KR100841861B1 - 씨모스이미지센서의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
마이크로렌즈 형성 이전에 알루미늄 패드부의 노출된 부분을 산화시켜 일정두께의 알루미늄 옥사이드 층을 형성함으로써 현상액에 의한 손상을 줄이고, 금속 배선 연결의 신뢰성을 향상시켜 궁극적으로는 조립된 제품의 신뢰성 문제를 예방할 수 있는 하기 위해 는 효과를 갖는 씨모스이미지센서의 제조 방법이 개시된다.
이를 위해 본 발명은 포토다이오드가 형성된 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계와 층간절연막의 표면 상에 금속배선을 형성하는 단계와 금속배선 상에 보호막을 형성하는 단계와 금속배선을 연결할수 있도록 패드로 노출시키는 단계와 보호막의 상에 컬러필터를 형성하는 단계와 노출된 금속 패드를 플라즈마로 처리하는 단계 및 컬러필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
마이크로렌즈, 씨모스이미지센서, 산화, 컬러필터, 패드
Description
도 1은 종래기술에 따른 씨모스 이미지센서(CIS)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 씨모스 이미지센서의 제조 방법을 도시한 공정 단면도.
도 3a는 종래기술에 의한 패드부의 원소 분석 결과.
도 3b는 본 발명에 의한 패드부의 원소 분석 결과.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
21 : 반도체 기판 22 : 필드산화막
23 : 포토다이오드 24 : 층간절연막
25 : 금속배선 26 : 보호막
27 : 컬러필터 28 : 마이크로렌즈
29 : 알루미늄 옥사이드
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 씨모스 이미지센서(CMOS Image Sensor; CIS) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체장치로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device; CCD)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이동되는 소자이며, 씨모스이미지센서(CIS)는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소(pixel)수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 이미지센서는 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부분 상부에 컬러 필터가 배열되어 있으며, 컬러필터어레이(Color Filter Array; CFA)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 컬러로 이루어질 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 씨모스이미지센서(CIS)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(11) 상에 제어와 신호처리를 위한 회로 및 포토다이오드 구동을 위한 트랜지스터 등의 관련소자(도시 생략)를 형성한다. 여기서, 포토다이오드(13)만 도시하기로 하며, 포토다이오드(13) 형성전에 소자간 분리를 위한 필드산화막(12)을 형성해준다. 다음으로, 반 도체 기판(11) 상부에 층간절연막(14)을 형성한 후, 층간절연막(14) 상에 금속배선(15)을 형성한다. 이때, 금속배선(15)은 다층 구조로 형성하는데, 여기서는 최종 상부의 금속배선으로 도시한다. 다음으로, 금속배선(15)이 완료된 반도체 기판(11)의 전면에 보호막(16)을 형성한후 평탄화시킨다. 이어서, 금속 배선 중 패드부에 씨모스이미지센서 공정 후 금속 배선을 연결하기 위한 패드부분을 식각해서 노출시켜준다. 그리고 보호막(16) 상에 컬러이미지구현을 위한 3가지 색의 컬러필터(17 RGB)를 형성하는 컬러필터어레이(Color Filter Array; CFA) 공정을 진행한다. 이때, 컬러필터(17, RGB)는 감광막으로 형성한다. 다음으로, 컬러필터(17, RGB) 상부에 각 컬러필터에 상응하는 마이크로렌즈(18)를 형성한다. 이때, 마이크로렌즈(18)는 감광막으로 형성한다.
그러나, 마이크로렌즈(18)는 감광막으로 그 두께가 6000~12000Å에 달하는 매우 두껍게 형성된다. 이러한 마이크로렌즈(18)형성 시 현상액을 이용한 패턴 공정을 진행하게 되는데 마이크로렌즈(18)가 두껍게 형성되므로, 현상액의 농도 또한 매우 높다. 이런 농도가 높은 현상액으로 인해 노출된 금속 배선을 위한 알루미늄 패드가 식각되어 손상된다. 이러한 손상은 금속배선 연결시 그 결합력을 저하시켜 나아가서는 신뢰성 저하 문제를 유발하기도 한다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 마이크로렌즈 형성 이전에 알루미늄 패드부의 노출된 부분을 산화시켜 일정두께의 알루미늄 옥사이드 층을 형성함으로써 현상액에 의한 손상를 줄이고, 금속 배선 연결의 신뢰성을 향상시켜 궁극적으로는 조립된 제품의 신뢰성 문제를 예방하는 씨모스이미지센서의 제조 방법를 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 패드가 형성되는 패드부와 컬러필터가 형성되는 화소부를 포함하는 씨모스이미지센서 제조방법은 포토다이오드가 형성된 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간절연막의 표면 상에 금속배선을 형성하는 단계와, 상기 금속배선 상에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 금속배선중, 상기 패드부에 형성된 금속배선인 상기 패드를 외부로 노출시키는 단계와, 상기 화소부에 형성된 상기 보호막의 상부에 상기 컬러필터를 형성하는 단계와, 상기 패드부에서 노출된 상기 패드를 산소가 포함된 산소 플라즈마로 처리하는 단계 및 상기 컬러필터의 상부에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 할 수 있다.
상기 산소 플라즈마는 질소, 아르곤, 헬륨 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성된 플라즈마를 포함할 수도 있다.
상기 노출된 금속 패드를 산화시키는 단계는 금속 패드 및 웨이퍼 전체에 실시할 수 있다.
상기 패드는 알루미늄으로 이루어지며,상기 패드부의 노출된 상기 패드를 산소가 포함된 산소 플라즈마로 처리하는 단계에서는 상기 패드를 상기 산소 플라즈마로 처리하여 상기 패드에 산화알루미늄(Al2O3)이 형성될 수 있다.
상기 패드부의 노출된 상기 패드를 산소가 포함된 산소 플라즈마로 처리하는 단계는 10℃ 내지 40℃ 온도범위에서 이루어지는 것이 바람직하다.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 씨모스이미지센서 및 그의 제조 방법은 마 이크로렌즈 형성 이전에 알루미늄 패드부의 노출된 부분을 산화시켜 일정두께의 알루미늄 옥사이드 층을 형성함으로써 현상액에 의한 손상를 줄이고, 금속 배선 연결의 신뢰성을 향상시켜 궁극적으로는 조립된 제품의 신뢰성 문제를 예방하는 효과가 나타난다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2을 참조하면, 본 발명에 따른 씨모스이미지센서 및 그의 제조 방법가 도시되어 있다.
도 2에서 도시된 바와 같이 씨모스이미지센서 및 그의 제조 방법는 반도체 기판(21) 상에 제어와 신호처리를 위한 회로 및 포토다이오드 구동을 위한 트랜지스터 등의 관련소자(도시 생략)를 형성한다. 여기서, 포토다이오드(23)만 도시하기로 하며, 포토다이오드(23) 형성전에 소자간 분리를 위한 필드산화막(22)을 형성해준다. 다음으로, 반도체 기판(21) 상부에 층간절연막(24)을 형성한 후, 층간절연막(24) 상에 금속배선(25)을 형성한다. 이때, 금속배선(25)은 다층 구조로 형성하는데, 여기서는 최종 상부의 금속배선으로 도시한다. 다음으로, 금속배선(25)이 완료된 반도체 기판(21)의 전면에 보호막(26)을 형성한후 평탄화시킨다. 이어서, 금속 배선 중 패드부에 씨모스이미지센서 공정 후 금속 배선을 연결하기 위한 패드부분을 식각해서 노출시켜준다. 이어서, 보호막(26) 상에 컬러이미지구현을 위한 3가지 색의 컬러필터(27 RGB)를 형성하는 컬러필터어레이(Color Filter Array; CFA) 공정을 진행한다. 이때, 컬러필터(27, RGB)는 감광막으로 형성한다. 이어서 산소(O2) 플라즈마 처리를 하여, 금속 패드 부분을 산화시킨다. 즉, 패드부부인 알루미늄부분중 일부를 산화 알루미늄 혹은 알루미늄 옥사이드층(29)으로 변화시켜 마이크로렌즈(18)형성시 현상액에 의해서 식각이 일어나 손상되는 것을 방지 할수 있다.
산화알루미늄은 내식성과 내마모성이 강하며, 수십 옹스트롬 정도의 두께로 형성될 때에는 패드에 다이 본딩을 실시할 때에도 별도로 이를 제거하지 않을 수 있다.
플라즈마 처리는 기판에 이미 컬러 필터가 형성된 경우에는 유기막으로 포토레지스트의 일종인 컬러 필터가 고온에 의해 손상이 있을 수 있으므로 상온에서 실시하는 것이 바람직하다.
그리고 도 3a 내지 도 3b에서 보는 바와 같이 알루미늄 옥사이드(29)층으로 변화하면서 패드 부의 C, F가 상당히 적게 형성 됨을 알수 있는데, 이는 O2 플라즈마 처리시에 패드부의 C, F 또한 함께 제거됨을 확인할 수 있다. F이 깊을 경우 대기중의 수분과 반응하여 패드를 부식되어, 금속 배선 연결시 불량을 유발할 수 있는데, C, F가 제거되므로 이를 방지 할수도 있다. 그리고, 산소 플라즈마는 산소뿐만 아니라 산소에 더하여 질소(N2), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성된 플라즈마를 사용할 수 있다. 본 공정은 상온(25℃)에서 이루어지며 이는 이미 형성된 컬러필터(27, RGB)를 보호할 수 있다. 다음으로, 컬러필터(27, RGB) 상부에 각 컬러필터에 상응하는 마이크로렌즈(18)를 형성한다. 이때, 마이크로렌즈(18)는 감광막으로 형성한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 씨모스이미지센서 및 그의 제조 방법는 마이크로렌즈 형성 이전에 알루미늄 패드부의 노출된 부분을 산화시켜 일정두께의 알루미늄 옥사이드 층을 형성함으로써 현상액에 의한 손상를 줄이고, 금속 배선 연결의 신뢰성을 향상시켜 궁극적으로는 조립된 제품의 신뢰성 문제를 예방하는 효과가 나타난다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 씨모스이미지센서 및 그의 제조 방법를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
Claims (4)
- 패드가 형성되는 패드부와 컬러필터가 형성되는 화소부를 포함하는 씨모스이미지센서의 제조방법에 있어서,포토다이오드가 형성된 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막의 표면 상에 금속배선을 형성하는 단계;상기 금속배선 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 금속배선중, 상기 패드부에 형성된 금속배선인 상기 패드를 외부로 노출시키는 단계;상기 화소부에 형성된 상기 보호막의 상부에 상기 컬러필터를 형성하는 단계;상기 패드부에서 노출된 상기 패드를 산소가 포함된 산소 플라즈마로 처리하는 단계; 및상기 컬러필터의 상부에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 씨모스이미지센서의 제조 방법.
- 청구항 1 항에 있어서,상기 산소 플라즈마는 질소, 아르곤, 헬륨 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성된 플라즈마를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스이미지센서의 제조 방법.
- 청구항 1 항에 있어서,상기 패드는 알루미늄으로 이루어지며,상기 패드부의 노출된 상기 패드를 산소가 포함된 산소 플라즈마로 처리하는 단계에서는 상기 패드를 상기 산소 플라즈마로 처리하여 상기 패드에 산화알루미늄(Al2O3)이 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스이미지센서의 제조 방법.
- 청구항 3 항에 있어서,상기 패드부의 노출된 상기 패드를 산소가 포함된 산소 플라즈마로 처리하는 단계는 10℃ 내지 40℃ 온도범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 씨모스이미지센서의 제조 방법.
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040000878A (ko) * | 2002-06-26 | 2004-01-07 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서의 금속 패드 산화 방지방법 |
| KR100489351B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-08-03 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 평탄화 공정이 적용된 보호막을 갖는 이미지센서 제조방법 |
| KR100640981B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100685894B1 (ko) | 2005-06-27 | 2007-02-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100720477B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100731137B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
-
2006
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489351B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-08-03 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 평탄화 공정이 적용된 보호막을 갖는 이미지센서 제조방법 |
| KR20040000878A (ko) * | 2002-06-26 | 2004-01-07 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서의 금속 패드 산화 방지방법 |
| KR100685894B1 (ko) | 2005-06-27 | 2007-02-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100640981B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100720477B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100731137B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
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