KR100815912B1 - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
KR100815912B1
KR100815912B1 KR1020020036300A KR20020036300A KR100815912B1 KR 100815912 B1 KR100815912 B1 KR 100815912B1 KR 1020020036300 A KR1020020036300 A KR 1020020036300A KR 20020036300 A KR20020036300 A KR 20020036300A KR 100815912 B1 KR100815912 B1 KR 100815912B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
drain
antistatic
line short
gate
Prior art date
Application number
KR1020020036300A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040001177A (en
Inventor
이준호
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020020036300A priority Critical patent/KR100815912B1/en
Publication of KR20040001177A publication Critical patent/KR20040001177A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100815912B1 publication Critical patent/KR100815912B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/22Antistatic materials or arrangements

Abstract

본 발명은 액정표시장치의 전원 오프시 액정패널내의 차아지들이 완전히 방전될 수 있도록 하는 액정표시장치에 관한 것으로, 기판과, 상기 기판 상에 매트릭스 형상의 화소영역을 정의하기 위해 행방향으로 연속하여 형성된 복수개의 주사선 및 열방향으로 연속하여 형성된 복수개의 신호선과, 상기 각각의 주사선에 연결된 복수개의 제 1 정전기방지수단과, 상기 각각의 신호선에 연결된 복수개의 제 2 정전기방지수단과, 상기 복수개의 제 1 정전기방지수단을 전기적으로 묶는 주사선단락배선과, 상기 복수개의 제 2 정전기방지수단을 전기적으로 묶는 신호선단락배선과, 전원 오프시 상기 화소영역내의 전위가 접지 상태로 빠져나가도록 유도하는 접지수단과, 상기 주사선단락배선과 상기 접지수단 사이에 연결된 제 3 정전기방지수단 및 상기 신호선단락배선과 상기 접지수단 사이에 연결된 제 4 정전기방지수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a liquid crystal display device that allows the charges in the liquid crystal panel to be completely discharged when the power supply of the liquid crystal display device is turned off. A plurality of formed scanning lines and a plurality of signal lines formed in succession in the column direction, a plurality of first antistatic means connected to each of the scan lines, a plurality of second antistatic means connected to the respective signal lines, and a plurality of 1 is a scan line short interconnection for electrically binding the antistatic means, a signal line short interconnection for electrically binding the plurality of second antistatic means, a grounding means for inducing a potential in the pixel region to escape to a ground state when the power is turned off; Third antistatic means and the signal connected between the scan line short circuit and the grounding means; And a fourth anti-static means connected between the short-circuit wiring and the grounding means is characterized in that formed.

Description

액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Liquid crystal display {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

도 1은 종래의 액정 패널의 사시도.1 is a perspective view of a conventional liquid crystal panel.

도 2는 종래 박막트랜지스터의 단면도.2 is a cross-sectional view of a conventional thin film transistor.

도 3은 종래의 정전기 방지회로를 구비한 액정패널의 구조도.3 is a structural diagram of a liquid crystal panel having a conventional antistatic circuit.

도 4는 종래의 정전기 방지회로도.Figure 4 is a conventional antistatic circuit diagram.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정패널의 구조도.5 is a structural diagram of a liquid crystal panel according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정패널의 구조도.6 is a structural diagram of a liquid crystal panel according to a second embodiment of the present invention.

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 초기 화질을 개선시킬 수 있는 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of improving initial image quality.

정보화 사회가 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Lipuid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고 일부는 이미 여러 장비에서 표시장치로 활용되고 있다. As the information society develops, the demand for display devices is increasing in various forms, and in recent years, the LCD (Lipuid Crystal Display Device), PDP (Plasma Display Panel), ELD (Electro Luminescent Display), and VFD (Vacuum Fluorescent) Various flat panel display devices such as displays have been studied, and some of them are already used as display devices in various devices.                         

그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 브라운관(Cathode Ray Tube)을 대체하면서 LCD(이하, 액정표시장치라 칭함)가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 텔레비전 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, LCD (hereinafter referred to as liquid crystal display) is most commonly used as a substitute for a cathode ray tube for mobile image display devices due to its excellent image quality, light weight, thinness, and low power consumption. In addition to mobile applications such as notebook computers, various monitors have been developed.

이러한 액정표시장치는 서로 마주 보도록 결합되어 있는 두 기판과 그 사이에 주입되어 온도의 변화나 농도의 변화에 따라 상 전이를 발생하는 액정 물질로 이루어져 있다. Such a liquid crystal display device is composed of two substrates coupled to face each other and a liquid crystal material which is injected between the two substrates to generate a phase transition according to a change in temperature or a change in concentration.

상기 액정은 액체의 유동성과 고체의 장거리 질서(Long Range Order) 성질을 가지는 액체와 고체의 중간 성질을 갖는 물질이다. 즉, 고체인 결정이 녹아서 액체가 되기 전에 고체결정이나 액체가 아닌 중간 상태로 되는 것을 말한다. 이러한 액정에 빛을 쪼이거나 전계 또는 자계를 부가시키면 광학적인 이방성 결정에 특유한 복굴절성을 나타내고, 어떠한 온도 범위내에서는 액체와 결정의 쌍방의 성질을 나타낸다.The liquid crystal is a material having an intermediate property between a liquid and a solid having a liquidity and a long range order of the solid. In other words, the solid crystal melts and becomes an intermediate state rather than a solid crystal or liquid before it becomes a liquid. When light is applied to such liquid crystals or an electric field or magnetic field is added, birefringence peculiar to optically anisotropic crystals is exhibited, and both liquid and crystal are exhibited within a certain temperature range.

이와 같은 액정표시장치는 영상을 표시하는 액정패널과 영상신호를 발생하는 드라이버IC로 구성되어 있는데, 액정패널의 상세한 구조는 도 1에 나타낸 것과 같다. Such a liquid crystal display device is composed of a liquid crystal panel for displaying an image and a driver IC for generating an image signal. The detailed structure of the liquid crystal panel is shown in FIG.

먼저 제 1 기판(21)에는 복수개의 주사선(14)과 복수개의 신호선(16)이 매트릭스 형태로 형성되어 있고, 그 교차점에는 화소전극(26)과 박막트랜지스터(13)(Thin Film Transistor)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 제 1 기판(21)과 대향하는 제 2 기판(22)에는 공통전극(24)과 컬러필터(23)가 형성되어 있고, 상기 제 1 기판(21)과 상기 제 2 기판(22) 사이에 액정(25)이 주입된 구조로 되어 있다. First, a plurality of scan lines 14 and a plurality of signal lines 16 are formed in a matrix form on the first substrate 21, and pixel electrodes 26 and thin film transistors 13 are formed at intersections thereof. It is. The common substrate 24 and the color filter 23 are formed on the second substrate 22 facing the first substrate 21, and the first substrate 21 and the second substrate 22 are formed on the second substrate 22. The liquid crystal 25 is inject | poured in between.

상기 액정(25)을 사이에 두고 공통전극(24)과 마주보고 있는 화소전극(26)이 액정표시장치의 화소(畵素)로서의 역할을 하게된다. 또, 상기 액정(25)의 배향 방향에 따라 상기 제 1 기판(21)과 상기 제 2 기판(22)의 바깥면에는 외부 빛의 투과방향을 일정하게 해주는 편광판(20)이 부착되어 있다.The pixel electrode 26 facing the common electrode 24 with the liquid crystal 25 therebetween serves as a pixel of the liquid crystal display device. In addition, a polarizing plate 20 is provided on the outer surfaces of the first substrate 21 and the second substrate 22 in accordance with the alignment direction of the liquid crystal 25 to make the transmission direction of external light constant.

상기 박막트랜지스터(13)는 도 2에 나타낸 것과 같이 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 등의 금속으로 된 게이트전극(30)과 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 등의 금속으로 된 소스전극(32)과 드레인전극(33), 및 반도체층(34)과 불순물반도체층(36)으로 구성되어 있다. 그리고, 상기 게이트전극(30)은 도 1에 나타낸 주사선(14)에 연결되어 있고, 상기 소스전극(32)은 상기 도 1에 나타낸 신호선(16)에 연결되어 있으며, 상기 드레인전극(33)은 화소전극(26)에 연결되어 있다. 이러한 구조를 가진 상기 박막트랜지스터(13)는 주사선(14)을 통해 주사전압이 게이트전극(30)에 인가되면, 상기 신호선(16)에 흐르는 신호전압이 소스전극(32)에서 드레인전극(33)으로 반도체층(34)을 통해 인가되도록 동작한다.As shown in FIG. 2, the thin film transistor 13 includes a gate electrode 30 made of metal such as aluminum, chromium, and molybdenum, and a source electrode 32 and drain electrode 33 made of metal such as aluminum, chromium, and molybdenum. And a semiconductor layer 34 and an impurity semiconductor layer 36. The gate electrode 30 is connected to the scan line 14 shown in FIG. 1, the source electrode 32 is connected to the signal line 16 shown in FIG. 1, and the drain electrode 33 is It is connected to the pixel electrode 26. In the thin film transistor 13 having the above structure, when a scan voltage is applied to the gate electrode 30 through the scan line 14, a signal voltage flowing through the signal line 16 is transferred from the source electrode 32 to the drain electrode 33. As a result, the semiconductor layer 34 is applied to the semiconductor layer 34.

상기 소스전극(32)에 신호전압이 인가되면, 소스전극(32)과 연결된 화소전극(26)에 신호전압이 인가됨으로써 상기 화소의 화소전극(26)과 공통전극(24)사이에 전압차가 발생한다. 그러면, 이러한 전압차로 인해 상기 화소전극(26)과 공통전극(24) 사이에 존재하고있는 액정(25)의 분자배열이 변화되는데, 이 액정(25)의 분자배열이 변화됨으로 인하여 화소의 광투과량이 변하게 되어 데이터전압이 인가된 화소와 인가되지 않은 화소의 시각적인 차이가 발생한다. 이러한 시각적인 차이가 있는 화소들이 모임으로써 상기 액정표시장치는 표시장치의 역할을 하게 된다.When a signal voltage is applied to the source electrode 32, a signal voltage is applied to the pixel electrode 26 connected to the source electrode 32 to generate a voltage difference between the pixel electrode 26 and the common electrode 24 of the pixel. do. Then, due to the voltage difference, the molecular arrangement of the liquid crystal 25 existing between the pixel electrode 26 and the common electrode 24 is changed, and the light transmittance of the pixel is changed because the molecular arrangement of the liquid crystal 25 is changed. This change causes a visual difference between the pixel to which the data voltage is applied and the pixel to which the data voltage is not applied. As the pixels having such visual differences are gathered, the liquid crystal display serves as a display device.

이와 같은 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 그 제조환경이 고압의 정전기가 발생할 소지가 다분히 있다. 이러한 고압의 정전기에 의해 액정패널에 형성된 각종 배선 및 박막트랜지스터 등이 파괴될 수 있으므로, 그 방지수단이 필요하다. 종래에는 주사선과 신호선 각각에 정전기 방지회로를 설치하고, 상기 정전기 방지회로를 공통 단락배선에 연결하는 구조를 사용하였다. In manufacturing such a liquid crystal display device, there is a possibility that high-pressure static electricity is generated in the manufacturing environment. Since various wires, thin film transistors, and the like formed on the liquid crystal panel may be destroyed by such high-pressure static electricity, prevention means are necessary. In the related art, an antistatic circuit is provided on each of the scan line and the signal line, and the antistatic circuit is connected to a common short circuit line.

또한, 이러한 종래의 정전기 방지회로를 개선한 것으로서, 주사선에 형성한 정전기 방지회로와 신호선에 형성한 정전기 방지회로를 안정화시키고, 기판의 검사 공정에서 검출력을 향상하기 위해 각각 별개의 단락배선에 접속시킨 액정표시장치를 본 출원인이 대한민국 특허청에 출원번호 97-00459로 출원한 바 있다. 이상 종래의 정전기 방지회로를 구비한 액정패널의 구조를 살펴보면 다음 도 3과 같다.In addition, the conventional antistatic circuit is improved, and the antistatic circuit formed on the scan line and the antistatic circuit formed on the signal line are stabilized and connected to separate short circuit lines in order to improve detection power in the inspection process of the substrate. Applicant has filed a liquid crystal display device with the Korean Patent Office under the application number 97-00459. The structure of the liquid crystal panel having the conventional antistatic circuit is as shown in FIG. 3.

제 1 기판 위에 주사선(40)과 신호선(50)이 절연막(도시되지 않음)을 사이에 두고 직교하여 형성되어 있다. 그 교차부에는 도면에는 도시되지 않았지만, 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있다. 그리고, 상기 주사선(40)의 한쪽 단에는 게이트쇼팅바(85)가 형성되어 있고, 신호선(50)의 한쪽 단에는 데이터쇼팅바(95)가 형성되어 있다. 또한, 주사선 단락배선(60)이 상기 주사선(40)과 제 1 정전기 방지회로(90)를 통해 연결되어 있고, 신호선 단락배선(70)이 상기 신호선(50)과 제 2 정전기 방지회로(80)를 통해 연결되어 있다. 상기 제 1, 제 2 정전기 방지회로(90)(80)는 일례로 도 4에 도시된 등가회로와 같은 구성체를 사용할 수 있다.Scan lines 40 and signal lines 50 are orthogonally formed on the first substrate with an insulating film (not shown) interposed therebetween. Although not shown in the figure at the intersection thereof, a thin film transistor and a pixel electrode are formed. A gate shorting bar 85 is formed at one end of the scan line 40, and a data shorting bar 95 is formed at one end of the signal line 50. In addition, the scan line short circuit 60 is connected to the scan line 40 and the first antistatic circuit 90, and the signal line short circuit 70 is connected to the signal line 50 and the second antistatic circuit 80. Connected via For example, the first and second antistatic circuits 90 and 80 may use a structure such as the equivalent circuit illustrated in FIG. 4.

상기 주사선 단락배선(60)의 전극(60a)에 박막트랜지스터를 구동하기 위해 주사전압 중, 로우(low) 레벨의 전압을 인가하여 상기 주사선(40)과 게이트 단락배선(60) 사이에 연결된 제 1 정전기방지회로(90)를 안정화시킨다. A first voltage connected between the scan line 40 and the gate short circuit 60 is applied by applying a low level voltage among the scan voltages to drive the thin film transistor to the electrode 60a of the scan line short circuit line 60. The antistatic circuit 90 is stabilized.

또한, 상기 신호선 단락배선(70)의 전극(70a)에는 공통전극에 인가하는 전압과 동일한 전압을 인가하여 상기 신호선(50)과 신호선단락배선(70)사이에 연결된 제 2 정전기방지회로(80)를 안정화시킨다.In addition, the second antistatic circuit 80 connected between the signal line 50 and the signal line short circuit 70 by applying a voltage equal to the voltage applied to the common electrode to the electrode 70a of the signal line short circuit 70. Stabilize.

한편, 상기 액정패널은 TN 모드, 횡전계방식(In Plane Switching Mode) 모드, 강유전성(Ferroelectric Liquid Crystal : FLC) 모드, OCB(Optically Compensated Birefringence) 모드 등 통상의 지식을 가진 당업자에 공지된 방식에 따라, 상기 액정패널은 변경 제조될 수도 있다.On the other hand, the liquid crystal panel according to a method known to those skilled in the art, such as TN mode, In Plane Switching Mode, Ferroelectric Liquid Crystal (FLC) mode, Optically Compensated Birefringence (OCB) mode, etc. The liquid crystal panel may be manufactured by changing.

그러나, 종래의 액정표시장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the conventional liquid crystal display has the following problems.

예를 들어, TN(Twist Nematic) 모드로 구동되는 액정패널에 있어서, 액정표시장치의 전원이 오프(Off)된 경우, 제 2 기판(상부기판)에 구비된 공통 전극에 인가된 전압은 은(Ag) 도트를 통해서 PCB 상으로 차아지(Charge)들이 서서히 빠져나간다. 또한, 주사선에 인가된 차아지들도 액정패널내 정전기 방지회로를 통해서 또는 드라이버 IC를 통해서 서서히 빠진다.For example, in a liquid crystal panel driven in a twist nematic (TN) mode, when the power supply of the liquid crystal display device is turned off, the voltage applied to the common electrode of the second substrate (upper substrate) is silver ( Ag) Charges slowly exit the PCB through the dot. In addition, the charges applied to the scan line are gradually removed through the antistatic circuit in the liquid crystal panel or through the driver IC.

그러나, 화소전극에 인가된 차아지 대부분은 박막트랜지스터와 신호선을 거쳐 드라이버 IC 또는 정전기 방지회로로 빠져나가기 때문에 그 속도가 매우 느리 다. 그리고 빠져나가는 레벨은 접지 레벨 상태까지 빠지는 것이 아니라 일정 레벨의 전위 상태를 갖게된다.However, most of the charges applied to the pixel electrode are very slow because they pass through the thin film transistor and the signal line to the driver IC or the antistatic circuit. The exiting level does not fall to the ground level, but has a potential level.

다시 말해서, 화소전극의 차아지들이 빠져나가기가 가장 어려우므로 상대적으로 빠르게 빠져나간 공통전극간에 전위차가 나타나고, 이는 DC로 작용하게 된다. 이러한 잔류 DC 전압에 의해 초기 잔상이나 초기 화질 저하등의 현상이 나타나게 된다.In other words, since the charges of the pixel electrode are most difficult to escape, a potential difference appears between the common electrodes that are quickly escaped, which acts as a DC. Such residual DC voltage causes a phenomenon such as initial afterimage or initial image quality deterioration.

특히, IPS(In Plane Switching) 모드로 구동되는 액정패널의 경우에는 상기 잔류 DC 전압에 의해서 여러 가지 화질 저하 현상이 발생하기 때문에 TN 대비 더 큰 문제의 소지가 있다.In particular, in the case of the liquid crystal panel driven in the In Plane Switching (IPS) mode, various degradations of image quality are caused by the residual DC voltage.

따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 액정표시장치의 전원 오프시 액정패널내의 차아지들이 완전히 방전될 수 있도록 하는 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of completely discharging the charges in the liquid crystal panel when the power supply of the liquid crystal display device is turned off.

상기 목적 달성을 위한 본 발명의 액정표시장치는 기판과, 상기 기판 상에 매트릭스 형상의 화소영역을 정의하기 위해 행방향으로 연속하여 형성된 복수개의 주사선 및 열방향으로 연속하여 형성된 복수개의 신호선과, 상기 각각의 주사선에 연결된 복수개의 제 1 정전기방지수단과, 상기 각각의 신호선에 연결된 복수개의 제 2 정전기방지수단과, 상기 복수개의 제 1 정전기방지수단을 전기적으로 묶는 주사선단락배선과, 상기 복수개의 제 2 정전기방지수단을 전기적으로 묶는 신호선단락배선과, 전원 오프시 상기 화소영역내의 전위가 접지 상태로 빠져나가도록 유도 하는 접지수단과, 상기 주사선단락배선과 상기 접지수단 사이에 연결된 제 3 정전기방지수단 및 상기 신호선단락배선과 상기 접지수단 사이에 연결된 제 4 정전기방지수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object is a substrate, a plurality of scan lines formed continuously in a row direction and a plurality of signal lines formed continuously in a column direction to define a matrix pixel area on the substrate; A plurality of first antistatic means connected to each scan line, a plurality of second antistatic means connected to each signal line, a scan line short circuit electrically coupling the plurality of first antistatic means, and the plurality of first antistatic means 2 a signal line short wiring for electrically binding the antistatic means, a grounding means for inducing a potential in the pixel region to exit to a ground state when the power is turned off, and a third antistatic means connected between the scan line shorting wiring and the grounding means; And a fourth antistatic means connected between the signal line short wiring and the ground means. Characterized in that made.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이 기판을 도시한 것이다.5 illustrates a thin film transistor array substrate of a liquid crystal display of the present invention.

도시된 바와 같이, 절연기판(미도시) 위에 복수의 주사선(140)과 신호선(150)이 직교하여 매트릭스 형태의 화소영역을 정의하고, 상기 화소영역에는 도면에는 도시되지 않았지만, 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있다. 그리고, 상기 주사선(140)의 한쪽 단에는 게이트쇼팅바(100)가 형성되어있고, 신호선(150)의 한쪽 단에는 데이터쇼팅바(110)가 형성되어 있다. As illustrated, a plurality of scan lines 140 and signal lines 150 are orthogonal to define an area of a matrix on an insulating substrate (not shown), and the thin film transistor and the pixel electrode are not shown in the drawing. Is formed. The gate shorting bar 100 is formed at one end of the scan line 140, and the data shorting bar 110 is formed at one end of the signal line 150.

또한, 주사선단락배선(160)이 상기 다수의 주사선(140)과 다수의 제 1 정전기방지회로(120)를 통해 연결되어 있고, 신호선단락배선(170)이 상기 다수의 신호선(150)과 다수의 제 2 정전기방지회로(130)를 통해 연결되어 있다. 그리고, 상기 주사선단락배선(160)과 접지수단(200) 사이에 제 3 정전기방지수단(180)이 연결되어 있고, 상기 신호선단락배선(170)과 접지수단(200) 사이에 제 4 정전기방지수단(190)이 연결되어 있다.In addition, the scan line short interconnection line 160 is connected to the plurality of scan lines 140 and the plurality of first antistatic circuits 120, and the signal line short interconnection line 170 is connected to the plurality of signal lines 150 and the plurality of signal lines 150. It is connected via the second antistatic circuit 130. A third antistatic means 180 is connected between the scan line short circuit 160 and the grounding means 200, and a fourth antistatic means between the signal line short circuit 170 and the grounding means 200. 190 is connected.

여기서, 상기 제 1 내지 제 4 정전기방지수단(120,130,180,190)은 동일한 소자를 이용한다. 즉, 상기 제 1 내지 제 4 정전기방지수단(120,130,180,190)은 동일한 공정에서 형성될 수 있다는 것이다. Here, the first to fourth antistatic means 120, 130, 180, 190 use the same device. That is, the first to fourth antistatic means 120, 130, 180, 190 may be formed in the same process.

다시 말해서, 상기 제 1 내지 제 4 정전기방지수단(120,130,180,190)은 종래와 동일하게 도 4에 도시된 3개의 NMOS 트랜지스터로 구성되는데, 이를 각각 설명하면 다음과 같다.In other words, the first to fourth antistatic means 120, 130, 180, and 190 are composed of three NMOS transistors shown in FIG. 4 as in the prior art, which will be described below.

먼저, 제 1 정전기방지수단(120)은 상기 주사선단락배선(160)에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와 상기 주사선(140)에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와, 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와 상기 주사선단락배선(160)에 연결된 제 3 소스와 상기 주사선(140)에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터로 구성된다.First, the first antistatic means 120 may include a first transistor including a first gate and a first source connected to the scan line short circuit 160, a second source and a scan line connected to a first drain of the first transistor. A second transistor including a second gate and a second drain connected to 140, a third gate connected to a contact between the first drain and a second source, a third source connected to the scan line short circuit 160, and The third transistor includes a third drain connected to the scan line 140.

상기 제 2 정전기방지수단(130)은 상기 신호선단락배선(170)에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와 상기 신호선(150)에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와, 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와 상기 신호선단락배선(170)에 연결된 제 3 소스와 상기 신호선(150)에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터로 구성된다.The second antistatic means 130 may include a first transistor including a first gate and a first source connected to the signal line short circuit 170, a second source and a signal line connected to a first drain of the first transistor. A second transistor including a second gate and a second drain connected to the second gate; a third gate connected to a contact between the first drain and the second source; a third source and the signal line connected to the signal line short circuit 170; And a third transistor consisting of a third drain connected to 150.

상기 제 3 정전기방지수단(180)은 상기 주사선단락배선(160)에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와 상기 접지수단(200)에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와, 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와 상기 주사선단락배선(160)에 연결된 제 3 소스와 상기 접지 수단(200)에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터로 구성된다.The third antistatic means 180 may include a first transistor including a first gate and a first source connected to the scan line short circuit 160, a second source connected to a first drain of the first transistor, and the grounding means. A second transistor including a second gate and a second drain connected to the second gate; a third gate connected to a contact between the first drain and the second source; and a third source connected to the scan line short circuit 160; It consists of a third transistor consisting of a third drain connected to the grounding means 200.

상기 제 4 정전기방지수단은 상기 신호선단락배선(170)에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와 상기 접지수단(200)에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와, 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와 상기 신호선단락배선(170)에 연결된 제 3 소스와 상기 접지수단(200)에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터로 구성된다.The fourth antistatic means includes a first transistor including a first gate and a first source connected to the signal line short circuit 170, a second source connected to a first drain of the first transistor, and the grounding means 200. A second transistor comprising a second gate connected to the second drain and a second drain; a third gate connected to a contact between the first drain and the second source; a third source connected to the signal line short circuit 170 and the grounding means ( And a third transistor configured as a third drain connected to the line 200.

여기서, 상기 신호선단락배선(170)의 전극(170a)에 박막트랜지스터를 구동하기 위해 주사선(140)에 인가하는 주사전압 중 로우(low)레벨의 전압(Vg1)을 인가하여 상기 주사선(140)과 주사선단락배선(160) 사이에 연결된 제 1 정전기방지수단(120)을 안정화시킨다. 또한, 상기 신호선단락배선(170)의 전극에는 공통전극에 인가하는 전압과 동일한 전압(Vcom)을 인가하여 상기 신호선(150)과 신호선단락배선(170) 사이에 연결된 제 2 정전기방지수단(130)을 안정화시킨다. Here, a low level voltage Vg1 among the scan voltages applied to the scan line 140 to drive the thin film transistor is applied to the electrode 170a of the signal line short interconnection line 170 to the scan line 140. The first antistatic means 120 connected between the scan line short circuits 160 is stabilized. In addition, the second antistatic means 130 connected between the signal line 150 and the signal line short circuit 170 by applying a voltage Vcom equal to the voltage applied to the common electrode to the electrode of the signal line short interconnection line 170. Stabilize.

상기 주사선단락배선(160)의 전극(160a)에 주사전압의 로우(low)레벨의 전압(Vg1)을 인가하는 이유는 다음과 같다. 프레임단위로 구동하는 액정패널에서는 한 프레임에 해당하는 영상을 표시할 때, 모든 주사선에 소정의 기간동안 한 번씩 주사전압의 하이(high)레벨의 전압이 인가되며, 한 프레임에서 상기 소정의 기간을 제외한 나머지 시간에는 각 주사선에 주사전압의 로우(low)레벨의 전압(Vg1)이 인가된다. 만약 주사선단락배선(160)에 전압을 인가하지 않고 접지시켰을 때, 어떤 주사선에 주사전압이 인가된 후에는 그 주사선에 연결된 제 1 정전기방지수단(120) 의 양단에는 Vg1의 전압차가 생겨 제 1 정전기방지수단(120)의 절연상태가 불안정해진다. 만약 이때, Vg1에 불규칙한 신호변동(예를 들어 노이즈)이나, 약한 정전기가 발생하여 순간적으로 Vg1보다 높은 전위차가 제 1 정전기방지수단(120)의 양단에 발생했을 경우, 상기 제 1 정전기방지수단(120)의 절연상태가 파괴되어 다른 인접한 주사선의 박막트랜지스터에 영향을 미칠 우려가 있다.The reason why the low level voltage Vg1 of the scan voltage is applied to the electrode 160a of the scan line short circuit 160 is as follows. In a liquid crystal panel driven frame-by-frame, when an image corresponding to one frame is displayed, a high level voltage of the scanning voltage is applied to all the scanning lines once for a predetermined period, and the predetermined period is controlled in one frame. The remaining time except the voltage Vg1 of the low level of the scan voltage is applied to each scan line. If the scan line is grounded without applying a voltage to the scan line short circuit 160, after a scan voltage is applied to a scan line, a voltage difference of Vg1 is generated at both ends of the first antistatic means 120 connected to the scan line. The insulation state of the prevention means 120 becomes unstable. In this case, when an irregular signal change (for example, noise) or weak static electricity occurs in Vg1 and a potential difference higher than Vg1 occurs immediately at both ends of the first antistatic means 120, the first antistatic means ( There is a fear that the insulation state of 120 may be affected to affect the thin film transistor of another adjacent scan line.

그러나, 주사선단락배선(160)에 상기 주사전압 Vg1과 동일한 전압을 인가하여 주면, 주사선에 주사전압의 하이(high)레벨의 전압이 인가되는 시간을 제외한 나머지 시간의 제 1 정전기방지수단(120)의 양단은 전압차가 없게 되어 제 1 정전기방지수단(120)의 절연상태가 안정적으로 보존된다. 그러므로, 주사선단락배선(160)에 주사전압과 동일한 전압을 인가하는 것이다.However, when the same voltage as the scan voltage Vg1 is applied to the scan line short circuit 160, the first antistatic means 120 for the rest of the time except for the time when the high level voltage of the scan voltage is applied to the scan line. The both ends of the there is no voltage difference, the insulating state of the first antistatic means 120 is stably preserved. Therefore, a voltage equal to the scan voltage is applied to the scan line short circuit 160.

신호선단락배선(170)에 공통전압과 동일한 Vcom을 인가하는 이유는 다음과 같다. 액정표시장치는 화소전극과 공통전극 사이의 전위차에 의해 발생하는 액정분자의 광투과율의 변화에 의해 동작한다. 그런데 상기 공통전극에 인가되는 공통전압은 항상 일정한 주기와 전위차를 가지고 있으나, 화소전극에 인가되는 화소전압을 표시하고자 하는 영상신호에 따라 다른 값을 갖게 된다. 그래서, 화소전압과 공통전압의 차이에 의해 액정분자의 광투과율이 변화하는 것이다. 이때, 신호선단락배선(170)에 화소전압을 인가할 수는 없다. 왜냐하면, 화소전압은 외부영상신호를 입력받아 신호선에 인가하는 신호전압에 의해 유지되는 것이므로, 항상 일정한 전위를 인가받아야 되는 신호선단락배선(170)에 연결할 수 없기 때문이다.The reason for applying the same Vcom as the common voltage to the signal line short wiring 170 is as follows. The liquid crystal display device is operated by a change in the light transmittance of liquid crystal molecules generated by a potential difference between the pixel electrode and the common electrode. The common voltage applied to the common electrode always has a constant period and a potential difference, but has a different value according to an image signal to display the pixel voltage applied to the pixel electrode. Therefore, the light transmittance of the liquid crystal molecules changes due to the difference between the pixel voltage and the common voltage. At this time, the pixel voltage cannot be applied to the signal line short interconnection line 170. This is because the pixel voltage is maintained by the signal voltage applied to the signal line after receiving the external image signal, and thus cannot be connected to the signal line short circuit 170 that must be constantly applied with a constant potential.

그런데, 별도의 전압인가수단을 연결하지 않는 상태에서 상기 신호전압과 비 슷한 파형의 전압은 공통전압이다. 그러므로, 공통전압을 신호선단락배선(170)에 인가하는 전압으로 사용하여 제 2 정전기방지수단(130)의 절연특성을 안정화시킨다.By the way, the voltage of the waveform similar to the signal voltage is a common voltage without a separate voltage application means connected. Therefore, the common voltage is used as the voltage applied to the signal line short wiring 170 to stabilize the insulating characteristics of the second antistatic means 130.

상기와 같이 박막트랜지스터 어레이의 구동 후 전원이 오프(Off)되면, 상기 신호선(150)을 통해서 빠져 나오는 픽셀 차아지들이 상기 제 4 정전기방지수단(190)을 거쳐서 공통전압이 인가되는 신호선단락배선(170)과 연결되어 서로 등전위를 형성하게 된다. 이러한 신호선단락배선(170)은 접지수단(200)과 연결되어 있기 때문에 최종적으로는 액정패널내의 전위가 모두 접지 상태로 빠져나가게 되어 액정패널내에는 잔류 전위차가 사라지게 된다. When the power is turned off after the thin film transistor array is driven as described above, the pixel charges exiting through the signal line 150 are connected to the signal line short circuit through which the common voltage is applied through the fourth antistatic means 190. 170 is connected to form an equipotential with each other. Since the signal line short wiring 170 is connected to the grounding means 200, all potentials in the liquid crystal panel are discharged to the ground state, and the residual potential difference disappears in the liquid crystal panel.

따라서, 전원 오프시, 종래 잔류 DC 전압에 의해 나타나는 초기 잔상이나 초기 화질 저하등의 현상을 방지할 수 있다.Therefore, when power supply is turned off, it is possible to prevent phenomenon such as initial afterimage and initial image quality deterioration caused by the conventional residual DC voltage.

상술한 실시예에서는 주사선단락배선과 신호선단락배선이 분리되어 상기 각각의 단락배선과 연결되는 제 1, 제 2 정전기방지수단이 필요하였지만, 도 6에 도시된 바와같이, 주사선단락배선(160)과 신호선단락배선(170) 사이를 연결하는 정전기방지수단(300)을 구비하고, 하나로 연결된 상기 주사선(140) 및 신호선단락배선(170)과 접지수단(200) 사이에 제 5 정전기방지수단(210)을 연결함으로써 제 1 실시예와 동일한 효과를 볼 수 있다.In the above-described embodiment, although the scan line short wiring and the signal line short wiring are separated and connected to the respective short circuits, the first and second antistatic means are required. However, as shown in FIG. And a fifth antistatic means (210) between the scan line (140) and the signal line short circuit (170) and the grounding means (200) connected to each other. By connecting the same effect as in the first embodiment can be obtained.

한편, 상기 액정패널은 TN 모드, 횡전계방식(In Plane Switching Mode) 모드, 강유전성(Ferroelectric Liquid Crystal : FLC) 모드, OCB(Optically Compensated Birefringence) 모드 등 통상의 지식을 가진 당업자에 공지된 방식에 따라, 상기 액정패널은 변경 제조될 수도 있다.On the other hand, the liquid crystal panel according to a method known to those skilled in the art, such as TN mode, In Plane Switching Mode, Ferroelectric Liquid Crystal (FLC) mode, Optically Compensated Birefringence (OCB) mode, etc. The liquid crystal panel may be manufactured by changing.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is common in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.

상술한 본 발명의 액정표시장치는 다음과 같은 효과가 있다.The liquid crystal display of the present invention described above has the following effects.

상기 신호선단락배선을 별도의 접지수단과 연결함으로써, 전원 오프시 액정패널내의 전위가 모두 접지 상태로 빠져나가게 되어 액정패널내에 잔류 전위차를 사라지게 한다. 따라서, 종래의 잔류 전위차로 인해 발생하였던 초기 화질에 대한 문제점들을 방지할 수 있다.By connecting the signal line short wiring with a separate grounding means, all potentials in the liquid crystal panel escape to the ground state when the power is turned off, so that the residual potential difference in the liquid crystal panel disappears. Therefore, it is possible to prevent the problems with the initial picture quality caused by the conventional residual potential difference.

Claims (7)

기판과,Substrate, 상기 기판 상에 매트릭스 형상의 화소영역을 정의하기 위해 행방향으로 연속하여 형성된 복수개의 주사선 및 열방향으로 연속하여 형성된 복수개의 신호선과,A plurality of scan lines continuously formed in a row direction and a plurality of signal lines continuously formed in a column direction to define a matrix area of a pixel shape on the substrate; 상기 각각의 주사선에 연결된 복수개의 제 1 정전기방지수단과,A plurality of first antistatic means connected to the respective scanning lines; 상기 각각의 신호선에 연결된 복수개의 제 2 정전기방지수단과,A plurality of second antistatic means connected to the respective signal lines; 상기 복수개의 제 1 정전기방지수단을 전기적으로 묶는 주사선단락배선과,A scan line short interconnection wire for electrically binding the plurality of first antistatic means; 상기 복수개의 제 2 정전기방지수단을 전기적으로 묶는 신호선단락배선과,A signal line short wiring for electrically binding the plurality of second antistatic means; 전원 오프시 상기 화소영역내의 전위가 접지 상태로 빠져나가도록 유도하는 접지수단과,Grounding means for inducing a potential in the pixel region to escape to a ground state when the power is turned off; 상기 주사선단락배선과 상기 접지수단 사이에 연결된 제 3 정전기방지수단 및,Third antistatic means connected between the scan line short circuit and the grounding means; 상기 신호선단락배선과 상기 접지수단 사이에 연결된 제 4 정전기방지수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a fourth antistatic means connected between said signal line short wiring and said grounding means. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 내지 제 4 정전기방지수단은 각각 동일한 박막트랜지스터 어레이를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the first to fourth static electricity preventing means have the same thin film transistor array, respectively. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 정전기방지수단은 상기 주사선단락배선에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와,The first antistatic means may include a first transistor comprising a first gate and a first source connected to the scan line short interconnection line; 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와, 상기 주사선에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와,A second transistor comprising a second source connected to the first drain of the first transistor, a second gate connected to the scan line, and a second drain; 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와, 상기 주사선단락배선에 연결된 제 3 소스와, 상기 주사선에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a third transistor comprising a third gate connected to the contact between the first drain and the second source, a third source connected to the scan line short interconnection, and a third drain connected to the scan line. Device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 정전기방지수단은 상기 신호선단락배선에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와,The second antistatic means may include a first transistor comprising a first gate and a first source connected to the signal line short interconnection line; 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와, 상기 신호선에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와,A second transistor comprising a second source connected to the first drain of the first transistor, a second gate connected to the signal line, and a second drain; 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와, 상기 신호선단락배선에 연결된 제 3 소스와, 상기 신호선에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a third transistor comprising a third gate connected to the contact between the first drain and the second source, a third source connected to the signal line short interconnection, and a third drain connected to the signal line. Device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 3 정전기방지수단은 상기 주사선단락배선에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와,The third antistatic means may include a first transistor comprising a first gate and a first source connected to the scan line short interconnection line; 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와, 상기 접지수단에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와,A second transistor comprising a second source connected to the first drain of the first transistor, a second gate connected to the ground means, and a second drain; 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와, 상기 주사선단락배선에 연결된 제 3 소스와, 상기 접지수단에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a third transistor comprising a third gate connected to the contact between the first drain and the second source, a third source connected to the scan line short circuit, and a third drain connected to the grounding means. Display. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 4 정전기방지수단은 상기 신호선단락배선에 연결된 제 1 게이트와 제 1 소스로 구성된 제 1 트랜지스터와,The fourth antistatic means may include a first transistor comprising a first gate and a first source connected to the signal line short interconnection line; 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 드레인에 연결된 제 2 소스와, 상기 접지수단에 연결된 제 2 게이트와 제 2 드레인으로 구성된 제 2 트랜지스터와,A second transistor comprising a second source connected to the first drain of the first transistor, a second gate connected to the ground means, and a second drain; 상기 제 1 드레인과 제 2 소스 사이의 접점에 연결된 제 3 게이트와, 상기 신호선단락배선에 연결된 제 3 소스와, 상기 접지수단에 연결된 제 3 드레인으로 구성된 제 3 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a third transistor comprising a third gate connected to the contact between the first drain and the second source, a third source connected to the signal line short circuit, and a third drain connected to the grounding means. Display. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 주사선단락배선과 상기 신호선단락배선은 서로 분리된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the scan line short line and the signal line short line are separated from each other.
KR1020020036300A 2002-06-27 2002-06-27 Liquid crystal display device KR100815912B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020036300A KR100815912B1 (en) 2002-06-27 2002-06-27 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020036300A KR100815912B1 (en) 2002-06-27 2002-06-27 Liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040001177A KR20040001177A (en) 2004-01-07
KR100815912B1 true KR100815912B1 (en) 2008-03-21

Family

ID=37312951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020036300A KR100815912B1 (en) 2002-06-27 2002-06-27 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100815912B1 (en)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101027887B1 (en) * 2004-05-27 2011-04-07 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device
KR100685425B1 (en) * 2004-11-24 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 Liquid Crystal Display Device
KR101411660B1 (en) * 2006-12-28 2014-06-27 엘지디스플레이 주식회사 Electrostatic discharge device and organic electro-luminescence display device having it
KR102182954B1 (en) * 2014-03-10 2020-11-26 엘지디스플레이 주식회사 Electrostatic Discharge Circuit And Liquid Crystal Display Device Comprising The Same
KR102403688B1 (en) * 2015-09-24 2022-05-27 엘지디스플레이 주식회사 Display device
KR102473224B1 (en) * 2015-12-31 2022-12-01 엘지디스플레이 주식회사 Display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980065450A (en) * 1997-01-10 1998-10-15 구자홍 Thin Film Transistor Array
KR19990074567A (en) * 1998-03-12 1999-10-05 윤종용 Static electricity protection circuit for liquid crystal display
KR20000037774A (en) * 1998-12-02 2000-07-05 구본준 Liquid crystal display having electrostatic force prevention circuit
KR20020050037A (en) * 2000-12-20 2002-06-26 구본준, 론 위라하디락사 Liquid Crystal Display for Examination of Signal Line

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980065450A (en) * 1997-01-10 1998-10-15 구자홍 Thin Film Transistor Array
KR19990074567A (en) * 1998-03-12 1999-10-05 윤종용 Static electricity protection circuit for liquid crystal display
KR20000037774A (en) * 1998-12-02 2000-07-05 구본준 Liquid crystal display having electrostatic force prevention circuit
KR20020050037A (en) * 2000-12-20 2002-06-26 구본준, 론 위라하디락사 Liquid Crystal Display for Examination of Signal Line

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040001177A (en) 2004-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5909035A (en) Thin film transistor array having a static electricity preventing circuit
US6046790A (en) LCD device having relationship between spontaneous polarization and capacitance
US20070030428A1 (en) Liquid crystal display
KR19980023919A (en) Liquid crystal display
US20050179844A1 (en) Bistable liquid crystal device with picture electrodes having comb structure
KR101264693B1 (en) IPS mode LCD and driving method thereof
JP3920821B2 (en) Method for aligning electric field of ferroelectric liquid crystal and liquid crystal display device
KR101066498B1 (en) In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device
KR100815912B1 (en) Liquid crystal display device
US20020105508A1 (en) Display device
US20200201097A1 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JP2002303888A (en) Liquid crystal display device and driving method therefor
KR20020022318A (en) Liquid Crystal Display Device
US20190064622A1 (en) Array substrate for liquid crystal display device
US6377322B2 (en) Liquid crystal display device having spontaneous polarization and no compensating capacitors
JP2018092013A (en) Liquid crystal display device and method for driving liquid crystal display device
JP2005070541A (en) Liquid crystal display device and portable electronic apparatus
KR101222979B1 (en) Thin Film Transistor Substrate
JP3444540B2 (en) Active matrix liquid crystal display
KR100502102B1 (en) Liquid crystal display
US11092858B2 (en) Pixel structure and pixel unit
JP3888921B2 (en) Liquid crystal display element
KR101254645B1 (en) Liquid Crystal Display Device
KR100998642B1 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
KR100658074B1 (en) Cross field switching mode lcd improved transmittance and residual image

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121228

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131227

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160226

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180213

Year of fee payment: 11