KR100852884B1 - Rework device for semiconductor wafer - Google Patents
Rework device for semiconductor wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR100852884B1 KR100852884B1 KR1020070035919A KR20070035919A KR100852884B1 KR 100852884 B1 KR100852884 B1 KR 100852884B1 KR 1020070035919 A KR1020070035919 A KR 1020070035919A KR 20070035919 A KR20070035919 A KR 20070035919A KR 100852884 B1 KR100852884 B1 KR 100852884B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- wafers
- turntable
- vacuum suction
- regeneration chamber
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02032—Preparing bulk and homogeneous wafers by reclaiming or re-processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 정면 구성도이다.1 is a front configuration diagram according to a preferred embodiment of the present invention semiconductor wafer reproducing apparatus.
도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 측면 구성도이다.2 is a side view of a semiconductor wafer reproducing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 주요부분 평면 구성도이다.3 is a plan view showing the principal part of the semiconductor wafer reproducing apparatus according to the present invention.
도 4는 도 1에서 웨이퍼 고정부의 제1실시 구성도이다.FIG. 4 is a diagram illustrating a first embodiment of the wafer fixing unit in FIG. 1.
도 5는 도 1에서 웨이퍼 고정부의 제2실시 구성도이다.FIG. 5 is a configuration diagram illustrating a second embodiment of the wafer fixing unit in FIG. 1.
도 6은 도 1에서 웨이퍼 고정부의 제3실시 구성도이다.FIG. 6 is a third diagram illustrating the configuration of the wafer fixing part in FIG. 1.
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 수납부의 바람직한 실시예의 구성도이다.Figure 7 is a block diagram of a preferred embodiment of the wafer receiving portion according to the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 로더의 바람직한 실시예의 구성도이다.8 is a block diagram of a preferred embodiment of the loader according to the present invention.
도 9는 도 7에서 진공흡입기재를 이용한 웨이퍼 인출 과정의 모식도이다.9 is a schematic diagram of a wafer withdrawal process using a vacuum suction material in FIG.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
100:웨이퍼 200:재생챔버100: wafer 200: regeneration chamber
210:분사노즐 220:슬릿공간부210: spray nozzle 220: slit space
230:개폐도어부 300:턴테이블부230: opening and closing door part 300: turntable part
310:웨이퍼 고정부 400:구동모터310: wafer fixing part 400: drive motor
500:사이클론500: cyclone
본 발명은 반도체 웨이퍼 재생장치에 관한 것으로, 특히 다수의 반도체 웨이퍼를 동시에 재생처리 할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로, 반도체 웨이퍼 재생장치는 반도체 제조공정 중에 발생된 소자패턴의 오형성 등에 의해 사용할 수 없는 웨이퍼 상의 박막들을 고체 미디어를 이용하여 제거하여 웨이퍼를 반도체 제조공정 이전의 초기상태로 만들거나, IC 제조업체에서 폐기한 웨이퍼의 패턴을 제거하여 태양열 전지용 기판 웨이퍼로 재활용할 수 있도록 하는 장치이다.In general, a semiconductor wafer reproducing apparatus removes thin films on a wafer, which cannot be used due to a malfunction of a device pattern generated during a semiconductor manufacturing process, using a solid medium to bring the wafer to an initial state before the semiconductor manufacturing process, or an IC manufacturer. It is a device that can remove the pattern of the discarded wafer to recycle to the substrate wafer for solar cells.
종래 반도체 웨이퍼 재생장치는 재생할 웨이퍼를 메쉬망 컨베이어에 로딩하고, 그 메쉬망 컨베이어를 통해 이동하는 웨이퍼에 분사노즐을 이용하여 미디어를 분사함으로써 그 반도체 웨이퍼에 성막된 패턴들을 제거하였다.Conventional semiconductor wafer reproducing apparatus removes the patterns deposited on the semiconductor wafer by loading the wafer to be recycled onto the mesh network conveyor and spraying the media with the injection nozzle on the wafer moving through the mesh network conveyor.
이와 같이 메쉬망 컨베이어를 이용한 인라인 타입의 종래 반도체 웨이퍼 재생장치는 웨이퍼가 로딩된 상태에서 연속 공정으로 웨이퍼 재생이 이루어지기 때문에 그 미디어를 분사하는 분사노즐 측을 외부와 차단하기가 용이하지 않았으며, 따라서 상기 미디어 및 웨이퍼 상에 형성된 패턴이 제거되면서 발생하는 파티클이 외부로 쉽게 유출되었다.As described above, the in-line type conventional semiconductor wafer reproducing apparatus using a mesh network conveyor is not easy to block the injection nozzle side for ejecting the media from the outside because the wafer is regenerated in a continuous process while the wafer is loaded. Therefore, particles generated while the patterns formed on the media and the wafer were removed easily leaked to the outside.
이와 같은 유출은 미디어의 재활용률을 낮춰 비용을 증가시킬 수 있으며, 외부에 파티클의 유출에 의한 오염이 발생하는 문제점이 있었다.Such spillage can increase the cost by lowering the recycling rate of the media, there was a problem that the contamination caused by the outflow of particles to the outside.
또한, 인라인 타입의 구조에 의해 풋프린트가 길어 작업이 원활하지 않은 문제점이 있었으며, 상기 메쉬망 컨베이어에 미디어가 직접 분사됨으로써 그 메쉬망 컨베이어의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.In addition, due to the inline type structure, the footprint is long, there is a problem that the operation is not smooth, there is a problem that the life of the mesh network conveyor is shortened by the media is injected directly to the mesh network conveyor.
또한, 종래 반도체 웨이퍼 재생장치는 웨이퍼의 투입을 대부분 수동으로 하고 있으며, 자동으로 웨이퍼를 투입하는 경우에 그 웨이퍼 간의 정전기 또는 습기에 의해 여러 장의 웨이퍼가 동시에 투입되어 하층에 적층된 웨이퍼는 재생되지 않는 재생공정의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다. In addition, in the conventional semiconductor wafer reproducing apparatus, most of the wafers are inserted manually, and when the wafers are automatically loaded, several wafers are simultaneously loaded by static electricity or moisture between the wafers, and the wafers stacked on the lower layer are not recycled. There was a problem that the reliability of the regeneration process is lowered.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은, 미디어와, 웨이퍼 상의 패턴 제거 에 의해 발생되는 파티클이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, the present invention has an object to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus capable of preventing the particles and particles generated by the pattern removal on the wafer from leaking out.
또한 본 발명은 풋프린트를 줄이며, 미디어의 분사에 따른 장치의 손상을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus which can reduce a footprint and prevent damage to the apparatus due to ejection of media.
아울러 본 발명은, 재생할 웨이퍼를 낱장으로 분리하여 투입할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 다른 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus which can separate and insert wafers to be reproduced in sheets.
그리고 본 발명의 또 다른 목적은 재생과정에서 웨이퍼가 손상되더라도 손상된 웨이퍼가 주변으로 확산되는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus capable of preventing the damaged wafer from spreading to the surroundings even if the wafer is damaged during the regeneration process.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치는, 외기와 차단된 재생공간을 제공하는 재생챔버와, 상부 주변부에 다수의 웨이퍼 고정부를 구비하여, 회전 및 정지를 통해 재생할 웨이퍼를 상기 재생챔버의 내측으로 공급함과 동시에 재생된 웨이퍼를 재생챔버로부터 인출하는 턴테이블부와, 상기 재생챔버 내에 위치하여 상기 턴테이블부를 통해 공급된 웨이퍼에 미디어를 분사하는 분사노즐을 포함한다.The semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention for achieving the above object is provided with a regeneration chamber that provides a regeneration space blocked from the outside air, and a plurality of wafer fixing parts in the upper periphery, the wafer to be reproduced through rotation and stop And a turntable portion for feeding the inside of the regeneration chamber and withdrawing the regenerated wafer from the regeneration chamber, and an injection nozzle for injecting media into the wafer placed in the regeneration chamber and supplied through the turntable portion.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following embodiments are provided to those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified in various forms, and the scope of the present invention is limited to the embodiments described below. It is not. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 1은 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 정면 구성도이고, 도 2는 그 측면 구성도이며, 도 3은 그 주요부분의 평면 구성도이다. 1 is a front configuration diagram according to a preferred embodiment of the semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a side configuration diagram thereof, and FIG. 3 is a plan configuration diagram of the main part thereof.
도 1 내지 도 3을 각각 참조하면, 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예는, 내측에 분사노즐(210)을 구비하여 재생할 웨이퍼(100)에 미디어를 분사하여 웨이퍼를 재생하는 재생챔버(200)와, 상기 재생챔버(200)의 일면에 마련된 슬릿공간부(220)를 통해 일부가 상기 재생챔버(200)의 외측으로 노출됨과 아울러 상면 외측부에 각각 웨이퍼(100)를 고정하는 다수의 웨이퍼 고정부(310)를 구비하는 턴테이블부(300)와, 상기 턴테이블부(300)를 소정 각도로 회전시키는 구동모터(400)와, 상기 재생챔버(200) 내의 공기를 외부로 배기하며, 미디어와 파티클을 분리하여 미디어를 상기 미디어 분사노즐(210)로 재공급하는 사이클론(500)을 포함하여 구성된다.1 to 3, a preferred embodiment of the semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention includes a
이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치의 구성과 작용을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention configured as described above will be described in detail.
먼저, 재생챔버(200)는 슬릿공간부(220)를 제외한 영역을 외기로부터 기밀이 유지되도록 하는 구조이며, 내측에는 미디어를 분사할 수 있는 분사노즐(210)이 구비된다. 이때 분사노즐(210)은 하나 또는 둘 이상이 마련될 수 있으며, 그 분사노즐(210)의 수에 따라 동시에 재생처리 할 수 있는 웨이퍼의 수량이 결정된다.First, the
상기 재생챔버(200)의 내측에는 구동모터(400)가 위치하되, 그 구동모터(400)의 위치는 상기 재생챔버(200)의 슬릿공간부(220) 측으로 치우친 곳에 위치한다.The
상기 구동모터(400)는 턴테이블부(300)를 그 중앙을 중심으로 소정각도로 회전시킨다. 이때 구동모터(400)는 실린더로 대체될 수 있다.The
상기 구동모터(400)에 의해 회전하는 턴테이블부(300)의 상면 외곽측에는 각각 웨이퍼를 진공흡입하여 고정할 수 있는 웨이퍼 고정부(310)를 구비한다. 상기 웨이퍼 고정부(310)는 진공흡착 등을 이용하여 웨이퍼를 고정하는 것이다.The outer surface of the upper surface of the
상기 웨이퍼 고정부(310)의 수는 상기 분사노즐(210)의 수를 포함하여, 재생챔버(200) 내에서 동시에 처리될 웨이퍼(100)의 수에 따라 결정한다.The number of the
도 4는 상기 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)의 일실시 구성도이다.4 is a configuration diagram of the
도 4를 참조하면, 상기 웨이퍼 고정부(310)는, 상기 턴테이블부(300)의 상면 외곽측에서 돌출되어, 그 돌출부 상면에서 웨이퍼(100)를 지지하는 지지부(311)와, 상기 지지부의 내측에 마련되어 상기 웨이퍼(100)를 진공흡착하여 이탈을 방지하는 다수의 진공흡입관(312)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 4, the
이와 같은 구조는 진공흡입관(312)의 진공흡착에 의해 웨이퍼(100)를 상기 지지부(311)에 밀착 지지하는 구조이다.Such a structure is such that the
상기 지지부(311)가 그 턴테이블부(300)로부터 돌출되어 위치하기 때문에 상기 슬릿공간부(220)를 통해 이동이 원활하지 않을 수 있으며, 그 슬릿공간부(220)의 일부에 상기 지지부(311)가 턴테이블부(300)의 회전에 따라 상기 재생챔버(200)의 내측 또는 외측으로 이동할 수 있도록 하는 개폐도어부(230)가 마련될 수 있다.Since the
상기 개폐도어부(230)는 닫힌 상태에서 턴테이블부(300)의 상면에 접하도록 할 수 있으며, 상기 슬릿공간부(220)와 개폐도어부(230)의 하부에는 상기 턴테이블부(300)의 회전을 방해하지 않으면서 외기와 재생챔버(200)의 내측을 차단하는 연질의 차단판(도면 미도시)이 마련될 수 있다.The open /
이와 같은 구조에서, 상기 재생챔버(200)의 외측으로 노출된 상기 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에 재생 처리할 반도체 웨이퍼(100)가 로딩되면, 그 웨이퍼 고정부(310)는 웨이퍼(100)를 진공 흡착하여 견고하게 고정하며, 구동모터(400)의 구동에 의해 상기 턴테이블부(300)가 소정의 각도로 회전한다. 상기 턴테이블부(300)가 회전할 때에는 상기 개폐도어부(230)가 열린 상태이다.In such a structure, when the semiconductor wafer 100 to be regenerated is loaded in the
이와 같은 회전에 의해 상기 웨이퍼(100)를 고정한 웨이퍼 고정부(310)는 재생챔버(200)의 내측으로 이동하여, 상기 분사노즐(210)의 분사위치에 위치하게 된다.By the rotation, the
상기 턴테이블(300)의 회전에 의해 웨이퍼 고정부(310)에 고정되어 이동하는 웨이퍼(100)는 직접 상기 분사노즐(210)의 미디어 분사위치로 이동할 수 있으며, 설계에 따라 버퍼부(240)에 일시 머무른 후 그 미디어 분사위치로 이동하도록 구성할 수 있다.The
상기 버퍼부(240)는 동시에 로딩 및 언로딩 할 수 있는 웨이퍼(100)의 수, 동시에 재생 처리 가능한 웨이퍼(100)의 수에 따라 다양하게 설계 변경하여 사용할 수 있다.The
상기의 상태에서 턴테이블부(300)가 정지하고, 상기 개폐도어부(230)가 닫힌 상태에서 상기 분사노즐(210)을 통해 미디어를 분사하여 그 재생챔버(200)의 내측으로 이송된 웨이퍼(100)를 재생처리한다.In the above state, the
이때, 미디어로는 알루미나를 사용할 수 있으며, 그 미디어의 분사에 의해 상기 웨이퍼 표면의 패턴이 제거된다.At this time, alumina may be used as the media, and the pattern of the wafer surface is removed by the ejection of the media.
상기 패턴의 제거로 발생되는 파티클과 상기 분사된 미디어는 사이클론(500)을 통해 외부로 배기되며, 그 사이클론(500)에서 무게가 상대적으로 더 무거운 미디어와 가벼운 파티클이 분리되며, 그 파티클은 외부의 집진부로 집진되고, 그 미디어는 상기 분사노즐(210) 측으로 재공급되어 재활용 되도록 할 수 있다. Particles and the ejected media generated by the removal of the pattern are exhausted to the outside through the
상기와 같은 미디어 분사에 의한 웨이퍼 재생 동작과 동시에 상기 재생챔버(200)의 밖으로 이동된 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에는 재생 처리할 새로운 웨이퍼가 로딩된다.Simultaneously with the wafer regeneration operation by the media ejection, a new wafer to be regenerated is loaded into the
상기 재생처리가 완료되면, 상기 개폐도어부(230)가 열리고, 구동모터(400)에 의해 턴테이블부(300)가 소정의 각도로 회전하며, 그 회전에 의해 상기 재생처리된 웨이퍼는 재생챔버(200)의 외측으로 언로딩되고, 재생처리할 웨이퍼가 그 재생챔버(200)의 미디어 분사위치 또는 버퍼부(240)로 이동하게 된다.When the regeneration process is completed, the opening /
이때 상기 재생처리되어 재생챔버(200)의 밖으로 이동된 웨이퍼(100)는 언로딩되고, 그 웨이퍼가 언로딩된 웨이퍼 고정부에는 재생할 새로운 웨이퍼가 로딩된다.At this time, the
이와 같은 재생된 웨이퍼의 언로딩 및 재생할 웨이퍼의 로딩은 상기 재생챔버(200)에서 재생 처리가 이루어지는 동안 이루어지는 것이 바람직하며, 따라서 본 발명은 다수의 웨이퍼를 동시에 재생처리함과 아울러 다음 재생처리까지의 대기시간을 단축하여 웨이퍼의 재생 처리 속도를 향상시킬 수 있게 된다.Such unloading of the reclaimed wafer and loading of the reclaimed wafer are preferably performed during the regeneration process in the
상기 분사노즐(210)은 재생챔버(200)에서 직선왕복운동 또는 회전운동을 할 수 있도록 구현할 수 있으며, 따라서 보다 균일한 정도로 웨이퍼(100) 상의 오형성된 패턴을 제거할 수 있게 된다.The
이와 달리 상기 웨이퍼 고정부(310)를 웨이퍼(100)가 고정된 상태로 회전 가능하게 구현하여 그 웨이퍼(100)의 상부에 오형성된 패턴을 균일하게 제거 할 수 있다.In contrast, the
도 5는 상기 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시 구성도이다.5 is another embodiment of the
도 5를 참조하면, 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시예는, 구동기어(316)를 구동하는 모터(317)와, 웨이퍼(100)를 지지함과 아울러 상기 구동기어(316)와 맞물려 회전력을 전달받는 종동기어(315)에 의해 회전하는 지지부(313)와, 상기 지지부(313)의 내측에 마련되어 상기 웨이퍼(100)를 지지부(313)의 상면에 진공흡착시키는 진공흡입관(314)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 5, another embodiment of the
이와 같은 구성에서 상기 지지부(313)가 회전함에 따라 그 지지부(313) 상에 고정된 웨이퍼(100)가 회전하며, 상기 분사노즐(210)에서 분사되는 미디어의 분사방향에 무관하게 균일한 패턴 제거가 가능하게 된다.In this configuration, as the
도 6은 상기 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시 구성도이다.6 is another embodiment of the
도 6을 참조하면, 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시예는 지지부(313), 진공흡입관(314), 종동기어(315), 구동기어(316) 및 모터(317)를 구비하여 상기 도 4의 실시예와 동일하게 웨이퍼(100)를 진공흡착하여 고정시킨 상태로 회전이 가능한 것이나, 그 웨이퍼 고정부(310)가 턴테이블부(300)에 마련된 포켓에 매립된 구조이다.Referring to FIG. 6, another embodiment of the
이와 같은 구조에서 웨이퍼(100)가 파손되는 경우에도, 그 웨이퍼(100)의 조각이 다른 영역으로 이탈하는 것을 방지하여 오염, 다른 웨이퍼의 2차적인 파손 등을 방지할 수 있게 된다. 상기 포켓형은 웨이퍼의 비산 방지를 위한 웨이퍼 고정부(310)의 일실시예이며, 그 웨이퍼 고정부(310)의 웨이퍼 고정위치 주변으로 돌출된 차단부를 구비하여 웨이퍼가 비산하는 것을 차단하는 구조를 사용할 수 있는 등, 웨이퍼의 비산을 방지할 수 있는 구조이면 본 발명은 그 웨이퍼 고정부(310)의 구조에 의해 한정되지 않는다.Even when the
상기와 같이 본 발명은 복수의 웨이퍼를 동시에 재생 처리 할 수 있으며, 웨이퍼의 로딩과 언로딩을 동일한 위치에서 수행할 수 있어, 풋프린트를 줄일 수 있다.As described above, the present invention can simultaneously process a plurality of wafers, and can load and unload wafers at the same position, thereby reducing the footprint.
상기 재생챔버(200)의 외측에 노출된 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에 재생할 웨이퍼(100)를 로딩하거나, 재생 처리된 웨이퍼(100)를 언로딩하기 위하여 자동화된 로딩 및 언로딩 장치를 사용할 수 있으며, 그 로딩 장치부의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Automated loading and unloading to load the
도 7은 상기 로딩장치의 웨이퍼 수납부의 바람직한 실시예에 따른 구성도이다.7 is a configuration diagram according to a preferred embodiment of the wafer receiving portion of the loading apparatus.
도 7을 참조하면, 웨이퍼 수납부(600)는 웨이퍼(100)를 적층 수납하는 카세 트부(610)와, 모터(620)의 구동력을 전달받아 상기 카세트부(610)를 상방 또는 하방으로 웨이퍼(100)의 두께만큼씩 이동시킬 수 있는 볼스크류(630)와, 상기 카세트부(610)를 지지하는 가이드부(640)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the
이와 같은 구성에 의하여 상기 웨이퍼 수납부(600)는 웨이퍼(100)가 모두 적재된 상태에서 상부측의 웨이퍼(100)가 인출되면 그 웨이퍼(100)의 적제 최상층의 높이가 유지되도록 웨이퍼(100)의 두께만큼씩 카세트부(610)를 상승시킨다.By the above configuration, the
상기 웨이퍼 수납부(600)는 이동이 가능한 구조로 하며, 이와 같은 웨이퍼 수납부(600)는 상기 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에 웨이퍼(100)를 로딩하거나 그 웨이퍼 고정부(310)에서 언로딩한 웨이퍼(100)를 적재할 때 사용할 수 있다.The wafer
상기 언로딩한 웨이퍼(100)를 적재할 때에는 상기 카세트부(610)를 웨이퍼(100)의 두께 만큼씩 하향 이동시킨다.When loading the unloaded
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 로더(700)의 구성도이다.8 is a configuration diagram of a
도 8을 참조하면, 로더(700)는 이송기재(740)에 의해 상하 좌우로 이동할 수 있는 몸체부(710)와, 상기 몸체부(710)의 중앙에 마련되어 웨이퍼(100)의 유무 및 이격거리를 감지하는 센서(720)와, 상기 몸체부(710)에 마련되어 웨이퍼(100)를 진공흡입하는 다수의 진공흡입기재(730)를 구비하되 그 진공흡입기재(730)의 높이에 차등을 두도록 구성된다.Referring to FIG. 8, the
상기 센서(720)는 웨이퍼 수납부(600)에서 웨이퍼를 인출하여 로딩할 때, 그 웨이퍼 수납부(600)가 적층된 웨이퍼의 높이를 상승시키지 않고도, 웨이퍼의 위치를 감지하여 상기 진공흡입기재(730)를 사용하여 웨이퍼를 인출할 수 있도록 하는 것이다.When the
또한 상기 센서(720)는 웨이퍼 수납부(600) 내에 수납된 웨이퍼가 소진됨을 감지하여 알람발생부(도면 미도시) 등을 통해 작업자에게 재생할 웨이퍼가 없음을 인지시킨다.In addition, the
그리고, 상기 진공흡입기재(730)의 높이에 차등을 두는 이유는 상기 웨이퍼 수납부(600)에 적층된 웨이퍼(100)들은 정전기 또는 세정 등에 의한 수분에 의해 상호간에 부착이 되어 있어 웨이퍼(100)의 인출시 여러장의 웨이퍼(100)가 동시에 인출될 수 있기 때문이다.The reason for the difference in the height of the
도 9는 상기 높이에 차등을 둔 진공흡입기재(730)를 이용한 웨이퍼 인출 과정의 모식도이다.9 is a schematic diagram of a wafer withdrawal process using a
도 9를 참조하면, 상대적으로 낮은 부분의 진공흡입기재(730)에 의해 흡착된 웨이퍼(100)는 상대적으로 높은 위치에 있는 진공흡입기재(730)에 의해 휨이 발생하며, 이 휨에 의해 저면의 웨이퍼(100)가 쉽게 분리되어 낱장 인출이 가능하게 된다.Referring to FIG. 9, the
도면에서 a는 상기 진공흡입기재(730) 사이의 높이 차이이다.In the figure, a is the height difference between the
이 외에 물리적으로 웨이퍼(100) 간의 부착을 방지하는 판을 웨이퍼(100)가 상기 로더(700)에 흡착된 상태에서 사이로 지나도록 하거나, 질소가스 등의 가스를 그 부착된 웨이퍼(100)의 사이에 분사함으로써 웨이퍼간 분리의 신뢰성을 높일 수 있게 된다.In addition, a plate that physically prevents adhesion between the
상기와 같이 로더(700)에 의해 웨이퍼 수납부(600)에서 낱장 인출된 웨이퍼(100)는 상기 턴테이블부(300)에 구비된 웨이퍼 고정부(310) 상으로 이동된 후, 진공흡입이 해제되어 그 웨이퍼 고정부(310)에 로딩된다.As described above, the
재생 처리된 웨이퍼(100)를 언로딩하는 언로더(800)는 상기 로더(700)의 구조와 동일한 것을 사용할 수 있으며, 재생챔버(200)의 내에서 웨이퍼 재생이 이루어지는 동안 외부로 인출된 웨이퍼를 언로딩하고, 그 위치에 다시 재생처리할 웨이퍼를 로딩하게 된다.The
이와 같이 본 발명에 따른 로더(700)와 웨이퍼 수납부(600)는 자동으로 재생처리할 웨이퍼(100)를 로딩함과 아울러 재생처리된 웨이퍼를 언로딩할 수 있어, 재생처리의 효율을 높일 수 있으며, 웨이퍼를 낱장 공급이 가능하게 됨으로써 재생처리의 신뢰성을 높일 수 있게 된다. As such, the
그리고, 상기 턴테이블부(300)의 적어도 상면은 웨이퍼(100)의 재생 처리를 위해 분사되는 미디어에 의한 손상을 방지하기 위해 고무재 커버층이 마련된 것이 바람직하다.In addition, at least an upper surface of the
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.The present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments and has ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the concept of the present invention. Various changes and modifications are possible by the user.
상기한 바와 같이 본 발명은, 웨이퍼의 재생처리공간을 외부와 완전히 차단함으로써, 그 미디어와 웨이퍼 상의 패턴 제거에 의해 발생되는 파티클이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the present invention can completely block the regeneration processing space of the wafer from the outside, thereby preventing the particles generated by the pattern removal on the media and the wafer from leaking out.
또한, 본 발명은, 인덱스 타입의 구성에 의해 풋프린트를 줄일 수 있어 작업의 편의성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the present invention can reduce the footprint by the index type configuration, there is an effect of improving the convenience of work.
아울러 본 발명은, 웨이퍼의 인출시 그 진공흡입기재의 높이 차이를 이용하여 재생할 웨이퍼를 낱장으로 분리하여 투입할 수 있도록 함으로써, 연속적인 공정의 진행이 가능하며, 그 재생의 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention, by using the difference in the height of the vacuum suction substrate when taking out the wafer to be separated into the wafer to be recycled into a sheet, it is possible to proceed with a continuous process, the effect of improving the reliability of the regeneration There is.
그리고 본 발명은, 재생처리되는 웨이퍼가 포켓 내에 위치하도록 하여, 재생과정에서 웨이퍼가 손상되더라도 손상된 웨이퍼가 주변으로 확산되는 것을 방지하여, 그 웨이퍼의 파편에 의해 주위의 웨이퍼 또한 파손되는 것을 방지할 수 있어 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention allows the wafer to be reclaimed to be placed in a pocket, thereby preventing the damaged wafer from spreading to the surroundings even if the wafer is damaged during the regeneration process, thereby preventing the surrounding wafer from being broken by the fragments of the wafer. There is an effect that can improve the reliability of the process.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070035919A KR100852884B1 (en) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | Rework device for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070035919A KR100852884B1 (en) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | Rework device for semiconductor wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100852884B1 true KR100852884B1 (en) | 2008-08-19 |
Family
ID=39878180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070035919A KR100852884B1 (en) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | Rework device for semiconductor wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100852884B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210041962A (en) | 2019-10-08 | 2021-04-16 | 주식회사 신화콘텍 | Rework device for semiconductor wafer |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000019364A (en) * | 1998-09-10 | 2000-04-06 | 김영환 | Memory substrate reproducing apparatus |
JP2000269174A (en) | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for regenerating semiconductor wafer |
KR20010066147A (en) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 윤배원 | Device and Method for Reclaiming of Semiconductor wafer |
KR20060057012A (en) * | 2003-09-19 | 2006-05-25 | 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 | Silicon wafer reclamation method and reclaimed wafer |
-
2007
- 2007-04-12 KR KR1020070035919A patent/KR100852884B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000019364A (en) * | 1998-09-10 | 2000-04-06 | 김영환 | Memory substrate reproducing apparatus |
JP2000269174A (en) | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method for regenerating semiconductor wafer |
KR20010066147A (en) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 윤배원 | Device and Method for Reclaiming of Semiconductor wafer |
KR20060057012A (en) * | 2003-09-19 | 2006-05-25 | 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 | Silicon wafer reclamation method and reclaimed wafer |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210041962A (en) | 2019-10-08 | 2021-04-16 | 주식회사 신화콘텍 | Rework device for semiconductor wafer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4564832B2 (en) | Rectangular substrate splitting device | |
TWI612558B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method, and computer readable recording medium on which a substrate processing program is recorded | |
TWI462213B (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5552462B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
KR20030043739A (en) | Liquid processing apparatus and method | |
JP5740578B2 (en) | Peeling method, program, computer storage medium, peeling apparatus and peeling system | |
KR20010091976A (en) | Semiconductor wafer processing apparatus | |
KR20190141587A (en) | Substrate processing method | |
TW201243922A (en) | Release device, release system, release method, program and computer storage medium | |
TW201635416A (en) | Delivery method for processed objects | |
WO2012176629A1 (en) | Detachment system, detachment method, and computer storage medium | |
KR100852884B1 (en) | Rework device for semiconductor wafer | |
KR20060080986A (en) | Window coating system for protecting liquid crystal display | |
JP2000031235A (en) | Substrate transfer device and operating method thereof | |
KR20130011969A (en) | Heat treatment apparatus | |
JP6044169B2 (en) | Purge device, load port | |
KR101675268B1 (en) | Semiconductor strip grinder with dryer | |
KR100876918B1 (en) | Rework device for semiconductor wafer | |
JP6083749B2 (en) | Work stripping apparatus and stripping method | |
JP2016066689A (en) | Container cleaning device and container cleaning method | |
KR20110075095A (en) | Rework device for semiconductor wafer | |
JP6762864B2 (en) | Processing equipment | |
CN109791883B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR101688621B1 (en) | Apparatus for removing fume | |
KR20170077879A (en) | Wafer flip device and wafer flip method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130530 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140624 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150701 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160810 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180717 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190701 Year of fee payment: 12 |