KR100794774B1 - Temperature compensating circuit - Google Patents
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 59
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 59
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
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- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
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- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/601—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators using FET's, e.g. GaAs FET's
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
본 발명은 증폭기를 위한 온도 보상 회로에 관한 것이다. 이 회로는 전압 조절기, 컴포넌트 배열, 및 두 개 이상의 저항기 유닛을 가진 저항기 결합부를 포함한다. 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 조절 가능하다. 상기 컴포넌트 배열은 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함한다. 상기 저항기 결합부는 저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성한다. 상기 저항기 결합부는 컴포넌트 배열의 공지된 온도 의존성 및 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 구비한 출력 전압을 온도 보상 회로에 제공하기 위해서 컴포넌트 배열에 결합된다.The present invention relates to a temperature compensation circuit for an amplifier. The circuit includes a resistor regulator having a voltage regulator, component arrangement, and two or more resistor units. At least part of the output voltage of the temperature compensation circuit is adjustable. The component arrangement includes at least one component with a known temperature dependency of voltage. The resistor coupling portion forms a slope coefficient as a ratio of the value of the resistor in the resistor coupling portion. The resistor coupling is coupled to the component array to provide the temperature compensation circuit with an output voltage having a temperature dependency that is a function of the known temperature dependence and slope coefficient of the component array.
저항기, 슬로프 계수, 온도 보상 회로, 전압 조절기, 증폭기 Resistors, Slope Coefficients, Temperature Compensation Circuits, Voltage Regulators, Amplifiers
Description
본 발명은 증폭기의 바이어스 전압의 온도 보상에 관한 것이다.The present invention relates to temperature compensation of the bias voltage of an amplifier.
증폭기의 바이어스 전압의 온도 보상은 증폭기가 전원의 전압 변화에 일반적으로 민감하기 때문에 중요하다. 이는 예를 들어 무선 시스템의 기지국에 사용되는 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 장치와 같은 RF 전력 증폭기에서 특히 중요하다.Temperature compensation of the amplifier's bias voltage is important because the amplifier is generally sensitive to voltage changes in the power supply. This is particularly important in RF power amplifiers, such as, for example, Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) devices used in base stations in wireless systems.
기지국이 실외에 위치할 때, 전원의 출력 전압은 온도에 따라 변하며, 그 변화는 증폭에서 큰 변화를 야기할 가능성이 매우 크다. 종래 기술에서 온도 보상은 예를 들어 센서와 마이크로컨트롤러를 이용하여, 소정의 제어 알고리즘을 가진 마이크로컨트롤러가 센서에 의해 감지된 온도에 근거하여 온도 보상 회로에 의해 제공된 바이어스 전압을 제어하도록 수행되었다. 이러한 종류의 해결법은 매우 복잡하고 비싸며 수십 평방 센티미터의 전체 회로 기판 면적을 필요로 한다.When the base station is located outdoors, the output voltage of the power supply varies with temperature, and the change is very likely to cause a large change in amplification. In the prior art, temperature compensation has been performed, for example using sensors and microcontrollers, in which a microcontroller with a predetermined control algorithm controls the bias voltage provided by the temperature compensation circuit based on the temperature sensed by the sensor. This kind of solution is very complex and expensive and requires a total circuit board area of tens of square centimeters.
특허 공보 US 6,091,279는 2mV/℃ 온도 오프셋 특성을 가진 온도-의존 컴포넌트(temperature dependent component)를 포함하는 보다 단순한 온도 보상 회로를 보여준다. 온도-의존 컴포넌트로 상기 회로는 온도가 변화할 때 - 2mV/℃ 의 일정한 슬로프(slope)를 나타낸다. 그러나 이 해결법은 단점을 가진다. 이 슬로프가 일 정하기 때문에, 상기 해결법은 보상의 필요가 상수가 아닌 경우에는 사용될 수 없다.The patent publication US 6,091,279 shows a simpler temperature compensation circuit comprising a temperature dependent component with a 2 mV / ° C. temperature offset characteristic. With a temperature-dependent component the circuit exhibits a constant slope of −2 mV / ° C. as the temperature changes. However, this solution has its drawbacks. Since this slope is constant, the solution cannot be used if the need for compensation is not constant.
본 발명의 목적은 개선된 온도 보상 회로를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 양태에 따르면, 증폭기를 위한 온도 보상 회로가 제공되는 데, 상기 회로는, 세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고 저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고, 상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 한다.It is an object of the present invention to provide an improved temperature compensation circuit. According to one aspect of the invention, there is provided a temperature compensation circuit for an amplifier, the circuit comprising: a voltage regulator having three or more terminals, wherein the voltage between the first terminal pair is adjustable, and the second terminal Reference voltages between the pairs are thermally stable and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair; A component arrangement comprising at least one component having a known temperature dependency of voltage, wherein the at least one component having a known temperature dependency is coupled between the first terminal pair of the voltage regulator; And the resistor coupling portions of at least two resistor units forming a slope coefficient as a ratio of the value of the resistor in the resistor coupling portion, wherein each of the resistor units comprises at least one resistor, and the resistor coupling portion is known in the art. Coupled to the at least one component having a predetermined temperature dependency and coupled between the first terminal pair of the voltage regulator, the at least one component in the component arrangement and the temperature dependency that is a function of the slope coefficient to the temperature compensation circuit. It is characterized by providing an output voltage having said temperature dependence of.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 증폭기를 위한 온도 보상 회로가 제공되는데, 상기 회로는, 전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고 슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며, 상기 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a temperature compensation circuit for an amplifier, the circuit comprising means for regulating a voltage, wherein the means for regulating the voltage comprises at least three terminals and between the first pair of terminals. Is adjustable, the reference voltage between the second terminal pair is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair; Means for providing a known temperature dependency; And means for forming a slope coefficient, wherein the circuit is configured to provide an output voltage having a temperature dependency which is a function of the known temperature dependence and the slope coefficient.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 증폭기를 위한 온도 보상 회로가 제공되는데, 상기 회로는, 세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터의 전압이며; 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 다이오드를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 다이오드는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에서 순방향으로 바이어스되며; 그리고 저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 다이오드는 직렬 저항기와 직렬로 결합되고, 상기 컴포넌트 배열 및 상기 직렬 저항기의 상기 직렬 결합부는 병렬 저항기와 병렬로 결합되고, 상기 병렬 저항기와 상기 직렬 저항기는 상기 저항기 결합부의 상기 저항기이며, 상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 다이오드에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 다이오드의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the invention, there is provided a temperature compensation circuit for an amplifier, the circuit comprising a voltage regulator having three or more terminals, wherein the voltage between the first terminal pair is adjustable, and the second terminal pair The reference voltage between is thermally stable, and at least a part of the output voltage of the temperature compensation circuit is a voltage from the first terminal pair; A component arrangement comprising at least one diode having a known temperature dependency of voltage, wherein the at least one diode having a known temperature dependency is forward biased between the first terminal pair of the voltage regulator; And said resistor coupling of two or more resistors forming a slope coefficient as a ratio of the value of the resistor in the resistor coupling, wherein said at least one diode having a known temperature dependency is coupled in series with a series resistor and The component arrangement and the series coupling of the series resistor are coupled in parallel with a parallel resistor, the parallel resistor and the series resistor are the resistor of the resistor coupling, and the resistor coupling is the at least one having a known temperature dependency. Coupled to a diode of and between the first pair of terminals of the voltage regulator, having a temperature dependency which is a function of the slope coefficient to the temperature compensation circuit and the known temperature dependency of the at least one diode in the component arrangement. Output voltage And it characterized in that.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 포함하는 증폭기가 제공되는데, 상기 온도 보상 회로는, 세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고 저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고, 상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the invention, there is provided an amplifier comprising a temperature compensation circuit, the temperature compensation circuit comprising a voltage regulator having three or more terminals, wherein the voltage between the first terminal pair is adjustable, and A reference voltage between the two terminal pairs is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair; A component arrangement comprising at least one component having a known temperature dependency of voltage, wherein the at least one component having a known temperature dependency is coupled between the first terminal pair of the voltage regulator; And the resistor coupling portions of at least two resistor units forming a slope coefficient as a ratio of the value of the resistor in the resistor coupling portion, wherein each of the resistor units comprises at least one resistor, and the resistor coupling portion is known in the art. Coupled to the at least one component having a predetermined temperature dependency and coupled between the first terminal pair of the voltage regulator, the at least one component in the component arrangement and the temperature dependency that is a function of the slope coefficient to the temperature compensation circuit. It is characterized by providing an output voltage having said temperature dependence of.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 전송기가 제공되는데, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는, 세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고 저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고, 상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the invention, there is provided a transmitter comprising an amplifier with a temperature compensation circuit, wherein the temperature compensation circuit of the transmitter comprises a voltage regulator having three or more terminals, wherein a first voltage pair is provided between the first terminal pair. The voltage is adjustable, the reference voltage between the second terminal pair is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair; A component arrangement comprising at least one component having a known temperature dependency of voltage, wherein the at least one component having a known temperature dependency is coupled between the first terminal pair of the voltage regulator; And the resistor coupling portions of at least two resistor units forming a slope coefficient as a ratio of the value of the resistor in the resistor coupling portion, wherein each of the resistor units comprises at least one resistor, and the resistor coupling portion is known in the art. Coupled to the at least one component having a predetermined temperature dependency and coupled between the first terminal pair of the voltage regulator, the at least one component in the component arrangement and the temperature dependency that is a function of the slope coefficient to the temperature compensation circuit. It is characterized by providing an output voltage having said temperature dependence of.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 기지국이 제공되는데, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는, 세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고 저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고, 상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the invention, there is provided a base station comprising an amplifier with a temperature compensation circuit, wherein the temperature compensation circuit of the transmitter comprises a voltage regulator having three or more terminals, wherein a first voltage pair is provided between the first terminal pair. The voltage is adjustable, the reference voltage between the second terminal pair is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair; A component arrangement comprising at least one component having a known temperature dependency of voltage, wherein the at least one component having a known temperature dependency is coupled between the first terminal pair of the voltage regulator; And the resistor coupling portions of at least two resistor units forming a slope coefficient as a ratio of the value of the resistor in the resistor coupling portion, wherein each of the resistor units comprises at least one resistor, and the resistor coupling portion is known in the art. Coupled to the at least one component having a predetermined temperature dependency and coupled between the first terminal pair of the voltage regulator, the at least one component in the component arrangement and the temperature dependency that is a function of the slope coefficient to the temperature compensation circuit. It is characterized by providing an output voltage having said temperature dependence of.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 구비한 증폭기를 포함하는 사용자 단말기가 제공되는데, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는, 세 개 이상의 단자를 구비한 전압 조절기와, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정되고, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부가 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트 배열과, 여기서 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트는 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되며; 그리고 저항기 결합부 내의 저항기의 값의 비율로서 슬로프 계수를 형성하는 두 개 이상의 저항기 유닛의 상기 저항기 결합부를 포함하여 구성되며, 여기서 상기 저항기 유닛 각각은 적어도 하나의 저항기를 포함하고, 상기 저항기 결합부는 공지된 온도 의존성을 가진 상기 적어도 하나의 컴포넌트에 결합되어 그리고 상기 전압 조절기의 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합되어, 상기 온도 보상 회로에 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성 및 상기 컴포넌트 배열 내의 상기 적어도 하나의 컴포넌트의 상기 공지된 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the invention, there is provided a user terminal comprising an amplifier with a temperature compensation circuit, wherein the temperature compensation circuit of the transmitter comprises a voltage regulator having three or more terminals, wherein between the first terminal pair Is adjustable, the reference voltage between the second terminal pair is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair; A component arrangement comprising at least one component having a known temperature dependency of voltage, wherein the at least one component having a known temperature dependency is coupled between the first terminal pair of the voltage regulator; And the resistor coupling portions of at least two resistor units forming a slope coefficient as a ratio of the value of the resistor in the resistor coupling portion, wherein each of the resistor units comprises at least one resistor, and the resistor coupling portion is known in the art. Coupled to the at least one component having a predetermined temperature dependency and coupled between the first terminal pair of the voltage regulator, the at least one component in the component arrangement and the temperature dependency that is a function of the slope coefficient to the temperature compensation circuit. It is characterized by providing an output voltage having said temperature dependence of.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 포함하는 증폭기가 제공되는데, 상기 온도 보상 회로는, 세 개 이상의 단자를 구비하는 전압을 조절하는 수단과, 여기서 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고 슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며, 상기 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the invention, there is provided an amplifier comprising a temperature compensation circuit, the temperature compensation circuit comprising means for regulating a voltage having three or more terminals, wherein the voltage between the first terminal pair is adjustable. The reference voltage between the second terminal pair is thermally stable and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair; Means for providing a known temperature dependency; And means for forming a slope coefficient, wherein the circuit is configured to provide an output voltage having a temperature dependency which is a function of the known temperature dependence and the slope coefficient.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 구비하는 증폭기를 포함하는 전송기가 제공되는데, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는, 전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고 슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며, 상기 온도 보상 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the invention, there is provided a transmitter comprising an amplifier having a temperature compensation circuit, wherein the temperature compensation circuit of the transmitter comprises: means for regulating a voltage, wherein the means for regulating the voltage is three or more; A terminal, the voltage between the first terminal pair is adjustable, the reference voltage between the second terminal pair is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair ; Means for providing a known temperature dependency; And means for forming a slope coefficient, wherein the temperature compensation circuit is configured to provide an output voltage having the temperature dependence which is a function of the known temperature dependence and the slope coefficient.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 구비하는 증폭기를 포함하는 기지국이 제공되는데, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는, 전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고 슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며, 상기 온도 보상 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a base station comprising an amplifier having a temperature compensation circuit, wherein the temperature compensation circuit of the transmitter comprises means for regulating a voltage, wherein the means for regulating the voltage is three or more; A terminal, the voltage between the first terminal pair is adjustable, the reference voltage between the second terminal pair is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair ; Means for providing a known temperature dependency; And means for forming a slope coefficient, wherein the temperature compensation circuit is configured to provide an output voltage having the temperature dependence which is a function of the known temperature dependence and the slope coefficient.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 온도 보상 회로를 구비하는 증폭기를 포함하는 사용자 단말기가 제공되는데, 상기 전송기의 상기 온도 보상 회로는, 전압을 조절하는 수단과, 여기서 상기 전압을 조절하는 수단은 세 개 이상의 단자를 구비하고, 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하고, 제2 단자 쌍 사이의 기준 전압은 열적으로 안정하며, 상기 온도 보상 회로의 출력 전압의 적어도 일부는 상기 제1 단자 쌍으로부터 제공되며; 공지된 온도 의존성을 제공하는 수단과; 그리고 슬로프 계수를 형성하는 수단을 포함하여 구성되며, 상기 온도 보상 회로는 상기 공지된 온도 의존성 및 상기 슬로프 계수의 기능인 온도 의존성을 가지는 출력 전압을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a user terminal comprising an amplifier having a temperature compensation circuit, wherein the temperature compensation circuit of the transmitter comprises: means for regulating a voltage, wherein the means for regulating the voltage is three; Having the above terminals, the voltage between the first terminal pair is adjustable, the reference voltage between the second terminal pair is thermally stable, and at least a portion of the output voltage of the temperature compensation circuit is provided from the first terminal pair. Become; Means for providing a known temperature dependency; And means for forming a slope coefficient, wherein the temperature compensation circuit is configured to provide an output voltage having the temperature dependence which is a function of the known temperature dependence and the slope coefficient.
본 발명의 바람직한 실시예들이 독립항에 기재되었다.Preferred embodiments of the invention are described in the independent claims.
본 발명의 방법 및 시스템은 몇몇 장점을 제공한다. 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 온도 슬로프는 저항기의 비율로서 결정될 수 있으며 크기에 있어서 임의로 선택할 수 있다. 상기 슬로프는 증폭 컴포넌트를 위해 미리 결정될 수 있으며 적절한 저항기 선택에 의해 생산시 조절될 수 있다. 더욱이, 상기 슬로프는 공칭 전압 세팅에 무관하며 따라서 생산 정렬을 돕는다.The method and system of the present invention provide several advantages. In a preferred embodiment of the invention, the temperature slope can be determined as the ratio of resistors and can be chosen arbitrarily in size. The slope can be predetermined for the amplification component and can be adjusted in production by selecting the appropriate resistor. Moreover, the slope is independent of the nominal voltage setting and thus helps to align production.
다음에서, 본 발명은 바람직한 실시예와 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이며, 도면에서:In the following, the invention will be described in more detail with reference to the preferred embodiments and the attached drawings, in which:
도 1A는 무선 시스템을 도시하고,1A illustrates a wireless system,
도 1B는 전송기를 도시하고,1B shows a transmitter,
도 2A는 온도 보상 회로의 일실시예를 도시하고,2A shows one embodiment of a temperature compensation circuit,
도 2B는 증폭기를 도시하고,2B shows an amplifier,
도 3은 온도 보상 회로의 일실시예를 도시하고,3 illustrates one embodiment of a temperature compensation circuit,
도 4는 온도 보상 회로의 일실시예를 도시하고,4 shows one embodiment of a temperature compensation circuit,
도 5는 온도 보상 회로의 일실시예를 도시하고,5 shows one embodiment of a temperature compensation circuit,
도 6은 온도 보상 회로의 일실시예를 도시하고,6 illustrates one embodiment of a temperature compensation circuit,
도 7은 온도 보상 회로의 일실시예를 도시하고,7 illustrates one embodiment of a temperature compensation circuit,
도 8은 상기 회로의 성능을 도시한다.8 shows the performance of the circuit.
본 발명은 기지국의 전송기의 전력 증폭기 또는 무선 주파수로 작동하는 사용자 단말기 내의 트랜지스터의 장치 특성의 변화를 보상하는데 특히 적합하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The present invention is particularly suitable for, but not limited to, compensating for changes in device characteristics of transistors in power amplifiers of base station transmitters or user terminals operating at radio frequencies.
먼저 상기 무선 시스템은 도 1에 의해 설명된다. 전형적인 디지털 무선 시스템은 가입자 장비(10 내지 14), 적어도 하나의 기지국(16), 및 무선 네트워크 컨트롤러라고도 불릴 수 있는 기지국 컨트롤러(18)를 포함한다. 상기 가입자 장비(10 내지 14)는 신호(20 내지 24)를 이용하여 상기 기지국(16)과 통신한다. 상기 기지국(16)은 디지털 전송 링크(26)에 의해서 상기 기지국 컨트롤러(18)에 연결될 수 있다. 상기 가입자 장비(10 내지 14)는 고정되어 설치된 단말기일 수 있으며, 차량 또는 휴대용 이동 단말기 내에 설치된 사용자 장비일 수 있다. 상기 가입자 장비(10 내지 14)와 상기 기지국(16) 사이의 신호(20 내지 24)는 예를 들어 음성, 데이터 정보, 또는 가입자 또는 무선 시스템 내의 다른 구성요소에 의해 생성된 제어 정보일 수 있는 디지털화된 정보를 운반한다.The wireless system is first described by FIG. A typical digital wireless system includes subscriber equipment 10-14, at least one
도 1B는 전송기를 도시한다. 상기 전송기는 입력 신호(또는 다수의 입력 신호들)를 코팅하는 엔코더(50), 상기 신호를 변조하여 전파할 수 있는 변조기(52), 상기 신호를 원하는 무선 주파수를 가진 반송파와 혼합하기 위한 혼합기(54), 상기 신호를 원하는 정도로 증폭하기 위한 파워 증폭기(56), RF 신호를 전자기적 방사(radiation)로서 전송하는 안테나(58), 및 상기 블록(50 내지 56)을 제어하는 제어기(60)를 포함할 수 있다. 특히, 상기 제어기(60)는 온도 보상 회로의 슬로프를 제어하는데 사용될 수 있다.1B shows a transmitter. The transmitter includes an
도 2A를 참조하면, 온도 보상 회로의 한 예를 고려한다. 배터리 또는 임의의 다른 DC(Direct Current) 전원(100)은 상기 회로에 일정한 전압을 제공할 수 있 다. 전원 저항기 유닛 Rs(102)는 상기 전원(100)의 내부 저항기일 수 있으나, 또한 내부 저항기와 외부 저항기의 복합체를 나타낼 수도 있다. 프로그램 가능한 정밀 션트 조절기(shunt regulator) TL431 등과 같은 전압 조절기(104)는 상기 전원 저항기(102)와 상기 전원(100)의 음극 단자 사이에 결합될 수 있다.2A, one example of a temperature compensation circuit is considered. The battery or any other direct current (DC)
상기 전압 조절기(104)는 세 개의 단자(106 내지 110)를 구비할 수 있다. 음극(106)과 기준 단자(110)로 언급되는 제1 단자 쌍 사이의 전압은 조절 가능하며 상기 단자 사이의 컴포넌트의 값에 의존한다. 두 개 이상의 저항기 유닛의 저항기 결합부(130)는 상기 제1 단자 쌍 사이에 결합된다. 본 명세서에서 언급되는 상기 저항기 유닛과 다른 저항기 유닛은 적어도 하나의 저항기를 포함한다. 상기 저항기 결합부(130)는 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트의 컴포넌트 배열(114)에 연결되고, 공지된 온도 의존성을 가진 상기 컴포넌트는 반도체나 온도-의존 저항기일 수 있다. 이러한 예에서, 직렬 저항기 유닛 Rd(112)와 반도체 컴포넌트(컴포넌트 배열(114)과 연관됨)의 직렬 결합부가 있으며, 이것은 상기 음극(106)과 기준 단자(110) 사이의 병렬 저항기 유닛 Rp(116)에 병렬로 결합 되어있다. 상기 직렬 결합부의 컴포넌트 순서는 자유롭다. 상기 반도체 컴포넌트는 순방향 바이어스 다이오드 또는 그 베이스와 컬렉터가 함께 결합된 바이폴라 접합 트랜지스터(NPN)일 수 있다. 예를 들어, 순방향 바이어스 다이오드를 지나는 전압(Vd)은 온도에 의존하며 이는 대략 다음과 같다:The
여기서 Vd0는 공칭 온도(T0)에서 다이오드를 지나는 전압이고, dV/dT는 온도가 변할 때 전압의 변화를 정의하는 계수이다. 일반적으로, 온도-의존 컴포넌트 또는 온도-의존 컴포넌트들의 결합물의 특정 단자 쌍을 지나는 전압은 유사한 방식으로 근사화될 수 있다.Where V d0 is the voltage across the diode at nominal temperature (T 0 ) and dV / dT is the coefficient defining the change in voltage as the temperature changes. In general, the voltage across a particular terminal pair of temperature-dependent components or combinations of temperature-dependent components can be approximated in a similar manner.
열적으로 안정된 기준 전압은 상기 전압 조절기의 양극(108) 및 기준 단자(110)로 언급되는 제2 단자 쌍 사이의 기준 저항기 Rr(118)를 통해 형성된다. 상기 기준 전압이 일정하면, 상기 기준 저항기(118)의 값은 상기 기준 저항기(118)를 통해 흐르는 전류를 규정한다(define).A thermally stable reference voltage is formed through
상기 온도-의존 컴포넌트(104)의 음극(106)과 동일한 전위에 있는 상기 온도 보상 회로의 양극 단자(120)는 증폭기(124)에 양의 출력 전압을 제공할 수 있다. 이는 FET(Field Effect Transistor)의 게이트 전압(Vgate)이 될 수 있다. 드레인 전압(Vdd)은 도 2A에 도시된 것처럼 상기 전원(100)으로부터 직접 취해질 수 있다. 음의 출력 전압은 온도-의존 컴포넌트의 양극(108)과 동일한 전위에 있는 음극 단자(122)로부터 상기 증폭기(124)에 결합될 수 있다.The
상기 양극 출력 단자(120)와 음극 출력 단자(122) 사이의 출력 전압(Vout(1))은 다음과 같이 표현될 수 있다.The output voltage V out (1) between the
이로부터 알 수 있듯이, 단지 첫 번째 항 만이 온도 의존성을 가지며, 두 번째 항은 온도에 대해 일정하다. 상기 양극 출력 단자(120) 및 기준 단자(110) 사이의 대안적인 출력 전압(Vout(2))은 다음과 같이 표현될 수 있다.As you can see, only the first term Only has temperature dependence, the second term is constant with respect to temperature. An alternative output voltage V out (2) between the
이는 상기 출력 전압(Vout (1))이 기준 전압과 조절 가능한 전압의 결합이기 때문이다. 이 대안적인 출력 전압(Vout (2))은 자연적으로 수학식 2에서와 동일한 온도 의존 항 을 가진다. 상기 저항기 결합부(130) 내의 저항기 유닛 Rd(112) 및 Rp(116)은 상기 저항기 결합부 내의 저항기 값의 비율인 슬로프 계수 을 형성한다. 상기 슬로프는 상기 저항기의 값을 변경함으로써 변할 수 있다. 상기 저항기 유닛 중 하나는 또한 일정한 값을 가질 수도 있다. 따라서, 단지 하나의 저항기 유닛의 값만이 변화될 필요가 있다. 이는 적절한 저항기 를 선택함으로써 또는 상기 저항기를 조절함으로써 발생할 수 있다.This is because the output voltage V out (1) is a combination of the reference voltage and the adjustable voltage. This alternative output voltage V out (2 ) is naturally the same temperature dependent term as in Has Resistor units R d 112 and
한 예로서, 몇몇 전형적인 값을 고려한다: Vd0 = 0.3V, T0 = 25℃, dV/dT = -0.0022V/℃ = -2.2mV/℃, Vref = 2.5V. - 0.5mV/℃의 슬로프를 원한다고 가정한다. 상기 저항기 유닛(Rp)이 Rp = 10kΩ이라면, 상기 저항기 유닛(Rd)은 Rd = 34kΩ가 된다. 따라서, 상기 슬로프 계수(s)는 이 된다.As an example, consider some typical values: V d0 = 0.3V, T 0 = 25 ° C, dV / dT = -0.0022V / ° C = -2.2mV / ° C, V ref = 2.5V. Suppose you want a slope of 0.5 mV / ° C. If the resistor unit R p is R p = 10 kΩ, the resistor unit R d is R d = 34 kΩ. Therefore, the slope coefficient s is Becomes
명확하게, 상기 출력 전압의 슬로프 는 상기 출력 전압(Vout(1))(또는 Vout(2))에 의존하지 않는다. 반면에, 상기 출력 전압(Vout (1))(또는 Vout(2))은 상기 기준 저항기 유닛 Rr(118)의 값에 의존한다. 따라서, 수학식 2에 따라서 상기 출력 전압(Vout (1))은 다음과 같이 표현될 수 있다: . 상기 출력 전압이 3.8V가 될 필요가 있다고 가정하면, 상기 기준 저항기 유닛 Rr(118)의 값은 = 15682Ω이 된다.Clearly, the slope of the output voltage Does not depend on the output voltage V out (1 ) (or V out (2) ). On the other hand, the output voltage V out (1) (or V out (2) ) depends on the value of the reference
수학식 2로부터 명확하듯이, 획득 가능한 최대 슬로프는 상기 사용된 온도-의존 컴포넌트(114)의 최대 슬로프다. 실리콘 다이오드에 대해서 상기 슬로프는 전형적으로 대략 - 2mV/℃이다. 더 높은 슬로프는 다수의 온도-의존 컴포넌트를 직렬로 사용하여 얻을 수 있다. 이는 상기 슬로프 을 상기 컴포넌트의 슬로프의 합으로서 증가시킨다.As is clear from Equation 2, the maximum slope obtainable is the maximum slope of the temperature-
여기서 N은 상기 온도-의존 컴포넌트의 개수이다. 유사한 방식으로 상기 출력 전압은 상기 온도-의존 컴포넌트의 임계 전압의 개수에 의존한다. 따라서, 상기 수학식의 두 번째 항은 이 된다. 상기 온도-의존 컴포넌트가 유사하다면, 상기 결합된 슬로프는 상기 온도-의존 컴포넌트의 개수의 선형 함수이며 단순히 로 표현될 수 있다. 유사한 방식으로, 상기 수학식의 두 번째 항은 로 표현될 수 있다.Where N is the number of said temperature-dependent components. In a similar manner the output voltage depends on the number of threshold voltages of the temperature-dependent component. Therefore, the second term of the equation Becomes If the temperature-dependent components are similar, the combined slope is a linear function of the number of the temperature-dependent components and simply It can be expressed as. In a similar manner, the second term of the equation It can be expressed as.
도 2B는 증폭기(150)의 회로(170)를 도시한다. 입력 신호는 커패시터(152) 및 입력-정합 네트워크(154)를 통해서 FET(Field Effect Transistor)일 수 있는 증폭 컴포넌트(150)로 공급될 수 있다. 상기 입력 정합 네트워크(154)는 상기 신호 원과 상기 증폭 컴포넌트 사이의 임피던스를 정합한다. 상기 FET의 게이트는 적절한 임피던스를 증명하는(proving) 전송라인(156) 또는 코일, 저항기를 통해 온도 보상 회로에 의해 형성된 게이트 전압(Vgate)에 결합될 수 있다. 소스는 접지될 수 있고 드레인은 코일 또는 적절한 임피던스를 가진 전송 라인(158)을 통해서 동작 전압(Vdd)에 결합될 수 있다. 상기 증폭기의 출력, 즉 드레인은 커패시터(162)를 통해서 상기 출력 신호를 제공하는 출력 정합 네트워크(160)에 결합될 수 있다. 상기 출력-정합 네트워크(160)는 외부 증폭기 부하 임피던스를 상기 증폭 컴포넌트에 적합한 수준으로 변환시킨다.2B shows circuit 170 of
도 3을 참조하면, 온도 보상 회로의 다른 예를 고려한다. 이 회로는 LM4041-ADJ 등과 같은 다른 종류의 전압 조절기가 사용된다는 점을 제외하면 기본적으로 도 2A와 유사하다. 다른 차이점은 조절 가능한 저항기 유닛 Repot(212)을 이용한다는 점이다. 상기 저항기 유닛(212)은 기계적으로 또는 전자적으로 조절 가능하다. 이 경우, 기준 전압(Vref)은 음극(206)(상기 회로의 양극 단자(120))와 기준 단자(210) 사이에 형성되고, 상기 조절 가능한 전압은 상기 기준 단자(210)와 양극(208)(상기 회로의 음극 단자(122)) 사이에 형성된다. 이 경우 상기 출력 전압은 다음과 같이 표현될 수 있다.Referring to FIG. 3, another example of a temperature compensation circuit is considered. This circuit is basically similar to FIG. 2A, except that other types of voltage regulators, such as LM4041-ADJ, are used. Another difference is the use of an adjustable
여기서 첫 번째 항 은 온도 의존적이며, 다른 두 개의 항은 온도에 대해 의존적이지 않다. 상기 슬로프 계수(s)는 가 된다. 수학식 3과 마찬가지로, 상기 기준 단자(210) 및 음극 출력 단자(122) 사이의 출력 전압(Vout(2))은 Vout(2) = Vout(1) - Vref로 표현될 수 있으며, 여기서 상기 기준 전압(Vref)은 슬로프에 아무 영향을 미치지 않는다. 상기 슬로프는 저항기 유닛(Rp 및 Rd)의 선택에 의해 제어될 수 있다. 상기 슬로프와 무관하게, 상기 출력 전압의 범위는 조절 가능한 전위차계(potentiometer)를 포함할 수 있는 조절 가능한 저항기 유닛 Repot(212)에 의해 조절될 수 있다. 상기 전위차계는 전기적으로 제어되는 전위차계일 수 있다.Where the first term Is temperature dependent, and the other two terms are not temperature dependent. The slope coefficient s is Becomes As in
다음과 같이 가정한다: Vout_max = 4.0V, Vout_min = 2.5V, 공칭 슬로프 dV/dT0 = - 1.888mV/℃, 공칭 온도 T0 = 25℃, 및 온도-의존 컴포넌트의 개수 N = 2. 이는 다음의 계산된 값이 된다: Rd = 15690Ω, Rp = 11790Ω 및 Rr = 8220Ω. 이 결과에 따르면, 다음이 선택될 수 있다: Repot = 0 내지 10kΩ, Rr = 8220Ω, Rp = 12kΩ, 그리고 Rd = 15.1kΩ. 선택된 값은 다음 성능을 보여준다: Vout _ max = 4.006V, Vout_min = 2.503V, 슬로프 dV/dT = - 1.948mV/℃.Assume: V out_max = 4.0V, V out_min = 2.5V, nominal slope dV / dT 0 =-1.888 mV / ° C, nominal temperature T 0 = 25 ° C, and number of temperature-dependent components N = 2. This is the calculated value: R d = 15690 Ω, R p = 11790 Ω and R r = 8220 Ω. According to this result, the following may be selected: R epot = 0 to 10 kΩ, R r = 8220 Ω, R p = 12 kΩ, and R d = 15.1 kΩ. These values show the following performance: V out _ max = 4.006V, V out_min = 2.503V, slope dV / dT = - 1.948mV / ℃ .
도 4에 도시된 온도 보상 회로의 또 다른 예를 고려한다. 본 예에서, 전압 조절기(204)는 LM4041-ADJ 등일 수 있다. 상기 회로는 온도-의존 컴포넌트와 저항기 결합부(130)가 도 3의 것과 다르다는 점을 제외하고는 도 3과 기본적으로 유사하다. 전압의 공지된 온도 의존성을 가진 적어도 하나의 컴포넌트의 컴포넌트 배열(350)은 NPN 바이폴라 접합 트랜지스터 Q1(304)과 Q2(306)를 포함할 수 있다. 상기 저항기 결합부(130)는 상기 트랜지스터 Q1(304)에 결합된 저항기 유닛 R1(300), R2(302)를 포함할 수 있다. 기준 전압(Vref)은 상기 전압 조절기(204)의 음극과 상기 기준 단자(210) 사이의 기준 저항기 유닛(118)을 통해 형성된다.Consider another example of the temperature compensation circuit shown in FIG. In this example, the
본 예에서 제한 저항기 유닛(308), 조절 가능한 저항기 유닛(310), 트랜지스터 Q1(304) 및 저항기 결합부(130)의 값에 의존하는 조절 가능한 전압은 상기 기준 단자(210)와 상기 전압 조절기(204)의 양극(208) 사이에 형성된다.In this example, the adjustable voltage depending on the value of the limiting
상기 트랜지스터(Q1 및 Q2)에 대한 트랜지스터 베이스 전압(Vbe)의 간단한 온도 의존성을 가정한다.Assume a simple temperature dependence of the transistor base voltage V be on the transistors Q1 and Q2.
여기서 는 공칭 온도(T0)에서의 베이스와 에미터 사이의 전압을 의미하고, 는 온도가 변할 때 전압의 변화를 정의하는 계수이다. 상기 트랜지스터(Q1)의 베이스에서의 노드 전압(Vb)은 다음과 같이 표현될 수 있다.here Means the voltage between the base and emitter at nominal temperature (T 0 ), Is a coefficient that defines the change in voltage as the temperature changes. The node voltage V b at the base of the transistor Q1 may be expressed as follows.
여기서 Ic는 콜렉터 전류이고 β는 전류 이득이다. 상기 콜렉터 전류는 다음과 같이 결정될 수 있다.Where I c is the collector current and β is the current gain. The collector current may be determined as follows.
전류 이득(β)이 일반적인 경우처럼 크다고 가정하고(예를 들어, β = 50 ... 100), 수학식 7의 Ic를 수학식 8로 치환하고 콜렉터 전압(Vc)에 대해 풀면 다음과 같이 된다.Assuming that the current gain β is as large as usual (e.g. β = 50 ... 100), substituting I c in equation (7) for equation (8) and solving for the collector voltage (V c ) Become together.
상기 기준 저항기 유닛(118)이 기준 단자(210)와 음극 출력 단자(122) 사이에 흐르는 전류를 결정하기 때문에, 상기 출력 전압(Vout(1))은 다음과 같이 표현될 수 있다.Since the
첫 번째 항에서 출력 전압(Vout(1))의 온도 슬로프(dV/dT)는 이다. 트랜지스터 Q2(306)가 원칙적으로 필요하지 않더라도, 상기 출력 전압은 입력 신호에 의해서 그것이 없다면 "밀리고 당겨지며", 이는 직선성 결함을 야기할 수 있다. 상기 트랜지스터 Q2(306)의 출력 전압(Vg)은 다음과 같이 표현될 수 있다.In the first term, the temperature slope (dV / dT) of the output voltage (V out (1) ) to be. Although
앞선 예와 유사하게, 첫 번째 항 은 온도 의존성을 가지며, 다른 항은 온도에 대해 일정하다. 상기 저항기 결합부(130)는 슬로프 계수 을 결정한다. 상기 제한 저항기 유닛 R3(308)의 기능은 상기 조절 저항기 유닛 Repot(310)에 의해 수행되는 조절 범위를 제한하는 것이다. 상기 저항기 유닛(310)은 기계적으로 또는 전자적으로 조절 가능하다. 이러한 방식으로 상기 조절 저항기 유닛 Repot(310)은 출력 전압 수준을 미세하게 조절(fine-tunning)하는데 사용될 수 있다.Similar to the previous example, the first term Has a temperature dependency and the other term is constant with respect to temperature. The
한 예로서, 다음 컴포넌트 값을 가정한다: Vref = 1.1V, Vbe = 0.65V, dV/dT = - 2mV/℃. 이제 상기 온도 보상 회로의 다음 설계 목표치를 가정한다: Vg_min = 2.5V, Vg _ max = 4.0V, dV/dT = - 1.8mV/℃, Repot = 0 내지 10kΩ. 상기 저항기 유닛 R1(300)에 대해서, 1kΩ의 편리한 값이 선택될 수 있다. 이는 계산된 값 R3 = 5433 Ω, Rref = 7333Ω, R2 = 900Ω이 된다. 상기 계산된 값 대신에, 표준 컴포넌트는 온도 슬로프(dV/dT)가 dV/dT = - 1.82mV/℃가 되는 R3 = 4700Ω, Rref = 6800Ω 및 R2 = 910Ω로 선택될 수 있다.As an example, assume the following component values: V ref = 1.1 V, V be = 0.65 V, dV / dT =-2 mV / ° C. Now assume the following design targets of the temperature compensating circuit: V g_min = 2.5V, V g _ max = 4.0V, dV / dT = - 1.8mV / ℃, R epot = 0 to 10kΩ. For the
도 5는 도 4의 것과 다른 회로 버전을 도시한다. 도 5에서 조절 저항기 유닛 Repot(310)가 도 4에서 저항기(302) 및 저항기(308) 사이에 결합하는 대신에 저항기(300) 및 그라운드 사이에 결합되더라도, 도 4 및 도 5의 회로의 유효 동작은 동일하다.FIG. 5 shows a circuit version different from that of FIG. 4. Although the regulating
도 6은 도 4 및 도 5의 것과 유사한 회로를 도시한다. 기계적으로 조절 가능한 전위차계에 비하여 전자적으로 조절 가능한 전위차계의 단대단(end-to-end) 저항 온도 안정성이 더 나쁠 가능성이 있기 때문에, 수정된 설계가 보다 적합하다. 전자적으로 조절 가능한 전위차계(310)가 고정 전압 기준(514)을 스케일(scale)하는데 사용되는 다음 회로를 고려한다. 전압 기준 때문에, 단대단 저항의 변화는 아무런 영향을 가지지 않을 것이다. 전자적으로 조절 가능한 전위차계의 저항기 체인 내의 디퍼렌셜 변화(differential variation)만이 전압에 영향을 줄 것이다. 전자적으로 조절 가능한 전위차계에 의해 생성된 전압은 전압 추적기로 사용되는 PNP 트랜지스터 Q1(500)의 베이스에 인가된다. 트랜지스터 Q2(502)는 트랜지스터 Q3(504)의 b-e 접합과 동일한 다이오드처럼 동작하도록 연결된다. 저항기 유닛 Rcs(506) 및 Rcp(508)의 적절한 결합은 온도 슬로프를 0에서부터 단일 b-e 접합의 온 도 슬로프로 설정하게 한다. 트랜지스터(Q1 및 Q3)의 온도 슬로프는 적어도 대략적으로 서로를 상쇄해야 한다는 점을 유의해야 한다. 결국, 일정한 전류 소스(510)가 트랜지스터의 전류 이득 및 상기 슬로프를 유지하기 위해서 사용된다. LM4041-ADJ와 같은 전압 조절기가 사용될 수 있으며 이는 상기 공정(process)에서 오프셋 전압(512)을 생성한다.6 shows a circuit similar to that of FIGS. 4 and 5. The modified design is more suitable because the end-to-end resistance temperature stability of the electronically adjustable potentiometer may be worse than that of the mechanically adjustable potentiometer. Consider the following circuit where an electronically
트랜지스터 베이스-에미터 포화 전압에 대한 간단한 온도 의존성을 가정한다.Assume a simple temperature dependence on the transistor base-emitter saturation voltage.
트랜지스터(Q1)의 에미터 전압을 구하기 위해 테브난 등가 전압 소스로 시작한다. "탭" 세팅을 정의하는 k_pot를 갖는 두 개의 저항기로서 전자적으로 조절 가능한 전위차계를 모델링한다. 저항의 온도 계수(TCR)는 온도에 대한 단대단 저항의 변화를 설명하기 위한 공통(common) TCR과 두 개의 저항기가 서로에 대해 얼마나 잘 추적(tracking)하는지를 설명하기 위한 차등(differential) TCR로 나뉘어진다. 저항기 Rlo(516)과 Rhi(518)는 다음과 같이 표현될 수 있다.Start with the Thevenin equivalent voltage source to find the emitter voltage of transistor Q1. Model an electronically adjustable potentiometer as two resistors with k_pot defining the "tap" setting. The temperature coefficient of resistance (TCR) is divided into a common TCR to account for the change in end-to-end resistance to temperature and a differential TCR to describe how well the two resistors track each other. Lose. The resistors R lo 516 and
여기서 TCRc는 공통 TCR을 가리키며, TCRd는 차등 TCR을 가리키며, kpot는 전자적 전위차계와 유사한 기계적 전위차계 내의 와이퍼(wiper) 위치를 나타내는 0에서부터 1까지의 실수이다. 베이스 전류는 콜렉터 에미터 전류로부터 유추될 수 있다. 후자는 고정 전압 오프셋을 생성하는데 사용되는 전류 소스(Ibias)에 의해 조정된다. 편의를 위해서, 다음과 같은, 기준 전압 및 전자적으로 조절 가능한 전위차계의 저항의 테브난 등가물을 이용한다.Where TCR c denotes a common TCR, TCR d denotes a differential TCR, and k pot is a real number from 0 to 1 representing the wiper position in a mechanical potentiometer similar to an electronic potentiometer. The base current can be inferred from the collector emitter current. The latter is regulated by the current source (I bias ) used to generate a fixed voltage offset. For convenience, the Thevenin equivalents of the reference voltage and the resistance of the electronically adjustable potentiometer are used as follows.
트랜지스터(Q1)의 베이스 전압은 이제 다음과 같이 표현될 수 있다.The base voltage of transistor Q1 can now be expressed as follows.
전류 이득(β)이 일반적으로 크기 때문에, 수학식 17에서 두 번째 항은 생략될 수 있으며 결국 대략 Vb1과 Vthev는 동일하다.Since the current gain β is generally large, the second term in Equation 17 can be omitted, so that approximately V b1 and V thev are equal.
이는 트랜지스터(Q1)의 에미터 전압(Vc1)을 이끌어낸다.This leads to emitter voltage V c1 of transistor Q1.
트랜지스터(Q2)의 베이스 전압은 다음과 같이 표현될 수 있다.The base voltage of the transistor Q2 can be expressed as follows.
Rcs/Rcp의 접합에서의 노드 방정식은 노드에서 전압(Vprime)에 의해 작성될 수 있다.The node equation at the junction of R cs / R cp can be written by the voltage V prime at the node.
그 다음 에 대해 풀면,next Solving for,
이번에는 트랜지스터(Q3)의 베이스 전압이 다음과 같이 결정될 수 있다.This time the base voltage of transistor Q3 can be determined as follows.
이는 LDMOS 장치의 게이트에 인가될 전압(Vgate)를 이끌어낸다.This leads to a voltage (V gate ) to be applied to the gate of the LDMOS device.
결과적으로, 공칭 온도(T0)에서의 온도 슬로프는 다음과 같이 표현될 수 있다(β는 크다고 가정된다).As a result, the temperature slope at nominal temperature T 0 can be expressed as follows (β is assumed to be large).
여기서 , , , , 이다.here , , , , to be.
전력 증폭기 회로에 필요한 컴포넌트 값을 구하기 위해서, 공지된 상수로 시작한다. Vbe _ nom = 0.65V, dVbe/dT = - 2mV/℃, β = 50을 가진 일반적인 트랜지스터를 가정한다. 추가적으로, Vg_min = 2.5V, Vg_max = 4.0V, s = - 1.8mV/℃, Ibias = 1mA 및 Vref = 1.225V인 설계 목표 및 Repot = 10kΩ, Nsteps = 256, Voffset = 1.1V, TRCc = 0.00075℃/Ω, TRCd = 0.00003℃/Ω인 전기적으로 조절 가능한 전위차계의 세부사항을 가정한다. 이러한 가정으로, 다음의 컴포넌트가 선택될 수 있다: Rcp = 12kΩ 및 Rcs = 1kΩ. 온도 슬로프(s)는 상기 전기적으로 조절 가능한 전위차계의 최소 설정(setting)에서 s = - 1.846mV/℃, 중간 설정에서 s = - 1.799mV/℃, 최대 설정에서 s = 1.846mV/℃이 된다. 실제적인 관점에서의 설정에 관해 상기 슬로프 변화는 일정하다고 간주될 수 있다.To find the component values needed for the power amplifier circuit, we start with a known constant. Assume a typical transistor with V be _ nom = 0.65 V, dV be / dT =-2 mV / ° C, β = 50. Additionally, V g_min = 2.5V, V g_max = 4.0V, s = - 1.8mV / ℃, I bias = 1mA , and V ref = 1.225V the design goals and R epot = 10kΩ, N steps = 256, V offset = 1.1 Assume details of an electrically adjustable potentiometer with V, TRC c = 0.00075 ° C./Ω and TRC d = 0.00003 ° C./Ω. With this assumption, the following components can be selected: R cp = 12 kΩ and R cs = 1 kΩ. The temperature slope s becomes s =-1.846 mV / ° C at the minimum setting of the electrically adjustable potentiometer, s =-1.799 mV / ° C at the middle setting, and s = 1.846 mV / ° C at the maximum setting. With respect to the setting from a practical point of view, the slope change can be considered constant.
상기 전자적으로 조절 가능한 전위차계의 저항 값 및 그로 인한 공칭 전압은 장치를 제조하는 동안 조절될 수도 있고 상기 장치를 매일 사용하는 동안 조절될 수도 있다. 예를 들어, 상기 온도-의존 컴포넌트의 노화를 고려할 수 있으며 상기 바이어스 전압이 온도 의존성의 변화에 적합하게 될 수 있다. 이는 시간 함수로서 또는 다른 몇몇 측정 가능한 성능 측정기준으로서 상기 전압을 변경함으로써 수행될 수 있다. 다른 가능한 것은 상기 증폭 컴포넌트의 슬로프의 변화를 측정하거나 그렇지 않으면 결정하고, 그리고 온도 보상에 의해 형성된 슬로프를 상기 변화에 적합하게 하는 것이다.The resistance value of the electronically adjustable potentiometer and the resulting nominal voltage may be regulated during the manufacture of the device or during the daily use of the device. For example, aging of the temperature-dependent component can be considered and the bias voltage can be adapted to changes in temperature dependency. This can be done by changing the voltage as a function of time or as some other measurable performance measure. Another possibility is to measure or otherwise determine the change in the slope of the amplifying component and to adapt the slope formed by the temperature compensation to the change.
도 7은 변경 가능한 전압 및 온도 슬로프를 가진 회로를 도시한다. 도 7에서, 상기 회로는 저항기 유닛(506, 508)이 조절 가능한 전위차계(700)로 대체되어 조절 가능한 슬로프 메커니즘을 제공한다는 점을 제외하면 도 6의 회로와 유사하다. 그러므로, 저항기 결합부는 슬로프 계수를 조절하기 위한 조절 가능한 전위차계를 포함하고, 상기 조절 가능한 전위차계는 상기 온도 보상 회로에 컴포넌트 배열(114) 내의 적어도 하나의 컴포넌트의 공지된 온도 의존성 및 슬로프 계수의 조절 가능한 기능인 온도 의존성을 가진 출력 전압을 제공한다. 상기 전위차계(700)는 기계적으로 조절 가능한 전위차계일 수도 있고 전자적으로 조절 가능한 전위차계일 수도 있다(도 6의 전위차계(310)와 유사함). k·Rpot의 값을 가진 저항기(702)는 저항기 유닛(506)에 상응하는 것으로 간주될 수 있으며, 여기서 Rpot는 상기 전위차계의 전체 저항이고 k는 0부터 1까지의 실수이다. 유사한 방식으로 값 i·Rpot의 값을 가진 저항기(704)는 저항기 유닛(508)에 상응하는 것으로 간주될 수 있으며, 여기서 k = 1 - i가 되도록 i는 0부터 1까지의 실수이다. 또한 상기 조절 가 능한 전위차계(700)는 저항기 유닛(506, 508) 중 하나만을 대체하는 것도 가능하다.7 shows a circuit with variable voltage and temperature slopes. In FIG. 7, the circuit is similar to the circuit of FIG. 6 except that
상기 증폭기는 증폭기에 입력 신호가 없을 때 꺼질(switch off) 수도 있다. 이는 상기 증폭 컴포넌트의 임계값 이하로 온도 보상 회로의 최소 출력 전압을 설정함으로써 수행될 수 있다. 예를 들어, 증폭 컴포넌트로 사용될 수 있는 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터의 게이트 전압이 제작자가 정한 임의의 임계 전압 아래로 떨어질 경우, 드레인과 소스 사이에는 전류가 흐를 수 없으며, 따라서 상기 컴포넌트는 꺼질 수 있다.The amplifier may be switched off when there is no input signal to the amplifier. This can be done by setting the minimum output voltage of the temperature compensation circuit below the threshold of the amplifying component. For example, if the gate voltage of a Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) transistor that can be used as an amplifying component drops below a certain threshold voltage specified by the manufacturer, no current can flow between the drain and the source, so that the component Can be turned off.
도 8은 도 4 및 도 5의 온도 보상 회로의 동작 및 그 예를 도시한다. 출력 전압(Vg)은 슬로프 s = - 1.82mV/℃를 가지고, 상기 출력 전압의 수준은 2.5V와 4.0V 사이에서 슬로프와 무관하게 제어될 수 있다. 상기 슬로프는 예를 들어 - 1.5 mV/℃ 내지 - 4.0 mV/℃의 범위가 요구될 수 있도록 실질적으로 변할 수 있다.8 shows an operation and an example of the temperature compensation circuit of FIGS. 4 and 5. The output voltage V g has a slope s =-1.82 mV / ° C., and the level of the output voltage can be controlled independently of the slope between 2.5 V and 4.0 V. The slope can vary substantially such that, for example, a range of -1.5 mV / ° C to -4.0 mV / ° C may be required.
상기 전압 조절기는 온도 보상 기준에 대한 전압 비교기로서 기능하는 어떤 종류의 회로도 될 수 있다. 상기 전압 조절기는 세 개 이상의 단자를 갖는 통합된 또는 분리된 장치일 수 있다.The voltage regulator may be any kind of circuit that functions as a voltage comparator to a temperature compensation reference. The voltage regulator may be an integrated or separate device having three or more terminals.
본 발명이 첨부된 도면을 따라서 실시예를 참조하여 상기와 같이 설명되었지만, 본 발명은 그에 제한되지 않으며 첨부된 청구항의 범위 내에서 여러 방식으로 변형될 수 있음은 자명하다.While the invention has been described above with reference to the embodiments in accordance with the accompanying drawings, it is apparent that the invention is not limited thereto and may be modified in many ways within the scope of the appended claims.
Claims (22)
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/795,447 | 2004-03-09 | ||
US10/795,447 US7034618B2 (en) | 2004-03-09 | 2004-03-09 | Temperature compensating circuit |
US11/027,684 | 2005-01-03 | ||
US11/027,684 US7095282B2 (en) | 2004-03-09 | 2005-01-03 | Temperature compensating circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060116246A KR20060116246A (en) | 2006-11-14 |
KR100794774B1 true KR100794774B1 (en) | 2008-01-21 |
Family
ID=34921910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067019699A KR100794774B1 (en) | 2004-03-09 | 2005-03-08 | Temperature compensating circuit |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1726091A1 (en) |
KR (1) | KR100794774B1 (en) |
WO (1) | WO2005086343A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008304262A (en) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Freescale Semiconductor Inc | Temperature compensation circuit, trimming circuit and acceleration detecting apparatus |
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US6091279A (en) | 1998-04-13 | 2000-07-18 | Lucent Technologies, Inc. | Temperature compensation of LDMOS devices |
EP1081573A1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-07 | STMicroelectronics S.r.l. | High-precision biasing circuit for a cascoded CMOS stage, particularly for low noise amplifiers |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE516012C2 (en) * | 1999-01-25 | 2001-11-05 | Ericsson Telefon Ab L M | Styreförspänningsanordning |
-
2005
- 2005-03-08 WO PCT/FI2005/000143 patent/WO2005086343A1/en active Application Filing
- 2005-03-08 EP EP05717270A patent/EP1726091A1/en not_active Withdrawn
- 2005-03-08 KR KR1020067019699A patent/KR100794774B1/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060116246A (en) | 2006-11-14 |
EP1726091A1 (en) | 2006-11-29 |
WO2005086343A1 (en) | 2005-09-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |