KR100814849B1 - Light emitting device, manufacturing method of electron emission unit for light emitting device, and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit - Google Patents

Light emitting device, manufacturing method of electron emission unit for light emitting device, and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit Download PDF

Info

Publication number
KR100814849B1
KR100814849B1 KR1020060082219A KR20060082219A KR100814849B1 KR 100814849 B1 KR100814849 B1 KR 100814849B1 KR 1020060082219 A KR1020060082219 A KR 1020060082219A KR 20060082219 A KR20060082219 A KR 20060082219A KR 100814849 B1 KR100814849 B1 KR 100814849B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
electrodes
substrate
metal layer
Prior art date
Application number
KR1020060082219A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080021191A (en
Inventor
류경선
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060082219A priority Critical patent/KR100814849B1/en
Publication of KR20080021191A publication Critical patent/KR20080021191A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100814849B1 publication Critical patent/KR100814849B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
    • H01J63/02—Details, e.g. electrode, gas filling, shape of vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types

Abstract

본 발명은 전계 방출 특성을 이용하여 빛을 내는 발광 장치와 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시장치를 제공한다. 본 발명에 따른 발광 장치는 서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 제1 전극들과, 절연층을 사이에 두고 제1 전극들 위에서 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되며 이종(異種) 금속층의 적층 구조로 이루어지는 제2 전극들과, 제1 전극들과 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 절연층 윗면 전체에 형성되며 제1 기판의 두께 방향을 따라 비저항 구배를 가지는 저항층과, 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층과, 형광층의 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함한다.

Figure R1020060082219

백라이트유닛, 저항층, 전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 형광층, 애노드전극

The present invention provides a light emitting device that emits light using field emission characteristics and a liquid crystal display using the light emitting device as a backlight unit. The light emitting device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate which are disposed to face each other and constitute a vacuum container, first electrodes formed on the first substrate in one direction of the first substrate, and an insulating layer therebetween. Second electrodes formed in a direction intersecting the first electrodes on the first electrodes and having a stacked structure of a dissimilar metal layer, and electrically connected to any one of the first electrodes and the second electrodes. Electron emission parts connected to each other, a resistive layer formed on the entire upper surface of the insulating layer and having a resistivity gradient along the thickness direction of the first substrate, a fluorescent layer formed on one surface of the second substrate, and positioned on one surface of the fluorescent layer An anode electrode.

Figure R1020060082219

Back light unit, resistance layer, electron emission unit, cathode electrode, gate electrode, fluorescent layer, anode electrode

Description

발광 장치, 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법 및 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시장치 {LIGHT EMITTING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON EMISSION UNIT FOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITH THE LIGHT EMITTING DEVICE AS BACK LIGHT UNIT}LIGHT EMITTING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON EMISSION UNIT FOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITH THE LIGHT EMITTING DEVICE AS BACK LIGHT UNIT}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 절개 사시도이다.1 is a partially cutaway perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치 중 전자 방출 유닛의 부분 평면도이다.3 is a partial plan view of an electron emission unit of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 단면도이다.4A to 4E are cross-sectional views at each manufacturing step shown to explain a method for manufacturing an electron emission unit of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시장치의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전계에 의한 전자 방출 특성을 이용하여 빛을 내는 발광 장치와 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a light emitting device that emits light using an electron emission characteristic by an electric field, and a liquid crystal display device using the light emitting device as a backlight unit.

최근들어 평판 표시장치의 한 종류인 액정 표시장치가 음극선관을 대체하여 널리 사용되고 있다. 액정 표시장치는 인가 전압에 따라 비틀림각이 변화하는 액정의 유전 이방성을 이용하여 화소별로 광 투과량을 변화시키는 특징을 가진다.Recently, a liquid crystal display, which is one type of flat panel display, has been widely used in place of the cathode ray tube. The liquid crystal display has a feature of changing the amount of light transmission for each pixel by using dielectric anisotropy of a liquid crystal whose twist angle changes according to an applied voltage.

이러한 액정 표시장치는 기본적으로 액정 패널 조립체와, 액정 패널 조립체로 빛을 제공하는 백라이트 유닛을 포함하며, 액정 패널 조립체가 백라이트 유닛에서 방출되는 빛을 제공받아 이 빛을 액정층의 작용으로 투과 또는 차단시킴으로써 소정의 화상을 구현한다.Such a liquid crystal display basically includes a liquid crystal panel assembly and a backlight unit that provides light to the liquid crystal panel assembly, and the liquid crystal panel assembly receives light emitted from the backlight unit and transmits or blocks the light by the action of the liquid crystal layer. By implementing a predetermined image.

백라이트 유닛은 광원의 종류에 따라 구분할 수 있는데, 그 중 하나로 냉음극 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp; CCFL, 이하 'CCFL'이라 한다) 방식이 공지되어 있다. CCFL은 선 광원이므로 CCFL에서 발생된 빛을 확산 시트와 확산판 및 프리즘 시트와 같은 광학 부재를 통해 액정 패널 조립체를 향해 고르게 분산시킬 수 있다.The backlight unit may be classified according to the type of light source, and one of them is a cold cathode fluorescent lamp (CCFL). Since the CCFL is a line light source, the light generated by the CCFL can be evenly dispersed toward the liquid crystal panel assembly through the optical members such as the diffusion sheet, the diffusion plate, and the prism sheet.

그러나 CCFL 방식에서는 CCFL에서 발생된 빛이 다수의 광학 부재를 거치게 되므로 상당한 광 손실이 발생하며, 이러한 광 손실을 고려하여 CCFL에서 강한 세기의 빛을 방출해야 하므로 소비 전력이 큰 단점이 있다. 또한 CCFL 방식은 구조상 대면적화가 어렵기 때문에 30인치 이상의 대형 표시장치에 적용이 어려운 한계가 있다.However, in the CCFL method, since the light generated by the CCFL passes through a plurality of optical members, considerable light loss occurs, and power consumption is high because the light must be emitted at a high intensity in consideration of the light loss. In addition, the CCFL method is difficult to apply to a large display device of 30 inches or more because it is difficult to large area structure.

그리고 종래의 백라이트 유닛으로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED, 이하 'LED'라 한다) 방식이 공지되어 있다. LED는 점 광원으로서 통상 복수개 로 구비되며, 반사 시트, 도광판, 확산 시트, 확산판 및 프리즘 시트 등의 광학 부재와 조합됨으로써 백라이트 유닛을 구성한다. 이러한 LED 방식은 응답 속도가 빠르고 색재현성이 우수한 장점이 있으나, 가격이 높고 두께가 큰 단점이 있다.As a conventional backlight unit, a light emitting diode (LED) method is known. LEDs are usually provided in plural as point light sources, and constitute a backlight unit by being combined with optical members such as a reflective sheet, a light guide plate, a diffusion sheet, a diffusion plate, and a prism sheet. This LED method has the advantages of fast response speed and excellent color reproducibility, but has a disadvantage of high price and large thickness.

이에 따라, 최근들어 CCFL 방식과 LED 방식을 대체할 백라이트 유닛으로서 전계에 의한 전자 방출 특성을 이용하여 빛을 내는 전계 방출형(field emission type) 백라이트 유닛이 제안되고 있다. 전계 방출형 백라이트 유닛은 면 광원으로서 소비 전력이 낮고 대형화에 유리하며 다수의 광학 부재를 필요로 하지 않는 장점이 있다.Accordingly, recently, a field emission type backlight unit that emits light using an electron emission characteristic by an electric field has been proposed as a backlight unit to replace the CCFL method and the LED method. The field emission type backlight unit is a surface light source that has low power consumption, is advantageous for large size, and does not require a plurality of optical members.

그런데 종래의 전계 방출형 백라이트 유닛에서는 발광 세기를 높이기 위해 애노드 전극에 고전압을 인가할수록 진공 용기 내부에 아킹이 발생하게 된다. 아킹은 진공 용기 내부의 불순 가스와 부도체 표면의 전하 차징 등에 기인하며, 내부 구조물을 손상시켜 제품 불량을 유발한다. 이와 같이 종래의 전계 방출형 백라이트 유닛은 아킹 발생을 고려하여 애노드 전압을 높일 수 없으므로 고휘도 구현이 어려운 단점이 있다.However, in the conventional field emission type backlight unit, arcing occurs in the vacuum container as a high voltage is applied to the anode electrode in order to increase light emission intensity. Arcing is caused by impurity gas in the vacuum vessel and charge charging on the surface of the non-conductor, and damages the internal structure, causing product defects. As such, the conventional field emission type backlight unit cannot increase the anode voltage in consideration of arcing, and thus has a disadvantage in that high brightness is difficult to implement.

이처럼 종래의 백라이트 유닛은 광원의 종류에 따라 각자의 문제점을 가지고 있다. 또한, 종래의 백라이트 유닛은 액정 표시장치 구동시 발광면 전체가 일정한 휘도로 발광하므로 액정 표시장치에 요구되는 화질 개선에 부합하기 어려운 문제가 있다.As such, the conventional backlight unit has its own problems depending on the type of light source. In addition, the conventional backlight unit has a problem that it is difficult to meet the image quality improvement required for the liquid crystal display because the entire light emitting surface emits light with a constant brightness when driving the liquid crystal display.

일례로 액정 패널 조립체가 영상 신호에 따라 휘도가 높은 부분과 휘도가 낮은 부분을 포함하는 임의의 화면을 표시하는 경우, 백라이트 유닛이 휘도가 높은 부분과 휘도가 낮은 부분에 서로 다른 세기의 빛을 제공한다면 동적 대비비(dynamic contrast)가 우수한 화면을 구현할 수 있을 것이다.For example, when the liquid crystal panel assembly displays an arbitrary screen including a high brightness portion and a low brightness portion according to an image signal, the backlight unit provides light of different intensities to the high brightness portion and the low brightness portion. If so, it is possible to realize a screen having excellent dynamic contrast.

그러나 지금까지의 백라이트 유닛으로는 전술한 기능을 구현할 수 없으므로 종래의 액정 표시장치는 화면의 동적 대비비를 높이는데 한계가 있다.However, the above-described backlight unit cannot implement the above functions, and thus the conventional liquid crystal display has a limitation in increasing the dynamic contrast ratio of the screen.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공 용기 내부의 아킹 발생을 억제하고 애노드 전압을 높여 발광 세기를 올릴 수 있는 발광 장치와 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 액정 표시장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to suppress the occurrence of arcing in a vacuum container and increase the anode voltage to increase the light emission intensity, and a liquid crystal using the light emitting device as a backlight unit. It is to provide a display device.

본 발명의 다른 목적은 발광면을 복수개 영역으로 분할하고 분할된 영역별로 서로 다른 세기의 빛을 방출할 수 있는 발광 장치 및 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하여 화면의 동적 대비비를 높일 수 있는 액정 표시장치를 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to divide a light emitting surface into a plurality of regions and to emit light of different intensities for each divided region, and a liquid crystal capable of increasing the dynamic contrast ratio of a screen by using the light emitting apparatus as a backlight unit. It is to provide a display device.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 제1 전극들과, 절연층을 사이에 두고 제1 전극들 위에서 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되며 이종(異種) 금속층의 적층 구조로 이루어지는 제2 전극들과, 제1 전극들과 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 절연층 윗면 전체에 형성되며 제1 기판의 두께 방향을 따라 비저항 구배를 가지는 저항층과, 제2 기판의 일면에 형성 되는 형광층과, 형광층의 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하는 발광 장치를 제공한다.A first substrate and a second substrate disposed to face each other and forming a vacuum container; first electrodes formed in one direction of the first substrate on the first substrate; and a first substrate formed on the first electrodes with an insulating layer therebetween. Second electrodes formed along a direction intersecting the first electrodes and formed of a stacked structure of a dissimilar metal layer, and electron emission parts electrically connected to any one of the first electrodes and the second electrodes; The light emitting device includes a resistive layer formed on the entire upper surface of the insulating layer and having a resistivity gradient along the thickness direction of the first substrate, a fluorescent layer formed on one surface of the second substrate, and an anode disposed on one surface of the fluorescent layer. To provide.

상기 제2 전극은 제1 금속층 및 제1 금속층 위에 형성되는 제2 금속층을 포함하며, 제1 금속층은 알루미늄, 은, 알루미늄 합금 및 은 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함할 수 있고, 제2 금속층은 몰리브덴과 몰리브덴 합금 중 어느 하나의 금속을 포함할 수 있다.The second electrode may include a first metal layer and a second metal layer formed on the first metal layer, and the first metal layer may include a metal selected from the group consisting of aluminum, silver, an aluminum alloy, and a silver alloy. The metal layer may include a metal of any one of molybdenum and molybdenum alloys.

상기 저항층의 비저항은 저항층 윗면에서부터 제1 기판을 향해 점진적으로 높아지며, 저항층은 106 내지 1012Ωcm의 비저항을 가질 수 있다.The resistivity of the resistive layer gradually increases from the upper surface of the resistive layer toward the first substrate, and the resistive layer may have a resistivity of 10 6 to 10 12 μm cm.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention, in order to achieve the above object,

제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 제1 전극들을 형성하고, 제1 전극들 위로 제1 기판 전체에 절연층을 형성하고, 절연층 위에 제1 금속층과 제2 금속층을 차례로 형성하고, 제2 금속층을 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 패터닝하고, 열처리 공정을 통해 제1 금속층의 금속 물질을 절연층 내부로 소정 두께 확산시켜 저항층을 형성하고, 제1 금속층을 제2 금속층과 동일한 모양으로 패터닝하여 제1 금속층과 제2 금속층으로 이루어진 제2 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법을 제공한다.Forming first electrodes on the first substrate in one direction of the first substrate, forming an insulating layer on the entire first substrate over the first electrodes, sequentially forming a first metal layer and a second metal layer on the insulating layer, The second metal layer is patterned in a direction crossing the first electrodes, and the metal material of the first metal layer is diffused to a predetermined thickness into the insulating layer through a heat treatment process to form a resistance layer, and the first metal layer is formed with the second metal layer. It provides a method of manufacturing an electron emission unit of a light emitting device comprising the step of forming a second electrode consisting of a first metal layer and a second metal layer by patterning the same shape.

상기 열처리 공정은 불활성 가스 분위기에서 350 내지 500℃ 온도 조건으로 진행할 수 있다.The heat treatment process may be carried out at 350 to 500 ℃ temperature conditions in an inert gas atmosphere.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention, in order to achieve the above object,

전술한 구조의 발광 장치와, 발광 장치의 전방에 위치하여 발광 장치로부터 방출된 빛을 제공받아 화상을 표시하는 액정 패널 조립체를 포함하는 액정 표시장치를 제공한다. 이때 액정 패널 조립체는 제1 화소들을 형성하고, 발광 장치는 제1 화소들보다 작은 개수의 제2 화소들을 형성한다.The present invention provides a liquid crystal display including a light emitting device having the above-described structure and a liquid crystal panel assembly positioned in front of the light emitting device to receive light emitted from the light emitting device to display an image. In this case, the liquid crystal panel assembly forms first pixels, and the light emitting device forms a smaller number of second pixels than the first pixels.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 부분 절개 사시도와 부분 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치 중 전자 방출 유닛의 부분 평면도이다.1 and 2 are partial cutaway perspective views and partial cross-sectional views of a light emitting device according to an embodiment of the present invention, respectively, and FIG. 3 is a partial plan view of an electron emission unit of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 실시예의 발광 장치(10)는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(12)과 제2 기판(14)을 포함한다. 제1 기판(12)과 제2 기판(14)의 가장자리에는 밀봉 부재(16)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 및 밀봉 부재(16)가 진공 용기를 구성한다.1 to 3, the light emitting device 10 according to the present exemplary embodiment includes a first substrate 12 and a second substrate 14 that are disposed to face each other in parallel at predetermined intervals. Sealing members 16 are disposed on the edges of the first substrate 12 and the second substrate 14 to bond the two substrates, and the inner space is evacuated with a vacuum of approximately 10 −6 Torr so that the first substrate 12 The second substrate 14 and the sealing member 16 constitute a vacuum container.

제1 기판(12)과 제2 기판(14)은 밀봉 부재(16) 내측에 위치하는 영역을 실제 가시광 방출에 기여하는 유효 영역과, 유효 영역을 둘러싸는 비유효 영역으로 구분지을 수 있다. 제1 기판(12)의 유효 영역에는 전자 방출을 위한 전자 방출 유 닛(18)이 제공되고, 제2 기판(14)의 유효 영역에는 가시광 방출을 위한 발광 유닛(20)이 제공된다.The first substrate 12 and the second substrate 14 may be divided into an effective region contributing to the actual visible light emission and an ineffective region surrounding the effective region. The effective area of the first substrate 12 is provided with an electron emission unit 18 for emitting electrons, and the effective area of the second substrate 14 is provided with a light emitting unit 20 for emitting visible light.

전자 방출 유닛(18)은 절연층(24)과 저항층(26)을 사이에 두고 서로 교차하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 제1 전극들(22) 및 제2 전극들(28)과, 제1 전극들(22)과 제2 전극들(28) 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들(30)을 포함한다.The electron emission unit 18 includes first and second electrodes 22 and 28 formed in a stripe pattern along a direction crossing each other with the insulating layer 24 and the resistance layer 26 interposed therebetween, Electron emitters 30 are electrically connected to any one of the first electrodes 22 and the second electrodes 28.

전자 방출부(30)가 제1 전극(22)에 형성되는 경우, 제1 전극(22)이 전자 방출부(30)에 전류를 공급하는 캐소드 전극이 되고, 제2 전극(28)이 캐소드 전극과의 전압 차에 의해 전계를 형성하여 전자 방출을 유도하는 게이트 전극이 된다. 반대로 전자 방출부(30)가 제2 전극(28)에 형성되는 경우, 제2 전극(28)이 캐소드 전극이 되고, 제1 전극(22)이 게이트 전극이 된다.When the electron emission portion 30 is formed on the first electrode 22, the first electrode 22 becomes a cathode electrode for supplying current to the electron emission portion 30, and the second electrode 28 is a cathode electrode. An electric field is formed by the voltage difference between and the gate electrode is used to induce electron emission. On the contrary, when the electron emission part 30 is formed in the 2nd electrode 28, the 2nd electrode 28 will be a cathode and the 1st electrode 22 will be a gate electrode.

제1 전극(22)과 제2 전극(28) 가운데 주로 발광 장치(10)의 행 방향을 따라 위치하는 전극이 주사 전극으로 기능하고, 발광 장치(10)의 열 방향을 따라 위치하는 전극이 데이터 전극으로 기능한다.Among the first electrode 22 and the second electrode 28, an electrode mainly located along the row direction of the light emitting device 10 functions as a scan electrode, and an electrode located along the column direction of the light emitting device 10 is data. Function as an electrode.

도면에서는 전자 방출부(30)가 제1 전극(22)에 형성되고, 제1 전극들(22)이 발광 장치(10)의 열 방향(도면의 y축 방향)을 따라 위치하며, 제2 전극들(28)이 발광 장치(10)의 행 방향(도면의 x축 방향)을 따라 위치하는 경우를 도시하였다. 전자 방출부(30)의 위치와 제1 전극들(22) 및 제2 전극들(28)의 배열 방향은 전술한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.In the drawing, the electron emission part 30 is formed on the first electrode 22, the first electrodes 22 are positioned along the column direction (y-axis direction in the drawing) of the light emitting device 10, and the second electrode The case where the fields 28 are located along the row direction (x-axis direction of the figure) of the light emitting device 10 is shown. The position of the electron emitter 30 and the arrangement directions of the first electrodes 22 and the second electrodes 28 are not limited to the above-described example and may be variously modified.

상기 제1 전극(22)과 제2 전극(28)의 교차 영역마다 제2 전극(28)과 저항 층(26) 및 절연층(24)에 개구부(32)가 형성되어 제1 전극(22)의 표면 일부를 노출시키며, 개구부(32) 내측으로 제1 전극(22) 위에 전자 방출부(30)가 위치한다.Openings 32 are formed in the second electrode 28, the resistance layer 26, and the insulating layer 24 at each crossing region of the first electrode 22 and the second electrode 28 to form the first electrode 22. The electron emission portion 30 is positioned on the first electrode 22 to expose a portion of the surface of the substrate 32.

전자 방출부(30)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(30)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함할 수 있으며, 그 제조법으로 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.The electron emission part 30 may be formed of materials emitting electrons when an electric field is applied, such as a carbon-based material or a nanometer-sized material. The electron emission unit 30 may include, for example, a material selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamonds, diamond-like carbons, C 60 , silicon nanowires, and combinations thereof. Screen printing, direct growth, chemical vapor deposition or sputtering can be applied.

다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.On the other hand, the electron emission portion may be formed of a tip structure having a pointed tip mainly made of molybdenum (Mo) or silicon (Si).

전술한 구조에서 제1 전극(22)과 제2 전극(28)의 교차 영역 하나가 발광 장치(10)의 한 화소 영역에 대응하거나, 2개 이상의 교차 영역이 발광 장치(10)의 한 화소 영역에 대응할 수 있다. 두 번째 경우, 하나의 화소 영역에 위치하는 2개 이상의 제1 전극들(22) 및/또는 2개 이상의 제2 전극들(28)은 서로 전기적으로 연결되어 동일한 구동 전압을 인가받는다.In the above structure, one intersection area of the first electrode 22 and the second electrode 28 corresponds to one pixel area of the light emitting device 10, or two or more crossing areas are one pixel area of the light emitting device 10. It can correspond to. In the second case, two or more first electrodes 22 and / or two or more second electrodes 28 positioned in one pixel area are electrically connected to each other to receive the same driving voltage.

본 실시예에서 제2 전극(28)은 이종(異種) 금속의 적층 구조로 이루어진다. 즉 제2 전극(28)은 제1 금속층(281)과, 제1 금속층(281) 위에 배치되며 제1 금속층(281)과 다른 금속으로 형성되는 제2 금속층(282)으로 이루어진다.In the present embodiment, the second electrode 28 has a laminated structure of dissimilar metals. That is, the second electrode 28 includes a first metal layer 281 and a second metal layer 282 disposed on the first metal layer 281 and formed of a metal different from the first metal layer 281.

제1 금속층(281)은 고온 분위기에서 제1 금속층(281)과 접촉하는 절연 물질 내부로 금속 물질을 용이하게 확산시킬 수 있는 물질로 형성되며, 일례로 알루미늄(Al), 은(Ag), 알루미늄 합금 및 은 합금으로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2 금속층(282)은 제1 금속층(281)의 무른 성질을 보완할 수 있는 견고한 금속 물질로 형성되며, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴 합금으로 형성될 수 있다.The first metal layer 281 is formed of a material that can easily diffuse the metal material into the insulating material in contact with the first metal layer 281 in a high temperature atmosphere. For example, aluminum (Al), silver (Ag), and aluminum It may be formed of a material selected from the group consisting of alloys and silver alloys. The second metal layer 282 is formed of a rigid metal material that can complement the soft properties of the first metal layer 281, and may be formed of, for example, molybdenum (Mo) or molybdenum alloy.

제1 금속층(281)과 제2 금속층(282)의 구성 물질은 전술한 예에 한정되지 않으며, 다른 금속 물질로 다양하게 변경 가능하다.The constituent materials of the first metal layer 281 and the second metal layer 282 are not limited to the above-described examples, and may be variously changed to other metal materials.

저항층(26)은 절연층(24) 표면이 제2 기판(14)을 향해 노출되지 않도록 절연층(24) 위에서 일정한 두께로 형성된다. 저항층(26)은 절연층(24)보다 비저항이 낮은 층으로서 대략 106 내지 1012 Ωcm의 비저항을 가지며, 그 표면에 전하가 쌓이지 않는 대전 방지 기능을 구현한다. 이때 저항층(26)은 고저항체이므로 서로 이웃한 제2 전극들(28)이 저항층(26)을 통해 통전되는 일은 발생하지 않는다.The resistive layer 26 is formed to have a predetermined thickness on the insulating layer 24 so that the surface of the insulating layer 24 is not exposed toward the second substrate 14. The resistive layer 26 is a layer having a lower resistivity than the insulating layer 24, has a resistivity of approximately 10 6 to 10 12 μm cm, and implements an antistatic function in which no charge is accumulated on the surface thereof. At this time, since the resistor layer 26 is a high resistor, the second electrodes 28 adjacent to each other are not energized through the resistor layer 26.

본 실시예에서 저항층(26)은 절연층(24) 일부에 금속 물질을 확산시키는 방법을 통해 형성된다. 따라서 저항층(26)은 금속 물질의 확산 방향을 따라 비저항이 변화하는 비저항 구배를 나타낸다. 저항층(26)의 형성 방법은 후술하는 전자 방출 유닛 제조 방법에서 상세하게 설명한다.In the present embodiment, the resistive layer 26 is formed through a method of diffusing a metal material on a portion of the insulating layer 24. Therefore, the resistive layer 26 exhibits a resistivity gradient in which the resistivity changes along the diffusion direction of the metal material. The formation method of the resistive layer 26 is demonstrated in detail in the electron emission unit manufacturing method mentioned later.

다음으로, 발광 유닛(20)은 형광층(34)과, 형광층(34)의 일면에 위치하는 애노드 전극(36)을 포함한다.Next, the light emitting unit 20 includes a fluorescent layer 34 and an anode electrode 36 positioned on one surface of the fluorescent layer 34.

형광층(34)은 백색 형광층으로 이루어지거나, 적색과 녹색 및 청색 형광층들 이 조합된 구성으로 이루어질 수 있다. 백색 형광층은 제2 기판(14)의 유효 영역 전체에 형성되거나, 화소 영역마다 하나의 백색 형광층이 위치하도록 소정의 패턴으로 구분되어 위치할 수 있다. 적색과 녹색 및 청색 형광층들은 하나의 화소 영역 안에서 소정의 패턴으로 구분되어 위치한다. 도면에서는 제2 기판(14)의 유효 영역 전체에 백색 형광층이 위치하는 경우를 도시하였다.The fluorescent layer 34 may be formed of a white fluorescent layer or a combination of red, green, and blue fluorescent layers. The white fluorescent layer may be formed in the entire effective area of the second substrate 14 or may be divided and positioned in a predetermined pattern so that one white fluorescent layer is positioned in each pixel area. The red, green, and blue fluorescent layers are divided and positioned in a predetermined pattern in one pixel area. In the drawing, a case where the white fluorescent layer is positioned in the entire effective region of the second substrate 14 is illustrated.

애노드 전극(36)은 형광층(34) 표면을 덮는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어질 수 있다. 애노드 전극(36)은 전자빔을 끌어당기는 가속 전극으로서 고전압을 인가받아 형광층(34)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(34)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(12)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(14) 측으로 반사시켜 발광면의 휘도를 높인다.The anode electrode 36 may be formed of a metal film such as aluminum covering the surface of the fluorescent layer 34. The anode 36 serves as an acceleration electrode for attracting an electron beam to maintain the fluorescent layer 34 in a high potential state by applying a high voltage and radiate toward the first substrate 12 of visible light emitted from the fluorescent layer 34. Visible light is reflected toward the second substrate 14 to increase the luminance of the light emitting surface.

그리고 제1 기판(12)과 제2 기판(14) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(도시하지 않음)이 위치한다.In addition, spacers (not shown) are disposed between the first substrate 12 and the second substrate 14 to support the compressive force applied to the vacuum container and to keep the distance between the two substrates constant.

전술한 구성의 발광 장치(10)는 진공 용기 외부로부터 제1 전극들(22)과 제2 전극들(28)에 소정의 구동 전압을 인가하고, 애노드 전극(36)에 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가하여 구동한다.The light emitting device 10 having the above-described configuration applies a predetermined driving voltage to the first electrodes 22 and the second electrodes 28 from the outside of the vacuum container, and a direct current of a quantity of several thousand volts to the anode electrode 36. Drive by applying voltage.

그러면 제1 전극(22)과 제2 전극(28)의 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(30) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출되고, 방출된 전자들이 애노드 전압에 이끌려 대응하는 형광층(34) 부위에 충돌함으로써 이를 발광시킨다. 화소별 형광층(34)의 발광 세기는 해당 화소의 전자빔 방출량에 대응한다.Then, in the pixels where the voltage difference between the first electrode 22 and the second electrode 28 is greater than or equal to the threshold, an electric field is formed around the electron emission part 30, and electrons are emitted therefrom, and the emitted electrons are attracted to the anode voltage. It emits light by colliding with the portion of the fluorescent layer 34. The emission intensity of the fluorescent layer 34 for each pixel corresponds to the electron beam emission amount of the corresponding pixel.

전술한 구동 과정에서, 본 실시예의 발광 장치(10)는 저항층(26)에 의해 절연층(24) 표면이 제2 기판(14)을 향해 노출되지 않음에 따라, 전자 방출 유닛(18) 가운데 제2 전극들(28)로 덮이지 않은 부위가 전하로 차징되는 것을 억제하여 전하 차징에 의한 아킹을 최소화할 수 있다.In the above-described driving process, the light emitting device 10 of the present embodiment does not expose the surface of the insulating layer 24 toward the second substrate 14 by the resistive layer 26. The portion that is not covered by the second electrodes 28 may be prevented from being charged with charge, thereby minimizing arcing due to charge charging.

따라서 본 실시예의 발광 장치(10)는 종래의 전계 방출형 백라이트 유닛보다 애노드 전극(36)에 높은 전압, 일례로 10kV 이상의 고전압을 인가할 수 있어 발광 세기를 높일 수 있으며, 아킹에 의한 내부 구조물의 손상을 억제하여 제품 불량을 방지할 수 있다.Therefore, the light emitting device 10 of the present embodiment can apply a higher voltage to the anode electrode 36, for example, 10 kV or more, than the conventional field emission type backlight unit, thereby increasing the light emission intensity, and Damage can be prevented to prevent product defects.

한편, 전술한 실시예에서 제1 기판(12)과 제2 기판(14)은 종래의 전계 방출형 백라이트 유닛보다 큰 간격, 일례로 5 내지 20mm의 간격을 두고 위치할 수 있다. 그리고 애노드 전극(36)은 애노드 전압 인가부(도시하지 않음)를 통해 10kV 이상, 바람직하게 10 내지 15kV 정도의 고전압을 제공받을 수 있다. 본 실시예의 발광 장치(10)는 전술한 구성을 통해 유효 영역 중앙부에서 대략 10,000cd/m2 이상의 최대 휘도를 구현할 수 있다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the first substrate 12 and the second substrate 14 may be positioned at a larger interval, for example, 5 to 20 mm, than the conventional field emission backlight unit. The anode electrode 36 may be provided with a high voltage of about 10 kV or more, preferably about 10 to 15 kV, through an anode voltage applying unit (not shown). The light emitting device 10 according to the present exemplary embodiment may implement a maximum luminance of about 10,000 cd / m 2 or more in the center of the effective region through the above-described configuration.

다음으로, 도 4a 내지 도 4e를 참고하여 전술한 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법에 대해 설명한다.Next, a method of manufacturing the electron emission unit of the above-described light emitting device will be described with reference to FIGS. 4A to 4E.

도 4a를 참고하면, 제1 기판(12) 위에 도전 물질을 코팅하고 이를 패터닝하여 제1 전극(22)을 형성한다. 이어서 제1 전극(22)을 덮도록 제1 기판(10) 전체에 절연 물질을 도포하여 소정 두께의 절연층(24)을 형성한다. 절연층(24) 형성 방법 으로는 화학기상증착(CVD)법과 스크린 인쇄법 등을 적용할 수 있다.Referring to FIG. 4A, the conductive material is coated on the first substrate 12 and patterned to form the first electrode 22. Subsequently, an insulating material is applied to the entire first substrate 10 to cover the first electrode 22 to form an insulating layer 24 having a predetermined thickness. As the method of forming the insulating layer 24, chemical vapor deposition (CVD), screen printing, or the like may be applied.

그리고 절연층(24) 위에 제1 금속층(281)과 제2 금속층(282)을 차례로 형성한다. 전술한 바와 같이 제1 금속층(281)은 고온 분위기에서 절연층(24) 내부로 금속 물질을 용이하게 확산시킬 수 있는 물질, 일례로 알루미늄, 은, 알루미늄 합금 또는 은 합금으로 형성하고, 제2 금속층(282)은 일례로 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 형성한다.The first metal layer 281 and the second metal layer 282 are sequentially formed on the insulating layer 24. As described above, the first metal layer 281 is formed of a material capable of easily diffusing a metal material into the insulating layer 24 in a high temperature atmosphere, for example, aluminum, silver, an aluminum alloy, or a silver alloy, and the second metal layer. 282 is formed of, for example, molybdenum or molybdenum alloy.

도 4b를 참고하면, 제2 금속층(282)을 제1 전극(22)과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 형상으로 패터닝한 다음 제1 기판(12)을 열처리하여 제1 금속층(281)의 금속 물질을 절연층(24) 내부로 확산시킨다. 열처리 공정은 대략 350 내지 500℃ 온도 조건에서 진행할 수 있으며, 제2 금속층(282)의 산화를 억제하기 위해 불활성 가스 분위기에서 진행한다.Referring to FIG. 4B, the second metal layer 282 is patterned in a stripe shape along the direction crossing the first electrode 22, and then the first substrate 12 is heat treated to obtain a metal material of the first metal layer 281. It diffuses into the insulating layer 24. The heat treatment process may be performed at a temperature of approximately 350 to 500 ° C., and may be performed in an inert gas atmosphere to suppress oxidation of the second metal layer 282.

도 4c를 참고하면, 전술한 열처리 공정에 의해 금속 물질이 확산된 절연층(24)의 일부가 저항층(26)이 된다. 저항층(26)은 금속 물질의 확산 방향을 따라 그 윗면으로부터 제1 기판(12)을 향해 비저항이 커지는 비저항 구배를 나타낸다. 이때 열처리 공정에서 금속 물질의 확산 거리가 대략 5㎛을 초과하지 않도록 온도와 시간을 적절하게 제어한다.Referring to FIG. 4C, a portion of the insulating layer 24 in which the metal material is diffused by the above-described heat treatment process becomes the resistive layer 26. The resistive layer 26 exhibits a resistivity gradient in which the resistivity increases from the upper surface toward the first substrate 12 along the diffusion direction of the metal material. At this time, the temperature and time are appropriately controlled so that the diffusion distance of the metal material in the heat treatment process does not exceed approximately 5 μm.

도 4d를 참고하면, 제1 금속층(281)을 제2 금속층(282)과 같은 형상으로 패터닝하여 제1 금속층(281)과 제2 금속층(282)으로 이루어진 제2 전극(28)을 형성한다.Referring to FIG. 4D, the first metal layer 281 is patterned in the same shape as the second metal layer 282 to form a second electrode 28 including the first metal layer 281 and the second metal layer 282.

도 4e를 참고하면, 제1 전극(22)과 제2 전극(28)의 교차 영역마다 제2 전 극(28)과 저항층(26) 및 절연층(24)에 개구부(32)를 형성하고, 개구부(32) 내측으로 제1 전극(22) 위에 전자 방출부(30)를 형성한다.Referring to FIG. 4E, an opening 32 is formed in the second electrode 28, the resistance layer 26, and the insulating layer 24 at each intersection of the first electrode 22 and the second electrode 28. The electron emission part 30 is formed on the first electrode 22 into the opening 32.

전자 방출부(30) 형성 방법은, 분말 형태의 전자 방출 물질에 비히클과 바인더 등을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 페이스트상 혼합물을 제작하고, 이 혼합물을 개구부(32) 내측에 스크린 인쇄한 다음 건조 및 소성하는 과정으로 이루어질 수 있다. 또한, 전자 방출부(30)의 제조법으로 직접 성장, 스퍼터링 또는 화학기상증착 등을 적용할 수 있다.In the method of forming the electron emission unit 30, a paste-like mixture having a viscosity suitable for printing is prepared by mixing a vehicle and a binder with a powdered electron emission material, and screen-printing the mixture inside the opening 32. It may consist of a process of drying and firing. In addition, direct growth, sputtering, or chemical vapor deposition may be applied to the method of manufacturing the electron emission unit 30.

도 5는 전술한 구성의 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시장치의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment in which the light emitting device having the above-described configuration is used as a backlight unit.

도 5를 참고하면, 본 실시예의 액정 표시장치(50)는 행 방향과 열 방향을 따라 복수의 화소들을 형성하는 액정 패널 조립체(52)와, 액정 패널 조립체(52) 후방에 위치하여 액정 패널 조립체(52)로 빛을 제공하는 발광 장치(10)를 포함한다. 이하, 편의상 발광 장치(10)를 백라이트 유닛으로 명칭한다.Referring to FIG. 5, the liquid crystal display device 50 according to the present exemplary embodiment includes a liquid crystal panel assembly 52 forming a plurality of pixels in a row direction and a column direction, and is positioned behind the liquid crystal panel assembly 52 so as to be located behind the liquid crystal panel assembly. And a light emitting device 10 that provides light to 52. Hereinafter, for convenience, the light emitting device 10 will be referred to as a backlight unit.

액정 패널 조립체(52)로는 공지된 모든 액정 패널 조립체가 적용될 수 있으며, 액정 패널 조립체(52)와 백라이트 유닛(10) 사이에는 필요에 따라 확산판 또는 확산 시트와 같은 광학 부재(도시하지 않음)가 배치될 수 있다.Any known liquid crystal panel assembly may be applied to the liquid crystal panel assembly 52, and an optical member (not shown) such as a diffusion plate or a diffusion sheet may be disposed between the liquid crystal panel assembly 52 and the backlight unit 10 as necessary. Can be arranged.

본 실시예에서 백라이트 유닛(10)은 행 방향과 열 방향을 따라 액정 패널 조립체(52)보다 작은 수의 화소들을 형성하여 백라이트 유닛(10)의 한 화소가 복수개의 액정 패널 조립체(52) 화소들에 대응하도록 한다. 백라이트 유닛(10)의 각 화소는 이에 대응하는 복수개의 액정 패널 조립체(52) 화소들 중 가장 높은 계조에 대 응하여 발광할 수 있으며, 백라이트 유닛(10)은 화소별로 2 내지 8비트의 계조를 표현할 수 있다.In the present exemplary embodiment, the backlight unit 10 forms a smaller number of pixels than the liquid crystal panel assembly 52 along the row direction and the column direction so that one pixel of the backlight unit 10 includes a plurality of pixels of the liquid crystal panel assembly 52. To respond. Each pixel of the backlight unit 10 may emit light in response to the highest gray level among the pixels of the liquid crystal panel assembly 52 corresponding thereto, and the backlight unit 10 may express a gray level of 2 to 8 bits for each pixel. Can be.

편의상 액정 패널 조립체(52)의 화소를 제1 화소라 하고, 백라이트 유닛(10)의 화소를 제2 화소라 하며, 하나의 제2 화소에 대응하는 복수의 제1 화소들을 제1 화소군이라 명칭한다.For convenience, a pixel of the liquid crystal panel assembly 52 is called a first pixel, a pixel of the backlight unit 10 is called a second pixel, and a plurality of first pixels corresponding to one second pixel is called a first pixel group. do.

전술한 백라이트 유닛(10)의 구동은 액정 패널 조립체(52)를 제어하는 신호 제어부(54)가 제1 화소군의 제1 화소들 중 가장 높은 계조를 검출하고, 검출된 계조에 따라 제2 화소 발광에 필요한 계조를 산출하여 이를 디지털 데이터로 변환하고, 이 디지털 데이터를 이용하여 백라이트 유닛(10)의 구동 신호를 생성하는 단계들을 통해 이루어질 수 있다. 따라서 백라이트 유닛(10)의 제2 화소는 대응하는 제1 화소군에 영상이 표시될 때 제1 화소군에 동기되어 소정의 계조로 발광할 수 있다.In the above-described driving of the backlight unit 10, the signal controller 54 controlling the liquid crystal panel assembly 52 detects the highest gray level among the first pixels of the first pixel group, and according to the detected gray level, the second pixel. The gray level required for light emission may be calculated and converted into digital data, and the driving signal of the backlight unit 10 may be generated using the digital data. Accordingly, when the image is displayed in the corresponding first pixel group, the second pixel of the backlight unit 10 may emit light with a predetermined gray level in synchronization with the first pixel group.

상기 행 방향은 액정 표시장치(50)의 일 방향, 일례로 액정 패널 조립체(52)가 구현하는 화면의 수평 방향(도면의 x축 방향)으로 정의할 수 있고, 열 방향은 액정 표시장치(50)의 다른 일 방향, 일례로 액정 패널 조립체(52)가 구현하는 화면의 수직 방향(도면의 y축 방향)으로 정의할 수 있다.The row direction may be defined as one direction of the liquid crystal display 50, for example, a horizontal direction (x-axis direction of the drawing) of the screen implemented by the liquid crystal panel assembly 52, and the column direction may be defined as the liquid crystal display 50. ) May be defined as a vertical direction (y-axis direction of the drawing) of the screen implemented by the liquid crystal panel assembly 52.

액정 패널 조립체(52)는 행 방향과 열 방향을 따라 240개 이상의 화소를 형성할 수 있으며, 백라이트 유닛(10)은 행 방향과 열 방향을 따라 2개 내지 99개의 화소를 형성할 수 있다. 행 방향 및 열 방향에 따른 백라이트 유닛(10)의 화소 수가 99개를 초과하면, 백라이트 유닛(10)의 구동이 복잡해지고 구동 회로 제작을 위 한 비용 상승을 초래할 수 있다.The liquid crystal panel assembly 52 may form 240 or more pixels along the row direction and the column direction, and the backlight unit 10 may form 2 to 99 pixels along the row direction and the column direction. If the number of pixels of the backlight unit 10 in the row direction and the column direction exceeds 99, driving of the backlight unit 10 may be complicated, and a cost increase for manufacturing a driving circuit may be caused.

이와 같이 백라이트 유닛(10)은 2×2 내지 99×99의 해상도를 가지는 일종의 자발광 표시 패널이며, 화소별로 발광 세기를 독립적으로 제어하여 각 화소에 대응하는 액정 패널 조립체(52) 화소들에 적절한 세기의 광을 제공한다. 따라서 본 실시예의 액정 표시장치(50)는 화면의 동적 대비비(dynamic contrast)를 높일 수 있으며, 보다 선명한 화질을 구현할 수 있다.As such, the backlight unit 10 is a kind of self-luminous display panel having a resolution of 2 × 2 to 99 × 99. The backlight unit 10 controls the light emission intensity independently for each pixel to be suitable for the pixels of the liquid crystal panel assembly 52 corresponding to each pixel. Provides light of intensity. Therefore, the liquid crystal display device 50 according to the present exemplary embodiment may increase the dynamic contrast of the screen and realize a clearer picture quality.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

본 발명에 의한 발광 장치는 절연층 위에 대전 방지 기능을 가지는 저항층을 형성함에 따라, 전하 차징에 의한 아킹 발생을 최소화한다. 따라서 본 발명에 의한 발광 장치는 제품의 신뢰성과 수명 특성을 높이고, 애노드 전극에 10kV 이상의 고전압을 인가할 수 있어 발광면 휘도를 높일 수 있다.The light emitting device according to the present invention forms a resistance layer having an antistatic function on the insulating layer, thereby minimizing arcing caused by charge charging. Therefore, the light emitting device according to the present invention can improve the reliability and lifespan characteristics of the product, and can apply a high voltage of 10 kV or more to the anode electrode, thereby increasing the light emitting surface luminance.

또한 전술한 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는 본 발명에 의한 액정 표시 장치는 화면의 동적 대비비를 높여 표시 품질을 향상시키고, 백라이트 유닛의 소비 전력을 줄여 전체 소비 전력을 낮출 수 있으며, 30인치 이상의 대형 표시 장치로 용이하게 제작될 수 있다.In addition, the liquid crystal display according to the present invention using the above-described light emitting device as a backlight unit can improve the display quality by increasing the dynamic contrast ratio of the screen, and can reduce the overall power consumption by reducing the power consumption of the backlight unit, 30 inches or more It can be easily manufactured in a large display device.

Claims (15)

서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과;A first substrate and a second substrate which are disposed to face each other and constitute a vacuum container; 상기 제1 기판 위에 상기 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 제1 전극들과;First electrodes formed on the first substrate in one direction of the first substrate; 절연층을 사이에 두고 상기 제1 전극들 위에서 상기 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되며 이종(異種) 금속층의 적층 구조로 이루어지는 제2 전극들과;Second electrodes formed on the first electrodes with the insulating layer interposed therebetween and intersecting with the first electrodes, and having a stacked structure of a dissimilar metal layer; 상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들 중 어느 한 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;Electron emission parts electrically connected to ones of the first electrodes and the second electrodes; 상기 절연층의 윗면 전체에 형성되며 상기 제1 기판의 두께 방향을 따라 상기 제1 기판을 향해 점진적으로 높아지는 비저항 구배를 가지는 저항층과;A resistance layer formed over the entire upper surface of the insulating layer and having a specific resistance gradient gradually increasing toward the first substrate along a thickness direction of the first substrate; 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층; 및A fluorescent layer formed on one surface of the second substrate; And 상기 형광층의 일면에 위치하는 애노드 전극An anode located on one surface of the fluorescent layer 을 포함하는 발광 장치.Light emitting device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 각각의 제2 전극이 제1 금속층과, 제1 금속층 위에 형성되는 제2 금속층을 포함하고,Each of the second electrodes comprises a first metal layer and a second metal layer formed on the first metal layer, 상기 제1 금속층이 알루미늄, 은, 알루미늄 합금 및 은 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 발광 장치.The first metal layer is a light emitting device comprising a metal selected from the group consisting of aluminum, silver, aluminum alloy and silver alloy. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2 금속층이 몰리브덴과 몰리브덴 합금 중 어느 하나의 금속을 포함하는 발광 장치.And the second metal layer comprises one of molybdenum and molybdenum alloys. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 저항층이 106 내지 1012Ωcm의 비저항을 가지는 발광 장치.The resistive layer has a resistivity of 10 6 to 10 12 Ωcm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 전극들과 상기 저항층 및 상기 절연층에 서로 연통하는 개구부가 형성되고,Openings communicating with the second electrodes, the resistance layer, and the insulating layer are formed; 상기 전자 방출부가 상기 개구부 내측으로 상기 제1 전극 위에 형성되는 발광 장치.The light emitting device of claim 1, wherein the electron emission part is formed on the first electrode inside the opening. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 방출부들이 탄소계 물질과 나노미터 사이즈 물질 중 적어도 하나 를 포함하는 발광 장치.And the electron emitters include at least one of a carbonaceous material and a nanometer sized material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 기판과 제2 기판이 5 내지 20mm의 간격을 두고 위치하고,The first substrate and the second substrate are positioned at intervals of 5 to 20 mm, 상기 애노드 전극에 10 내지 15kV의 애노드 전압을 인가하는 애노드 전압 인가부를 더욱 포함하는 발광 장치.And an anode voltage applying unit configured to apply an anode voltage of 10 to 15 kV to the anode electrode. 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 제1 전극들을 형성하고;Forming first electrodes on the first substrate along one direction of the first substrate; 상기 제1 전극들 위로 상기 제1 기판 전체에 절연층을 형성하고;Forming an insulating layer over the first substrate over the first electrodes; 상기 절연층 위에 제1 금속층과 제2 금속층을 차례로 형성하고;Sequentially forming a first metal layer and a second metal layer on the insulating layer; 상기 제2 금속층을 상기 제1 전극들과 교차하는 방향을 따라 패터닝하고;Patterning the second metal layer along a direction crossing the first electrodes; 열처리 공정을 통해 상기 제1 금속층의 금속 물질을 상기 절연층 내부로 소정 두께 확산시켜 저항층을 형성하고;Forming a resistance layer by diffusing a metal material of the first metal layer to a predetermined thickness through a heat treatment process; 상기 제1 금속층을 상기 제2 금속층과 동일한 모양으로 패터닝하여 제1 금속층과 제2 금속층으로 이루어진 제2 전극들을 형성하는 단계Patterning the first metal layer to have the same shape as the second metal layer to form second electrodes including the first metal layer and the second metal layer 를 포함하는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법.Method of manufacturing an electron emission unit of a light emitting device comprising a. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1 금속층을 알루미늄, 은, 알루미늄 합금 및 은 합금으로 이루어진 군에서 선택된 금속으로 형성하고,The first metal layer is formed of a metal selected from the group consisting of aluminum, silver, aluminum alloy and silver alloy, 상기 제2 금속층을 몰리브덴과 몰리브덴 합금 중 어느 하나의 금속으로 형성하는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법.The method of manufacturing an electron emission unit of a light emitting device, wherein the second metal layer is formed of one of molybdenum and molybdenum alloys. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 열처리 공정이 불활성 가스 분위기에서 350 내지 500℃ 온도 조건에서 진행되는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법.The method of manufacturing an electron emission unit of a light emitting device in which the heat treatment process is performed at 350 to 500 ° C. temperature condition in an inert gas atmosphere. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들의 교차 영역마다 제2 전극들과 상기 저항층 및 상기 절연층에 서로 연통하는 개구부를 형성하고;An opening communicating with each other on the second electrodes, the resistance layer, and the insulating layer at each crossing region of the first electrodes and the second electrodes; 상기 개구부 내측으로 상기 제1 전극들 위에 전자 방출부를 형성하는 단계들을 더욱 포함하는 발광 장치의 전자 방출 유닛 제조 방법.And forming an electron emission portion on the first electrodes inside the opening. 제1항 내지 제3항, 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 발광 장치; 및The light emitting device according to any one of claims 1 to 3 and 5 to 8; And 상기 발광 장치의 전방에 위치하여 상기 발광 장치로부터 방출된 빛을 제공받아 화상을 표시하는 액정 패널 조립체A liquid crystal panel assembly positioned in front of the light emitting device to receive light emitted from the light emitting device to display an image 를 포함하는 액정 표시장치.Liquid crystal display comprising a. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 액정 패널 조립체가 행 방향과 열 방향을 따라 복수의 화소들을 형성하 고, 상기 발광 장치가 상기 행 방향과 상기 열 방향을 따라 상기 액정 패널 조립체보다 작은 수의 화소들을 형성하는 액정 표시장치.Wherein the liquid crystal panel assembly forms a plurality of pixels in a row direction and a column direction, and the light emitting device forms a smaller number of pixels in the row direction and the column direction than the liquid crystal panel assembly. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 발광 장치가 상기 행 방향과 상기 열 방향을 따라 2개 내지 99개의 화소들을 형성하는 액정 표시장치.And the light emitting device forms 2 to 99 pixels along the row direction and the column direction.
KR1020060082219A 2006-08-29 2006-08-29 Light emitting device, manufacturing method of electron emission unit for light emitting device, and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit KR100814849B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060082219A KR100814849B1 (en) 2006-08-29 2006-08-29 Light emitting device, manufacturing method of electron emission unit for light emitting device, and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060082219A KR100814849B1 (en) 2006-08-29 2006-08-29 Light emitting device, manufacturing method of electron emission unit for light emitting device, and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080021191A KR20080021191A (en) 2008-03-07
KR100814849B1 true KR100814849B1 (en) 2008-03-20

Family

ID=39395733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060082219A KR100814849B1 (en) 2006-08-29 2006-08-29 Light emitting device, manufacturing method of electron emission unit for light emitting device, and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100814849B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0896701A (en) * 1994-09-22 1996-04-12 Sony Corp Field emission type device and its manufacture
JPH08236013A (en) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp Field emission type cold cathode and electron gun using it
JPH08321255A (en) * 1995-03-20 1996-12-03 Nec Corp Field emission cold cathode and its manufacture
JPH09219141A (en) * 1996-02-13 1997-08-19 Futaba Corp Field emission element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0896701A (en) * 1994-09-22 1996-04-12 Sony Corp Field emission type device and its manufacture
JPH08236013A (en) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp Field emission type cold cathode and electron gun using it
JPH08321255A (en) * 1995-03-20 1996-12-03 Nec Corp Field emission cold cathode and its manufacture
JPH09219141A (en) * 1996-02-13 1997-08-19 Futaba Corp Field emission element

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080021191A (en) 2008-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100759413B1 (en) Light emitting device and liquid crystal display with the light emitting device as backlight unit
KR100859690B1 (en) Light emission device and liquid crsytal display using the light emission device as back light unit
EP1858055A1 (en) Light emission device and display device
KR100863955B1 (en) Light emission device and liquid crystal display device with the light emission device as back light unit
KR100814849B1 (en) Light emitting device, manufacturing method of electron emission unit for light emitting device, and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit
KR20090006352A (en) Light emission device and display device using the light emission device as a light source
KR100778517B1 (en) Light emission device and display device
KR100823479B1 (en) Light emitting device and liquid crystal display with the light emitting device as backlight unit
KR100804699B1 (en) Light emitting device and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit
EP1923904A2 (en) Light emission device and spacers therefor
KR20080043536A (en) Light emission device and display device
KR100823480B1 (en) Diffusing member, light emission device with the diffusing member and liquid crsytal display using the light emission device as back light unit
KR100814846B1 (en) Light emitting device and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit
KR100814822B1 (en) Light emission device, method of manufacturing the same and liquid crsytal display including the light emission device
KR20080079836A (en) Light emission device and liquid crystal display using the same
KR100814851B1 (en) Light emission device and liquid crystal display with the light emission device as backlight unit
KR100766927B1 (en) Light emitting device and liquid crystal display with the light emitting device as back light unit
KR100852704B1 (en) Display device
KR100814848B1 (en) Light emitting device and liquid crystal display with the light emitting device as backlight unit
KR100814856B1 (en) Light emission device and display device
KR100717762B1 (en) Light emitting device and liquid crystal display with the light emitting device as backlight unit
KR20080077497A (en) Light emission device and display
KR100796689B1 (en) Light emission device and liquid crystal display device with the light emission device as back light unit
KR100759399B1 (en) Light emission device and liquid crystal display device with the light emission device as back light unit
KR100749424B1 (en) Light emission device and liquid crystal display with the light emission device as backlight unit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110228

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee