KR100846948B1 - Organic Light Emitting Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로에 관한 것으로서, The present invention relates to an organic light emitting display device and a pixel circuit thereof.

해결하고자 하는 기술적 과제는 유기 전계 발광 소자의 열화 현상(degradation)을 최소화하여 유기 전계 발광 표시 장치의 수명 및 Uniformity를 향상시키는데 있다.The technical problem to be solved is to minimize the deterioration (degradation) of the organic light emitting device to improve the lifetime and uniformity of the organic light emitting display device.

이를 위해 본 발명은 주사 신호선의 주사 신호에 응답하여 데이터 신호선으로 부터 데이터 신호를 전달하는 제 1 스위칭 소자; 상기 제 1 스위칭 소자에 연결되어 제 1 전원 전압선으로부터의 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 제어전극과 상기 제 1 전원 전압선 사이에 연결된 용량성 소자; 상기 제 2 전원 전압선에 연결되어, 상기 구동 트랜지스터에 의해 제어되는 구동 전류로 화상을 표시하는 유기 전계 발광 소자; 상기 용량성 소자와 초기화 전원 전압선 사이에 연결되어, 상기 용량성 소자를 초기화하는 초기화 스위칭 소자; 상기 유기 전계 발광 소자와 상기 초기화 전원 전압선 사이에 연결되고 제어전극이 발광 역 제어 신호선에 연결되어, 상기 유기 전계 발광 소자에 역 바이어스 전압을 인가하는 역바이어스 인가용 스위칭 소자를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치를 개시한다. To this end, the present invention comprises a first switching element for transmitting a data signal from the data signal line in response to the scan signal of the scan signal line; A driving transistor connected to the first switching element to control a driving current from a first power supply voltage line; A capacitive element connected between the control electrode of the driving transistor and the first power voltage line; An organic electroluminescent element connected to the second power supply voltage line and displaying an image with a driving current controlled by the driving transistor; An initialization switching element connected between the capacitive element and an initialization power supply voltage line to initialize the capacitive element; An organic electroluminescent display including a reverse bias application switching element connected between the organic electroluminescent element and the initialization power supply voltage line and a control electrode connected to an emission reverse control signal line to apply a reverse bias voltage to the organic electroluminescent element. Start the device.

AMOLED,유기 전계 발광 표시 장치,열화(Degradation),역바이어스 전압 인가 AMOLED, organic electroluminescent display, degradation, reverse bias voltage applied

Description

유기 전계 발광 표시 장치{Organic Light Emitting Display}Organic Light Emitting Display

도 1은 통상의 유기 전계 발광 소자의 기본 구조를 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram showing the basic structure of a conventional organic electroluminescent device.

도 2는 전압 구동 방식의 기본 화소 회로를 도시한 개략도이다.2 is a schematic diagram illustrating a basic pixel circuit of a voltage driving method.

도 3은 도 2에 도시된 화소 회로의 구동 타이밍도이다.FIG. 3 is a driving timing diagram of the pixel circuit shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 기본 구조 블록도이다.4 is a basic structural block diagram of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.5 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시된 화소 회로의 구동 타이밍도이다.FIG. 6 is a driving timing diagram of the pixel circuit shown in FIG. 5.

도 7은 도 5에 도시된 화소 회로에서 초기화 기간(T1)중 전류 흐름을 도시한 것이다.FIG. 7 illustrates the current flow during the initialization period T1 in the pixel circuit shown in FIG. 5.

도 8은 도5에 도시된 화소 회로에서 데이터 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압 저장 기간(T2)중 전류 흐름을 도시한 것이다.FIG. 8 illustrates a current flow during the data voltage and the threshold voltage storage period T2 of the driving transistor in the pixel circuit shown in FIG. 5.

도 9는 도5에 도시된 화소 회로에서 발광 기간(T3)중 전류 흐름을 도시한 것이다. FIG. 9 shows the current flow during the light emission period T3 in the pixel circuit shown in FIG.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.10 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.11 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 12는 도 11에 도시된 화소 회로의 구동 타이밍도이다.12 is a driving timing diagram of the pixel circuit shown in FIG. 11.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the reference numerals for the main parts of the drawings>

100; 본 발명에 의한 평판 표시 장치100; Flat panel display device according to the present invention

110; 주사 신호 구동부 120; 데이터 신호 구동부110; A scan signal driver 120; Data signal driver

130; 발광 제어 신호 구동부 140; 유기 전계 발광 표시 패널130; A light emission control signal driver 140; Organic electroluminescent display panel

P; 화소 회로 150; 제1전원전압 공급부P; Pixel circuit 150; First power supply voltage

D[M]; 데이터 신호선 160; 제2전원전압 공급부 D [M]; Data signal line 160; Second power supply

S[N]; 주사 신호선 170; 초기화 전원 전압 공급부S [N]; Scan signal line 170; Initialization power voltage supply

S[N-1]; 이전 주사 신호선 C; 용량성 소자S [N-1]; Previous scan signal line C; Capacitive element

EM[N]; 발광 제어 신호선 EMB[N]; 발광 역 제어 신호선 EM [N]; Light emission control signal line EMB [N]; Luminescent station control signal line

VDD; 제 1전원 전압선 VSS; 제2전원 전압선VDD; A first power supply voltage line VSS; Second power supply voltage line

SW_TR1; 제1스위칭 소자 SW_TR2; 제2스위칭 소자SW_TR1; First switching element SW_TR2; Second switching element

SW_TR3; 제3스위칭 소자 SW_TR4; 제4스위칭 소자SW_TR3; Third switching element SW_TR4; Fourth switching element

SW_TR5; 초기화 스위칭 소자 SW_TR6; 역바이어스 인가용 스위칭 소자SW_TR5; Initialization switching element SW_TR6; Reverse bias switching element

DR_TR; 구동 트랜지스터DR_TR; Driving transistor

Vinit; 초기화 전원 전압선 Vinit; Power supply voltage line

OLED (Organic Light Emitting Diode); 유기 전계 발광 소자Organic light emitting diode (OLED); Organic electroluminescent element

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로에 관한 것으로서, 보다 상세히는 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로내 유기전계 발광 소자(OLED)The present invention relates to an organic light emitting display device and a pixel circuit thereof, and more particularly, to an organic light emitting diode (OLED) in a pixel circuit of an organic light emitting display device.

의 열화(Degradation) 현상을 최소화할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a pixel circuit thereof capable of minimizing degradation.

최근에 유기 전계 발광 표시 장치는 얇은 두께와 넓은 시야각 그리고 빠른 반응 속도 등의 장점으로 인하여 차세대 평판 디스플레이로서 각광 받고 있다.Recently, an organic light emitting display device has been spotlighted as a next-generation flat panel display due to advantages such as thin thickness, wide viewing angle, and fast response speed.

이러한 유기 전계 발광 표시 장치는 각 화소(Pixel)의 유기 전계 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류의 양을 제어함으로써, 각 화소의 밝기(Brightness)를 제어하고 영상을 표시하게 된다.Such an organic light emitting display device controls the amount of current flowing through the organic light emitting diode OLED of each pixel, thereby controlling the brightness of each pixel and displaying an image.

다시 말하자면, 데이터 전압에 대응하는 전류가 유기 전계 발광 소자에 공급되고, 공급된 전류에 대응하여 유기 전계 발광 소자가 발광하게 된다. 이때, 인가되는 데이터 전압은 계조를 표현하기 위하여 일정 범위에서 다단계의 값을 갖는다.In other words, a current corresponding to the data voltage is supplied to the organic EL device, and the organic EL device emits light corresponding to the supplied current. At this time, the applied data voltage has a multi-level value in a predetermined range in order to express the gray scale.

구동 트랜지스터로서 비정질 실리콘(a-si)을 사용한 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 이용할 경우 전류 구동 능력은 상대적으로 낮지만 표시 장치의 균일도가 우수하고 대면적 공정에 유리한 장점을 가진다.In the case of using a thin film transistor (TFT) using amorphous silicon (a-si) as a driving transistor, current driving capability is relatively low, but the display device has excellent uniformity and an advantage in a large area process.

그러나 일반적인 유기 전계 발광 표시 장치에서는, 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드에서부터 캐소드로 한 방향으로만 전류가 흐르게 되어, 유기 박 막의 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML) 사이 또는 전자 수송층(ETL)과 발광층(EML) 사이에 공간 전하가 저장된다. 이러한 공간 전하의 누적으로 인해 유기 전계 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)가 감소할 수 있다. 이로 인하여, 각 화소의 밝기가 감소하게 됨으로써, 상기 화소 회로를 채택한 유기 전계 발광 표시 장치의 밝기가 시간이 지남에 따라 점차 감소하게 되는 문제점이 있다. 나아가, 유기 전계 발광 표시 장치의 수명이 단축될 수 있다.However, in a general organic light emitting display device, current flows only in one direction from the anode of the organic light emitting element OLED to the cathode, and thus, between the hole transport layer HTL and the light emitting layer EML of the organic thin film or the electron transport layer ETL. And a space charge is stored between the light emitting layer EML. Due to the accumulation of space charges, the current I OLED flowing in the organic light emitting diode OLED may be reduced. As a result, since the brightness of each pixel is reduced, there is a problem that the brightness of the organic light emitting display device employing the pixel circuit gradually decreases over time. In addition, the lifespan of the organic light emitting display device may be shortened.

더욱이, 화소 회로마다의 유기 전계 발광 소자의 열화 정도의 차이에 따라 결과적으로 유기 전계 발광 표시 장치 전체의 휘도가 불균일해지는 문제가 있다.Furthermore, there is a problem that the luminance of the entire organic electroluminescent display is uneven as a result of the difference in the degree of deterioration of the organic electroluminescent element for each pixel circuit.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로, The present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems,

본 발명의 주 목적은 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가하여 유기 전계 발광 소자의 열화현상(Degradation)을 감소시키며, 이러한 열화 현상 감소에 의해 유기 전계 발광 소자의 수명 및 각 화소간의 휘도의 균일성(Uniformity)을 증대 시킬수 있는 유기전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로를 제공하는데 있다.The main object of the present invention is to apply a reverse bias voltage to the organic electroluminescent device to reduce degradation of the organic electroluminescent device, and thereby to reduce the degradation of the organic electroluminescent device and to uniform the luminance of each pixel. The present invention provides an organic light emitting display device and a pixel circuit thereof capable of increasing uniformity.

본 발명의 다른 목적은 문턱 전압(Vth) 보상 회로를 적용함으로써 문턱 전압을 가지는 반도체 소자의 문턱전압의 불균일성(NonUniformity) 및 변화(Variation)를 보상할 수 있도록 하는데 있다.Another object of the present invention is to compensate for nonuniformity and variation of threshold voltage of a semiconductor device having a threshold voltage by applying a threshold voltage Vth compensation circuit.

본 발명의 주목적을 실현하기 위해 세부적으로는, 한 프레임의 화상 표시 기간을 제1기간(T1), 제2기간(T2) 및 제3기간(T3)으로 나누고, 제1기간에는 용량성 소자에 초기화 전원 전압선이 연결되어 상기 용량성 소자와 구동 트랜지스터의 제어 전극을 초기화 시키는 동시에 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가한다. 제2기간에는 상기 용량성 소자에 전압이 저장되는 동시에 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압이 인가된다. 제3기간에는 유기 전계 발광 소자에 데이터 전압에 대응되는 전류가 흐름으로 유기 전계 발광 소자가 발광하게 되며, 상기 제1기간, 제2기간, 및 제3기간을 순차적으로 진행함으로써 유기 전계 발광 소자의 열화현상을 감소 시키는데 있다.In order to realize the main object of the present invention, in detail, an image display period of one frame is divided into a first period T1, a second period T2, and a third period T3, and in the first period, An initialization power supply voltage line is connected to initialize the capacitive element and the control electrode of the driving transistor and simultaneously apply a reverse bias voltage to the organic electroluminescent element. In the second period, a voltage is stored in the capacitive element and a reverse bias voltage is applied to the organic electroluminescent element. In the third period, the organic electroluminescent device emits light as a current corresponding to the data voltage flows to the organic electroluminescent device, and the first, second, and third periods are sequentially performed to It is to reduce the deterioration phenomenon.

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이 경우 제1기간, 제2기간은 비 발광기간이 되고, 제3기간이 발광기간이 된다. 비 발광기간은 발광기간에 비해 상대적으로 짧게 할 수 있다. In this case, the first period and the second period become the non-light emitting period, and the third period is the light emitting period. The non-light emitting period can be made relatively short compared to the light emitting period.

일반적으로 유기 전계 발광 표시 패널은 행렬 형태로 배열된 NxM 개의 유기 발광셀들을 전압 구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현한다. In general, the organic light emitting display panel displays an image by voltage driving or current driving the NxM organic light emitting cells arranged in a matrix form.

다이오드 특성을 가지는 유기 전계 발광 소자(일반적으로 OLED라고 불린다) Organic electroluminescent device with diode characteristics (generally called OLED)

는 도 1에 도시된 바와 같이 애노드(Anode; ITO), 유기박막(유기층) 및 캐소드 (Cathode; Metal)로 이루어져 있다. 상기 유기박막은 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(EMitting Layer,EML),전자를 수송하는 전자 수송층(Electron Transport Layer,ETL) 및 정공을 수송하는 정공 수송층(Hole Transport Layer,HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어질 수 있다. 또한, 이와 별도로 상기 전자 수송층의 일측면에 전자를 주입하는 전자 주입층(Electron Injecting Layer,EIL)과 상기 정공 주입층의 일측면에 전공을 주입하는 정공 주입층(Hole Injection Layer)이 더 형성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the anode is composed of an anode (ITO), an organic thin film (organic layer), and a cathode (Cathode; Metal). The organic thin film has a light emitting layer (EMitting Layer, EML), an electron transport layer (ETL) for transporting electrons, and a hole transport layer (Hole Transport Layer, HTL) for transporting holes in order to improve hole balance and improve luminous efficiency. It can be made of a multi-layer structure including. In addition, an electron injection layer (EIL) for injecting electrons to one side of the electron transport layer and a hole injection layer for injecting a hole into one side of the hole injection layer may be further formed. Can be.

더불어, 인광형 유기 전계 발광 소자의 경우에는 정공 억제층(Hole Brocking Layer; HBL)이 상기 발광층(EML)과 상기 전자 수송층(ETL) 사이에 선택적으로 형성될 수 있으며, 전자 억제층(Electron Blocking Layer; EBL)이 상기 발광층(EML)과 정공 수송층(HTL) 사이에 선택적으로 형성될 수 있다.In addition, in the case of a phosphorescent organic EL device, a hole blocking layer (HBL) may be selectively formed between the emission layer (EML) and the electron transport layer (ETL), and an electron blocking layer EBL may be selectively formed between the emission layer EML and the hole transport layer HTL.

또한, 상기 유기박막(유기층)은 두 종류의 층을 혼합하여 그 두께를 감소시키는 슬림형 유기 전계 발광 소자(Slim OLED) 구조로 형성할 수도 있다. 예를들면,상기 정공 주입층(HIL)과 상기 정공 수송층(HTL)을 동시에 형성하는 정공 주입 수송층(Hole Injection Transport Layer; HITL) 구조 및 상기 전자 주입층(EIL)과 상기 전자 수송층(ETL)을 동시에 형성하는 전자 주입 수송층(Electron Injection Transport Layer; EITL) 구조를 선택적으로 형성할 수 있다. 상기와 같은 슬림형 유기 전계 발광 소자는 발광 효율을 증가시키는데 그 사용의 목적이 있다.In addition, the organic thin film (organic layer) may be formed in a slim organic light emitting device (Slim OLED) structure to reduce the thickness by mixing the two types of layers. For example, a hole injection transport layer (HITL) structure for simultaneously forming the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL), and the electron injection layer (EIL) and the electron transport layer (ETL) An electron injection transport layer (EITL) structure that is formed at the same time may be selectively formed. The slim organic electroluminescent device as described above has an object of use for increasing luminous efficiency.

또한, 상기 애노드와 발광층(EML) 사이에 선택적으로 버퍼층(Buffer Layer)을 형성할 수 있다. 상기 버퍼층은 전자를 버퍼링하는 전자 버퍼층(Electron Buffer Layer)과 정공을 버퍼링하는 정공 버퍼층(Hole Buffer Layer)으로 구분 할 수 있다. 상기 전자 버퍼층은 음극과 전자 주입층(EIL) 사이에 선택적으로 형성할 수 있으며, 상기 전자 주입층(EIL)의 기능을 대신하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 유기박막의 적층 구조는 발광층(EML) / 전자 수송층(ETL) / 전자 버퍼층 / 캐소드 가 될 수 있다. 또한, 상기 정공 버퍼층은 상기 애노드와 상기 정공 주입층(EIL) 사이에 선택적으로 형성될 수 있으며, 상기 정공 주입층(HIL)의 기능을 대신하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 유기박막의 적층 구조는 애노드 / 정공 버퍼층(Hole buffer layer) / 정공 수송층(HTL) / 발광층(EML)이 될 수 있다.In addition, a buffer layer may be selectively formed between the anode and the light emitting layer EML. The buffer layer may be divided into an electron buffer layer that buffers electrons and a hole buffer layer that buffers holes. The electron buffer layer may be selectively formed between the cathode and the electron injection layer EIL, and may be formed in place of the function of the electron injection layer EIL. In this case, the laminated structure of the organic thin film may be an emission layer (EML) / electron transport layer (ETL) / electron buffer layer / cathode. In addition, the hole buffer layer may be selectively formed between the anode and the hole injection layer EIL, and may be formed in place of the function of the hole injection layer HIL. At this time, the laminated structure of the organic thin film may be an anode / hole buffer layer (Hole buffer layer) / hole transport layer (HTL) / light emitting layer (EML).

상기 구조에 대하여 가능한 적층 구조를 기재하면 다음과 같다.The possible laminated structure with respect to the above structure is described as follows.

a) 정상 적층 구조 (Normal Stack Structure)a) Normal Stack Structure

1) 애노드/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/캐소드1) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

2) 애노드/정공 버퍼층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/캐소드2) anode / hole buffer layer / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

3) 애노드/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/전자 버퍼층/캐소드3) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / electron buffer layer / cathode

4) 애노드/정공 버퍼층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/전자 버퍼층/캐소드4) anode / hole buffer layer / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / electron buffer layer / cathode

5) 애노드/정공 주입층/정공 버퍼층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/캐소드5) Anode / hole injection layer / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

6) 애노드/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 버퍼층/전자 주입층/캐소드6) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron buffer layer / electron injection layer / cathode

b) 정상 슬림 구조(Normal Slim Structure)b) Normal Slim Structure

1) 애노드/정공 주입 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극1) anode / hole injection transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

2) 애노드/정공버퍼층/정공주입수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드2) anode / hole buffer layer / hole injection transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

3) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/전자주입수송층/전자버퍼층/캐소드3) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection transport layer / electron buffer layer / cathode

4) 애노드/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자주입수송층/전자버퍼층/캐소드4) Anode / hole buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection transport layer / electron buffer layer / cathode

5) 애노드/정공주입수송층/정공버퍼층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드5) Anode / hole injection transport layer / hole buffer layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

6) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/전자버퍼층/전자주입수송층/캐소드6) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron buffer layer / electron injection transport layer / cathode

c) 역상 적층 구조(Inverted Stack Structure)c) Inverted Stack Structure

1) 캐소드/전자주입층/전자수송층/발광층/정공수송층/정공주입층/애노드1) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / anode

2) 캐소드/전자 주입층/전자 수송층/발광층/정공 수송층/정공 주입층/정공 버퍼층/애노드2) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / hole buffer layer / anode

3) 캐소드/전자 버퍼층/전자 주입층/전자 수송층/발광층/정공 수송층/정공 주입층/애노드3) cathode / electron buffer layer / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / anode

4) 캐소드/전자 버퍼층/전자 주입층/전자 수송층/발광층/정공 수송층/정공 버퍼층/애노드4) cathode / electron buffer layer / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole buffer layer / anode

5) 캐소드/전자 주입층/전자 수송층/발광층/정공 수송층/정공 버퍼층/정공 주입층/애노드5) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole buffer layer / hole injection layer / anode

6) 캐소드/전자 주입층/전자 버퍼층/전자 수송층/발광층/정공 수송층/정공 주입층/애노드6) cathode / electron injection layer / electron buffer layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / anode

d) 역상 슬림 구조(Inverted Slim Structure)d) Inverted Slim Structure

1) 캐소드/전자 주입층/전자 수송층/발광층/정공 주입층/애노드1) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole injection layer / anode

2) 캐소드/전자주입층/전자수송층/발광층/정공주입수송층/정공버퍼층/애노드2) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole injection transport layer / hole buffer layer / anode

3) 캐소드/전자버퍼층/전자주입수송층/발광층/정공수송층/정공주입층/애노드3) cathode / electron buffer layer / electron injection transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / anode

4) 캐소드/전자버퍼층/전자주입수송층/발광층/정공수송층/정공주입층/애노드4) cathode / electron buffer layer / electron injection transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / anode

5) 캐소드/전자주입층/전자수송층/발광층/정공버퍼층/정공주입수송층/애노드5) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole buffer layer / hole injection transport layer / anode

6) 캐소드/전자주입수송층/전자버퍼층/발광층/정공수송층/정공주입층/애노드6) Cathode / electron injection transport layer / electron buffer layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / anode

여기에서 캐소드(Cathode)는 음극을 애노드(Anode)는 양극을 의미한다.Here, cathode means cathode and anode means anode.

이와 같은 유기 전계 발광 소자의 구동 방식으로서는 수동 매트릭스(Passive matrix) 방식과 능동 매트릭스(Active Matrix) 방식이 알려져 있다. 상기 수동 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동함으로써 제작 공정이 단순하고 투자비가 적으나 대화면 구현시 전류 소모량이 많다는 단점이 있다. 상기 능동 매트릭스 방식은 박막 트랜지스터와 같은 능동 소자 및 용량성 소자를 각 화소에 형성함으로써 전류 소모량이 적고 화질 및 수명이 우수하여 중대형까지 확대 가능하다는 장점이 있다.As a driving method of such an organic EL device, a passive matrix method and an active matrix method are known. In the passive matrix method, the anode and the cathode are formed to be orthogonal and the lines are selected and driven, thereby simplifying the manufacturing process and reducing the investment cost. The active matrix method has the advantage of being able to expand to medium-large size by forming active elements such as thin film transistors and capacitive elements in each pixel, with low current consumption and excellent image quality and lifetime.

상술한 바와 같이 능동 매트릭스 방식에서는 유기 전계 발광 소자와 박막 트랜지스터를 기반으로 한 화소 회로 구성이 필수적인데, 이때 상기 박막 트랜지스터로서는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 또는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 이용하게 된다. 도 2를 참조하면, 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로가 도시되어 있고,As described above, in the active matrix method, a pixel circuit configuration based on an organic light emitting device and a thin film transistor is essential. In this case, an amorphous silicon thin film transistor or a polycrystalline silicon thin film transistor is used as the thin film transistor. Referring to FIG. 2, a pixel circuit of an organic light emitting display device is shown.

도3을 참조하면, 도2에 도시된 화소 회로의 구동 타이밍도가 도시 되어 있다.Referring to FIG. 3, a driving timing diagram of the pixel circuit shown in FIG. 2 is shown.

이러한 화소 회로는 N x M 개의 화소중 하나를 대표적으로 도시한 것이다.This pixel circuit representatively shows one of the N x M pixels.

도 2에 도시된 바와 같이 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로는 주사 신호를 공급하는 주사 신호선(S[N]), 데이터 신호를 공급하는 데이터 신호선(D[M]),제1전원전압을 공급하는 제1전원 전압선(VDD), 제2전원전압을 공급하는 제2전원전압선(VSS), 구동 트랜지스터(DR_TR),스위칭 소자(SW_TR), 용량성 소자(C) 및 유기 전계 발광소자(OLED)를 포함한다. 여기서, 상기 제1전원전압은 상기 제2전원전압에 비해 상대적으로 높은 레벨의 전압일 수 있다.As shown in FIG. 2, the pixel circuit of the organic light emitting display device supplies a scan signal line S [N] for supplying a scan signal, a data signal line D [M] for supplying a data signal, and a first power supply voltage. The first power supply voltage line VDD, the second power supply voltage line VSS supplying the second power supply voltage, the driving transistor DR_TR, the switching element SW_TR, the capacitive element C, and the organic electroluminescent element OLED. It includes. Here, the first power supply voltage may be a voltage of a relatively higher level than the second power supply voltage.

상술한 화소 회로의 한 프레임 동안의 동작을 도 3을 참조하여 설명한다.An operation during one frame of the above-described pixel circuit will be described with reference to FIG.

도 3에 표시된 바와 같이 주사 신호가 공급되고, 그 후 약간의 시간차를 두고 데이터 신호가 공급된다. 약간의 시간차를 두는 이유는 주사 신호의 공급에 의한 스위칭 소자의 턴온 시간 부터 데이터 신호의 공급 시간까지의 마진을 확보해주기 위함이다. 다시 도 2의 화소 회로를 도 3의 타이밍도에 따라 설명해보면,As shown in Fig. 3, the scanning signal is supplied, and then the data signal is supplied with a slight time difference. The reason for the slight time difference is to secure a margin from the turn-on time of the switching element by the supply of the scan signal to the supply time of the data signal. Referring back to the pixel circuit of FIG. 2 according to the timing diagram of FIG.

상기 주사 신호선(S[N])으로부터 주사 신호가 공급되면, 상기 스위칭 소자(SW_TR)가 턴온된다. 따라서, 상기 데이터선(D[M])으로부터의 데이터 신호(전압)는 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어 전극 및 상기 용량성 소자(C)의 제1전극(A)에 공급된다.When the scan signal is supplied from the scan signal line S [N], the switching element SW_TR is turned on. Therefore, the data signal (voltage) from the data line D [M] is supplied to the control electrode of the driving transistor DR_TR and the first electrode A of the capacitive element C.

따라서, 상기 제1전원 전압선(VDD)으로부터의 제1전원 전압이 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)를 통하여 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 공급됨으로써, 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 한 프레임 동안 일정 휘도로 발광하게 된다. 물론,상기 용량성 소자(C)에는 상기 데어터선(D[M])으로부터 공급되는 데이터 전압이 저장되기 때문에, 상기 주사 신호선(S[N])으로부터의 주사 신호 공급이 차단된다고 해도 한 프레임 동안 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)는 계속 턴온 상태를 유지한다.Therefore, the first power supply voltage from the first power supply voltage line VDD is supplied to the organic light emitting diode OLED through the driving transistor DR_TR, so that the organic light emitting diode OLED is constant for one frame. It emits light with brightness. Of course, since the data voltage supplied from the data line D [M] is stored in the capacitive element C, even if the supply of the scan signal from the scan signal line S [N] is interrupted for one frame, The driving transistor DR_TR remains turned on.

더불어, 프레임이 계속되어 갈수록 유기 전계 발광 소자에는 애노드에서 캐소드 방향으로 순방향의 전류가 계속 인가되게 된다.In addition, as the frame continues, forward current continues to be applied from the anode to the cathode in the organic EL device.

계속적으로 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드에서부터 캐소드로 한 방향으로만 전류가 흐르게 되면, 유기 박막의 정공 수송층(HTL)과 발광층(EML) 사이 또는 전자 수송층(ETL)과 발광층(EML) 사이에 공간 전하가 저장된다. 이러한 공간 전하의 누적으로 인해 유기 전계 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)가 감소할 수 있다. 이로 인하여, 각 화소의 밝기가 감소하게 됨으로써, 상기 화소 회로를 채택한 유기 전계 발광 표시 장치의 밝기가 시간이 지남에 따라 점차 감소하게 되는 문제점이 있다. 나아가, 유기 전계 발광 표시 장치의 수명이 단축될 수 있다.If the current flows continuously from the anode to the cathode of the organic electroluminescent device (OLED) only between the hole transport layer (HTL) and the light emitting layer (EML) of the organic thin film or between the electron transport layer (ETL) and the light emitting layer (EML) Space charge is stored. Due to the accumulation of space charges, the current I OLED flowing in the organic light emitting diode OLED may be reduced. As a result, since the brightness of each pixel is reduced, there is a problem that the brightness of the organic light emitting display device employing the pixel circuit gradually decreases over time. In addition, the lifespan of the organic light emitting display device may be shortened.

더욱이, 화소 회로마다의 유기 전계 발광 소자의 열화 정도의 차이에 따라 결과적으로 유기 전계 발광 표시 장치 전체의 휘도가 불균일해지는 문제가 있다.Furthermore, there is a problem that the luminance of the entire organic electroluminescent display is uneven as a result of the difference in the degree of deterioration of the organic electroluminescent element for each pixel circuit.

상기한 문제를 해결하기 위해 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치는 주사 신호선에서 인가되는 주사 신호에 응답하여 상기 데이터 선에서 인가되는 데이터 신호를 전달하는 제 1 스위칭 소자와, 상기 제 1 스위칭 소자에 제1전극이 연결되어 제 1 전원 전압선과 제2전원 전압선 사이의 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제어전극과 상기 제 1 전원 전압선 사이에 연결된 용량성 소자와, 상기 제 2 전원 전압선에 연결되어, 상기 구동 트랜지스터에 의해 제어되는 구동 전류로 화상을 표시하는 유기 전계 발광 소자와, 상기 용량성 소자와 초기화 전원 전압선 사이에 연결되어, 상기 용량성 소자를 초기화하는 초기화 스위칭 소자와, 상기 유기 전계 발광 소자와 상기 초기화 전원 전압선 사이에 연결되고, 제어전극이 발광 역 제어 신호선에 연결되어, 상기 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스 인가용 스위칭 소자를 포함할 수 있다.In order to solve the above problem, the organic light emitting display device according to the present invention includes a first switching device for transmitting a data signal applied from the data line in response to a scan signal applied from a scan signal line, and a first switching device. A driving transistor connected with a first electrode to control a driving current between the first power supply voltage line and the second power supply voltage line, a capacitive element connected between the control electrode of the driving transistor and the first power supply voltage line, and the second power supply An organic electroluminescent element connected to a voltage line and displaying an image with a driving current controlled by the driving transistor, an initialization switching element connected between the capacitive element and an initialization power supply voltage line to initialize the capacitive element; A control electrode is connected between the organic EL device and the initialization power voltage line. Is connected to the station control signal, a reverse bias for applying a reverse bias voltage to the organic light emitting device may include a switching element.

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상기 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 제 1 전원 전압선과 상기 제 1 스위칭 소자 사이에 연결된 제2스위칭를 포함할 수 있다.The organic light emitting display device may include a second switching connected between the first power voltage line and the first switching element.

상기 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 구동 트랜지스터와 상기 유기 전계 발광소자 사이에 연결된 제3스위칭 소자를 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display may include a third switching device connected between the driving transistor and the organic light emitting diode.

상기 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극과 제2전극 사이에 연결되고, 제어전극이 상기 주사 신호선에 연결되는 제4스위칭 소자를 포함할 수 있다.The organic light emitting display device may include a fourth switching device connected between a control electrode and a second electrode of the driving transistor, and a control electrode connected to the scan signal line.

상기 제 1스위칭 소자는 제어 전극이 상기 주사 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 데이터선에 연결되며, 제2전극이 상기 구동 트랜지스터의 제1전극에 연결될 수 있다.In the first switching device, a control electrode may be connected to the scan signal line, a first electrode may be connected to the data line, and a second electrode may be connected to the first electrode of the driving transistor.

상기 구동 트랜지스터는 제1전극이 상기 제1스위칭 소자의 제2전극과 상기 제2스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결되고, 제2전극이 상기 제4스위칭 소자의 제1전극과 제3스위칭소자의 제1전극 사이에 연결되며, 제어전극이 상기 제4스위칭 소자의 제2전극과 상기 용량성 소자의 제1전극 사이에 연결될 수 있다. The driving transistor may include a first electrode connected between the second electrode of the first switching element and the second electrode of the second switching element, and the second electrode of the first switching element and the third switching element of the fourth switching element. A control electrode may be connected between the second electrode of the fourth switching device and the first electrode of the capacitive device.

상기 용량성 소자는 제1전극이 상기 제1전원전압선과 제2스위칭 소자 사이에 연결되고, 제2전극이 구동트랜지스터의 제어전극과 제4스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결될 수 있다.In the capacitive element, a first electrode may be connected between the first power supply voltage line and a second switching element, and a second electrode may be connected between the control electrode of the driving transistor and the second electrode of the fourth switching element.

상기 초기화 스위칭 소자는 이전 주사 신호선에 제어 전극이 연결되며, 상기 용량성 소자와 상기 초기화 전원 전압선 사이에 연결될 수 있다.The initialization switching device may have a control electrode connected to a previous scan signal line, and may be connected between the capacitive element and the initialization power supply voltage line.

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또한, 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자는 제어 전극이 상기 발광 역 제어 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 초기화 스위칭 소자의 제1전극과 상기 유기 전계 발광 소자의 애노드와 상기 제3스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결되고, 제2전극이 상기 초기화 전원 전압선과 연결될 수도 있다.In addition, the reverse bias application switching element has a control electrode connected to the light emission reverse control signal line, the first electrode is the first electrode of the initialization switching element, the anode of the organic electroluminescent element and the third switching element of the third switching element. It may be connected between the two electrodes, the second electrode may be connected to the initialization power supply voltage line.

상기 유기 전계 발광 소자는 애노드가 역바이어스 인가용 스위칭 소자와 연결되고, 캐소드가 제2전원 전압선에 연결될 수 있다.In the organic electroluminescent device, an anode may be connected to a reverse bias application switching device, and a cathode may be connected to a second power supply voltage line.

상기 제2스위칭 소자는 제어 전극이 발광 제어 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 제1전원 전압선에 연결되며, 제2전극이 상기 구동 트랜지스터의 제1전극과 상기 제1스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결될 수 있다.In the second switching device, a control electrode is connected to the emission control signal line, a first electrode is connected to the first power supply voltage line, and a second electrode is connected to the first electrode of the driving transistor and the second electrode of the first switching device. Can be connected between.

상기 제3스위칭 소자는 제어 전극이 발광 제어 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 구동트랜지스터의 제2전극과 제4스위칭 소자의 제1전극 사이에 연결되며, 제2전극이 상기 유기 전계 발광 소자의 애노드와 역바이어스 인가용 스위칭 소자의 제1전극 사이에 연결될 수 있다.In the third switching device, a control electrode is connected to the emission control signal line, a first electrode is connected between the second electrode of the driving transistor and the first electrode of the fourth switching device, and the second electrode is the organic electroluminescent device. It may be connected between the anode of the first electrode of the switching element for reverse bias application.

상기 유기 전계 발광 소자는 캐소드에 제 2 전원 전압선이 연결되고, 상기 제 2 전원 전압선에 의한 제 2 전원 전압이 상기 초기화 전원 전압선에 의한 초기화 전원 전압보다 클 수 있다.In the organic electroluminescent device, a second power supply voltage line is connected to a cathode, and the second power supply voltage by the second power supply voltage line is greater than the initialization power supply voltage by the initialization power supply voltage line.

상기 유기 전계 발광 표시 장치는 한 프레임의 화상 표시 기간중 상기 초기화 스위칭 소자, 역바이어스 인가용 스위칭 소자가 턴온되고, 상기 제1스위칭 소자, 제4스위칭 소자, 제2스위칭 소자, 및 제3스위칭 소자가 턴오프되면, 상기 초기화 전원 전압선으로부터 초기화 전원이 용량성 소자의 제2전극에 인가되고, 상기 제2전원 전압선으로부터 제2전원 전압이 유기 전계 발광 소자의 캐소드에서 애노드 방향으로 인가되어 상기 초기화 전원 전압선으로 전달될 수 있다. In the organic light emitting display device, the initialization switching element and the reverse bias applying switching element are turned on during an image display period of one frame, and the first switching element, the fourth switching element, the second switching element, and the third switching element. When is turned off, the initialization power is applied from the initialization power supply voltage line to the second electrode of the capacitive element, and the second power supply voltage is applied from the second power supply voltage line toward the anode at the cathode of the organic electroluminescent element so that the initialization power supply is Can be transferred to a voltage line.

상기 유기 전계 발광 표시 장치는 한 프레임의 화상 표시 기간중 상기 제1스위칭 소자, 제4스위칭 소자 및 역바이어스 인가용 스위칭 소자가 턴온되고, 상기 제2스위칭 소자, 제3스위칭 소자 및 초기화 스위칭 소자가 턴오프되면, 상기 데이터선으로부터의 데이터 신호가 상기 용량성 소자의 제2전극에 인가되고, 상기 제1전원 전압선으로부터의 제1전원 전압은 상기 용량성 소자의 제1전극 및 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 인가될 수 있다.In the organic light emitting display device, the first switching element, the fourth switching element, and the reverse bias applying switching element are turned on during the image display period of one frame, and the second switching element, the third switching element, and the initialization switching element When turned off, a data signal from the data line is applied to the second electrode of the capacitive element, and the first power voltage from the first power voltage line is controlled by the first electrode of the capacitive element and the driving transistor. May be applied to the electrode.

상기 유기 전계 발광 표시 장치는 한 프레임의 화상 표시 기간중 상기 제2스위칭 소자 및 제3스위칭 소자가 턴온되고, 상기 제1스위칭 소자, 제4스위칭 소자, 초기화 스위칭 소자 및 역바이어스 인가용 스위칭 소자가 턴오프되면, 상기 유기 전계 발광 소자의 애노드에서 캐소드 방향으로 전류가 인가될 수 있다.In the organic light emitting display device, the second switching device and the third switching device are turned on during an image display period of one frame, and the first switching device, the fourth switching device, the initialization switching device, and the switching device for applying reverse bias are applied. When turned off, a current may be applied from the anode of the organic EL device to the cathode direction.

상기 제1스위칭 소자, 구동 트랜지스터, 초기화 스위칭 소자, 및 역바이어 스 인가용 스위칭 소자는 N형 채널 트랜지스터일 수 있다. The first switching element, the driving transistor, the initialization switching element, and the reverse bias application switching element may be an N-type channel transistor.

상기 제1스위칭 소자, 구동 트랜지스터, 초기화 스위칭 소자, 및 역바이어스 인가용 스위칭 소자는 P형 채널 트랜지스터일 수 있다.The first switching element, the driving transistor, the initialization switching element, and the reverse bias applying switching element may be a P-type channel transistor.

상기 제2스위칭 소자, 제3스위칭 소자,및 제4스위칭 소자는 N형 채널 트랜지스터일 수 있다.The second switching device, the third switching device, and the fourth switching device may be N-type channel transistors.

상기 제2스위칭 소자, 제3스위칭 소자,및 제4스위칭 소자는 P형 채널 트랜지스터일 수 있다.The second switching device, the third switching device, and the fourth switching device may be P-type channel transistors.

상기 유기 전계 발광 소자는 발광층을 구비하고 있으며, 상기 발광층은 형광 재료 및 인광 재료중 선택된 어느 하나 또는 그 혼합물일 수 있다.The organic electroluminescent device includes a light emitting layer, and the light emitting layer may be any one selected from fluorescent materials and phosphorescent materials, or a mixture thereof.

상기 발광층은 적색 발광 재료, 녹색 발광 재료, 청색 발광 재료중 선택된 어느 하나 또는 그 혼합물일 수 있다.The light emitting layer may be any one selected from red light emitting material, green light emitting material, and blue light emitting material, or a mixture thereof.

상기 구동 트랜지스터는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터, 폴리 실리콘 박막 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터 및 나노 박막 반도체 트랜지스터중 선택된 어느 하나일 수 있다.The driving transistor may be any one selected from an amorphous silicon thin film transistor, a polysilicon thin film transistor, an organic thin film transistor, and a nano thin film semiconductor transistor.

상기 구동 트랜지스터는 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 텅스텐(W)중 선택된 어느 하나를 갖는 폴리 실리콘 트랜지스터일 수 있다.The driving transistor may be a polysilicon transistor having any one selected from nickel (Ni), cadmium (Cd), cobalt (Co), titanium (Ti), palladium (Pd), and tungsten (W).

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로는 한 프레임의 화상 표시기간을 제1기간, 제2기간, 및 제3기간으로 나누고, 제1기간에는 초기화 전원 전압선이 용량성 소자와 구동 트랜지스터의 제어 전극에 연결되어 상기 용량성 소자에 저장된 전압과 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극을 초기화 시키는 동시에 제2전원 전압선에서 초기화 전원 전압선 방향으로 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압이 인가된다.As described above, the organic light emitting display device and the pixel circuit thereof according to the present invention divide an image display period of one frame into a first period, a second period, and a third period, in which the initialization power supply voltage line has a capacitance. A reverse bias voltage is applied to the organic electroluminescent device from the second power supply voltage line toward the initialization power supply voltage line while initializing the voltage stored in the capacitive element and the control electrode of the driving transistor connected to the control electrode of the active element and the driving transistor. .

제2기간에는 상기 용량성 소자에 전압이 저장되는 동시에 상기 제1기간과 마찬가지로 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압이 인가된다.In the second period, a voltage is stored in the capacitive element and a reverse bias voltage is applied to the organic EL device similarly to the first period.

제3기간에는 상기 유기 전계 발광 소자에 데이터 전압에 대응되는 전류가 흐름으로써 유기 전계 발광 소자가 발광하게 된다.In the third period, the current corresponding to the data voltage flows through the organic EL device, thereby causing the organic EL device to emit light.

이와 같이, 상기 유기 전계 발광 소자의 비발광기간, 즉 제1기간과 제2기간에는 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가함으로써, 상기 유기 전계 발광 소자의 열화(Degradation)현상을 방지하고, 보다 궁극적으로는 유기 전계 발광 표시 장치의 수명을 높이며, 나아가 각 화소의 균일도(Uniformity) 향상에 도움을 줄 수 있다. As described above, in the non-emission period of the organic EL device, that is, the first period and the second period, a reverse bias voltage is applied to the organic EL device, thereby preventing degradation of the organic EL device, and Ultimately, the lifespan of the organic light emitting display device may be increased, and further, the uniformity of each pixel may be improved.

또한, 상기와 같이 하여 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로는 한 프레임의 화상 표시 기간중 발광기간과 비발광기간의 비율을 1:1 또는 그 외의 비율로 다양하게 조절할 수 있다.In addition, as described above, the organic light emitting display device and the pixel circuit thereof according to the present invention can variously adjust the ratio between the light emission period and the non-light emission period in an image display period of one frame in a ratio of 1: 1 or otherwise.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조 하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해 첨부된 도면에서 발명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. In order to clearly describe the present invention, parts not related to the present invention are omitted in the accompanying drawings. The same reference numerals are used to designate parts having similar configurations and operations throughout the specification.

도 4를 참조한면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 구성이 블록도로서 도시되어 있다.Referring to FIG. 4, the configuration of the organic light emitting display device according to the present invention is shown as a block diagram.

도 4에 도시된 바와 같이 유기 전계 발광 표시 장치(100)는 주사 신호 구동부(110), 데이터 신호 구동부(120),발광 제어 신호 구동부(130), 유기 전계 발광 표시 패널(140) (이하, 패널(140)이라한다), 제1전원전압 공급부(150) 및 제2전원 전압 공급부(160), 초기화 전원전압 공급부(170)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the organic light emitting display device 100 includes a scan signal driver 110, a data signal driver 120, a light emission control signal driver 130, and an organic light emitting display panel 140 (hereinafter, referred to as a panel). 140), a first power supply voltage supply unit 150, a second power supply voltage supply unit 160, and an initialization power supply voltage supply unit 170.

상기 주사 신호 구동부(110)는 다수의 주사 신호선(S[1],,S[N])을 통하여 상기 패널(140)에 주사 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.The scan signal driver 110 may sequentially supply scan signals to the panel 140 through a plurality of scan signal lines S [1] and S [N].

상기 데이터 신호 구동부(120)는 다수의 데이터 신호선(D[1],.....D[M])을 통하여 상기 패널에 데이터 신호를 공급할 수 있다.The data signal driver 120 may supply a data signal to the panel through a plurality of data signal lines D [1], ..... D [M].

상기 발광 제어 신호 구동부(130)는 다수의 발광 제어신호선(EM[1]..,EM[N])The emission control signal driver 130 includes a plurality of emission control signal lines EM [1] .. EM [N].

및 다수의 발광 역 제어 신호선(EMB[1],..EMB[N])을 통하여 상기 패널(140)에 발광 제어 신호 및 발광 역 제어 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.And a light emission control signal and a light emission reverse control signal to the panel 140 through a plurality of light emission reverse control signal lines EMB [1] and ..EMB [N].

또한, 상기 패널(140)은 열방향으로 배열되어 있는 다수의 주사 신호선(S[1],,S[N]) ,발광 제어 신호선(EM[1]..,EM[N]) 및 발광 역 제어 신호선(EMB[1],..EMB[N])과 행방향으로 배열되는 다수의 데이터 신호선(D[1],...D[M])과, 상기 주사 신호선(S[1],,S[N]), 발광 제어 신호선(EM[1]..,EM[N]),발광 역 제어 신호선(EMB[1],..EMB[N])과 데이터 신호선(D[1],...D[M])에 의해 정의되는 화소 회로(142,Pixel)를 포함할 수 있다.In addition, the panel 140 includes a plurality of scan signal lines S [1], S [N], emission control signal lines EM [1] .. EM [N], and light emission regions arranged in a column direction. Control signal lines EMB [1], ... EMB [N] and a plurality of data signal lines D [1], ... D [M] arranged in a row direction, and the scanning signal lines S [1], , S [N]), emission control signal lines EM [1] .. EM [N], emission emission control signal lines EMB [1], .EMB [N] and data signal lines D [1], Pixel circuit 142 defined by D [M]).

여기서, 상기 화소 회로(142,Pixel)는 주사 신호선과 데이터 신호선에 의해 정의되는 화소 영역에 형성될 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이 상기 주사 신호선(S[1],,S[N])에는 상기 주사 신호 구동부(110)로부터 주사 신호가 공급될 수 있고, 상기 데이터 신호선(D[1],...D[M])에는 상기 데이터 구동부(120)로부터 데이터 신호가 공급될 수 있으며, 상기 발광 제어 신호선(EM[1]..,EM[N]), 발광 제어 역 신호선(EMB[1],..EMB[N])에는 상기 발광 제어 신호 구동부(130)로부터 발광 제어 신호, 발광 역 제어 신호가 공급될 수 있다.The pixel circuit 142 (Pixel) may be formed in the pixel area defined by the scan signal line and the data signal line. Of course, as described above, the scan signal may be supplied from the scan signal driver 110 to the scan signal lines S [1], S [N], and the data signal lines D [1], ... D [M]) may be supplied with a data signal from the data driver 120, and the emission control signal lines EM [1] .. EM [N] and the emission control signal lines EMB [1],. EMB [N]) may be supplied with the emission control signal and the emission emission control signal from the emission control signal driver 130.

또한, 상기 제1전원전압 공급부(150),제2전원전압 공급부(160),및 초기화 전원전압 공급부(170)는 패널(140)에 구비된 각 화소 회로(142)에 제1전원전압, 제2전원전압, 및 초기화 전원 전압을 공급하는 역할을 한다.In addition, the first power supply voltage supply unit 150, the second power supply voltage supply unit 160, and the initialization power supply voltage supply unit 170 are provided with a first power supply voltage and a first power supply to each pixel circuit 142 of the panel 140. 2 serves to supply the power supply voltage and the initialization power supply voltage.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이 이러한 주사 신호 구동부(110), 데이터 신호 구동부(120), 발광 제어 신호 구동부(130), 패널(140), 제1전원전압 공급부(150) 및 제2전원전압 공급부(160), 초기화 전원 전압 공급부(170)는 하나의 기판(102)에 모두 형성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, the scan signal driver 110, the data signal driver 120, the emission control signal driver 130, the panel 140, the first power voltage supply unit 150, and the second power voltage. The supply unit 160 and the initialization power voltage supply unit 170 may be formed on one substrate 102.

특히, 상기 구동부들 및 전원 공급부들(110,120,130,150,160,170)은 주사 신호선(S[1],,S[N]), 데이터신호선(D[1],...D[M]), 발광제어 신호선(EM[1]..,EM[N]),발광 역 제어 신호선(EMB[1],..EMB[N]) 및 화소 회로(142)의 트랜지스터(도시되지 않음)를 형성하는 층과 동일한 층에 형성될 수도 있다. 물론, 상기 구동부들 및 전원 공급부들(110,120,130,150,160,170)은 상기 기판(102)과 별도로 다른 기판(도시되지 않은)에 형성하고, 이를 상기 기판(102)과 연결할 수도 있다. 더불어, 상기 구동부들 및 전원 공급부들(110,120,130,150,160,170)은 상기 기판(102)에 연결하는 TCP(Tape Carrier Package), FPC(Flexible Printed Circuit), TAB(Tape Automatic Bonding), COG(Chip On Glass) 및 그 등가물중 선택된 어느 하나의 형태로 형성할 수 있으며, 본 발명에서 상기 구동부들 및 전원 공급부들(110,120,130,150,160,170)의 형태 및 형성 위치를 한정하는 것은 아니다.In particular, the driving units and the power supply units 110, 120, 130, 150, 160 and 170 may include scan signal lines S [1], S [N], data signal lines D [1], D [M], and emission control signal lines EM. [1] .., EM [N]), the emission reverse control signal lines EMB [1], ..EMB [N] and the same layer as the layer forming the transistor (not shown) of the pixel circuit 142 It may be formed. Of course, the driving units and the power supply units 110, 120, 130, 150, 160, and 170 may be formed on another substrate (not shown) separately from the substrate 102, and may be connected to the substrate 102. In addition, the driving units and the power supply units 110, 120, 130, 150, 160, and 170 may include a tape carrier package (TCP), a flexible printed circuit (FPC), a tape automatic bonding (TAB), a chip on glass (COG), and the like, which are connected to the substrate 102. It may be formed in any one form of the equivalents, and in the present invention is not limited to the shape and position of the driving unit and the power supply (110, 120, 130, 150, 160, 170).

도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로가 도시 되어있다. 이하에서 설명하는 화소 회로는 모두 도 4에 개시된 유기 전계 발광 표시 장치(100)중 하나의 화소 회로(Pixel)를 의미한다.Referring to FIG. 5, a pixel circuit of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is illustrated. The pixel circuits described below all refer to one pixel circuit Pixel of the organic light emitting display device 100 illustrated in FIG. 4.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 화소As shown in FIG. 5, a pixel of the organic light emitting display device according to the present invention.

회로는 주사 신호선(S[N]), 이전 주사 신호선(S[N-1]), 데이터 신호선(D[M]), 발광 제어 신호선(EM[N]), 발광 역 제어 신호선[EMB[N]), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS), 초기화 전원 전압선(Vinit), 제1스위칭 소자(SW_TR1), 제2스위칭 소자(SW_TR2), 제3스위칭 소자(SW_TR3), 제4스위칭 소자(SW_TR4), 구동 트랜지스 터(DR_TR), 초기화 스위칭 소자(SW_TR5), 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6),The circuit includes scan signal lines S [N], previous scan signal lines S [N-1], data signal lines D [M], emission control signal lines EM [N], emission emission control signal lines [EMB [N]. ], The first power supply voltage line VDD, the second power supply voltage line VSS, the initialization power supply voltage line Vinit, the first switching element SW_TR1, the second switching element SW_TR2, the third switching element SW_TR3, The fourth switching element SW_TR4, the driving transistor DR_TR, the initialization switching element SW_TR5, the reverse bias applying switching element SW_TR6,

용량성 소자(C)를 포함할 수 있다.Capacitive element (C) may be included.

상기 주사 신호선(S[N])은 켜고자 하는 유기 전계 발광 소자(OLED)를 선택하는 주사 신호를 상기 제1스위칭 소자(SW_TR1)의 제어 전극에 공급하는 역할을 한다The scan signal line S [N] serves to supply a scan signal for selecting the organic light emitting diode OLED to be turned on to the control electrode of the first switching element SW_TR1.

또한, 주사 신호선(S[N])은 주사 신호를 상기 제4스위칭 소자(SW_TR4)의 제어 전극에 공급하여 상기 제4스위칭 소자(SW_TR4)가 턴온되면, 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 게이트와 드레인을 연결하여, 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)가 다이오드 연결이 되도록 하는 역할을 한다. 물론, 이러한 주사 신호선(S[N])은 주사 신호를 생성하는 주사 신호 구동부(110, 도 4 참조)에 연결될 수 있다.The scan signal line S [N] supplies a scan signal to the control electrode of the fourth switching element SW_TR4 and turns on the gate and drain of the driving transistor DR_TR when the fourth switching element SW_TR4 is turned on. Is connected to the driving transistor DR_TR to make a diode connection. Of course, the scan signal line S [N] may be connected to the scan signal driver 110 (see FIG. 4) that generates the scan signal.

상기 이전 주사 신호선(S[N-1])은 이전 주사 신호를 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)의 제어 전극에 공급하는 역할을 한다. 상기 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)는 상기 초기화 전원 전압선(Vinit)과 상기 용량성 소자(C) 및 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어 전극과 연결되도록 함으로써 상기 용량성 소자(C) 및 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어 전극을 초기화(Initialization)되도록 한다. 물론, 이러한 이전 주사 신호선(S[N-1])은 주사 신호를 생성하는 주사 신호 구동부(110, 도 4 참조)에 연결될 수 있다.The previous scan signal line S [N-1] serves to supply the previous scan signal to the control electrode of the initialization switching element SW_TR5. The initialization switching element SW_TR5 is connected to the initialization power supply voltage line Vinit, the capacitive element C, and the control electrode of the driving transistor DR_TR to thereby connect the capacitive element C and the driving transistor DR_TR. Initialize the control electrode of (Initialization). Of course, the previous scan signal line S [N-1] may be connected to the scan signal driver 110 (refer to FIG. 4) that generates the scan signal.

상기 데이터 신호선(D[M])은 발광 휘도에 비례하는 데이터 신호(전압)를 상기 용량성 소자(C)의 제1전극(A) 및 구동 트랜지스터(DR_TR)에 공급하는 역할을 한다. 물론 이러한 데이터 신호선(D[M])은 데이터 신호를 생성하는 데이터 신호 구동부(120, 도 4 참조)에 연결될 수 있다.The data signal line D [M] serves to supply a data signal (voltage) proportional to light emission luminance to the first electrode A and the driving transistor DR_TR of the capacitive element C. Of course, the data signal line D [M] may be connected to the data signal driver 120 (see FIG. 4) that generates the data signal.

상기 발광 제어 신호선(EM[N])은 제2스위칭 소자(SW_TR2) 및 제3스위칭 소자(SW_TR3)의 제어 전극에 연결되어 발광 제어 신호를 공급하는 역할을 한다. 상기 발광 제어 신호에 의해 상기 제2스위칭 소자(SW_TR2) 및 상기 제3스위칭 소자(SW_TR3)가 턴온되면 상기 용량성 소자(C)에 저장된 상기 데이터 신호에 대응하는 상기 제1전원전압선(VDD)으로부터의 전류가 상기 구동 트랜지스터(DR_TR) 를 통하여 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)로 인가될 수 있다. 이에 따라 상기 유기 전계 발광 소자는 발광할 수 있다. 물론, 이러한 발광 제어 신호선(E[N])은 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 구동부(130, 도4참조)에 연결될 수있다.The emission control signal line EM [N] is connected to the control electrodes of the second switching element SW_TR2 and the third switching element SW_TR3 to supply the emission control signal. When the second switching element SW_TR2 and the third switching element SW_TR3 are turned on by the emission control signal, the first power voltage line VDD corresponding to the data signal stored in the capacitive element C is turned on. A current of may be applied to the organic light emitting diode OLED through the driving transistor DR_TR. Accordingly, the organic EL device may emit light. Of course, the emission control signal line E [N] may be connected to the emission control signal driver 130 (see FIG. 4) that generates the emission control signal.

상기 발광 역 제어 신호선(EMB[N])은 상기 발광 제어 신호가 하이 레벨의 신호 일때 로우 레벨의 신호를 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)의 제어 전극에 공급하는 역할을 한다. 이러한 발광 역 제어 신호에 의해 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)가 턴온 되면 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압이 인가될 수 있다. 물론, 이러한 발광 역 제어 신호선(EMB[N])은 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 구동부(130, 도 4 참조)에 연결될 수 있다. (실질적으로 이러한 발광 역 제어 신호는 발광 제어 신호를 출력하는 발광 제어 신호 구동부의 출력단의 이전단에 인버터를 연결하여 쉽게 얻을 수 있음)The emission reverse control signal line EMB [N] serves to supply a low level signal to the control electrode of the reverse bias application switching element SW_TR6 when the emission control signal is a high level signal. When the reverse bias application switching device SW_TR6 is turned on by the emission reverse control signal, a reverse bias voltage may be applied to the organic light emitting diode OLED. Of course, the emission control signal line EMB [N] may be connected to the emission control signal driver 130 (see FIG. 4) that generates the emission control signal. (In practice, such a light emission reverse control signal can be easily obtained by connecting an inverter to the previous stage of the output terminal of the light emission control signal driver for outputting the light emission control signal.)

상기 제1전원전압선(VDD)은 제1전원전압이 유기 전계 발광 소자(OLED)에 공급되도록 한다. 물론, 이러한 제1전원전압선(VDD)은 제1전원전압을 공급하는 제1전원전압 공급부(150, 도 4 참조)에 연결될 수 있다.The first power supply voltage line VDD allows the first power supply voltage to be supplied to the organic light emitting diode OLED. Of course, the first power supply voltage line VDD may be connected to the first power supply voltage supply unit 150 (see FIG. 4) that supplies the first power supply voltage.

상기 제2전원전압선(VSS)은 제2전원전압이 유기 전계 발광 소자(OLED)에 공급되도록 한다. 물론, 이러한 제2전원전압선(VSS)은 제2전원전압을 공급하는 제2전원전압 공급부(160, 도 4 참조)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 제1전원전압은 통상적으로 상기 제2전원전압에 비해 하이 레벨(High Level)일 수 있다.The second power supply voltage line VSS allows the second power supply voltage to be supplied to the organic light emitting diode OLED. Of course, the second power supply voltage line VSS may be connected to the second power supply voltage supply unit 160 (see FIG. 4) that supplies the second power supply voltage. In this case, the first power supply voltage may be generally higher than the second power supply voltage.

또한, 제2전원전압은 접지(Ground) 전압을 이용할 수 있다.In addition, the second power supply voltage may use a ground voltage.

상기 초기화 전원 전압선(Vinit)은 상기 용량성 소자(C) 및 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어 전극을 초기화 시키는 역할을 한다. 물론 초기화 전원 전압선(Vinit)은 초기화 전원 전압을 공급하는 초기화 전원 전압 공급부(170, 도4참조)에 연결될 수 있다. The initialization power supply voltage line Vinit serves to initialize the control electrodes of the capacitive element C and the driving transistor DR_TR. Of course, the initialization power supply voltage line Vinit may be connected to an initialization power supply voltage supply unit 170 (see FIG. 4) that supplies an initialization power supply voltage.

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상기 제1스위칭 소자(SW_TR1)는 제1전극(소스 전극 또는 드레인 전극)이 상기 데이터 신호선(D[M])에 연결되고, 제2전극(드레인 전극 또는 소스 전극) 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제1전극(소스 전극 또는 드레인 전극)에 연결되며, 제어 전극(게이트 전극)이 상기 주사 신호선(S[N])에 연결될 수 있다. 이러한 제1스위칭 소자(SW_TR1)는 P형 채널 트랜지스터일 수 있으며, 상기 주사 신호선(S[N])을 통하여 제어 전극에 로우 레벨의 주사 신호가 인가되면 턴온되어, 상기 데이터 전압에서 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth)을 뺀 값을 상기 용량성 소자(C)의 제1전극에 공급한다. The first switching element SW_TR1 has a first electrode (source electrode or drain electrode) connected to the data signal line D [M], and a second electrode (drain electrode or source electrode) of the driving transistor DR_TR. It may be connected to a first electrode (source electrode or drain electrode), and a control electrode (gate electrode) may be connected to the scan signal line S [N]. The first switching element SW_TR1 may be a P-type channel transistor. When the low level scan signal is applied to a control electrode through the scan signal line S [N], the first switching element SW_TR1 is turned on to turn on the driving voltage at the data voltage. The value obtained by subtracting the threshold voltage Vth is supplied to the first electrode of the capacitive element C.

상기 구동 트랜지스터(DR_TR)는 제1전극이 상기 제1스위칭 소자(SW_TR1)의 제2전극과 연결되고, 제2전극이 제3스위칭 소자(SW_TR3)의 제1전극과 연결되며, 제어전극이 제4스위칭 소자(SW_TR4)의 제2전극 및 상기 용량성 소자(C)의 제1전극(A)과 연결될 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(DR_TR)는 P형 채널 트랜지스터일 수 있다. 동작으로는, 제어전극을 통하여 로우 레벨의 신호가 인가되면 턴온되어, 상기 제1전원전압선(VDD)으로부터 일정량의 전류를 유기 전계 발광 소자(OLED) 쪽으로 공급하는 역할을 한다. 물론, 데이터 신호는 상기 용량성 소자(C)의 제1전극에 공급되어 그것을 충전시키므로, 상기 제1스위칭소자(SW_TR1)가 턴오프 된다고 하여도 일정 기간동안 상기 용량성 소자(C)의 충전 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어 전극에 로우 레벨의 신호가 계속 인가된다.In the driving transistor DR_TR, a first electrode is connected to a second electrode of the first switching element SW_TR1, a second electrode is connected to a first electrode of the third switching element SW_TR3, and a control electrode is formed of a first electrode. The second electrode of the four switching element SW_TR4 and the first electrode A of the capacitive element C may be connected. The driving transistor DR_TR may be a P-type channel transistor. In operation, when a low level signal is applied through the control electrode, the signal is turned on to supply a predetermined amount of current from the first power voltage line VDD to the organic light emitting diode OLED. Of course, since the data signal is supplied to the first electrode of the capacitive element C to charge it, the charging voltage of the capacitive element C for a certain period even if the first switching element SW_TR1 is turned off. As a result, a low level signal is continuously applied to the control electrode of the driving transistor DR_TR.

여기서 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터, 폴리 실리콘 박막 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 나노 박막 트랜지스터 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있으나 여기서 그 재질 또는 종류를 한정하는 것은 아니다.The driving transistor DR_TR may be any one selected from an amorphous silicon thin film transistor, a polysilicon thin film transistor, an organic thin film transistor, a nano thin film transistor, and an equivalent thereof, but is not limited thereto.

또한, 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)가 폴리 실리콘 박막 트랜지스터인 경우,In addition, when the driving transistor DR_TR is a polysilicon thin film transistor,

이는 레이저 결정화 방법, 금속 유도 결정화 방법, 고압 결정화 방법 및 그 등가 방법중 선택된 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 상기 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법을 한정하는 것은 아니다.It may be formed by any one method selected from a laser crystallization method, a metal induced crystallization method, a high pressure crystallization method and an equivalent method thereof, but is not limited to the method of manufacturing the polysilicon thin film transistor in the present invention.

참고로, 상기 레이저 결정화 방법은 비정질 실리콘에 예를 들면 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 방법이고, 상기 금속 유도 결정화 방법은 비정질 실리콘 위에 예를 들면 금속을 위치시킨 채 소정의 온도를 가하여 상기 금속으로부터 결정 화가 시작되도록 하는 방법이며, 상기 고압 결정화 방법은 비정질 실리콘에 예를 들면 소정 압력을 가하여 결정화하는 방법이다.For reference, the laser crystallization method is a method for crystallizing amorphous silicon, for example by irradiating an excimer laser, the metal-induced crystallization method is crystallized from the metal by applying a predetermined temperature with a metal, for example, placed on the amorphous silicon It is a method for starting to be annealed, and the high-pressure crystallization method is a method of crystallizing amorphous silicon by applying a predetermined pressure, for example.

더불어, 상기 금속 유도 결정화 방법에 의해 구동 트랜지스터(DR_TR)가 제조되었을 경우, 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)에는 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 코발트(Co)In addition, when the driving transistor DR_TR is manufactured by the metal induction crystallization method, the driving transistor DR_TR includes nickel (Ni), cadmium (Cd), and cobalt (Co).

, 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 알루미늄(Al) 및 그 등가물중 선택된 어느 하나가 더 포함될 수 있다.Titanium (Ti), palladium (Pd), tungsten (W), aluminum (Al) and any one selected from the equivalents may be further included.

상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 애노드가 역바이어스 인가용 스위칭 소자The organic electroluminescent device (OLED) is a switching device for applying a reverse bias of the anode

(SW_TR6)의 제1전극 및 제3스위칭 소자(SW_TR3)의 제2전극 사이에 연결되고,캐소드가 제2전원전압선(VSS)에 연결될 수 있다. 이러한 유기 전계 발광 소자(OLED)는 상기 제3스위칭 소자(SW_TR3)가 턴온 되어 있는 동안, 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)를 통하여 제어되는 전류에 의해 소정 밝기로 발광하는 역할을 한다,The first electrode of SW_TR6 and the second electrode of the third switching device SW_TR3 may be connected, and the cathode may be connected to the second power voltage line VSS. The organic light emitting diode OLED emits light at a predetermined brightness by a current controlled through the driving transistor DR_TR while the third switching device SW_TR3 is turned on.

여기서, 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 발광층(도시되지 않음)을 구비하고 있으며, 상기 발광층은 형광 재료, 인광 재료, 그 혼합물 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있다. 그러나, 여기서 상기 발광층의 재질 또는 종류를 한정하는 것은 아니다.The organic light emitting diode OLED may include a light emitting layer (not shown), and the light emitting layer may be any one selected from a fluorescent material, a phosphorescent material, a mixture thereof, and an equivalent thereof. However, the material or type of the light emitting layer is not limited thereto.

또한, 상기 발광층은 적색 발광 재료, 녹색 발광 재료, 청색 발광 재료, 그 혼합물질 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있으나, 여기서 그 재질 또는 종류를 한정하는 것은 아니다.In addition, the light emitting layer may be any one selected from a red light emitting material, a green light emitting material, a blue light emitting material, a mixture thereof, and an equivalent thereof, but is not limited thereto.

상기 제2스위칭 소자(SW_TR2)는 제1전극이 상기 제1전원전압선(VDD)과 상기 용량성 소자(C)의 제2전극 사이에 연결되고, 제2전극이 상기 제1스위칭 소자(SW_TR1)의 제2전극 및 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제1전극 사이에 연결되며, 제어전극이 상기 발광 제어 신호선(EM[N])에 연결될 수 있다.In the second switching device SW_TR2, a first electrode is connected between the first power voltage line VDD and the second electrode of the capacitive device C, and the second electrode is connected to the first switching device SW_TR1. The second electrode and the first electrode of the driving transistor DR_TR may be connected, and a control electrode may be connected to the emission control signal line EM [N].

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이러한 제2스위칭 소자(SW_TR2)는 P형 채널 트랜지스터일 수 있으며, 상기 발광 제어 신호선(EM[N])을 통하여 제어 전극에 로우 레벨의 신호가 인가되면 턴온되어 상기 제1전원전압선(VDD)로부터의 전류를 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)로 흐르게 한다.The second switching element SW_TR2 may be a P-type channel transistor. When the low level signal is applied to the control electrode through the emission control signal line EM [N], the second switching element SW_TR2 is turned on from the first power voltage line VDD. Current flows to the organic electroluminescent device (OLED).

상기 용량성 소자(C)는 제1전극(A)이 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어전극,제4스위칭 소자(SW_TR4)의 제2전극 및 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)의 제2전극 사이에 연결되어 있고, 제2전극이 상기 제2스위칭 소자(SW_TR2)의 제1전극 및 상기 제1전원전압선(VDD)과 연결될 수 있다.In the capacitive element C, a first electrode A is connected between the control electrode of the driving transistor DR_TR, the second electrode of the fourth switching element SW_TR4 and the second electrode of the initialization switching element SW_TR5. The second electrode may be connected to the first electrode of the second switching element SW_TR2 and the first power voltage line VDD.

이러한 용량성 소자(C)는 제1전극에 데이터 신호 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 일정기간 유지하고, 상기 발광 제어 신호선(EM[N])에 의해 제2스위칭 소자(SW_TR2) 및 제3스위칭 소자(SW_TR3)의 제어 전극에 로우 레벨의 신호가 인가되어 턴온되면 데이터 신호의 크기에 비례하는 전류를 상기 제1전원전압선 (VDD)로부터 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)로 흐르게 하여 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)가 발광하게 한다.The capacitive element C maintains the data signal voltage and the threshold voltage Vth of the driving transistor on the first electrode for a predetermined period of time, and the second switching element SW_TR2 and the light emitting control signal line EM [N] are held by the light emitting control signal line EM [N]. When a low level signal is applied to the control electrode of the third switching device SW_TR3 and turned on, a current proportional to the magnitude of the data signal flows from the first power supply voltage line VDD to the organic light emitting device OLED. The organic electroluminescent element OLED is allowed to emit light.

상기 제4스위칭 소자(SW_TR4)는 제1전극이 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제2전극에 연결되고, 제2전극이 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어전극 및 상기 용량성 소자(C)의 제1전극에 연결되며, 제어전극이 상기 주사 신호선(S[N])에 연결될 수 있다. 이러한 제4스위칭 소자(SW_TR4)는 P형 채널 트랜지스터일 수 있으며, 상기 주사 신호선(S[N])으로부터 로우 레벨의 주사 신호가 인가되면 턴온되어, 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어전극 (게이트 전극)과 제2전극(드레인 전극)을 연결되게 하여, 결과적으로 다이오드 연결을 가능하게 하는 역할을 한다.In the fourth switching device SW_TR4, a first electrode is connected to the second electrode of the driving transistor DR_TR, and the second electrode is formed of the control electrode of the driving transistor DR_TR and the capacitive element C. The electrode may be connected to one electrode, and a control electrode may be connected to the scan signal line S [N]. The fourth switching device SW_TR4 may be a P-type channel transistor, and is turned on when a low level scan signal is applied from the scan signal line S [N], thereby turning on the control electrode (gate electrode) of the driving transistor DR_TR. ) And the second electrode (drain electrode) are connected, resulting in a diode connection.

상기 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)는 제1전극이 상기 초기화 전원 전압선(Vinit) 및 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)의 제2전극에 연결되고, 제2전극이 상기 용량성 소자(C)의 제1전극(A)에 연결되며, 제어전극이 상기 이전 주사 신호선(S[N-1])에 연결될 수 있다. 이러한 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)는 P형 채널 트랜지스터일 수 있으며, 상기 이전 주사 신호선(S[N-1])으로 부터 로우 레벨의 신호가 인가되면 턴온 되어, 상기 초기화 전압 전원선(Vinit)과 상기 용량성 소자(C)의 제1전극 및 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어 전극을 연결시키게 된다. 이에 따라, 상기 용량성 소자(C)와 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어전극은 초기화 되게 된다.In the initialization switching device SW_TR5, a first electrode is connected to the second electrode of the initialization power supply voltage line Vinit and the reverse bias application switching device SW_TR6, and the second electrode is formed of the capacitive device C. It may be connected to one electrode A, and a control electrode may be connected to the previous scan signal line S [N-1]. The initialization switching device SW_TR5 may be a P-type channel transistor, and is turned on when a low level signal is applied from the previous scan signal line S [N-1], and the initialization voltage power line Vinit and the The first electrode of the capacitive element C and the control electrode of the driving transistor DR_TR are connected. Accordingly, the control electrodes of the capacitive element C and the driving transistor DR_TR are initialized.

상기 제3스위칭 소자(SW_TR3)는 제1전극이 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제2전극과 연결되고, 제2전극이 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드와 연결되며, 제어전극이 상기 발광 제어 신호선(EM[N])과 연결될 수 있다. 이러한 제3스위칭 소자(SW_TR3)는 P형 채널 트랜지스터일 수 있으며, 상기 발광 제어 신호선(EM[N])으로부터 로우 레벨의 신호가 인가되면 턴온되어 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)으로부터 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)로 전류가 흐를수 있도록 연결시켜주는 역할을 한다.In the third switching device SW_TR3, a first electrode is connected with a second electrode of the driving transistor DR_TR, a second electrode is connected with an anode of the organic light emitting diode OLED, and a control electrode is light-emitting. It may be connected to the control signal line EM [N]. The third switching element SW_TR3 may be a P-type channel transistor, and when a low level signal is applied from the emission control signal line EM [N], the third switching element SW_TR3 is turned on to turn on the organic electroluminescent element from the driving transistor DR_TR. OLED) to connect the current to flow.

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상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)는 제1전극이 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드에 연결되고, 제2전극이 상기 초기화 전원 전압선(Vinit)에 연결되며, 제어전극이 상기 발광 역제어 신호선(EMB[N])에 연결될 수 있다. 이러한 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)는 P형 채널 트랜지스터일 수 있으며, 상기 발광 역 제어 신호선(EMB[N])으로부터 로우 레벨의 신호가 인가되면 턴온되어 상기 제2전원 전압선(VSS)에서 상기 초기화 전원 전압선(Vinit) 방향으로 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압을 인가될 수 있도록 한다. 이러한 역바이어스 전압의 인가를 위해서는 상기 제2전원 전압선(VSS)의 전압이 상기 초기화 전원 전압선(Vinit)의 전압보다 높은 것이 바람직하다. 상기 제2전원 전압선(VSS)의 전압, 즉 유기 전계 발광 소자(OLED)의 캐소드 전압으로 접지(Ground) 전압을 이용할 경우 상기 초기화 전원 전압선(Vinit)의 전압은 바람직하게는 음의 값을 가질 수 있다.In the reverse bias applying switching element SW_TR6, a first electrode is connected to an anode of the organic light emitting diode OLED, a second electrode is connected to the initialization power voltage line Vinit, and a control electrode is connected to the light emitting reverse direction. It may be connected to the control signal line EMB [N]. The reverse bias application switching element SW_TR6 may be a P-type channel transistor, and when the low level signal is applied from the emission reverse control signal line EMB [N], the reverse bias application switching element SW_TR6 is turned on in the second power voltage line VSS. The reverse bias voltage may be applied to the organic light emitting diode OLED in the direction of the initialization power supply voltage line Vinit. In order to apply the reverse bias voltage, it is preferable that the voltage of the second power supply voltage line VSS is higher than the voltage of the initialization power supply voltage line Vinit. When the ground voltage is used as the voltage of the second power voltage line VSS, that is, the cathode voltage of the organic light emitting diode OLED, the voltage of the initialization power voltage line Vinit may preferably have a negative value. have.

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여기서, 상기 제1스위칭 소자(SW_TR1), 구동 트랜지스터(DR_TR), 제2스위칭 소자(SW_TR2), 제3스위칭 소자(SW_TR3), 제4스위칭 소자(SW_TR4), 초기화 스위칭 소자(SW_TR5), 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)는 모두 P형 채널 트랜지스터 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있으나 여기서 그 트랜지스터의 종류를 한정하는 것은 아니다.The first switching element SW_TR1, the driving transistor DR_TR, the second switching element SW_TR2, the third switching element SW_TR3, the fourth switching element SW_TR4, the initialization switching element SW_TR5, and reverse biasing The switching element SW_TR6 may be any one selected from a P-type channel transistor and an equivalent thereof, but the type of the transistor is not limited thereto.

도 6을 참조하면, 도 5에 도시된 화소 회로의 구동 타이밍도가 도시 되어 있다. 도 6에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로는 한 프레임이 제1기간, 제2기간 및 제3기간으로 구분될 수 있다. 좀더 구체적으로, 한 프레임은 초기화 기간(T1), 데이터전압 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압 저장기간(T2), 발광기간(T3)으로 이루어 질 수 있다. 초기화 기간(T1) 및 데이터전압 및 구동 트랜지스터의 문턱전압 저장기간(T2) 동안에는 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압이 인가되게 된다. 상기 초기화 기간(T1) 및 데이터전압 및 구동 트랜지스터의 문턱전압 저장기간(T2)과 발광 기간(T3)의 비율은 다양하게 이루어 질 수 있으며, 바람직하게는, 발광기간(T3)에 비해 상기 초기화 기간(T1) 및 데이터전압 및 구동 트랜지스터의 문턱전압 저장기간(T2)의 기간이 짧은 것이 좋다.Referring to FIG. 6, a driving timing diagram of the pixel circuit shown in FIG. 5 is illustrated. As illustrated in FIG. 6, one frame may be divided into a first period, a second period, and a third period in the pixel circuit of the organic light emitting display according to the present invention. More specifically, one frame may include an initialization period T1, a data voltage and a threshold voltage storage period T2 of the driving transistor, and a light emission period T3. The reverse bias voltage is applied to the organic light emitting diode OLED during the initialization period T1, the data voltage and the threshold voltage storage period T2 of the driving transistor. The initialization period T1 and the ratio of the data voltage and the threshold voltage storage period T2 of the driving transistor to the light emission period T3 may be variously formed. Preferably, the initialization period is compared with the light emission period T3. It is preferable that the period of T1 and the threshold voltage storage period T2 of the data voltage and the driving transistor is short.

도 7을 참조하면, 도 5에 도시된 화소 회로에서 초기화 기간(T1)중 전류 흐름이 도시되어 있다. 여기서, 상기 화소 회로의 동작은 도 6의 타이밍도를 참조하여 설명한다. Referring to FIG. 7, a current flow is shown during the initialization period T1 in the pixel circuit shown in FIG. 5. Here, the operation of the pixel circuit will be described with reference to the timing diagram of FIG. 6.

먼저, 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)의 제어 전극에 이전 주사 신호선(S[N-1])으로부터 로우 레벨의 주사 신호가 인가됨으로써 상기 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)가 턴온 되고, 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)의 제어 전극에 발광 역 제어 신호선(EMB[N])의 로우 레벨의 신호가 인가됨으로써 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)가 턴온된다. First, the low level scan signal is applied from the previous scan signal line S [N-1] to the control electrode of the initialization switching element SW_TR5, so that the initialization switching element SW_TR5 is turned on, and the reverse bias application switching element ( The low bias signal of the light emission reverse control signal line EMB [N] is applied to the control electrode of SW_TR6, so that the reverse bias application switching element SW_TR6 is turned on.

상기 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)가 턴온됨에따라 초기화 전원전압선(Vinit)의 초기화 전원 전압이 용량성 소자(C)의 제1전극과 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어전극이 연결된 노드(A)에 인가됨으로써 상기 용량성 소자(C)의 저장 전압 및 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어전극을 초기화시키게 된다. As the initialization switching device SW_TR5 is turned on, the initialization power supply voltage of the initialization power supply voltage line Vinit is applied to the node A to which the first electrode of the capacitive element C and the control electrode of the driving transistor DR_TR are connected. The storage voltage of the capacitive element C and the control electrode of the driving transistor DR_TR are initialized.

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이때, 제3스위칭 소자(SW_TR3)의 제어 전극에 발광 제어 신호선(EM[N])의 At this time, the emission control signal line EM [N] is connected to the control electrode of the third switching element SW_TR3.

하이 레벨의 신호가 인가됨에따라, 상기 제3스위칭 소자(SW_TR3)는 턴오프되게 되므로 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 발광 하지 않게 된다.As the high level signal is applied, the third switching device SW_TR3 is turned off, so that the organic light emitting diode OLED does not emit light.

이러한 비발광기간을 이용하여 제2전원전압선(VSS)의 전압을 상기 초기화 전원 전압선(Vinit)의 전압보다 높게 하면 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압이 인가되게 되어 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 열화 현상을 방지 할 수 있다. 아울러, 제2전원전압선(VSS)의 전압은 접지(Ground) 전압을 이용할 수 있으며, 이 경우 초기화 전원 전압선(Vinit)의 전압은 음의 전압이 인가되어야 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압을 인가할 수 있다.When the voltage of the second power supply voltage line VSS is higher than the voltage of the initialization power supply voltage line Vinit by using the non-emission period, a reverse bias voltage is applied to the organic light emitting diode OLED. It can prevent the degradation of OLED. In addition, the voltage of the second power supply voltage line VSS may use a ground voltage. In this case, a voltage of the initialization power supply voltage line Vinit may be reverse biased to the organic light emitting diode OLED when a negative voltage is applied. Voltage can be applied.

이 기간 동안에 제1스위칭 소자(SW_TR1), 제4스위칭 소자(SW_TR4), 제2스위칭 소자(SW_TR2), 제3스위칭 소자(SW_TR3)는 각각의 제어 전극에 하이 레벨의 신호가 인가됨에 따라 턴오프 되게 된다.During this period, the first switching element SW_TR1, the fourth switching element SW_TR4, the second switching element SW_TR2, and the third switching element SW_TR3 are turned off as a high level signal is applied to each control electrode. Will be.

다시 말하자면, 초기화 기간(T1)은 상기 용량성 소자(C) 및 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어전극을 초기화 시키는 동시에 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 비 발광기간을 이용해 역바이어스 전압을 인가시키게 된다.In other words, the initialization period T1 initializes the control electrodes of the capacitive element C and the driving transistor DR_TR and applies a reverse bias voltage using the non-emission period of the organic electroluminescent element OLED. do.

도 8을 참조하면, 도 5에 도시된 화소 회로에서 데이터전압 및 구동 트랜지스터의 문턱전압 저장 기간(T2)중 전류 흐름이 도시되어 있다. 여기서, 상기 화소 회로의 동작은 도 6의 타이밍도를 참조하여 설명한다. Referring to FIG. 8, the current flow during the data voltage and the threshold voltage storage period T2 of the driving transistor in the pixel circuit shown in FIG. 5 is illustrated. Here, the operation of the pixel circuit will be described with reference to the timing diagram of FIG. 6.

먼저 제1스위칭 소자(SW_TR1)의 제어 전극에 주사 신호선(S[N])이 연결되고, 상기 주사 신호선(S[N])으로부터 로우 레벨의 주사 신호가 인가되면 상기 제1스위칭 소자(SW_TR1)는 턴온 되며 데이터 신호선(D[M])으로부터 데이터 신호를 인가되게 된다.First, when the scan signal line S [N] is connected to the control electrode of the first switching element SW_TR1, and a low level scan signal is applied from the scan signal line S [N], the first switching element SW_TR1 is applied. Is turned on to apply a data signal from the data signal line D [M].

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또한, 제4스위칭 소자(SW_TR4)의 제어 전극에도 상기 주사 신호선(S[N])의 로우 레벨의 주사 신호가 인가되게 되고, 상기 제4스위칭 소자(SW_TR4)는 턴온 되게 된다. 상기 제4스위칭 소자(SW_TR4)는 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 제어 전극(게이트 전극)과 제2전극(드레인 전극) 사이에 연결되어 다이오드 연결을 구성한다.In addition, a low level scan signal of the scan signal line S [N] is applied to the control electrode of the fourth switching element SW_TR4, and the fourth switching element SW_TR4 is turned on. The fourth switching device SW_TR4 is connected between the control electrode (gate electrode) and the second electrode (drain electrode) of the driving transistor DR_TR to form a diode connection.

다이오드 연결을 포함하는 본 발명은 구동 트랜지스터의 문턱전압이 보상하는 기능도 가지는바, 이하에서는 이러한 구동 트랜지스터의 문턱전압이 보상되는 원리에 대하여 하기의 수학식1을 참조하여 설명한다.The present invention including a diode connection also has a function of compensating the threshold voltage of the driving transistor. Hereinafter, the principle of compensating the threshold voltage of the driving transistor will be described with reference to Equation 1 below.

상기 다이오드 연결하에서 상기 용량성 소자의 제2전극에는 제1전원전압(VDD)이 인가되고, 제1전극(A)에는 데이터 전압(VDATA)과 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth)의 차이 만큼의 전압(VDATA - |Vth|)이 인가된다.Under the diode connection, a first power supply voltage VDD is applied to the second electrode of the capacitive element, and a difference between the data voltage V DATA and the threshold voltage Vth of the driving transistor is applied to the first electrode A. FIG. Voltage (V DATA- | Vth |) is applied.

도 9를 참조하면, 도 5에 도시된 화소 회로에서 발광기간(T3)의 전류흐름이 도시되어 있으며, 도 6의 구동 타이밍도를 참조하여 설명하도록 한다.Referring to FIG. 9, the current flow of the light emission period T3 in the pixel circuit shown in FIG. 5 is illustrated, and will be described with reference to the driving timing diagram of FIG. 6.

이 때, 유기 전계 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)는 아래의 수학식 1과 같다. At this time, the current I OLED flowing through the organic light emitting diode OLED is represented by Equation 1 below.

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Figure 112006092393321-pat00001
Figure 112006092393321-pat00001

Figure 112006092393321-pat00002
Figure 112006092393321-pat00002

여기서 VDD 는 제1전원전압선의 제1전원전압이고, VDATA 는 데이터 신호선을 통해 인가되는 데이터 전압이고, Vth 는 구동 트랜지스터(DR_TR)의 문턱전압이며,β는 상수이다. 위 수학식 1에서 볼 수 있듯이, 상기 발광기간(T3)동안 유기 전계 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)는 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 문턱 전압에 관계 없이 데이터 전압(VDATA)에 대응하여 흐른다. 즉 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)의 문턱전압(Vth)이 보상된다.Here, V DD is a first power supply voltage of the first power supply voltage line, V DATA is a data voltage applied through the data signal line, V th is a threshold voltage of the driving transistor DR_TR, and β is a constant. As shown in Equation 1, the current I OLED flowing through the organic light emitting diode OLED during the light emission period T3 is applied to the data voltage V DATA regardless of the threshold voltage of the driving transistor DR_TR. Flows correspondingly. In other words, the threshold voltage Vth of the driving transistor DR_TR is compensated.

아울러, 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)의 제어 전극에 상기 발광 역 제어 신호선(EMB[N])이 연결되어 상기 발광 역 제어 신호선(EMB[N])의 로우 레벨의 신호에 의해 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)는 계속 턴온 상태를 유지한다.In addition, the light emission reverse control signal line EMB [N] is connected to a control electrode of the reverse bias application switching element SW_TR6 so that the reverse direction is caused by a low level signal of the light emission reverse control signal line EMB [N]. The bias application switching element SW_TR6 remains turned on.

이 기간(T2) 동안에는 상기 초기화 기간(T1)과 마찬가지로, 제3스위칭 소자(SW_TR3)의 제어 전극에 발광 제어 신호선(EM[N])의 하이 레벨의 신호가 인가됨에따라, 상기 제3스위칭 소자(SW_TR3)는 여전히 턴오프된 상태이므로 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 발광하지 않게 된다. 이러한 비발광기간을 이용하여 제2전원전압선(VSS)의 전압을 상기 초기화 전원 전압선(Vinit)의 전압보다 높게 하면 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압이 인가되게 되어 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 열화 현상을 방지할 수 있다. 아울러, 제2전원전압선(VSS)의 전압은 접지(Ground) 전압을 이용할 수 있으며, 이 경우 초기화 전원 전압선(Vinit)의 전압은 음의 전압이 인가되어야 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압을 인가할 수 있다.During this period T2, as in the initialization period T1, a high level signal of the emission control signal line EM [N] is applied to the control electrode of the third switching element SW_TR3, so that the third switching element is applied. Since the SW_TR3 is still turned off, the organic light emitting diode OLED does not emit light. When the voltage of the second power supply voltage line VSS is higher than the voltage of the initialization power supply voltage line Vinit by using the non-emission period, a reverse bias voltage is applied to the organic light emitting diode OLED. The degradation of the OLED can be prevented. In addition, the voltage of the second power supply voltage line VSS may use a ground voltage. In this case, a voltage of the initialization power supply voltage line Vinit may be reverse biased to the organic light emitting diode OLED when a negative voltage is applied. Voltage can be applied.

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이 기간 동안에 초기화 스위칭 소자(SW_TR5), 제2스위칭 소자(SW_TR2), 제3스위칭 소자(SW_TR3)는 각각의 제어 전극에 하이 레벨의 신호가 인가됨에 따라 턴오프 되게 된다.During this period, the initialization switching element SW_TR5, the second switching element SW_TR2, and the third switching element SW_TR3 are turned off as a high level signal is applied to each control electrode.

다시 말하자면, 데이터 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱전압 저장 기간(T2)에는 상기 용량성 소자(C)에 상기 데이터 전압을 저장하는 동시에 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 비 발광기간을 이용해 역바이어스 전압을 인가시키게 된다.In other words, during the data voltage and the threshold voltage storage period T2 of the driving transistor, the data voltage is stored in the capacitive element C and at the same time, a reverse bias voltage is obtained by using the non-emission period of the organic light emitting diode OLED. Is authorized.

도 9을 참조하면, 도 5에 도시된 화소 회로에서 발광 기간(T3)중 전류 흐름이 도시되어 있다. 여기서, 상기 화소 회로의 동작은 도 6의 타이밍도를 참조하여 설명한다. 먼저, 제2스위칭 소자(SW_TR2)의 제어 전극에 상기 발광 제어 신호선(EM[N])이 연결되어 로우 레벨의 발광 제어 신호가 인가되면 상기 제 2스위칭 소자(SW_TR2)가 턴온되고, 제1전원전압선(VDD)로부터 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)로 제1전원전압이 공급될수 있게 된다.Referring to FIG. 9, the current flow during the light emission period T3 in the pixel circuit shown in FIG. 5 is illustrated. Here, the operation of the pixel circuit will be described with reference to the timing diagram of FIG. 6. First, when the emission control signal line EM [N] is connected to the control electrode of the second switching element SW_TR2 and a low level emission control signal is applied, the second switching element SW_TR2 is turned on and the first power source is turned on. The first power supply voltage may be supplied from the voltage line VDD to the driving transistor DR_TR.

또한, 제3스위칭소자(SW_TR3)의 제어 전극에 상기 발광 제어 신호선(EM[N])이 연결되어 로우 레벨의 발광 제어 신호가 인가되면, 상기 제3스위칭 소자(SW_TR3)는 턴온되고, 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)을 통하여 구동 전류를 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 흐르게 할 수 있으며, 이에따라 상기 유기 전계 발광 소자는 각각의 데이터 신호에 대응하여 발광하게 된다. Also, when the emission control signal line EM [N] is connected to the control electrode of the third switching element SW_TR3 and the emission control signal having a low level is applied, the third switching element SW_TR3 is turned on and the driving is performed. A driving current may flow through the transistor DR_TR to the organic light emitting diode OLED. Accordingly, the organic light emitting diode emits light corresponding to each data signal.

이 기간 동안에 제1스위칭 소자(SW_TR1), 제4스위칭 소자(SW_TR4), 초기화 스위칭 소자(SW_TR5), 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)는 각각의 제어 전극에 하이 레벨의 신호가 인가됨에 따라 턴오프 되게 된다.During this period, the first switching element SW_TR1, the fourth switching element SW_TR4, the initialization switching element SW_TR5, and the reverse bias applying switching element SW_TR6 are turned on as a high level signal is applied to each control electrode. It will be off.

다시 말하자면, 발광 기간(T3)에는 상기 용량성 소자(C)에 저장되었던 데이터 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 상기 구동 트랜지스터(DR_TR)를 통하여 인가되어 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)를 발광시키게 된다. 이때는 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR7)는 턴오프되어 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 역바이어스 전압을 인가하는 동작은 수행하지 않게 된다.In other words, in the light emission period T3, the data voltage stored in the capacitive element C and the threshold voltage of the driving transistor are applied through the driving transistor DR_TR to emit the organic light emitting diode OLED. . In this case, the reverse bias application switching element SW_TR7 is turned off so that the reverse bias voltage is not applied to the organic light emitting diode OLED.

상기 초기화 기간(T1), 데이터 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱전압 저장기간(T2)은 상기 발광 기간(T3) 보다 짧도록 하여 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)가 발광 되는 시간이 길도록 하는 것이 바람직하다.Preferably, the initialization period T1, the data voltage and the threshold voltage storage period T2 of the driving transistor are shorter than the emission period T3 so that the organic EL device emits light. .

도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판 표시 장치의 화소 회로가 도시되어 있다.Referring to FIG. 10, a pixel circuit of a flat panel display according to another exemplary embodiment of the present invention is illustrated.

도 10에 도시된 화소 회로는 도 5에 도시된 화소 회로와 유사하다. 다만, 도10에 도시된 화소 회로에서는 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)의 제1전극이 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)의 제1전극과 연결된다.The pixel circuit shown in FIG. 10 is similar to the pixel circuit shown in FIG. However, in the pixel circuit shown in FIG. 10, the first electrode of the reverse bias application switching element SW_TR6 is connected to the first electrode of the initialization switching element SW_TR5.

즉. 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)가 제2전원전압선(VSS)과 초기화전원 전압선(Vinit) 사이에 위치하는 것은 상기 도 5에 도시된 본 발명과 동일하나, 도 5에서 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)의 제1전극이 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드와 제3스위칭 소자(SW_TR3)의 제2전극에 연결된 것과 달리,도 10의 다른 실시예에서는 역바이어스 인가용 스위칭 소자(SW_TR6)의 제1전극이 상기 초기화 스위칭 소자(SW_TR5)의 제1전극과 연결될 수 있다는 점에서 다르다.In other words. The reverse bias applying switching element SW_TR6 is positioned between the second power supply voltage line VSS and the initialization power supply voltage line Vinit as in FIG. 5, but the reverse bias application in FIG. Unlike the first electrode of the switching element SW_TR6 is connected to the anode of the organic light emitting element OLED and the second electrode of the third switching element SW_TR3, in another embodiment of FIG. 10, a switching element for applying reverse bias is shown. The first electrode of SW_TR6 may be connected to the first electrode of the initialization switching device SW_TR5.

도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로가 도시되어 있다.Referring to FIG. 11, a pixel circuit of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is illustrated.

도 11에 도시된 화소 회로 역시 도 5에 도시된 화소 회로와 거의 같다. 다만, 도5에 도시된 화소 회로에서는 모든 트랜지스터들이 P형 채널 트랜지스터들이었지만, 도 11에 도시된 모든 트랜지스터들은 N형 채널 트랜지스터들이다. 이에 따라 각 소자들 사이의 연결 관계가 상기 도 5에 도시된 것과 약간 상이해진다.The pixel circuit shown in FIG. 11 is also almost the same as the pixel circuit shown in FIG. In the pixel circuit shown in FIG. 5, all transistors are P-type channel transistors, but all transistors shown in FIG. 11 are N-type transistors. As a result, the connection relationship between the elements is slightly different from that shown in FIG.

예를 들면, 도 5에 도시된 P형 채널 트랜지스터를 이용한 화소 회로의 상단 과 하단을 뒤집어 도시하고, 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 방향은 상기 도 5에 도시된 방향과 같게 두며, 상기 P형 채널 트랜지스터를 N형 채널 트랜지스터로 대치하게 되면, 도 11의 N형 채널 트랜지스터를 이용한 화소 회로를 구현할 수 있다. 이때, P형 채널 트랜지스터와 N형 채널 트랜지스터는 제1전극(소스 전극 또는 드레인 전극)과 제2전극(드레인 전극 또는 소스 전극)의 위치가 반대로 바뀌게 된다.For example, the upper and lower ends of the pixel circuit using the P-type channel transistor shown in FIG. 5 are shown upside down, and the direction of the organic light emitting diode OLED is the same as the direction shown in FIG. If the type channel transistor is replaced with the N type transistor, the pixel circuit using the N type channel transistor of FIG. 11 may be implemented. At this time, the positions of the first electrode (source electrode or drain electrode) and the second electrode (drain electrode or source electrode) are reversed in the P-type channel transistor and the N-type channel transistor.

도 12는 상기 도 11에 도시된 N형 채널 트랜지스터를 이용한 상기 화소 회로의 구동 타이밍도이다. N형 채널 트랜지스터의 경우 하이 레벨의 신호가 제어 전극에 인가될때 턴온 되는바, 상기 도 12에 도시한 구동 타이밍도는 상기 도 6의 구동 타이밍도와 비교해볼때, 하이 레벨의 신호는 로우 레벨의 신호로, 로우 레벨의 신호는 하이 레벨의 신호로 바뀌게 된다.FIG. 12 is a driving timing diagram of the pixel circuit using the N-type channel transistor shown in FIG. In the case of the N-type transistor, a high level signal is turned on when the control electrode is applied. The driving timing diagram shown in FIG. 12 is a low level signal when compared to the driving timing diagram of FIG. The low level signal is converted into a high level signal.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로는 한 프레임의 화상 표시 기간을 제1기간, 제2기간 및 제3기간으로 나누고,제1기간에는 용량성 소자와 구동 트랜지스터의 제어전극이 초기화되도록 하는 동시에 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가하여, 상기 유기 전계 발광 소자의 열화 현상을 방지하는 효과가 있다. 또한, 제2기간에는 상기 용량성 소자에 데이터 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 동시에 상기 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가하여, 상기 유기 전계 발광 소자의 열화 현상을 방지 하는 효과가 있다. 아울러, 제3기간에는 상기 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가하는 동작을 멈추는 동시에 상기 용량성 소자에 저장된 데이터 전압 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 전류를 상기 구동 트랜지스터를 통하여 상기 유기 전계 발광 소자에 흘려줌으로써, 상기 유시 전계 발광 소자가 발광 하게 하는 효과가 있다.As described above, the organic light emitting display device and the pixel circuit thereof according to the present invention divide an image display period of one frame into a first period, a second period and a third period, and in the first period, the capacitive element and the driving transistor. In addition, the control electrode is initialized and a reverse bias voltage is applied to the organic EL device, thereby preventing deterioration of the organic EL device. Further, in the second period, the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor are stored in the capacitive element, and a reverse bias voltage is applied to the organic electroluminescent element, thereby preventing deterioration of the organic electroluminescent element. . In addition, in the third period, the operation of applying the reverse bias voltage to the organic light emitting diode is stopped, and the current corresponding to the data voltage stored in the capacitive element and the threshold voltage of the driving transistor is supplied through the driving transistor. By flowing through the device, there is an effect that the like electroluminescent device emits light.

이러한 본 발명의 두드러진 효과로는 상기 유기 전계 발광 소자의 비발광 기간을 이용하여 상기 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가 함으로써 상기 유기 전계 발광 소자의 열화(Degradation)현상을 방지하여, 궁극적으로는 상기 유기 전계 발광 소자의 수명을 향상시키고, 각 화소 회로의 열화 현상의 차이에 의한 상기 각 화소의 휘도의 불균일성을 개선하는 효과가 있다.The prominent effect of the present invention is to prevent degradation of the organic electroluminescent device by applying a reverse bias voltage to the organic electroluminescent device using the non-emission period of the organic electroluminescent device. There is an effect of improving the life of the organic EL device and improving the nonuniformity of the luminance of each pixel due to the difference in the deterioration phenomenon of each pixel circuit.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 화소 회로를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명의 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing the organic light emitting display device and the pixel circuit thereof according to the present invention, and is not limited to the above-described embodiment of the present invention, as claimed in the following claims. As described above, any person having ordinary knowledge in the field of the present invention without departing from the gist of the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (26)

주사 신호선에서 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터 선에서 인가되는 데이터 신호를 전달하는 제 1 스위칭 소자;A first switching element transferring a data signal applied from the data line in response to a scan signal applied from the scan signal line; 상기 제 1 스위칭 소자에 제1전극이 연결되어 제 1 전원 전압선과 제2전원 전압선 사이의 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터;A driving transistor connected to the first switching element to control a driving current between a first power supply voltage line and a second power supply voltage line; 상기 구동 트랜지스터의 제어전극과 상기 제 1 전원 전압선 사이에 연결된 용량성 소자;A capacitive element connected between the control electrode of the driving transistor and the first power voltage line; 상기 제 2 전원 전압선에 연결되어, 상기 구동 트랜지스터에 의해 제어되는 구동 전류로 화상을 표시하는 유기 전계 발광 소자; An organic electroluminescent element connected to the second power supply voltage line and displaying an image with a driving current controlled by the driving transistor; 상기 용량성 소자와 초기화 전원 전압선 사이에 연결되어, 상기 용량성 소자를 초기화하는 초기화 스위칭 소자; 및An initialization switching element connected between the capacitive element and an initialization power supply voltage line to initialize the capacitive element; And 상기 유기 전계 발광 소자와 상기 초기화 전원 전압선 사이에 연결되고, 제어전극이 발광 역 제어 신호선에 연결되어, 상기 유기 전계 발광 소자에 역바이어스 전압을 인가하는 역바이어스 인가용 스위칭 소자를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.A reverse bias application switching element connected between the organic electroluminescent element and the initialization power supply voltage line, and a control electrode connected to the emission reverse control signal line to apply a reverse bias voltage to the organic electroluminescent element. Organic electroluminescent display. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 전원 전압선과 상기 제 1 스위칭 소자 사이에 연결된 제2스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And a second switching element connected between the first power voltage line and the first switching element. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 구동 트랜지스터와 상기 유기 전계 발광소자 사이에 연결된 제3스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And a third switching device connected between the driving transistor and the organic light emitting device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극과 제2전극 사이에 연결되고, 제어전극이 상기 주사 신호선에 연결되는 제4스위칭 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And a fourth switching element connected between the control electrode and the second electrode of the driving transistor, the control electrode being connected to the scan signal line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 전원 전압선과 상기 제 1 스위칭 소자 사이에는 제2스위칭 소자가 연결되고, 상기 구동 트랜지스터와 상기 유기 전계 발광소자 사이에는 제3스위칭 소자가 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극과 드레인 사이에는 제4스위칭 소자가 연결되고, 상기 제4스위칭 소자의 제어 전극에는 상기 주사 신호선이 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.A second switching device is connected between the first power supply voltage line and the first switching device, and a third switching device is connected between the driving transistor and the organic light emitting device, and between the control electrode and the drain of the driving transistor. And a fourth switching device and a scan signal line connected to the control electrode of the fourth switching device. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1스위칭 소자는 제어 전극이 상기 주사 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 데이터선에 연결되며, 제2전극이 상기 구동 트랜지스터의 제1전극에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The first switching element of claim 1, wherein a control electrode is connected to the scan signal line, a first electrode is connected to the data line, and a second electrode is connected to the first electrode of the driving transistor. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 구동 트랜지스터는 제1전극이 상기 제1스위칭 소자의 제2전극과 상기 제2스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결되고, 제2전극이 상기 제4스위칭 소자의 제1전극과 제3스위칭소자의 제1전극 사이에 연결되며, 제어전극이 상기 제4스위칭 소자의 제2전극과 상기 용량성 소자의 제1전극 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The driving transistor may include a first electrode connected between the second electrode of the first switching element and the second electrode of the second switching element, and the second electrode of the first switching element and the third switching element of the fourth switching element. And a control electrode connected between the second electrode of the fourth switching element and the first electrode of the capacitive element. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 용량성 소자는 제1전극이 상기 제1전원전압선과 상기 제2스위칭 소자 사이에 연결되고, 제2전극이 상기 구동트랜지스터의 제어전극과 상기 제4스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The capacitive element may include a first electrode connected between the first power supply voltage line and the second switching element, and a second electrode connected between the control electrode of the driving transistor and the second electrode of the fourth switching element. An organic light emitting display device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 초기화 스위칭 소자는 이전 주사 신호선에 제어 전극이 연결되며, 상기 용량성 소자와 상기 초기화 전원 전압선 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the control electrode is connected to a previous scan signal line and is connected between the capacitive element and the initialization power supply voltage line. 삭제delete 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자는 제어 전극이 상기 발광 역 제어 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 초기화 스위칭 소자의 제1전극과 상기 유기 전계 발광 소자의 애노드 및 상기 제3스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결되고, 제2전극이 상기 초기화 전원 전압선과 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.In the reverse bias application switching element, a control electrode is connected to the light emission reverse control signal line, and a first electrode is a first electrode of the initialization switching element, an anode of the organic electroluminescent element, and a second electrode of the third switching element. And a second electrode connected to the initialization power supply voltage line. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유기 전계 발광 소자는 애노드가 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자와 연결되고, 캐소드가 상기 제2전원 전압선에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the anode is connected to the reverse bias applying switching element, and the cathode is connected to the second power voltage line. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제2스위칭 소자는 제어 전극이 발광 제어 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 제1전원 전압선에 연결되며, 제2전극이 상기 구동 트랜지스터의 제1전극과 상기 제1스위칭 소자의 제2전극 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.In the second switching device, a control electrode is connected to the emission control signal line, a first electrode is connected to the first power supply voltage line, and a second electrode is connected to the first electrode of the driving transistor and the second electrode of the first switching device. An organic light emitting display device, characterized in that connected between. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제3스위칭 소자는 제어 전극이 발광 제어 신호선에 연결되고, 제1전극이 상기 구동트랜지스터의 제2전극과 상기 제4스위칭 소자의 제1전극 사이에 연결되며, 제2전극이 상기 유기 전계 발광 소자의 애노드와 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자의 제1전극 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.In the third switching device, a control electrode is connected to the emission control signal line, a first electrode is connected between the second electrode of the driving transistor and the first electrode of the fourth switching device, and the second electrode is the organic electroluminescence. And an anode of the device and a first electrode of the switching device for applying reverse bias. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 유기 전계 발광 소자는 캐소드에 상기 제 2 전원 전압선이 연결되고, 상기 제 2 전원 전압선에 의한 제 2 전원 전압이 상기 초기화 전원 전압선에 의한 초기화 전원 전압보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the second power voltage line is connected to a cathode, and the second power voltage by the second power voltage line is greater than the initialization power voltage by the initialization power voltage line. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 한 프레임의 화상 표시 기간중 상기 초기화 스위칭 소자와 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자가 턴온되고, 상기 제1스위칭 소자, 상기 제4스위칭 소자, 상기 제2스위칭 소자, 및 상기 제3스위칭 소자가 턴오프되면, 상기 초기화 전원 전압선으로부터 초기화 전원이 상기 용량성 소자의 제1전극에 인가되고, 상기 제2전원 전압선으로부터 제2전원 전압이 상기 유기 전계 발광 소자의 캐소드에서 애노드 방향으로 인가되어 상기 초기화 전원 전압선으로 전달됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The initialization switching element and the reverse bias applying switching element are turned on during the image display period of one frame, and the first switching element, the fourth switching element, the second switching element, and the third switching element are turned off. When the initialization power voltage line is applied, initialization power is applied to the first electrode of the capacitive element, and a second power supply voltage is applied from the second power supply voltage line toward the anode at the cathode of the organic electroluminescent element, thereby providing the initialization power supply voltage line. The organic light emitting display device, characterized in that delivered to. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 한 프레임의 화상 표시 기간중 상기 제1스위칭 소자, 상기 제4스위칭 소자 및 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자가 턴온되고, 상기 제2스위칭 소자, 상기 제3스위칭 소자 및 상기 초기화 스위칭 소자가 턴오프되면, 상기 데이터선으로부터의 데이터 신호가 상기 용량성 소자의 제1전극에 인가되고, 상기 제1전원 전압선으로부터의 제1전원 전압은 상기 용량성 소자 및 상기 구동 트랜지스터의 제어 전극에 인가됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.When the first switching element, the fourth switching element and the reverse bias applying switching element are turned on during the image display period of one frame, and the second switching element, the third switching element and the initialization switching element are turned off. And a data signal from the data line is applied to the first electrode of the capacitive element, and a first power voltage from the first power voltage line is applied to the control electrode of the capacitive element and the driving transistor. Organic electroluminescent display. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 한 프레임의 화상 표시 기간중 상기 제2스위칭 소자 및 상기 제3스위칭 소자가 턴온되고, 상기 제1스위칭 소자, 상기 제4스위칭 소자, 상기 초기화 스위칭 소자 및 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자가 턴오프되면, 상기 유기 전계 발광 소자의 애노드에서 캐소드 방향으로 전류가 인가됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시 장치.When the second switching element and the third switching element are turned on during the image display period of one frame, and the first switching element, the fourth switching element, the initialization switching element, and the reverse bias applying switching element are turned off. And a current is applied in an anode direction of the anode of the organic light emitting diode. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1스위칭 소자, 상기 구동 트랜지스터, 상기 초기화 스위칭 소자, 및 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자는 N형 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the first switching element, the driving transistor, the initialization switching element, and the reverse bias applying switching element are N-type channel transistors. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1스위칭 소자, 상기 구동 트랜지스터, 상기 초기화 스위칭 소자, 및 상기 역바이어스 인가용 스위칭 소자는 P형 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the first switching element, the driving transistor, the initialization switching element, and the reverse bias applying switching element are P-type channel transistors. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제2스위칭 소자, 상기 제3스위칭 소자,및 상기 제4스위칭 소자는 N형 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the second switching element, the third switching element, and the fourth switching element are N-type transistors. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제2스위칭 소자, 상기 제3스위칭 소자,및 상기 제4스위칭 소자는 P형 채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the second switching element, the third switching element, and the fourth switching element are P-type transistors. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 전계 발광 소자는 발광층을 구비하고 있으며, 상기 발광층은 형광 재료 및 인광 재료중 선택된 어느 하나 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The organic electroluminescent device has a light emitting layer, and the light emitting layer is any one selected from fluorescent materials and phosphorescent materials, or a mixture thereof. 제 23항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 발광층은 적색 발광 재료, 녹색 발광 재료 및 청색 발광 재료중 선택된 어느 하나 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the light emitting layer is any one selected from a red light emitting material, a green light emitting material, and a blue light emitting material or a mixture thereof. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동 트랜지스터는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터, 폴리 실리콘 박막 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터 및 나노 박막 반도체 트랜지스터중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the driving transistor is one selected from an amorphous silicon thin film transistor, a polysilicon thin film transistor, an organic thin film transistor, and a nano thin film semiconductor transistor. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동 트랜지스터는 니켈(Ni), 카드늄(Cd), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 및 텅스텐(W)중 선택된 어느 하나를 갖는 폴리 실리콘 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The driving transistor is an organic electroluminescence, characterized in that the polysilicon transistor having any one selected from nickel (Ni), cadmium (Cd), cobalt (Co), titanium (Ti), palladium (Pd) and tungsten (W). Display device.
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