KR100807583B1 - Liquid crystal display device and its fabrication method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 광 효율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 유리 기판과 유리 기판 상에 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor) 및 각종 배선이 형성되어 있는 하부 기판과 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 상부 기판 사이에 액정이 형성된 액정 표시 장치에 있어서, 박막 트랜지스터가 형성되는 하부 기판의 유리 기판 내부에 광섬유를 형성하고 이후, 광섬유가 형성된 유리 기판 상에 박막 트랜지스터 및 각종 배선을 형성하는 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a manufacturing method capable of improving light efficiency. The present invention provides a liquid crystal display in which a liquid crystal is formed between a glass substrate and a lower substrate on which a thin film transistor and various wirings are formed, and an upper substrate on which a color filter and a black matrix are formed. An optical fiber is formed inside the glass substrate of the lower substrate on which the transistor is formed, and then a thin film transistor and various wirings are formed on the glass substrate on which the optical fiber is formed.
Description
도 1은 액정 표시 장치를 구성하는 컬러 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판에 대하여 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically illustrating a color filter substrate and a thin film transistor substrate constituting a liquid crystal display.
도 2는 종래의 박막 트랜지스터의 금속 라인이 형성된 유리 기판에 대하여 백 라이트로부터 빛이 투과되는 모습을 나타낸 도면이다.2 is a view showing a state in which light is transmitted from a backlight with respect to a glass substrate on which a metal line of a conventional thin film transistor is formed.
도 3a 내지 3e는 박막트랜지스터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.3A to 3E illustrate a method of manufacturing a thin film transistor.
도 4는 본 발명의 액정 표시 장치를 구성하는 하부 기판에 대하여 나타낸 상세도이다.4 is a detailed view of the lower substrate constituting the liquid crystal display of the present invention.
도 5a는 본 발명에 따른 유리 기판내부에 형성된 광섬유를 나타낸 상세도이다.Figure 5a is a detailed view showing an optical fiber formed in the glass substrate according to the present invention.
도 5b는 도 5a 결과물 위에 박막트랜지스터의 금속 라인이 형성된 모습은 나타낸 도면이다.FIG. 5B is a view illustrating a metal line of the thin film transistor formed on the resultant of FIG. 5A.
도 6은 도 5b에 있어서 점선으로 표시된 영역을 확대해서 나타낸 상세도이다.FIG. 6 is an enlarged detail view of an area indicated by a dotted line in FIG. 5B.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **** Explanation of symbols for main parts of drawings **
10: 유리 기판 11: 컬러 필터 10: glass substrate 11: color filter
12: 블랙 매트릭스 13: 공통 전극12: black matrix 13: common electrode
14: 배향막 15: 게이트 전극14: alignment layer 15: gate electrode
16: 액티브층 17: 게이트 절연막16: active layer 17: gate insulating film
18: 소오스 전극 19: 드레인 전극18: source electrode 19: drain electrode
20: 보호막 21: 화소 전극20: protective film 21: pixel electrode
22: 금속라인(박막트랜지스터) 31: 광섬유22: metal line (thin film transistor) 31: optical fiber
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히 광효율을 극대화시키기 위한 액정 표시 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a manufacturing method for maximizing light efficiency.
최근, CRT 디스플레이를 대신한 평면형 표시 장치가 활발히 개발되고 있으며, 그 중에서도 액정 표시 장치는 경량, 박형, 저소비전력 등의 잇점으로 특히 주목을 받고 있다.Recently, flat panel display devices have been actively developed in place of CRT displays, and among them, liquid crystal display devices have been particularly attracting attention due to advantages such as light weight, thinness, and low power consumption.
예를 들어 각 표시화소마다 스위칭소자가 배치된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치(Active Matrix Liquid Crystal Display)는 액정 물질의 이방성을 이용한 전기-광학적 장치로서, 박막 트랜지스터 및 각종 배선이 형성되어 있는 하부 기판과 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 상부 기판 사이에 액정 물질이 형성되어 있고 하부 기판의 가장자리에는 박막 트랜지스터와 배선을 구동하기 위한 회로를 장착한 구동회로가 부착되어 있다. 또한, 기판의 하부 또는 측면에 백 라이트(back light)가 장착된다. 백 라이트로부터 나온 빛은 하부 기판의 투명 전극을 거쳐 액정 물질을 투과하며 투과한 빛은 상부 기판의 컬러 필터에 도달하여 화상을 구현한다. 이때, 액정 물질에서의 빛의 투과율은 구동 회로에 의해 제어되며, 외부 광선에 의한 빛을 흡수하고 콘트라스트(contrast)를 향상시키기 위해 블랙 매트릭스가 화소 경계부에 형성된다.For example, an active matrix liquid crystal display in which switching elements are disposed in each display pixel is an electro-optical device using anisotropy of liquid crystal materials, and includes a lower substrate on which thin film transistors and various wirings are formed. A liquid crystal material is formed between the color filter and the upper substrate on which the black matrix is formed, and a driving circuit having a circuit for driving the thin film transistor and the wiring is attached to the edge of the lower substrate. In addition, a back light is mounted on the bottom or side of the substrate. The light from the backlight passes through the liquid crystal material through the transparent electrode of the lower substrate, and the transmitted light reaches the color filter of the upper substrate to realize an image. At this time, the transmittance of light in the liquid crystal material is controlled by the driving circuit, and a black matrix is formed at the pixel boundary to absorb light by external light rays and to improve contrast.
종래기술에 따른 액정 표시 장치를 구성하고 있는 하부 기판 및 상부 기판의 구조와 그 기능에 대해 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다. The structure and function of the lower substrate and the upper substrate constituting the liquid crystal display according to the related art will be described with reference to FIG. 1 as follows.
도 1은 액정 표시 장치를 구성하는 컬러 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판에 대하여 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 상부 기판은 유리 기판(10)위에 적색, 녹색, 청색의 세 가지 기본색깔의 염료나 혹은 안료를 포함하는 수지막의 컬러 필터(11)와, 상기 컬러 필터(11)의 픽셀 사이에 형성된 광 차단막의 블랙 매트릭스(12)와, 상기의 컬러 필터(11)의 평탄화를 위하여 또는 공통 전극인 ITO 와의 접착력을 향상시키기 위한 오버 코트(over coat)막(미도시)과, 액정셀에 전압을 인가하기 위해 형성된 투명한 전기 전도체인 ITO로 이루어진 공통전극(13)과, 액정 분자들의 배향을 위해 형성된 배향막(14)으로 구성되어 있다.1 is a view schematically illustrating a color filter substrate and a thin film transistor substrate constituting a liquid crystal display.
As shown in FIG. 1, the upper substrate includes a
여기서, 상기 하부 기판은 유리 기판(10) 상부에 형성되어 주사신호가 인가되는 게이트 전극(15)과, 주사 신호에 대응하여 데이터 신호를 전송하도록 마련된 액티브층(16)과, 액티브층(16)과 게이트 전극(15)을 전기적으로 격리시켜주는 게이트 절연막(17)과, 액티브층(16)의 상부에 형성되어 데이터 신호를 인가하는 소오스 전극(18)과, 데이터 신호를 화소 전극에 인가하는 드레인 전극(19)과, 소오스 전극(18) 및 드레인 전극(19)을 보호하는 보호막(20)으로 이루어져 있다. 그리고 드레인 전극(19)은 콘택홀을 통하여 화소 전극(21)과 연결되어 있으며, 화소 전극(21)은 광빔이 투과 되도록 ITO로 이루어진 투명 전극으로 형성되어 있다. 그리고, 액정 분자들의 배향을 위해 형성된 배향막(14)이 구성되어 있다.Here, the lower substrate is formed on the
상기 액티브층(16)은 비정질 실리콘(a-Si)을 증착하여 형성된 반도체층(16a)과, 반도체층(16a)의 양측 상부에 n+ 도핑된 오믹 접촉층(ohmic contact layer) (16b)으로 구성되어 있다. The
상기 게이트 전극(15)에 하이 레벨(high level)을 갖는 주사신호가 인가되면 반도체층(16a)에는 전자가 이동할 수 있는 채널(channel)이 형성되므로 소오스 전극(18)의 데이터 신호가 반도체층(16a)을 경유하여 드레인 전극(19)으로 전달된다. 반면에, 게이트 전극(15)에 로우 레벨(low level)을 갖는 주사 신호가 인가되면 반도체층(16a)에 형성된 채널이 차단되므로 드레인 전극(19)으로 데이터 신호의 전송이 중단된다.When a scan signal having a high level is applied to the
상기 투명 전극(ITO)과 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극의 금속막은 스퍼터링(sputtering) 방법에 의해서 증착이 이루어진다. The metal film of the transparent electrode ITO, the gate electrode, and the source / drain electrodes is deposited by a sputtering method.
상기 게이트 전극(15)은 알루미늄(Al)이나 혹은 알루미늄 합금이나 혹은 구리(Cu)로 이루어져 있으며, 소오스/드레인 전극은 크롬(Cr)이나 혹은 몰리브덴(Mo)이나 혹은 알루미늄(Al)이나 혹은 알루미늄 합금이나 혹은 구리(Cu)로 이루어진다.The
상기 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극의 재료로 사용되는 금속들은 투명 전극의 ITO와는 달리 빛을 통과시키지는 못한다. Metals used as materials for the gate electrode and the source / drain electrodes do not pass light unlike the ITO of the transparent electrode.
이처럼 유리 기판 상에 형성된 박막트랜지스터의 금속 라인들은 백 라이트에서 입사되는 빛을 차단시켜 액정 패널에 대한 빛의 투과 효율을 감소시키는 문제점이 있다.
도 2는 종래의 박막 트랜지스터의 금속 라인이 형성된 유리 기판에 대하여 백 라이트로부터 빛이 투과되는 모습을 나타낸 도면이다.
종래의 액정 표시 장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 백 라이트로부터 입사되어 유리 기판을 통과한 빛이 유리 기판(10) 상에 박막 트랜지스터의 금속 라인(22)들이 형성되어 있는 부분에서는 통과하지 못하고 금속 라인들 사이에서만 빛이 통과 할 수 있어서 액정 표시 장치의 광 효율이 떨어지게 되는 문제점을 가지고 있다.
한편, 도 3a내지 도 3e의 도면을 참조하여 유리 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 3a 내지 3e는 박막트랜지스터의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 유리 기판(10) 상에 금속 물질을 스퍼터링 하여, 포토 레지스트(photo resist)를 이용한 사진 식각(photolithography) 방법으로 패터닝(patterning) 하여 박막트랜지스터의 게이트 전극(15)을 형성한다.
상기 게이트 전극의 물질로는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 또는 구리(Cu)등이 이용될 수 있다.
그리고, 도 3b에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(15)이 형성된 유리 기판(10)상에 절연 물질을 전면 증착하여 게이트 절연막(17)을 형성한다. 게이트 절연막(17)의 재료로는 SiNx등의 무기 물질이 주로 이용되고 있다. 게이트 절연막(17) 상에는 비정질 실리콘(amorphous-Si)으로 이루어진 반도체층(16a)과 인(P)이 도핑된 n+ 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 접촉층(16b)을 연속 증착한 후, 패터닝하여 박막트랜지스터의 액티브층(16)을 형성한다.
그리고, 도 3c에 도시한 바와 같이, 오믹 접촉층(16b)과 게이트 절연층(17) 상에 금속 물질을 전면 증착한 다음 패터닝한다. 패터닝된 금속 물질층은 박막트랜지스터의 소오스 전극(18) 및 드레인 전극(19)이 된다. 이 후, 소오스 전극(18) 및 드레인 전극(19) 상에 노출된 오믹 접촉층(16b)을 식각 작업에 의해 제거한다.
상기 소오스/드레인 전극의 물질로는 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 또는 구리(Cu)를 이용할 수 있다.
그리고, 도 3d에 도시한 바와 같이, 노출된 반도체층(16a)을 포함하여 소오스 및 드레인 전극(18,19) 등이 형성된 게이트 절연막(17)상에 보호막(passivation layer)(20)을 전면 형성한다. 그 다음 박막트랜지스터의 드레인 전극(19) 상의 보호막 부분에 마스크 패턴을 이용한 식각 작업에 의해 콘택홀을 형성한다.
보호막의 재료로는 SiNx 등의 무기 물질이 주로 이용되고 있으나, 최근에는 본 발명에서와 같이 고개구율 구조를 위하여 유전율이 낮은 BCB(Benzocyclobutene), SOG(Spin on Glass), 아크릴(Acryl)등의 유기 물질이 사용된다.
이어서, 도 3e에 도시한 바와 같이 보호막(20) 상에 ITO 물질을 스퍼터링을 이용하여 전면 증착한 다음, 패터닝하여 화소 전극(21)을 형성한다. 화소 전극(21)은 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(19)에 접속되어 있다.
위와 같은 구조를 가지는 액정 표시 장치의 하부 기판은 상술한 바와 같이 액정 표시 장치의 백 라이트로부터 입사되어 유리 기판을 투과하는 빛은 유리 기판 상에 박막 트랜지스터의 금속 라인들이 형성된 부분에서 완전히 통과하지 하지 못하고 상기 금속 라인들로 인하여 차단되어 광효율이 떨어지게 된다.As described above, the metal lines of the thin film transistor formed on the glass substrate block the light incident from the backlight, thereby reducing the light transmission efficiency of the liquid crystal panel.
2 is a view showing a state in which light is transmitted from a backlight with respect to a glass substrate on which a metal line of a conventional thin film transistor is formed.
In the conventional liquid crystal display, as shown in FIG. 2, light incident from the backlight and passed through the glass substrate does not pass through the portion where the
Meanwhile, a method of manufacturing a thin film transistor formed on a glass substrate will be described in detail with reference to the drawings of FIGS. 3A to 3E.
3A to 3E illustrate a method of manufacturing a thin film transistor.
First, as shown in FIG. 3A, a metal material is sputtered onto the
As the material of the gate electrode, aluminum (Al), aluminum alloy, copper (Cu), or the like may be used.
As shown in FIG. 3B, an insulating material is entirely deposited on the
As shown in FIG. 3C, a metal material is entirely deposited on the
As the material of the source / drain electrode, chromium (Cr), molybdenum (Mo), aluminum (Al), aluminum alloy, or copper (Cu) may be used.
As shown in FIG. 3D, a
Inorganic materials such as SiNx are mainly used as the material of the protective film, but recently, organic materials such as BCB (Benzocyclobutene), SOG (Spin on Glass), and acrylic (Acryl) having a low dielectric constant for high-opening structure as in the present invention Substances are used.
Subsequently, as illustrated in FIG. 3E, the ITO material is deposited on the
As described above, the lower substrate of the liquid crystal display device having the above structure does not completely pass through the glass substrate which is incident from the backlight of the liquid crystal display device and passes through the metal lines of the thin film transistors formed on the glass substrate. The metal lines are blocked due to the low light efficiency.
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따라서, 본 발명은 상기 종래기술에 따른 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 유리 기판상에 형성된 박막트랜지스터를 형성하는 금속 라인들로 인하여 빛의 손실없이 빛을 모두 투과할 수 있도록 하기 위한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 목적은 백 라이트로부터 입사되는 광 투과율을 극대화시킬 수 있는 액정 표시 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems according to the prior art, a liquid crystal display for transmitting all the light without loss of light due to the metal lines forming the thin film transistor formed on the glass substrate It is an object to provide an apparatus and a method of manufacturing the same.
In addition, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can maximize the light transmittance incident from the backlight.
그리고, 본 발명의 다른 목적은 백 라이트로부터 입사되는 광 투과율을 극대화시킬 수 있는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device capable of maximizing light transmittance incident from a backlight.
기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in detail in the configuration and claims of the following invention.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 유리 기판과 유리 기판 상에 박막 트랜지스터 및 각종 배선이 형성되어 있는 하부 기판과 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 상부 기판 사이에 액정이 형성된 액정 표시 장치에 있어서, 박막 트랜지스터가 형성되는 하부 기판의 유리 기판 내부에 광섬유를 형성하고 이후, 광섬유가 형성된 유리 기판 상에 박막 트랜지스터 및 각종 배선을 형성하는 것을 특징으로 한다.The liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object is a liquid crystal in which a liquid crystal is formed between a glass substrate and a lower substrate on which a thin film transistor and various wirings are formed, and an upper substrate on which a color filter and a black matrix are formed. In the display device, the optical fiber is formed inside the glass substrate of the lower substrate on which the thin film transistor is formed, and then the thin film transistor and various wirings are formed on the glass substrate on which the optical fiber is formed.
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상기 광섬유는 유리 기판의 상부로 갈수록 그 선폭이 유리 기판 상에 형성된 금속 배선들의 선폭을 제외한 모든 부분에 형성되어 있다. 즉, 유리 기판 내부에 형성되는 광섬유는 위로 갈수록 선폭이 좁아지는 사다리꼴 형태이다.The optical fiber is formed in all portions except the line widths of the metal wires formed on the glass substrate as the optical fiber is directed toward the upper portion of the glass substrate. That is, the optical fiber formed inside the glass substrate has a trapezoidal shape in which the line width is narrowed upward.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 유리 기판과 유리 기판 상에 박막 트랜지스터 및 각종 배선이 형성되어 있는 하부 기판과 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 상부 기판 사이에 액정이 형성된 액정 표시 장치에 있어서, 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 기판 제조시 박막 트랜지스터의 기판으로 사용되는 유리 기판을 만들 때 광섬유 물질을 함께 첨가시킨 후, 광섬유가 첨가된 유리 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a liquid crystal display in which a liquid crystal is formed between a glass substrate and a lower substrate on which a thin film transistor and various wirings are formed, and an upper substrate on which a color filter and a black matrix are formed. An apparatus comprising: adding a fiber optic material together when making a glass substrate used as a substrate of a thin film transistor in manufacturing a lower substrate including a thin film transistor, and then forming a thin film transistor on the glass substrate to which the optical fiber is added. .
이하, 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 구조 및 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a structure and a manufacturing method of a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치를 구성하는 하부기판을 나타낸 것이다.
도 5a는 본 발명에 따른 유리 기판내부에 형성된 광섬유를 나타낸 상세도이고, 도 5b는 도 5a 결과물 위에 박막트랜지스터의 금속 라인이 형성된 모습은 나타낸 도면이다.
도 4에 도시된 바와같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 유리 기판(10) 내부에 유리 기판 상에 형성된 박막트랜지스터들의 금속 라인(22)들을 사이에 두고 광섬유(31)가 형성되어 있다. 유리 기판(10) 내부에 형성된 광섬유(31)는 하부 기판의 뒤쪽 즉, 백 라이트의 광원으로부터 입사되는 빛(도면상의 화살표)을 모아 투과시키는 역할을 한다. 4 illustrates a lower substrate constituting the liquid crystal display according to the present invention.
5A is a detailed view illustrating an optical fiber formed in a glass substrate according to the present invention, and FIG. 5B is a view illustrating a metal line of a thin film transistor formed on the resultant of FIG. 5A.
As shown in FIG. 4, in the liquid crystal display according to the present invention, the
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또한, 도 5a에 도시한 바와 같이, 유리 기판 제조시 유리 기판상에 이 후 만들어질 박막 트랜지스터의 금속 배선들이 형성될 위치를 제외한 나머지 부분에 광섬유 물질을 첨가하여 유리 기판(10) 내부에 광섬유(31)가 형성되도록 한다.In addition, as shown in FIG. 5A, when the glass substrate is manufactured, an optical fiber material is added to the remaining portion of the
백 라이트에서 입사되는 빛은 광섬유만을 통해서 하부 기판을 투과할 수 있기 때문에 하부 기판의 뒷면에서 입사되는 모든 빛을 투과시키기 위해서 유리 기판의 하부에 형성되는 광섬유의 면적을 최대한 넓게 형성한다. 즉, 기판의 상부로 갈수록 광섬유의 폭이 줄어들어 단면에서 보여지는 광섬유의 모양은 아랫변이 윗변보다 긴 사다리꼴 형태이다. 또한, 유리 기판 대신 플라스틱 기판도 사용할 수 있다.Since the light incident from the back light can pass through the lower substrate only through the optical fiber, the area of the optical fiber formed under the glass substrate is made as wide as possible to transmit all the light incident from the rear surface of the lower substrate. That is, the width of the optical fiber decreases toward the upper portion of the substrate, so that the shape of the optical fiber seen in the cross section is trapezoidal in shape where the lower side is longer than the upper side. In addition, a plastic substrate may be used instead of the glass substrate.
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그리고, 도 5b에 도시한 바와 같이, 광섬유가 형성된 이외의 유리기판상에 박막트랜지스터의 금속 라인들을 형성한다.As shown in FIG. 5B, metal lines of the thin film transistor are formed on the glass substrate other than the optical fiber.
이후, 형성되는 박막트랜지스터의 제조 방법은 기존의 박막트랜지스터 제조방법과 동일하다.Thereafter, the method of manufacturing the formed thin film transistor is the same as the conventional thin film transistor manufacturing method.
유리 기판 상에 박막 트랜지스터의 금속 라인이 형성되는 유리 기판은 유리 기판의 하부로 갈수록 그 폭이 줄어든다.The glass substrate on which the metal line of the thin film transistor is formed on the glass substrate decreases in width toward the bottom of the glass substrate.
도 6은 도 5b에 있어서 점선으로 표시된 부분을 확대하여 광섬유를 통과하는 빛의 경로를 나타낸 것이다.FIG. 6 illustrates a path of light passing through an optical fiber by enlarging a portion indicated by a dotted line in FIG. 5B.
도 6에서와 같이, 상기 광섬유는 빛이 통과하는 동안 빛의 손실 없이 빛을 모아 광 경로 역할을 한다. 즉, 유리 기판상의 박막트랜지스터의 금속 라인들로 인해서 차단되었던 빛을 광섬유를 통해서 투과되도록 하여 상대적으로 빛을 통과시키는 면적의 효율이 증가하게 된다.As shown in FIG. 6, the optical fiber collects light without a loss of light while the light passes, and serves as an optical path. That is, light that is blocked by the metal lines of the thin film transistor on the glass substrate is transmitted through the optical fiber, thereby increasing the efficiency of the area that passes the light relatively.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조방법에 의하면, 박막 트랜지스터를 포함하는 하부 기판의 유리 기판 내부에 광섬유를 형성하여 빛을 모아 줌으로써 유리 기판 상부에 형성되어 있는 박막 트랜지스터의 금속 라인으로 인하여 백 라이트로부터 입사되는 빛이 차단되는 현상을 막아 광 투과율을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof, the metal of the thin film transistor formed on the glass substrate by collecting the light by forming an optical fiber inside the glass substrate of the lower substrate including the thin film transistor. The light transmittance can be improved by preventing the light incident from the backlight from being blocked by the line.
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