KR100820627B1 - 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법 - Google Patents

반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100820627B1
KR100820627B1 KR1020060071938A KR20060071938A KR100820627B1 KR 100820627 B1 KR100820627 B1 KR 100820627B1 KR 1020060071938 A KR1020060071938 A KR 1020060071938A KR 20060071938 A KR20060071938 A KR 20060071938A KR 100820627 B1 KR100820627 B1 KR 100820627B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
central element
light emitting
molding part
optical sensor
molding
Prior art date
Application number
KR1020060071938A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080011517A (ko
Inventor
김이식
Original Assignee
한국 고덴시 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국 고덴시 주식회사 filed Critical 한국 고덴시 주식회사
Priority to KR1020060071938A priority Critical patent/KR100820627B1/ko
Publication of KR20080011517A publication Critical patent/KR20080011517A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100820627B1 publication Critical patent/KR100820627B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 하나의 발광 또는 수광소자와 다수의 수광 또는 발광소자를 구비하는 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 반사형 광센서 패키지는 인쇄 회로 기판 상의 중심부 실장된 하나의 중심부 소자와; 상기 인쇄 회로 기판 상의 중심부 소자를 중심으로 주변에 실장된 다수의 외곽부 소자와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 외부 환경과 격리시키며 보호하는 제 1 몰딩부와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하기 위한 제 2 몰딩부를 구비한다.
반사형 광센서, 몰딩

Description

반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법{Reflection type sensor package and method for fabricating the same}
도 1a는 종래의 반사형 광센서의 개략적인 구성을 설명하기 위한 평면도.
도 1b는 종래의 반사형 광센서의 개략적인 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서의 개략적인 구성을 설명하기 위한 평면도.
도 2b는 도 2a의 A-A' 라인에 따른 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도.
도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 평면도.
도 4b, 도 5b, 도 6b 및 도 7b은 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a의 B-B' 라인에 따른 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
110; 인쇄 회로 기판 120; 중심부 소자
130; 외곽부 소자 140; 제 1 몰딩부
150; 제 2 몰딩부
본 발명은 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 하나의 발광 또는 수광소자와 다수의 수광 또는 발광소자를 구비하는 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 목적물을 감지하여 그 존재를 정확히 파악하고자 광센서가 제안되어 널리 사용되고 있다. 빛의 직진성과 반사성을 이용한 광센서는 발광소자에서 발사된 빛이 목적물에 부딪혀 반사된 다음 수광소자에 감지되도록 구성되어 있으며, 발광소자에서 발사된 빛이 목적물에 반사되어 수광소자에 감지되는 시간과 빛의 양 등을 측정하여 미리 계산된 프로그램을 통해 종합함으로써 대상 물체의 존재 여부를 정확하게 감지하여 판단할 수 있도록 구성되어 있다.
도 1a는 종래의 반사형 광센서의 개략적인 구성을 설명하기 위한 평면도이며, 도 1b는 종래의 반사형 광센서의 개략적인 구성을 설명하기 위한 단면도이다.
도면을 참조하면, 종래의 반사형 광센서는 인쇄 회로 기판(11) 상에 발광소자(12)와 수광소자(13)가 실장되고, 상기 발광소자(12)와 수광소자(13)의 둘레에는양자를 상호 격리하도록 상단이 오픈된 우물 형상의 댐(14)이 몰딩되고, 상기 댐안에는 액상성분의 레진이 캐스팅 방식으로 채워져 보호층(15)를 형성하여 상기 발과소자(12)와 수광소자(13)를 보호하게 된다.
이러한 종래의 반사형 광센서는 상기 인쇄 회로 기판(11)을 통하여 상기 발 광소자(12)에 전원이 공급되면, 상기 발광소자(12)에서 빛을 발광하게 되며, 발광된 빛은 소정의 목적물에 반사되어 상기 수광소자(13)에서 감지된다.
이러한 원리를 통하여 종래의 반사형 광센서는 주로 물체의 유무를 감지하는 역할을 수행하여 왔다.
그러나, 종래의 반사형 광센서는 통상 하나의 발광소자(12) 및 수광소자(12)만을 구비하여 이루어짐으로써, 응용분야가 토포인터럽터, 엔코더 등과 같이 광센서의 기능이 단순히 물체의 존재유무를 판별하는 장치에 한정되어 왔다. 시장에서 요구하는 다양한 기능을 구현하기 위해서 종래 다수개의 광센서를 구비한 패키지를 개발하고자 하는 시도가 있었으나, 그 다수의 발광소자(12) 및 다수의 수광소자(13), 이들을 둘러쌓는 댐들의 형성과정이 매우 복잡하고, 최종 제품의 부피가 커지는 단점이 있어 왔다.
이에 따라 보다 다양한 기능을 수행하면서도 크기가 작은 새로운 형태의 광센서에 대한 요구가 계속되고 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 하나의 발광 또는 수광소자와 다수의 수광 또는 발광소자를 구비하는 반사형 광센서 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 하나의 발광 또는 수광소자와 다수의 수광 또는 발광소자를 구비하는 반사형 광센서 패키지를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 하나의 발광 또는 수광소자와 다수의 수광 또는 발광소자를 구비하는 반사형 광센서 패키지의 칼라센서로서의 용도를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반사형 광센서 패키지는 인쇄 회로 기판 상의 중심부 실장된 하나의 중심부 소자와; 상기 인쇄 회로 기판 상의 중심부 소자의 주변에 실장된 다수의 외곽부 소자와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 외부 환경과 격리시키며 보호하는 제 1 몰딩부와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하기 위한 제 2 몰딩부를 구비한다.
본 발명에 있어서, 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자 중 어느 하나는 발광소자이며, 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자 중 다른 하나는 수광소자인 것이 바람직하다.
본 발명의 실시에 있어서, 상기 외곽부 소자는 상기 인쇄회로 기판상의 중심부 소자를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 실장된다. 본 발명의 바람직한 실시에 있어서, 주변부 소자들이 동심원의 원주를 따라 실장됨으로써, 동일한 기능, 바람직하게는 수광기능을 가지는 주변부 소자들에 입력되는 정보들이 중심부 소자로부터 거리가 달라서 복잡해지는 것을 방지할 수 있게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 제 2 몰딩부는 상기 중심부 소자를 감싸는 형태로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 상기 제 2 몰딩부는 상기 중심부 소자를 둘러싸는 원 또는 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 연장된 형태일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 제 2 몰딩부는 입사되는 광을 충분히 차단 또는 흡 수할 수 있는 재질로 이루어져 상기 중심부 소자와 상기 주변부 소자들을 광학적으로 격리시킨다.
또한, 본 발명의 반사형 광센서 패키지의 제조 방법은 인쇄 회로 기판의 중심에 중심부 소자를 실장하는 단계와; 상기 중심부 소자를 중심으로 외곽부에 외곽부 소자를 실장하는 단계와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 몰딩하는 제 1 몰딩부를 형성하는 단계와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 있어서, 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 몰딩하는 제 1 몰딩부를 형성하는 단계는 제 2 몰딩부의 형상에 해당되는 틀을 삽입한 후 몰딩되는 것이 바람직하다. 발명의 일 실시에 있어서, 제 1 몰딩부를 형성하는 단계는 일정 폭을 지니며, 상기 중심부 소자(120)를 둘러싸는 원 또는 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 연장된 형태의 틀을 삽입하고 몰딩하여 진행하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계는 상기 틀을 제거한 후, 상기 제거된 틀에 의하여 형성된 공간에 몰딩 물질을 삽입하여 진행하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 칼라센서용 반사형 광센서 패키지는 인쇄 회로 기판 상의 중심부 실장된 하나의 발광 소자와; 상기 인쇄 회로 기판 상의 중심부 소자의 주변에 실장된 다수의 수광 소자와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 외부 환경과 격리시키며 보호하는 제 1 몰딩부와; 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하기 위한 제 2 몰딩부를 포함하여 이루어지고,
여기서 상기 발광소자는 광원을 방사하며,
상기 수광소자는 각각 특정 광원을 수광하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시에 있어서, 상기 발광소자는 다양한 파장의 예를 들어 적외선, 자외선, 및 가시광선 등의 광원을 방사할 수 있으며, 상기 수광소자는 특정파장대 예를 들어 녹색, 적색, 청색 파장의 반사된 광원을 수광하여 처리함으로써 반사체의 칼라를 분석할 수 있도록 구성된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서의 개략적인 구성을 설명하기 위한 평면도이며, 도 2b는 도 2a의 A-A' 라인에 따른 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지는
본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지는 소정의 금속 패턴이 형성되어 있는 인쇄 회로 기판(110) 상의 중심부 소자(120)와, 상기 인쇄 회로 기판(110) 상의 중심부 소자(120)를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 실장된 다수의 외곽부 소자(130)와, 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)를 외부 환경과 격리시키며 보호하는 제 1 몰딩부(140)와, 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)를 광학적으로 격리하기 위한 제 2 몰딩부(150)를 구비한다.
보다 상세히 설명하면, 대략 사각형의 상기 인쇄 회로 기판(110) 상의 중심부에 하나의 중심부 소자(120)가 실장되어 있다. 이러한 중심부 소자(120)는 일반적인 반사형 광센서에 사용되는 발광소자 또는 수광소자로 구성될 수 있다.
이때, 상기 발광소자는 화합물 반도체로 만들어지는 발광 다이오드로 구성될 수 있으며, 이러한 발광 다이오드는 다양한 형태의 광을 방출할 수 있는 소자이다.
또한, 상기 수광소자는 실리콘 재질의 포토다이오드, 실리콘 재질의 포토트랜지스터 및 IC 포토센서 중 선택되는 어느 하나의 광센서로 구성될 수 있으며, 수광되는 광의 양을 전기적 신호로 변환시킬 수 있는 소자이다.
상기 외곽부 소자(130)는 상기 중심부 소자를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 상기 인쇄 회로 기판(110) 상에 다수 개 실장된다. 예를 들면, 상기 외곽부 소자(130)는 상기 동심원의 원주를 따라 중심부 소자(120)의 상·하에 각각 두 개, 좌·우에 각각 하나가 실장될 수 있다. 또한, 상기 외곽부 소자(130)는 상기 중심부 소자(120)가 발광소자인 경우에는 수광소자로, 상기 중심부 소자(120)가 수광소자인 경우에는 발광소자로 구성될 수 있다.
한편, 상기 외곽부 소자(130)는 동일한 광을 발하는 발광소자로 구성되거나, 또는 각각 동일한 광을 감지하는 수광소자로 구성될 수 있다. 또한, 상기 외곽부 소자(130)는 각기 다른 광을 발하는 발광소자로 구성하거나, 또는 각기 다른 광을 감지하는 수광소자로 구성될 수도 있다.
상기 제 1 몰딩부(140)는 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)를 외 부 환경과 격리시키며 보호하는 역할을 수행하며, 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)의 상부는 빛이 통과할 수 있도록 일반적으로 반도체 패키지 공정에서 사용되는 에폭시 수지로 이루어질 수 있으나, 본 발명에서 그 재질을 한정하는 것은 아니다.
상기 제 2 몰딩부(150)는 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130) 사이에 서로 광에 의한 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 것으로, 상기 중심부 소자(120)를 감싸는 형태로 이루어진다. 상기 제2 몰딩부(150)는 중심부 소자를 감쌀 수 있도록 중심부 소자의 둘레에 상응하는 형상으로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 상기 제 2 몰딩부(150)는 상기 중심부 소자(120)를 둘러싸는 사각형으로 이루어질 수 있다. 또한 제 1 몰딩부(140)가 패키지 측면으로부터 사출되어 내부를 충진하고 타측으로 빠져나갈 수 있도록 상기 제 2 몰딩부(150)는 양측의 일부가 각각 오픈되어 패키지의 양측면까지 연장된 형태로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 측면까지 연장된 형태로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제 2 몰딩부(150)는 입사되는 광을 충분히 차단 또는 흡수할 수 있는 재질로 이루어지는 것이 바람직하나, 본 발명에서 그 재질을 한정하는 것은 아니다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지의 작동은 하기와 같다.
우선, 소정의 금속 패턴이 형성된 상기 인쇄 회로 기판(110)에 외부 전원이 연결되면, 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130) 중 발광소자로 이루어지는 소자에 전원이 공급된다.
상기 발광소자로 이루어지는 소자에 전원이 공급되면, 상기 발광소자로 이루어지는 소자는 빛을 발광하게 된다.
발광된 빛은 소정의 목적물에 반사되고, 반사된 빛은 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130) 중 수광소자로 이루어지는 소자에 의하여 감지된다.
이때, 상기 제 2 몰딩부(150)는 상기 발광소자로 이루어지는 소자에서 발광하는 빛을 차단 또는 흡수하여 상기 수광소자로 이루어지는 소자가 발광된 빛에 의하여 직접적인 영향을 받는 것을 방지한다. 즉, 상기 제 2 몰딩부(150)는 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)를 광학적으로 격리시키는 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지는 인쇄 회로 기판의 중심에 중심부 소자를 실장하는 단계(S1)와, 상기 중심부 소자를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 외곽부 소자를 실장하는 단계(S2)와, 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 몰딩하는 제 1 몰딩부를 형성하는 단계(S3)와, 상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계(S4)를 진행함으로써, 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지를 제조할 수 있다.
도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a는 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키 지의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 평면도이며, 도 4b, 도 5b, 도 6b 및 도 7b은 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a의 B-B' 라인에 따른 단면도이다. 이하에서는 상기 도 3과 함께 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지의 제조 방법을 설명한다.
도면을 참조하면, 우선, 인쇄 회로 기판(110)의 중심에 중심부 소자(120)를 실장하는 단계(S1)는 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 소정의 금속 패턴이 형성된 상기 인쇄 회로 기판(110)의 중심에 소정의 도전성 접착제 또는 도전성 접착 테이프를 통하여 발광소자 또는 수광소자 중 어느 하나로 이루어지는 중심부 소자(120)를 실장한다.
상기 중심부 소자(120)를 실장한 후, 상기 중심부 소자(120)를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 외곽부 소자(130)를 실장하는 단계(S2)는 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 중심부 소자(120)를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라서 다수의 외곽부 소자(130)를 실장한다. 예를 들면, 상기 외곽부 소자(130)는 상기 동심원의 원주를 따라 중심부 소자(120)의 상·하에 각각 두 개, 좌·우에 각각 하나가 실장될 수 있다.
상기 외곽부 소자(130)를 실장한 후, 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)를 몰딩하는 제 1 몰딩부(140)를 형성하는 단계(S3)는 도 6a 및 도 6b에서와 같이, 몰딩 공정을 통하여 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)를 외부 환경과 격리시키며 보호하는 역할을 수행하는 제 1 몰딩부(140)를 형성한다. 이때, 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)의 상부는 빛이 통과할 수 있도록 통상의 에폭시 재질로 이루어진다.
한편, 상기 제 1 몰딩부(140) 형성시, 제 1 몰딩부(140) 내부에 상기 중심부 소자(120)를 감싸는 형태로 이루어지는 공간을 미리 형성한다. 이는 추후에 형성되는 제 2 몰딩부(150) 형성을 위한 공간으로, 제 1 몰딩부(140) 형성 공정에서 상기 중심부 소자(120)를 감싸는 틀을 삽입하고 제 1 몰딩부(140)를 형성하는 몰딩 공정을 수행하여 형성되는 것이다. 이때, 상기 틀은 상기 중심부 소자(120)를 둘러싸는 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 연장된 형태로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 몰딩부(140)를 형성한 후, 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130)를 광학적으로 격리하는 제 2 몰딩부(150)를 형성하는 단계(S4)는 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 틀을 제거한 후, 상기 제거된 틀에 의하여 형성된 공간에 몰딩 물질을 삽입하여 상기 중심부 소자(120)를 감싸는 형태의 제 2 몰딩부(150)를 형성한다. 즉, 일종의 트랜스퍼 몰딩 공정을 이용하는 것이다.
이때, 상기 제 2 몰딩부(150)는 상기 중심부 소자(120) 및 외곽부 소자(130) 사이에 서로 광에 의한 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 것이다. 상기 제 2 몰딩부(150)의 형태는 일례로써, 상기 중심부 소자(120)를 둘러싸는 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 연장된 형태로 이루어질 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 반사형 광센서 패키지는 하나의 패키지를 구성함에 있어서, 하나의 발광소자와 다수의 수광소자, 또는 하나의 수광 소자와 다수의 발광소자로 구성됨으로써, 그 부피를 줄일 수 있으며, 크기가 5㎜ 이하까지 소형화가 가능하다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 본 발명은 하나의 발광 또는 수광소자와 다수의 수광 또는 발광소자를 구비하는 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 인쇄 회로 기판 상의 중심부 실장된 하나의 중심부 소자와;
    상기 인쇄 회로 기판 상의 중심부 소자를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 실장된 다수의 외곽부 소자와;
    상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 외부와 격리시키며 보호하는 제 1 몰딩부와;
    상기 중심부 소자를 둘러싸는 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 연장된 형태로 형성되며, 중심부 소자와 외곽부 소자를 광학적으로 격리시키는 제 2 몰딩부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반사형 광센서 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 중심부 소자 및 외곽부 소자 중 어느 하나는 발광소자이며,
    상기 중심부 소자 및 외곽부 소자 중 다른 하나는 수광소자인 것을 특징으로 하는 반사형 광센서 패키지.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 인쇄 회로 기판의 중심에 중심부 소자를 실장하는 단계와;
    상기 중심부 소자를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 외곽부 소자를 실장하는 단계와;
    상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 몰딩하는 제 1 몰딩부를 형성하는 단계와;
    상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계로 진행되며,
    상기 제 1 몰딩부를 형성하는 단계는
    일정 폭을 지니며, 상기 중심부 소자(120)를 둘러싸는 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 연장된 형태의 틀을 삽입하고 몰딩하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반사형 광센서 패키지의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 중심부 소자 및 외곽부 소자를 광학적으로 격리하는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계는
    상기 틀을 제거한 후, 상기 제거된 틀에 의하여 형성된 공간에 몰딩 물질을 삽입하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반사형 광센서 패키지의 제조 방법.
  8. 인쇄 회로 기판 상의 중심부 실장된 하나의 발광 소자와;
    상기 인쇄 회로 기판 상의 발광 소자를 중심으로 하는 동심원의 원주를 따라 실장된 다수의 수광 소자와;
    상기 발광 소자 및 수광 소자를 외부와 격리시키며 보호하는 제 1 몰딩부와; 및
    상기 발광 소자를 둘러싸는 사각형의 상·하가 각각 오픈되어 상·하로 연장된 형태로 형성되며, 발광 소자와 수광 소자를 광학적으로 격리시키는 제 2 몰딩부를 포함하여 이루어지고,
    여기서 상기 발광소자는 광원을 방사하며,
    상기 수광소자는 각각 특정 파장의 광원을 수광하는 것을 특징으로 하는 칼라센서용 반사형 광센서 패키지.
KR1020060071938A 2006-07-31 2006-07-31 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법 KR100820627B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060071938A KR100820627B1 (ko) 2006-07-31 2006-07-31 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060071938A KR100820627B1 (ko) 2006-07-31 2006-07-31 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080011517A KR20080011517A (ko) 2008-02-05
KR100820627B1 true KR100820627B1 (ko) 2008-04-10

Family

ID=39340036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060071938A KR100820627B1 (ko) 2006-07-31 2006-07-31 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100820627B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101460033B1 (ko) * 2013-06-26 2014-11-11 주식회사 루멘스홀딩스 전자 제품의 충격 완화 장치 및 이를 갖는 전자 제품
KR101639741B1 (ko) * 2015-03-26 2016-07-14 (주)파트론 수광 센서 패키지
KR102068161B1 (ko) * 2018-03-14 2020-01-20 (주)파트론 광학 센서 패키지 및 그 제조 방법
CN112310126B (zh) * 2020-10-30 2023-10-27 维沃移动通信有限公司 光学距离传感模组及其加工方法、电子设备
KR20220132964A (ko) * 2021-03-24 2022-10-04 삼성전자주식회사 공통 홀을 통해 조명 기능 및 광원 감지 기능을 동시에 수행 가능한 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590152B1 (en) 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP2004006753A (ja) * 2002-04-05 2004-01-08 Canon Inc 光半導体用パッケージ
EP1408343A1 (en) 2003-02-14 2004-04-14 Siemens Aktiengesellschaft Window for a proximity detector, proximity detector, mobile terminal, and a method for detecting the presence of an object
US6877914B2 (en) 2002-06-18 2005-04-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communications module and method for producing the module
KR20050097948A (ko) * 2003-04-21 2005-10-10 교세미 가부시키가이샤 자기 발광 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590152B1 (en) 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP2004006753A (ja) * 2002-04-05 2004-01-08 Canon Inc 光半導体用パッケージ
US6877914B2 (en) 2002-06-18 2005-04-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical communications module and method for producing the module
EP1408343A1 (en) 2003-02-14 2004-04-14 Siemens Aktiengesellschaft Window for a proximity detector, proximity detector, mobile terminal, and a method for detecting the presence of an object
KR20050097948A (ko) * 2003-04-21 2005-10-10 교세미 가부시키가이샤 자기 발광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080011517A (ko) 2008-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10396783B2 (en) Optical module, manufacturing method thereof and electronic apparatus
TWI556422B (zh) 影像模組封裝及其製作方法
TWI735538B (zh) 具備配有用於容納一光學組件之開口之雙重囊封的光電模組
KR100820627B1 (ko) 반사형 광센서 패키지 및 이의 제조 방법
CN101688807B (zh) 用于减小光学传感器中串音的方法
CN113167863B (zh) 光学传感器装置、设备和光学传感器装置的制造方法
US20150207016A1 (en) Methods for making wafer level optoelectronic device packages
JP4234269B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US10847664B2 (en) Optical package and method of producing an optical package
TWI578491B (zh) 光學感應裝置及光學裝置的製造方法
TWI606571B (zh) 光學感應裝置
US20180053861A1 (en) Semiconductor optical package and method
JP5164733B2 (ja) 光半導体装置およびその製造方法
KR100773473B1 (ko) 금형 몰딩을 이용한 반사형 광센서 및 그 제조 방법
JP2000277796A (ja) フォトセンサ及びその製造方法
KR20150004294A (ko) 광 근접 센서의 적외선 감쇠 또는 차단 층
KR102353292B1 (ko) 발광 장치와, 이의 제조 방법 및 웨어러블 장치용 멀티 센서 패키지 모듈
KR102162435B1 (ko) 반사형 포토센서 및 그 제조방법
JP2010045107A (ja) 光半導体装置の製造方法
KR102351988B1 (ko) 스마트 기기용 멀티 센서 패키지 모듈 및 이의 제조 방법
WO2005119756A1 (en) Semiconductor package with transparent lid
CN105890630A (zh) 接近传感器帽
US20230261026A1 (en) Image sensor chip including alignment mark and image sensor package including the same
KR100625870B1 (ko) 감지영역용 보호 패키지 구조를 갖는 영상센서
KR101103336B1 (ko) 광소자 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120402

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130401

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 12