KR100850761B1 - Manufacturing method of field emission array - Google Patents

Manufacturing method of field emission array Download PDF

Info

Publication number
KR100850761B1
KR100850761B1 KR1020070059984A KR20070059984A KR100850761B1 KR 100850761 B1 KR100850761 B1 KR 100850761B1 KR 1020070059984 A KR1020070059984 A KR 1020070059984A KR 20070059984 A KR20070059984 A KR 20070059984A KR 100850761 B1 KR100850761 B1 KR 100850761B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetic material
material layer
silver
stamper
conductive substrate
Prior art date
Application number
KR1020070059984A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이상문
나승현
조재춘
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020070059984A priority Critical patent/KR100850761B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100850761B1 publication Critical patent/KR100850761B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/14—Etching locally
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

A method for manufacturing a field emission device is provided to form a pattern by performing an imprinting process using a super ionic conductor. A conductive substrate and a silver plate are dipped into an electrolyte including silver ions and a carbon nanotube(S112). A magnetic material layer including the silver and the carbon nanotube on one surface of the conductive substrate is formed by applying a voltage to the conductive substrate and the silver plate(S114). A stamper including a super ionic conductor is loaded(S120). A predetermined embossed pattern is formed on one surface of the stamper. An electrode is formed on the other surface of the stamper. The embossed pattern comes in contact with the magnetic material layer(S130). A positive voltage is applied to the electrode and a negative voltage is applied to the magnetic material layer(S140).

Description

전계방출소자 제조방법{Manufacturing method of field emission array}Manufacturing method of field emission device

도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 전계방출소자 제조방법을 나타내는 흐름도.1 and 2 are a flow chart showing a method for manufacturing a field emission device according to the prior art.

도 3은 본 발명의 일 측면에 따른 전계방출소자 제조방법을 나타내는 순서도.3 is a flow chart showing a method for manufacturing a field emission device according to an aspect of the present invention.

도 4는 은(Ag) 및 탄소나노튜브(CNT)의 수용체에 대한 분산 공정을 나타내는 도면.4 is a diagram showing a dispersion process for silver (Ag) and carbon nanotube (CNT) receptors.

도 5는 기판에 자성물질을 전해 도금하는 공정을 나타내는 도면.5 is a view showing a process of electroplating a magnetic material on a substrate.

도 6은 기판에 자성물질이 도금된 모습을 나타내는 단면도.6 is a cross-sectional view showing a state in which a magnetic material is plated on the substrate.

도 7은 도 6의 자성물질에 임프린팅을 수행하는 모습을 나타내는 도면.7 is a view showing a state of performing imprinting on the magnetic material of FIG.

도 8은 자성물질에 소정의 패턴이 형성된 모습을 나타내는 단면도.8 is a cross-sectional view showing a state in which a predetermined pattern is formed on a magnetic material.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

20: 탄소나노튜브(carbon nano tube, CNT)20: carbon nanotube (CNT)

40: 전도성 기판 41: 은 플레이트40: conductive substrate 41: silver plate

42: 전해액 43: 전해조42: electrolyte solution 43: electrolytic cell

50, 50': 자성물질층 52: 음각패턴50, 50 ': magnetic material layer 52: intaglio pattern

60: 스탬퍼 62: 양각패턴60: stamper 62: embossed pattern

64: 전극 64: electrode

본 발명은 임프린팅 방법 및 전계방출소자 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprinting method and a field emission device manufacturing method.

일반적으로, 전계방출 표시장치(Field Emission Display; FED)는, 강한 전계에 의해 전자를 방출하는 다수의 미세한 팁 또는 에미터가 형성된 전계방출소자를 포함한다.In general, a field emission display (FED) includes a field emission device in which a plurality of fine tips or emitters are formed which emit electrons by a strong electric field.

에미터로부터 방출된 전자들은 진공 중에서 형광체 스크린으로 가속되어 형광체를 여기 시킴으로써 빛을 발한다. CRT 표시장치와 달리, 전계방출 표시장치는 전자 빔 조종 회로(beam steering circuitry)를 요하지 않고 불필요한 많은 열을 발생시키지도 않는다.Electrons emitted from the emitter are accelerated to the phosphor screen in a vacuum to emit light by exciting the phosphor. Unlike CRT displays, field emission displays do not require electron steering circuitry and do not generate much unnecessary heat.

또한, LCD 표시장치와 달리, 전계방출 표시장치는 백 라이트(back light)를 요하지 않고 매우 밝으며 매우 넓은 시야 각(viewing angle)을 갖고 있고 응답 시간(response time)도 매우 짧다. 이러한 전계방출 표시장치의 성능은 주로 전자를 방출할 수 있는 에미터 어레이에 의해 좌우된다. 최근에는 전계방출 특성을 향상시키기 위해 에미터로서 탄소나노튜브(carbon nano tube: 이하, "CNT"라 하기도 함)가 사용되고 있다.In addition, unlike LCD displays, field emission displays do not require back light, are very bright, have a very wide viewing angle, and have a very short response time. The performance of such field emission displays is largely dependent on the emitter array capable of emitting electrons. Recently, carbon nanotubes (hereinafter, referred to as "CNTs") have been used as emitters to improve field emission characteristics.

도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 전계방출소자를 제조하는 모습을 나타내는 흐름도이다.1 and 2 are a flow chart showing a state of manufacturing a field emission device according to the prior art.

우선 도 1을 참조하면, 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 기판상에 CNT를 성장시키는 방법이 제시되고 있다. 도 1의 (a) 내지 (d)는 CVD를 이용하여 CNT 에미터 어레이를 제조하는 종래의 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.First, referring to FIG. 1, a method of growing CNTs on a substrate using chemical vapor deposition (CVD) has been proposed. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a conventional method for manufacturing a CNT emitter array using CVD.

먼저, 도 1의 (a)를 참조하면, 기판(11) 상에 금속층(13)을 증착한 후, 그 위에 SiO2 등으로 된 유전체층(15) 및 포토레지스트층(17)을 순차적으로 형성한다.First, referring to FIG. 1A, after depositing a metal layer 13 on a substrate 11, a dielectric layer 15 and a photoresist layer 17 made of SiO 2 or the like are sequentially formed thereon. .

그 후, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(17)을 패터닝하여 레지스트층 패턴(17a)를 형성한 후 이를 식각 마스크로 이용하여 유전체층(15)을 선택적으로 식각함으로써 유전체층 패턴(15a)을 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 1B, the photoresist layer 17 is patterned to form a resist layer pattern 17a, and then the dielectric layer 15 is selectively etched using the resist layer pattern 17a as an etching mask. The pattern 15a is formed.

다음으로, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 유전체층 패턴(15a)을 증착 마스크로 이용하여 코발트(Co) 등으로 된 금속 촉매 시드층(19)을 스퍼터링법에 의해 금속층(13) 상에 증착한다.Next, as shown in FIG. 1C, the metal catalyst seed layer 19 made of cobalt (Co) or the like is sputtered on the metal layer 13 using the dielectric layer pattern 15a as a deposition mask. To be deposited on.

다음으로, 도 1의 (d)에 도시된 바와 같이, CVD를 이용하여 금속 촉매 시드층(19) 상에 CNT(20)를 형성한다. 이에 따라, CNT(20)로 된 에미터들을 구비하는 전계방출소자가 제조될 수 있다.Next, as shown in FIG. 1D, the CNTs 20 are formed on the metal catalyst seed layer 19 using CVD. Accordingly, a field emission device having emitters made of CNTs 20 can be manufactured.

그러나, 상기한 바와 같이 종래의 CVD법을 이용하여 제조된 전계방출소자는, 대면적의 응용에 적합하지 않고 불균일한 CNT 에미터 분포를 나타낼 수 있는 문제가 있다. 또한, CNT 에미터의 분포 밀도를 제어하기가 어렵고, 양산성이 좋지 않으 며, CNT 에미터의 부착 강도가 낮다는 문제 또한 가지고 있다.However, as described above, the field emission device manufactured by using the conventional CVD method has a problem that it is not suitable for the application of a large area and may exhibit uneven CNT emitter distribution. In addition, it is difficult to control the distribution density of the CNT emitters, it is also difficult to mass-produce, and there is also a problem of low adhesion strength of the CNT emitters.

다음으로, 도 2를 참조하면, 페이스트법에 의한 전계방출소자를 제조하는 방법이 제시되어 있다.Next, referring to FIG. 2, a method of manufacturing the field emission device by the paste method is presented.

먼저, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 아르곤(Ar) 및 크롬(Cr) 등의 기판(21) 위에, 도전성 페이스트(22)를 스크린 인쇄(screen print) 방법 등을 이용하여 도포한다.First, as shown in FIG. 2A, the conductive paste 22 is applied onto the substrate 21 such as argon (Ar) and chromium (Cr) by using a screen print method or the like. .

이후에, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브(CNT, 20), 바인더(binder), 유리 분말(glass powder) 및 니켈(Ni) 등과 같은 전자 방출 물질(23)을 스크린 프린트법 등을 이용하여 도전성 페이스트 상면에 도포한다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, an electron-emitting material 23 such as carbon nanotubes (CNT) 20, a binder, glass powder, nickel, and the like is screened. It is applied to the upper surface of the conductive paste using a printing method or the like.

그 다음, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 적외선 레이저(IR laser)를 이용하여 탄소나노튜브(20)를 포함한 전자 방출 물질(23)을 패턴화 한다. 패턴화된 전자 방출 물질 중 탄소나노튜브(20)의 팁(tip)들이 전자 에미터(emitter)로써 기능하게 된다.Next, as shown in (c) of FIG. 2, an infrared laser (IR laser) is used to pattern the electron emission material 23 including the carbon nanotubes 20. The tips of the carbon nanotubes 20 in the patterned electron emitting material serve as electron emitters.

그러나, 이러한 종래의 전계방출소자는 바인더를 이용하기 때문에 고전압 인가 시에 바인더에서 방출되는 방출가스로 인하여 전계방출소자의 진공도에 악영향을 미치게 되며, 또한 규칙적인 탄소나노튜브의 조절이 안 되는 경우에는 국부적으로 탄소나노튜브(팁)에 전류가 과도하게 걸리게 됨으로써 열화로 인한 파괴가 일어나는 문제점이 있었다.However, since the conventional field emission device uses a binder, the emission gas emitted from the binder when the high voltage is applied adversely affects the vacuum degree of the field emission device, and also when regular carbon nanotubes cannot be controlled. Locally, the current is excessively applied to the carbon nanotubes (tips), which causes a problem of destruction due to deterioration.

본 발명은 CVD, 스퍼터링(sputtering)과 같은 박막공정 및 패턴형성을 위한 포토리소그래피 공정을 수행하지 않고, 생산성 및 재현성을 확보할 수 있는 전계방출소자 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a method of manufacturing a field emission device capable of securing productivity and reproducibility without performing a thin film process such as CVD and sputtering and a photolithography process for pattern formation.

본 발명의 일 측면에 따르면, 각각의 일면이 서로 결합된 전도성 기판과 자성물질층을 제공하는 단계; 초이온 전도체(superionic conductor)를 포함하여 이루어지고, 일면에 소정의 양각패턴이 형성되며, 타면에는 전극이 형성된 스탬퍼(stamper)를 로딩하는 단계; 양각패턴과 자성물질층을 접촉시키는 단계; 및 전극과 자성물질층에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 전계방출소자 제조방법을 제공할 수 있다.According to an aspect of the invention, providing a conductive substrate and a magnetic material layer, each surface is coupled to each other; Comprising a superionic conductor (superionic conductor), a predetermined embossed pattern is formed on one surface, the other side is loaded with a stamper (electrode) is formed; Contacting the relief pattern with the magnetic material layer; And it may provide a method for manufacturing a field emission device comprising applying a voltage to the electrode and the magnetic material layer.

자성물질층은 은(silver)과 탄소나노튜브(CNT)의 혼합물을 주된 재질로 하여 이루어질 수 있으며, 스탬퍼는 황화은(Ag2S)으로 이루어질 수 있다.The magnetic material layer may be made of a mixture of silver and carbon nanotubes (CNT) as a main material, and the stamper may be made of silver sulfide (Ag 2 S).

이 때, 전도성 기판과 자성물질층은, 은 이온과 탄소나노튜브가 분산처리된 전해액에, 전도성 기판과 은 플레이트(silver plate)를 침지시키는 단계; 및 전도성 기판과 은 플레이트에 전압을 인가하는 단계를 통하여 결합될 수 있다.At this time, the conductive substrate and the magnetic material layer, immersing the conductive substrate and the silver plate (silver plate) in the electrolyte solution in which silver ions and carbon nanotubes are dispersed; And applying a voltage to the conductive substrate and the silver plate.

전극과 자성물질층에 전압을 인가함에 있어, 전극에 양(+)전압을 인가하고 자성물질층에 음(-)전압을 인가할 수 있다.In applying a voltage to the electrode and the magnetic material layer, a positive voltage may be applied to the electrode and a negative voltage may be applied to the magnetic material layer.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

이하, 본 발명에 따른 전계방출소자 제조방법의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the method for manufacturing a field emission device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and Duplicate explanations will be omitted.

도 3은 본 발명의 일 측면에 따른 전계방출소자 제조방법을 나타내는 순서도이다. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a field emission device according to an aspect of the present invention.

먼저, 각각의 일면이 서로 결합된 전도성 기판(40)과 자성물질층(50)을 제공한다(S110). 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 전도성 기판(40)의 상면에 자성물질층(50)이 적층된 형상의 재료를 제공하는 것이다. 전도성 기판(40)의 상면에 자성물질층(50)을 형성하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.First, each surface of the conductive substrate 40 and the magnetic material layer 50 are coupled to each other (S110). That is, as shown in FIG. 6, a material having a shape in which the magnetic material layer 50 is stacked on the upper surface of the conductive substrate 40 is provided. A method of forming the magnetic material layer 50 on the upper surface of the conductive substrate 40 will be described below.

먼저, 은 이온(Ag+)과 탄소나노튜브(20)가 분산처리된 전해액(42)에, 전도성 기판(40)과 은 플레이트(41)를 침지시킨다(S112). 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 전해조(43)에 은 이온(Ag+)과 탄소나노튜브(20) 등이 분산처리된 전해액(42)을 넣고, 전해액(42)에 전도성 기판(40)과 은 플레이트(42)를 침지시키는 것이다.First, the conductive substrate 40 and the silver plate 41 are immersed in the electrolyte 42 in which silver ions (Ag + ) and the carbon nanotubes 20 are dispersed (S112). That is, as shown in FIG. 5, an electrolytic solution 42 in which silver ions (Ag + ), carbon nanotubes 20, and the like are dispersed is placed in an electrolytic cell 43, and the conductive substrate 40 is placed in the electrolytic solution 42. And immerse the plate 42.

한편, 상술한 전해액(42)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 욕조(30) 내에 탄소나노튜브(32)와 은 도금액 및 양이온 분산제(CNT 100~200wt%)(31)를 넣은 후, 초음파 발생기(33)를 이용하여 초음파를 인가함으로써 분산처리 되도록 할 수 있다.On the other hand, the electrolytic solution 42, as shown in Figure 4, after the carbon nanotube 32, the silver plating solution and the cationic dispersant (CNT 100 ~ 200wt%) 31 in the bath 30, and then ultrasonic Dispersion may be performed by applying ultrasonic waves using the generator 33.

그 다음, 전도성 기판(40)과 은 플레이트에 전압을 인가한다(S114). 전도성 기판(40)과 은 플레이트(41)에 직류전압을 인가함으로써 도금이 수행될 수 있으며, 그 결과 도 6에 도시된 바와 같이 전도성 기판(40)의 일면에 은(Ag)과 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 자성물질층(50)이 형성될 수 있는 것이다.Next, a voltage is applied to the conductive substrate 40 and the silver plate (S114). Plating may be performed by applying a DC voltage to the conductive substrate 40 and the silver plate 41, and as a result, silver (Ag) and carbon nanotubes (Ag) may be formed on one surface of the conductive substrate 40 as shown in FIG. 6. The magnetic material layer 50 including the CNTs may be formed.

이렇게 전도성 기판(40)의 일면에 자성물질층(50)을 형성한 다음, 일면에는 소정의 양각패턴(62)이 형성되고, 타면에는 전극(64)이 형성된 스탬퍼(60)를 로딩한다(S120). 이러한 스탬퍼(60)를 이용하여, 자성물질층(50)에 소정의 패턴을 형성하기 위한 임프린팅 공정을 수행할 수 있게 된다.After forming the magnetic material layer 50 on one surface of the conductive substrate 40, a predetermined relief pattern 62 is formed on one surface, and the stamper 60 on which the electrode 64 is formed is loaded on the other surface (S120). ). By using the stamper 60, an imprinting process for forming a predetermined pattern on the magnetic material layer 50 may be performed.

이 때, 스탬퍼(60)는 초이온 전도체(superionic conductor)로 이루어질 수 있다. 즉, 본 실시예에의 스탬퍼(60)는 모바일 양이온을 갖는 초이온 전도체를 이용하여 만들어진 황화은(Ag2S)으로 이루어질 수 있는 것이다.At this time, the stamper 60 may be made of a superionic conductor. That is, the stamper 60 in this embodiment may be made of silver sulfide (Ag 2 S) made using a superion conductor having a mobile cation.

도 7에 도시된 바와 같이, 자성물질층(50)을 향하는 스탬퍼(60)의 하면에는 소정의 양각패턴(62)이 형성될 수 있으며, 이후의 임프린팅 공정에 의해 자성물질층(50)에는 양각패턴(62)에 상응하는 음각패턴(도 8의 52)이 형성될 수 있다.As shown in FIG. 7, a predetermined relief pattern 62 may be formed on the bottom surface of the stamper 60 facing the magnetic material layer 50, and the magnetic material layer 50 may be formed by a subsequent imprinting process. An intaglio pattern (52 of FIG. 8) corresponding to the embossed pattern 62 may be formed.

다음으로, 스탬퍼(60)의 하면에 형성된 양각패턴(62)과 자성물질층(50)을 접촉시키고(S130), 스탬퍼(60)의 상면에 형성된 전극(64)과 자성물질층(50)에 전압을 인가한다(S140). 이 때, 자성물질층(50)은 음극이 되고, 스탬퍼(60) 상면에 형성된 전극은 양극이 될 수 있다.Next, the embossed pattern 62 formed on the bottom surface of the stamper 60 is brought into contact with the magnetic material layer 50 (S130), and the electrodes 64 and the magnetic material layer 50 formed on the top surface of the stamper 60 are contacted with each other. A voltage is applied (S140). In this case, the magnetic material layer 50 may be a cathode, and the electrode formed on the stamper 60 may be an anode.

스탬퍼(60)의 상면에 형성된 전극(64)과 자성물질층(50)에 전압이 인가되면, 양각패턴(62)과 자성물질층(50)이 접촉하는 계면에서 고상전기화학반응(solid-state electric chemical reaction)이 발생하게 된다. 즉, 전압의 인가로 인하여 계면에서 전위차가 발생하게 되는데, 이러한 전위차는 자성물질층(50)에 함유된 은의 산화를 유발하게 되며, 그 결과 모바일 은 이온이 생성되는 것이다.When voltage is applied to the electrode 64 and the magnetic material layer 50 formed on the upper surface of the stamper 60, the solid-state electrochemical reaction (solid-state) at the interface between the embossed pattern 62 and the magnetic material layer 50 electric chemical reaction occurs. That is, a potential difference occurs at the interface due to the application of voltage, which causes oxidation of silver contained in the magnetic material layer 50, and as a result, mobile silver ions are generated.

이렇게 생성된 모바일 은 이온은 초이온 전도체인 스탬퍼(60)를 통과해 양극으로 이동할 수 있게 되며, 이러한 과정을 통해, 양각패턴(62)과 접촉하는 자성물질층(50)의 일부가 점차 제거될 수 있게 된다.The generated mobile silver ions can move to the anode through the stamper 60, which is a superion conductor, and through this process, a part of the magnetic material layer 50 in contact with the embossed pattern 62 is gradually removed. It becomes possible.

이 때, 자성물질층(50) 일부의 제거에도 불구하고, 계속적인 전기적 접촉이 유지될 수 있도록 하기 위하여, 스탬퍼(60)에 소정의 압력을 제공할 수도 있다.At this time, despite removing part of the magnetic material layer 50, a predetermined pressure may be provided to the stamper 60 in order to maintain continuous electrical contact.

이러한 과정을 통하여, 자성물질층(50)에는 스탬퍼(60)의 하면에 형성된 양각패턴(62)에 상응하는 음각패턴(52)이 형성될 수 있게 된다. 음각패턴이 형성된 자성물질층(50')의 모습이 도 8에 도시되어 있다.Through this process, the intaglio pattern 52 corresponding to the embossed pattern 62 formed on the bottom surface of the stamper 60 may be formed in the magnetic material layer 50. The magnetic material layer 50 ′ having the intaglio pattern is illustrated in FIG. 8.

본 실시예에서와 같이, 전기화학적인 임프린팅 공정을 이용하여 자성물질층에 소정의 패턴을 형성하는 경우, 전계방출소자의 대량생산에 유리할 수 있으며, 동일한 구조의 패턴을 반복적으로 형성할 수 있어 재현성 확보에 유리한 효과를 나타낼 수 있게 된다.As in the present embodiment, when a predetermined pattern is formed on the magnetic material layer by using an electrochemical imprinting process, it may be advantageous for mass production of the field emission device, and the pattern having the same structure may be repeatedly formed. It is possible to exhibit an advantageous effect to ensure reproducibility.

전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.Many embodiments other than the above-described embodiments are within the scope of the claims of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 초이온 전도체를 이용한 임프린팅을 통하여 패턴을 형성함으로써, CVD, 스퍼터링(sputtering)과 같은 박막공정 및 패턴형성을 위한 포토리소그래피 공정을 수행하지 않고, 생산성 및 재현성을 확보할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention as described above, by forming a pattern by imprinting using a superion conductor, without performing a thin film process such as CVD, sputtering and photolithography process for pattern formation, Productivity and reproducibility can be secured.

Claims (3)

은 이온과 탄소나노튜브가 분산처리된 전해액에, 전도성 기판과 은 플레이트(silver plate)를 침지시키는 단계;Immersing the conductive substrate and the silver plate in an electrolyte in which silver ions and carbon nanotubes are dispersed; 상기 전도성 기판과 상기 은 플레이트에 전압을 인가하여, 상기 전도성 기판의 일면에 은(silver)과 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 자성물질층을 형성하는 단계;Applying a voltage to the conductive substrate and the silver plate to form a magnetic material layer including silver and carbon nanotubes (CNT) on one surface of the conductive substrate; 초이온 전도체(superionic conductor)를 포함하여 이루어지고, 일면에 소정의 양각패턴이 형성되며, 타면에는 전극이 형성된 스탬퍼(stamper)를 로딩하는 단계;Comprising a superionic conductor (superionic conductor), a predetermined embossed pattern is formed on one surface, the other side is loaded with a stamper (electrode) is formed; 상기 양각패턴과 상기 자성물질층을 접촉시키는 단계; 및Contacting the relief pattern with the magnetic material layer; And 상기 전극에 양(+)전압을 인가하고 상기 자성물질층에 음(-)전압을 인가하는 단계를 포함하는 전계방출소자 제조방법.And applying a positive voltage to the electrode and applying a negative voltage to the magnetic material layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스탬퍼는 황화은(Ag2S)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자 제조방법.The stamper is a field emission device manufacturing method characterized in that it comprises silver sulfide (Ag 2 S). 삭제delete
KR1020070059984A 2007-06-19 2007-06-19 Manufacturing method of field emission array KR100850761B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070059984A KR100850761B1 (en) 2007-06-19 2007-06-19 Manufacturing method of field emission array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070059984A KR100850761B1 (en) 2007-06-19 2007-06-19 Manufacturing method of field emission array

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100850761B1 true KR100850761B1 (en) 2008-08-06

Family

ID=39881295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070059984A KR100850761B1 (en) 2007-06-19 2007-06-19 Manufacturing method of field emission array

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100850761B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005332798A (en) * 2004-05-21 2005-12-02 Samsung Electro Mech Co Ltd Manufacturing method of field emitter electrode and field emission device manufactured by using the same
JP2006510179A (en) * 2002-12-13 2006-03-23 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ Field emission devices and methods for making such devices
JP2006085935A (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Mitsubishi Electric Corp Manufacturing method of field emission device and field emission device
KR20060046974A (en) * 2004-11-12 2006-05-18 삼성전기주식회사 Carbon nano tube emitter for field emission using electrolytic copper foil process, preparing method thereof and field emission lamp comprising the same
KR20070017749A (en) * 2005-08-08 2007-02-13 (주) 기산텔레콤 Method for Predicting Life of Non-Volatile Random Access Memory of Communication Apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006510179A (en) * 2002-12-13 2006-03-23 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ Field emission devices and methods for making such devices
JP2005332798A (en) * 2004-05-21 2005-12-02 Samsung Electro Mech Co Ltd Manufacturing method of field emitter electrode and field emission device manufactured by using the same
JP2006085935A (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Mitsubishi Electric Corp Manufacturing method of field emission device and field emission device
KR20060046974A (en) * 2004-11-12 2006-05-18 삼성전기주식회사 Carbon nano tube emitter for field emission using electrolytic copper foil process, preparing method thereof and field emission lamp comprising the same
KR20070017749A (en) * 2005-08-08 2007-02-13 (주) 기산텔레콤 Method for Predicting Life of Non-Volatile Random Access Memory of Communication Apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Oh et al. Liquid-phase fabrication of patterned carbon nanotube field emission cathodes
US8039042B2 (en) Low voltage electron source with self aligned gate apertures, fabrication method thereof, and luminous display using the electron source
US5578185A (en) Method for creating gated filament structures for field emision displays
US7294248B2 (en) Fabrication and activation processes for nanostructure composite field emission cathodes
KR100638668B1 (en) Field Emitter Array and Method For Manufacturing the Same
US7239074B2 (en) Field emission device and method for making the same
US20060192475A1 (en) Carbon nanotube emitter and its fabrication method and field emission device (FED) using the carbon nanotube emitter and its fabrication method
JP2001283716A (en) Electric field discharge type cold cathode, its method for manufacturing and vacuum micro equipment
JP2002157951A (en) Horizontal field emission type cold cathode device and method of manufacture
KR20030072264A (en) Electron emitting device, electron source, and image forming apparatus
JPH11329217A (en) Manufacture of field emission type cathode
US6670747B2 (en) Electron source device, method of manufacturing the same, and flat display apparatus comprising an electron source device
JP2009048937A (en) Carbon fiber manufacturing method, carbon fiber electron source, and field emission display device
JP3585396B2 (en) Cold cathode manufacturing method
KR100850761B1 (en) Manufacturing method of field emission array
KR100688860B1 (en) Method for manufacturing a Field Emission Array
KR100853246B1 (en) Manufacturing method of field emission array
JP2001291465A (en) Cold cathode and manufacturing method thereof
US5665421A (en) Method for creating gated filament structures for field emission displays
KR100866832B1 (en) Manufacturing method of field emission array
JP2000243247A (en) Manufacture of electron emission element
KR20080006484A (en) Electron emission element, method of fabricating the same and display device having electronic emission element
KR100867383B1 (en) Manufacturing method of field emission array
KR100743018B1 (en) Method for producing field emitter electrode and field emitter electrode produced by using the same
EP0807314B1 (en) Gated filament structures for a field emission display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee