상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 이온 발생장치에 있어서, 특정 주파수의 전류를 인가하여 일정한 파형의 주파수를 제공하도록 이루어지는 발진회로(10); 상기 발진회로(10)에서 인가되는 주파수를 제공받아 전압으로 변환하여 고전압을 발생시키도록 이루어지는 한 쌍의 트랜스(30); 상기 한 쌍의 트랜스(30)에서 제공되는 고전압을 이용하여 양 이온 및 음 이온의 발생을 결정하여 주는 정류 배압부(50); 상기 정류 배압부(50)에 연결되어 전기적 토출방식에 의하여 이온을 발생시키는 음 이온 발생핀(71a)와 양 이온 발생핀(72b)로 이루어지는 발생부(70); 상기 발생부(70)의 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)은 발생되는 음 이온과 양 이온이 소정거리 도달된 후 상호 결합되기 위하여 그 사이에 소정형상 및 소정길이를 갖는 격벽;을 포함하되, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)은 발생되는 음 이온과 양 이온의 분사범위가 소정부분 겹쳐지도록 상호 소정간격으로 이격되어 상호 소정각도 및 소정방향으로 비스듬히 배치된다.
바람직하게는, 상기 배압부가 정류 다이오드로 각각 이루어져 다이오드의 역방향에 따라 제공되는 고전압을 음 이온으로 변환시키는 - 정류 배압부와, 다이오드의 순방향에 따라 제공되는 고전압을 양 이온으로 변환시키는 + 정류 배압부로 이루어진다.
여기서, 상기 각 이온 발생핀이 상기 - 정류 배압부와 + 정류 배압부의 일측과 각각 연결되게 이루어진다.
그리고, 상기 발생부의 음 이온 발생핀과 양 이온 발생핀의 일측면에 핀 형상으로 형성되는 다수개의 블러쉬가 각각 구비되고, 상기 각 블러쉬가 탄소섬유재질로 이루어진다.
한편, 상기 각 정류 배압부에 의하여 상기 음 이온 발생핀 및 양 이온 발생핀에서 분사되는 음 이온 및 양 이온의 발생 비율이 조절되도록 이루어진다.
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그리고, 상기 각 정류 배압부의 일측 적소에 상기 음 이온 발생핀 및 양 이온 발생핀을 통하여 분사되는 음 이온 및 양 이온의 발생 비율을 조절하도록 이루어지는 전위 조절부가 구비된다.
여기서, 발진회로에 특정한 주파수의 전류가 인가되는 단계; 상기 발진회로 에서 인가되는 주파수가 각 트랜스를 통하여 고전압으로 변환되는 단계; 상기 각 트랜스에서 제공되는 고전압을 이용하여 배압부의 - 정류 배압부와 + 정류 배압부에서 음 이온과 양 이온이 발생되는 단계; 및 상기 배압부에서 발생되는 음 이온과 양 이온이 발생부의 음 이온 발생핀과 양 이온 발생핀의 각 블러쉬를 통하여 전기적인 토출방식에 의하여 분사되는 단계;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 배압부에 의하여 음 이온 발생핀과 양 이온 발생핀에서 분사되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량의 발생 비율이 조절되는 단계를 더 포함하도록 이루어진다.
이하, 본 발명에 따른 실시 예를 첨부된 예시도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 이온 클러스터의 발생장치의 구성을 개략적으로 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 이온 클러스터의 발생장치를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 이온 클러스터의 발생장치의 다른 실시 예를 나타내는 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 이온 클러스터의 발생과정을 나타내는 구성도이다.
도면에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명에 의한 이온 클러스터의 발생장치(1)는 발진회로(10)와 트랜스(30)와 정류 배압부(50)와 발생부(70)로 구성된다.
상기 발진회로(10)는 외부에서 전류를 인가받아 특정 주파수의 일정한 파형의 전압을 제공하도록 이루어진다.
상기 트랜스(Trans, 30)는 한 쌍으로 이루어져 상기 발진회로(10)의 일측에 전기적으로 연결구비되고, 상기 발진회로(10)를 통하여 제공되는 주파수를 고전압으로 변환시켜주는 역할을 담당한다. 즉, 상기 트랜스(30)는 상기 발진회로(10)에서 제공되는 주파수의 파형을 전압으로 변환하여 고전압을 발생시키도록 이루어진다.
본 발명의 일 실시 예에서는 상기 발진회로(10)에서 제공되는 주파수를 변환하여 고전압을 발생시키기 위하여 상기 트랜스(30)가 한 쌍으로 이루어져 있으나, 발생되는 고전압의 발생량을 높여 후술하는 정류 배압부(50)를 통하여 보다 많은 양의 음 이온과 양 이온을 발생시키 위하여 상기 트랜스(30)가 2개 이상의 다수개로 이루어지는 것도 가능하다.
한편, 이를 위하여 상기 한 쌍의 트랜스(30)에 각각 연결되도록 이루어지는 후술하는 정류 배압부(50)와 발생부(70)의 갯수 또한 상기 트랜스(30)의 갯수와 대응되게 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 정류 배압부(50)는 상기 각 트랜스(30)의 적소에 연결구비되고, 상기 각 트랜스(30)에서 발생된 후 제공되는 고전압을 이용하여 이온을 발생시키도록 이루어진다.
즉, 상기 정류 배압부(50)는 상기 각 트랜스(30)에서 제공되는 고전압을 변환하여 음 이온과 양 이온을 발생시키도록 이루어지며, 이를 위하여 상기 정류 배압부(50)는 트랜스(30)에서 제공되는 고전압에서 음 이온을 발생시키도록 이루어지는 - 정류 배압부(51a)와 상기 트랜스(30)에서 제공되는 고전압에서 양 이온을 발생시키도록 이루어지는 + 정류 배압부(51b)로 나뉘어 음 이온과 양 이온을 각각 독 립적으로 발생시킨다.
이렇게 상기 정류 배압부(50)가 음 이온을 발생시키기 위한 - 정류 배압부(51a)와 양 이온을 발생시키기 위한 + 정류 배압부(51b)로 이루어짐으로써 상기 각 트랜스(30)를 통하여 제공되는 고전압이 음 이온과 양 이온으로 각각 개별적으로 변환된다.
이를 위하여 상기 각 정류 배압부(51a, 51b)는 정류 다이오드로 각각 이루어지며, 정류 다이오드가 순방향일 경우 제공되는 고전압을 양 이온으로 변환시키고, 정류 다이오드가 역방향일 경우 제공되는 고전압을 음 이온으로 변환시키도록 이루어진다.
상기 발생부(70)는 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)으로 이루어지며, 상기 음 이온 발생핀(71a)은 상기 정류 배압부(50)의 - 정류 배압부(51a)와 연결되고, 상기 양 이온 발생핀(71b)은 상기 정류 배압부(50)의 + 정류 배압부(51b)와 연결되게 이루어진다.
상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)은 상기 각 정류 배압부(51a, 51b)에 의하여 발생되어 제공되는 음 이온과 양 이온을 전기적인 토출방식에 의하여 각각 토출 및 분사시키도록 이루어진다.
상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)의 일측면 단부에는 핀 형상으로 형성되어 탄소섬유재질로 이루어지는 다수개의 블러쉬(73)가 규칙 또는 불규칙적으로 각각 구비된다.
본 발명의 일 실시 예에서는 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)의 일측면 단부에 다수개 구비되는 핀 형상의 블러쉬(73)가 탄소섬유재질로 이루어져 있으나, 음 이온과 양 이온을 분사시키기만이 용이하다면 백금, 스테인레스, 구리, 아연, 니켈, 망간, 텅스텐 등의 재질로 이루어지는 것도 가능하다.
또한, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)의 일측면에 구비되어 핀형상으로 형성되는 다수개의 블러쉬(73)가 은 나노재질로 이루어져 음 이온과 양 이온을 분사시키도록 이루어지는 것도 가능하다.
한편, 상기한 바와 같은 본 발명에 의한 이온 클러스터의 발생장치(1)의 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에 핀 형상으로 형성되어 각각 구비되는 다수개의 블러쉬(73)는 음 이온과 양 이온을 분사시키기 용이한 정도의 굵기로 이루어지며, 상기 블러쉬(73)에 이물질이 부착되어 음 이온과 양 이온의 발생 및 분사를 저해하는 것을 방지하기 위하여 상기 블러쉬(73)가 소정 갯수 이상의 다수개로 이루어지는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 발생부(70)를 통하여 발생되는 음 이온의 클러스터화를 활성화시키기 위하여 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)은 상호 소정간격 이격되게 배치 및 위치된다.
즉, 상기 양 이온 발생핀(71b)을 통하여 분사되어 토출되는 양 이온이 상기 음 이온 발생핀(71a)을 통하여 분사되어 토출되는 음 이온과 결합되어 음 이온의 클러스터화를 활성화시키기 위하여 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)을 통하여 분사되는 각 이온이 소정범위 겹쳐지도록 한다.
다시 말하면, 상기 음 이온 발생핀(71a)을 통하여 토출되는 양 이온의 분사범위와 양 이온 발생핀(71b)을 통하여 토출되는 음 이온의 분사범위가 소정부분 겹쳐져 음 이온의 클러스터화를 최대로 향상시킬 수 있도록 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)은 클러스터화를 최대로 향상시킬 수 있는 범위 내에서 소정간격 이격되어 각각 배치된다.
본 발명의 일 실시 예에서는 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)이 음 이온의 클러스터화를 최대로 향상시킬 수 있는 범위 내에서 소정간격 이격되어 각각 배치 및 위치되어 있으나, 상기 음 이온 발생핀(71a)에서 분사되는 음 이온과 양 이온 발생핀(71b)에서 분사되는 양 이온이 결합되어 음 이온의 클러스터화를 최적화시키는 범위 내에서 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)이 상호 소정각도 및 소정방향으로 비스듬히 배치되게 이루어지는 것도 바람직하다.
즉, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에서 분사되는 음 이온과 양 이온의 분사범위가 소정부분 겹쳐져 음 이온의 클러스터화를 최적화시키기 위하여 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)이 벌어지는 형상으로 상호 소정각도 비스듬히 배치되게 이루어진다.
한편, 이를 위하여 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)이 상호 벌어지는 형상으로 소정각도 비스듬히 배치되어 있으나, 상호 좁아지는 형상으로 소정각도 비스듬히 배치시켜 상기 음 이온 발생핀 (71a)에서 토출되어 분사되는 음 이온의 분사범위와 상기 양 이온 발생핀(71b)에서 토출되어 분사되는 양 이온의 분사범위가 소정부분 겹쳐지도록 하여 음 이온의 클러스터화를 활성화시키도록 이루어지는 것도 가능하다.
이때에도, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 상기 양 이온 발생핀(71b)은 음 이온 클러스터를 활성화시킬 수 있는 범위 내에서 소정각도 및 소정방향으로 비스듬히 배치 및 위치되게 이루어지는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이 음 이온의 클러스터를 활성화시키기 위하여 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에서 분사되는 음 이온과 양 이온의 분사범위가 소정부분 겹쳐지도록 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)이 상호 소정간격 이격되어 배치되거나, 상호 소정각도 및 소정방향 비스듬히 배치되게 이루어짐으로써 음 이온의 클러스터화를 향상시킬 뿐만 아니라, 음 이온과 양 이온이 공기 중에 존재하는 불순물에 부착 및 흡착을 유리하게 하여 불순물을 분해 및 제거하도록 이루어짐으로써 공기를 정화하는 역할까지 향상시키도록 이루어진다.
여기서, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)의 사이에 소정형상 및 소정길이를 갖는 격벽이 구비되어 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에서 분사되는 음 이온과 양 이온이 소정거리에 도달된 후 상호 결합되도록 이루어지는 것도 가능하다.
즉, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에서 분사되는 음 이온과 양 이온이 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b) 사이에 개재되는 격벽에 의하여 소정거리까지 각각 단독으로 진행하다가 적정거리에서 상호 결합되게 이루 어짐으로써 음 이온의 클러스터화를 활성 및 향상시키도록 이루어진다.
이때에는, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b) 사이의 거리, 간격 또는 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)의 방향, 각도에 상관없이 음 이온의 클러스터화를 활성화시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 의한 이온 클러스터의 발생장치(1)는 그 내부에 구비되는 각 정류 배압부(51a, 51b)에 의하여 장소 및 상황에 따라 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에서 발생되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량에 따른 발생비율이 조절된다.
즉, 상기 이온 클러스터의 발생장치(1) 내부에 구비되는 정류 배압부(50)에 의하여 실내 공기의 오염도에 따른 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)의 음 이온 및 양 이온 발생량이 조절되도록 이루어짐으로써 특정 상황 및 기타 여러 가지 주변 여건에 따라 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량을 조절하도록 이루어진다.
상기한 바와 같은 구조 및 구성에 의하여 상기 이온 클러스터의 발생장치(1)는 설치된 장소 및 상황에 따라 음 이온 발생핀(71a)에서 발생되는 음 이온의 발생량과 양 이온 발생핀(71b)에서 발생되는 양 이온의 발생량이 정류 배압부(50)에 의하여 각각 조절되거나, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에서 발생되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량 모두가 동시에 조절되어 실내의 공기를 정화하도록 이루어진다.
본 발명의 일 실시 예에서는 상기 정류 배압부(50)에 의하여 상기 음 이온 발생핀(71a) 및 양 이온 발생핀(71b)에서 토출되어 분사되도록 이루어지는 음 이온의 발생량 및 상기 양 이온의 발생량이 조절되도록 이루어져 있으나, 한 쌍으로 이루어지는 각 트랜스(30)에 의해 고전압의 양을 조절함으로써 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량이 조절되도록 이루어지는 것도 가능하다.
또한, 상기 정류 배압부(50)의 일측 적소에 소정의 전위 조절부(53)가 연결구비되고, 상기 전위 조절부(53)에 의하여 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)에서 발생 및 토출되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량에 따른 발생 비율이 조절되게 이루어지는 것도 바람직하다.
여기서, 상기 이온 클러스터의 발생장치(1) 정류 배압부(50)의 일측 적소에 연결구비되는 전위 조절부(53)가 실내 공기의 오염도 및 기타 주변 상황을 감지한 후 상황에 알맞은 음 이온과 양 이온의 발생 비율을 조절하여 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)을 통해 적정 비율의 음 이온과 양 이온을 발생하도록 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에서는 상기 전위 조절부(53)에 의하여 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)을 통해 토출되어 분사되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량이 조절되도록 이루어져 있으나, 상기 전위 조절부(53)가 상기 트랜스(30)와 연결되어 트랜스(30)에서 발생되는 고전압의 양을 조절하는 것도 가능하고, 상기 전위 조절부(53)가 상기 정류 배압부(50)의 - 정류 배압부(51a)와 + 정 류 배압부(51b)에 연결되어 각 정류 배압부(51a, 51b)에서 생성 및 발생되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량을 조절함으로써 상술한 바와 같이 상황에 따른 이온 발생 비율을 조절하도록 이루어지는 것도 가능하다.
한편, 상기 이온 클러스터의 발생장치(1)의 소정위치에 상기 전위 조절부(53)와 연결되게 이루어지는 별도의 조절부에 의하여 실내의 공기 오염도 및 실내의 공기 정보가 감지된 후 조절부가 그와 연결되게 이루어지는 전위 조절부(53)에 소정 정보를 전송하고, 전송된 정보에 따라 발생되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량을 조절하도록 이루어지는 것도 가능하다.
상기한 바와 같이 이온 클러스터의 발생장치(1)를 통하여 음 이온과 양 이온이 각각 독립적으로 발생되도록 이루어짐으로써 음 이온의 클러스터화를 향상시켜 음 이온의 생성 기간 및 확산 범위를 향상시키게 된다.
즉, 음 이온과 양 이온이 동시에 토출 및 분사되도록 이루어져 양 이온이 음 이온의 클러스터화를 도와줌으로써 음 이온의 생성 기간 및 확산 범위를 향상시킬 뿐만 아니라, 음 이온과 양 이온이 공기 중의 불순물에 부착 및 흡착되어 분해함으로써 보다 효과적으로 공기를 정화하게 된다.
이하, 본 발명에 의한 이온 클러스터의 발생장치(1)의 작동과정을 설명한다.
먼저, 외부 또는 자체적에서 발생되는 특정한 주파수의 전류를 발진회로(10)에 인가시킨다(S1).
그리고, 상기 발진회로(10)를 통하여 제공되는 소정 파형을 갖는 주파수가 한 쌍의 트랜스(30)를 통하여 고전압으로 변환된다(S2).
상기 트랜스(30)에서 제공되는 고전압을 이용하여 정류 배압부(50)의 - 정류 배압부(51a)와 + 정류 배압부(51b)에서 음 이온과 양 이온을 발생시킨다(S3).
상기 정류 배압부(50)에서 발생되는 음 이온과 양 이온이 발생부(70)의 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)의 블러쉬(73)를 통하여 전기적 토출방식으로 분사된다(S4).
상술한 바와 같이 상기 발생부(70)의 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)을 통하여 동시에 분사되는 음 이온과 양 이온은 공기 중에 존재하는 물 분자와 결합되고, 양 이온은 음 이온의 클러스터화를 돕도록 이루어진다.
즉, 상기 이온 클러스터의 발생장치(1)의 발생부(70)를 통하여 분사 및 토출되어 발생되는 음 이온과 양 이온은 먼저, 공기 중에 존재하는 물 분자와 결합되면서 이동하게 되고, 이동 중에 공기에 존재하는 유해 물질 및 냄새 등의 불순물에 부착 및 흡착된다.
이렇게 공기 중에 존재하는 유해 물질 및 냄새 등의 불순물에 부착 및 흡착되는 음 이온과 양 이온 클러스터는 불순물과 반응하여 수산화기를 생산하여 불순물을 분해시키도록 이루어진다.
뿐만 아니라, 상기 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)이 소정간격 이격되게 구비되거나, 소정각도 및 소정방향으로 비스듬히 배치되게 이루어져 분사되는 음 이온과 양 이온의 소정부분이 겹쳐지도록 이루어짐으로써 음 이온과 양 이온이 불순물에 부착 및 흡착되어 탈취 및 항균기능을 보다 원할하게 한다.
한편, 상기 정류 배압부(50)에 의하여 음 이온 발생핀(71a)과 양 이온 발생핀(71b)을 통하여 분사되는 음 이온의 발생량과 양 이온의 발생량에 따른 발생 비율이 조절되도록 이루어진다(S3-1).
본 발명의 이온 클러스터의 발생장치 및 발생방법에 의하면, 종래 음 이온 발생장치 및 발생방법에 비하여 발생된 음 이온이 공기 중에 장시간 존재하며 또한 음 이온의 도달거리를 향상시킬 수 있다.
<실험예 1>
음 이온이 공기 중에 생존하는 기간.
Ion-Cluster를 12시간 정도 작동시켰을 경우 5시간 경과 후부터 Ion이 증가됨을 알 수 있다. 이때, 음 이온 발생장치의 작동을 정지시키면 증가된 양 만큼 대기 중에 잔존하다가 서서히 소멸됨을 알 수 있다.(도 5를 참조)
<실험예 2>
음 이온의 도달거리.
3m/s로 공기를 대류시켰을 경우를 예로 들어 종래 방법에 의한 음 이온 발생장치 및 발생방법에 의한 도달거리와 본 발명의 장치 및 방법에 의한 도달거리를 측정하여 본 결과 종래의 음 이온 발생장치 및 방법에 의한 것보다 음 이온의 도달거리가 2배 이상 향상된 것을 알 수 있다.(도 6을 참조)