의 형태로 변화되어 배기된다. The exhaust gas G passing through the
예를 들면, 베이크 공정이 진행되는 동안에 웨이퍼의 상면에 도포된 감광제의 휘발성 성분인 용제(2-Heptanone(화학식:C7H14O), 1-methoxy-2-propyl acetate(화학식:C2H12O3))와 PR레진(주요성분이 카본(화학식:C))이 배기관(40)을 통해 배출되어 절연관(100)을 통과하게 되며, 절연관(100)을 통과하는 중에 용제(C7H14O, C2H12O3)와 PR레진(주요성분이 카본(화학식:C))은 상압 플라즈마에 의해 체인결합이 끊어지게 된다. For example, a solvent (2-Heptanone (C 7 H 14 O), 1-methoxy-2-propyl acetate (C 2 H), which is a volatile component of a photosensitive agent applied to an upper surface of a wafer during a baking process, may be used. 12 O 3 )) and PR resin (the main component is carbon (Chemical Formula: C)) is discharged through the
따라서, 절연관(100) 내부에는 용제(C7H14O, C2H12O3)가 C, -COOH, OH, COO-, H2, O3, H 등으로 분해되며, 절연관(100) 내부에 존재하는 O*, O2 와 결합하여 CO, CO2, O3, H2O의 형태로 기화되거나 타버리게 된다. Accordingly, the solvent (C 7 H 14 O, C 2 H 12 O 3 ) is decomposed into C, -COOH, OH, COO-, H 2 , O 3 , H, etc. in the insulating
◎ C7H14O, C2H12O3, C (배기관 내) ◎ C 7 H 14 O, C 2 H 12 O 3 , C (in exhaust pipe)
→ C, -COOH, OH, COO-, H2, O3, H (절연관 내) ¡Æ C, -COOH, OH, COO-, H 2 , O 3 , H (in insulated tubes)
→ CO, CO2, O3, H2O (배출)→ CO, CO 2 , O 3 , H 2 O (emission)
<실험예>Experimental Example
도 3에 도시된 바와 같이, 베이크장치의 덮개부(30)와 베이크챔버(20)에 의해 밀폐된 공간으로부터 절연관(100), 유기물 측정기(1), 펌프(2)를 순차적으로 지나 배기벽(3)으로 배출되도록 하였다. As shown in FIG. 3, the exhaust wall sequentially passes through the insulating
이때, 상기 밀폐된 공간에 0.1CC의 포토레지스트를 투여한 후 핫플레이트(10)를 가열하여 배기가스(G)가 생성되도록 하고, 펌프(2)의 흡입유량을 15ml/min~500ml/min로 하여 생성된 배기가스(G)가 배기벽(3)으로 배출되도록 하였다. In this case, after the 0.1CC photoresist is administered to the enclosed space, the
절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시키지 않은 상태에서 휘발성 유기화화물(TVOC)의 양은 371.4ppm이고, 대표적인 성분의 양은 다음과 같이 측정되었다. The amount of volatile organic sulfide (TVOC) was 371.4 ppm and the amount of representative components was measured as follows without generating atmospheric pressure plasma in the inner space of the
·2-Heptanone(C7H14O) : 214.4ppm2-Heptanone (C 7 H 14 O): 214.4 ppm
·1-methoxy-2-propyl acetate(C2H12O3) : 24.2ppm1-methoxy-2-propyl acetate (C 2 H 12 O 3 ): 24.2ppm
절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시킨 상태에서 휘발성 유기 화화물(TVOC)의 양은 9.7ppm이고, 대표적인 성분의 양은 다음과 같이 측정되었다. In the state where atmospheric pressure plasma was generated in the inner space of the
·2-Heptanone(C7H14O) : 1.5ppm2-Heptanone (C 7 H 14 O): 1.5 ppm
·1-methoxy-2-propyl acetate(C2H12O3) : 2.3ppm1-methoxy-2-propyl acetate (C 2 H 12 O 3 ): 2.3ppm
따라서, 절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시키지 않은 상태와 절연관(100)의 내부공간에 상압 플라즈마를 발생시킨 상태를 비교하면, 유기물 저감율이 97.388% 정도가 되었다. Therefore, when the state in which the atmospheric pressure plasma was not generated in the inner space of the
<< 제2실시예Second embodiment :: 고압전극부가High voltage electrode part 절연관의 외측부에 구비되고, It is provided in the outer part of the insulated tube, 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 내측부에 구비된 경우> When provided inside the insulator tube>
제2실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 도 6에 도시된 바와 같이, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the second embodiment, as shown in FIG. 6, the
상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되고, 상기 저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되며, 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The
한편, 제2실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치와 비교할 때, 고압전극부(200), 저압전극부(300)의 구성을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 고압전극부(200), 저압전극부(300)에 대해서만 설명하도록 한다. On the other hand, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the second embodiment compared with the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, except for the configuration of the high-
그리고 제2실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 있어서, 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성요소와 동일한 명칭을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였다. In the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the second embodiment, the same reference numerals are used for the components having the same names as the components of the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment.
먼저, 고압전극부(200)에 대하여 설명하도록 한다. First, the high
고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 감싸도록 구비되는 부분으로서, 절연관(100)의 외측표면에 전기전도성이 좋은 재질을 코팅 또는 도포하여 구성될 수 있다. The high
이러한 고압전극부(200)는 상기 절연관(100)의 외측표면을 전체적으로 감싸는 원통형 또는 상기 절연관(100)의 외측표면을 권취하는 코일형 또는 다수개의 링이 서로 연결된 링형 중 어느 하나의 형태로 형성될 수 있으며, 바람직하게, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 고압전극부(200)는 3개의 링이 4부분에서 서로 연결된 구조로 형성된다. The high
한편, 고압전극부(200)의 일부분에는 케이블을 연결하기 위한 연결부(202)가 형성되어 있다. Meanwhile, a part of the high
상기에서는 고압전극부(200)의 형태가 원통형, 코일형, 링형 중 어느 하나로 형성된다고 하였으나, 고압전극부(200)의 형태는 절연관(100)의 외측표면에 구비된 다는 기본 개념을 벗어나지 않는 한 임의로 변형하여 적용할 수 있다. Although the shape of the high
그리고 상술한 바와 같이, 절연관(100)의 외측표면에 고압전극부(200)를 커버하는 세라믹코팅층(미도시)을 형성하여 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 고압전극부(200)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. As described above, the ceramic coating layer (not shown) covering the high
다음으로, 저압전극부(300)에 대하여 설명하도록 한다. Next, the low
저압전극부(300)는 상기 절연관(100)의 내부공간 중심축선 상에 고정되어 설치되어, 후술하게 될 전원부(400)로부터 교류전압을 인가받는 부분이다. The low
도 6에 도시된 바와 같이, 저압전극부(300)의 일단에는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 고정되기 위한 십자형 결합부(310)가 형성되고, 저압전극부(300)의 타단은 장(長)절연관(110)의 내부공간 중심축선을 따라 봉 형태로 연장형성된다. As shown in FIG. 6, at one end of the low
상기 십자형 결합부(310)의 각 단부는 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 형성된 결합홈(110h, 120h)에 각각 끼워져 결합되며, 십자형 결합부(310)로부터 타단 방향으로 돌출부(312)가 형성되어 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤된다. Each end of the
즉, 십자형 결합부(310)의 각 단부가 결합홈(110h, 120h)에 끼워짐과 동시에 돌출부(312)가 장(長)절연관(110)의 내측면에 끼워맞춤되어, 저압전극부(300)의 타단으로 연장된 봉 형태의 부분이 장(長)절연관(110)의 중심축선과 일치되도록 직진성이 향상되도록 설치되는 것이다. That is, each end of the
그리고 십자형 결합부(310)의 각 단부 중 어느 하나에는 전원케이블을 삽입하여 연결하기 위한 연결홈(310h)이 형성되어 있다. And one of each end of the
한편, 저압전극부(300)의 일단부가 절연관(100)의 단부측에 위치하지 않고, 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분에 위치하도록 함으로써 저압전극부(300)의 일단부로부터 절연관(100)의 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지하고, 저압전극부(300)의 타단부가 절연관(100)의 단부측으로부터 소정거리 떨어진 위치까지 연장되도록 형성됨으로써 저압전극부(300)의 타단부로부터 절연관(100)의 홀을 통해 외부로 발생할 수 있는 스파크를 방지한다. On the other hand, one end of the low
이때, 상기 연결홈(310h)이 형성된 단부를 제외한 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분을 포함한 외측표면에는 브레이징(brazing)처리 및 세라믹코팅 처리하여 세라믹코팅층(미도시)을 형성함으로써 장(長)절연관(110)과 단(短)절연관(120)의 연결부분 틈새로 스파크가 발생하는 것을 방지함과 동시에 저압전극부(300)를 보호하고 외부와 접촉되지 않도록 절연시킨다. At this time, the outer surface including the connection portion of the long insulated
상기 저압전극부(300)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The material of the low
<< 제3실시예Third embodiment :: 고압전극부High voltage electrode part 및 And 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 내측부에 구비된 경우> When provided inside the insulator tube>
제3실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 도 7에 도시된 바와 같이, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본 적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. Exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the third embodiment, as shown in Figure 7, the basic configuration of the insulating
상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 상기 절연관의 내부에 서로 이격된 상태로 구비되며, 이들 사이에는 별도의 절연층이 구비될 수도 있다. 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The
한편, 제3실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치와 비교할 때, 고압전극부(200), 저압전극부(300)의 구성을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 고압전극부(200), 저압전극부(300)에 대해서만 설명하도록 한다. On the other hand, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the third embodiment is compared with the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, except for the configuration of the high-
그리고 제3실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 있어서, 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성요소와 동일한 명칭을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였다. In the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the third embodiment, the same reference numerals are used for the components having the same names as the components of the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment.
도 7에 도시된 바와 같이, 제3실시예의 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 절연관(100)의 내측부에 구비되며, 이때, 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 십자형 결합부(250)에 결합되는 구조로 구성될 수 있다. As shown in FIG. 7, the high
즉, 십자형 결합부(250)의 일측에 삽입구(250h1, 250h2)를 형성하고, 이 삽입구(250h1, 250h2)에 고압전극부(200)와 저압전극부(300)가 서로 이격된 상태로 삽입되어 간격이 유지되도록 하는 것이다. That is, insertion holes 250h1 and 250h2 are formed at one side of the
한편, 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)의 배열은, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 다양하게 적용될 수 있음은 물론이다. On the other hand, the arrangement of the high
또한, 상기 십자형 결합부(250)의 재질은 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이를 절연하기 용이하도록 세라믹(ceramic), 운모(mica), 유리, 석영 등으로 이루어질 수 있다. In addition, the
상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The materials of the high
<< 제4실시예Fourth embodiment :: 고압전극부High voltage electrode part 및 And 저압전극부가Low voltage electrode part 절연관의 외측부에 구비된 경우> When provided on the outer side of the insulated pipe>
제4실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는, 크게, 절연관(100), 고압전극부(200), 저압전극부(300), 전원부(400)를 기본적인 구성요소로 하며, 연결캡(500), 히트싱크(600)를 더 포함하여 구성된다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the fourth embodiment, the
상기 절연관(100)은 베이크장치의 배기관(40)으로부터 배출되는 배기가스(G)가 통과되도록 유입구와 유출구가 형성되어 상기 배기관(40)과 연통된 부분이다. 상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 상기 절연관의 외부에 서로 이격된 상태로 구비되며, 상기 절연관의 외부에 구비된 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)를 커버하는 절연층이 구비되는 것이 바람직하다. 상기 고압전극부(200)와 저압전극부(300)의 사이에는 전원부(400)에 의해 전압이 인가되어 상압 플라즈마가 발생할 수 있다. The
한편, 제4실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치는 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치와 비교할 때, 고압전극부(200), 저압전극부(300)의 구성을 제외한 나머지 구성은 동일하므로 고압전극부(200), 저압전극부(300)에 대해서만 설명하도록 한다. On the other hand, the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the fourth embodiment is compared with the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment, except for the configuration of the high-
그리고 제4실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치에 있어서, 제1실시예의 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성요소와 동일한 명칭을 갖는 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였다. In the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the fourth embodiment, the same reference numerals are used for the components having the same names as the components of the exhaust gas treatment apparatus using the atmospheric pressure plasma of the first embodiment.
도 10에 도시된 바와 같이, 제3실시예의 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 절연관(100)의 외측부에 구비되며, 이때, 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)는 절연관(100)의 외측표면을 감싸는 나선형으로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 10, the high
그리고, 고압전극부(200)와 저압전극부(300)에는 케이블을 연결하기 위한 연결부(202, 302)가 각각 형성되어 있다. In addition,
상기 고압전극부(200) 및 저압전극부(300)의 재질은 전기전도성이 좋고 용융점이 높은 텅스텐으로 구성될 수 있으며, 이 외에도, 은, 구리, 금, 알루미늄, 크롬 등 임의로 선택하여 사용할 수 있음은 물론이다. The materials of the high
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
도 1은 통상의 베이크장치의 개략적인 구조를 나타내는 사시도. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a conventional baking apparatus.
도 2는 도 1의 베이크장치의 배기관을 나타내는 사시도. 2 is a perspective view showing an exhaust pipe of the baking apparatus of FIG.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치가 설치된 베이크장치의 배기가스 처리 시스템을 나타내는 개략도. 3 is a schematic view showing an exhaust gas treatment system of a baking apparatus provided with an exhaust gas treatment apparatus using an atmospheric pressure plasma according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 사시도. 4 is a perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to the first embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 5 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to the first embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 6 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to a second embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 7 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to a third embodiment of the present invention.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 절연관 내부 구조의 다른 예를 나타내는 단면도. 8 and 9 are cross-sectional views showing another example of the internal structure of the insulating tube of the exhaust gas treating apparatus using the atmospheric pressure plasma according to the third embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 상압 플라즈마를 이용한 배기가스 처리장치의 구성을 나타내는 분해사시도. 10 is an exploded perspective view showing the configuration of an exhaust gas treating apparatus using atmospheric pressure plasma according to a fourth embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10:핫플레이트 20:베이크챔버10: hot plate 20: bake chamber
30:덮개부 40:배기관30: cover part 40: exhaust pipe
100:절연관 110:장(長)절연관100: insulated tube 110: long insulated tube
110h, 120h:결합홈 120:단(短)절연관110h, 120h: Coupling groove 120: Single insulated pipe
200:고압전극부 210:십자형 결합부200: high voltage electrode portion 210: cross coupling portion
300:저압전극부 400:전원부300: low voltage electrode 400: power supply
500:연결캡 600:히트싱크500: connection cap 600: heat sink
Claims (21)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080004173A KR100854080B1 (en) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080004173A KR100854080B1 (en) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100854080B1 true KR100854080B1 (en) | 2008-08-25 |
Family
ID=39878564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080004173A KR100854080B1 (en) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100854080B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH047019A (en) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Exhaust gas treating device |
KR20000031393A (en) * | 1998-11-06 | 2000-06-05 | 송민종 | Method and device for disposing exhaust gas of vehicle by using plasma |
JP2000303177A (en) | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Canon Inc | Treatment of exhaust gas |
KR20070118419A (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-17 | 주식회사 테라텍 | Apparatus for cleaning exhaust portion and vacuum pump of the semiconductor and lcd process reaction chamber |
-
2008
- 2008-01-15 KR KR1020080004173A patent/KR100854080B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH047019A (en) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Exhaust gas treating device |
KR20000031393A (en) * | 1998-11-06 | 2000-06-05 | 송민종 | Method and device for disposing exhaust gas of vehicle by using plasma |
JP2000303177A (en) | 1999-04-19 | 2000-10-31 | Canon Inc | Treatment of exhaust gas |
KR20070118419A (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-17 | 주식회사 테라텍 | Apparatus for cleaning exhaust portion and vacuum pump of the semiconductor and lcd process reaction chamber |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101127714B1 (en) | Plasma treatment device and plasma ashing method | |
TWI594087B (en) | Method for processing resist mask and method for producing semiconductor | |
US6193802B1 (en) | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment | |
TWI703643B (en) | Method and apparatus for selective nitridation process | |
TWI359628B (en) | Toroidal low-field reactive gas and plasma source | |
JP5486303B2 (en) | Fluid treatment system including radiation source and cooling means | |
JPH0698301B2 (en) | Cleaning equipment | |
EP0781599A2 (en) | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions | |
JP2006523934A5 (en) | ||
CN1802722A (en) | Plasma ashing apparatus and endpoint detection process | |
US8808564B2 (en) | Method and apparatus for selective nitridation process | |
KR101570551B1 (en) | A method for etching features in an etch layer | |
TWI354328B (en) | Apparatus for treating substrates using plasma, me | |
TWI357089B (en) | Vacuum reaction chamber with x-lamp heater | |
CN110459460B (en) | Excimer light source | |
KR100854080B1 (en) | Apparatus for treating exhaust gas using atmospheric plasma | |
JP2007517650A (en) | Gas treatment method by high frequency discharge | |
TWI303850B (en) | ||
JP3966932B2 (en) | Ashing equipment | |
US7041993B2 (en) | Protective coatings for radiation source components | |
US20120199288A1 (en) | Method and system for introduction of an active material to a chemical process | |
TW201814768A (en) | Apparatus for processing process byproduct and method for determining exchange period of collector | |
JP5412110B2 (en) | Vacuum reaction chamber with X lamp heater | |
WO2009023330A2 (en) | Discharge lamp | |
JPH04370699A (en) | Cylindrical plasma generating device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140519 Year of fee payment: 6 |
|
R401 | Registration of restoration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150520 Year of fee payment: 7 |
|
R401 | Registration of restoration | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |