KR100829821B1 - Method of depositing thin film - Google Patents

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Abstract

박막 증착 방법을 개시한다. It discloses a thin film forming method. 본 발명에 따른 박막 증착 방법은, 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클(cycle)을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드(pumping speed)를 서로 다르게 조절하는 것을 특징으로 한다. Film deposition method according to the present invention is a method for at least in a first cycle (cycle) comprising a source supplying step and the purge step of the longitudinal repeated at least once: depositing a thin film, and performing film deposition during the purge phase with the source supplying step a pump speed (pumping speed) of the reaction chamber which is characterized in that different control each other. 바람직하기로, 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 한다. Preferably, to increase the pumping speed at the time of the purge step than the source supplying step.

Description

박막 증착 방법 {Method of depositing thin film} A film deposition method of depositing thin film} {Method

도 1은 일반적인 원자층 증착 방법(Atomic Layer Deposition : ALD) 장비를 도시한다. Shows a: (ALD Atomic Layer Deposition) equipment 1 is a typical atomic layer deposition method.

도 2는 일반적인 ALD 공정시의 가스 공급 싸이클을 도시한다. Figure 2 illustrates a gas supply cycle at the time of a typical ALD process.

도 3은 일반적인 ALD 공정시의 ALD 장비의 펌핑 스피드(pumping speed)를 도시한다. Figure 3 illustrates a pump speed (pumping speed) of ALD equipment during normal ALD process.

도 4는 본 발명에 따른 박막 증착 방법을 설명하기 위한 가스 공급 싸이클 및 펌핑 스피드 도면이다. Figure 4 is a gas supply cycle and pump speed view illustrating a film deposition method according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 박막 증착 방법의 제1 실시예를 수행하기 위한 ALD 장비의 개략도이다. 5 is a schematic diagram of an ALD equipment for performing a first embodiment of a film deposition method according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 박막 증착 방법의 제2 실시예를 수행하기 위한 ALD 장비의 개략도이다. Figure 6 is a schematic diagram of an ALD equipment for carrying out a second embodiment of a film deposition method according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

230, 330...ALD 장비 110...반응실 230, 330 ... 110 ... equipment ALD reaction chamber

112...웨이퍼 블록 w...기판 112 ... block wafer substrate w ...

114...가스 공급 장치 116...샤워헤드 114 ... gas supply 116 ... showerhead

118...펌프 120, 124...러핑 밸브 118 ... pump 120, 124 ... the roughing valve

123...쓰로틀 밸브 123 ... throttle valve

117, 126, 128...펌핑 라인 129...유량 조절 기구 117, 126, 128 ... 129 ... pumping line flow control mechanism

본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 원자층 증착 방법(Atomic Layer Deposition : ALD)과 같이 소스의 공급과 퍼지를 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a film deposition method and more particularly to an atomic layer deposition method: relates to a film deposition method using a source of supply and purge steps (Atomic Layer Deposition ALD).

ALD는 단차 피복성(step coverage)이 높은 박막 증착 방법으로 잘 알려져 있다. ALD has been known as a high thin film forming method step coverage (step coverage). 그리고 ALD는 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition : CVD)에 비하여 저온 공정이 가능하다는 장점을 가지고 있다. ALD is a deposition method and a chemical vapor: it has the advantage of being a low temperature process can be compared with the (Chemical Vapor Deposition CVD).

도 1은 일반적인 ALD 장비를 도시한다. Figure 1 illustrates a typical ALD equipment.

도 1의 ALD 장비(30)는 박막 증착이 진행되는 반응실(10)과, 반응실(10)로 2종 이상의 소스(금속 전구체 및 반응 가스)와 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 장치(14)를 포함한다. Figure 1 of the ALD equipment 30 includes a gas supply 14 for supplying the purge gas and the reaction chamber 10 and a reaction chamber two or more of a 10 source (metal precursor and reaction gas) which is a thin film deposition proceeds It includes. 가스 공급 장치(14)로부터 공급되는 소스 및 퍼지 가스는, 반응실(10) 내부 상부에 설치된 샤워헤드(16)를 통해 분사된다. Source supplied from the gas supply 14 and a purge gas is injected through the reaction chamber 10, a shower head 16 is installed inside the upper. 반응실(10) 내의 웨이퍼 블럭(12) 상에는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판(w)이 안착되어 이 위에 박막이 증착된다. A substrate (w), such as a silicon wafer on the wafer block (12) in the reaction chamber 10 is a mounting is a thin film is deposited on. 반응실(10)은 펌핑 라인(17)에 구비된 펌프(18)를 통해 내부 가스가 펌핑되며, 펌핑을 조정하기 위해 러핑 밸브(roughing valve)(20), 쓰로틀 밸브(throttle valve)(22) 등이 장착되어 있다. The reaction chamber 10 is inside the gas is pumped through a pump 18 provided in the pump line 17, the roughing valve (roughing valve) (20), throttle valve (throttle valve) to adjust the pump 22 and the like are mounted. 펌프(18) 후단의 라인은 배기 라인 이라 지칭한다. Line of the pump (18) rear end is referred to as the exhaust line.

이와 같은 ALD 장비(30)를 이용하여 박막을 증착하는 경우의 일반적인 증착 방법은 도 2에 도시한 바와 같은 가스 공급 싸이클에 따른다. In general in the case of deposition, such as depositing a film using the ALD equipment 30 method in accordance with gas supply cycle as shown in Fig.

도 1 및 도 2를 참조하여, 먼저 반응실(10) 내에 제1 소스를 공급하여 기판(w) 상에 제1 소스의 화학적, 물리적 흡착층을 형성한다. Reference to Figure 1 and 2, will first form a first chemical, physical adsorption layer of the first source on a substrate (w) to supply a first source in a reaction chamber (10). 그런 다음, 반응실(10) 내에 퍼지 가스를 공급하여 반응실(10) 내에 잔류하는 제1 소스 및 물리적 흡착된 제1 소스를 퍼지한다. Then, with the purge gas supplied into the reaction chamber 10 is purged of the first source and physically adsorbed first source remaining in the reaction chamber 10. 계속하여, 반응실(10) 내에 제2 소스를 공급하여 제1 소스의 화학적 흡착층과 반응시키고, 다시 반응실(10) 내에 퍼지 가스를 공급하여 반응실(10) 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지한다. Subsequently, the reaction chamber (10) in the feed to the second source is reacted with the chemical adsorption layer of the first source, second source remaining in the reaction chamber 10 by the purge gas in the back reaction chamber 10, the supply and and purging the reaction by-products. 이와 같은 제1 소스 공급 단계, 제1 소스 퍼지 단계, 제2 소스 공급 단계 및 제2 소스 퍼지 단계로 이루어지는 1 싸이클을 1회 이상 반복하여 원하는 두께의 박막을 증착하게 된다. The repetition of the first source supply step, a first source purge step, the second source supply step and the one cycle consisting of a second source purge step one or more times to thereby deposit a thin film of a desired thickness.

이와 같은 공정을 진행하는 동안 러핑 밸브(20), 쓰로틀 밸브(22) 및 펌프(18)를 이용한 반응실(10)의 펌핑 스피드(pumping speed)는 도 3에 도시한 바와 같이 항상 일정하게 유지된다. During such a process, the pumping speed (pumping speed) of the roughing valve 20, throttle valve 22 and the reaction chamber 10 using the pump 18 is kept constant as shown in Fig. 3 . 러핑 밸브(20)는 일반적으로 노말리 오픈(normally open) 상태이고 쓰로틀 밸브(22)는 압력 게이지(미도시)와 연결되어 있어 셋팅 압력 또는 셋팅 위치(밸브 개방 %)로 항시 유지되기 때문이다. The roughing valve 20 is that typically a normally open (normally open) state and the throttle valve 22 is at all times maintained at a pressure gauge (not shown) is associated with setting the pressure or the set position (the valve-opening%). 이에 따라 종래에는, 반응실(10)의 압력은 공정 진행 동안 일정하게 유지되어 다양한 소스 공급 단계 및 퍼지 단계들에 대해 공정 적용이 한정된다는 한계를 가지고 있다. Accordingly, the pressure in the prior art, the reaction chamber 10 is kept constant during the progress process has the limitation that the process subject to the limitation for various source supply step and the purge step.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 ALD와 같이 소스의 공급과 퍼지를 이용한 박막 증착 방법에 있어서, 공정 진행 동안 다양한 소스 공급 단계 및 퍼지 단계들에 대해 공정 적용이 유연한 박막 증착 방법을 제공하는 것이다. The present invention is to a process for applying in the film deposition method using the feed and the purge of the source, a variety of sources, the feed step and the purge step for the process proceeds as in the ALD provides a flexible thin film forming method.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 방법은, 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 서로 다르게 조절하는 것을 특징으로 한다. Film deposition method according to the invention for an aspect is a method for depositing a thin film to at least repeated source supplying step of the first species and the cycle includes a purge step at least once, the purge step with the source supplying step when it characterized by differently adjusting the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition.

상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 서로 다르게 조절하기 위해서는, 상기 반응실의 펌핑 라인을 컨덕턴스(conductance)가 다른 2개의 라인으로 구성하고 각각에 밸브를 장착하여 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 각 라인을 선택적으로 밸브 개방(open) 및 폐쇄(close)하여 사용할 수 있다. In order during the purge phase with the source supply stage to regulate differently the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition, the configuration of the pumping line of the reaction chamber conductance (conductance) in two different line equipped with a valve to each by each line during the purge phase with the source supplying step can be selectively used to open the valve (open) and closed (close). 그리고, 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계 중 어느 하나의 진행시에만 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입함으로써 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 감소시키는 방법에 의할 수도 있다. And may only when any one of the proceeding of the purge phase with the source supplying step by introducing an inert gas into the reaction chamber to the pumping line of the method for reducing the relative speed of the pump inside the reaction chamber. 뿐만 아니라, 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입하되, 유입되는 상기 불활성 가스의 양을 서로 달리하여 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 조절하여도 된다. Not only that, but the inlet of the inert gas during the purge phase with the source supplying step into the pumping line of the reactor chamber, by varying the amount of the inert gas flowing into one another is also possible to adjust the relative speed of the pump inside the reaction chamber.

바람직하기로, 상기 소스 공급 단계보다 상기 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 한다. Preferably, to increase the pumping speed at the time of the purge step than the source supplying step.

이를 위해서는, 상기 반응실의 펌핑 라인을, 제1 러핑 밸브(roughing valve)가 장착된 제1 펌핑 라인 및 상기 제1 러핑 밸브의 전단에서 상기 제1 펌핑 라인으로부터 분기되고 상기 제1 러핑 밸브의 후단에서 상기 제1 펌핑 라인과 만나며 제2 러핑 밸브가 장착되고 상기 제1 펌핑 라인보다 직경이 큰 제2 펌핑 라인으로 구성하고, 상기 소스 공급 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 개방하고 제2 러핑 밸브는 폐쇄하며 상기 퍼지 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 폐쇄하고 제2 러핑 밸브는 개방한다. To this end, the pumping line of the reaction chamber, the first roughing valve (roughing valve) equipped with a first pump line and at the front end of the first roughing valve is branched from the first pump line downstream of the first roughing valve in the first, meet the pumping line is equipped with a second roughing valve wherein the first diameter is greater than the pumping line of claim and composed of two pumping line, said source supplying step of the first roughing valve is opened and the second roughing valve closing said first roughing valve during the purge step is closed and the second roughing valves are open. 이러한 방법 대신에, 상기 제1 러핑 밸브는 항시 개방하고 상기 소스 공급 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 폐쇄하고 상기 퍼지 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 개방할 수도 있다. Instead of this method, the first roughing valve may always open and close the second roughing valve when said source supplying step and to open the second roughing valve during the purge step.

상기 소스 공급 단계보다 상기 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하기 위한 다른 방법으로는, 상기 반응실의 펌핑 라인을, 제1 러핑 밸브와 쓰로틀 밸브(throttle valve)가 장착된 제1 펌핑 라인 및 상기 제1 러핑 밸브의 전단에서 상기 제1 펌핑 라인으로부터 분기되고 상기 쓰로틀 밸브의 후단에서 상기 제1 펌핑 라인과 만나며 제2 러핑 밸브가 장착된 제2 펌핑 라인으로 구성하고, 상기 제1 펌핑 라인과 제2 펌핑 라인의 직경은 동일하게 하고 상기 쓰로틀 밸브의 직경은 상기 제1 펌핑 라인의 직경보다 작게 하며, 상기 소스 공급 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 개방하고 제2 러핑 밸브는 폐쇄하며 상기 퍼지 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 폐쇄하고 제2 러핑 밸브는 개방하는 방법에 의할 수도 있다. Alternatively, to increase the pumping speed at the time of the purge step than the source supply step, the pumping line of the reaction chamber, the first roughing valve and a throttle valve first pumping line and the second equipped with a (throttle valve) one roughing shear the first is branched from the first pumping line, meet on the downstream side of the throttle valve and the first pump line a second roughing valve is equipped with a second configuration with the pumping lines, the first pumping line from the valve to the second the diameter of the diameter of the pumping line and in the same manner the throttle valve are the first, and smaller than the diameter of the pumping line, it said source supplying step of the first roughing valve is opened and the second roughing valve is closed, and wherein during the purge step a first roughing valve is closed and the second roughing valve may be in the way of opening. 이 경우에도 상기 제1 러핑 밸브는 항시 개방하고 상기 소스 공급 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 폐쇄하고 상기 퍼지 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 개방할 수 있다. Also in this case, the first roughing valve is always open and close the second valve when the roughing stage and the supply source during the purge step to open the second roughing valve.

상기 소스 공급 단계보다 상기 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하기 위한 또 다른 방법으로는, 상기 소스 공급 단계 진행시에만 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입함으로써 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 감소시키는 방법이 있다. Another method to increase the pumping speed at the time of the purge step than the source supply step, the relative pumping speed of the inside of the reaction chamber by said source supply step only when the progress flowing an inert gas into the pumping line of the reaction chamber a method of reduction. 상기 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입하면 상기 반응실 내에서의 압력이 상승하므로 불활성 가스를 유입하지 않을 시보다 상대적으로 상기 반응실 내의 상대적인 펌핑 스피드가 감소하게 되는 것이다. When introducing an inert gas into the pumping line it will be raised to the pressure in the reaction chamber, because the time signal is not flowing the inert gas is relatively reduced relative pumping speed in the reaction chamber. 그리고, 이 때는 상기 펌핑 라인에 쓰로틀 밸브를 장착하고 이를 일정한 셋팅 위치로 고정하는 것이 바람직하다. Then, when it is desirable to mount and secure it at a predetermined setting position of the throttle valve in the pumping line.

여기서, 상기 소스 공급 단계 진행시에만 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입하는 대신에, 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입하되, 상기 퍼지 단계시보다 상기 소스 공급 단계시 상기 불활성 가스를 많은 양 유입하여 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 감소시키는 방법을 이용할 수도 있다. Here, instead of the source supply step only when the progress flowing an inert gas into the pumping line of the reaction chamber, but introducing an inert gas into the pumping line of the source supply step of the purge stage the reaction chamber, than when the purge step It may be subject to the inert gas supply source during the step amount flows use a method for reducing the relative speed of the pump inside the reaction chamber.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 하고자 한다. Reference to the accompanying drawings in more detail and to the present invention. 다음에 설명되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. Examples are described in the following can be modified in many different forms, but the scope of the present invention is not limited to the embodiments set forth herein. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. Embodiments of the present invention are provided to more fully illustrate the present invention to those having ordinary skill in the art. 본 발명의 실시예를 설명하는 도면에 있어서, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. In view illustrating an embodiment of the invention, the same reference numerals on the drawings refer to like elements.

도 4는 본 발명에 따른 박막 증착 방법을 설명하기 위한 가스 공급 싸이클 및 펌핑 스피드 도면이다. Figure 4 is a gas supply cycle and pump speed view illustrating a film deposition method according to the present invention.

본 도면에서는 ALD 방법으로 박막을 증착하는 경우를 예로 들어 설명하지만, 본 발명이 ALD에 한정되는 것은 아니고, 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법이라면 제한 없이 적용될 수 있다. This figure describes a case of depositing a thin film by an ALD process for example, but the present invention is not limited to ALD, depositing a thin film by a cycle including a source feed step and the purge step at least one kind of repeating at least once If the method can be applied without restriction. 예를 들어, ALD와 유사한 방식으로 진행하지만 단원자층으로 증착하는 것이 아니라 다원자층으로 증착하게 되는 SLD(Sequencing Layer Deposition), CVD의 변형인 싸이클릭(cyclic)-CVD 등에도 적용될 수 있다. For example, it can be applied proceeding in a manner similar to the section ALD but it is not that the SLD (Sequencing Layer Deposition), CVD of a cyclic strain is deposited by atomic layer deposition to jacheung (cyclic) -CVD the like.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 박막 증착 방법에서는 먼저 박막 증착을 수행하는 반응실 내에 제1 소스를 공급하여 기판 상에 제1 소스의 화학적, 물리적 흡착층을 형성한다. 4, in the thin film forming method according to the invention by first supplying a first source in a reaction chamber to perform film deposition to form a chemical, physical adsorption layer of the first source on the substrate. 그런 다음, 반응실 내에 퍼지 가스를 공급하여 반응실 내에 잔류하는 제1 소스 및 물리적 흡착된 제1 소스를 퍼지한다. Then, with the purge gas supplied into the reaction chamber is purged for the first source and physically adsorbed first source remaining in the reaction chamber. 계속하여, 반응실 내에 제2 소스를 공급하여 제1 소스의 화학적 흡착층과 반응시키고, 반응실 내에 퍼지 가스를 공급하여 반응실 내에 잔류하는 제2 소스 및 반응 부산물을 퍼지한다. Continuously supplying a second source in a reaction chamber to the reaction and the chemical adsorption layer of the first source, and purging the second source and reaction by-products remaining in the reaction chamber by a purge gas supplied into the reaction chamber. 이와 같은 제1 소스 공급 단계, 제1 소스 퍼지 단계, 제2 소스 공급 단계 및 제2 소스 퍼지 단계로 이루어지는 1 싸이클을 1회 이상 반복하여 원하는 두께의 박막을 증착한다. The repetition of the first source supply step, a first source purge step, the second source supply step and the one cycle consisting of a second source purge steps at least once to deposit a thin film to a desired thickness.

그리고, 이와 같은 공정을 진행하는 동안, 제1 및 제2 소스 공급 단계와 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시 반응실의 펌핑 스피드를 서로 다르게 조절한다. And, on the other during the same process, the first and second different control the pumping speed of the reaction chamber, a source supply step and the first and second source purge step. 바람직하기로는 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 소스 공급 단계시의 펌핑 스피드(a)보다 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시의 펌핑 스피드(b)를 크게 한다(a < b). Preferably and as shown, the first and increasing the second source supply step of the pumping speed (a) than the first and second source pumping speed at the time of the purge step of (b) shown in Figure 4 (a <b) . 이렇게 제1 및 제2 소스 공급 단계시의펌핑 스피드(a)보다 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시의 펌핑 스피드(b)를 크게 하면, 퍼지 스피드를 크게 할 수 있어 전체적인 공정 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다. So the first and second by increasing the pumping speed, (b) at the time of the first and second source purge step than the pumping speed (a) at the time of the source supply step, it is possible to increase the purge speed to shorten the overall processing time that there is an effect. 물론, 제1 및 제2 소스 공급 단계시의 펌핑 스피드를 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시의 펌핑 스피드보다 크게 하는 것도 본 발명의 범위에 포함된다. Of course, the first and also to increase the pumping speed of the second source when the supply level than the pumping speed at the time of the first and second source purge step is included in the scope of the invention.

본 발명에서는 이렇게 하나의 공정 안에서 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 서로 다른 펌핑 스피드를 가지도록 함으로써 공정 진행 동안 다양한 소스 공급 단계 및 퍼지 단계들에 대해 공정 적용이 유연해진다. While the present invention proceeds by the process so that it has a different pumping speed during the purge phase with the source supplying step in the process so it is this process applied to flexible for various source supply step and the purge step. 이하에서는 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 서로 다른 펌핑 스피드를 가지도록 조절하는 본 발명의 실시예들에 대해 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, it will be described in detail for the embodiments of the present invention to control to have a different pumping speed during the purge phase with the source supplying step.

제1 실시예 First Embodiment

도 5는 본 발명에 따른 박막 증착 방법의 제1 실시예를 수행하기 위한 ALD 장비의 개략도이다. 5 is a schematic diagram of an ALD equipment for performing a first embodiment of a film deposition method according to the present invention.

도 5의 ALD 장비(230)는 반응실(110) 내의 웨이퍼 블럭(112) 상에 안착된 실리콘 웨이퍼와 같은 기판(w) 상에 박막을 증착하기 위한 것으로, 박막 증착이 진행되는 반응실(110)과, 반응실(110)로 2종 이상의 소스(금속 전구체 및 반응 가스)와 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 장치(114)를 포함한다. 5 of ALD equipment 230 is a reaction chamber 110 within a wafer block that for depositing a thin film on a substrate (w), such as a silicon wafer mounted on a (112), the reaction being the thin film deposition proceeds chamber (110 ) and, the reaction chamber (including 110) a source of two or more as (a metal precursor and reaction gas), a gas supply for supplying a purge gas and a device (114). 가스 공급 장치(114)로부터 공급되는 소스 및 퍼지 가스는 반응실(110) 내부 상부에 설치된 샤워헤드(116)를 통해 분사된다. A gas supply source and the purge gas supplied from the unit 114 is injected through the shower head 116 is installed in the upper reaction chamber (110).

반응실(110)은 도시된 바와 같이 2개의 펌핑 라인(126, 128)으로 구성되고, 펌프(118)를 통해 내부 가스가 펌핑된다. Reaction chamber 110 is composed of two pumping line (126, 128) As can be seen, the internal gas is pumped via a pump 118. 각 펌핑 라인(126, 128)에는 밸브(120, 123, 124)를 장착하여, 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 각 펌핑 라인(126, 128)을 선택적으로 밸브 개방 및 폐쇄하여 펌핑 스피드를 조절하는 데에 사용한다. Equipped with a valve (120, 123, 124), each pumping line (126, 128), optionally in the valve opening and closing the respective pumping line (126, 128) during the purge phase with the source supplying step to control the pumping speed It is used. 이 때, 밸브(120, 123, 124)는 모터(motor) 구동 및 에어(air) 구동 중 어느 하나의 구동 방법으로 개방 및 폐쇄할 수 있으며, 밸브의 구성에 따라서는 밸브 구동부를 두 개로 두어 하나의 구동부는 상기 구동 방법 중 하나를 이용하고 다른 구동부는 매뉴얼(manual) 방식으로 조절하는 것도 가능하다. At this time, it is possible to open and close the valves (120, 123, 124) includes a motor (motor) driven and the air (air), any one of a driving method of driving, depending on the configuration of the valve is a couple of valve drive unit with two the drive unit it is also possible to use one of the driving method and the other drive is adjusted to the manual (manual) methods.

도 5에 도시한 바와 같이, 바람직하기로는, 제1 펌핑 라인(126)에는 제1 러핑 밸브(120)와 쓰로틀 밸브(123)를 장착하고, 제2 펌핑 라인(128)에는 제2 러핑 밸브(124)를 장착한다. 5, preferably, the first pumping line 126 is, the second roughing valve of claim 1, the roughing valve 120 is equipped with a throttle valve 123, and a second pumping line 128 ( 124) is equipped with. 그리고, 제2 펌핑 라인(128)은 제1 러핑 밸브(120)의 전단에서 제1 펌핑 라인(126)으로부터 분기되고 쓰로틀 밸브(123)의 후단에서 제1 펌핑 라인(126)과 만나도록 구성한다. And a second pumping line 128 is configured to meet with the first roughing first pumping line 126 from the rear end of being branched from the first pumping line 126 at the front end of the valve 120, throttle valve 123, .

그러나, 쓰로틀 밸브(123)는 선택적인 것으로, 쓰로틀 밸브(123)를 장착할 시에는 제1 및 제2 펌핑 라인(126, 128)의 직경을 동일하게 하고, 쓰로틀 밸브(123)의 직경은 이보다 작게 하여, 제1 펌핑 라인(126) 쪽의 컨덕턴스를 작게 만든다. However, the throttle valve 123 is optional, when mounting the throttle valve 123 has the same diameter of the first and second pumping line (126, 128), than diameter of the throttle valve (123) the smaller, first it makes a small conductance of side pumping line 126. 즉, 펌핑 라인을 직경이 동일한 2개의 라인으로 구성하고 각각의 펌핑 라인에 서로 다른 컨덕턴스를 가지는 밸브를 사용하여 두 펌핑 라인의 컨덕턴스를 서로 다르게 만드는 예에 해당한다. That is, by configuring the pumping line is in the same two lines in diameter and using a valve having a different conductance to each of the pumping line corresponds to an example of creating two different conductance of the pumping line.

쓰로틀 밸브(123)를 장착하지 않을 시에는 제1 및 제2 펌핑 라인(126, 128)의 직경을 달리 하여 제1 및 제2 펌핑 라인(126, 128)의 컨덕턴스를 서로 다르게 만든다. When it is not equipped with a throttle valve (123) has first and second different diameter of the pumping line (126, 128) to make different the conductance of the first and second pumping line (126, 128) to each other. 예컨대 제1 펌핑 라인(126)보다 제2 펌핑 라인(128)의 직경을 크게 구성하여, 제1 펌핑 라인(126)보다 제2 펌핑 라인(128)의 컨덕턴스를 크게 만든다. For example, the first pump line to a diameter than the second pumping line 128 is configured zoom 126, first makes a large pumping conductance than the second pumping line 126, line 128.

도 5에 도시한 것과 같은 펌핑 라인 구성을 이용한 펌핑 스피드 조절의 예로서, 제1 및 제2 소스 공급 단계시보다 제1 및 제2 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하는 예의 첫번째 방법에 관하여 설명한다. As an example of a pumping speed control with the pumping line configured as shown in Figure 5, will be described first and the about the example first method for increasing the pumping speed of the first and the second purge step of the more when the second source supply step .

제1 및 제2 펌핑 라인(126, 128)의 직경을 동일하게 하고, 쓰로틀 밸브(123)의 직경은 이보다 작게 하여, 제1 펌핑 라인(126)의 컨덕턴스를 제2 펌핑 라인(128)의 컨덕턴스보다 작게 만든다. First and second pumping line and the same diameter of 126 and 128, the diameter of the throttle valve 123 to less than this, the conductance of the first pumping line 126, a second pumping line 128 is the conductance of make more small. 제1 및 제2 소스 공급 단계시 제1 러핑 밸브(120)는 개방하고 제2 러핑 밸브(124)는 폐쇄하여, 컨덕턴스가 보다 작은 제1 펌핑 라인(126)을 통해서만 펌핑한다. First and second source supplying step of the first roughing valve 120 is open and the second roughing valve 124 is closed, the pumping conductance through the smaller first pumping line 126. 그리고, 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시 제1 러핑 밸브(120)는 폐쇄하고 제2 러핑 밸브(124)는 개방하여 컨덕턴스가 보다 큰 제2 펌핑 라인(128)을 통해서만 펌핑한다. Then, the first to close the first and second source purge step of the first roughing valve 120 and the second roughing valve 124 is opened by pumping through a second pumping line 128 is greater than the conductance. 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시에 컨덕턴스가 큰 제2 펌핑 라인(128)을 이용하게 되므로 이 때의 펌핑스피드를 제1 및 제2 소스 공급 단계시보다 크게 할 수 있다. It is possible to 1 and therefore the use of the second pumping line 128 is large conductance at two source purge step increase the pumping speed in this case than in the first and second source supply step.

도 5에 도시한 것과 같은 펌핑 라인 구성을 이용한 펌핑 스피드 조절의 예로서, 제1 및 제2 소스 공급 단계시보다 제1 및 제2 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하는 예의 두번째 방법에 관하여 설명한다. As an example of a pumping speed control with the pumping line configured as shown in Figure 5, will be described first and the about the example second method for increasing the pumping speed of the first and the second purge step of the more when the second source supply step .

제1 및 제2 펌핑 라인(126, 128)의 직경을 동일하게 하고, 쓰로틀 밸브(123)의 직경은 이보다 작게 하여, 제1 펌핑 라인(126)의 컨덕턴스를 제2 펌핑 라인(128)의 컨덕턴스보다 작게 만든다. First and second pumping line and the same diameter of 126 and 128, the diameter of the throttle valve 123 to less than this, the conductance of the first pumping line 126, a second pumping line 128 is the conductance of make more small. 제1 러핑 밸브(120)는 항시 개방하고 제1 및 제2 소스 공급 단계시 제2 러핑 밸브(124)를 폐쇄하여, 제1 펌핑 라인(126)을 통해서만 펌핑한다. A first roughing valve 120 is always open, and pumping through a first and a second source supplying step of the second roughing to close the valve 124, a first pumping line 126. 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시 제2 러핑 밸브(124)를 개방하여, 제1 및 제2 펌핑 라인(126, 128) 둘 다를 통해서 펌핑한다. First and second source to the purge step of opening the second roughing valve 124, the pump and through both the first and second pumping line (126, 128). 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시에 컨덕턴스가 큰 제2 펌핑 라인(128)을 이용하게 되므로 이 때의 펌핑스피드를 제1 및 제2 소스 공급 단계시보다 크게 할 수 있다. It is possible to 1 and therefore the use of the second pumping line 128 is large conductance at two source purge step increase the pumping speed in this case than in the first and second source supply step.

또한, 이상의 실시예에서 제1 러핑 밸브(120) 및 제2 러핑 밸브(124)의 선택적인 개방과 폐쇄를 변경한다면 제1 및 제2 퍼지 단계시보다 제1 및 제2 소스 공급 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하는 방법또한 알 수 있을 것이다. In addition, the first roughing valve 120 and the second change the selective opening and closing the roughing valve 124, the first and second first and second pumping at the time of the source supplying step than during the purge step in the above example method for increasing the speed will also be seen.

제2 실시예 Second Embodiment

도 6은 본 발명에 따른 박막 증착 방법의 제2 실시예를 수행하기 위한 ALD 장비의 개략도이다. Figure 6 is a schematic diagram of an ALD equipment for carrying out a second embodiment of a film deposition method according to the present invention.

도 6의 ALD 장비(330)는 도 5의 ALD 장비(230)와 펌핑 라인 부분의 구성을 제외하고는 유사하다. ALD equipment 330 of Figure 6 is similar, except for the configuration of the ALD equipment 230 and the pumping line portion of Fig.

도 6을 참조하면, 반응실(110)은 펌핑 라인(117)에 구비된 펌프(118)를 통해 내부 가스가 펌핑되며, 펌핑을 조정하기 위해 러핑 밸브(120), 쓰로틀 밸브(123)가 장착되어 있다. 6, the reaction chamber 110 is inside the gas is pumped through a pump 118 having a pumping line 117, the roughing valve 120, throttle valve 123 is mounted in order to adjust the pumping It is. 특히 본 실시예에서는, 펌핑 라인(117)으로 불활성 가스를 유입함으로써 반응실(110) 내의 상대적인 펌핑 스피드를 조절한다. In particular, in the present embodiment, to adjust the relative pumping speed in the reaction chamber 110 by introducing an inert gas into the pumping line (117).

펌핑 라인(117)으로 불활성 가스를 유입하면 반응실(110) 내에서의 압력이 상승하므로 불활성 가스를 유입하지 않을 시보다 상대적으로 반응실(110) 내부의 펌핑 스피드가 감소하게 된다. When introducing an inert gas into the pumping line 117 is the reaction chamber 110, a pressure within the rise time signal because it does not introduce the inert gas relative to the reaction chamber (110) decrease the pumping speed of the inside. 이 때는 쓰로틀 밸브(123)를 일정한 셋팅 위치로 고정하는 것이 바람직하다. In this case it is preferred to secure the throttle valve 123 is set at a predetermined position.

따라서, 제1 및 제2 소스 공급 단계보다 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하려면, 제1 및 제2 소스 공급 단계시에는 불활성 가스를 유입하고 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시에는 불활성 가스를 유입하지 않거나, 제1 및 제2 소스 공급 단계시 유입되는 불활성 가스의 양을 제1 및 제2 소스 퍼지 단계시 유입되는 불활성 가스의 양보다 많게 하면 된다. Accordingly, the first and second source supply step than the first and the second to increase the pumping speed at the time of source purge step, first and second source supply step of, the inlet and first and second source purging steps with an inert gas When there is not, or when introducing the inert gas, the first and second source supplying an amount of inert gas is introduced during step more than the amount of inert gas is introduced during the first and second source purge step. 제1 및 제2 퍼지 단계시보다 제1 및 제2 소스 공급 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하려면 이상에서 설명한 것과 반대로 하면 된다는 것을 알 수 있을 것이다. First and second purge step to increase the pumping speed than during the time of the first and second source supply step will be appreciated that if as described above in reverse.

한편, 불활성 가스는 도시한 바와 같이, 펌프(118)의 상부에 위치한 펌핑 라인(117)으로 유입할 수도 있으며, 펌프의 내부에 위치한 펌핑 라인으로 유입할 수도 있다. On the other hand, the inert gas, as shown, may be introduced into the pump line 117 is located on top of the pump 118 may be introduced into the pump line located in the interior of the pump. 그리고, 불활성 가스의 유입량 조절을 위해 유량 조절 기구(129)를 이용함이 바람직하며, 유량 조절 기구(129)는 MFC(Mass Flow Controller), 니들 밸브(needle valve), 또는 레귤레이터(regulator)를 사용할 수 있으며, 온/오프 밸브(on/off valve)를 사용하여 선택적으로 흐름을 온/오프할 수도 있다. And, for the flow rate control of the inert gas, and preferably utilizing a flow control mechanism 129, the flow control mechanism 129 is MFC (Mass Flow Controller), can use a needle valve (needle valve), or the regulator (regulator) and, on / off may use the valve (on / off valve) to selectively on / off the flow.

이상, 본 발명의 상세한 설명을 하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않은 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다. Or more, but the detailed description of the invention, various modifications are possible within the extent without departing from the scope of the invention will be apparent to those of ordinary skill in the art. 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The present invention will only be defined by the appended claims.

본 발명에 따르면, 하나의 공정 안에서 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 서로 다른 펌핑 스피드를 가지도록 함으로써 공정 진행 동안 다양한 소스 공급 단계 및 퍼지 단계들에 대해 공정 적용이 유연해지는 효과가 있다. According to the present invention, when the purge step becomes the source supply step in a single step during the process by proceeding to have a different pumping speed process applied to a variety of sources feed step and the purge step the softening effect. 특히, 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시의 펌핑 스피드를 크게 하면, 퍼지 시간을 단축할 수 있어 전체적인 공정 시간 단축 효과가 있다. In particular, by increasing the pumping speed at the time of the purge step than the source supply step, it is possible to reduce the purge time has reduced overall process time effect.

Claims (13)

  1. 삭제 delete
  2. 삭제 delete
  3. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클(cycle)을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in the source supplying step of the first species and the cycle (cycle) including a purge step repeated at least once: depositing a thin film,
    상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드(pumping speed)를 서로 다르게 조절하기 위하여, A pump speed (pumping speed) at the time of the source supplying step and the purge step reaction chamber for performing the film deposition to control different from each other,
    상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계 중 어느 하나의 진행시에만 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입함으로써 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 감소시키는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. Thin film forming method comprising a step of reducing the relative speed of the pump inside the reaction chamber by flowing inert gas only when any one of the proceeding of the purge phase with the source supplying step into the pumping line of the reactor chamber.
  4. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in a cycle comprising a source supplying step and the purge step one kind of repeating at least once: depositing a thin film,
    상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 서로 다르게 조절하기 위하여, To the source when the feed step and the purge step to control differently the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition,
    상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입하되, 유입되는 상기 불활성 가스의 양을 서로 달리하여 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 조절하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. Thin film forming method characterized in that, but introducing an inert gas during the purge phase with the source supplying step into the pumping line of the reactor chamber, by varying the amount of the inert gas flowing into each other to adjust the relative pumping speed of the inside of the reaction chamber .
  5. 삭제 delete
  6. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in a cycle comprising a source supplying step and the purge step one kind of repeating at least once: depositing a thin film,
    상기 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 크게 하기 위하여, 상기 반응실의 펌핑 라인을, The pumping line of the reaction chamber during the purge step than to the source supplying step to increase the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition,
    제1 러핑 밸브(roughing valve)가 장착된 제1 펌핑 라인; A first roughing valve (roughing valve) equipped with a first pump line; And
    상기 제1 러핑 밸브의 전단에서 상기 제1 펌핑 라인으로부터 분기되고 상기 제1 러핑 밸브의 후단에서 상기 제1 펌핑 라인과 만나며 제2 러핑 밸브가 장착되고 상기 제1 펌핑 라인보다 직경이 큰 제2 펌핑 라인으로 구성하고, Said first roughing is branched from the first pumping line from the front end of the valve of the first roughing at the rear end of the valve, meet with the first pumping line second roughing valve is mounted and the first pumping line than the larger second pumping diameter composed of lines,
    상기 소스 공급 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 개방하고 제2 러핑 밸브는 폐쇄하며, 상기 퍼지 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 폐쇄하고 제2 러핑 밸브는 개방하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. It said first roughing valve is opened and the second roughing valve is closed and, during the purge step of the first roughing valve is closed and the second roughing valve thin film forming method characterized in that the opening when said source supplying step.
  7. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in a cycle comprising a source supplying step and the purge step one kind of repeating at least once: depositing a thin film,
    상기 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 크게 하기 위하여, 상기 반응실의 펌핑 라인을, The pumping line of the reaction chamber during the purge step than to the source supplying step to increase the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition,
    제1 러핑 밸브가 장착된 제1 펌핑 라인; First with a roughing valve mounted first pumping line; And
    상기 제1 러핑 밸브의 전단에서 상기 제1 펌핑 라인으로부터 분기되고 상기 제1 러핑 밸브의 후단에서 상기 제1 펌핑 라인과 만나며 제2 러핑 밸브가 장착되고 상기 제1 펌핑 라인보다 직경이 큰 제2 펌핑 라인으로 구성하고, Said first roughing is branched from the first pumping line from the front end of the valve of the first roughing at the rear end of the valve, meet with the first pumping line second roughing valve is mounted and the first pumping line than the larger second pumping diameter composed of lines,
    상기 제1 러핑 밸브는 항시 개방하고, 상기 소스 공급 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 폐쇄하고, 상기 퍼지 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 개방하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. It said first roughing valve is always open and, when the source supply step and closes the second roughing valve, the film deposition method, characterized in that for opening the said second roughing valve during the purge step.
  8. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in a cycle comprising a source supplying step and the purge step one kind of repeating at least once: depositing a thin film,
    상기 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 크게 하기 위하여, 상기 반응실의 펌핑 라인을, The pumping line of the reaction chamber during the purge step than to the source supplying step to increase the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition,
    제1 러핑 밸브와 쓰로틀 밸브(throttle valve)가 장착된 제1 펌핑 라인; A first roughing valve and a throttle valve (throttle valve) is fitted a first pumping line; And
    상기 제1 러핑 밸브의 전단에서 상기 제1 펌핑 라인으로부터 분기되고 상기 쓰로틀 밸브의 후단에서 상기 제1 펌핑 라인과 만나며 제2 러핑 밸브가 장착된 제2 펌핑 라인으로 구성하고, In the front end of the first roughing valve is branched from the first pumping line and configured in the downstream of the throttle valve to the first pump and line, meet the second roughing valve is equipped with a second pumping line,
    상기 제1 펌핑 라인과 제2 펌핑 라인의 직경은 동일하게 하고 상기 쓰로틀 밸브의 직경은 상기 제1 펌핑 라인의 직경보다 작게 하며, The diameter of the first pumping line and the second diameter of the pumping line and the same, and the throttle valve is smaller than the diameter of the first pumping line,
    상기 소스 공급 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 개방하고 제2 러핑 밸브는 폐쇄하며, 상기 퍼지 단계시 상기 제1 러핑 밸브는 폐쇄하고 제2 러핑 밸브는 개방하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. It said first roughing valve is opened and the second roughing valve is closed and, during the purge step of the first roughing valve is closed and the second roughing valve thin film forming method characterized in that the opening when said source supplying step.
  9. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in a cycle comprising a source supplying step and the purge step one kind of repeating at least once: depositing a thin film,
    상기 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 크게 하기 위하여, 상기 반응실의 펌핑 라인을, The pumping line of the reaction chamber during the purge step than to the source supplying step to increase the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition,
    제1 러핑 밸브와 쓰로틀 밸브가 장착된 제1 펌핑 라인; Claim 1 is a roughing valve and a throttle valve mounted first pumping line; And
    상기 제1 러핑 밸브의 전단에서 상기 제1 펌핑 라인으로부터 분기되고 상기 쓰로틀 밸브의 후단에서 상기 제1 펌핑 라인과 만나며 제2 러핑 밸브가 장착된 제2 펌핑 라인으로 구성하고, In the front end of the first roughing valve is branched from the first pumping line and configured in the downstream of the throttle valve to the first pump and line, meet the second roughing valve is equipped with a second pumping line,
    상기 제1 펌핑 라인과 제2 펌핑 라인의 직경은 동일하게 하고 상기 쓰로틀 밸브의 직경은 상기 제1 펌핑 라인의 직경보다 작게 하며, The diameter of the first pumping line and the second diameter of the pumping line and the same, and the throttle valve is smaller than the diameter of the first pumping line,
    상기 제1 러핑 밸브는 항시 개방하고, 상기 소스 공급 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 폐쇄하고, 상기 퍼지 단계시 상기 제2 러핑 밸브를 개방하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. It said first roughing valve is always open and, when the source supply step and closes the second roughing valve, the film deposition method, characterized in that for opening the said second roughing valve during the purge step.
  10. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in a cycle comprising a source supplying step and the purge step one kind of repeating at least once: depositing a thin film,
    상기 반응실의 펌핑 라인을 컨덕턴스(conductance)가 다른 2개의 라인으로 구성하고 각각에 밸브를 장착하여 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 각 라인을 선택적으로 밸브 개방(open) 및 폐쇄(close)하여 사용하며, Use optionally the valve open (open) and close (close) for each line during the purge phase with the source supplying step by configuring the pumping line of the reaction chamber conductance (conductance) is in two different line equipped with a valve to each and
    상기 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 크게 하기 위하여, 상기 소스 공급 단계 진행시에만 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입함으로써 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 감소시키는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. When the purge step than the source supplying step greatly to the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition, the reaction chamber relative to the pumping of the interior by flowing an inert gas, said source supply step only when the progress in the pumping line of the reaction chamber thin film forming method comprising a step of reducing the speed.
  11. 적어도 1종의 소스 공급 단계 및 퍼지 단계를 포함하는 싸이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 방법으로서, A method for at least in a cycle comprising a source supplying step and the purge step one kind of repeating at least once: depositing a thin film,
    상기 반응실의 펌핑 라인을 컨덕턴스가 다른 2개의 라인으로 구성하고 각각에 밸브를 장착하여 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 각 라인을 선택적으로 밸브 개방 및 폐쇄하여 사용하며, And used in the pumping line of the reaction chamber conductance valve is selectively opened and closed for each line during the purge phase with the source supplying step composed of the other two lines, and by mounting a valve, respectively,
    상기 소스 공급 단계보다 퍼지 단계시 상기 박막 증착을 수행하는 반응실의 펌핑 스피드를 크게 하기 위하여, 상기 소스 공급 단계와 퍼지 단계시 상기 반응실의 펌핑 라인으로 불활성 가스를 유입하되, 상기 퍼지 단계시보다 상기 소스 공급 단계시 상기 불활성 가스를 많은 양 유입하여 상기 반응실 내부의 상대적인 펌핑 스피드를 감소시키는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. When the purge step than the source supply step in order to increase the pumping speed of the reaction chamber for performing the film deposition, but introducing an inert gas into the pumping line of the source supply step of the purge stage the reaction chamber, than when the purge step thin film forming method comprising a step of using the inert gas supply source during the step amount flowing reduce the relative speed of the pump inside the reaction chamber.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 불활성 가스는 상기 반응실의 펌핑을 위한 펌프의 상부에 위치한 펌핑 라인 및 펌프의 내부에 위치한 펌핑 라인 중 어느 하나로 유입하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. Claim 10 according to any one of claims 11, wherein the inert gas is a film deposition method characterized in that the inlet of any one of a pumping line located in the interior of the pumping line and a pump located at the top of the pump for the pumping of the reaction chamber.
  13. 제11항에 있어서, 상기 불활성 가스의 유입량 조절을 위해 MFC(Mass Flow Controller), 니들 밸브(needle valve) 및 레귤레이터(regulator) 중 어느 하나를 이용하며, 흐름을 온/오프(on/off)하기 위하여 온/오프 밸브(on/off valve)를 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법. 12. The method of claim 11, to use any one, and on / off the flow (on / off) of the MFC (Mass Flow Controller), a needle valve (needle valve) and a regulator (regulator) for the flow rate control of the inert gas to a film deposition method, characterized in that using the on / off valve (on / off valve).
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