KR100829377B1 - Image sensor and fabricating method thereof - Google Patents

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문주형
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Abstract

An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve sensitivity of the image sensor by effectively delivering an incident beam to a photodiode region. An image sensor includes a protective film(23), a reflection ratio adjusting layer(31), a color filter array(25), a planarization layer(27), and a microlens(29). A light reception portion is formed at a lower portion of the protective film. The reflection ratio adjusting layer is formed on the protective film. The color filter array is formed on the reflection ratio adjusting layer. The planarization layer is formed on the color filter array. The microlens is formed on the planarization layer. A refractive index of the reflection ratio adjusting layer lies between those of the protective film and the color filter array.

Description

이미지 센서 및 그 제조방법{Image sensor and fabricating method thereof}Image sensor and fabrication method

도 1은 종래 이미지 센서의 적층 구조를 개념적으로 나타낸 도면.1 is a view conceptually showing a laminated structure of a conventional image sensor.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 적층 구조를 개념적으로 나타낸 도면.2 is a view conceptually illustrating a laminated structure of an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 나타낸 수직 단면도.3 is a vertical sectional view schematically showing an image sensor according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

21... 층간 절연막 23... 보호막21 ... interlayer insulation film 23 ... protective film

25... 컬러필터 어레이 27... 평탄화층25 ... color filter array 27 ... planarization layer

29... 마이크로 렌즈 31... 반사율 조절층29.Microlens 31 ... Reflective layer

100... 필드 절연막 102... 수광부100 ... Field Insulation 102 ... Receiver

104, 108, 114... 층간 절연막 106... 광차폐막104, 108, 114 ... interlayer insulation film 106 ... light shielding film

110... 보호막 112a, 112b, 112c... 컬러필터110 ... protective film 112a, 112b, 112c ... color filter

116... 평탄화층 118... 마이크로 렌즈116 ... flattening layer 118 ... micro lens

120... 반사율 조절층120 ... Reflectance Control Layer

본 발명은 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an image sensor and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 이미지 센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 이중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이다. 더욱이, 씨모스(Complementary MOS; 이하 CMOS라 함) 이미지 센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. In a dual charge coupled device (CCD), individual metal-oxide-silicon (MOS) capacitors are very different from each other. A device in which charge carriers are stored and transported in a capacitor while in close proximity. Moreover, CMOS image sensors use CMOS technology, which uses control circuits and signal processing circuits as peripheral circuits, to make MOS transistors as many as the number of pixels, It is a device that employs a switching method that detects an output in turn.

한편, 이미지 센서에서 해결하여야 하는 과제 중의 하나는 입사되는 빛 신호를 전기신호로 바꾸어 주는 율(rate), 즉 감도를 증가시키는 것이다. On the other hand, one of the problems to be solved in the image sensor is to increase the rate (rate), that is, the sensitivity to convert the incident light signal into an electrical signal.

도 1은 종래 이미지 센서의 적층 구조를 개념적으로 나타낸 도면이다.1 is a view conceptually showing a laminated structure of a conventional image sensor.

종래 이미지 센서는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 층간 절연막(11), 보호막(13), 컬러필터 어레이(15), 평탄화층(17), 마이크로 렌즈(19)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional image sensor includes an interlayer insulating film 11, a protective film 13, a color filter array 15, a planarization layer 17, and a microlens 19.

상기 마이크로 렌즈(19)는 입사되는 빛을 집광한다. 상기 마이크로 렌즈(19)를 통하여 집광된 빛은 그 하부에 위치된 상기 평탄화층(17), 컬러필터 어레이(15), 보호막(13), 층간 절연막(11)을 경유하여 포토 다이오드와 같은 수광부에 전달된다. The micro lens 19 collects incident light. Light condensed through the microlens 19 passes through the planarization layer 17, the color filter array 15, the passivation layer 13, and the interlayer insulating layer 11 positioned below the light receiving unit such as a photodiode. Delivered.

보통 상기 마이크로 렌즈(19)의 굴절율은 약 1.59이고, 상기 평탄화층(17)의 굴절율은 약 1.52이고, 상기 컬러필터 어레이(15)의 굴절율은 약 1.57이고, 상기 보호막(13)의 굴절율은 약 2.0이고, 상기 층간 절연막(11)의 굴절율은 약 1.5로 구성된다.Usually, the refractive index of the microlens 19 is about 1.59, the refractive index of the planarization layer 17 is about 1.52, the refractive index of the color filter array 15 is about 1.57, and the refractive index of the protective film 13 is about 2.0 and the refractive index of the interlayer insulating film 11 is about 1.5.

알려진 바와 같이 진행되는 빛은 두 매질의 경계면에서 두 매질의 굴절율 차이에 의존하여 반사율이 결정되는 특성을 갖는다. 그런데, 상기 컬러필터 어레이(15)와 상기 보호막(13) 간에는 특히 큰 굴절율 차이가 발생되므로, 이 계면에서는 입사되는 빛에 대한 반사율이 크게 발생되게 된다.As is known, the light propagates has the property that the reflectance is determined depending on the difference in refractive index of the two media at the interface of the two media. However, since a particularly large refractive index difference is generated between the color filter array 15 and the passivation layer 13, the reflectance of incident light is largely generated at this interface.

이에 따라 상기 마이크로 렌즈(19)에서 집광되어 입사되는 빛의 일부가 각 매질의 계면에서 반사되어 포토 다이오드와 같은 수광부 영역으로 흡수되지 못하고 사라지게 됨으로써 이미지 센서의 감도가 떨어지게 되는 문제점이 있다.As a result, some of the light collected by the microlens 19 is incident at the interface of each medium to be absorbed by the light-receiving region, such as a photodiode, and thus disappears, thereby degrading the sensitivity of the image sensor.

본 발명은 입사되는 빛을 포토 다이오드 영역에 효율적으로 전달하여 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention provides an image sensor and a method of manufacturing the same that can effectively transmit the incident light to the photodiode region to improve the sensitivity of the image sensor.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는, 하부에 수광부가 형성된 보호막; 상기 보호막 위에 형성된 반사율 조절층; 상기 반사율 조절층 위에 형성된 컬러필터 어레이; 상기 컬러필터 어레이 위에 형성된 평탄화층; 상기 평탄화층 위에 형성된 마이크로 렌즈; 를 포함한다.Image sensor according to an embodiment of the present invention, a protective film formed on the lower portion; A reflectance control layer formed on the passivation layer; A color filter array formed on the reflectance control layer; A planarization layer formed on the color filter array; A micro lens formed on the planarization layer; It includes.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 반사율 조절층의 굴절율은 상기 보호막의 굴절율과 상기 컬러필터 어레이의 굴절율 사이의 값을 갖는 다.According to the image sensor according to the embodiment of the present invention, the refractive index of the reflectance control layer has a value between the refractive index of the protective film and the refractive index of the color filter array.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 반사율 조절층은 단일층으로 형성된다.According to the image sensor according to the embodiment of the present invention, the reflectance control layer is formed as a single layer.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 반사율 조절층은 굴절율 값이 점차적으로 변화되는 다중층으로 형성되고, 상기 컬러필터 어레이와의 경계면에서 상기 보호막과의 경계면으로 갈수록 각 층의 굴절율 값이 점차적으로 더 커지도록 형성된다.According to the image sensor according to the embodiment of the present invention, the reflectance control layer is formed of a multilayer in which the refractive index value is gradually changed, the refractive index value of each layer toward the interface with the protective film from the interface with the color filter array It is formed to gradually become larger.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 컬러필터 어레이의 굴절율은 1.57 이고, 상기 보호막의 굴절율은 2.0 이고, 상기 반사율 조절층의 굴절율은 1.6~1.7로 형성된다.According to the image sensor according to the embodiment of the present invention, the refractive index of the color filter array is 1.57, the refractive index of the protective film is 2.0, the refractive index of the reflectance control layer is formed to be 1.6 ~ 1.7.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법은, 하부에 수광부가 구비된 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 위에 반사율 조절층을 형성하는 단계; 상기 반사율 조절층 위에 컬러필터 어레이를 형성하는 단계; 상기 컬러필터 어레이 위에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 위에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 를 포함한다.An image sensor manufacturing method according to an embodiment of the present invention, forming a protective film having a light receiving portion in the lower portion; Forming a reflectance control layer on the passivation layer; Forming a color filter array on the reflectance control layer; Forming a planarization layer on the color filter array; Forming a micro lens on the planarization layer; It includes.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 반사율 조절층의 굴절율은 상기 보호막의 굴절율과 상기 컬러필터 어레이의 굴절율 사이의 값을 갖도록 형성된다.According to the image sensor manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the refractive index of the reflectance control layer is formed to have a value between the refractive index of the protective film and the refractive index of the color filter array.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 반사율 조절층은 단일층으로 형성된다.According to the image sensor manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the reflectance control layer is formed as a single layer.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 반사율 조절층은 굴절율 값이 점차적으로 변화되는 다중층으로 형성되고, 상기 컬러필터 어레이와의 경계면에서 상기 보호막과의 경계면으로 갈수록 각 층의 굴절율 값이 점차적으로 더 커지도록 형성된다.According to the image sensor manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the reflectance control layer is formed of a multilayer in which the refractive index value is gradually changed, each layer of the layer toward the interface with the protective film from the interface with the color filter array The refractive index value is formed to gradually become larger.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 제조방법에 의하면, 상기 컬러필터 어레이의 굴절율은 1.57 이고, 상기 보호막의 굴절율은 2.0 이고, 상기 반사율 조절층의 굴절율은 1.6~1.7로 형성된다.According to the image sensor manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the refractive index of the color filter array is 1.57, the refractive index of the protective film is 2.0, the refractive index of the reflectance control layer is formed of 1.6 ~ 1.7.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 입사되는 빛을 포토 다이오드 영역에 효율적으로 전달하여 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to an image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, there is an advantage that the sensitivity of the image sensor may be improved by efficiently transmitting incident light to the photodiode region.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위"에 또는 "아래"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 그 의미는 각 층(막), 영역, 패드, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들에 접촉되어 형성되는 경우로 해석될 수도 있으며, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 그 사이에 추가적으로 형성되는 경우로 해석될 수도 있다. 따라서, 그 의미는 발명의 기술적 사상에 의하여 판단되어야 한다.In the description of embodiments according to the present invention, each layer (film), region, pattern or structure is described as being formed "on" or "under" a substrate, each layer (film), region, pad or pattern. In the case, the meaning may be interpreted as when each layer (film), region, pad, pattern or structures is formed in direct contact with the substrate, each layer (film), region, pad or patterns, and another layer. (Film), another region, another pad, another pattern, or another structure may be interpreted as a case where additional formation is made therebetween. Therefore, the meaning should be determined by the technical spirit of the invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서의 적층 구조를 개념적으로 나타낸 도면이다.2 is a diagram conceptually illustrating a stacked structure of an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 층간 절연막(21), 보호막(23), 컬러필터 어레이(25), 평탄화층(27), 마이크로 렌즈(29), 반사율 조절층(31)을 포함한다.As shown in FIG. 2, an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention may include an interlayer insulating film 21, a protective film 23, a color filter array 25, a planarization layer 27, a micro lens 29, and reflectance control. Layer 31.

상기 마이크로 렌즈(29)는 입사되는 빛을 집광한다. 상기 마이크로 렌즈(29)를 통하여 집광된 빛은 그 하부에 위치된 상기 평탄화층(27), 컬러필터 어레이(25), 반사율 조절층(31), 보호막(23), 층간 절연막(21)을 경유하여 포토 다이오드와 같은 수광부에 전달된다.The micro lens 29 collects incident light. The light collected through the microlens 29 passes through the planarization layer 27, the color filter array 25, the reflectance control layer 31, the passivation layer 23, and the interlayer insulating layer 21 disposed under the microlens 29. Is transmitted to a light receiving unit such as a photodiode.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는 하나의 예로서 상기 마이크로 렌즈(29)의 굴절율은 약 1.59이고, 상기 평탄화층(27)의 굴절율은 약 1.52이고, 상기 컬러필터 어레이(25)의 굴절율은 약 1.57이고, 상기 반사율 조절층(31)의 굴절율은 약 1.6~1.7이고, 상기 보호막(23)의 굴절율은 약 2.0이고, 상기 층간 절연막(21)의 굴절율은 약 1.5로 구성된다.As an example, the image sensor according to the embodiment of the present invention has a refractive index of about 1.59, a refractive index of the flattening layer 27 of about 1.52, and a refractive index of the color filter array 25. The refractive index of the reflectance control layer 31 is about 1.57, the refractive index of the protective film 23 is about 2.0, and the refractive index of the interlayer insulating film 21 is about 1.5.

즉, 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에서는 매질 간의 굴절율 차이가 크게 발생되는 상기 컬러필터 어레이(25)와 상기 보호막(23) 사이에 상기 반사율 조절층(31)이 더 형성되도록 하였다. 상기 반사율 조절층(31)은 상기 컬러필터 어레이(25)를 이루는 매질의 굴절율과 상기 보호막(23)을 이루는 매질의 굴절율의 사이 값을 갖도록 형성된다.That is, in the image sensor according to the exemplary embodiment of the present invention, the reflectance control layer 31 is further formed between the color filter array 25 and the passivation layer 23 where a large difference in refractive index between media is generated. The reflectance control layer 31 is formed to have a value between the refractive index of the medium constituting the color filter array 25 and the refractive index of the medium constituting the protective film 23.

알려진 바와 같이 진행되는 빛은 두 매질의 경계면에서 두 매질의 굴절율 차이에 의존하여 반사율이 결정되는 특성을 갖는다. 그런데, 도 1을 참조하여 설명된 바와 같이, 종래 이미지 센서에서는 컬러필터 어레이(15)와 보호막(13) 간에는 특 히 큰 굴절율 차이가 발생되므로, 이 계면에서는 입사되는 빛에 대한 반사율이 크게 발생되어 입사되는 빛이 수광부 영역으로 흡수되지 못하고 사라지게 됨으로써 이미지 센서의 감도가 떨어지게 되는 문제점이 있었다.As is known, the light propagates has the property that the reflectance is determined depending on the difference in refractive index of the two media at the interface of the two media. However, as described with reference to FIG. 1, in the conventional image sensor, since a particularly large refractive index difference occurs between the color filter array 15 and the passivation layer 13, the reflectance of incident light is greatly generated at this interface. There is a problem that the sensitivity of the image sensor is reduced by the incident light is not absorbed into the light receiving portion area disappears.

따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 컬러필터 어레이(25)를 투과한 빛이 상기 반사율 조절층(31)을 경유하여 상기 보호막(23)에 입사하게 된다. 이에 따라, 상기 컬러필터 어레이(25)를 투과한 빛이 상기 보호막(23)에 입사되는 빛의 양을 향상시킬 수 있게 되며, 결과적으로는 수광부 영역으로 입사되는 빛의 양을 늘릴 수 있게 되어 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있게 되는 것이다.Therefore, according to the image sensor according to the exemplary embodiment of the present invention, the light transmitted through the color filter array 25 is incident on the passivation layer 23 via the reflectance adjusting layer 31. Accordingly, the light transmitted through the color filter array 25 may improve the amount of light incident on the passivation layer 23, and consequently, the amount of light incident on the light receiving region may be increased. It is possible to improve the sensitivity of the sensor.

도 2에서는 상기 반사율 조절층(31)이 단일층으로 형성된 경우를 도시하였으나, 상기 반사율 조절층(31)은 굴절율의 값이 순차적으로 변화되는 다중층으로 형성될 수도 있다. 상기 반사율 조절층(31)이 다중층으로 형성되는 경우에는, 상기 반사율 조절층(31)은 상기 컬러필터 어레이(25)가 위치된 경계에서 상기 보호막(23)이 위치된 경계로 갈수록 각 층의 굴절율 값이 점차적으로 더 커지도록 형성될 수 있다.In FIG. 2, the reflectance control layer 31 is formed as a single layer, but the reflectance control layer 31 may be formed as a multilayer in which refractive index values are sequentially changed. When the reflectance control layer 31 is formed of multiple layers, the reflectance control layer 31 is formed from the boundary where the color filter array 25 is located to the boundary where the protective film 23 is located. The refractive index value can be formed to be gradually larger.

한편, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 나타낸 수직 단면도로서, 집광에 관련된 이미지 센서의 주요부분만이 도시되어 있다.3 is a vertical cross-sectional view schematically illustrating an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention, and only main parts of the image sensor related to condensation are illustrated.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 반도체 기판 상부에 형성된 적어도 하나 이상의 수광부(102)와, 필드 절연막(100)과, 상기 필드 절연막(100)과 상기 수광부(102) 상부를 층간 절연하는 층간 절연막(104, 108)과, 수광부(102) 이외의 영역으로 광이 입사되는 것을 방지하기 위해 층간 절연막(108) 내에 형성된 광차폐막(light shield layer)(106)을 포함한다. As shown in FIG. 3, an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention includes at least one light receiving unit 102, a field insulating film 100, the field insulating film 100, and the light receiving unit 102 formed on an upper portion of a semiconductor substrate. Interlayer insulating films 104 and 108 for interlayer insulating the upper portion, and a light shield layer 106 formed in the interlayer insulating film 108 to prevent light from being incident to a region other than the light receiving portion 102. do.

또한, 상기 층간 절연막(108) 상부에 보호막(110)이 형성되어 있으며, 소자 보호막(110) 상부에 적색(red), 녹색(green), 청색(blue)의 컬러필터(112a, 112b, 112c)가 어레이 형태로 형성되어 있다. 이들 컬러필터(112a, 112b, 112c) 위에는 평탄화층(116)이 형성되어 있으며 컬러필터(112a, 112b, 112c)의 대향 위치에 볼록렌즈 형상의 마이크로 렌즈(118)가 각각 형성되어 있다. 도면 부호 114는 층간 절연막을 나타내고 도면 부호 120은 반사율 조절층을 나타낸다.In addition, a passivation layer 110 is formed on the interlayer insulating layer 108, and red, green, and blue color filters 112a, 112b, and 112c are disposed on the element passivation layer 110. Is formed in the form of an array. The planarization layer 116 is formed on these color filters 112a, 112b, 112c, and the convex lens-shaped microlens 118 is formed in the opposing position of the color filters 112a, 112b, 112c, respectively. Reference numeral 114 denotes an interlayer insulating film and reference numeral 120 denotes a reflectance adjusting layer.

입사된 빛은 마이크로렌즈(118)를 통해 각각의 적색 컬러필터(112a), 녹색 컬러필터(112b), 청색 컬러필터(112c)를 통해 해당 적색 광, 녹색 광, 청색 광을 필터링한다. 필터링된 광은 상기 반사율 조절층(120), 상기 보호막(110) 및 층간 절연막(108, 104)을 통해서 각 컬러필터 하단에 위치한 수광부(102)에 입사된다. 이때, 광차폐막(106)은 입사된 광이 다른 경로로 벗어나지 않도록 하는 역할을 한다.The incident light filters the corresponding red light, green light, and blue light through the red color filter 112a, the green color filter 112b, and the blue color filter 112c through the microlens 118. The filtered light is incident on the light receiving unit 102 located at the bottom of each color filter through the reflectance control layer 120, the passivation layer 110, and the interlayer insulating layers 108 and 104. In this case, the light shielding layer 106 serves to prevent the incident light from escaping to another path.

이와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서에 의하면, 상기 컬러필터(112a, 112b, 112c)를 투과한 빛이 상기 반사율 조절층(120)을 경유하여 상기 보호막(110)에 입사하게 된다. 이에 따라, 상기 컬러필터(112a, 112b, 112c)를 투과한 빛이 상기 보호막(110)에 입사되는 빛의 양을 향상시킬 수 있게 되며, 결과적으로는 수광부(102) 영역으로 입사되는 빛의 양을 늘릴 수 있게 되어 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있게 되는 것이다.As described above, according to the image sensor according to the exemplary embodiment of the present invention, the light transmitted through the color filters 112a, 112b, and 112c is incident on the passivation layer 110 via the reflectance adjusting layer 120. Accordingly, the light transmitted through the color filters 112a, 112b, and 112c may improve the amount of light incident on the passivation layer 110, and as a result, the amount of light incident on the light receiving portion 102 region. This can increase the sensitivity of the image sensor.

본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 입사되는 빛을 포토 다이오드 영역에 효율적으로 전달하여 이미지 센서의 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to an image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention, there is an advantage that the sensitivity of the image sensor may be improved by efficiently transmitting incident light to the photodiode region.

Claims (17)

하부에 수광부가 형성된 보호막;A protective film having a light receiving portion formed on the lower portion; 상기 보호막 위에 형성된 반사율 조절층;A reflectance control layer formed on the passivation layer; 상기 반사율 조절층 위에 형성된 컬러필터 어레이;A color filter array formed on the reflectance control layer; 상기 컬러필터 어레이 위에 형성된 평탄화층;A planarization layer formed on the color filter array; 상기 평탄화층 위에 형성된 마이크로 렌즈;A micro lens formed on the planarization layer; 를 포함하고, Including , 상기 반사율 조절층의 굴절율은 상기 보호막의 굴절율과 상기 컬러필터 어레이의 굴절율 사이의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서. The refractive index of the reflectance control layer is an image sensor having a value between the refractive index of the protective film and the refractive index of the color filter array . 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사율 조절층은 단일층으로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The reflectance control layer is an image sensor, characterized in that formed in a single layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사율 조절층은 굴절율 값이 점차적으로 변화되는 다중층으로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The reflectance control layer is an image sensor, characterized in that formed of a multilayer in which the refractive index value is gradually changed. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사율 조절층은 다중층으로 형성되고, 상기 컬러필터 어레이와의 경계면에서 상기 보호막과의 경계면으로 갈수록 각 층의 굴절율 값이 점차적으로 더 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The reflectance control layer is formed of multiple layers, the image sensor characterized in that the refractive index value of each layer is gradually increased from the interface with the color filter array toward the interface with the protective film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컬러필터 어레이의 굴절율은 1.57 이고, 상기 보호막의 굴절율은 2.0 이고, 상기 반사율 조절층의 굴절율은 1.6~1.7인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The refractive index of the color filter array is 1.57, the refractive index of the protective film is 2.0, the refractive index of the reflectance control layer is an image sensor, characterized in that 1.6 ~ 1.7. 하부에 수광부가 구비된 보호막을 형성하는 단계;Forming a protective film having a light receiving unit at a lower portion thereof; 상기 보호막 위에 반사율 조절층을 형성하는 단계;Forming a reflectance control layer on the passivation layer; 상기 반사율 조절층 위에 컬러필터 어레이를 형성하는 단계;Forming a color filter array on the reflectance control layer; 상기 컬러필터 어레이 위에 평탄화층을 형성하는 단계;Forming a planarization layer on the color filter array; 상기 평탄화층 위에 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;Forming a micro lens on the planarization layer; 를 포함하고, Including , 상기 반사율 조절층의 굴절율은 상기 보호막의 굴절율과 상기 컬러필터 어레이의 굴절율 사이의 값을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법. The refractive index of the reflectance control layer is formed to have a value between the refractive index of the protective film and the refractive index of the color filter array . 삭제delete 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반사율 조절층은 단일층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.The reflectance control layer is an image sensor manufacturing method, characterized in that formed in a single layer. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반사율 조절층은 굴절율 값이 점차적으로 변화되는 다중층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.The reflectance control layer is an image sensor manufacturing method, characterized in that formed as a multilayer in which the refractive index value is gradually changed. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반사율 조절층은 다중층으로 형성되고, 상기 컬러필터 어레이와의 경계면에서 상기 보호막과의 경계면으로 갈수록 각 층의 굴절율 값이 점차적으로 더 커지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.The reflectance control layer is formed of multiple layers, and the refractive index value of each layer is formed to gradually increase from the interface with the color filter array toward the interface with the protective film. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 컬러필터 어레이의 굴절율은 1.57 이고, 상기 보호막의 굴절율은 2.0 이고, 상기 반사율 조절층의 굴절율은 1.6~1.7로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조방법.The refractive index of the color filter array is 1.57, the refractive index of the protective film is 2.0, the refractive index of the reflectance control layer is characterized in that the image sensor manufacturing method characterized in that formed from 1.6 to 1.7. 굴절율 값이 2.0인 보호막;A protective film having a refractive index value of 2.0; 상기 보호막 위에 형성된 반사율 조절층;A reflectance control layer formed on the passivation layer; 상기 반사율 조절층 위에 형성되며 굴절율 값이 1.57인 컬러필터 어레이;A color filter array formed on the reflectivity control layer and having a refractive index value of 1.57; 상기 컬러필터 어레에 위에 형성된 마이크로 렌즈;A micro lens formed on the color filter array; 를 포함하며,Including; 상기 반사율 조절층의 굴절율 값은 1.57~2.0의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The refractive index value of the reflectance control layer is an image sensor, characterized in that it has a value of 1.57 ~ 2.0. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 반사율 조절층의 굴절율 값은 1.6~1.7의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The refractive index value of the reflectance control layer is an image sensor, characterized in that it has a value of 1.6 ~ 1.7. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 반사율 조절층은 단일층으로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The reflectance control layer is an image sensor, characterized in that formed in a single layer. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 반사율 조절층은 굴절율 값이 점차적으로 변화되는 다중층으로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The reflectance control layer is an image sensor, characterized in that formed of a multilayer in which the refractive index value is gradually changed. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 반사율 조절층은 다중층으로 형성되고, 상기 컬러필터 어레이와의 경계 면에서 상기 보호막과의 경계면으로 갈수록 각 층의 굴절율 값이 점차적으로 더 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.The reflectance control layer is formed of multiple layers, the image sensor characterized in that the refractive index value of each layer is gradually increased from the boundary surface with the color filter array toward the boundary surface with the protective film.
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