KR100829390B1 - HDP equipment with optic pad detector - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 장비 중 HDP CVD 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an HDP CVD apparatus in semiconductor manufacturing equipment.
본 발명의 광감도 측정기가 부착된 HDP CVD 장치는 웨이퍼 증착공정이 수행되는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버와 연결되며 외벽에 홀이 형성된 어플리케이터, 상기 어플리케이터와 연결되어 플라즈마를 생성하는 RF 제너레이터, 상기 어플리케이터 내부에 발생되는 고온을 냉각시키는 냉각관, 상기 어플리케이터 외부에 설치되어 플라즈마를 검출하는 옵틱 패드 센서, 상기 어플리케이터의 내부로 상기 홀을 통해 연결되는 질소가스 공급관 및 상기 옵틱 패드 센서와 연결된 옵틱 케이블의 광감도를 체크하는 광감도 측정기를 포함하여 이루어짐에 기술적 특징이 있다.The HDP CVD apparatus equipped with the photosensitive meter of the present invention includes a process chamber in which a wafer deposition process is performed, an applicator connected to the process chamber and having a hole formed in an outer wall, an RF generator connected to the applicator to generate a plasma, and the inside of the applicator. Checks the light sensitivity of the cooling tube for cooling the generated high temperature, an optical pad sensor installed outside the applicator to detect plasma, a nitrogen gas supply pipe connected to the inside of the applicator through the hole, and an optical cable connected to the optical pad sensor. There is a technical feature in that it is made to include a photosensitivity meter.
따라서 본 발명의 습기제거 장치는 질소가스를 어플리케이터 내부에 공급하여 상기 어플리케이터 내벽과 외벽의 온도차로 발생된 습기를 없애므로 옵틱패드 센서가 플라즈마를 검출하는 데 발생되는 에러를 감소시켜 장비의 가동률이 향상되고, 옵틱케이블의 감도 저하로 인한 오동작을 예방하여 그로 인해 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, the moisture removal device of the present invention by supplying nitrogen gas into the applicator to eliminate the moisture generated by the temperature difference between the applicator inner wall and outer wall, thereby reducing the error generated by the optical pad sensor to detect the plasma to improve the operation rate of the equipment And, by preventing the malfunction due to the decrease in the sensitivity of the optical cable there is an effect that the productivity is improved.
습기제거, 질소가스, 광감도 측정기Moisture Removal, Nitrogen Gas, Light Sensitivity Meter
Description
도 1은 종래기술에 의한 플라즈마 빛을 감지하기 위한 HDP CVD 설비의 구성도.1 is a block diagram of a HDP CVD facility for detecting plasma light according to the prior art.
도 2는 본 발명에 따른 광감도 측정기가 부착된 HDP CVD 장치의 구성도.
2 is a block diagram of an HDP CVD apparatus equipped with a light sensitivity meter according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
52 : 소스 챔버 53 : 프로세서 챔버52: source chamber 53: processor chamber
56 : 웨이퍼 척 60 : 베이스 쉴드 RF 시스템56: wafer chuck 60: base shield RF system
70 : 소스 RF 시스템 80 : 척 RF 시스템 70: Source RF System 80: Chuck RF System
90 : 광 검출 센서 100 : 프로세스 챔버90: light detection sensor 100: process chamber
110 : 어플리케이터 120 : 냉각관110: applicator 120: cooling tube
130 : 질소가스 공급관 140 : 옵틱패드 센서130: nitrogen gas supply pipe 140: optical pad sensor
150 : RF 제너레이터 160 : 광감도 측정기
150: RF generator 160: light sensitivity meter
본 발명은 반도체 제조 장비 중 HDP CVD 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an HDP CVD apparatus in semiconductor manufacturing equipment.
도 1은 대한민국 공개특허공보 제1998-066302호에 기재된 종래의 기술로서, HDP(High Density Plasma) CVD(Chemical Vapour Deposition) 설비(50)는 공정용 가스가 공급될 경우 플라즈마 소스를 만드는 소스 챔버(52)와, 소스 챔버(52) 하부에 설치되며 플라즈마 소스를 이용하여 공정을 진행하는 프로세서 챔버(53)와, 챔버 내부를 세정하기 위한 베이스 쉴드 RF 시스템(60)과, 공정을 진행하기 위한 소스 RF 시스템(70)과, 웨이퍼 표면에 도포되는 막을 향상시키기 위한 척 RF(Radio Frequency) 시스템(80)과, 챔버 내부에서 발생된 플라즈마 빛을 감지하기 위한 광 검출 센서(90)로 구성되어 있다.1 is a conventional technique described in Korean Laid-Open Patent Publication No. 1998-066302, and the HDP (High Density Plasma) Chemical Vapor Deposition (CVD)
여기서 베이스 쉴드 RF 시스템(60)은 소스 챔버(52) 양측 벽(54) 내부에 각각 설치되어 공정 진행중에 챔버에 도포된 폴리머를 제거하기 위한 막대형상의 베이스 쉴드 RF 발생장치(61)와, 베이스 쉴드 RF 발생장치(61)에 전력을 공급해주는 RF 제너레이터(63)와, RF 제너레이터(63)와 베이스 쉴드 RF 발생장치(61) 사이에 설치되어 임피던스를 정합시켜주는 베이스 쉴드 정합 콘트롤러(65)로 구성되어 있 다. 또한 소스 RF 시스템(70)은 각각의 베이스 쉴드 RF 발생장치(61)와 일정간격 이격되고 코일로 형성된 소스 RF 발생장치(71)와, 소스 RF 발생장치(71)에 전력을 공급해주는 RF 제너레이터(73)와, RF 제너레이터(73)와 소스 RF 발생장치(71) 사이에 설치되어 임피던스를 정합시켜주는 힐릭스 임피던스 정합 콘트롤러(75)로 구성되어 있다.Here, the base
또한, 척 RF 시스템(80)은 프로세서 챔버(53) 하부면에 설치되어 있는 웨이퍼 척(56) 내부에 웨이퍼(55) 반응을 향상시키기 위한 척 RF 발생장치(81)와, 척 RF 발생장치(81)에 전력을 공급해주는 RF 제너레이터(83)와, RF 제너레이터(83)와 척 RF 발생장치(81) 사이에 설치되어 임피던스를 정합시켜주는 척 임피던스 정합 콘트롤러(85)로 구성되어 있다. 여기서, 광 검출 센서(90)의 입력측인 튜브(91)는 소스 챔버(52)에 삽입되어 있고 광 검출 센서(90)의 출력측은 각각의 임피던스 정합 콘트롤러, 즉, 베이스 쉴드 임피던스 정합 콘트롤러(65)와 힐릭스 임피던스 정합 콘트롤러(75)와 척 임피던스 정합 콘트롤러(81)에 연결되어 있으며, 프로세서 챔버(53) 하부면 일정영역에는 공정 진행중에 발생된 폐가스를 배출시키기 위한 배출구(59)가 형성되어 있다.In addition, the
이와 같이 구성된 종래의 HDP CVD 설비에 의한 증착 과정을 설명하면 다음과 같다.The deposition process by the conventional HDP CVD facility configured as described above is as follows.
먼저, 소스 챔버(52) 내부에 공정용 가스를 주입한 후 베이스 쉴드 RF 시스템(60)을 구동시키면 RF 제너레이터(63)에서 전력이 인가되고 베이스 쉴드 임피던스 정합 콘트롤러(65)에서 RF 제너레이터(63)와 베이스 쉴드 RF 발생장치(61) 사이의 임피던스를 정합시키면 베이스 쉴드 RF 발생장치(61)에 최대 전력이 인가된다.
상기 소스 챔버(52) 내부에 가스가 공급되어 공정용 가스가 고주파에 의해서 플라즈마 상태로 활성화되면 광 검출 센서(90)에 플라즈마 빛이 감지되므로 소스 RF 시스템(70)이 구동되어 프로세서 챔버(53) 내부 분위기를 증착 공정이 진행될 수 있도록 조성하고, 웨이퍼(55) 온도를 상승시킨다. 이후, 척 RF 시스템(80)을 구동시켜 웨이퍼 척(56) 상부면에 놓여있는 웨이퍼(55) 표면에 고밀도 산화막을 증착시킨다.First, when a process gas is injected into the
When gas is supplied into the
삭제delete
한편, 증착공정이 진행되는 동안 시스템 오류가 발생되어 공정용 가스가 소스 챔버(52)에 공급되지 않을 경우 광 검출 센서(90)에 플라즈마 빛이 감지되지 않으므로 광 검출 센서(90)는 이 신호를 각각의 임피던스 정합 콘트롤러(65)(75)(85)에 전달하고 광 검출 센서(90)의 신호를 받은 각각의 임피던스 정합 콘트롤러(65)(75)(85)는 각각의 RF 제너레이터(63)(73)(83)에 신호를 전달하여 RF 전력 공급을 중단시킨다.On the other hand, if a system error occurs during the deposition process and the process gas is not supplied to the
따라서, 공정용 가스가 공급되지 않을 경우 광 검출 센서에 플라즈마 빛이 감지되지 않으므로 RF 전력이 공급되지 않아 설비가 손상 방지할 수 있고 웨이퍼가 손상되는 것을 방지할 수 있어 웨이퍼 수율을 향상시킬 수 있다.Therefore, when the process gas is not supplied, plasma light is not sensed by the light detection sensor, so that RF power is not supplied, thereby preventing damage to the equipment and preventing damage to the wafer, thereby improving wafer yield.
그러나, 상기 플라즈마 빛이 감지되지 않아 RF 전력 공급이 중단되는 이유 중 상기 플라즈마의 관 내에 습기가 발생하여 검출이 되지 않는 경우와 옵틱케이블 감도가 저하되어 오동작되는 경우가 있어 개선의 여지가 있었다.
However, there is room for improvement because moisture is not detected due to generation of moisture in the tube of the plasma and malfunction of the optical cable is reduced due to the failure of the RF light to be detected because the plasma light is not detected.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 질소가스를 어플리케이터 내부에 공급하여 상기 어플리케이터 내벽과 외벽의 온도차로 발생된 습기를 없애므로 옵틱패드 센서가 플라즈마를 검출하는 데 발생되는 에러가 감소되어 장비의 가동률을 향상시키고, 옵틱케이블의 감도 저하로 인한 오동작을 예방하여 그로 인해 생산성이 향상되는 습기제거 장치를 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
Therefore, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by supplying nitrogen gas into the applicator to remove the moisture generated by the temperature difference between the inner wall and the outer wall of the applicator is generated by the optical pad sensor to detect the plasma It is an object of the present invention to provide a moisture removal device which reduces errors and improves the operation rate of equipment and prevents malfunction due to a decrease in sensitivity of an optical cable, thereby improving productivity.
본 발명의 상기 목적은 웨이퍼 증착공정이 수행되는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버와 연결되며 외벽에 홀이 형성된 어플리케이터, 상기 어플리케이터와 연결되어 플라즈마를 생성하는 RF 제너레이터, 상기 어플리케이터 내부에 발생되는 고온을 냉각시키는 냉각관, 상기 어플리케이터 외부에 설치되어 플라즈마를 검출하는 옵틱 패드 센서, 상기 어플리케이터의 내부로 상기 홀을 통해 연결되는 질소가 스 공급관 및 상기 옵틱 패드 센서와 연결된 옵틱 케이블의 광감도를 체크하는 광감도 측정기를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 HDP CVD 장치의 습기제거 장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a process chamber in which a wafer deposition process is performed, an applicator connected to the process chamber and having a hole formed in an outer wall, an RF generator connected to the applicator to generate a plasma, and cooling a high temperature generated inside the applicator. A cooling tube, an optical pad sensor installed outside the applicator to detect a plasma, a nitrogen gas supply pipe connected to the inside of the applicator through the hole, and a light sensitivity meter for checking the optical sensitivity of the optical cable connected to the optical pad sensor It is achieved by the dehumidifying device of the HDP CVD apparatus characterized in that the.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 습기제거 장치의 구성도를 나타낸 것으로서, 어플리케이터(110)의 내부에 설치된 베이스 쉴드 RF 발생장치(도시되지 않음)는 임피던스 정합 콘트롤러(145)와 연결되고, 임피던스 정합 콘트롤러(145)는 RF 제너레이터(150)와 연결된다.
프로세스 챔버(100)에서 USG(Undoped Silica Glass) 공정 중 웨이퍼 증착공정이 수행되는 과정에서, RF 제너레이터(150)에 전력이 인가되면 임피던스 정합 콘트롤러(145)는 RF 제너레이터(150)와 베이스 쉴드 RF 발생장치 사이의 임피던스를 정합시킨다.
따라서, 베이스 쉴드 RF 발생장치에 최대 전력이 인가되고, 어플리케이터(110) 내부에서 가스 반응이 일어나게 되어 플라즈마가 발생된다.
이때 발생되는 고열을 냉각시키기 위해 상기 어플리케이터(110)의 내부 냉각관(120)을 통하여 냉각수를 순환시킨다. 또 상기 어플리케이터(110)와 옵틱 케이블을 통하여 연결되고, 플라즈마 빛을 감지하는 옵틱패드 센서(140)가 설치된다.
상기 옵틱패드 센서(140)는 플라즈마 빛을 감지하면 임피던스 정합 콘트롤러(145)로 정상신호를 보내고, 플라즈마 빛이 감지되지 않으면 임피던스 정합 콘트롤러(145)로 에러신호를 보낸다.
상기 임피던스 정합 콘트롤러(145)는 상기 정상신호 또는 에러신호에 따라 RF 제너레이터를 동작시키거나 전력 공급을 중단하도록 한다.2 is a block diagram of a moisture removing device according to the present invention, the base shield RF generator (not shown) installed inside the
During the wafer deposition process during the USG (Undoped Silica Glass) process in the
Accordingly, maximum power is applied to the base shield RF generator, and a gas reaction occurs in the
In order to cool the high heat generated at this time, the coolant is circulated through the
The
The
이때, 상기 어플리케이터(110)의 외벽과 내벽 사이의 온도차이로 인해 습기가 발생된다. 따라서, 옵틱패드 센서(140)가 플라즈마를 검출하지 못하게 되어 플라즈마가 비검출 에러(Micro Wave Plasma Not Detected Error)가 빈번히 발생된다. At this time, moisture is generated due to a temperature difference between the outer wall and the inner wall of the
따라서 상기 습기를 제거하기 위해 상기 어플리케이터(110)의 외벽에 홀을 형성한 후 상기 질소가스 공급관(130)을 삽입하여 질소가스를 공급한다. 상기 질소가스 공급관(130)은 25Psi와 35Psi의 압력으로 공급하고, 바람직하게는 30Psi의 압 력으로 공급한다. 또한, 상기 질소가스 공급관(130)은 소정의 직경을 가지고 있으나, 바람직하게는 1/8inch로 형성한다.Therefore, after forming a hole in the outer wall of the
또, 상기 옵틱 패드 센서(140)와 연결된 옵틱 케이블의 광감도를 체크하는 광감도 측정기(160)가 구비된다. 옵틱 케이블의 감도를 측정할 때 정해진 조도에 미달하면 이상이 발생된 것으로 판단하여 외부로 표시해준다.In addition, the
상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
It will be apparent that changes and modifications incorporating features of the invention will be readily apparent to those skilled in the art by the invention described in detail. It is intended that the scope of such modifications of the invention be within the scope of those of ordinary skill in the art including the features of the invention, and such modifications are considered to be within the scope of the claims of the invention.
따라서 본 발명의 습기제거 장치는 질소가스를 어플리케이터 내부에 공급하여 상기 어플리케이터 내벽과 외벽의 온도차로 발생된 습기를 없애므로 옵틱패드 센서가 플라즈마를 검출하는 데 발생되는 에러를 감소시켜 장비의 가동률이 향상되고, 옵틱케이블의 감도 저하로 인한 오동작을 예방하여 그로 인해 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, the moisture removal device of the present invention by supplying nitrogen gas into the applicator to eliminate the moisture generated by the temperature difference between the applicator inner wall and outer wall, thereby reducing the error generated by the optical pad sensor to detect the plasma to improve the operation rate of the equipment And, by preventing the malfunction due to the decrease in the sensitivity of the optical cable there is an effect that the productivity is improved.
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KR19980066302A (en) * | 1997-01-22 | 1998-10-15 | 김광호 | HDP CVD Facility to Detect Plasma Light |
KR20030065461A (en) * | 2000-08-08 | 2003-08-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Processing apparatus and cleaning method |
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2003
- 2003-12-31 KR KR1020030101700A patent/KR100829390B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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