KR100845891B1 - Plasma reactor having multi loop core plasma generator - Google Patents

Plasma reactor having multi loop core plasma generator Download PDF

Info

Publication number
KR100845891B1
KR100845891B1 KR1020060123186A KR20060123186A KR100845891B1 KR 100845891 B1 KR100845891 B1 KR 100845891B1 KR 1020060123186 A KR1020060123186 A KR 1020060123186A KR 20060123186 A KR20060123186 A KR 20060123186A KR 100845891 B1 KR100845891 B1 KR 100845891B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current
plasma
loop core
primary windings
transformers
Prior art date
Application number
KR1020060123186A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080051669A (en
Inventor
최대규
위순임
최상돈
Original Assignee
주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 뉴파워 프라즈마 filed Critical 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority to KR1020060123186A priority Critical patent/KR100845891B1/en
Publication of KR20080051669A publication Critical patent/KR20080051669A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100845891B1 publication Critical patent/KR100845891B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183Matching circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00Auxiliary systems
    • H05H2242/20Power circuits

Abstract

다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기가 게시된다. 본 발명의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기는 다중 루프 코어와 일차 권선들을 포함하는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기, 상기 일차 권선들에 전류를 공급하기 위한 전원 공급원 및, 전원 공급원으로부터 공급되는 전류를 다중 루프 코어의 일차 권선들로 전류 균형을 이루며 분배 공급하는 전류 균형 회로를 포함한다. 본 발명의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기에 의하면, 다중 루프 코어와 일차 권선을 포함하는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기에 있어서 다중 루프 코어의 일차 권선으로 공급되는 전류의 균형을 조절하여 대면적의 균일한 고밀도 플라즈마를 얻을 수 있다.

Figure R1020060123186

플라즈마, 변압기, 유도 결합, 전류 균형

A plasma reactor with a multi-loop core plasma generator is disclosed. A plasma reactor with a multi-loop core plasma generator of the present invention includes a multi-loop core plasma generator comprising a multi-loop core and primary windings, a power supply for supplying current to the primary windings, and a current supplied from the power supply. And a current balancing circuit that distributes and distributes the current to the primary windings of the multiple loop core. According to the plasma reactor with the multi-loop core plasma generator of the present invention, in the plasma reactor with the multi-loop core plasma generator including the multi-loop core and the primary winding, the balance of the current supplied to the primary winding of the multi-loop core is balanced. It can be adjusted to obtain a uniform high density plasma of a large area.

Figure R1020060123186

Plasma, transformer, inductive coupling, current balancing

Description

다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기{PLASMA REACTOR HAVING MULTI LOOP CORE PLASMA GENERATOR}Plasma reactor with multi-loop core plasma generator {PLASMA REACTOR HAVING MULTI LOOP CORE PLASMA GENERATOR}

본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.In order to more fully understand the drawings used in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 주요 구성을 보여주는 도면이다.1 is a view showing the main configuration of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기의 일 예를 보여주는 도면이다.2 is a diagram illustrating an example of a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator.

도 3은 도 2의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기의 수직 단면도이다.3 is a vertical sectional view of the multi-loop core plasma generator of FIG. 2.

도 4a 및 도 4b는 다중 루프 코어의 일 예들을 보여주는 도면이다.4A and 4B are diagrams showing examples of a multi-loop core.

도 5는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기의 다른 예를 보여주는 도면이다.5 shows another example of a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator.

도 6은 도 5의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 보여주기 위한 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view illustrating the multi-loop core plasma generator of FIG. 5.

도 7은 도 5의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기의 평단면도이다.FIG. 7 is a top cross-sectional view of the multi-loop core plasma generator of FIG. 5.

도 8 및 도 9는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기의 또 다른 예들을 보여주는 도면이다.8 and 9 show still other examples of a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator.

도 10 내지 도 12는 전류 균형 회로의 일 실시예와 그 변형예들을 보여주는 도면이다.10 to 12 are diagrams illustrating one embodiment of a current balancing circuit and variations thereof.

도 13 및 도 14는 전류 균형 회로의 다른 실시예와 변형예를 보여주는 도면이다.13 and 14 show other embodiments and modifications of the current balancing circuit.

도 15는 전류 가변 제어기의 구성을 가변 콘덴서로 구성한 예를 보여주는 도면이다.15 is a view showing an example in which the configuration of the current variable controller is configured with a variable capacitor.

도 16은 전류 균형 회로의 또 다른 실시예를 보여주는 회로도이다.16 is a circuit diagram showing another embodiment of the current balancing circuit.

도 17은 도 16의 전류 균형 회로의 상세 회로도이다.17 is a detailed circuit diagram of the current balancing circuit of FIG. 16.

도 18은 도 16의 전류 균형 분배기의 변형예를 보여주는 도면이다.18 is a view showing a modification of the current balance divider of FIG.

도 19a 내지 도 19c는 파워 트랜스포머의 변형예들을 보여주는 회로도이다.19A through 19C are circuit diagrams illustrating modifications of a power transformer.

도 20은 전류 균형 회로의 또 다른 변형예를 보여주는 회로도이다.20 is a circuit diagram showing another modified example of the current balancing circuit.

도 21은 전류 균형 회로를 제어하기 위한 제어 회로 구성을 보여주는 블록도이다.21 is a block diagram showing a control circuit configuration for controlling a current balancing circuit.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100: 전원 공급 회로 110: 무선 주파수 발생기100: power supply circuit 110: radio frequency generator

120: 임피던스 정합기 200: 전류 균형 회로120: impedance matcher 200: current balance circuit

300: 진공 챔버 310: 가스 공급원300: vacuum chamber 310: gas supply source

320: 다중 코어 플라즈마 발생기 330: 기판 지지대320: multi-core plasma generator 330: substrate support

본 발명은 변압기 플라즈마 소스(transformer plasma source에 관한 것으로, 구체적으로는 대면적의 균일한 플라즈마를 발생할 수 있는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기에 관한 것이다.The present invention relates to a transformer plasma source, and more particularly, to a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator capable of generating a large area of uniform plasma.

플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 라디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.Plasma is a highly ionized gas containing the same number of positive ions and electrons. Plasma discharges are used for gas excitation to generate active gases containing ions, free radicals, atoms, molecules. The active gas is widely used in various fields and is typically used in a variety of semiconductor manufacturing processes such as etching, deposition, cleaning, ashing, and the like.

플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다.There are a number of plasma sources for generating plasma, and the representative examples are capacitive coupled plasma and inductive coupled plasma using radio frequency.

용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 반면, 무선 주파수 전원의 에너지가 거의 배타적으로 용량 결합을 통하여 플라즈마에 연결되기 때문에 플라즈마 이온 밀도는 용량 결합된 무선 주파수 전력의 증가 또는 감소에 의해서만 증가 또는 감소될 수 있다. 그러나 무선 주파수 전력의 증가는 이온 충격 에너지를 증가시킨다.Capacitively coupled plasma sources have the advantage of high process productivity compared to other plasma sources due to their high capacity for precise capacitive coupling and ion control. On the other hand, since the energy of the radio frequency power supply is almost exclusively connected to the plasma through capacitive coupling, the plasma ion density can only be increased or decreased by increasing or decreasing the capacitively coupled radio frequency power. However, increasing radio frequency power increases ion bombardment energy.

한편, 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀 도를 쉽게 증가시킬 수 있으며 이에 따른 이온 충격은 상대적으로 낮아서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다. 그럼으로 유도 결합 플라즈마 소스는 고밀도의 플라즈마를 얻기 위하여 일반적으로 사용되고 있다. 유도 결합 플라즈마 소스는 대표적으로 무선 주파수 안테나(RF antenna)를 이용하는 방식과 변압기를 이용한 방식으로 기술 개발이 이루어지고 있다.On the other hand, the inductively coupled plasma source can easily increase the ion density with the increase of the radio frequency power source and the ion bombardment is relatively low, so it is known to be suitable for obtaining high density plasma. Therefore, inductively coupled plasma sources are commonly used to obtain high density plasma. Inductively coupled plasma sources are typically developed using a method using a radio frequency antenna (RF antenna) and a method using a transformer.

변압기를 이용한 방식의 유도 결합 플라즈마 소스는 고밀도의 플라즈마를 비교적 손쉽게 얻을 수 있으나, 구조적 특징에 따라서 플라즈마 균일도가 영향을 받는다. 그럼으로 플라즈마 소스 구조를 개선하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 얻기 위해 노력하고 있다.Inductively coupled plasma sources using a transformer can obtain a high density of plasma relatively easily, but the plasma uniformity is affected by structural features. Therefore, efforts have been made to improve the plasma source structure to obtain a uniform high density plasma.

최근 반도체 제조 산업에서는 반도체 소자의 초미세화, 반도체 회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판의 대형화, 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판의 대형화 그리고 새로운 처리 대상 물질 등장 등과 같은 여러 요인으로 인하여 더욱 향상된 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 대면적의 피처리물에 대한 우수한 처리 능력을 갖는 향상된 플라즈마 소스 및 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다.In the recent semiconductor manufacturing industry, plasma processing technology has been further improved due to various factors such as ultra-miniaturization of semiconductor devices, the enlargement of silicon wafer substrates for manufacturing semiconductor circuits, the enlargement of glass substrates for manufacturing liquid crystal displays, and the emergence of new target materials. This is required. In particular, there is a need for improved plasma sources and plasma processing techniques that have good processing capabilities for large area workpieces.

대면적 플라즈마를 얻기 위하여 복수개의 변압기 결합 구조를 채용한 플라즈마 반응기들이 제안되고 있다. 그러나 복수개의 변압기를 사용하는 경우 대면적의 플라즈마를 얻을 수는 있겠지만 균일한 플라즈마를 얻기가 용이하지 않다.Plasma reactors employing a plurality of transformer coupling structures have been proposed to obtain large area plasma. However, if a plurality of transformers are used, a large area plasma can be obtained, but it is not easy to obtain a uniform plasma.

본 발명의 목적은 다중 루프 코어와 일차 권선을 포함하는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기에 있어서 다중 루프 코어의 일차 권선으로 공급되는 전류의 균형을 조절하여 균일한 플라즈마 방전을 얻을 수 있는 플라즈마 반응기를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator including a multi-loop core and a primary winding, in which a plasma can be obtained by adjusting a balance of current supplied to the primary winding of the multi-loop core. The purpose is to provide a reactor.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 반응기는: 다중 루프 코어와 일차 권선들을 포함하는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기; 상기 일차 권선들에 전류를 공급하기 위한 전원 공급원; 및 전원 공급원으로부터 공급되는 전류를 다중 루프 코어의 일차 권선들로 전류 균형을 이루며 분배 공급하는 전류 균형 회로를 포함한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a plasma reactor. The plasma reactor of the present invention comprises: a multi loop core plasma generator comprising a multi loop core and primary windings; A power supply for supplying current to the primary windings; And a current balancing circuit which distributes and distributes the current supplied from the power supply to the primary windings of the multiple loop core.

일 실시예에 있어서, 상기 전류 균형 회로는: 다중 루프 코어에 각기 대응하는 복수개의 트랜스포머를 갖는 전류 균형 분배기를 포함하고, 복수개의 트랜스포머는: 일차측이 전원 공급원에 연결된 무선 주파수 입력단과 접지 사이에 직렬로 연결되고, 이차측이 대응된 다중 루프 코어의 일차 권선에 연결되어서; 무선 주파수 입력단과 접지 사이의 전압을 분할하고; 분할된 다수의 분할된 전압을 각기 대응된 다중 루프 코어의 일차 권선으로 공급한다.In one embodiment, the current balancing circuit comprises: a current balance divider having a plurality of transformers each corresponding to a multiple loop core, wherein the plurality of transformers comprise: a radio frequency input between a primary side connected to a power source and ground; Connected in series, the secondary side being connected to the primary winding of the corresponding multiple loop core; Divide the voltage between the radio frequency input and ground; A plurality of divided voltages are supplied to the primary windings of the corresponding multiple loop cores, respectively.

일 실시예에 있어서, 상기 전류 균형 분배기는: 복수개의 트랜스포머의 이차측의 권선비를 가변시키기 위한 가변 수단을 포함한다.In one embodiment, the current balance divider comprises: variable means for varying the turns ratio of the secondary side of the plurality of transformers.

일 실시예에 있어서, 상기 전류 균형 분배기는: 복수개의 트랜스포머의 이차측에 구성되며 접지로 연결되는 중간탭을 포함한다.In one embodiment, the current balance divider comprises: an intermediate tap configured on the secondary side of the plurality of transformers and connected to ground.

일 실시예에에 있어서, 상기 전류 균형 회로는: 다중 루프 코어의 일차 권선 들로 공급되는 전류를 전체적으로 가변 제어하기 위한 전류 가변기; 및 다중 루프 코어의 일차 권선들로 공급되는 각각의 전류가 균형을 이루도록 하는 전류 균형 분배기를 함하고, 전류 균형 분배기는: 다중 루프 코어의 일차 권선들에 연결되는 복수개의 유도 코일; 및 복수개의 유도 코일이 공통으로 권선되는 마그네틱 코어를 포함한다.In one embodiment, the current balancing circuit comprises: a current varyer for variably controlling the current supplied to the primary windings of the multiple loop core; And a current balance divider that balances respective currents supplied to the primary windings of the multi-loop core, the current balance divider comprising: a plurality of induction coils connected to the primary windings of the multi-loop core; And a magnetic core to which a plurality of induction coils are commonly wound.

일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 유도 코일들의 권선수를 가변시키는 가변 수단을 포함한다.In one embodiment, a variable means for varying the number of turns of the plurality of induction coils.

일 실시예에에 있어서, 상기 전류 균형 회로는: 전원 공급원에 연결되는 파워 트랜스포머; 및 파워 트랜스포머의 이차측 전압을 인가받아서 다수의 전압들로 분할하고, 분할된 전압을 다중 루프 코어의 일차 권선들의 일단으로 각기 인가하되 각 다중 루프 코어의 일차 권선들로 입력되는 전류 값들이 서로 균형을 이루도록 전류량을 분배하는 전류 균형 분배기를 포함한다.In one embodiment, the current balancing circuit comprises: a power transformer connected to a power supply; And applying the secondary voltage of the power transformer to divide the voltage into a plurality of voltages, and applying the divided voltage to one end of the primary windings of the multiple loop core, and balancing the current values inputted to the primary windings of each multiple loop core. And a current balance divider for distributing the amount of current to achieve.

일 실시예에에 있어서, 상기 파워 트랜스포머는 이차측에 접지된 중간탭을 갖고 정전압(V_p)과 부전압(V_n)을 출력하며; 전류 균형 회로는 파워 트랜스포머의 정전압을 인가받아서 다수의 전압들로 분할하여 다중 루프 코어의 일차 권선들의 일단으로 입력하고; 파워 트랜스포머의 부전압은 다중 루프 코어의 일차 권선들의 타단에 공통으로 인가된다.In one embodiment, the power transformer has a middle tap grounded on a secondary side and outputs a constant voltage V_p and a negative voltage V_n; The current balancing circuit receives the constant voltage of the power transformer and divides it into a plurality of voltages and inputs them to one end of the primary windings of the multiple loop core; The negative voltage of the power transformer is commonly applied to the other end of the primary windings of the multiple loop core.

일 실시예에 있어서, 상기 전류 균형 분배기는: 다중 루프 코어의 일차 권선들과 각기 대응되는 복수개의 트랜스포머를 포함하고, 복수개의 트랜스포머는: 일차측이 파워 트랜스포머의 이차측과 접지 사이에 직렬로 연결되고, 이차측이 대응 된 다중 루프 코어의 일차 권선들에 연결되어; 파워 트랜스포머의 이차측과 접지 사이의 전압을 분할하고; 분할된 다수의 분할된 전압을 각기 대응된 다중 루프 코어의 일차 권선들로 공급한다.In one embodiment, the current balance divider comprises: a plurality of transformers each corresponding to primary windings of a multiple loop core, the plurality of transformers: the primary side connected in series between the secondary side of the power transformer and ground The secondary side is connected to the primary windings of the corresponding multiple loop core; Divide the voltage between the secondary side of the power transformer and ground; A plurality of divided voltages are supplied to the primary windings of the corresponding multiple loop cores, respectively.

일 실시예에 있어서, 상기 전류 균형 분배기는: 복수개의 트랜스포머의 이차측의 권선비를 가변시키기 위한 가변 수단을 포함한다.In one embodiment, the current balance divider comprises: variable means for varying the turns ratio of the secondary side of the plurality of transformers.

일 실시예에 있어서, 상기 파워 트랜스포머의 정전압과 부전압의 비율을 가변시기키 위한 가변 수단을 포함한다.In one embodiment, the apparatus comprises variable means for varying the ratio of the constant voltage and the negative voltage of the power transformer.

일 실시예에 있어서, 상기 파워 트랜스포머의 정전압과 부전압의 비율과 각각의 전압 레벨을 가변시키기 위한 가변 수단을 포함한다.In one embodiment, the apparatus comprises variable means for varying the ratio of the constant voltage and the negative voltage of the power transformer and respective voltage levels.

일 실시예에 있어서, 상기 파워 트랜스포머는: 이차측에 구성되며 접지된 중간탭; 중간탭과 정전압 출력단 사이에 구성되는 멀티탭과 멀티탭의 어느 하나를 전류 균형 분배기로 연결되도록 스위칭 동작하는 스위치를 갖는 멀티탭 스위칭 회로를 포함하고, 상기 전류 균형 분배기는 파워 트랜스포머의 정전압 출력단과 멀티탭 스위칭 회로의 스위치 사이의 전압을 분할하여 다중 루프 코어의 일차 권선들의 일단으로 각기 인가한다.In one embodiment, the power transformer comprises: a middle tap configured on the secondary side and grounded; And a multi-tap switching circuit having a switch operable to switch any one of the multi-tap and the multi-tap configured between the intermediate tap and the constant voltage output stage to a current balanced divider, wherein the current balanced divider comprises a multi-tap switching circuit of the constant voltage output stage of the power transformer. The voltage between the switches is divided and applied to one end of the primary windings of the multiple loop core.

일 실시예에 있어서, 상기 전류 균형 분배기는 과도전압이 발생되는 것을 방지하기 위한 보호회로를 포함한다.In one embodiment, the current balance divider includes a protection circuit for preventing a transient voltage from occurring.

일 실시예에 있어서, 전류 균형 회로를 제어하여 다중 루프 코어의 일차 권선들로 공급되는 전력을 가변 제어하는 제어부를 포함한다.In one embodiment, a control unit for controlling the current balance circuit to variably control the power supplied to the primary windings of the multiple loop core.

일 실시예에 있어서, 상기 제어부는 사용자 제어 입력, 공정 조건 데이터, 플라즈마 상태를 검출하는 플라즈마 상태 모니터링 회로로 부터 제공되는 플라즈마 상태 검출 값 중에서 적어도 어느 하나에 기초하여 전류 균형 회로를 제어한다.In an embodiment, the controller controls the current balancing circuit based on at least one of a user control input, process condition data, and a plasma state detection value provided from a plasma state monitoring circuit for detecting a plasma state.

일 실시예에 있어서, 다중 루프 코어 플라즈마 발생기에 의해 발생된 플라즈마 가스에 의해 처리될 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대; 상기 기판 지지대로 바이어스 전원을 공급하는 바이어스 전원 공급원을 포함하고, 상기 바이어스 전원 공급원은 단일 바이어스 또는 이중 바이어스 중 어느 하나의 바이어스 구조를 갖는다.In one embodiment, a substrate support on which a substrate to be processed to be processed by plasma gas generated by a multi-loop core plasma generator is placed; And a bias power supply for supplying a bias power to the substrate support, wherein the bias power supply has a bias structure of either single bias or dual bias.

일 실시예에 있어서, 다중 루프 코어 플라즈마 발생기에 의해 발생된 플라즈마 가스에 의해 처리될 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대; 상기 기판 지지대는 바이어스 전원의 공급이 없다.In one embodiment, a substrate support on which a substrate to be processed to be processed by plasma gas generated by a multi-loop core plasma generator is placed; The substrate support has no supply of bias power.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.DETAILED DESCRIPTION In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the embodiments of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description. In understanding the drawings, it should be noted that like parts are intended to be represented by the same reference numerals as much as possible. And detailed description of known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention is omitted.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기를 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.Hereinafter, by describing the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings, a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator of the present invention will be described in detail. In addition, in the drawings, the same reference numerals are denoted together for components that perform the same function.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 주요 구성을 보여주는 도면이다.1 is a view showing the main configuration of a plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기는 다중 루프 코어(C1, C2, C3)와 일차 권선들(P1, P2, P3)을 포함하는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)를 구비한다. 다중 루프 코어(C1, C2, C3)와 그에 대응된 일차 권선들(P1, P2, P3)은 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)을 구성한다. 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)는 플라즈마 반응기의 진공 챔버(300)의 내부로 플라즈마 발생을 위한 유도 기전력을 발생한다. 플라즈마 반응기는 무선 주파수를 공급하기 위한 전원 공급원(100)과 전류 균형 회로(200)를 구비한다. 전원 공급원(100)은 무선 주파수를 발생하는 무선 주파수 발생기(110)와 임피던스 정합기(120)를 구비한다.A plasma reactor according to a preferred embodiment of the present invention includes a multi-loop core plasma generator 320 comprising multiple loop cores C1, C2, C3 and primary windings P1, P2, P3. The multiple loop cores C1, C2 and C3 and the corresponding primary windings P1, P2 and P3 constitute a plurality of plasma generating units G1, G2 and G3. The multi-loop core plasma generator 320 generates induced electromotive force for plasma generation into the vacuum chamber 300 of the plasma reactor. The plasma reactor has a power supply 100 and a current balance circuit 200 for supplying radio frequencies. The power supply 100 includes a radio frequency generator 110 and an impedance matcher 120 for generating radio frequencies.

다중 루프 코어(C1, C2, C3)의 일차 권선들(P1, P2, P3)은 전류 균형 회로(200)에 병렬로 연결되며, 전원 공급원(100)으로부터 공급되는 전류는 전류 균형 회로(200)를 통하여 다중 루프 코어(C1, C2, C3)의 일차 권선들(P1, P2, P3)로 전 류 균형을 이루면서 분배되어 공급된다. 그럼으로 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)들에 의해서 진공 챔버(300)의 내부에는 보다 균일한 고밀도의 플라즈마가 발생하게 된다. 전류 균형 회로에 대한 보다 구체적인 설명은 후술한다. 무선 주파수 발생기(110)는 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전원의 제어가 가능한 무선 주파수 발생기를 사용하여 구성할 수도 있다.The primary windings P1, P2, P3 of the multiple loop cores C1, C2, C3 are connected in parallel to the current balancing circuit 200, and the current supplied from the power supply 100 is the current balancing circuit 200. Through the current balance to the primary windings (P1, P2, P3) of the multiple loop core (C1, C2, C3) is distributed and supplied. Therefore, a more uniform high density plasma is generated in the vacuum chamber 300 by the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3. A more detailed description of the current balancing circuit will be described later. The radio frequency generator 110 may be configured using a radio frequency generator capable of controlling the output power without a separate impedance matcher.

진공 챔버(300)의 내부에는 피처리 기판(W)이 놓이는 기판 지지대(330)가 구비된다. 피처리 기판(W)은 예를 들어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판이다. 진공 챔버(300)는 가스 공급원(310)에 연결되어 공정 가스를 공급 받는다. 진공 챔버(300)는 진공 펌프(315)에 연결되어 진공 챔버(300)의 공정 처리 후 가스가 진공 펌프(315)에 의해 배기된다.The substrate support 330 on which the substrate W is placed is provided in the vacuum chamber 300. The substrate W to be processed is, for example, a silicon wafer substrate for producing a semiconductor device or a glass substrate for producing a liquid crystal display or a plasma display. The vacuum chamber 300 is connected to the gas supply source 310 to receive a process gas. The vacuum chamber 300 is connected to the vacuum pump 315 so that the gas is exhausted by the vacuum pump 315 after the process of the vacuum chamber 300.

진공 챔버(300)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 재작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 챔버 바디(301)를 전체적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 재작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다. 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)로부터 전달되는 유도 기전력에 의해 진공 챔버(300)에 에디 전류가 발생되는 것을 막기 위하여 진공 챔버(300)의 필요한 부분에 전기적 절연층이 구비될 수 있다. 진공 챔버(300)의 천정은 전체적으로 평판 구조를 갖지만, 돔형 구조를 가질 수도 있다. 또는 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 다른 어떠한 형태의 구조로 변형이 가능하다.The vacuum chamber 300 is rebuilt from metallic materials such as aluminum, stainless steel, and copper. Or coated metal, for example anodized aluminum or nickel plated aluminum. Or refractory metal. Alternatively, it is possible to rewrite the chamber body 301 entirely with an electrically insulating material such as quartz, ceramic, or other materials suitable for carrying out the intended plasma process. In order to prevent the eddy current from being generated in the vacuum chamber 300 by the induced electromotive force transmitted from the multi-loop core plasma generator 320, an electrical insulation layer may be provided in a required portion of the vacuum chamber 300. The ceiling of the vacuum chamber 300 has a flat plate structure as a whole, but may have a domed structure. Alternatively, it may be modified into any other type of structure for uniform generation of plasma.

도면에는 구체적으로 도시하지 않았으나 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)는 냉각수 공급 채널이 구성된다. 가스 공급원(310)으로부터 서로 다른 종류의 공정 가스가 공급되는 경우에 두 개의 서로 독립된 가스 공급 채널을 통하여 각기 독립적으로 진공 챔버(300)로 공급될 수 있다. 그리고 진공 챔버(300) 내부에는 공정 가스가 균일하게 분포하기 위하여 하나 이상의 가스 분배 격판이 구성될 수 있다. 다중 루프 코어(C1, C2, C3)는 하나의 단일 마그네틱 코어를 사용하고 구성될 수 있으나, 여러 개의 마그네틱 코어 조각을 사용하여 구성할 수도 있다. 여러 개의 마그네틱 코어 조작을 사용하여 구성되는 경우에는 각 조각의 조립면에 절연 물질과 같은 비자성 물질층을 삽입하여 연결 구성할 수 있다.Although not illustrated in detail, the multi-loop core plasma generator 320 is configured with a cooling water supply channel. When different types of process gases are supplied from the gas source 310, they may be independently supplied to the vacuum chamber 300 through two independent gas supply channels. In addition, at least one gas distribution diaphragm may be configured in the vacuum chamber 300 to uniformly distribute the process gas. Multiple loop cores C1, C2, C3 may be configured using one single magnetic core, but may also be configured using multiple magnetic core pieces. In the case of using a plurality of magnetic core operations, a nonmagnetic material layer such as an insulating material may be inserted into the assembly surface of each piece to form a connection.

진공챔버(300), 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320), 다중 루프 코어(C1, C2, C3)는 여러 형태로 실시될 수 있는데 몇 가지 예를 첨부도면 도 2 내지 도 9를 참조하여 설명한다.The vacuum chamber 300, the multi-loop core plasma generator 320, and the multi-loop cores C1, C2, and C3 may be implemented in various forms. Some examples will be described with reference to FIGS. 2 to 9.

도 2는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하여, 일 예에 따른 플라즈마 반응기의 진공 챔버(300)는 하부 챔버(300-1)와 상부 챔버(300-2) 그리고 그 사이에 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)가 구성된다. 하부 챔버(300-1)의 내부에는 기판 지지대(330)와 가스 출구(미도시)가 마련되어 있고, 상부 챔버(300-2)에는 가스 입구(301)가 마련되어 있다.2 is a diagram illustrating an example of a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator. Referring to FIG. 2, the vacuum chamber 300 of the plasma reactor according to an example includes a lower chamber 300-1, an upper chamber 300-2, and a multiple loop core plasma generator 320 therebetween. A substrate support 330 and a gas outlet (not shown) are provided in the lower chamber 300-1, and a gas inlet 301 is provided in the upper chamber 300-2.

도 3은 도 2의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기의 수직 단면도이다. 도 3을 참조하여, 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)는 진공 챔버(300)의 상부를 가로질러 설치되는 다수개의 방전 유도 브리지(322)로 구성된다. 다수개의 방전 유도 브리지(322)는 관형 구조를 갖는다. 다수개의 방전 유도 브리지(322)에는 다중 루프 코어(C1, C2, C3)가 장착된다. 다수개의 방전 유도 브리지(322)는 도체 또는 부도체로 구성될 수 있다. 도체로 구성되는 경우에는 에디 전류가 발생되는 것을 방지하기 위한 절연 영역을 포함하는 것이 바람직하다.3 is a vertical sectional view of the multi-loop core plasma generator of FIG. 2. Referring to FIG. 3, the multi-loop core plasma generator 320 is composed of a plurality of discharge induction bridges 322 installed across the top of the vacuum chamber 300. The plurality of discharge induction bridges 322 has a tubular structure. The plurality of discharge induction bridges 322 are equipped with multiple loop cores C1, C2, C3. The plurality of discharge induction bridges 322 may be composed of a conductor or a non-conductor. In the case of a conductor, it is preferable to include an insulating region for preventing the eddy current from being generated.

다중 루프 코어(C1, C2, C3)는 도 4a에 도시된 바와 같이 각기 독립된 루프를 형성하는 다수개의 마그네틱 코어(C1, C2, C3)를 사용하여 구성할 수 있다. 또는 도 4b에 도시된바와 같이 여러 개의 루프가 이웃하도록 일체화된 마그네틱 코어(C)를 사용하여 구성할 수도 있다. 다중 루프 코어(C1, C2, C3)에는 일차 권선들(P1, P2, P3)이 각기 권선되어 있다. 일차 권선들(P1, P2, P3)은 하나의 루프를 형성하는 마그네틱 코어에 대하여 일 측에만 권선되거나 또는 양측으로 분리되어 권선될 수 있다.The multiple loop cores C1, C2, and C3 may be configured using a plurality of magnetic cores C1, C2, and C3, each forming an independent loop, as shown in FIG. 4A. Alternatively, as shown in FIG. 4B, a magnetic core C integrated with a plurality of loops may be configured. Primary windings P1, P2, and P3 are wound around the multiple loop cores C1, C2, and C3, respectively. The primary windings P1, P2, and P3 may be wound on only one side or separately separated on both sides with respect to the magnetic core forming one loop.

도 5는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기의 다른 예를 보여주는 도면이고, 도 6은 도 5의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 보여주기 위한 분해 사시도이다. 도 5 및 도 6을 참조하여, 다른 예에 따른 플라즈마 반응기의 진공 챔버(300)는 하부 챔버(300-1)와 상부 챔버(300-2) 그리고 그 사이에 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)가 구성된다. 하부 챔버(300-1)의 내부에는 기판 지지대(330)와 가스 출구(미도시)가 마련 되어있고, 상부 챔버(300-2)에는 가스 입구(301)가 마련되어 있다.5 is a diagram illustrating another example of a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator, and FIG. 6 is an exploded perspective view illustrating the multi-loop core plasma generator of FIG. 5. 5 and 6, the vacuum chamber 300 of the plasma reactor according to another example includes a lower loop 300-1, an upper chamber 300-2, and a multiple loop core plasma generator 320 therebetween. It is composed. A substrate support 330 and a gas outlet (not shown) are provided in the lower chamber 300-1, and a gas inlet 301 is provided in the upper chamber 300-2.

도 7은 도 5의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기의 평단면도이다. 도 7을 참조하여, 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)는 플라즈마 발생 플레이트(324)와 에이 탑재되어 다중 루프 코어를 구성하는 다수개의 환형 마그네틱 코어(C1, C2, C3,....Cn)와 이에 권선되는 일차 권선들(P1, P2, P3, ..., Pn)로 구성 된다. 다수개의 환형 마그네틱 코어(C1, C2, C3,....Cn)는 플라즈마 발생 플레이트(324)에 탑재된다. 플라즈마 발생 플레이트(324)는 다수개의 환형 마그네틱 코어(C1, C2, C3,....Cn)의 중공 영역을 따라서 관통된 다수개의 홀(325)이 형성되어 있다. 다수개의 홀(325)과 다수개의 환형 마그네틱 코어(C1, C2, C3,....Cn)는 동일한 개수로 형성되어 하나의 홀에 각기 하나의 환형 마그네틱 코어가 탑재된다. 또는 다수개의 홀(325)이 개수가 다수개의 환형 마그네틱 코어(C1, C2, C3,....Cn)의 개수보다 많아서 환형 마그네틱 코어가 탑재되지 않은 비어 있는 홀들이 있을 수 있다. 플라즈마 발생 플레이트(324)는 도체 또는 부도체로 구성될 수 있다. 도체로 구성되는 경우에는 에디 전류가 발생되는 것을 방지하기 위한 절연 영역을 포함하는 것이 바람직하다.FIG. 7 is a top cross-sectional view of the multi-loop core plasma generator of FIG. 5. Referring to FIG. 7, the multi-loop core plasma generator 320 includes a plurality of annular magnetic cores C1, C2, C3,... Cn mounted on the plasma generating plate 324 to form a multi-loop core. It consists of primary windings (P1, P2, P3, ..., Pn) wound on it. A plurality of annular magnetic cores C1, C2, C3,... Cn are mounted on the plasma generating plate 324. The plasma generating plate 324 has a plurality of holes 325 formed through the hollow regions of the plurality of annular magnetic cores C1, C2, C3,... Cn. The plurality of holes 325 and the plurality of annular magnetic cores C1, C2, C3,... Cn are formed in the same number so that one annular magnetic core is mounted in each hole. Alternatively, since the number of the holes 325 is greater than the number of the plurality of annular magnetic cores C1, C2, C3,... Cn, there may be empty holes in which the annular magnetic core is not mounted. The plasma generating plate 324 may be composed of a conductor or a non-conductor. In the case of a conductor, it is preferable to include an insulating region for preventing the eddy current from being generated.

도 8 및 도 9는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 갖는 플라즈마 반응기의 또 다른 예들을 보여주는 도면이다. 먼저 도 8을 참조하여, 또 다른 예의 플라즈마 반응기는 진공 챔버(300)의 상부에 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)가 구성된다. 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)는 진공 챔버(300)의 상부에 장착되는 다수개의 C 형상의 외부 방전 브리지(326-1, 326-2)와 외부 방전 브리지(326-1, 326-2)에 장착되어 다중 루프 코어를 구성하는 환형 마그네틱 코어(C1, C2)와 일차 권선(P1, P2)으로 구성된다. 외부 방전 브리지(326-1, 326-2)는 도체 또는 부도체로 구성될 수 있다. 도체로 구성되는 경우에는 에디 전류가 발생되는 것을 방지하기 위한 절연 영역을 포함하는 것이 바람직하다. 가스 입구(미도시)는 외부 방전 브리지(326-1, 326-2)에 구성되거나 진공 챔버(300)의 천정이나 측벽에 구성될 수 있다. 가스 출구(미도시)는 진공 챔버(300)의 하단에 구성된다.8 and 9 show still other examples of a plasma reactor having a multi-loop core plasma generator. First, referring to FIG. 8, in another example of the plasma reactor, a multi-loop core plasma generator 320 is configured above the vacuum chamber 300. The multi-loop core plasma generator 320 is connected to a plurality of C-shaped external discharge bridges 326-1 and 326-2 and external discharge bridges 326-1 and 326-2 mounted on the upper portion of the vacuum chamber 300. It consists of annular magnetic cores (C1, C2) and primary windings (P1, P2) mounted to form a multi-loop core. The external discharge bridges 326-1 and 326-2 may be composed of conductors or non-conductors. In the case of a conductor, it is preferable to include an insulating region for preventing the eddy current from being generated. The gas inlet (not shown) may be configured in the external discharge bridges 326-1 and 326-2 or on the ceiling or sidewall of the vacuum chamber 300. A gas outlet (not shown) is configured at the bottom of the vacuum chamber 300.

도 9를 참조하여, 또 다른 예의 플라즈마 반응기는 진공 챔버(300)의 상부에 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)가 구성된다. 이 예에서 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)는 리모트 플라즈마 발생기를 구성하는 다수개의 환형 방전관(327-1, 327-2)과 이에 장착되는 환형 마그네틱 코어(C1, C2)로 구성된다. 환형 마그네틱 코어(C1, C2)에는 각각 일차 권선(P1, P2)이 권선된다. 환형 방전관(327-1, 327-2)은 도체 또는 부도체로 구성될 수 있다. 도체로 구성되는 경우에는 에디 전류가 발생되는 것을 방지하기 위한 절연 영역을 포함하는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 9, in another example plasma reactor, a multi-loop core plasma generator 320 is configured above the vacuum chamber 300. In this example, the multi-loop core plasma generator 320 includes a plurality of annular discharge tubes 327-1 and 327-2 constituting the remote plasma generator and annular magnetic cores C1 and C2 mounted thereon. The primary windings P1 and P2 are wound around the annular magnetic cores C1 and C2, respectively. The annular discharge tubes 327-1 and 327-2 may be formed of conductors or non-conductors. In the case of a conductor, it is preferable to include an insulating region for preventing the eddy current from being generated.

이상의 여러 예들에서 설명된바와 같이 다중 루프 코어 플라즈마 발생기(320)는 여러 형태가 있을 수 있다. 그러나 이들은 모두 다수개의 마그네틱 코어들로 구성되는 다중 루프 코어(C1, C2, C3,..., Cn)와 일차 권선들(P1, P2, P3,...,Pn)을 공통적으로 구비하고 있다. 그럼으로 본 상세한 설명에서 설명되지 않았다고 하더라도 어떠한 임의의 플라즈마 반응기가 다수개의 마그네틱 코어들로 구성되는 다중 루프 코어(C1, C2, C3,..., Cn)와 일차 권선들(P1, P2, P3,...,Pn) 을 갖고 있다면 본 발명의 사상이 실시될 수 있는 플라즈마 반응기로 적합하며 전류 균형 회로(200)와 연결되어 본 발명의 플라즈마 반응기를 구성할 수 있다는 것을 이 분야의 기술자들은 잘 알 수 있을 것이다.As described in the above examples, the multi-loop core plasma generator 320 may have various forms. However, they all have a common multiple loop core (C1, C2, C3, ..., Cn) consisting of a plurality of magnetic cores and primary windings (P1, P2, P3, ..., Pn) . Thus, although not described in this description, any arbitrary plasma reactor consists of multiple loop cores (C1, C2, C3, ..., Cn) and primary windings (P1, P2, P3) consisting of a plurality of magnetic cores. It is well known to those skilled in the art that if the present invention has a Pn), it is suitable as a plasma reactor in which the idea of the present invention can be implemented and can be connected to the current balancing circuit 200 to constitute the plasma reactor of the present invention. You will know.

한편, 도 1을 다시 참조하여, 기판 지지대(330)는 바이어스 전원 공급원(340)에 연결되어 바이어스 된다. 예를 들어, 서로 다른 무선 주파수 전원을 공급하는 두 개의 전원 공급원(341, 342)이 임피던스 정합기(343)를 통하여 기판 지지대(330)에 전기적으로 연결되어 바이어스 된다. 기판 지지대(330)의 이중 바이어스 구조는 진공 챔버(300)의 내부에 플라즈마 발생을 더욱 용이하게 하고, 피처리 기판(W)의 표면에서 플라즈마 이온 에너지 조절을 더욱 개선시켜 공정 생산력을 더욱 향상 시킬 수 있다. 또는 단일 전원 공급원에 의해서 단일 바이어스되는 구조로 변형 실시할 수도 있다. 또한, 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는 기판 지지대(330)는 바이어스 전원의 공급 없이 제로 포텐셜(zero potential)을 갖는 구조로 변형 실시될 수도 있다. 본 발명의 플라즈마 반응기는 고밀도의 플라즈마를 발생하는 구조에서 바이어스의 공급 없이도 피처리 기판(W)에 대한 플라즈마 처리가 가능하다.Meanwhile, referring back to FIG. 1, the substrate support 330 is connected to the bias power supply 340 and biased. For example, two power sources 341 and 342 supplying different radio frequency powers are electrically connected and biased to the substrate support 330 through the impedance matcher 343. The dual bias structure of the substrate support 330 further facilitates plasma generation inside the vacuum chamber 300 and further improves plasma ion energy control on the surface of the substrate W to further improve process productivity. have. Alternatively, the present invention may be modified into a single biased structure by a single power supply. In addition, in the inductively coupled plasma reactor of the present invention, the substrate support 330 may be modified to have a structure having a zero potential without supplying bias power. In the plasma reactor according to the present invention, plasma processing on the substrate W can be performed without supplying a bias in a structure that generates a high-density plasma.

도 10 내지 도 12는 전류 균형 회로의 일 실시예와 변형예들을 보여주는 도면이다. 먼저, 도 10을 참조하여, 전류 균형 회로(200)는 직렬로 연결된 동일한 용량의 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)를 갖는 전류 균형 분배기(210)로 구성된다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)는 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)과 동일한 개수로 구성되며, 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 일차측은 접지와 무선 주파수 입력단(RFin)(임피던스 정합기(120)의 출력단) 사이에 직렬로 연결되고, 이차측은 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 양단에 각각 연결된다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)는 접지와 무선 주파수 입력단(RFin) 사이의 전압을 균등하게 분할하여 분할된 다수의 분할된 전압(Vo_1, Vo_2, Vo_n)을 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 출력한다.10 to 12 show one embodiment and modifications of the current balancing circuit. First, referring to FIG. 10, the current balancing circuit 200 is composed of a current balance divider 210 having a plurality of transformers 211, 212, 213 of the same capacity connected in series. The plurality of transformers 211, 212, and 213 are configured in the same number as the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3, and the primary sides of the plurality of transformers 211, 212, and 213 are grounded and a radio frequency input terminal RFin. ) Is connected in series between the output stages of the impedance matcher 120, and the secondary side is connected to both ends of the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3, respectively. The plurality of transformers 211, 212, and 213 equally divide the voltage between the ground and the radio frequency input terminal RFin to divide the divided voltages Vo_1, Vo_2, and Vo_n into the plurality of plasma generation units G1, Output to G2, G3).

복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 일차측으로 흐르는 전류는 동일함으로 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전력도 동일하게 된다. 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3) 중에서 어느 하나의 임피던스가 변화되어 전류량의 변화가 발생되면 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)가 전체적으로 상호 작용하여 전류 균형을 이루게 된다. 그럼으로 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전류는 상호 균일하게 지속적인 자동 조절이 이루어진다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)는 각기 일차측과 이차측의 권선비율이 기본적으로 1:1로 설정되어 있으나 이는 변경이 가능하다.Since the currents flowing to the primary sides of the plurality of transformers 211, 212, and 213 are the same, the power supplied to the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3 is also the same. When the impedance of any one of the plurality of plasma generation units G1, G2, and G3 is changed to change the amount of current, the plurality of transformers 211, 212, and 213 may interact with each other to achieve a current balance. Thus, the currents supplied to the plurality of plasma generating units G1, G2, G3 are continuously and automatically adjusted uniformly. Although a plurality of transformers 211, 212, and 213 have winding ratios of primary and secondary sides of 1: 1 respectively, this can be changed.

도면에는 미도시 되었으나, 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)는 과도전압이 발생되는 것을 방지하기 위한 보호회로를 포함할 수 있다. 보호회로는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213) 중 어느 하나가 전기적으로 오픈 상태로 되어 해당 트랜스포머에 과도전압이 증가되는 것을 방지한다. 이러한 기능의 보호회로는 바람직하게는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 각각의 일차측 양단에 바리스터(Varistor)를 연결하여 구현할 수 있으며, 또는 제너다이오드(Zener Diode)와 같은 정전압 다이오드를 사용하여 구현할 수 있다.Although not shown in the drawing, the plurality of transformers 211, 212, and 213 may include a protection circuit for preventing a transient voltage from occurring. The protection circuit prevents an increase in the transient voltage of the transformer due to any one of the plurality of transformers 211, 212, and 213 being electrically open. The protection circuit of this function is preferably implemented by connecting a varistor to both ends of each of the plurality of transformers 211, 212 and 213, or using a constant voltage diode such as a Zener diode. Can be implemented.

도 11을 참조하여, 일 변형예에 따른 전류 균형 분배기(210a)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)와 멀티탭 스위칭 회로(214, 215, 216)를 구비한다. 멀티탭 스위칭 회로(214, 215, 216)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측에 구성되는 멀티탭과 멀티탭 사이에서 스위칭 동작하여 권선비를 조절하는 스위치를 포함하여 구성된다. 멀티탭 스위칭 회로(214, 215, 216)의 각각의 스위치는 대응된 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 일단에 전기적으로 연결된다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측의 일단과 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 일단은 공통으로 연결된다.Referring to FIG. 11, the current balance divider 210a includes a plurality of transformers 211, 212, and 213 and a multi-tap switching circuit 214, 215, and 216. The multi-tap switching circuit 214, 215, 216 includes a switch for controlling the turns ratio by switching between the multi-tap and the multi-tap configured on the secondary side of the plurality of transformers 211, 212, 213. Each switch of the multi-tap switching circuits 214, 215, 216 is electrically connected to one end of the corresponding plasma generating units G1, G2, G3. One end of the secondary side of the plurality of transformers 211, 212, and 213 and one end of the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3 are commonly connected.

멀티탭 스위칭 회로(214, 215, 216)의 스위치를 제어하여 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측 권선비를 개별적으로 또는 연동하여 제어 할 수 있다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측 권선비를 개별적으로 또는 연동하여 조절함으로서 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전압 레벨(Vo_1, Vo_2, Vo_n)을 개별적으로 서로 다르게 또는 연동하여 가변적으로 조절할 수 있다. 그럼으로 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)에 의해 발생되는 플라즈마의 밀도와 이온 에너지를 필요에 따라 부분적으로 제어할 수 있다.By controlling the switches of the multi-tap switching circuits 214, 215, and 216, the secondary winding ratios of the plurality of transformers 211, 212, and 213 may be controlled individually or in conjunction with each other. By adjusting the secondary winding ratios of the plurality of transformers 211, 212, and 213 individually or in conjunction with each other, the voltage levels Vo_1, Vo_2, and Vo_n supplied to the plurality of plasma generation units G1, G2, and G3 are individually separated from each other. Can be adjusted differently or in conjunction. Therefore, the density and ion energy of the plasma generated by the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3 can be partially controlled as necessary.

도 12를 참조하여, 다른 변형예의 전류 균형 분배기(210b)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)와 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)를 구비한다. 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측에 구성되며 접지에 연결되는 중간 탭, 중간 탭의 양측으로 구성되는 멀티탭, 그리고 양측의 멀티탭 사이에서 각기 스위칭 동작하여 권선비를 조절하는 두 개의 스위치를 포함하여 구성된다. 두 개의 스위치 중 하나의 스위치는 해당되는 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 일단에 전기적으로 연결되고, 다른 하나의 스위치는 타단에 연결된다.Referring to FIG. 12, another variation of the current balance divider 210b includes a plurality of transformers 211, 212, 213 and a multi-tap switching circuit 217, 218, 219. The multi-tap switching circuits 217, 218, and 219 are configured on the secondary side of the plurality of transformers 211, 212, and 213, respectively, between the middle tap connected to the ground, the multi tap consisting of both sides of the middle tap, and the multi taps on both sides. It consists of two switches that adjust the turns ratio by switching operation. One of the two switches is electrically connected to one end of the corresponding plasma generation unit G1, G2, G3, and the other switch is connected to the other end.

이와 같은 전류 균형 회로(200b)에서 복수개의 트랜스포머(207, 208, 209)의 이차측은 각기 접지로 연결되는 중간 탭을 기준으로 상단의 스위치를 통하여 정전압(Vop_1, Vop_2, Vop_n)을 하단의 스위치를 통하여 부전압(Von_1, Von_2, Von_n)을 각각 출력한다. 각각의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측에서 출력되는 정전압(Vop_1, Vop_2, Vop_n)과 부전압(Von_1, Von_2, Von_n)의 전압 레벨은 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)의 스위칭 동작에 따라 제어된다.In the current balancing circuit 200b, the secondary side of the plurality of transformers 207, 208, and 209 transfers the constant voltages (Vop_1, Vop_2, and Vop_n) to the lower switch based on the middle tap connected to the ground, respectively. Through the negative voltage (Von_1, Von_2, Von_n) is output through. The voltage levels of the constant voltages (Vop_1, Vop_2, Vop_n) and the negative voltages (Von_1, Von_2, Von_n) output from the secondary side of each transformer (211, 212, 213) are switched by the multi-tap switching circuit (217, 218, 219). It is controlled according to the operation.

도 13 및 도 14는 전류 균형 회로의 다른 실시예와 변형예를 보여주는 도면이다. 도 13을 참조하여, 다른 실시예의 전류 균형 회로(200)는 전류 가변기(227)와 전류 균형 분배기(220)를 포함하여 구성된다. 전류 가변기(227)는 가변 인덕터로 구성될 수 있으며, 가변 인덕터의 일단은 무선 주파수 입력단(RFin)(임피던스 정합기(120)의 출력단)에 타단은 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)에 공통으로 연결된다. 전류 균형 분배기(220)는 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)에 각각 연결되는 복수개의 유도 코일(221, 222, 223)과 복수개의 유도 코일(221, 222, 223)이 공통으로 권선되는 마그네틱 코어(214)로 구성된다. 복수개의 유도 코일(221, 222, 223)들은 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)과 일대일로 대응되게 연결되며, 다른 일단은 접지된다. 복수개의 유도 코일(221, 222, 223)은 기본적으로 동일한 권선수를 갖는다. 그러나 플라즈마 반응기의 구조적 특징 등에 따라서 권선수를 서로 다르게 하는 것도 가능하다.13 and 14 show other embodiments and modifications of the current balancing circuit. Referring to FIG. 13, the current balancing circuit 200 of another embodiment includes a current variable 227 and a current balance divider 220. The current variable unit 227 may be configured as a variable inductor, and one end of the variable inductor has a plurality of plasma generating units G1, G2, and G3 at the other end of the RF inlet (RFin) (the output end of the impedance matcher 120). ) Are commonly connected. In the current balance divider 220, a plurality of induction coils 221, 222, and 223 and a plurality of induction coils 221, 222, and 223 respectively connected to the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3 are wound in common. Consisting of a magnetic core 214. The plurality of induction coils 221, 222, and 223 are connected in one-to-one correspondence with the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3, and the other end is grounded. The plurality of induction coils 221, 222, and 223 basically have the same number of turns. However, it is also possible to vary the number of turns depending on the structural characteristics of the plasma reactor.

전류 가변기(227)는 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전체 전류량을 제어한다. 전류 균형 분배기(220)는 복수개의 유도 코일(221, 222, 223)들의 상호 작용에 의해 각각의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 입력되는 전류량이 서로 균형을 이루도록 자동적으로 제어된다.The current variable 227 controls the total amount of current supplied to the plurality of plasma generating units G1, G2, G3. The current balance divider 220 is automatically controlled to balance the amount of current input to each plasma generating unit G1, G2, G3 by the interaction of the plurality of induction coils 221, 222, 223.

전류 균형 분배기(220)는 복수개의 유도 코일(221, 222, 223)들 각각에 구성되는 멀티탭과 스위치를 포함한 멀티탭 스위칭 회로(224, 225, 226)가 구성될 수 있다. 멀티탭 스위칭 회로(224, 225, 226)를 이용하여 복수개의 유도 코일(221, 222, 223)의 권선비를 개별적으로 또는 전체적으로 가변 할 수 있다. 전류 가변 기(227)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 접지와 전류 균형 분배기(220) 사이에 구성될 수 있다. 도 15에 도시된 바와 같이, 전류 가변기(227a)는 가변 콘덴서로 구성할 수도 있다.The current balance divider 220 may include a multi-tap switching circuit 224, 225, 226 including a power strip and a switch configured in each of the plurality of induction coils 221, 222, and 223. The turns ratios of the plurality of induction coils 221, 222, and 223 may be individually or globally changed using the multi-tap switching circuits 224, 225, and 226. Current variable 227 may be configured between ground and current balance divider 220, as shown in FIG. 14. As shown in FIG. 15, the current variable 227a may be configured as a variable capacitor.

도 16은 전류 균형 회로의 또 다른 실시예를 보여주는 회로도이다. 도면을 참조하여, 또 다른 변형예의 전류 균형 회로(200)는 파워 트랜스포머(240)와 전류 균형 분배기(210)로 구성된다. 파워 트랜스포머(240)는 무선 주파수 입력단(RFin)에 일차측이 연결되어 무선 주파수를 입력 받아 이차측에서 정전압(V_p)과 부전압(V_n)을 출력한다. 전류 균형 분배기(210)는 정전압(V_p)을 인가받아서 다수의 전압들로 분할하며, 분할된 전압(Vo_1, Vo_2, Vo_n)을 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 일단으로 각기 인가한다. 파워 트랜스포머(240)의 부전압(V_n)은 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 타단에 공통으로 인가된다. 이때, 전류 균형 분배기(210)는 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 입력되는 전류 값들이 서로 균형을 이루도록 자동적으로 전류량을 분배 조절한다.16 is a circuit diagram showing another embodiment of the current balancing circuit. Referring to the drawings, another variation of the current balancing circuit 200 is composed of a power transformer 240 and a current balancing divider 210. The power transformer 240 has a primary side connected to a radio frequency input terminal RFin, receives a radio frequency, and outputs a constant voltage V_p and a negative voltage V_n at the secondary side. The current balance divider 210 receives the constant voltage V_p and divides the voltage into a plurality of voltages, and applies the divided voltages Vo_1, Vo_2, and Vo_n to one end of the plurality of plasma generation units G1, G2, and G3, respectively. do. The negative voltage V_n of the power transformer 240 is commonly applied to the other ends of the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3. In this case, the current balance divider 210 automatically adjusts and distributes the amount of current so that the current values input to the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3 are balanced with each other.

도 17은 도 16의 전류 균형 회로의 상세 회로도이다. 도면을 참조하여, 파워 트랜스포머(240)의 일차측은 일단이 무선 주파수 입력단(RFin)에 연결되고, 타단이 접지에 접속된다. 파워 트랜스포머(240)의 이차측은 접지에 전기적으로 연결된 중간 탭(241)을 갖는다. 그럼으로 이차측의 일단은 정전압(V_p)을 출력하고, 타단은 부전압(V_n)을 출력하게 된다. 중간 탭(241)의 위치에 따라 정전압(V_p)과 부전압(V_n)의 비율이 결정된다. 예를 들어, 정전압(V_p)과 부전압(V_n)의 비율은 1:2가 되도록 중간 탭(241)을 구성 할 수 있는데, 이 경우 전류 균형 분배기(210)는 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)을 구동하기 위한 전체 전력 용량의 1/3 정도의 전력 용량 범위에서 전류 균형을 수행한다.17 is a detailed circuit diagram of the current balancing circuit of FIG. 16. Referring to the figure, one end of the power transformer 240 is connected to a radio frequency input (RFin), the other end is connected to ground. The secondary side of power transformer 240 has an intermediate tab 241 electrically connected to ground. Therefore, one end of the secondary side outputs the constant voltage V_p and the other end outputs the negative voltage V_n. The ratio of the constant voltage V_p and the negative voltage V_n is determined according to the position of the intermediate tap 241. For example, the intermediate tap 241 may be configured such that the ratio of the constant voltage V_p and the negative voltage V_n is 1: 2. In this case, the current balance divider 210 includes a plurality of plasma generating units G1, The current balance is performed in a power capacity range of about one third of the total power capacity for driving G2 and G3).

전류 균형 분배기(210)는 이미 도 10에서 설명한 바와 같이 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)에 각기 대응되는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)를 구비한다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)는 각기 일차측과 이차측의 권선비율이 기본적으로 1:1로 설정되어 있으나 이는 변경이 가능하다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 각 일차측은 파워 트랜스포머(240)의 이차측의 일단과 접지 사이에 직렬로 연결되고, 각 이차측의 일단은 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)에 대응되어 각기 연결되고 타단은 접지로 연결된다.As described above with reference to FIG. 10, the current balance divider 210 includes a plurality of transformers 211, 212, and 213 respectively corresponding to the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3. Although a plurality of transformers 211, 212, and 213 have winding ratios of primary and secondary sides of 1: 1 respectively, this can be changed. Each primary side of the plurality of transformers 211, 212, 213 is connected in series between one end of the secondary side of the power transformer 240 and ground, and one end of each secondary side has a plurality of plasma generating units G1, G2, G3. Are connected to each other and the other end is connected to ground.

전류 균형 분배기(220)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)에 의해 정전압(V_p)을 균등하게 전압 분할하며, 분할된 전압(Vo_1, Vo_2, Vo_n)을 다수의 플라 즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 입력한다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 일차측이 직렬로 연결되어 있어서 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3) 중에서 어느 하나의 임피던스가 변화되어 전류량의 변화가 발생되면 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)가 전체적으로 상호 작용하여 자동적으로 전류 균형을 이루게 된다. 상술했던바와 같이, 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)는 과도전압이 발생되는 것을 방지하기 위한 보호회로를 포함할 수 있다.The current balance divider 220 equally divides the constant voltage V_p by the plurality of transformers 211, 212, and 213, and divides the divided voltages Vo_1, Vo_2, and Vo_n into a plurality of plasma generation units G1, G2, G3). When the primary sides of the plurality of transformers 211, 212, and 213 are connected in series and the impedance of any one of the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3 is changed to change the amount of current, the plurality of transformers 211 is generated. , 212, 213 interact as a whole to automatically balance the current. As described above, the plurality of transformers 211, 212, and 213 may include a protection circuit for preventing a transient voltage from occurring.

도 18은 도 16의 전류 균형 분배기의 변형예를 보여주는 도면이다. 도면을 참조하여, 변형예에 따른 전류 균형 분배기(210c)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측에 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)를 더 구비한다. 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측에 연결되는 멀티탭과 멀티탭의 어느 하나를 접지로 연결시키는 스위치로 구성된다.18 is a view showing a modification of the current balance divider of FIG. Referring to the drawings, the current balance divider 210c according to the modification further includes a multi-tap switching circuit 217, 218, 219 on the secondary side of the plurality of transformers 211, 212, 213. The multi-tap switching circuits 217, 218, and 219 are configured of a switch connected to a second side of the plurality of transformers 211, 212, and 213 and one of the power strips to a ground.

복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 이차측으로 유도되어 출력되는 분할 전압들(Vo_1, Vo_2, Vo_n)은 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)의 스위칭 상태에 따라 서로 다른 전압 레벨로 조절된다. 이에 따라 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 전달되는 전력은 전체적으로 낮게 또는 높게 조절되며, 부분적으로도 낮게 또는 높게 조절될 수 있다.The divided voltages Vo_1, Vo_2, and Vo_n induced and output to the secondary side of the plurality of transformers 211, 212, and 213 are adjusted to different voltage levels according to the switching states of the multi-tap switching circuits 217, 218, and 219. . Accordingly, the power delivered to the plurality of plasma generating units G1, G2, G3 may be adjusted to be low or high as a whole, and may be adjusted to be low or high in part.

도 19a 내지 도 19c는 파워 트랜스포머의 변형예들을 보여주는 회로도이다. 19A through 19C are circuit diagrams illustrating modifications of a power transformer.

먼저, 도 19a를 참조하여, 일 변형예에 따른 파워 트랜스포머(240a)의 이차측은 분리된 두 개의 권선(222-1, 222-2)으로 구성된다. 이 두 개의 권선(242, 243) 중 하나의 권선(242)은 일단으로 정전압(V_p)을 출력하고 타단은 접지로 접속되며, 다른 하나의 권선(243)은 일단이 접지로 접속되며 타단으로 부전압(V_n)을 출력한다.First, referring to FIG. 19A, the secondary side of the power transformer 240a according to one modification is composed of two separate windings 222-1 and 222-2. One of the two windings 242 and 243 outputs a constant voltage V_p to one end and the other end is connected to ground, and the other winding 243 is connected to the other end and connected to the other end. Output the voltage V_n.

도 19b를 참조하여, 다른 변형예에 따른 파워 트랜스포머(240b)는 이차측에 멀티탭 스위칭 회로(245)를 구비한다. 멀티-탭 스위칭 회로(245)는 파워 트랜스포머(240b)는 이차측에 구성되는 멀티탭과 멀티탭 중 어느 하나는 접지로 연결시키는 스위치로 구성된다. 파워 트랜스포머(240b)는 멀티-탭 스위칭 회로(245)의 스위칭 상태에 따라서 정전압(V_p)과 부전압(V_n)의 비율이 가변된다.Referring to FIG. 19B, a power transformer 240b according to another modification includes a multi-tap switching circuit 245 on the secondary side. In the multi-tap switching circuit 245, the power transformer 240b is configured as a switch for connecting one of the multi-tap and the multi-tap configured on the secondary side to ground. In the power transformer 240b, the ratio of the constant voltage V_p and the negative voltage V_n varies according to the switching state of the multi-tap switching circuit 245.

도 19c를 참조하여, 또 다른 변형예에 따른 파워 트랜스포머(240c)는 이차측은 중간 탭(241)을 기준으로 양측으로 구성되는 제1 및 제2 멀티탭 스위칭 회로(246, 247)를 구비한다. 제1 멀티탭 스위칭 회로(246)는 스위칭 상태에 따라 가변된 정전압(Vp)을 출력하고, 제2 멀티탭 스위칭 회로(247)도 스위칭 상태에 따라 가변된 부전압(Vn)을 출력한다. 따라서 제1 및 제2 멀티탭 스위칭 회로(245, 246)의 스위칭에 따라 정전압(V_p)과 부전압(V_n)의 비율 및 각각의 전압 레벨이 가변된다.Referring to FIG. 19C, a power transformer 240c according to another modified example includes first and second multi-tap switching circuits 246 and 247 configured on both sides of the secondary side with respect to the intermediate tap 241. The first multi-tap switching circuit 246 outputs a constant voltage Vp that varies according to the switching state, and the second multi-tap switching circuit 247 also outputs a negative voltage Vn that varies according to the switching state. Accordingly, the ratio of the constant voltage V_p and the negative voltage V_n and the respective voltage levels vary according to the switching of the first and second multi-tap switching circuits 245 and 246.

도 20은 전류 균형 회로의 또 다른 변형예를 보여주는 회로도이다. 도면을 참조하여, 또 다른 변형예의 전류 균형 회로(200d)는 파워 트랜스포머(240d)와 전류 균형 분배기(210d)를 포함한다. 파워 트랜스포머(240d)의 일차측은 일단이 무선 주파수 입력단(RFin)에 연결되고, 타단이 접지에 접속된다. 파워 트랜스포머(240d)의 이차측(22)은 접지에 전기적으로 연결된 중간 탭(241)을 갖는다. 그럼 으로 이차측(22)의 일단은 정전압(V_p)을 출력하고, 타단은 부전압(V_n)을 출력하게 된다. 또한, 중간탭(241)과 정전압 출력단 사이에 구성되는 멀티탭과 멀티탭 중 어느 하나와 연결되는 스위치를 포함하는 멀티탭 스위칭 회로(248)가 구비된다.20 is a circuit diagram showing another modified example of the current balancing circuit. Referring to the drawings, another variation of the current balancing circuit 200d includes a power transformer 240d and a current balancing divider 210d. The primary side of the power transformer 240d has one end connected to a radio frequency input terminal RFin and the other end connected to ground. Secondary side 22 of power transformer 240d has an intermediate tab 241 electrically connected to ground. Therefore, one end of the secondary side 22 outputs the constant voltage V_p, and the other end outputs the negative voltage V_n. In addition, a multi-tap switching circuit 248 including a switch connected to any one of the multi-tap and the multi-tap configured between the intermediate tap 241 and the constant voltage output terminal is provided.

전류 균형 분배기(210d)의 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)는 각 일차측은 파워 트랜스포머(240)의 정전압(V_p) 출력단과 멀티-탭 스위칭 회로(248)의 스위치 사이에 직렬로 연결된다. 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 각 이차측의 일단은 대응되는 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 일단에 연결되고, 각 이차측의 타단은 멀티탭 스위칭 회로(248)의 스위치에 연결된다.The plurality of transformers 211, 212, 213 of the current balance divider 210d are connected in series between a primary voltage output terminal of the power transformer 240 and a switch of the multi-tap switching circuit 248 on each primary side. One end of each secondary side of the plurality of transformers 211, 212, 213 is connected to one end of a corresponding plurality of plasma generating units G1, G2, G3, and the other end of each secondary side of the multi-tap switching circuit 248. Connected to the switch.

이와 같이 구성된 전류 균형 분배기(210d)는 복수개의 트랜스포머(211, 212, 213)의 일차측에 인가되는 전압 레벨은 기본적으로 접지 전압 레벨보다 높으며 멀티탭 스위칭 회로(248)의 스위칭 상태에 따라서 가변 된다. 그럼으로 전류 균형 분배기(210d)는 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)의 전류 불균형을 커버할 수 있는 최소의 전력 범위 내에서 전류 균형 조절이 이루어 질 수 있도록 한다. 상기 멀티탭 스위칭 회로(248)는 고정탭으로 대치될 수 있다.In the current balance divider 210d configured as described above, the voltage level applied to the primary sides of the plurality of transformers 211, 212, and 213 is basically higher than the ground voltage level and varies according to the switching state of the multi-tap switching circuit 248. Thus, the current balance divider 210d allows the current balance adjustment to be made within a minimum power range that can cover the current imbalance of the plurality of plasma generating units G1, G2, G3. The multi-tap switching circuit 248 may be replaced with a fixed tap.

도 21은 전류 균형 회로를 제어하기 위한 제어 회로 구성을 보여주는 블록도이다. 도면을 참조하여, 전류 균형 회로(200)는 제어부(350)에 의해서 제어된다. 제어부(350)는 중앙 처리 장치, 메모리 장치, 제어 프로그램을 포함하는 컴퓨터 시스템으로 구성될 수 있다. 제어부(350)는 사용자 제어, 공정 조건 데이터, 플라즈마 상태 모니터링 회로(352)가 검출하는 플라즈마 상태 값에 따라서 전류 균형 회로(200)의 제어를 수행한다. 플라즈마 상태 모니터링 회로(352)는 플라즈마 상태 를 감지하기 위한 하나 이상의 센서(354)를 이용하여 플라즈마 상태를 감지한다.21 is a block diagram showing a control circuit configuration for controlling a current balancing circuit. Referring to the drawings, the current balancing circuit 200 is controlled by the controller 350. The controller 350 may be configured as a computer system including a central processing unit, a memory device, and a control program. The controller 350 controls the current balancing circuit 200 according to the user control, the process condition data, and the plasma state value detected by the plasma state monitoring circuit 352. The plasma state monitoring circuit 352 detects the plasma state using one or more sensors 354 for detecting the plasma state.

예를 들어, 도 11을 참조하여, 제어부(350)는 전류 균형 분배기(210a)에 구비되는 멀티탭 스위칭 회로(214, 215, 216)의 스위칭 상태를 제어하여 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전력을 가변적으로 제어할 수 있다. 도 12를 참조하여, 전류 균형 분배기(210b)에 구비되는 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)의 스위칭 상태를 제어하여 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전력을 가변적으로 제어할 수 있다.For example, referring to FIG. 11, the controller 350 controls the switching states of the multi-tap switching circuits 214, 215, and 216 provided in the current balance divider 210a to control a plurality of plasma generating units G1, G2, and the like. The power supplied to G3) can be controlled variably. 12, the power supplied to the plurality of plasma generation units G1, G2, and G3 is variably controlled by controlling the switching states of the multi-tap switching circuits 217, 218, and 219 included in the current balance divider 210b. Can be controlled.

도 13 및 도 14를 참조하여, 제어부(350)는 전류 균형 분배기(220)의 멀티탭 스위칭 회로(224, 225, 227)와 전류 가변기(227)를 제어하여 각각 독립적으로 제어하여 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전력을 전체적 또는 부분적으로 가변 제어할 수 있다.13 and 14, the controller 350 controls the multi-tap switching circuits 224, 225, and 227 and the current variable 227 of the current balance divider 220 to independently control each other to generate a plurality of plasmas. The power supplied to the units G1, G2, G3 can be controlled in whole or in part.

도 18을 참조하여, 제어부(350)는 전류 균형 분배기(210c)의 멀티탭 스위칭 회로(217, 218, 219)를 제어하여 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 가변적으로 제어할 수 있다. 도 19b, 도 19c 및, 도 20을 참조하여, 제어부(350)는 파워 트랜스포머(240b)(240c)(240d)에 구비되는 멀티탭 스위칭 회로(245)(246, 247)(248)를 제어하여 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전력을 전체적으로 가변되게 제어할 수 있다.Referring to FIG. 18, the controller 350 may control the multi-tap switching circuits 217, 218, and 219 of the current balance divider 210c to variably control the power supply to the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3. Can be. Referring to FIGS. 19B, 19C, and 20, the controller 350 controls a plurality of power strip switching circuits 245, 246, 247, and 248 provided in the power transformers 240b, 240c, and 240d. The power supplied to the plasma generating units G1, G2, and G3 can be controlled to be changed as a whole.

그리고 파워 트랜스포머(240)와 전류 균형 분배기(210)에 각각 멀티탭 스위칭 회로가 각기 구비되는 경우에도, 제어부(350)는 각각의 멀티탭 스위칭 회로를 제어하여 다수의 플라즈마 발생 유닛(G1, G2, G3)로 공급되는 전력을 전체적 또는 부분적으로 가변 제어할 수 있다.In addition, even when the power transformer 240 and the current balance divider 210 are each provided with a multi-tap switching circuit, the control unit 350 controls each of the multi-tap switching circuits to control the plurality of plasma generating units G1, G2, and G3. The power supplied to the controller can be controlled in whole or in part.

이상의 상술한 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기에 구성되는 전류 균형 회에 구성되는 멀티탭 스위칭 회로들은 기계적인 멀티-탭 스위치로 구성하는 것도 가능하지만, 바람직하게는 반도체 스위치 소자(예를 들어, 전계효과트랜지스터 등)를 사용하여 구현 하는 것이 바람직하다.The above-described multi-tap switching circuits configured in the current balance circuit configured in the inductively coupled plasma reactor of the present invention may be configured as mechanical multi-tap switches, but are preferably semiconductor switch elements (eg, field effect transistors). Etc.).

본 발명에 따른 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The plasma reactor with a multi-loop core plasma generator according to the present invention can be variously modified and can take various forms. It is to be understood, however, that the present invention is not limited to the specific forms referred to in the above description, but rather includes all modifications, equivalents and substitutions within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It should be understood to do.

상술한 바와 같은 본 발명의 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기에 의하면, 다중 루프 코어와 일차 권선을 포함하는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기를 구비한 플라즈마 반응기에 있어서 다중 루프 코어의 일차 권선으로 공급되는 전류의 균형을 조절하여 대면적의 균일한 고밀도 플라즈마를 얻을 수 있다.According to the plasma reactor with a multi-loop core plasma generator of the present invention as described above, in the plasma reactor with a multi-loop core plasma generator including a multi-loop core and the primary winding is supplied to the primary winding of the multi-loop core By adjusting the current balance, a large area uniform high density plasma can be obtained.

Claims (18)

다중 루프 코어와 일차 권선들을 포함하는 다중 루프 코어 플라즈마 발생기;A multi loop core plasma generator comprising a multi loop core and primary windings; 상기 일차 권선들에 전류를 공급하기 위한 전원 공급원;A power supply for supplying current to the primary windings; 전원 공급원으로부터 공급되는 전류를 다중 루프 코어의 일차 권선들로 전류 균형을 이루며 분배 공급하는 전류 균형 회로;A current balancing circuit which distributes and distributes the current supplied from the power supply to the primary windings of the multiple loop core; 다중 루프 코어 플라즈마 발생기에 의해 발생된 플라즈마 가스에 의해 처리될 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대; 및A substrate support on which a substrate to be processed to be processed by the plasma gas generated by the multi-loop core plasma generator is placed; And 상기 기판 지지대로 바이어스 전원을 공급하는 바이어스 전원 공급원을 포함하는 플라즈마 반응기.And a bias power supply for supplying bias power to the substrate support. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 균형 회로는 다중 루프 코어에 각기 대응하는 복수개의 트랜스포머를 갖는 전류 균형 분배기를 포함하고,The current balancing circuit includes a current balance divider having a plurality of transformers, each corresponding to a multiple loop core, 복수개의 트랜스포머는 일차측이 전원 공급원에 연결된 무선 주파수 입력단과 접지 사이에 직렬로 연결되고, 이차측이 대응된 다중 루프 코어의 일차 권선에 연결되어서; 무선 주파수 입력단과 접지 사이의 전압을 분할하고; 분할된 다수의 분할된 전압을 각기 대응된 다중 루프 코어의 일차 권선으로 공급하는 플라즈마 반응기.The plurality of transformers are connected in series between a radio frequency input terminal whose primary side is connected to a power source and ground, and the secondary side is connected to a primary winding of a corresponding multi-loop core; Divide the voltage between the radio frequency input and ground; A plasma reactor for supplying a plurality of divided voltages to the primary winding of the corresponding multiple loop core. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 전류 균형 분배기는 복수개의 트랜스포머의 이차측의 권선비를 가변시키기 위한 가변 수단을 포함하는 플라즈마 반응기.Wherein said current balance divider comprises variable means for varying the turns ratio on the secondary side of the plurality of transformers. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 전류 균형 분배기는 복수개의 트랜스포머의 이차측에 구성되며 접지로 연결되는 중간탭을 포함하는 플라즈마 반응기.Wherein the current balance distributor comprises an intermediate tap configured on a secondary side of the plurality of transformers and connected to ground. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 균형 회로는 다중 루프 코어의 일차 권선들로 공급되는 전류를 전체적으로 가변 제어하기 위한 전류 가변기; 및 다중 루프 코어의 일차 권선들로 공급되는 각각의 전류가 균형을 이루도록 하는 전류 균형 분배기를 함하고,The current balancing circuit includes a current varyer for variably controlling the current supplied to the primary windings of the multiple loop core; And a current balance divider for balancing each current supplied to the primary windings of the multiple loop core, 전류 균형 분배기는 다중 루프 코어의 일차 권선들에 연결되는 복수개의 유도 코일; 및 복수개의 유도 코일이 공통으로 권선되는 마그네틱 코어를 포함하는 플라즈마 반응기.The current balance divider includes a plurality of induction coils connected to the primary windings of the multiple loop core; And a magnetic core to which a plurality of induction coils are commonly wound. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 복수개의 유도 코일들의 권선수를 가변시키는 가변 수단을 포함하는 플라즈마 반응기.And plasma variable means for varying the number of turns of the plurality of induction coils. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전류 균형 회로는 전원 공급원에 연결되는 파워 트랜스포머; 및The current balancing circuit includes a power transformer connected to a power supply; And 파워 트랜스포머의 이차측 전압을 인가받아서 다수의 전압들로 분할하고, 분할된 전압을 다중 루프 코어의 일차 권선들의 일단으로 각기 인가하되 각 다중 루프 코어의 일차 권선들로 입력되는 전류 값들이 서로 균형을 이루도록 전류량을 분배하는 전류 균형 분배기를 포함하는 플라즈마 반응기.The secondary voltage of the power transformer is applied and divided into a plurality of voltages, and the divided voltages are respectively applied to one end of the primary windings of the multiple loop core, and the current values inputted to the primary windings of each multiple loop core are balanced with each other. And a current balance distributor for distributing the amount of current to achieve. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 파워 트랜스포머는 이차측에 접지된 중간탭을 갖고 정전압(V_p)과 부전압(V_n)을 출력하며; 전류 균형 회로는 파워 트랜스포머의 정전압을 인가받아서 다수의 전압들로 분할하여 다중 루프 코어의 일차 권선들의 일단으로 입력하고; 파워 트랜스포머의 부전압은 다중 루프 코어의 일차 권선들의 타단에 공통으로 인가되는 플라즈마 반응기.The power transformer has a middle tap grounded on a secondary side and outputs a constant voltage V_p and a negative voltage V_n; The current balancing circuit receives the constant voltage of the power transformer and divides it into a plurality of voltages and inputs them to one end of the primary windings of the multiple loop core; The negative voltage of the power transformer is commonly applied to the other end of the primary windings of the multiple loop core. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 전류 균형 분배기는 다중 루프 코어의 일차 권선들과 각기 대응되는 복수개의 트랜스포머를 포함하고,The current balance divider includes a plurality of transformers respectively corresponding to the primary windings of the multi-loop core, 복수개의 트랜스포머는 일차측이 파워 트랜스포머의 이차측과 접지 사이에 직렬로 연결되고, 이차측이 대응된 다중 루프 코어의 일차 권선들에 연결되어; 파워 트랜스포머의 이차측과 접지 사이의 전압을 분할하고; 분할된 다수의 분할된 전압을 각기 대응된 다중 루프 코어의 일차 권선들로 공급하는 플라즈마 반응기.The plurality of transformers have a primary side connected in series between the secondary side of the power transformer and ground, and the secondary side connected to primary windings of the corresponding multi-loop core; Divide the voltage between the secondary side of the power transformer and ground; A plasma reactor for supplying a plurality of divided voltages to the primary windings of the corresponding multiple loop cores, respectively. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 전류 균형 분배기는 복수개의 트랜스포머의 이차측의 권선비를 가변시키기 위한 가변 수단을 포함하는 플라즈마 반응기.Wherein said current balance divider comprises variable means for varying the turns ratio on the secondary side of the plurality of transformers. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 파워 트랜스포머의 정전압과 부전압의 비율을 가변시기키 위한 가변 수단을 포함하는 플라즈마 반응기.And variable means for varying the ratio of the constant voltage and the negative voltage of the power transformer. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 파워 트랜스포머의 정전압과 부전압의 비율과 각각의 전압 레벨을 가변시키기 위한 가변 수단을 포함하는 플라즈마 반응기.And variable means for varying the ratio of the constant voltage and the negative voltage of the power transformer and respective voltage levels. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 파워 트랜스포머는 이차측에 구성되며 접지된 중간탭; 중간탭과 정전압 출력단 사이에 구성되는 멀티탭과 멀티탭의 어느 하나를 전류 균형 분배기로 연결되도록 스위칭 동작하는 스위치를 갖는 멀티탭 스위칭 회로를 포함하고,The power transformer is configured on the secondary side and grounded intermediate tap; A multi-tap switching circuit having a switch operable to switch any one of the multi-tap and the multi-tap configured between the intermediate tap and the constant voltage output stage to a current balance divider, 상기 전류 균형 분배기는 파워 트랜스포머의 정전압 출력단과 멀티탭 스위칭 회로의 스위치 사이의 전압을 분할하여 다중 루프 코어의 일차 권선들의 일단으로 각기 인가하는 플라즈마 반응기.And the current balance divider divides the voltage between the constant voltage output of the power transformer and the switch of the multi-tap switching circuit and applies each to one end of the primary windings of the multi-loop core. 제2항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 13, 상기 전류 균형 분배기는 과도전압이 발생되는 것을 방지하기 위한 보호회로를 포함하는 플라즈마 반응기.The current balance divider includes a protection circuit for preventing a transient voltage is generated. 제2항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 13, 전류 균형 회로를 제어하여 다중 루프 코어의 일차 권선들로 공급되는 전력을 가변 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 반응기.And a control unit for controlling the current balancing circuit to variably control the power supplied to the primary windings of the multi-loop core. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제어부는 사용자 제어 입력, 공정 조건 데이터, 플라즈마 상태를 검출하는 플라즈마 상태 모니터링 회로로 부터 제공되는 플라즈마 상태 검출 값 중에서 적어도 어느 하나에 기초하여 전류 균형 회로를 제어하는 플라즈마 반응기.And the control unit controls the current balancing circuit based on at least one of a user control input, process condition data, and a plasma state detection value provided from a plasma state monitoring circuit for detecting a plasma state. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 바이어스 전원 공급원은 단일 바이어스 또는 이중 바이어스 중 어느 하나의 바이어스 구조를 갖는 플라즈마 반응기.Wherein said bias power source has a bias structure of either a single bias or a double bias. 삭제delete
KR1020060123186A 2006-12-06 2006-12-06 Plasma reactor having multi loop core plasma generator KR100845891B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060123186A KR100845891B1 (en) 2006-12-06 2006-12-06 Plasma reactor having multi loop core plasma generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060123186A KR100845891B1 (en) 2006-12-06 2006-12-06 Plasma reactor having multi loop core plasma generator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080051669A KR20080051669A (en) 2008-06-11
KR100845891B1 true KR100845891B1 (en) 2008-07-16

Family

ID=39806628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060123186A KR100845891B1 (en) 2006-12-06 2006-12-06 Plasma reactor having multi loop core plasma generator

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100845891B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220045752A (en) 2020-10-06 2022-04-13 한국생산기술연구원 Dual plasma jet generating system

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101533684B1 (en) * 2008-11-28 2015-07-07 위순임 Compound plasma reactor
KR101119471B1 (en) * 2010-05-31 2012-02-22 주식회사 뉴파워 프라즈마 Power feeding device for multi divided electrode set
KR101507953B1 (en) * 2013-04-25 2015-04-07 피에스케이 주식회사 Apparatus for generating plasma using electromagnetic field applicator and apparatus for treating substrate comprising the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392351B1 (en) * 1999-05-03 2002-05-21 Evgeny V. Shun'ko Inductive RF plasma source with external discharge bridge
KR20060086197A (en) * 2005-01-26 2006-07-31 주식회사 뉴파워 프라즈마 System and method for driving multi-lamp

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392351B1 (en) * 1999-05-03 2002-05-21 Evgeny V. Shun'ko Inductive RF plasma source with external discharge bridge
KR20060086197A (en) * 2005-01-26 2006-07-31 주식회사 뉴파워 프라즈마 System and method for driving multi-lamp

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220045752A (en) 2020-10-06 2022-04-13 한국생산기술연구원 Dual plasma jet generating system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080051669A (en) 2008-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5808697B2 (en) Dry etching apparatus and dry etching method
KR101870917B1 (en) Plasma processing apparatus
US20170372870A1 (en) Inductive Plasma Source
KR100979186B1 (en) Capacitively coupled plasma reactor
US7190119B2 (en) Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system
KR100886240B1 (en) Inductively coupled plasma reactor with multi antenna and multi antenna driving system
KR101870791B1 (en) Plasma processing apparatus
KR101873485B1 (en) Plasma processing apparatus
KR101463934B1 (en) Compound plasma reactor
US20070245963A1 (en) Inductively Coupled Plasma Reactor with Multiple Magnetic Cores
KR20010041846A (en) Distributed inductively-coupled plasma source
US20070017446A1 (en) Apparatus to treat a substrate
KR20080024693A (en) Large area inductive coupled plasma reactor
KR100845891B1 (en) Plasma reactor having multi loop core plasma generator
KR100845912B1 (en) Multi loop core plasma generator and plasma reactor having the same
KR100806522B1 (en) Inductively coupled plasma reactor
KR101167952B1 (en) Plasma reactor for generating large size plasma
KR101585893B1 (en) Compound plasma reactor
KR101682881B1 (en) An plasma generating module and plasma processing apparatus comprising the same
KR101236206B1 (en) Inductively coupled plasma reactor for generating high density uniform plasma
KR100743842B1 (en) Plasma reactor having plasma chamber coupled with magnetic flux channel
KR101475502B1 (en) Plasma reactor having multi discharging tube
KR20020067810A (en) Direct Inductance Controller for Coaxial Parallel ICP Antenna
KR20090071037A (en) Inductively coupled plasma reactor with multi laser scanning line
KR20100100226A (en) Compound plasma reactor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130708

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140709

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150702

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160705

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170703

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190702

Year of fee payment: 12