KR100852884B1 - Rework device for semiconductor wafer - Google Patents

Rework device for semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
KR100852884B1
KR100852884B1 KR1020070035919A KR20070035919A KR100852884B1 KR 100852884 B1 KR100852884 B1 KR 100852884B1 KR 1020070035919 A KR1020070035919 A KR 1020070035919A KR 20070035919 A KR20070035919 A KR 20070035919A KR 100852884 B1 KR100852884 B1 KR 100852884B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
wafers
turntable
vacuum suction
regeneration chamber
Prior art date
Application number
KR1020070035919A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박종수
윤철남
김세호
이동성
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020070035919A priority Critical patent/KR100852884B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100852884B1 publication Critical patent/KR100852884B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02032Preparing bulk and homogeneous wafers by reclaiming or re-processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

A rework device for semiconductor wafer is provided to prevent an outflow of particles to an outside by isolating a regeneration space of a wafer from the outside. A rework chamber provides a rework space isolated from external air. A turntable unit(300) includes a plurality of wafer fixing parts(310) formed at an upper periphery part thereof. The turntable unit performs a rotating operation and a stopping operation to supply a wafer(100) as a rework target to the inside of the rework chamber and to draw the reworked wafer from the rework chamber. An injection nozzle is positioned in the inside of the rework chamber to inject a media onto the wafer supplied from the turntable unit.

Description

반도체 웨이퍼 재생장치{Rework device for semiconductor wafer}Semiconductor wafer regeneration device

도 1은 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 정면 구성도이다.1 is a front configuration diagram according to a preferred embodiment of the present invention semiconductor wafer reproducing apparatus.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 측면 구성도이다.2 is a side view of a semiconductor wafer reproducing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 주요부분 평면 구성도이다.3 is a plan view showing the principal part of the semiconductor wafer reproducing apparatus according to the present invention.

도 4는 도 1에서 웨이퍼 고정부의 제1실시 구성도이다.FIG. 4 is a diagram illustrating a first embodiment of the wafer fixing unit in FIG. 1.

도 5는 도 1에서 웨이퍼 고정부의 제2실시 구성도이다.FIG. 5 is a configuration diagram illustrating a second embodiment of the wafer fixing unit in FIG. 1.

도 6은 도 1에서 웨이퍼 고정부의 제3실시 구성도이다.FIG. 6 is a third diagram illustrating the configuration of the wafer fixing part in FIG. 1.

도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 수납부의 바람직한 실시예의 구성도이다.Figure 7 is a block diagram of a preferred embodiment of the wafer receiving portion according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 로더의 바람직한 실시예의 구성도이다.8 is a block diagram of a preferred embodiment of the loader according to the present invention.

도 9는 도 7에서 진공흡입기재를 이용한 웨이퍼 인출 과정의 모식도이다.9 is a schematic diagram of a wafer withdrawal process using a vacuum suction material in FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100:웨이퍼 200:재생챔버100: wafer 200: regeneration chamber

210:분사노즐 220:슬릿공간부210: spray nozzle 220: slit space

230:개폐도어부 300:턴테이블부230: opening and closing door part 300: turntable part

310:웨이퍼 고정부 400:구동모터310: wafer fixing part 400: drive motor

500:사이클론500: cyclone

본 발명은 반도체 웨이퍼 재생장치에 관한 것으로, 특히 다수의 반도체 웨이퍼를 동시에 재생처리 할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer recycling apparatus, and more particularly, to a semiconductor wafer recycling apparatus capable of simultaneously regenerating a plurality of semiconductor wafers.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 재생장치는 반도체 제조공정 중에 발생된 소자패턴의 오형성 등에 의해 사용할 수 없는 웨이퍼 상의 박막들을 고체 미디어를 이용하여 제거하여 웨이퍼를 반도체 제조공정 이전의 초기상태로 만들거나, IC 제조업체에서 폐기한 웨이퍼의 패턴을 제거하여 태양열 전지용 기판 웨이퍼로 재활용할 수 있도록 하는 장치이다.In general, a semiconductor wafer reproducing apparatus removes thin films on a wafer, which cannot be used due to a malfunction of a device pattern generated during a semiconductor manufacturing process, using a solid medium to bring the wafer to an initial state before the semiconductor manufacturing process, or an IC manufacturer. It is a device that can remove the pattern of the discarded wafer to recycle to the substrate wafer for solar cells.

종래 반도체 웨이퍼 재생장치는 재생할 웨이퍼를 메쉬망 컨베이어에 로딩하고, 그 메쉬망 컨베이어를 통해 이동하는 웨이퍼에 분사노즐을 이용하여 미디어를 분사함으로써 그 반도체 웨이퍼에 성막된 패턴들을 제거하였다.Conventional semiconductor wafer reproducing apparatus removes the patterns deposited on the semiconductor wafer by loading the wafer to be recycled onto the mesh network conveyor and spraying the media with the injection nozzle on the wafer moving through the mesh network conveyor.

이와 같이 메쉬망 컨베이어를 이용한 인라인 타입의 종래 반도체 웨이퍼 재생장치는 웨이퍼가 로딩된 상태에서 연속 공정으로 웨이퍼 재생이 이루어지기 때문에 그 미디어를 분사하는 분사노즐 측을 외부와 차단하기가 용이하지 않았으며, 따라서 상기 미디어 및 웨이퍼 상에 형성된 패턴이 제거되면서 발생하는 파티클이 외부로 쉽게 유출되었다.As described above, the in-line type conventional semiconductor wafer reproducing apparatus using a mesh network conveyor is not easy to block the injection nozzle side for ejecting the media from the outside because the wafer is regenerated in a continuous process while the wafer is loaded. Therefore, particles generated while the patterns formed on the media and the wafer were removed easily leaked to the outside.

이와 같은 유출은 미디어의 재활용률을 낮춰 비용을 증가시킬 수 있으며, 외부에 파티클의 유출에 의한 오염이 발생하는 문제점이 있었다.Such spillage can increase the cost by lowering the recycling rate of the media, there was a problem that the contamination caused by the outflow of particles to the outside.

또한, 인라인 타입의 구조에 의해 풋프린트가 길어 작업이 원활하지 않은 문제점이 있었으며, 상기 메쉬망 컨베이어에 미디어가 직접 분사됨으로써 그 메쉬망 컨베이어의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.In addition, due to the inline type structure, the footprint is long, there is a problem that the operation is not smooth, there is a problem that the life of the mesh network conveyor is shortened by the media is injected directly to the mesh network conveyor.

또한, 종래 반도체 웨이퍼 재생장치는 웨이퍼의 투입을 대부분 수동으로 하고 있으며, 자동으로 웨이퍼를 투입하는 경우에 그 웨이퍼 간의 정전기 또는 습기에 의해 여러 장의 웨이퍼가 동시에 투입되어 하층에 적층된 웨이퍼는 재생되지 않는 재생공정의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다. In addition, in the conventional semiconductor wafer reproducing apparatus, most of the wafers are inserted manually, and when the wafers are automatically loaded, several wafers are simultaneously loaded by static electricity or moisture between the wafers, and the wafers stacked on the lower layer are not recycled. There was a problem that the reliability of the regeneration process is lowered.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은, 미디어와, 웨이퍼 상의 패턴 제거 에 의해 발생되는 파티클이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, the present invention has an object to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus capable of preventing the particles and particles generated by the pattern removal on the wafer from leaking out.

또한 본 발명은 풋프린트를 줄이며, 미디어의 분사에 따른 장치의 손상을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus which can reduce a footprint and prevent damage to the apparatus due to ejection of media.

아울러 본 발명은, 재생할 웨이퍼를 낱장으로 분리하여 투입할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 다른 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus which can separate and insert wafers to be reproduced in sheets.

그리고 본 발명의 또 다른 목적은 재생과정에서 웨이퍼가 손상되더라도 손상된 웨이퍼가 주변으로 확산되는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 재생장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer reproducing apparatus capable of preventing the damaged wafer from spreading to the surroundings even if the wafer is damaged during the regeneration process.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치는, 외기와 차단된 재생공간을 제공하는 재생챔버와, 상부 주변부에 다수의 웨이퍼 고정부를 구비하여, 회전 및 정지를 통해 재생할 웨이퍼를 상기 재생챔버의 내측으로 공급함과 동시에 재생된 웨이퍼를 재생챔버로부터 인출하는 턴테이블부와, 상기 재생챔버 내에 위치하여 상기 턴테이블부를 통해 공급된 웨이퍼에 미디어를 분사하는 분사노즐을 포함한다.The semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention for achieving the above object is provided with a regeneration chamber that provides a regeneration space blocked from the outside air, and a plurality of wafer fixing parts in the upper periphery, the wafer to be reproduced through rotation and stop And a turntable portion for feeding the inside of the regeneration chamber and withdrawing the regenerated wafer from the regeneration chamber, and an injection nozzle for injecting media into the wafer placed in the regeneration chamber and supplied through the turntable portion.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following embodiments are provided to those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified in various forms, and the scope of the present invention is limited to the embodiments described below. It is not. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 1은 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예에 따른 정면 구성도이고, 도 2는 그 측면 구성도이며, 도 3은 그 주요부분의 평면 구성도이다. 1 is a front configuration diagram according to a preferred embodiment of the semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a side configuration diagram thereof, and FIG. 3 is a plan configuration diagram of the main part thereof.

도 1 내지 도 3을 각각 참조하면, 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치 바람직한 실시예는, 내측에 분사노즐(210)을 구비하여 재생할 웨이퍼(100)에 미디어를 분사하여 웨이퍼를 재생하는 재생챔버(200)와, 상기 재생챔버(200)의 일면에 마련된 슬릿공간부(220)를 통해 일부가 상기 재생챔버(200)의 외측으로 노출됨과 아울러 상면 외측부에 각각 웨이퍼(100)를 고정하는 다수의 웨이퍼 고정부(310)를 구비하는 턴테이블부(300)와, 상기 턴테이블부(300)를 소정 각도로 회전시키는 구동모터(400)와, 상기 재생챔버(200) 내의 공기를 외부로 배기하며, 미디어와 파티클을 분리하여 미디어를 상기 미디어 분사노즐(210)로 재공급하는 사이클론(500)을 포함하여 구성된다.1 to 3, a preferred embodiment of the semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention includes a regeneration chamber 200 having a jet nozzle 210 inside the jet chamber 100 for reproducing the wafer by jetting media onto the wafer 100 to be reproduced. And a plurality of wafer fixing parts that partially expose the outside of the regeneration chamber 200 through the slit space portion 220 provided on one surface of the regeneration chamber 200 and fix the wafer 100 to the outer side of the upper surface. A turntable unit 300 having a 310, a drive motor 400 for rotating the turntable unit 300 at a predetermined angle, exhausting air in the regeneration chamber 200 to the outside, and storing media and particles. And a cyclone 500 that separates and resupplies media to the media ejection nozzles 210.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명 반도체 웨이퍼 재생장치의 구성과 작용을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the semiconductor wafer reproducing apparatus of the present invention configured as described above will be described in detail.

먼저, 재생챔버(200)는 슬릿공간부(220)를 제외한 영역을 외기로부터 기밀이 유지되도록 하는 구조이며, 내측에는 미디어를 분사할 수 있는 분사노즐(210)이 구비된다. 이때 분사노즐(210)은 하나 또는 둘 이상이 마련될 수 있으며, 그 분사노즐(210)의 수에 따라 동시에 재생처리 할 수 있는 웨이퍼의 수량이 결정된다.First, the regeneration chamber 200 is a structure in which airtightness is maintained in an area excluding the slit space part 220 from the outside air, and an injection nozzle 210 capable of injecting media is provided inside. In this case, one or more injection nozzles 210 may be provided, and the number of wafers that can be simultaneously regenerated is determined according to the number of injection nozzles 210.

상기 재생챔버(200)의 내측에는 구동모터(400)가 위치하되, 그 구동모터(400)의 위치는 상기 재생챔버(200)의 슬릿공간부(220) 측으로 치우친 곳에 위치한다.The driving motor 400 is positioned inside the regeneration chamber 200, and the position of the driving motor 400 is located at the slit space 220 side of the regeneration chamber 200.

상기 구동모터(400)는 턴테이블부(300)를 그 중앙을 중심으로 소정각도로 회전시킨다. 이때 구동모터(400)는 실린더로 대체될 수 있다.The drive motor 400 rotates the turntable unit 300 at a predetermined angle about its center. In this case, the driving motor 400 may be replaced by a cylinder.

상기 구동모터(400)에 의해 회전하는 턴테이블부(300)의 상면 외곽측에는 각각 웨이퍼를 진공흡입하여 고정할 수 있는 웨이퍼 고정부(310)를 구비한다. 상기 웨이퍼 고정부(310)는 진공흡착 등을 이용하여 웨이퍼를 고정하는 것이다.The outer surface of the upper surface of the turntable unit 300 rotated by the driving motor 400 is provided with a wafer fixing unit 310 that can be fixed by vacuum suction of the wafer, respectively. The wafer fixing part 310 is to fix the wafer by using vacuum adsorption.

상기 웨이퍼 고정부(310)의 수는 상기 분사노즐(210)의 수를 포함하여, 재생챔버(200) 내에서 동시에 처리될 웨이퍼(100)의 수에 따라 결정한다.The number of the wafer fixing parts 310 is determined according to the number of wafers 100 to be processed simultaneously in the regeneration chamber 200 including the number of the injection nozzles 210.

도 4는 상기 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)의 일실시 구성도이다.4 is a configuration diagram of the wafer fixing unit 310 of the turntable unit 300.

도 4를 참조하면, 상기 웨이퍼 고정부(310)는, 상기 턴테이블부(300)의 상면 외곽측에서 돌출되어, 그 돌출부 상면에서 웨이퍼(100)를 지지하는 지지부(311)와, 상기 지지부의 내측에 마련되어 상기 웨이퍼(100)를 진공흡착하여 이탈을 방지하는 다수의 진공흡입관(312)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 4, the wafer fixing part 310 protrudes from an outer side of an upper surface of the turntable part 300, a support part 311 supporting the wafer 100 from an upper surface of the protrusion part, and an inner side of the support part. Is provided in the wafer 100 is configured to include a plurality of vacuum suction tube (312) to prevent the separation by vacuum suction.

이와 같은 구조는 진공흡입관(312)의 진공흡착에 의해 웨이퍼(100)를 상기 지지부(311)에 밀착 지지하는 구조이다.Such a structure is such that the wafer 100 is tightly supported by the support part 311 by vacuum suction of the vacuum suction tube 312.

상기 지지부(311)가 그 턴테이블부(300)로부터 돌출되어 위치하기 때문에 상기 슬릿공간부(220)를 통해 이동이 원활하지 않을 수 있으며, 그 슬릿공간부(220)의 일부에 상기 지지부(311)가 턴테이블부(300)의 회전에 따라 상기 재생챔버(200)의 내측 또는 외측으로 이동할 수 있도록 하는 개폐도어부(230)가 마련될 수 있다.Since the support part 311 protrudes from the turntable part 300, the support part 311 may not move smoothly through the slit space part 220, and the support part 311 may be part of the slit space part 220. An opening / closing door unit 230 may be provided to move the inner or outer side of the regeneration chamber 200 as the turntable unit 300 rotates.

상기 개폐도어부(230)는 닫힌 상태에서 턴테이블부(300)의 상면에 접하도록 할 수 있으며, 상기 슬릿공간부(220)와 개폐도어부(230)의 하부에는 상기 턴테이블부(300)의 회전을 방해하지 않으면서 외기와 재생챔버(200)의 내측을 차단하는 연질의 차단판(도면 미도시)이 마련될 수 있다.The open / close door part 230 may be in contact with the top surface of the turntable part 300 in a closed state, and the turntable part 300 rotates under the slit space part 220 and the open / close door part 230. A soft blocking plate (not shown) may be provided to block the outside and the inside of the regeneration chamber 200 without interfering with each other.

이와 같은 구조에서, 상기 재생챔버(200)의 외측으로 노출된 상기 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에 재생 처리할 반도체 웨이퍼(100)가 로딩되면, 그 웨이퍼 고정부(310)는 웨이퍼(100)를 진공 흡착하여 견고하게 고정하며, 구동모터(400)의 구동에 의해 상기 턴테이블부(300)가 소정의 각도로 회전한다. 상기 턴테이블부(300)가 회전할 때에는 상기 개폐도어부(230)가 열린 상태이다.In such a structure, when the semiconductor wafer 100 to be regenerated is loaded in the wafer fixing part 310 of the turntable part 300 exposed to the outside of the regeneration chamber 200, the wafer fixing part 310 is formed. The wafer 100 is firmly fixed by vacuum suction, and the turntable 300 is rotated at a predetermined angle by the driving of the driving motor 400. When the turntable 300 rotates, the opening / closing door 230 is open.

이와 같은 회전에 의해 상기 웨이퍼(100)를 고정한 웨이퍼 고정부(310)는 재생챔버(200)의 내측으로 이동하여, 상기 분사노즐(210)의 분사위치에 위치하게 된다.By the rotation, the wafer fixing part 310 fixing the wafer 100 moves to the inside of the regeneration chamber 200 and is positioned at the injection position of the injection nozzle 210.

상기 턴테이블(300)의 회전에 의해 웨이퍼 고정부(310)에 고정되어 이동하는 웨이퍼(100)는 직접 상기 분사노즐(210)의 미디어 분사위치로 이동할 수 있으며, 설계에 따라 버퍼부(240)에 일시 머무른 후 그 미디어 분사위치로 이동하도록 구성할 수 있다.The wafer 100 fixed and moved to the wafer fixing part 310 by the rotation of the turntable 300 may move directly to the media ejection position of the ejection nozzle 210. It can be configured to move to the media ejection position after a temporary stay.

상기 버퍼부(240)는 동시에 로딩 및 언로딩 할 수 있는 웨이퍼(100)의 수, 동시에 재생 처리 가능한 웨이퍼(100)의 수에 따라 다양하게 설계 변경하여 사용할 수 있다.The buffer unit 240 may be used in various designs according to the number of wafers 100 that can be simultaneously loaded and unloaded, and the number of wafers 100 that can be simultaneously reproduced.

상기의 상태에서 턴테이블부(300)가 정지하고, 상기 개폐도어부(230)가 닫힌 상태에서 상기 분사노즐(210)을 통해 미디어를 분사하여 그 재생챔버(200)의 내측으로 이송된 웨이퍼(100)를 재생처리한다.In the above state, the turntable unit 300 is stopped and the wafer 100 transferred to the inside of the regeneration chamber 200 by spraying the media through the injection nozzle 210 in the state in which the open / close door unit 230 is closed. ) Is played back.

이때, 미디어로는 알루미나를 사용할 수 있으며, 그 미디어의 분사에 의해 상기 웨이퍼 표면의 패턴이 제거된다.At this time, alumina may be used as the media, and the pattern of the wafer surface is removed by the ejection of the media.

상기 패턴의 제거로 발생되는 파티클과 상기 분사된 미디어는 사이클론(500)을 통해 외부로 배기되며, 그 사이클론(500)에서 무게가 상대적으로 더 무거운 미디어와 가벼운 파티클이 분리되며, 그 파티클은 외부의 집진부로 집진되고, 그 미디어는 상기 분사노즐(210) 측으로 재공급되어 재활용 되도록 할 수 있다. Particles and the ejected media generated by the removal of the pattern are exhausted to the outside through the cyclone 500, in which the heavier media and lighter particles are separated, and the particles Dust is collected by the dust collector, the media can be re-supplied to the injection nozzle 210 to be recycled.

상기와 같은 미디어 분사에 의한 웨이퍼 재생 동작과 동시에 상기 재생챔버(200)의 밖으로 이동된 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에는 재생 처리할 새로운 웨이퍼가 로딩된다.Simultaneously with the wafer regeneration operation by the media ejection, a new wafer to be regenerated is loaded into the wafer holding part 310 of the turntable part 300 moved out of the regeneration chamber 200.

상기 재생처리가 완료되면, 상기 개폐도어부(230)가 열리고, 구동모터(400)에 의해 턴테이블부(300)가 소정의 각도로 회전하며, 그 회전에 의해 상기 재생처리된 웨이퍼는 재생챔버(200)의 외측으로 언로딩되고, 재생처리할 웨이퍼가 그 재생챔버(200)의 미디어 분사위치 또는 버퍼부(240)로 이동하게 된다.When the regeneration process is completed, the opening / closing door part 230 is opened, and the turntable part 300 is rotated at a predetermined angle by the driving motor 400, and the regenerated wafer is regenerated by the regeneration chamber ( The wafer to be unloaded out of the 200 and to be regenerated is moved to the media ejection position or the buffer unit 240 of the regeneration chamber 200.

이때 상기 재생처리되어 재생챔버(200)의 밖으로 이동된 웨이퍼(100)는 언로딩되고, 그 웨이퍼가 언로딩된 웨이퍼 고정부에는 재생할 새로운 웨이퍼가 로딩된다.At this time, the wafer 100 that has been regenerated and moved out of the regeneration chamber 200 is unloaded, and a new wafer to be regenerated is loaded in the wafer fixing portion in which the wafer is unloaded.

이와 같은 재생된 웨이퍼의 언로딩 및 재생할 웨이퍼의 로딩은 상기 재생챔버(200)에서 재생 처리가 이루어지는 동안 이루어지는 것이 바람직하며, 따라서 본 발명은 다수의 웨이퍼를 동시에 재생처리함과 아울러 다음 재생처리까지의 대기시간을 단축하여 웨이퍼의 재생 처리 속도를 향상시킬 수 있게 된다.Such unloading of the reclaimed wafer and loading of the reclaimed wafer are preferably performed during the regeneration process in the regeneration chamber 200. Therefore, the present invention simultaneously regenerates a plurality of wafers, and then proceeds to the next regeneration process. By shortening the waiting time, it is possible to improve the regeneration processing speed of the wafer.

상기 분사노즐(210)은 재생챔버(200)에서 직선왕복운동 또는 회전운동을 할 수 있도록 구현할 수 있으며, 따라서 보다 균일한 정도로 웨이퍼(100) 상의 오형성된 패턴을 제거할 수 있게 된다.The injection nozzle 210 may be implemented to perform a linear reciprocating motion or a rotational motion in the regeneration chamber 200, and thus may eliminate an incorrect pattern on the wafer 100 to a more uniform degree.

이와 달리 상기 웨이퍼 고정부(310)를 웨이퍼(100)가 고정된 상태로 회전 가능하게 구현하여 그 웨이퍼(100)의 상부에 오형성된 패턴을 균일하게 제거 할 수 있다.In contrast, the wafer fixing part 310 may be rotatably implemented in a state in which the wafer 100 is fixed, thereby uniformly removing an incorrect pattern on the upper portion of the wafer 100.

도 5는 상기 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시 구성도이다.5 is another embodiment of the wafer holding part 310.

도 5를 참조하면, 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시예는, 구동기어(316)를 구동하는 모터(317)와, 웨이퍼(100)를 지지함과 아울러 상기 구동기어(316)와 맞물려 회전력을 전달받는 종동기어(315)에 의해 회전하는 지지부(313)와, 상기 지지부(313)의 내측에 마련되어 상기 웨이퍼(100)를 지지부(313)의 상면에 진공흡착시키는 진공흡입관(314)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 5, another embodiment of the wafer fixing part 310 includes a motor 317 for driving the drive gear 316, a wafer 100, and a rotation force in engagement with the drive gear 316. It includes a support portion 313 rotated by the driven gear 315 receiving the transmission, and a vacuum suction tube 314 is provided inside the support portion 313 to suck the wafer 100 on the upper surface of the support portion 313 It is configured by.

이와 같은 구성에서 상기 지지부(313)가 회전함에 따라 그 지지부(313) 상에 고정된 웨이퍼(100)가 회전하며, 상기 분사노즐(210)에서 분사되는 미디어의 분사방향에 무관하게 균일한 패턴 제거가 가능하게 된다.In this configuration, as the support 313 rotates, the wafer 100 fixed on the support 313 rotates, and a uniform pattern is removed regardless of the ejection direction of the media ejected from the ejection nozzle 210. Becomes possible.

도 6은 상기 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시 구성도이다.6 is another embodiment of the wafer holding part 310.

도 6을 참조하면, 웨이퍼 고정부(310)의 다른 실시예는 지지부(313), 진공흡입관(314), 종동기어(315), 구동기어(316) 및 모터(317)를 구비하여 상기 도 4의 실시예와 동일하게 웨이퍼(100)를 진공흡착하여 고정시킨 상태로 회전이 가능한 것이나, 그 웨이퍼 고정부(310)가 턴테이블부(300)에 마련된 포켓에 매립된 구조이다.Referring to FIG. 6, another embodiment of the wafer fixing part 310 includes a support part 313, a vacuum suction pipe 314, a driven gear 315, a drive gear 316, and a motor 317. As in the embodiment of the present invention, the wafer 100 can be rotated while being vacuum-adsorbed and fixed, but the wafer fixing part 310 is embedded in a pocket provided in the turntable part 300.

이와 같은 구조에서 웨이퍼(100)가 파손되는 경우에도, 그 웨이퍼(100)의 조각이 다른 영역으로 이탈하는 것을 방지하여 오염, 다른 웨이퍼의 2차적인 파손 등을 방지할 수 있게 된다. 상기 포켓형은 웨이퍼의 비산 방지를 위한 웨이퍼 고정부(310)의 일실시예이며, 그 웨이퍼 고정부(310)의 웨이퍼 고정위치 주변으로 돌출된 차단부를 구비하여 웨이퍼가 비산하는 것을 차단하는 구조를 사용할 수 있는 등, 웨이퍼의 비산을 방지할 수 있는 구조이면 본 발명은 그 웨이퍼 고정부(310)의 구조에 의해 한정되지 않는다.Even when the wafer 100 is damaged in such a structure, the pieces of the wafer 100 can be prevented from being separated to other areas, thereby preventing contamination, secondary breakage of other wafers, and the like. The pocket type is an embodiment of the wafer holding part 310 for preventing the scattering of the wafer, and has a blocking portion protruding around the wafer holding position of the wafer holding part 310 to use a structure to block the wafer from scattering. The present invention is not limited by the structure of the wafer holding part 310 as long as it can prevent scattering of the wafer.

상기와 같이 본 발명은 복수의 웨이퍼를 동시에 재생 처리 할 수 있으며, 웨이퍼의 로딩과 언로딩을 동일한 위치에서 수행할 수 있어, 풋프린트를 줄일 수 있다.As described above, the present invention can simultaneously process a plurality of wafers, and can load and unload wafers at the same position, thereby reducing the footprint.

상기 재생챔버(200)의 외측에 노출된 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에 재생할 웨이퍼(100)를 로딩하거나, 재생 처리된 웨이퍼(100)를 언로딩하기 위하여 자동화된 로딩 및 언로딩 장치를 사용할 수 있으며, 그 로딩 장치부의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Automated loading and unloading to load the wafer 100 to be regenerated or to unload the reclaimed wafer 100 to the wafer holding part 310 of the turntable part 300 exposed to the outside of the regeneration chamber 200. A loading device may be used, and a preferred embodiment of the loading device portion will be described in detail as follows.

도 7은 상기 로딩장치의 웨이퍼 수납부의 바람직한 실시예에 따른 구성도이다.7 is a configuration diagram according to a preferred embodiment of the wafer receiving portion of the loading apparatus.

도 7을 참조하면, 웨이퍼 수납부(600)는 웨이퍼(100)를 적층 수납하는 카세 트부(610)와, 모터(620)의 구동력을 전달받아 상기 카세트부(610)를 상방 또는 하방으로 웨이퍼(100)의 두께만큼씩 이동시킬 수 있는 볼스크류(630)와, 상기 카세트부(610)를 지지하는 가이드부(640)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the wafer accommodating part 600 receives a cassette part 610 for stacking and accommodating the wafer 100 and a driving force of the motor 620 to move the cassette part 610 upward or downward. A ball screw 630 which can be moved by a thickness of 100 and a guide part 640 supporting the cassette part 610 are included.

이와 같은 구성에 의하여 상기 웨이퍼 수납부(600)는 웨이퍼(100)가 모두 적재된 상태에서 상부측의 웨이퍼(100)가 인출되면 그 웨이퍼(100)의 적제 최상층의 높이가 유지되도록 웨이퍼(100)의 두께만큼씩 카세트부(610)를 상승시킨다.By the above configuration, the wafer accommodating part 600 has the wafer 100 so that the height of the uppermost layer of the stack of the wafer 100 is maintained when the wafer 100 on the upper side is taken out while the wafer 100 is fully loaded. The cassette unit 610 is raised by the thickness of.

상기 웨이퍼 수납부(600)는 이동이 가능한 구조로 하며, 이와 같은 웨이퍼 수납부(600)는 상기 턴테이블부(300)의 웨이퍼 고정부(310)에 웨이퍼(100)를 로딩하거나 그 웨이퍼 고정부(310)에서 언로딩한 웨이퍼(100)를 적재할 때 사용할 수 있다.The wafer accommodating part 600 is configured to be movable, and the wafer accommodating part 600 may load the wafer 100 onto the wafer fixing part 310 of the turntable part 300 or use the wafer fixing part ( It can be used to load the wafer 100 unloaded at 310.

상기 언로딩한 웨이퍼(100)를 적재할 때에는 상기 카세트부(610)를 웨이퍼(100)의 두께 만큼씩 하향 이동시킨다.When loading the unloaded wafer 100, the cassette 610 is moved downward by the thickness of the wafer 100.

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 로더(700)의 구성도이다.8 is a configuration diagram of a loader 700 according to a preferred embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 로더(700)는 이송기재(740)에 의해 상하 좌우로 이동할 수 있는 몸체부(710)와, 상기 몸체부(710)의 중앙에 마련되어 웨이퍼(100)의 유무 및 이격거리를 감지하는 센서(720)와, 상기 몸체부(710)에 마련되어 웨이퍼(100)를 진공흡입하는 다수의 진공흡입기재(730)를 구비하되 그 진공흡입기재(730)의 높이에 차등을 두도록 구성된다.Referring to FIG. 8, the loader 700 is provided with a body portion 710 that can move up, down, left, and right by the transfer material 740, and is provided at the center of the body portion 710, and the presence or absence and distance of the wafer 100 are provided. Sensor 720 and a plurality of vacuum suction material 730 is provided on the body portion 710 to suck the wafer 100, the vacuum suction material 730 is configured to differentially at the height of the vacuum suction material 730 do.

상기 센서(720)는 웨이퍼 수납부(600)에서 웨이퍼를 인출하여 로딩할 때, 그 웨이퍼 수납부(600)가 적층된 웨이퍼의 높이를 상승시키지 않고도, 웨이퍼의 위치를 감지하여 상기 진공흡입기재(730)를 사용하여 웨이퍼를 인출할 수 있도록 하는 것이다.When the sensor 720 pulls out and loads the wafer from the wafer accommodating part 600, the sensor 720 detects the position of the wafer without raising the height of the stacked wafer. 730 may be used to withdraw the wafer.

또한 상기 센서(720)는 웨이퍼 수납부(600) 내에 수납된 웨이퍼가 소진됨을 감지하여 알람발생부(도면 미도시) 등을 통해 작업자에게 재생할 웨이퍼가 없음을 인지시킨다.In addition, the sensor 720 detects that the wafer accommodated in the wafer accommodating part 600 is exhausted and recognizes that there is no wafer to be reproduced to an operator through an alarm generating part (not shown).

그리고, 상기 진공흡입기재(730)의 높이에 차등을 두는 이유는 상기 웨이퍼 수납부(600)에 적층된 웨이퍼(100)들은 정전기 또는 세정 등에 의한 수분에 의해 상호간에 부착이 되어 있어 웨이퍼(100)의 인출시 여러장의 웨이퍼(100)가 동시에 인출될 수 있기 때문이다.The reason for the difference in the height of the vacuum suction substrate 730 is that the wafers 100 stacked on the wafer accommodating part 600 are attached to each other by moisture due to static electricity or cleaning, and thus, the wafer 100. This is because a plurality of wafers 100 may be simultaneously taken out at the time of withdrawal.

도 9는 상기 높이에 차등을 둔 진공흡입기재(730)를 이용한 웨이퍼 인출 과정의 모식도이다.9 is a schematic diagram of a wafer withdrawal process using a vacuum suction substrate 730 with a difference at the height.

도 9를 참조하면, 상대적으로 낮은 부분의 진공흡입기재(730)에 의해 흡착된 웨이퍼(100)는 상대적으로 높은 위치에 있는 진공흡입기재(730)에 의해 휨이 발생하며, 이 휨에 의해 저면의 웨이퍼(100)가 쉽게 분리되어 낱장 인출이 가능하게 된다.Referring to FIG. 9, the wafer 100 adsorbed by the relatively low portion of the vacuum suction material 730 is warped by the vacuum suction material 730 at a relatively high position. The wafer 100 is easily separated and the sheet is pulled out.

도면에서 a는 상기 진공흡입기재(730) 사이의 높이 차이이다.In the figure, a is the height difference between the vacuum suction substrates 730.

이 외에 물리적으로 웨이퍼(100) 간의 부착을 방지하는 판을 웨이퍼(100)가 상기 로더(700)에 흡착된 상태에서 사이로 지나도록 하거나, 질소가스 등의 가스를 그 부착된 웨이퍼(100)의 사이에 분사함으로써 웨이퍼간 분리의 신뢰성을 높일 수 있게 된다.In addition, a plate that physically prevents adhesion between the wafers 100 may pass through the wafer 100 while being adsorbed by the loader 700, or a gas such as nitrogen gas may pass between the attached wafers 100. By spraying on, it is possible to increase the reliability of separation between wafers.

상기와 같이 로더(700)에 의해 웨이퍼 수납부(600)에서 낱장 인출된 웨이퍼(100)는 상기 턴테이블부(300)에 구비된 웨이퍼 고정부(310) 상으로 이동된 후, 진공흡입이 해제되어 그 웨이퍼 고정부(310)에 로딩된다.As described above, the wafer 100 which is pulled out from the wafer accommodating part 600 by the loader 700 is moved onto the wafer fixing part 310 provided in the turntable part 300, and vacuum suction is released. The wafer holding part 310 is loaded.

재생 처리된 웨이퍼(100)를 언로딩하는 언로더(800)는 상기 로더(700)의 구조와 동일한 것을 사용할 수 있으며, 재생챔버(200)의 내에서 웨이퍼 재생이 이루어지는 동안 외부로 인출된 웨이퍼를 언로딩하고, 그 위치에 다시 재생처리할 웨이퍼를 로딩하게 된다.The unloader 800 for unloading the reclaimed wafer 100 may use the same structure as that of the loader 700, and the wafer taken out to the outside during the regeneration of the wafer in the regeneration chamber 200 may be used. Unload and load the wafer to be regenerated in that position.

이와 같이 본 발명에 따른 로더(700)와 웨이퍼 수납부(600)는 자동으로 재생처리할 웨이퍼(100)를 로딩함과 아울러 재생처리된 웨이퍼를 언로딩할 수 있어, 재생처리의 효율을 높일 수 있으며, 웨이퍼를 낱장 공급이 가능하게 됨으로써 재생처리의 신뢰성을 높일 수 있게 된다. As such, the loader 700 and the wafer accommodating part 600 according to the present invention can automatically load the wafer 100 to be regenerated and unload the regenerated wafer, thereby increasing the efficiency of the regeneration process. In addition, since the wafer can be supplied sheet by sheet, the reliability of the regeneration process can be improved.

그리고, 상기 턴테이블부(300)의 적어도 상면은 웨이퍼(100)의 재생 처리를 위해 분사되는 미디어에 의한 손상을 방지하기 위해 고무재 커버층이 마련된 것이 바람직하다.In addition, at least an upper surface of the turntable unit 300 is preferably provided with a rubber cover layer to prevent damage caused by the media injected for the regeneration process of the wafer 100.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.The present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments and has ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the concept of the present invention. Various changes and modifications are possible by the user.

상기한 바와 같이 본 발명은, 웨이퍼의 재생처리공간을 외부와 완전히 차단함으로써, 그 미디어와 웨이퍼 상의 패턴 제거에 의해 발생되는 파티클이 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the present invention can completely block the regeneration processing space of the wafer from the outside, thereby preventing the particles generated by the pattern removal on the media and the wafer from leaking out.

또한, 본 발명은, 인덱스 타입의 구성에 의해 풋프린트를 줄일 수 있어 작업의 편의성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the present invention can reduce the footprint by the index type configuration, there is an effect of improving the convenience of work.

아울러 본 발명은, 웨이퍼의 인출시 그 진공흡입기재의 높이 차이를 이용하여 재생할 웨이퍼를 낱장으로 분리하여 투입할 수 있도록 함으로써, 연속적인 공정의 진행이 가능하며, 그 재생의 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention, by using the difference in the height of the vacuum suction substrate when taking out the wafer to be separated into the wafer to be recycled into a sheet, it is possible to proceed with a continuous process, the effect of improving the reliability of the regeneration There is.

그리고 본 발명은, 재생처리되는 웨이퍼가 포켓 내에 위치하도록 하여, 재생과정에서 웨이퍼가 손상되더라도 손상된 웨이퍼가 주변으로 확산되는 것을 방지하여, 그 웨이퍼의 파편에 의해 주위의 웨이퍼 또한 파손되는 것을 방지할 수 있어 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention allows the wafer to be reclaimed to be placed in a pocket, thereby preventing the damaged wafer from spreading to the surroundings even if the wafer is damaged during the regeneration process, thereby preventing the surrounding wafer from being broken by the fragments of the wafer. There is an effect that can improve the reliability of the process.

Claims (12)

외기와 차단된 재생공간을 제공하는 재생챔버;A regeneration chamber providing a reproducing space that is blocked from outside air; 상부 주변부에 다수의 웨이퍼 고정부를 구비하여, 회전 및 정지를 통해 재생할 웨이퍼를 상기 재생챔버의 내측으로 공급함과 동시에 재생된 웨이퍼를 재생챔버로부터 인출하는 턴테이블부; 및A turntable portion having a plurality of wafer fixing portions at an upper periphery, feeding the wafers to be regenerated through rotation and stopping into the regeneration chamber and simultaneously withdrawing the regenerated wafers from the regeneration chamber; And 상기 재생챔버 내에 위치하여 상기 턴테이블부를 통해 공급된 웨이퍼에 미디어를 분사하는 분사노즐을 포함하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And a spray nozzle positioned in the regeneration chamber to eject media to the wafer supplied through the turntable. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 재생챔버는,The regeneration chamber, 상기 턴테이블부에 의해 인입 및 인출되는 웨이퍼의 손상을 방지하고, 외기와 내부를 선택적 격리하는 개폐도어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And an opening / closing door part which prevents damage to the wafer drawn in and drawn out by the turntable part and selectively isolates the outside from the inside. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 분사노즐은,The injection nozzle, 상기 웨이퍼의 상면에 다양한 각도로 미디어를 분사할 수 있도록 자세제어가 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.A posture control device capable of controlling the attitude so that the media can be sprayed at various angles on the upper surface of the wafer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 고정부는,The wafer fixing part, 상기 턴테이블부에 구비되어 웨이퍼를 지지하는 지지부; 및A support part provided on the turntable to support a wafer; And 상기 지지부의 내측에 마련되어 웨이퍼를 지지부의 상면으로 진공흡착하는 진공흡착관을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And a vacuum suction tube provided inside the support to vacuum suck the wafer onto the upper surface of the support. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 지지부는,The support portion, 그 외측 둘레에 미디어 및 파손된 웨이퍼의 조각이 비산하는 것을 방지하는 차단부가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.A semiconductor wafer reproducing apparatus, characterized in that a shield is provided around the outer periphery to prevent scattering of pieces of media and broken wafers. 제4항 또는 제5항에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 지지부는 웨이퍼를 고정지지한 상태로 회전하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And the support portion rotates while holding the wafer in a fixed state. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 턴테이블부의 정지시, 상기 웨이퍼 고정부에 재생처리할 웨이퍼를 낱장으로 공급하는 로딩부; 및A loading unit for feeding a wafer to be regenerated into a sheet into the wafer fixing unit when the turntable unit is stopped; And 재생처리된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 고정부로부터 언로딩하는 언로딩부를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And an unloading part for unloading a reclaimed wafer from the wafer holding part. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 로딩부는, 다수의 웨이퍼가 적재되는 제1 수납부와, 상기 제1 수납부에서 웨이퍼를 인출하여 상기 웨이퍼 고정부에 로딩하는 로더를 포함하며;The loading unit includes a first accommodating unit in which a plurality of wafers are loaded, and a loader for extracting a wafer from the first accommodating unit and loading the wafer into the wafer fixing unit; 상기 언로딩부는, 다수의 웨이퍼가 적재되는 제2 수납부와, 상기 웨이퍼 고정부에서 웨이퍼를 인출하여 상기 제2 수납부에 적재하는 언로더를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And the unloading unit includes a second accommodating part in which a plurality of wafers are loaded, and an unloader which draws wafers from the wafer fixing part and loads the wafers in the second accommodating part. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 로더와 언로더 각각은,Each of the loader and unloader, 이송기재에 의해 상하 좌우로 이동할 수 있는 몸체부; 및Body portion which can move up and down and left and right by the transfer material; And 상기 몸체부에 마련되어 웨이퍼를 진공흡입하는 다수의 진공흡입기재를 포함하는 반도체 웨이퍼 재생장치. And a plurality of vacuum suction materials provided on the body to vacuum suction the wafer. 제9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 몸체부에는 웨이퍼의 유무를 감지하는 센서가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And a sensor for detecting the presence or absence of a wafer in the body portion. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 몸체부에는 거리를 감지하는 센서가 구비되어, 상기 몸체부의 승강거리를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.The body portion is provided with a sensor for sensing the distance, semiconductor wafer recycling apparatus, characterized in that for controlling the lifting distance of the body portion. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 다수의 진공흡입기재는,The plurality of vacuum suction material, 일부의 진공흡입기재의 웨이퍼 흡착면이 다른 진공흡입기재의 웨이퍼 흡착면에 비해 더 높은 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 재생장치.And a wafer suction surface of some vacuum suction substrates is located at a higher position than a wafer suction surface of other vacuum suction substrates.
KR1020070035919A 2007-04-12 2007-04-12 Rework device for semiconductor wafer KR100852884B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070035919A KR100852884B1 (en) 2007-04-12 2007-04-12 Rework device for semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070035919A KR100852884B1 (en) 2007-04-12 2007-04-12 Rework device for semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100852884B1 true KR100852884B1 (en) 2008-08-19

Family

ID=39878180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070035919A KR100852884B1 (en) 2007-04-12 2007-04-12 Rework device for semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100852884B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210041962A (en) 2019-10-08 2021-04-16 주식회사 신화콘텍 Rework device for semiconductor wafer

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019364A (en) * 1998-09-10 2000-04-06 김영환 Memory substrate reproducing apparatus
JP2000269174A (en) 1999-03-17 2000-09-29 Disco Abrasive Syst Ltd Method for regenerating semiconductor wafer
KR20010066147A (en) * 1999-12-31 2001-07-11 윤배원 Device and Method for Reclaiming of Semiconductor wafer
KR20060057012A (en) * 2003-09-19 2006-05-25 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 Silicon wafer reclamation method and reclaimed wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019364A (en) * 1998-09-10 2000-04-06 김영환 Memory substrate reproducing apparatus
JP2000269174A (en) 1999-03-17 2000-09-29 Disco Abrasive Syst Ltd Method for regenerating semiconductor wafer
KR20010066147A (en) * 1999-12-31 2001-07-11 윤배원 Device and Method for Reclaiming of Semiconductor wafer
KR20060057012A (en) * 2003-09-19 2006-05-25 미마스 한도타이 고교 가부시키가이샤 Silicon wafer reclamation method and reclaimed wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210041962A (en) 2019-10-08 2021-04-16 주식회사 신화콘텍 Rework device for semiconductor wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4564832B2 (en) Rectangular substrate splitting device
TWI612558B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method, and computer readable recording medium on which a substrate processing program is recorded
TWI462213B (en) Substrate processing apparatus
JP5552462B2 (en) Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium
KR20030043739A (en) Liquid processing apparatus and method
JP5740578B2 (en) Peeling method, program, computer storage medium, peeling apparatus and peeling system
KR20010091976A (en) Semiconductor wafer processing apparatus
KR20190141587A (en) Substrate processing method
TW201243922A (en) Release device, release system, release method, program and computer storage medium
TW201635416A (en) Delivery method for processed objects
WO2012176629A1 (en) Detachment system, detachment method, and computer storage medium
KR100852884B1 (en) Rework device for semiconductor wafer
KR20060080986A (en) Window coating system for protecting liquid crystal display
JP2000031235A (en) Substrate transfer device and operating method thereof
KR20130011969A (en) Heat treatment apparatus
JP6044169B2 (en) Purge device, load port
KR101675268B1 (en) Semiconductor strip grinder with dryer
KR100876918B1 (en) Rework device for semiconductor wafer
JP6083749B2 (en) Work stripping apparatus and stripping method
JP2016066689A (en) Container cleaning device and container cleaning method
KR20110075095A (en) Rework device for semiconductor wafer
JP6762864B2 (en) Processing equipment
CN109791883B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR101688621B1 (en) Apparatus for removing fume
KR20170077879A (en) Wafer flip device and wafer flip method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130530

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140624

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150701

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160810

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180717

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 12