KR100849473B1 - Oled and method for fabricating the same - Google Patents

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KR100849473B1
KR100849473B1 KR1020070015024A KR20070015024A KR100849473B1 KR 100849473 B1 KR100849473 B1 KR 100849473B1 KR 1020070015024 A KR1020070015024 A KR 1020070015024A KR 20070015024 A KR20070015024 A KR 20070015024A KR 100849473 B1 KR100849473 B1 KR 100849473B1
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황장환
박정운
공두원
김영관
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주식회사 나모텍
황장환
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Abstract

An OLED(Organic Light Emitting Diode) and a method for fabricating the same are provided to extend a lifespan by suppressing penetration of moisture and a gas. An OLED includes a pore barrier layer(60), CNTs(Carbon NanoTubes)(61), a CNT electrode layer(64), organic emission layers(62), and an OLED electrode(63). The pore barrier layer includes pores which are regularly arranged to be separated from each other. The CNTs are formed in the pores to correspond to each of the pores. The CNT electrode layer is positioned outside the CNTs. The organic emission layers are formed in the CNTs. The OLED electrode is connected to the organic emission layers.

Description

유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법{OLED and method for fabricating the same}Organic light-emitting display device and its manufacturing method {OLED and method for fabricating the same}

도 1은 유기 발광 디스플레이 소자의 기본 구조를 나타낸 구성도1 is a block diagram showing a basic structure of an organic light emitting display device

도 2는 유기 발광 디스플레이 소자의 동작 원리를 나타낸 구성도2 is a configuration diagram showing an operation principle of an organic light emitting display device.

도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 공정 순서를 나타낸 플로우차트3 is a flowchart showing a manufacturing process sequence of the organic light emitting display device according to the present invention.

도 4a내지 도 4h는 본 발명에 따른 양극 산화 알루미나 나노 템플릿 제조를 위한 공정 단면도Figures 4a to 4h is a cross-sectional view of the process for producing anodized alumina nano template according to the present invention

도 5a내지 도 5f는 본 발명에 따른 AAO 템플릿 및 탄소 나노 튜브를 이용한 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 공정 단면도5A to 5F are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an organic light emitting display device using an AAO template and carbon nanotubes according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 기본 구조를 나타낸 단면도6 is a cross-sectional view showing the basic structure of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 유기 발광층의 구조들의 실시예들을 나타낸 단면도7 is a cross-sectional view showing embodiments of the structure of the organic light emitting layer of the organic light emitting display device according to the present invention.

도 8a내지 도 8c는 본 발명에 따른 탄소 나노 튜브들의 외부에 위치하는 전극의 형성을 위한 공정을 나타낸 구성도8a to 8c is a block diagram showing a process for the formation of electrodes located on the outside of the carbon nanotubes according to the present invention

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

51. AAO 템플릿 52. 공극51.AAO Template 52.Vacation

53. 촉매 금속 54. 탄소 나노 튜브53. Catalytic Metals 54. Carbon Nanotubes

55a.55b.55c. 유기 발광층 56. 전극층55a.55b.55c. Organic Light Emitting Layer 56. Electrode Layer

본 발명은 유기 발광 디스플레이 소자에 관한 것으로, 구체적으로 탄소 나노 튜브를 이용한 단순화된 공정으로 집광 특성을 향상시켜 내부전반사를 최소화하여 광효율을 향상시키고 수분 침투 및 가스 침투를 억제할 수 있도록 하여 사용 수명 특성이 향상시킨 고화소 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device. Specifically, a simplified process using carbon nanotubes improves the light condensing properties to minimize internal reflection, thereby improving light efficiency and suppressing moisture and gas infiltration. The improved high pixel organic light emitting display element and its manufacturing method are related.

주지하는 바와 같이, 정보화사회에서 표시장치(Display Device)는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 한층 강조되고 있으며, 향후 중요한 위치를 선점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시킬 것이 요구되고 있다. As is well known, the importance of display device as a visual information transmission medium in the information society is emphasized, and in order to preoccupy an important position in the future, it will satisfy requirements such as low power consumption, thinning, light weight, and high quality. It is required.

이러한 표시장치로서 액정표시장치(LCD), 플라즈마 표시장치(PDP), 유기발광다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diodes) 등이 개발되어 사용되고 있다. As such a display device, a liquid crystal display (LCD), a plasma display device (PDP), organic light emitting diodes (OLED), and the like have been developed and used.

현재 디스플레이 장치로써 높은 휘도, 색재현성, 광시야각, 저소비전력 및 RC 지연 특성이 최소화할 수 있는 표시장치로는 수mm 이하로 얇게 만들 수 있는 유기발광다이오드(OLED; Organic Light Emitting Diodes)가 주목받고 있다. At present, organic light emitting diodes (OLEDs), which can be made thinner than several mm, are attracting attention as display devices capable of minimizing high luminance, color reproducibility, wide viewing angle, low power consumption, and RC delay characteristics. have.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 OLED의 일반적인 구조 및 동작 원리에 대하여 설명한다.Hereinafter, a general structure and an operating principle of an OLED will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 유기 발광 디스플레이 소자의 기본 구조를 나타낸 구성도이고, 도 2는 유기 발광 디스플레이 소자의 동작 원리를 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram showing the basic structure of the organic light emitting display device, Figure 2 is a block diagram showing the operating principle of the organic light emitting display device.

기본 구조는 음극(cathode)(1)과 양극(anode)(3), 그리고 발광을 위한 유기층(2)으로 이루어지며, 유기층(2)은 전자 주입층(Electron Injection Layer: EIL)과 전송층(Electron Transport Layer :ETL),정공 주입층(Hole Injection Layer: HIL), 전송층(Hole Transport Layer: HTL), 그리고 전자-정공 재결합에 의한 발광층(Emission Layer: EML)로 구성된다The basic structure is composed of a cathode (1), an anode (3), and an organic layer (2) for emitting light, and the organic layer (2) is an electron injection layer (EIL) and a transport layer ( Electron Transport Layer (ETL), Hole Injection Layer (HIL), Transport Layer (Hole Transport Layer (HTL)) and electron-hole recombination layer (Emission Layer)

여기서, 유기층(2)은 도 1에서와 같이 한정되지 않고 단일 구조 또는 이중 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.Here, the organic layer 2 is not limited as shown in FIG. 1 and may be formed in a single structure, a double structure, or a multilayer structure.

이와 같은 구조를 갖는 OLED는 도 2에서와 같이, 전극으로부터 전자와 정공이 각각 유기 반도체층의 전도대와 가전자대로 주입되고, 주입된 전자와 정공은 내부로 확산되어 재결합되며, 이 과정을 통하여 광이 발생하게 된다. In the OLED having such a structure, as shown in FIG. 2, electrons and holes are respectively injected from the electrode into the conduction band and the valence band of the organic semiconductor layer, and the injected electrons and holes are diffused into and recombined. This will occur.

이와 같은 OLED는 영상 디스플레이 분야의 급격한 발전에 따라 고화소, 제조 공정의 용이성, 박형화, 플렉서블 특성 등이 요구되고 있다.As OLEDs rapidly develop in the field of video display, high pixels, ease of manufacturing process, thinning, and flexible characteristics are required.

그러나 종래 기술의 OLED의 구조 및 제조 공정은 형성 재료의 한계 및 제조 공정 기술의 한계에 의해 다음과 같은 문제가 있다.However, the structure and manufacturing process of the OLED of the prior art have the following problems due to the limitation of the forming material and the limitation of the manufacturing process technology.

첫째, 소자의 고집적화 및 정밀화에 대한 요구가 더해지고 있는데 반하여 마스크를 이용한 제조 공정의 한계로 인하여 미세 패턴을 보다 정확하게 구현하는 것 이 어렵다.First, while the demand for high integration and precision of devices is increasing, it is difficult to implement fine patterns more accurately due to the limitation of the manufacturing process using a mask.

둘째, 마스크를 이용한 제조 공정으로 인하여 공정의 단순화가 어려워 제조 비용 및 공정 시간의 감소에 어려움이 있고 수율 향상의 어려움이 있다.Second, due to the manufacturing process using a mask it is difficult to simplify the process, there is a difficulty in reducing the manufacturing cost and processing time, there is a difficulty in improving the yield.

셋째, 글래스 기판상에 전극층을 형성하여 사용하기 때문에 글래스층에 의한 내부전반사에 의한 광효율 저하 문제가 있다.Third, since the electrode layer is formed on the glass substrate and used, there is a problem of lowering the light efficiency due to total internal reflection by the glass layer.

넷째, 수분의 침투에 의한 유기발광층의 수명이 짧아지는 문제로 인해, 밀봉 (Encapsulation) 공정이 필요하게 된다.Fourth, due to the problem of shortening the life of the organic light emitting layer due to the penetration of moisture, an encapsulation process is required.

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 OLED의 구조 및 제조 공정의 문제를 해결하기 위한 것으로, 탄소 나노 튜브를 이용한 단순화된 공정으로 집광 특성을 향상시켜 내부전반사를 최소화하여 광효율을 향상시키고 수분 침투 및 가스 침투를 억제할 수 있도록 하여 사용 수명 특성이 향상시킨 고화소 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the structure and manufacturing process of the OLED of the prior art, a simplified process using carbon nanotubes to improve the light collection characteristics to minimize the total internal reflection to improve the light efficiency and moisture penetration and gas penetration It is an object of the present invention to provide a high-pixel organic light-emitting display device and a method of manufacturing the same, which can suppress the efficiency and improve the service life characteristics.

또한, 마스크 제조 공정 및 마스크를 이용한 소자 제조 공정을 스킵하여 제조 공정을 단순화하고, 밀도 및 크기의 정밀한 제어가 가능한 탄소 나노 튜브의 설계 제어 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, it is to provide a method for controlling the design of carbon nanotubes, which simplifies the manufacturing process and enables precise control of density and size by skipping the mask manufacturing process and the device manufacturing process using the mask.

또한, 이들 기술을 이용한 나노미터 크기의 극미세 영역에서 새로운 물리현상과 향상된 물질특성을 나타내는 탄소 나노 튜브를 이용한 새로운 형태의 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a new type of organic light emitting display device using carbon nanotubes and a method of manufacturing the same, which exhibit new physical phenomena and improved material properties in a nanometer-sized ultrafine region using these techniques.

또한, 카본나노튜브(CNT) 내부에 OLED 소자를 형성하고 CNT 상부에 전극을 형성하여 전자와 정공의 원활한 이동을 실현하여 발광소자로 제작하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide a method of forming an OLED device inside a carbon nanotube (CNT) and forming an electrode on the CNT to realize smooth movement of electrons and holes to produce a light emitting device.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자는 서로 분리되어 규칙적으로 배열되는 공극들을 갖는 공극 베리어층 상기 공극들 내에 각각 대응되어 형성되는 탄소 나노 튜브들 상기 탄소 나노 튜브들 내에 형성되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층에 연결되는 전극들, 탄소나노튜브 표면에 투명한 소재의 전극층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting display device according to the present invention for achieving the above object is formed in the carbon nanotubes are formed in the carbon nanotubes respectively corresponding to each other in the pores barrier layer having pores arranged regularly separated from each other The organic light emitting layer, the electrodes connected to the organic light emitting layer, characterized in that it comprises an electrode layer of a transparent material on the surface of the carbon nanotubes.

다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법은 상부에 공극들이 형성되도록 알루미늄 기판을 양극 산화하여 양극산화 알루미나 나노 템플릿을 형성하는 단계; 상기 공극들내에 촉매 금속을 증착하여 탄소 나노 튜브들을 성장시키는 단계; 상기 탄소 나노 튜브들내에 유기 발광층을 증착하고 상기 유기 발광층에 연결되는 전극들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, including: forming an anodized alumina nano template by anodizing an aluminum substrate such that pores are formed thereon; Depositing a catalytic metal in the pores to grow carbon nanotubes; And depositing an organic light emitting layer in the carbon nanotubes and forming electrodes connected to the organic light emitting layer.

이하, 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법의 바람직한 실시예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Features and advantages of the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to the present invention will become apparent from the detailed description of each embodiment below.

도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 공정 순서를 나타낸 플로우차트이다.3 is a flowchart showing a manufacturing process sequence of the organic light emitting display device according to the present invention.

본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자는 공극 베리어층에 의해 각각 분리되는 공극들을 포함하는 AAO 나노 템플릿의 상기 공극내에 형성되는 탄소 나노 튜브들과, 상기 탄소 나노 튜브들내에 각각 적층 형성되어 전자 정공 재결합에 의한 발광을 위한 유기 발광층들을 포함하고 구성된다.The organic light emitting display device according to the present invention is formed of carbon nanotubes formed in the pores of the AAO nano-template including pores separated by a pore barrier layer, and laminated in the carbon nanotubes, respectively, for electron hole recombination. And include organic light emitting layers for emitting light.

이와 같은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 공정은 도 3에서와 같이 양극 산화 알루미나(AAO;Anodic Aluminum Oxide) 나노 템플릿을 제조하는 공정과, AAO 나노 템플릿내의 공극들 내에 탄소 나노 튜브(CNT;Carbon Nano Tube)를 성장시키고 성장된 탄소 나노 튜브 내에 유기 발광층을 형성하는 공정으로 크게 이루어진다.The manufacturing process of the organic light emitting display device according to the present invention is a process for producing an anodic aluminum oxide (AAO) nano-template (AAO) as shown in Figure 3, and carbon nanotubes (CNT) in the pores in the AAO nano-template; Carbon nanotubes) and an organic light emitting layer in the grown carbon nanotubes.

본 발명에 사용되는 AAO 나노 템플릿은 양극 산화된 알루미늄 표면에 규칙적으로 배열된 나노미터크기(10~100nm)의 공극(pore)들이 형성되는 알루미늄 기판을 말한다. 이것은 나노튜브(nanotube)나 나노와이어(nanowire)등의 nano구조를 만드는 틀로써 사용되며, AAO 템플릿 자체가 나노 마스크(nano mask)로 활용될 수도 있다.The AAO nano-template used in the present invention refers to an aluminum substrate in which pores of nanometer size (10-100 nm) are regularly arranged on anodized aluminum surface. It is used as a framework for creating nanostructures such as nanotubes or nanowires, and the AAO template itself can be used as a nano mask.

따라서, 본 발명에서는 이와 같은 AAO 템플릿을 탄소 나노 튜브의 크기나 밀도 제어 그리고 탄소 나노 튜브의 직진 성장성을 확보하기 위하여 사용한다.Therefore, in the present invention, the AAO template is used to control the size and density of the carbon nanotubes and to secure the straight growth of the carbon nanotubes.

나노 물질 중에서 큰 기대를 모으고 있는 탄소나노튜브는 아직도 탄소나노튜브의 크기나 밀도를 정밀하게 조절하는 것이 어렵다. 따라서 AAO 템플릿을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하게 되면 AAO의 공극의 직경과 배열을 따라서 탄소나노튜브의 크기를 다양하게 조절할 수 있으며, 이것은 field emitter tip이나 AFM tip등 의 나노 소자로 응용이 가능하다. Carbon nanotubes, which have high expectations among nanomaterials, are still difficult to precisely control the size and density of carbon nanotubes. Therefore, when carbon nanotubes are synthesized using the AAO template, the size of the carbon nanotubes can be adjusted in various ways according to the diameter and arrangement of the pores of the AAO, which can be applied to nano devices such as field emitter tip or AFM tip. .

본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자는 다음과 같은 공정에 의해 형성된다.The organic light emitting display device according to the present invention is formed by the following process.

도 3에서와 같이, 알루미늄 기판을 양극 산화시켜 일정 간격으로 공극들을 갖는 양극 산화 알루미나(AAO;Anodic Aluminum Oxide) 나노 템플릿을 형성한다.(S301)As shown in FIG. 3, the aluminum substrate is anodized to form an anodized aluminum oxide (AAO) nano template having pores at regular intervals (S301).

이와 같이 만들어진 AAO 템플릿을 나노 마스크로 사용하여 탄소 나노 튜브를 성장시킨다.(S302)The AAO template thus prepared is used as a nano mask to grow carbon nanotubes (S302).

즉, 탄소 나노 튜브를 형성하기 위한 촉매 금속을 공극들내에 증착하고(S303), 양극 산화 알루미나(AAO;Anodic Aluminum Oxide) 나노 템플릿내의 공극내에 탄소 나노 튜브를 성장시킨다.(S304)That is, a catalyst metal for forming carbon nanotubes is deposited in the pores (S303), and the carbon nanotubes are grown in the pores in the Anodic Aluminum Oxide (AAO) nano template.

그리고 공극들내에 탄소 나노 튜브를 갖는 AAO 템플릿의 하부를 식각하여 탄소 나노 튜브의 일부를 노출시킨다.(S305)The lower portion of the AAO template having the carbon nanotubes in the pores is etched to expose a portion of the carbon nanotubes (S305).

여기서, 촉매 금속은 공극들내의 하부에 위치되고, 탄소 나노 튜브의 성장 공정후에 잔류하는 촉매 금속은 AAO 템플릿의 하부를 식각하는 공정에서 알루미늄과 같이 제거된다.Here, the catalytic metal is located at the bottom in the pores, and the catalyst metal remaining after the carbon nanotube growth process is removed like aluminum in the process of etching the bottom of the AAO template.

그리고 탄소 나노 튜브의 노출된 부분을 통하여 OLED 유기 발광층을 증착하고(S306), 내부에 유기 발광층이 형성된 탄소 나노 튜브의 일단에 OLED 전극층을 형성한다.(S307)(이하의 설명에서 유기 발광층에 연결되는 하부 영역에 형성되는 전극층을 OLED 전극층이라 한다.)The OLED organic light emitting layer is deposited through the exposed portion of the carbon nanotubes (S306), and an OLED electrode layer is formed on one end of the carbon nanotubes having the organic light emitting layer formed therein (S307) (connected to the organic light emitting layer in the following description). The electrode layer formed in the lower region is called an OLED electrode layer.)

그리고 내부에 유기 발광층을 포함하고 형성된 탄소 나노 튜브들의 표면에 CNT 전극층을 형성한다.(S308)(이하의 설명에서 탄소 나노 튜브들의 표면 즉 상부 영역에 형성되는 전극층을 CNT 전극층이라 한다.)The CNT electrode layer is formed on the surface of the carbon nanotubes including the organic light emitting layer therein (S308) (in the following description, the electrode layer formed on the surface of the carbon nanotubes, that is, the upper region, is called a CNT electrode layer).

OLED 전극층이 유기 발광 디스플레이 소자의 캐소드 전극으로 사용되고, CNT 전극층이 애노드 전극으로 사용된다.The OLED electrode layer is used as the cathode electrode of the organic light emitting display element, and the CNT electrode layer is used as the anode electrode.

그리고 각각의 탄소 나노 튜브들은 서브 픽셀 단위가 되고, 각각의 서브 픽셀들은 공극 베리어층에 의해 격리된다.Each carbon nanotube is in subpixel units, and each subpixel is separated by a void barrier layer.

이하에서 구체적으로 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 공정을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail.

도 4a내지 도 4h는 본 발명에 따른 양극 산화 알루미나 나노 템플릿 제조를 위한 공정 단면도이고, 도 5a내지 도 5f는 본 발명에 따른 AAO 템플릿 및 탄소 나노 튜브를 이용한 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 공정 단면도이다.4A to 4H are cross-sectional views for manufacturing anodized alumina nano templates according to the present invention, and FIGS. 5A to 5F are cross-sectional views for manufacturing organic light emitting display devices using AAO templates and carbon nanotubes according to the present invention.

도 4a에서와 같이 알루미늄 기판(41)을 준비하여 도 4b에서와 같이 1차 양극 산화 공정(1st anodization)을 진행하여 Al2O3(알루미나)로 이루어진 공극 베리어층(43a)에 의해 분리되는 1차 공극들(42a)을 형성한다.As shown in FIG. 4A, an aluminum substrate 41 is prepared and 1st anodization is performed as in FIG. 4B to be separated by a pore barrier layer 43a made of Al 2 O 3 (alumina). The difference voids 42a are formed.

여기서, 1차 양극 산화 공정을 진행하기 이전에 기판의 표면 상태를 개선하기 위한 전해 연마(electro-polishing) 및 세정(degreasing)공정을 적용하는 것이 바람직하다.Here, it is preferable to apply an electro-polishing and degreasing process to improve the surface state of the substrate before proceeding with the first anodic oxidation process.

그리고 알루미늄 기판은 순도 99.999%의 쉬트를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use a sheet having a purity of 99.999% for the aluminum substrate.

양극 산화의 속도보다 식각의 속도가 더 빠르게 되면 알루미늄의 표면을 연마하는 효과를 가져오는데, 이러한 현상을 전해 연마(electro-polishing)라고 하며 이는 양극 산화 알루미나 나노 템플릿 제조를 위한 전처리 공정으로 중요한 의미를 갖는다.If the etching rate is faster than the rate of anodization, the surface of aluminum is polished. This phenomenon is called electro-polishing, which is important as a pretreatment process for manufacturing anodized alumina nano-templates. Have

이는 알루미나의 식각이 등전위선(equi-potential line)과 수직으로 진행되므로 평탄화된 표면으로부터 출발하여 양극 산화를 진행하여야만 공극들의 형성 방향이 균일해지기 때문이다.This is because the etching of the alumina proceeds perpendicular to the equipotential line, so that the direction of formation of the pores becomes uniform only after anodization starts from the planarized surface.

그리고 도 4c에서와 같이, 1차 양극 산화 공정(1st anodization)을 진행하여 형성된 공극 베리어층(43a) 및 1차 공극들(42a)을 에칭 공정으로 제거한다.4C, the pore barrier layer 43a and the primary pores 42a formed by performing a first anodization are removed by an etching process.

이어, 도 4d에서와 같이 2차 양극 산화 공정을 진행하여 공극 베리어층(43b)에 의해 분리되는 2차 공극들(42b)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 4D, the secondary anodic oxidation process is performed to form secondary voids 42b separated by the void barrier layer 43b.

이와 같이 1,2차 양극 산화 공정을 진행하는 이유는 다음과 같다.The reason for performing the first and second anodic oxidation processes is as follows.

양극 산화의 초기에는 알루미나의 표면에 수직으로 공극들이 형성되기는 하지만, 공극들의 배열이 불규칙한 특성을 보인다. 그러나 알루미늄이 알루미나로 변하면서 부피가 증가함에 따른 스트레스로 인하여, 시간이 지나면서 이 공극들이 스트레스를 최소화할 수 있는 형태의 배열로 자기정렬(self-ordering)에 의해 정렬된다.In the early stage of anodic oxidation, although the pores are formed perpendicular to the surface of the alumina, the arrangement of the pores shows irregular characteristics. However, due to stress as the volume increases as aluminum turns to alumina, over time these pores are aligned by self-ordering in an array that minimizes stress.

따라서, 2차 양극 산화에 의해 주어진 공간을 가장 효율적으로 사용할 수 있는 배열이 육방밀집충전(hexagonal close-packing) 구조이므로, 공극들은 육각형으로 균일하게 배열된다.Therefore, since the arrangement that can most efficiently use the space given by the secondary anodic oxidation is a hexagonal close-packing structure, the voids are uniformly arranged in a hexagon.

이와 같이 규칙적으로 배열된 공극들을 형성한 이후에 도 4e에서와 같이 공극의 깊이와 간격을 처음처럼 유지하면 공극의 직경만 크게 하기 위한 공극 확장(pore widening) 공정을 진행한다.After forming the regularly arranged pores like this, as shown in FIG. 4E, if the depth and spacing of the pores are maintained for the first time, a pore widening process is performed to increase only the diameter of the pores.

이와 같은 공정으로 형성된 양극 산화 알루미나 나노 템플릿의 단면 및 표면 구조는 도 4f 및 도 4g에서와 같고, 공극들의 상세 구조는 도 4h에서와 같다.The cross-sectional and surface structure of the anodic oxide alumina nano template formed by such a process is as in FIGS. 4F and 4G, and the detailed structure of the pores is as in FIG. 4H.

이와 같이 형성된 양극 산화 알루미나 나노 템플릿을 이용하여 탄소 나노 튜브 합성 공정 및 OLED 형성 공정을 다음과 같이 진행한다.Using the anodic oxide alumina template formed as described above, the carbon nanotube synthesis process and the OLED formation process are performed as follows.

탄소 나노 튜브는 형태에 따라서 단중벽 탄소나노튜브(Single-walled Carbon Nanotube;SWNT), 단중벽 나노 튜브가 여러 겹으로 겹쳐져 있는 다중벽 탄소나노튜브(Multi-walled Carbon Nanotube;MWNT), 다발형 나노튜브(Nanotube Rope)로 구분할 수 있는데, 본 발명에 따른 OLED 형성 공정은 단중벽 탄소나노튜브(Single-walled Carbon Nanotube;SWNT) 또는 다중벽 탄소나노튜브(Multi-walled Carbon Nanotube;MWNT)를 사용하여 형성한다.Carbon nanotubes are single-walled carbon nanotubes (SWNTs), multi-walled carbon nanotubes (MWNTs) with multiple stacks of single-walled nanotubes (MWNTs), and multi-layered nanotubes. Tubes (Nanotube Rope) can be classified, OLED forming process according to the present invention using a single-walled carbon nanotube (SWNT) or multi-walled carbon nanotube (MWNT) Form.

양극 산화 알루미나 나노 템플릿을 이용하여 탄소 나노 튜브를 합성하는 방법은 촉매를 사용하여 합성하는 방법과 촉매를 사용하지 않고 합성하는 방법으로 나눌 수 있다.Synthesis of carbon nanotubes using anodized alumina nano-templates can be divided into synthesis using a catalyst and synthesis without a catalyst.

먼저, 금속 촉매를 사용하지 않고 탄소 나노튜브를 합성하는 경우에는 양극산화 알루미나 나노 템플릿이 그 자체로서 촉매 작용을 하며, 탄소가 양극산화 알루미나 나노 템플릿 공극의 벽면에 균일하게 증착되는 과정을 통하여 탄소 나노 튜브가 형성된다.First, when synthesizing carbon nanotubes without using a metal catalyst, the anodized alumina nano template acts as a catalyst itself, and carbon is uniformly deposited on the walls of the anodized alumina nano template pores. The tube is formed.

이렇게 형성된 탄소 나노 튜브는 일반적으로 결정도가 낮으며, 양극산화 알루미나 나노 템플릿 공극의 내부에만 존재한다. 따라서, 결정도를 높이기 위해서는 고온에서 합성을 하거나, 합성하는 과정에서 반응기체에 과량의 수소를 포함시키거나, 또는 합성 후에 불활성(inert) 분위기에서 고온으로 열처리를 해주어야 한다.The carbon nanotubes thus formed generally have low crystallinity and are present only inside the anodized alumina nano template pores. Therefore, in order to increase the crystallinity, it is necessary to synthesize at high temperature, to include excess hydrogen in the reactor during the synthesis, or to heat-treat at high temperature in an inert atmosphere after synthesis.

반면에, 금속 촉매를 사용하여 탄소 나노 튜브를 합성하는 경우에는 이와 다른 양상을 보이는데, 일반적으로 금속 촉매로는 코발트, 니켈 및 철 등의 전이금속을 사용하며, 전기도금(electrodeposition) 방법을 이용하여 양극산화 알루미나 나노 템플레이트의 기공 밑바닥에 금속 촉매를 도금한다.On the other hand, the synthesis of carbon nanotubes using a metal catalyst shows a different aspect. Generally, a metal catalyst uses transition metals such as cobalt, nickel, and iron, and uses an electroplating method. A metal catalyst is plated on the bottom of the pores of the anodized alumina nano template.

탄소 나노 튜브의 성장 메카니즘으로는 tip growth와 root growth등이 사용된다. root growth 메카니즘의 경우, 금속 촉매로부터 성장하는 탄소 나노 튜브가 금속 촉매로의 반응기체의 확산을 방해하여 나노 튜브의 성장이 원활하지 않으므로, 금속 촉매를 사용하여 탄소 나노 튜브를 합성하는 경우에는 tip growth 메카니즘을 주로 이용한다.As the growth mechanism of carbon nanotubes, tip growth and root growth are used. In the case of the root growth mechanism, carbon nanotubes growing from the metal catalyst interfere with the diffusion of the reactant to the metal catalyst and thus the nanotube growth is not smooth. Therefore, tip growth is used when synthesizing the carbon nanotubes using the metal catalyst. The mechanism is mainly used.

본 발명의 실시예에서는 금속 촉매를 사용하여 탄소 나노 튜브를 합성하는 방법을 일예로 설명한다.In an embodiment of the present invention, a method of synthesizing carbon nanotubes using a metal catalyst will be described as an example.

먼저, 도 5a에서와 같이, Ni, Fe, Co,Y 의 어느 하나 또는 이들의 합금을 촉매 금속(53)으로 사용하여 양극 산화 알루미나 나노 템플릿(51)의 공극들(52)내에 증착한다.First, as shown in FIG. 5A, any one of Ni, Fe, Co, Y, or an alloy thereof is used as the catalyst metal 53 to deposit into the pores 52 of the anodic oxide alumina nano template 51.

여기서, 촉매 금속(53)은 양극 산화 알루미나 나노 템플릿(51)의 공극들(52)내의 하부 영역에 위치된다.Here, the catalytic metal 53 is located in the lower region in the pores 52 of the anodic oxide alumina nano template 51.

그리고 도 5b에서와 같이, 공극들(52)내에 촉매 금속(53)이 증착된 상태에서 NH3 가스를 30sccm 5분간 먼저 주입하고, C2,H2 가스를 30sccm으로 NH3 가스를 동시에 20분간 주입하여 탄소 나노 튜브(54)를 도 5c에서와 같이 성장시킨다.As shown in FIG. 5B, NH 3 gas is first injected into the pores 52 in the state of depositing the catalytic metal 53 at 30 sccm for 5 minutes, and NH 2 gas is simultaneously injected for 30 minutes in C 2 and H 2 gas at 30 sccm. The implants grow carbon nanotubes 54 as in FIG. 5C.

여기서, 탄소 나노 튜브(54)의 형성 높이(h)는 양극 산화 알루미나 나노 템플릿(51)의 두께와 반드시 동일하게 형성되는 것이 아니고, 탄소 나노 튜브의 직선 형태를 확보할 수 있는 높이까지 형성하여 사용된다.Here, the formation height (h) of the carbon nanotubes 54 is not necessarily the same as the thickness of the anodized alumina nano template 51, but is formed to a height that can secure a straight shape of the carbon nanotubes. do.

탄소 나노 튜브(54)의 형성 높이(h)는 300Å ~ 2500Å이 바람직하다.The formation height h of the carbon nanotubes 54 is preferably 300 kPa to 2500 kPa.

이어, 도 5d에서와 같이, 탄소 나노 튜브(54)의 일단이 노출되도록 양극 산화 알루미나 나노 템플릿(51)의 일부를 에칭 공정으로 제거한다.Subsequently, as shown in FIG. 5D, a portion of the anodized alumina nano template 51 is removed by an etching process so that one end of the carbon nanotube 54 is exposed.

여기서, 탄소 나노 튜브(54) 성장 공정에 사용되고 잔류되는 촉매 금속(53)은 탄소 나노 튜브(54)의 일단이 노출되도록 양극 산화 알루미나 나노 템플릿(51)의 일부를 에칭하는 공정정시에 양극 산화 알루미나 나노 템플릿(51) 하부의 알루미늄층과 동시에 제거된다.Here, the catalytic metal 53 used in the carbon nanotube 54 growth process and remaining catalyst metal 53 is anodized alumina at the time of etching a part of the anodized alumina nano template 51 so that one end of the carbon nanotube 54 is exposed. It is removed simultaneously with the aluminum layer under the nano template 51.

그리고 상기 일단이 노출된 탄소 나노 튜브(54)의 내부에 유기 발광층(55a)(55b)(55c)을 순서대로 증착한다.The organic light emitting layers 55a, 55b, and 55c are sequentially deposited in the carbon nanotubes 54 where one end is exposed.

이어, 탄소 나노 튜브(54)의 내부에 유기 발광층(55a)(55b)(55c)이 형성된 상태에서 Al, Ag, Au 등의 금속을 증착하여 OLED 전극층(56)을 형성한다.Subsequently, in the state in which the organic light emitting layers 55a, 55b, and 55c are formed inside the carbon nanotubes 54, metals such as Al, Ag, and Au are deposited to form the OLED electrode layer 56.

여기서, 탄소 나노 튜브에 적층되는 유기 발광층은 다음과 같은 여러 가지 형태가 될 수 있음은 당연하다.Here, it is natural that the organic light emitting layer laminated on the carbon nanotubes may have various forms as follows.

예를 들어, 전극들 사이에 유기 발광을 위하여 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층(Emission Layer:EML)이 적층된 형태로써 이와 같은 형태가 상기에서 설명한 탄소 나노 튜브의 내부에 증착 형성될 수 있다.For example, a hole transport layer (HTL) and an emission layer (EML) are stacked to form organic light emission between the electrodes. Such a form may be deposited inside the carbon nanotube described above. Can be.

그리고 전극들 사이에 유기 발광을 위하여 발광층(Emission Layer:EML)이 형성되는 것으로 이와 같은 형태가 상기에서 설명한 탄소 나노 튜브의 내부에 증착 형성될 수 있다.In addition, an emission layer (EML) is formed between the electrodes to emit organic light, and such a shape may be formed by depositing inside the carbon nanotube described above.

그리고 전극들 사이에 유기 발광을 위하여 정공 유입층(Hole Injection Layer:HIL), 발광층(Emission Layer:EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL)이 적층된 형태로써 이와 같은 형태가 상기에서 설명한 탄소 나노 튜브의 내부에 증착 형성될 수 있다.In addition, a hole injection layer (HIL), an emission layer (EML), and an electron transport layer (ETL) are stacked to form organic light emission between the electrodes. It may be deposited on the inside of the nanotubes.

그리고 전극들 사이에 유기 발광을 위하여 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층(Emission Layer:EML),여기 블록층(Exciton Block Layer;EBL), 전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL), 전자 유입층(Electron Injection Layer;EIL)이 적층된 형태로써 이와 같은 형태가 상기에서 설명한 탄소 나노 튜브의 내부에 증착 형성될 수 있다.Also, a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an exciton block layer (EBL), an electron transport layer (ETL), and an electron inflow for organic light emission between the electrodes A layer (Electron Injection Layer; EIL) is stacked, such a shape may be formed by depositing inside the carbon nanotubes described above.

그리고 전극들 사이에 유기 발광을 위하여 정공 유입층(Hole Injection Layer:HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층(Emission Layer:EML),여기 블록층(Exciton Block Layer;EBL), 발광층(Emission Layer:EML),전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL), 전자 유입층(Electron Injection Layer;EIL)이 적층된 형태로써 이와 같은 형태가 상기에서 설명한 탄소 나노 튜브 의 내부에 증착 형성될 수 있다.Also, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an exciton block layer (EBL), and an emission layer are used to emit organic light between the electrodes. (Emission Layer: EML), Electron Transport Layer (ETL), Electron Injection Layer (EIL), which are stacked in the form of the carbon nanotubes described above. .

물론, 이와 같은 적층 형태가 아니고 다른 형태로 제작될 수 있음은 당연하다.Of course, it is obvious that the present invention may be manufactured in a different form than the laminated form.

이하에서 탄소 나노 튜브들의 상부에 CNT 전극층이 형성된 상태의 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 기본 구조 및 탄소 나노 튜브들내에 형성되는 유기 발광층의 적층 구조 및 형성 방법에 관하여 설명한다.Hereinafter, the basic structure of the organic light emitting display device according to the present invention in which the CNT electrode layer is formed on the carbon nanotubes, and the stacked structure and forming method of the organic light emitting layer formed in the carbon nanotubes will be described.

도 6은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 기본 구조를 나타낸 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 유기 발광층의 구조들의 실시예들을 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing the basic structure of the organic light emitting display device according to the present invention, Figure 7 is a cross-sectional view showing embodiments of the structure of the organic light emitting layer of the organic light emitting display device according to the present invention.

탄소 나노 튜브들의 상부에 CNT 전극층이 형성된 상태의 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 기본 구조는 도 6에서와 같이, 서로 분리되어 규칙적으로 배열되는 공극들을 갖는 공극 베리어층(60)과, 상기 공극들 내에 각각 대응되어 형성되는 탄소 나노 튜브(61)들과, 상기 탄소 나노 튜브(61) 외부에 위치되도록 형성되는 CNT 전극층(64)과, 상기 탄소 나노 튜브(61)들 내에 형성되는 유기 발광층(62) 그리고 상기 유기 발광층(62)에 연결되는 OLED 전극(63)들을 포함하고 구성된다.The basic structure of the organic light emitting display device according to the present invention in which the CNT electrode layer is formed on the carbon nanotubes has a pore barrier layer 60 having pores arranged regularly and separately from each other, as shown in FIG. Carbon nanotubes 61 corresponding to each other, CNT electrode layers 64 formed to be positioned outside the carbon nanotubes 61, and organic light emitting layers formed in the carbon nanotubes 61. 62) and OLED electrodes 63 connected to the organic light emitting layer 62.

그리고 상기 탄소 나노 튜브들내에 형성되는 유기 발광층은 도 7에서와 같이, HTL-HIL-EML-EIL-ETL(도 7의 (1)), HTL-EML-ETL(도 7의 (2)), HTL-EML(도 7의 (3)), EML 단층 구조(도 7의 (4))와 같은 구조로 형성될 수 있다.And the organic light emitting layer formed in the carbon nanotubes is, as shown in Figure 7, HTL-HIL-EML-EIL-ETL (Fig. 7 (1)), HTL-EML-ETL (Fig. 7 (2)), HTL-EML (FIG. 7 (3)), EML single layer structure (FIG. 7 (4)) may be formed in the same structure.

물론, 유기 발광층을 상기한 실시예 이외에 다른 형태로 적층시킬 수 있음은 당연하다.Of course, the organic light emitting layer can be laminated in other forms in addition to the above embodiment.

이와 같은 유기 발광층을 탄소 나노 튜브내에 형성하는 공정은 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition;PVD), 플라즈마 증가형 화학 기상 증착법(Plasma enhancement Chemical Vapor Deposition;PECVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition;CVD), Langmuir-Brodgette(LB)법, LiTi법 등이 사용될 수 있다.The process of forming the organic light emitting layer in the carbon nanotubes includes physical vapor deposition (PVD), plasma enhancement chemical vapor deposition (PECVD), and chemical vapor deposition (CVD). , Langmuir-Brodgette (LB) method, LiTi method and the like can be used.

그리고 탄소 나노 튜브들의 외부에 위치하는 CNT 전극층의 형성을 위한 공정은 다음과 같다.And the process for forming the CNT electrode layer located on the outside of the carbon nanotubes is as follows.

도 8a내지 도 8c는 본 발명에 따른 탄소 나노 튜브들의 외부에 위치하는 전극의 형성을 위한 공정을 나타낸 구성도이다.8a to 8c is a block diagram showing a process for the formation of electrodes located on the outside of the carbon nanotubes according to the present invention.

탄소 나노 튜브내에 정공을 원활히 공급하기 위해서 전도성 고분자를 이용하여 탄소나노튜브 내의 OLED에 전력을 공급하게 된다. 이러한 전도성 고분자는 Wetting법에 의해서 제조될 수 있으며 이렇게 제조된 전도성 고분자층은 다시 경화시켜서 전극으로 사용이 가능하다. In order to smoothly supply holes in the carbon nanotubes, a conductive polymer is used to supply power to the OLEDs in the carbon nanotubes. Such a conductive polymer may be prepared by a wetting method, and the conductive polymer layer thus prepared may be cured again and used as an electrode.

이때 사용되는 전도성 고분자의 특징은 정공을 보다 많이 방출할 수 있는 소재로 전도성 고분자인 polyacetylene, polypyrrole, polyaniline, poly(p-phenylene), poly(phenylensulfide), polythiophene들은 그 HOMO 준위가 polythiophene은 5.86 eV, polypyrole은 4.22 eV로써 양극으로 사용되지는 ITO의 4.7 eV와 비슷하기 때문에 ITO를 대신하여 적층할 수 있다.At this time, the characteristic of the conductive polymer used is the material that can emit more holes. Polypyrole is 4.22 eV, which is similar to 4.7 eV of ITO, which is used as the anode, and can be stacked instead of ITO.

또한, ITO와 같은 투명전극을 CNT 상부에 코팅하여 정공을 공급하는 전극으로 제작할 수 있다.In addition, a transparent electrode such as ITO may be coated on the top of the CNT to produce an electrode for supplying holes.

이를 위해서는 전도성 고분자와 마찬가지로 스핀코팅법이나 잉크젯법 등의 습윤법(wetting)과 PVD, PECVD, CVD 등의 건조법(dry)에 의해서 가능하다. To this end, as with the conductive polymer, it is possible to perform wet coating such as spin coating or inkjet and dry by PVD, PECVD, or CVD.

도 8a는 탄소 나노 튜브의 상부에 CNT 전극층을 형성하기 위한 방법을 나타낸 것으로, 상기한 CNT 전극층 형성물질을 롤러를 이용하여 압착하고 UV 조사를 통한 경화 공정을 형성하는 과정을 나타낸 것이다.8A illustrates a method for forming a CNT electrode layer on an upper portion of a carbon nanotube, and illustrates a process of pressing the CNT electrode layer forming material using a roller and forming a curing process through UV irradiation.

그리고 도 8b는 탄소 나노 튜브의 상부에 CNT 전극층을 형성하기 위한 방법을 나타낸 것으로, CNT 전극층 형성물질을 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition;PVD), 플라즈마 증가형 화학 기상 증착법(Plasma enhancement Chemical Vapor Deposition;PECVD), 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition;CVD), Langmuir-Brodgette(LB)법, LiTi법 등이 사용하여 증착하는 과정을 나타낸 것이다.8B illustrates a method for forming a CNT electrode layer on top of a carbon nanotube, wherein the CNT electrode layer forming material is formed by physical vapor deposition (PVD), plasma enhancement chemical vapor deposition (Plasma enhancement Chemical Vapor Deposition); PECVD), Chemical Vapor Deposition (CVD), Langmuir-Brodgette (LB) method, LiTi method, etc., are used for the deposition process.

그리고 도 8c는 탄소 나노 튜브의 상부에 CNT 전극층을 형성하기 위한 방법을 나타낸 것으로, CNT 전극층 형성물질을 스핀 코팅 공정으로 형성하는 과정을 나타낸 것이다.8C illustrates a method for forming a CNT electrode layer on an upper portion of a carbon nanotube, and illustrates a process of forming a CNT electrode layer forming material by a spin coating process.

본 발명은 탄소 나노 튜브의 높은 전계 방출 특성을 이용하여 저전류 구동이 가능한 OLED 제작이 가능하고, OLED 분자를 탄소 나노 튜브의 내부에 증착하여 하나의 탄소 나노 튜브에 OLED 소자를 형성하는 방법을 제공한다.The present invention enables the fabrication of OLEDs capable of low current driving using the high field emission characteristics of carbon nanotubes, and provides a method of forming an OLED device on one carbon nanotube by depositing OLED molecules inside the carbon nanotubes. do.

이와 같은 공정에 의해 OLED의 미세크기 조절 가능하여 고밀도의 소자 집적을 이룰 수 있으며 저 전류 및 탄소 나노 튜브에 의한 밀봉으로 수증기와 산소의 영향을 줄일 수 있어 디스플레이 장치의 수명을 연장시킬 수 있다.By such a process, the micro-size of the OLED can be adjusted to achieve high density device integration, and the effect of water vapor and oxygen can be reduced by sealing with a low current and carbon nanotubes, thereby extending the life of the display device.

따라서, 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 공정시에 탄소 나노 튜브를 이용 한 단순화된 공정으로 광효율 및 사용 수명 특성이 향상된 고화소 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법의 구현을 가능하게 한다.Therefore, a simplified process using carbon nanotubes in the manufacturing process of the organic light emitting display device enables the implementation of a high pixel organic light emitting display device and a method of manufacturing the same having improved light efficiency and service life characteristics.

또한, 마스크 제조 공정 및 마스크를 이용한 소자 제조 공정을 스킵하여 제조 공정을 단순화하고, 밀도 및 크기의 정밀한 제어가 가능한 탄소 나노 튜브의 설계 제어 방법을 구현한다.In addition, a mask manufacturing process and a device manufacturing process using a mask may be skipped to simplify the manufacturing process and implement a design control method of carbon nanotubes capable of precise control of density and size.

그러므로 이들 기술을 이용한 나노미터 크기의 극미세 영역에서 새로운 물리현상과 향상된 물질 특성을 나타내는 탄소 나노 튜브를 이용한 새로운 형태의 유기 발광 디스플레이 소자의 제조를 가능하게 한다.Therefore, it is possible to manufacture a new type of organic light emitting display device using carbon nanotubes, which exhibit new physical phenomena and improved material properties in the nanometer-sized ultrafine region using these techniques.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

이와 같은 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.Such an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same have the following effects.

첫째, 탄소 나노 튜브의 높은 전계 방출 특성을 이용하여 저전류 구동이 가능한 OLED 제작이 가능하다.First, OLEDs capable of low current driving can be fabricated using the high field emission characteristics of carbon nanotubes.

둘째, OLED 분자를 탄소 나노 튜브의 내부에 증착하여 하나의 탄소 나노 튜브에 OLED 소자를 형성할 수 있다.Second, OLED molecules may be deposited inside carbon nanotubes to form an OLED device in one carbon nanotube.

이는 소자의 고집적화 및 정밀화 요구에 따른 미세 패턴을 보다 정확하게 구 현할 수 있도록 한다.This makes it possible to more accurately implement the fine pattern according to the high integration and precision requirements of the device.

셋째, 마스크를 이용한 제조 공정을 스킵하여 공정을 단순화하고, 제조 비용 및 공정 시간의 감소를 가능하게 한다.Third, the manufacturing process using the mask can be skipped to simplify the process and reduce the manufacturing cost and processing time.

넷째, 우수한 전계 방출 특성을 갖는 탄소 나노 튜브를 이용한 유기 발광 디스플레이 소자의 제조에 의해 소자의 광효율을 향상시키는 효과가 있다.Fourth, there is an effect of improving the light efficiency of the device by manufacturing an organic light emitting display device using a carbon nanotube having excellent field emission characteristics.

다섯째, 탄소 나노 튜브가 갖는 수분침투억제 및 기체 차단 특성을 이용한 단순화된 공정으로 유기발광 디스플레이 소자(OLED)를 제조하여 광효율 및 사용 수명 특성을 향상시킬 수 있다.Fifth, the organic light emitting display device (OLED) may be manufactured in a simplified process using water permeation inhibitory and gas barrier properties of the carbon nanotubes, thereby improving light efficiency and service life characteristics.

Claims (22)

서로 분리되어 규칙적으로 배열되는 공극들을 갖는 공극 베리어층;A pore barrier layer having pores arranged separately from one another; 상기 공극들 내에 각각 대응되어 형성되는 탄소 나노 튜브들;Carbon nanotubes formed correspondingly in the pores; 상기 탄소 나노 튜브 외부에 위치되도록 형성되는 전극;An electrode formed to be positioned outside the carbon nanotube; 상기 탄소 나노 튜브들 내에 형성되는 유기 발광층 그리고 상기 유기 발광층에 연결되는 다른 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자.An organic light emitting layer formed in the carbon nanotubes and other electrodes connected to the organic light emitting layer. 제 1 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브들 내에 형성되는 유기 발광층은,The organic light emitting layer of claim 1, wherein the organic light emitting layer is formed in the carbon nanotubes. 전극들 사이에 유기 발광을 위하여 정공 유입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(EML),여기 블록층(EBL),전자 수송층(ETL), 전자 유입층(EIL)들의 어느 하나 또는 이들이 조합된 형태로 적층되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자.One or more of the hole inflow layer (HIL), the hole transport layer (HTL), the emission layer (EML), the excitation block layer (EBL), the electron transport layer (ETL), and the electron inflow layer (EIL) for organic light emission between the electrodes An organic light emitting display device, characterized in that laminated in a combined form. 제 1 항에 있어서, 유기 발광층은 탄소 나노 튜브에 의해 수분이 차단되도록 밀봉되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic light emitting layer is sealed to block moisture by carbon nanotubes. 제 1 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들의 형성 밀도 및 크기는 공극들에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the formation density and size of the carbon nanotubes are determined by pores. 제 1 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들 외부에 위치하는 전극은 탄소 나노 튜브들의 상부에 ITO를 사용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자.The organic light emitting display device of claim 1, wherein an electrode positioned outside the carbon nanotubes is manufactured by using ITO on the carbon nanotubes. 제 1 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들 외부에 위치하는 전극은 탄소 나노 튜브들 상부에 전도성 고분자 물질을 사용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the electrode positioned outside the carbon nanotubes is manufactured by using a conductive polymer on the carbon nanotubes. 상부에 공극들이 형성되도록 알루미늄 기판을 양극 산화하여 양극산화 알루미나 나노 템플릿을 형성하는 단계;Anodizing the aluminum substrate to form voids thereon to form anodized alumina nano templates; 상기 공극들내에 촉매 금속을 증착하여 탄소 나노 튜브들을 성장시키는 단계;Depositing a catalytic metal in the pores to grow carbon nanotubes; 상기 탄소 나노 튜브들내에 유기 발광층을 증착하고 상기 유기 발광층에 연결되는 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.Depositing an organic light emitting layer in the carbon nanotubes and forming electrodes connected to the organic light emitting layer. 제 7 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들을 성장시키기 위하여 증착되는 촉매 금속은 공극들 내의 하부에 위치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.8. A method according to claim 7, wherein the catalytic metal deposited to grow the carbon nanotubes is located below in the pores. 제 7 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브들 내에 유기 발광층을 증착하기 전에 탄소 나노 튜브들의 일단이 노출되도록 양극산화 알루미나 나노 템플릿의 하부를 식각 공정으로 제거하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The method of claim 7, wherein the lower portion of the anodized alumina nano template is removed by an etching process so that one end of the carbon nanotubes is exposed before the organic light emitting layer is deposited in the carbon nanotubes. . 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들의 성장 공정후에 잔류하는 촉매 금속들은,The method of claim 7 or 9, wherein the catalytic metal remaining after the growth process of the carbon nanotubes, 탄소 나노 튜브들의 일단이 노출되도록 양극산화 알루미나 나노 템플릿의 하부를 식각하는 공정시에 양극산화 알루미나 나노 템플릿의 하부 알루미늄층과 동시에 제거되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that the bottom of the anodized alumina nano template is removed simultaneously with the bottom aluminum layer of the anodized alumina nano template so that one end of the carbon nanotubes is exposed. 제 7 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들 내에 유기 발광층을 증착하고 형성되는 전극들은,The method of claim 7, wherein the electrodes formed by depositing an organic light emitting layer in the carbon nanotubes are formed by 탄소 나노 튜브들내의 유기 발광층에 연결되어 탄소 나노 튜브들의 하부에 형성되는 OLED 전극층과,An OLED electrode layer connected to the organic light emitting layer in the carbon nanotubes and formed under the carbon nanotubes; 탄소 나노 튜브들의 상부에 형성되는 CNT 전극층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that the CNT electrode layer formed on top of the carbon nanotubes. 제 11 항에 있어서, 탄소 나노 튜브의 상부에 형성되는 CNT 전극층을,The CNT electrode layer of claim 11, wherein the CNT electrode layer is formed on the carbon nanotubes. CNT 전극층 형성물질을 롤러를 이용하여 압착하고 UV 조사를 통한 경화 공정을 형성하거나, The CNT electrode layer forming material is pressed using a roller and formed a curing process through UV irradiation, CNT 전극층 형성물질을 물리 기상 증착법(PVD), 플라즈마 증가형 화학 기상 증착법(PECVD), 화학 기상 증착법(CVD), Langmuir-Brodgette(LB)법, LiTi법의 어느 하나를 사용하여 증착하거나, CNT electrode layer forming material is deposited using any one of physical vapor deposition (PVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), chemical vapor deposition (CVD), Langmuir-Brodgette (LB) method, LiTi method, CNT 전극층 형성물질을 스핀 코팅 공정으로 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that the CNT electrode layer forming material is formed by coating a spin coating process. 제 12 항에 있어서, CNT 전극층 형성 물질을 ITO 또는 전도성 고분자 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The method for manufacturing an organic light emitting display device according to claim 12, wherein the CNT electrode layer forming material is made of ITO or a conductive polymer material. 제 7 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들내에 형성되는 유기 발광층을,The method according to claim 7, wherein the organic light emitting layer formed in the carbon nanotubes, 물리 기상 증착법(PVD), 플라즈마 증가형 화학 기상 증착법(PECVD), 화학 기상 증착법(CVD), Langmuir-Brodgette(LB)법, LiTi법의 어느 하나의 공정을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.Organic luminescence, characterized in that formed using any one of physical vapor deposition (PVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), chemical vapor deposition (CVD), Langmuir-Brodgette (LB) method, LiTi method Method for manufacturing a display device. 제 7 항에 있어서, 공극들내의 탄소 나노 튜브 형성 공정은,The process of claim 7 wherein the process of forming carbon nanotubes in the pores, 양극 산화 알루미나 나노 템플릿 자체를 이용하여 탄소 나노 튜브를 합성하는 방법 또는 별도의 금속 촉매를 사용하여 합성하는 방법의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device using any one of a method of synthesizing carbon nanotubes using anodized alumina nano template itself or a method of synthesizing using a separate metal catalyst. 제 7 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브들 내에 형성되는 유기 발광층은,The method of claim 7, wherein the organic light emitting layer formed in the carbon nanotubes, 전극들 사이에 유기 발광을 위하여 정공 유입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(EML),여기 블록층(EBL),전자 수송층(ETL), 전자 유입층(EIL)들의 어느 하나 또는 이들이 조합된 형태로 적층되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.One or more of the hole inflow layer (HIL), the hole transport layer (HTL), the emission layer (EML), the excitation block layer (EBL), the electron transport layer (ETL), and the electron inflow layer (EIL) for organic light emission between the electrodes A method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that laminated in a combined form. 제 7 항에 있어서, 유기 발광층은 탄소 나노 튜브에 의해 수분이 차단되도록 밀봉되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The method of claim 7, wherein the organic light emitting layer is sealed to block moisture by carbon nanotubes. 제 7 항에 있어서, 탄소 나노 튜브들의 형성 밀도 및 크기는 알루미늄 기판을 양극 산화하는 공정의 조건에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The method of manufacturing an organic light emitting display device according to claim 7, wherein the formation density and size of the carbon nanotubes are determined by the conditions of the process of anodizing the aluminum substrate. 제 7 항에 있어서, 공극들내에 증착되는 촉매 금속은,The method of claim 7, wherein the catalytic metal deposited in the pores, Ni, Fe, Co,Y 의 어느 하나 또는 이들의 합금을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The manufacturing method of the organic light emitting display element characterized by using any one of Ni, Fe, Co, and these alloys. 제 7 항에 있어서, 탄소 나노 튜브의 내부에 유기 발광층이 형성된 상태에서 Al, Ag, Au의 금속들의 어느 하나를 증착하여 전극층을 형성하는 것을 특징으로 하 는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The method of manufacturing an organic light emitting display device according to claim 7, wherein an electrode layer is formed by depositing any one of Al, Ag, and Au metals in an organic light emitting layer formed inside the carbon nanotube. 제 7 항에 있어서, 탄소나노튜브는 단중벽 탄소 나노 튜브(single walled carbon nanotube)를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The method of claim 7, wherein the carbon nanotubes use single walled carbon nanotubes. 제 7 항에 있어서, 탄소나노튜브는 다중벽 탄소 나노 튜브(Multi walled carbon nanotube)를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 소자의 제조 방법.The method of claim 7, wherein the carbon nanotubes are made of multiwalled carbon nanotubes.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101048713B1 (en) 2008-10-20 2011-07-14 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and its manufacturing method
KR101222028B1 (en) * 2010-07-20 2013-01-14 한국표준과학연구원 Method for fabricating elastic tactile sensor
CN106784369A (en) * 2016-12-23 2017-05-31 Tcl集团股份有限公司 A kind of array structure light emitting diode with quantum dots device and preparation method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020085943A (en) * 2001-05-10 2002-11-18 실리콘 디스플레이 (주) Light emitter with a Carbon nanotip
KR20060020570A (en) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성전기주식회사 Method for manufacturing field emitter electrode by using self-assembling of carbon nanotubes and field emitter electrode manufactured thereby

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020085943A (en) * 2001-05-10 2002-11-18 실리콘 디스플레이 (주) Light emitter with a Carbon nanotip
KR20060020570A (en) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성전기주식회사 Method for manufacturing field emitter electrode by using self-assembling of carbon nanotubes and field emitter electrode manufactured thereby

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101048713B1 (en) 2008-10-20 2011-07-14 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and its manufacturing method
KR101222028B1 (en) * 2010-07-20 2013-01-14 한국표준과학연구원 Method for fabricating elastic tactile sensor
CN106784369A (en) * 2016-12-23 2017-05-31 Tcl集团股份有限公司 A kind of array structure light emitting diode with quantum dots device and preparation method thereof

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