KR100793274B1 - Semiconductor device molding device and method for molding semiconductor device - Google Patents

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KR100793274B1 KR1020060137920A KR20060137920A KR100793274B1 KR 100793274 B1 KR100793274 B1 KR 100793274B1 KR 1020060137920 A KR1020060137920 A KR 1020060137920A KR 20060137920 A KR20060137920 A KR 20060137920A KR 100793274 B1 KR100793274 B1 KR 100793274B1
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정병호
김병호
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세크론 주식회사
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Abstract

A semiconductor device molding apparatus and a semiconductor device molding method using the same are provided to prevent a melted resin from permeating around a vacuum hole by adjusting a gas spray pressure, while a resin is transferred to the vacuum hole. A semiconductor device molding apparatus includes a mold, a gas inlet/outlet device, and a controller. The mold includes a vacuum hole, a stack portion, a port, and a resin pressurizing unit(13). The vacuum hole is connected to outside. A semiconductor device is mounted on the stack portion. A resin material is laminated on the port. The resin pressurizing unit is reciprocally moved between a resin supply position and a surface position inside the port. The gas inlet/outlet device is coupled with the vacuum hole, and inhales and exhales a gas from and to the mold. The controller moves the resin pressurizing portion according to transfer speeds for respective intervals. The controller controls the gas inlet/outlet device, such that a predetermined pressure is maintained in the mold.

Description

반도체소자 몰딩 장치 및 반도체소자 몰딩 방법{Semiconductor device molding device and method for molding semiconductor device}Semiconductor device molding device and method for molding semiconductor device {Semiconductor device molding device and method for molding semiconductor device}

도 1은 종래의 반도체소자 몰딩 방법을 개략적으로 보여주는 순서도이다. 1 is a flowchart schematically showing a conventional method of molding a semiconductor device.

도 2는 본 발명의 반도체소자 몰딩 방법이 적용되는 하부금형의 구성을 보여주는 부분 절단 사시도이다. Figure 2 is a partially cut perspective view showing the configuration of the lower mold to which the semiconductor device molding method of the present invention is applied.

도 3은 도 2의 하부금형의 구성을 보여주는 확대 절단면도이다. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the lower mold of FIG.

도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체소자 몰딩 방법을 개략적으로 보여주는 사시도이다. 4 is a perspective view schematically showing a semiconductor device molding method according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체소자 몰딩 장치, 및 반도체소자 몰딩 방법, 구체적으로는 몰딩하고자 하는 반도체소자에 대응하도록 금형 내부에 용융된 수지를 공급하는 속도, 및 금형 내부 압력을 조절할 수 있는 반도체소자 몰딩 장치 및 반도체소자 몰딩 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device molding apparatus and a semiconductor device molding method, specifically, a semiconductor device molding apparatus and a semiconductor capable of controlling the speed of supplying a molten resin to a mold and a pressure inside the mold so as to correspond to a semiconductor device to be molded. It relates to a device molding method.

반도체소자 몰딩 방법은 리드 프레임상에 안착되고, 와이어본딩된 반도체소자를 소정의 수지로 몰딩하여 보호하는 공정으로서 반도체 제조 공정의 일부를 구 성하고 있다.In the semiconductor device molding method, a part of a semiconductor manufacturing process is formed as a step of molding and protecting a wire bonded semiconductor device with a predetermined resin.

일반적인 반도체소자 몰딩 방법은 반도체소자를 금형 내부에 안착시킨 후, 금형 내부에 용융된 수지를 공급하여 반도체소자를 몰딩하는 방법으로 이루어진다. A general semiconductor device molding method is a method of molding a semiconductor device by mounting the semiconductor device inside the mold, and then supplying a molten resin to the inside of the mold.

그런데, 반도체소자를 몰딩하기 위해 금형 내부로 공급되는 용융된 수지는 그 점성으로 인해, 금형 내부를 완전히 채우지 못하는 경우가 발생할 수 있다. 이렇게 되면, 반도체소자 또는 반도체소자와 리드프레임을 연결하는 와이어등의 일부 이상이 수지로 몰딩되지 못할 수 있다. However, the molten resin supplied into the mold to mold the semiconductor device may not fully fill the mold due to its viscosity. In this case, a part or more of the semiconductor device or the wire connecting the semiconductor device and the lead frame may not be molded with the resin.

따라서, 금형 내부에 용융된 수지를 완전히 채울수 있는 반도체소자 몰딩 방법이 요구되고 있다. 그리고, 이러한 방법 중 하나로서, 금형의 모서리 등 부위에 진공홀을 두어, 금형 내의 공기를 빨아 배출함으로써 금형 내부 압력을 낮춰 진공으로 만듦으로써 금형 내로 도입되는 수지의 흐름 속도를 증가시키는 방법이 시도되고 있다. 이와 같이, 금형의 내부의 공기의 압력이 낮아지는 경우 금형 내부로 공급되는 용융된 수지의 흐름이 원활하게 되어 용융된 수지가 금형 내부에 보다 완전히 공급될 수 있다. Therefore, there is a need for a semiconductor device molding method capable of completely filling the molten resin inside the mold. In addition, as one of such methods, a method of increasing the flow rate of resin introduced into a mold by placing a vacuum hole in a corner or the like of the mold and sucking and discharging air in the mold to lower the internal pressure of the mold to create a vacuum, have. As such, when the pressure of the air inside the mold is lowered, the flow of the molten resin supplied into the mold may be smooth, and the molten resin may be more fully supplied into the mold.

이하, 도 1을 참조하여 종래의 반도체소자 몰딩 방법을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a conventional semiconductor device molding method will be described in detail with reference to FIG. 1.

먼저, 금형 내부 압력을 미리 설정한다(s10). 이렇게 설정된 금형 내부 압력은 반도체소자 몰딩시 금형 내부에 구비된 하나 이상의 진공홀로부터 공기를 빨아 배출하여 달성된다. 이렇게 설정된 금형 내부 압력은 반도체소자 몰딩시 용융된 수지의 금형 내부로의 도입을 촉진하게 된다. First, the mold internal pressure is set in advance (s10). The internal pressure of the mold is set by sucking air from one or more vacuum holes provided in the mold when molding the semiconductor device. The mold pressure set in this way promotes the introduction of the molten resin into the mold during molding of the semiconductor device.

그 후, 금형 내부에 자재를 로딩한다(s20). 이때 금형 내부에 로딩되는 자재는 몰딩하고자 하는 반도체소자, 그리고 반도체소자를 몰딩하는데 이용되는 수지 원료를 포함한다. 이때, 반도체소자는 금형 내에 구비된 반도체소자 적재부에 적재되며, 수지 원료는 금형 내에 구비된 포트에 적재된다. After that, the material is loaded into the mold (s20). In this case, the material loaded in the mold includes a semiconductor device to be molded and a resin raw material used to mold the semiconductor device. At this time, the semiconductor element is loaded on the semiconductor element mounting portion provided in the mold, and the resin raw material is loaded on the port provided in the mold.

일반적으로 이러한 자재는 하부금형에 로딩되며, 하부금형에 이러한 자재가 로딩되면 하부금형에 대응하는 상부금형이 내려와 하부금형에 맞물리게 된다. Generally, these materials are loaded into the lower mold, and when such materials are loaded into the lower mold, the upper mold corresponding to the lower mold is lowered to engage the lower mold.

그 후, 금형을 가압 가열하여 로딩된 수지 원료를 용융시킨다(s30).Thereafter, the mold is heated under pressure to melt the loaded resin raw material (s30).

이렇게 로딩된 수지 원료가 용융되면, 포트 내부에서 수지를 지지하고 있던 수지가압부는 상승하여 수지를 금형 내에 구비된 반도체소자 적재부 방향으로 공급하게 되며, 동시에 금형 내부에 구비되어 있는 진공홀을 통해 금형 내 공기 및 가스가 배출되어 금형 내부 압력이 미리 설정된 압력으로 형성된다(s40).When the loaded resin raw material is melted, the resin pressurizing part supporting the resin in the pot rises to supply the resin toward the semiconductor element loading part provided in the mold, and at the same time, through the vacuum hole provided in the mold. Inner air and gas are discharged to form a predetermined pressure inside the mold (S40).

이러한 조건 하에서 포트로부터 공급되는 용융된 수지로 적재된 반도체소자가 몰딩 완료되면(s50), 몰딩된 반도체소자는 금형 외부로 배출되게 된다(s60).When molding of the semiconductor device loaded with molten resin supplied from the pot under such conditions is completed (s50), the molded semiconductor device is discharged to the outside of the mold (s60).

그런데, 이러한 종래의 반도체소자 몰딩 방법은 금형 내 압력 및 용융된 수지의 공급 속도를 일정하게 유지하게 되며, 이렇게 일정하게 유지되는 금형 내 압력 및 수지 공급 속도는 몰딩 대상인 반도체소자의 특성, 즉 반도체소자의 크기, 그리고 반도체소자와 리드 프레임을 연결하는 와이어의 길이 등, 및 사용되는 수지 원료의 특성을 충분히 반영하지 못하는 경우가 있다. 그에 따라, 금형 내 압력 및 수지 공급 속도에 의해 의존되는 용융된 수지의 흐름 압력이 금형 내의 특정 위치에서는 지나치게 높게 되거나, 지나치게 낮게 되는 문제가 발생할 수 있다. 구체 적으로, 반도체소자와 리드 프레임을 연결하는 와이어에 용융된 수지 흐름 압력이 지나치게 높게 되면 와이어에 변형이 발생할 우려가 있다. However, the conventional method of molding a semiconductor device maintains the pressure in the mold and the supply rate of the molten resin constant, and the pressure and the resin supply rate in the mold maintained at this constant are characteristics of the semiconductor device that is molded, that is, the semiconductor device. The size and the length of the wire connecting the semiconductor element and the lead frame and the characteristics of the resin raw material used may not be sufficiently reflected. Accordingly, a problem may arise in that the flow pressure of the molten resin, which is dependent on the pressure in the mold and the resin feed rate, becomes too high or too low at a specific position in the mold. Specifically, when the resin flow pressure melted on the wire connecting the semiconductor element and the lead frame is too high, there is a fear that deformation occurs in the wire.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 몰딩하고자 하는 반도체소자 및 사용되는 수지 원료의 특성에 따라 수지 공급 속도 및 금형 내 압력을 조절할 수 있는 반도체소자 몰딩 장치를 제공하고자 한다. In order to solve the above technical problem, the present invention is to provide a semiconductor device molding apparatus that can control the resin supply rate and the pressure in the mold according to the characteristics of the semiconductor device to be molded and the resin raw material to be used.

또한, 본 발명은 몰딩하고자 하는 반도체소자 및 사용되는 수지 원료의 특성에 따라 수지 공급 속도 및 금형 내 압력을 조절할 수 있는 반도체소자 몰딩 방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a semiconductor device molding method that can control the resin supply rate and the pressure in the mold according to the characteristics of the semiconductor device to be molded and the resin raw material used.

상기와 같은 기술적 과제의 해결을 위한, 본 발명의 한 특징에 따른 반도체소자 몰딩 장치는 외부와 연통되는 진공홀, 반도체소자가 적재되는 반도체소자 적재부, 수지 원료가 적재되는 포트, 및 상기 포트 내부에서 수지공급위치와 표면위치 사이를 왕복 운동하는 수지가압부를 포함하는 금형; 상기 진공홀과 연통되며, 상기 금형 내부로부터 가스를 흡입하여 배출하는 가스 흡입/배출 장치; 및 입력된 구간별 이동 속도에 따라 상기 수지가압부를 이동시키며, 입력된 금형 내 압력을 형성하도록 상기 가스 흡입/배출 장치를 제어하는 제어부;를 포함한다. In order to solve the above technical problem, the semiconductor device molding apparatus according to an aspect of the present invention is a vacuum hole in communication with the outside, a semiconductor device loading portion on which the semiconductor element is loaded, a port on which the resin raw material is loaded, and the inside of the port A mold including a resin pressurizing unit configured to reciprocate between a resin supply position and a surface position in the mold; A gas suction / discharge device communicating with the vacuum hole and sucking and discharging gas from the inside of the mold; And a control unit which moves the resin pressurizing unit according to the input section moving speed and controls the gas suction / discharge device to form the input pressure in the mold.

상기 구간별 이동 속도는 상기 수지공급위치와 표면위치 사이의 거리를 복수의 구간으로 나누었을 때, 상기 수지가압부의 각 구간에서의 이동속도이다.The movement speed for each section is a movement speed in each section of the resin pressurizing unit when the distance between the resin supply position and the surface position is divided into a plurality of sections.

상기 수지원료의 길이는 상기 수지공급위치와 상기 표면위치사이의 거리에 대응한다.The length of the water support material corresponds to the distance between the resin supply position and the surface position.

상기 가스 흡입/배출 장치는 상기 반도체소자의 몰딩 완료 후 상기 진공홀로의 가스 배출 여부를 판단하는 기능을 더 수행할 수 있다. The gas suction / exhaust apparatus may further perform a function of determining whether gas is discharged into the vacuum hole after the molding of the semiconductor device is completed.

상기 입력된 구간별 이동 속도 및 금형 내 압력은 상기 반도체소자의 특성 또는 상기 수지 원료의 특성에 따라서 설정된다. The input moving speed and the pressure in the mold are set according to the characteristics of the semiconductor element or the resin raw material.

상기 반도체소자의 특성은 상기 반도체소자의 크기, 또는 상기 반도체소자와 연결되어 있는 와이어의 길이이다. The characteristic of the semiconductor device is the size of the semiconductor device or the length of the wire connected to the semiconductor device.

상기 수지 원료의 특성은 용융된 수지의 점성이다. The property of the resin raw material is the viscosity of the molten resin.

본 발명의 또 다른 특징에 따른 반도체소자 몰딩 방법은 금형 내부의 반도체소자 적재부 및 포트에 각각 반도체소자 및 이를 몰딩하기 위한 수지 원료를 로딩하는 단계; 상기 금형을 가압 가열하여 상기 수지 원료를 용융시키는 단계; 상기 포트 내부에 위치한 수지가압부를 기 설정된 구간별 속도로 상승시켜 용용된 수지를 금형 내부로 공급하는 단계; 및 상기 금형 내부에 위치한 진공홀을 통해 가스를 배출하여 상기 금형 내부의 압력을 기 설정된 내부 압력으로 형성하는 단계;를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of molding a semiconductor device, the method including: loading a semiconductor device and a resin raw material for molding the semiconductor device loading part and a port in a mold; Melting the resin raw material by heating the mold under pressure; Supplying the molten resin into the mold by raising the resin pressurizing unit located inside the pot at a predetermined speed for each section; And discharging gas through a vacuum hole located in the mold to form a pressure inside the mold at a predetermined internal pressure.

본 발명의 반도체소자 몰딩 방법은 상기 금형에 가해진 압력을 기 설정 압력과 비교하는 단계; 및 상기 금형에 가해진 압력이 상기 기 설정 압력을 초과하는 경우 상기 수지가압부를 상승시키는 단계;를 더 포함할 수 있다. The semiconductor device molding method of the present invention comprises the steps of comparing the pressure applied to the mold with a preset pressure; And raising the resin pressing part when the pressure applied to the mold exceeds the preset pressure.

본 발명의 반도체소자 몰딩 방법은 상기 반도체소자의 몰딩이 완료되어 배출된 후, 상기 진공홀의 막힘 여부를 체크하는 단계;를 더 포함할 수 있다. The method of molding a semiconductor device may further include checking whether the vacuum hole is blocked after molding of the semiconductor device is completed and discharged.

상기 구간별 이동 속도는 상기 수지공급위치와 표면위치 사이의 거리를 복수의 구간으로 나누었을 때, 상기 수지가압부의 각 구간에서의 이동속도이다.The movement speed for each section is a movement speed in each section of the resin pressurizing unit when the distance between the resin supply position and the surface position is divided into a plurality of sections.

상기 수지원료의 길이는 상기 수지공급위치와 상기 표면위치사이의 거리에 대응한다.The length of the water support material corresponds to the distance between the resin supply position and the surface position.

상기 입력된 구간별 이동 속도 및 금형 내 압력은 상기 반도체소자의 특성 또는 상기 수지 원료의 특성에 따라서 설정된다. The input moving speed and the pressure in the mold are set according to the characteristics of the semiconductor element or the resin raw material.

상기 반도체소자의 특성은 상기 반도체소자의 크기, 또는 상기 반도체소자와 연결되어 있는 와이어의 길이이다. The characteristic of the semiconductor device is the size of the semiconductor device or the length of the wire connected to the semiconductor device.

상기 수지 원료의 특성은 용융된 수지의 점성이다. The property of the resin raw material is the viscosity of the molten resin.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

먼저, 도 2 및 3을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체소자 몰딩 방법이 적용될 수 있는 반도체소자 몰딩용 하부금형의 일례에 대하여 구체적으로 살펴본다. First, an example of a lower mold for semiconductor device molding to which the semiconductor device molding method according to an embodiment of the present invention is applied will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2에 도시된 바와 같이, 반도체소자를 몰딩하기 위한 하부금형(10)은 돌출핀(11), 포트(12), 수지가압부(13), 반도체소자 적재부(14), 및 진공홀(15)을 포함하도록 구성된다.As shown in FIG. 2, the lower mold 10 for molding the semiconductor device may include a protrusion pin 11, a port 12, a resin pressing part 13, a semiconductor device loading part 14, and a vacuum hole ( 15).

여기서 돌출핀(11)은 수지로 몰딩된 반도체소자를 하부금형(10)으로부터 분리하는데 이용되며, 하부금형(10) 아래에 위치한다. 이러한 돌출핀(11)은 반도체소자의 몰딩이 완료되면 하부금형(10) 상부로 돌출되어 상기 몰딩된 반도체소자를 상기 하부금형(10)으로부터 분리시킨다. The protruding pin 11 is used to separate the semiconductor device molded from the resin from the lower mold 10 and is located below the lower mold 10. When the molding of the semiconductor device is completed, the protruding pin 11 protrudes above the lower mold 10 to separate the molded semiconductor device from the lower mold 10.

포트(12)는 도 2에 도시된 바와 같이, 한쌍의 반도체소자 적재부(14) 사이에 홀의 형태로 구비된다. 포트(12)는 바람직하게는 하나 이상으로 하부금형(10)에 열을 이루는 형태로 구비된다. 이러한 포트(12)의 내부에는 반도체소자를 몰딩시키기 위한 수지 원료가 안착되게 된다. As shown in FIG. 2, the port 12 is provided in the form of a hole between the pair of semiconductor element stacks 14. The port 12 is preferably provided in the form of heat to the lower mold 10 in one or more. Inside the port 12, a resin raw material for molding the semiconductor device is mounted.

수지가압부(13)는 상기 포트(12) 내부에서 왕복 운동 하여 상기 포트(12)의 바닥의 높이를 조절하는 피스톤 형태로 구성된다. 구체적으로, 수지가압부(13)는 수지 원료가 하부금형(10)에 공급될 때, 포트(12)의 홀 아래로 하강하여 도 3에 도시된 수지공급위치(T)로 이동된다. 이렇게, 수지가압부(13)가 수지공급위치(T)로 이동되면, 포트(12)는 그 내부에 수지 원료가 적재될 수 있는 공간을 갖게 된다. 이때, 수지공급위치(T)와 하부금형(10)의 표면위치(P) 사이의 거리는 공급되는 수지원료의 길이에 대응하게 된다. 이러한 수지원료의 길이는 몰딩하고자 하는 반도체소자의 크기에 따라 정해지는데, 몰딩하는 반도체소자의 크기가 작게 되면, 금형 내부를 채워야하는 수지의 양이 많아야 하므로, 공급되는 수지원료의 길이는 길게된다. 따라서, 공급되는 수지원료의 길이가 긴 경우에는, 수지가압부(13)의 수지공급위치(T)는 그만큼 포트 하부에 위치하게 된다. The resin pressing unit 13 is configured in the form of a piston to reciprocate in the port 12 to adjust the height of the bottom of the port 12. Specifically, when the resin raw material 13 is supplied to the lower mold 10, the resin pressing part 13 descends below the hole of the port 12 and moves to the resin supply position T shown in FIG. In this way, when the resin pressing portion 13 is moved to the resin supply position (T), the port 12 has a space in which the resin raw material can be loaded. At this time, the distance between the resin supply position (T) and the surface position (P) of the lower mold 10 corresponds to the length of the water support material supplied. The length of the support material is determined according to the size of the semiconductor device to be molded. When the size of the semiconductor device to be molded is small, the amount of the resin to be filled in the mold must be large, so that the length of the support material to be supplied is long. Therefore, when the length of the water support material supplied is long, the resin supply position T of the resin pressurizing part 13 is located in the lower part of the pot by that much.

그 후, 하부금형(10)의 반도체소자 적재부(14)에 몰딩하고자 하는 반도체소 자가 적재되고, 상부금형(도시하지 않음)이 하부금형(10) 상부에 놓여진 후, 상부금형과 하부금형(10)사이에 설정된 압력 및 온도가 가해지게 된다. 이렇게 가해진 압력 및 온도에 일정 수준 이상으로 상승하면 포트(12)에 적재된 수지 원료는 용융되게 된다. Thereafter, the semiconductor element to be molded is loaded on the semiconductor element mounting portion 14 of the lower mold 10, and an upper mold (not shown) is placed on the lower mold 10, and then the upper mold and the lower mold ( The pressure and temperature set in between are applied. When the pressure and temperature are raised to a predetermined level or more, the resin raw material loaded on the port 12 is melted.

한편, 이렇게 가해진 압력이 기 설정된 압력을 초과하는 것으로 판단되면, 수지가압부(13)는 하부금형(10) 표면위치(P)로 설정된 속도로 상승하게 된다. 이렇게 수지가압부(13)가 상승하게 되면, 용융된 수지는 수지가압부(13)의 상승에 따라 포트(12) 외부로 배출되게 되며, 이렇게 배출된 용융된 수지는 반도체소자 적재부(14) 방향으로 이동하여 반도체소자를 몰딩하게 된다. On the other hand, if it is determined that the pressure applied in this way exceeds the predetermined pressure, the resin pressing portion 13 is raised at a speed set to the lower mold 10 surface position (P). When the resin pressurizing unit 13 rises as described above, the molten resin is discharged to the outside of the port 12 as the resin pressurizing unit 13 rises, and the molten resin thus discharged is the semiconductor element loading unit 14. Move in the direction to mold the semiconductor device.

반도체소자 적재부(14)는 도 2에 도시된 바와 같이 한쌍으로 이루어지며 포트(12)를 중심으로 양쪽으로 배치되며, 몰딩하고자 하는 반도체소자를 고정한다. As shown in FIG. 2, the semiconductor device stacker 14 is formed in a pair and is disposed at both sides around the port 12 to fix the semiconductor device to be molded.

진공홀(15)은 하부금형(10)의 하부에 위치하며 상부금형과 하부금형(10)으로 이루어진 밀폐 공간 내 공기 및 가스를 외부로 배출하는데 이용된다. 이러한 진공홀(15)의 개수 및 위치는 특별히 제한되지 않으나, 상부금형과 하부금형(10) 사이의 밀폐 공간 내 공기 및 가스를 외부로 배출하는데 적절한 숫자로 적절한 위치에 구비되는 것이 바람직하다. The vacuum hole 15 is positioned below the lower mold 10 and used to discharge air and gas in the sealed space formed of the upper mold and the lower mold 10 to the outside. The number and location of the vacuum holes 15 are not particularly limited, but it is preferable that the vacuum hole 15 is provided at a suitable number with a number suitable for discharging air and gas in the sealed space between the upper mold and the lower mold 10 to the outside.

한편, 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체소자 몰딩 방법이 적용될 수 있는 반도체소자 몰딩 장치는 상술한 반도체소자 몰딩용 하부금형외에도 진공홀(15)을 통해 상부금형과 하부금형(10)으로 이루어진 밀폐 공간 내 공기 및 가스를 흡입하여 외부로 배출하는 가스 흡입/배출장치(도시 하지 않음), 몰딩하고자 하는 반도체 소자에 따른 특성을 입력받기 위한 사용자 인터페이스부, 및 사용자 인터페이스부를 통해 입력된 특성에 따라 수지가압부(13) 및 진공홀 막힘을 확인하는 진공홀 체크부(도시하지 않음), 가스 흡입/배출장치, 수지가압부(13), 및 진공홀 체크부를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. On the other hand, the semiconductor device molding apparatus to which the semiconductor device molding method according to an embodiment of the present invention can be applied is sealed by the upper mold and the lower mold 10 through the vacuum hole 15 in addition to the lower mold for semiconductor device molding described above. A gas suction / discharge device (not shown) for sucking air and gas in the space and discharging them to the outside, a user interface unit for receiving characteristics according to a semiconductor device to be molded, and a resin according to the characteristics input through the user interface unit The control unit may further include a pressurizing unit 13 and a vacuum hole check unit (not shown) for checking clogging of the vacuum hole, a gas suction / discharge device, a resin pressurizing unit 13, and a vacuum hole check unit.

이때, 가스 흡입/배출장치는 상기 진공홀(15)과 연통되도록 배치되어, 상기 제어부의 제어에 따라 상기 진공홀(15)을 통해 상부금형과 하부금형(10)으로 이루어진 밀폐 공간 내 공기 및 가스를 흡입하여 외부로 배출한다. At this time, the gas suction / discharge device is arranged to communicate with the vacuum hole 15, the air and gas in the sealed space consisting of the upper mold and the lower mold 10 through the vacuum hole 15 under the control of the controller. Inhale and discharge to outside.

사용자 인터페이스부는 반도체소자 몰딩 장치 내에 구성되거나, 반도체소자 몰딩 장치와 네트워크 상으로 연결되도록 구성될 수 있으며, 몰딩하고자 하는 반도체소자의 특성, 즉 반도체소자의 크기, 그리고 반도체소자와 리드 프레임을 연결하는 와이어의 길이등 및 사용되는 수지 원료의 특성에 따라 책정된 수지가압부(13)의 이동 속도, 및 금형 내 압력을 입력받는다. 이때, 수지가압부(13)의 이동 속도는 구간별로 각각 설정될 수 있다. 여기서 구간별 이동속도는 상기 수지공급위치와 표면위치 사이의 거리를 복수의 구간으로 나누었을 때, 수지가압부(13)가 각 구간에서의 이동속도를 나타낸다. The user interface unit may be configured in the semiconductor device molding apparatus or may be configured to be connected to the semiconductor device molding apparatus on a network, and may include characteristics of the semiconductor device to be molded, that is, the size of the semiconductor device, and a wire connecting the semiconductor device and the lead frame. The moving speed of the resin pressurizing unit 13 and the pressure in the mold are determined according to the length and the like and the characteristics of the resin raw material to be used. At this time, the moving speed of the resin pressing unit 13 may be set for each section. Here, the moving speed for each section indicates the moving speed of the resin pressing unit 13 in each section when the distance between the resin supply position and the surface position is divided into a plurality of sections.

구체적으로, 포트(12)로부터 배출되는 용융된 수지가 빈 공간으로 이동되는 구간에서는 수지가압부(13)의 이동 속도를 높게 하여 수지가 빠르게 공급되게 하며, 용융된 수지가 반도체소자에 연결된 와이어에 인접하여 용융된 수지의 흐름 압력이 지나칠 경우 와이어에 변형등이 발생될 우려가 있는 구간에서는 수지가압부(13)의 이동 속도를 낮게 하여 수지가 느리게 공급되게 할 수 있다. 또한, 사용 되는 수지 원료가 용융된 후 점성이 높은 경우에는 수지가압부(13)의 이동 속도를 높게하고 금형 내 압력을 낮게 하여 용융된 수지가 보다 신속하게 이동하게 하고, 사용되는 수지 원료가 용융된 후 점성이 낮은 경우에는 수지가압부(13)의 이동 속도를 낮추고 금형 내 압력을 높게 하여 용융된 수지의 이동 속도를 제어할 수 있다. Specifically, in the section in which the molten resin discharged from the port 12 is moved to the empty space, the resin is supplied rapidly by increasing the moving speed of the resin pressurizing unit 13, and the molten resin is connected to the wire connected to the semiconductor device. When the flow pressure of the adjacent molten resin is excessive, the resin may be supplied slowly by lowering the moving speed of the resin pressing part 13 in a section in which deformation or the like may occur in the wire. In addition, in the case where the viscosity of the resin is high after melting, the viscosity of the resin pressurizing unit 13 is increased and the pressure in the mold is lowered to allow the molten resin to move more quickly. After the viscosity is low, the moving speed of the resin pressurizing unit 13 may be lowered and the pressure in the mold may be increased to control the moving speed of the molten resin.

진공홀 체크부는 반도체소자의 몰딩이 완료된 후, 진공홀(15)이 막혀 있는지를 체크하여 제어부에 전달한다. 여기서는 진공홀의 막힘 여부를 체크하는 진공홀 체크부가 별도로 구성되어 있는 것으로 개시되어 있으나, 이와는 달리 가스 흡입/배출장치에 의해 이루어질 수 있다. 구체적으로 가스 흡입/배출장치에 의해 공기 및 가스 배출이 이루어지지 않는 경우 진공홀은 막혀 있는 것으로 판단할 수 있다. After the molding of the semiconductor device is completed, the vacuum hole check unit checks whether the vacuum hole 15 is blocked and transmits it to the controller. Here, the vacuum hole check unit for checking whether the vacuum hole is blocked is disclosed as being separately configured, but alternatively, it may be made by a gas suction / discharge device. In detail, when the air and the gas are not discharged by the gas suction / exhaust device, it may be determined that the vacuum hole is blocked.

제어부는 반도체소자 몰딩 장치 내에 구성되거나, 반도체소자 몰딩 장치와 네트워크 상으로 연결되도록 구성될 수 있으며, 사용자 인터페이스부로부터 입력된 구간별 이동 속도에 따라 수지가압부를 이동시켜, 금형 내로 공급되는 수지의 공급속도를 조절하고, 입력된 금형 내 압력을 형성하도록 가스 흡입/배출장치를 제어한다. 또한, 제어부는 진공홀 체크부로부터 진공홀이 막혀있음을 수신하면, 추가 몰딩 작업을 중지하고 금형의 세척 공정을 진행한다. The control unit may be configured in the semiconductor device molding apparatus or may be configured to be connected to the semiconductor device molding apparatus on a network. The resin may be supplied to the mold by moving the resin pressing unit according to the moving speed of each section input from the user interface unit. The speed is controlled and the gas intake / exhaust device is controlled to form the pressure in the mold. In addition, when the control unit receives that the vacuum hole is blocked from the vacuum hole checker, the additional molding operation is stopped and the mold cleaning process is performed.

이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 반도체소자 몰딩 방법을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a semiconductor device molding method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 4.

먼저, 상부금형과 하부금형(10) 사이의 금형 내 압력과 수지가압부(13)의 구간별 이동 속도를 설정하여(s100), 사용자 인터페이스부를 통하여 입력한다. 이 때, 수지가압부(13)의 이동 속도는 수지가압부(13)가 수지공급위치(T)로부터 하부금형(10) 표면 위치(P)로 이동되는 속도이며, 수지가압부(13)의 구간별 이동 속도는 수지공급위치(T)로부터 하부금형(10) 표면 위치(P)의 거리를 소정의 구간별로 나누었을 때 각 구간별로 각각 설정된 이동 속도를 의미한다. First, the pressure within the mold between the upper mold and the lower mold 10 and the moving speed for each section of the resin pressurizing unit 13 are set (s100) and input through the user interface unit. At this time, the moving speed of the resin pressing section 13 is a speed at which the resin pressing section 13 moves from the resin supply position T to the surface position P of the lower mold 10, and the resin pressing section 13 The moving speed for each section refers to the moving speed set for each section when the distance of the lower mold 10 surface position P from the resin supply position T is divided for each predetermined section.

이러한 구간별 이동 속도는 몰딩하고자 하는 반도체소자의 특성, 구체적으로 반도체소자의 크기, 그리고 반도체소자와 리드 프레임을 연결하는 와이어의 길이등, 및 수지 원료의 특성을 고려하여 설정될 수 있다. 구체적으로, 포트(12)로부터 배출되는 용융된 수지가 빈 공간 상에서 이동되는 구간에서는 수지가압부(13)의 이동 속도를 높게 하여 수지가 빠르게 공급되게 하며, 용융된 수지가 반도체소자에 연결된 와이어에 인접하여 용융된 수지의 흐름 압력이 지나칠 경우 와이어에 변형등이 발생될 우려가 있는 구간에서는 수지가압부(13)의 이동 속도를 낮게 하여 수지가 느리게 공급되게 할 수 있다. 또한, 사용되는 수지 원료가 용융된 후 점성이 높은 경우에는 수지가압부(13)의 이동 속도를 높게하고 금형 내 압력을 낮게 하여 용융된 수지가 보다 신속하게 이동하게 하고, 사용되는 수지 원료가 용융된 후 점성이 낮은 경우에는 수지가압부(13)의 이동 속도를 낮추고 금형 내 압력을 높게 하여 용융된 수지의 이동 속도를 제어할 수 있다. The movement speed for each section may be set in consideration of characteristics of the semiconductor device to be molded, specifically, the size of the semiconductor device, the length of the wire connecting the semiconductor device and the lead frame, and the properties of the resin raw material. Specifically, in the section in which the molten resin discharged from the port 12 is moved on the empty space, the resin is supplied quickly by increasing the moving speed of the resin pressurizing unit 13, and the molten resin is connected to a wire connected to the semiconductor element. When the flow pressure of the adjacent molten resin is excessive, the resin may be supplied slowly by lowering the moving speed of the resin pressing part 13 in a section in which deformation or the like may occur in the wire. In addition, in the case where the viscosity of the resin is high after melting, the viscosity of the resin pressurizing unit 13 is increased and the pressure in the mold is lowered to allow the molten resin to move more quickly. After the viscosity is low, the moving speed of the resin pressurizing unit 13 may be lowered and the pressure in the mold may be increased to control the moving speed of the molten resin.

이와 같이, 금형 내 압력과 수지가압부(13)의 구간별 이동 속도가 모두 입력되면, 하부금형(10) 내부에 자재를 로딩한다(s200). 이때 하부금형(10) 내부에 로딩되는 자재는 몰딩하고자 하는 반도체소자, 그리고 반도체소자를 몰딩하는데 이용되는 수지 원료를 포함한다. 이때, 반도체소자는 금형 내에 구비된 반도체소자 적 재부(14)에 적재되며, 수지 원료는 금형 내에 구비된 포트(12)에 적재된다. 이때, 포트(12) 내부의 수지가압부(13)는 수지공급위치(T)에 위치한다. As such, when both the pressure in the mold and the moving speed for each section of the resin pressurizing unit 13 are input, the material is loaded into the lower mold 10 (S200). In this case, the material loaded in the lower mold 10 includes a semiconductor device to be molded and a resin raw material used to mold the semiconductor device. At this time, the semiconductor element is loaded on the semiconductor element loading portion 14 provided in the mold, and the resin raw material is loaded on the port 12 provided in the mold. At this time, the resin pressing portion 13 inside the port 12 is located at the resin supply position (T).

그 후, 금형을 가압 가열하여 로딩된 수지 원료를 용융시킨다(s300).Thereafter, the mold is heated under pressure to melt the loaded resin raw material (s300).

이때, 제어부는 금형에 대한 압력을 기 설정 압력과 비교하여, 가해진 압력이 기 설정 압력을 초과하면, 포트(12) 내부의 수지공급위치(T)에서 수지를 지지하고 있던 수지가압부(13)를 상승시켜 금형 내부로 용융된 수지를 공급한다. 구체적으로, 수지가압부(13)는 수지공급위치(T)로부터 하부금형(10) 표면 위치(P)까지 각 구간별로 각각 설정된 이동 속도에 따라 용융된 수지를 하부금형(10) 내에 구비된 반도체소자 적재부(14) 방향으로 공급한다. 동시에, 제어부는 가스 흡입/배출장치를 제어하여, 하부금형(10) 내부에 구비되어 있는 진공홀(15)을 통해 상부금형과 하부금형(10) 사이의 밀폐된 공간 내 공기 및 가스가 배출하여 금형 내부를 설정된 압력으로 형성한다(s400).At this time, the control unit compares the pressure on the mold with the preset pressure, and when the applied pressure exceeds the preset pressure, the resin pressurizing unit 13 supporting the resin at the resin supply position T inside the port 12. Is raised to supply molten resin into the mold. Specifically, the resin pressing unit 13 is a semiconductor provided with the molten resin in the lower mold 10 according to the movement speed set for each section from the resin supply position T to the surface position P of the lower mold 10. Supply in the direction of the element mounting portion 14. At the same time, the control unit controls the gas suction / discharge device, and the air and gas in the closed space between the upper mold and the lower mold 10 are discharged through the vacuum hole 15 provided in the lower mold 10. The inside of the mold is formed at a set pressure (s400).

이때, 진공홀(15)을 통해 공기 및 가스를 배출하여 금형 내부의 압력을 설정된 압력으로 형성하는 방법으로는 특별한 제한은 없으며, 바람직하게는 진공홀(15)을 통해 상부금형과 하부금형(10) 사이의 밀폐된 공간 내 공기 및 가스를 배출하여 금형 내부 압력을 점차적으로 설정된 압력에 도달시키는 방법, 또는 금형 내부 압력을 설정된 압력에 도달 시킨 후, 진공홀(15)내 진공 압력을 낮추어 금형 내부 압력을 설정된 압력으로부터 점차적으로 낮추는 방법을 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. At this time, there is no particular limitation as to a method of forming the pressure inside the mold to a predetermined pressure by discharging air and gas through the vacuum hole 15, preferably the upper mold and the lower mold 10 through the vacuum hole 15 ) To discharge the air and gas in the enclosed space to gradually reach the set pressure inside the mold, or to reach the set pressure within the mold, and then lower the vacuum pressure in the vacuum hole 15 to A method of gradually lowering the pressure from the set pressure may be appropriately selected and used.

이때, 상부금형과 하부금형(10) 사이의 밀폐된 공간 내 압력을 측정하게 되 며(s600), 측정된 압력과 설정된 압력을 비교하여 측정된 압력이 설정된 압력에 도달하는 경우 제어부는 반도체소자의 몰딩을 계속 진행하나, 측정된 압력이 설정된 압력에 도달하지 못하는 경우에는 반도체소자의 몰딩을 종료한다(s650).In this case, the pressure in the closed space between the upper mold and the lower mold 10 is measured (s600), and when the measured pressure reaches the set pressure by comparing the measured pressure with the set pressure, the controller controls the semiconductor device. If the molding continues, but if the measured pressure does not reach the set pressure, the molding of the semiconductor device is terminated (s650).

한편, 용융된 수지가 금형에 완전히 채워지게 되면, 수지공급부(13)의 상승은 중단되고, 그에 따라 금형 내 수지공급을 종료되며, 진공홀(15)을 통한 공기 및 가스의 배출을 중단하여 금형 내 압력 형성이 종료된다(s700). On the other hand, when the molten resin is completely filled in the mold, the rise of the resin supply unit 13 is stopped, and thus the resin supply in the mold is terminated, and the discharge of air and gas through the vacuum hole 15 is stopped to mold the mold. End pressure formation is terminated (s700).

이렇게, 금형 내 반도체소자의 몰딩이 모두 완료되면(s800), 상부금형은 하부금형(10)으로부터 열리게 되고, 수지로 몰딩된 반도체소자는 배출핀(11)을 이용하여 하부금형(10) 밖으로 배출되게 된다(s900).When the molding of the semiconductor device in the mold is completed (s800), the upper mold is opened from the lower mold 10, and the semiconductor element molded of resin is discharged out of the lower mold 10 by using the discharge pin 11. It becomes (s900).

이와 같이, 반도체소자의 몰딩이 종료 되면, 진공홀 체크부는 하부금형(10)의 진공홀(15)이 용융된 수지에 의해 막혀 있는지를 확인한다(s1000). As such, when the molding of the semiconductor device is completed, the vacuum hole checker checks whether the vacuum hole 15 of the lower mold 10 is blocked by the molten resin (S1000).

이때, 진공홀(15)이 수지에 의해 막혀있는 경우에는 제어부는 추가 몰딩을 중단하고(s650), 하부금형(10)을 청소하여 진공홀(15)을 다시 뚫게 된다.In this case, when the vacuum hole 15 is blocked by the resin, the control unit stops the additional molding (s650) and cleans the lower mold 10 to drill the vacuum hole 15 again.

그러나, 진공홀(15)이 막혀있지 않은 경우에는 제어부는 가스 흡입/배출장치를 통해 진공홀(15)에 공기를 불어 넣어 주어(s1100) 진공홀(15)에 잔존할 수 있는 이물질을 일차 제거한 후 추가 몰딩을 수행한다. However, when the vacuum hole 15 is not blocked, the control unit blows air into the vacuum hole 15 through a gas suction / discharge device (s1100) to remove foreign substances that may remain in the vacuum hole 15. After further molding.

이상 살펴본 바와 같이, 본 발명의 반도체소자 몰딩 방법에 의하면, 몰딩하고자 하는 반도체소자의 특성, 즉 반도체소자의 크기, 그리고 반도체소자와 리드 프레임을 연결하는 와이어의 길이등, 및 사용되는 수지 원료의 특성에 맞도록 수지 가압부의 이동 속도 및 금형 내 압력을 설정할 수 있어, 반도체소자의 특성 및 수지 원료의 특성에 맞도록 몰딩을 수행할 수 있다.  As described above, according to the semiconductor device molding method of the present invention, the characteristics of the semiconductor device to be molded, that is, the size of the semiconductor device, the length of the wire connecting the semiconductor device and the lead frame, and the characteristics of the resin raw material used It is possible to set the moving speed and the pressure in the mold of the resin pressurizing portion so as to fit, so that molding can be performed to match the characteristics of the semiconductor element and the resin raw material.

따라서, 용융된 수지가 빠르게 공급되어도 좋은 구간에서는 용융된 수지를 빠르게 공급하여 반도체소자의 몰딩 속도를 증진시키고, 용융된 수지의 흐름 압력에 따라 반도체소자를 연결하는 와이어등에 변형이 우려되는 구간에서는 용융된 수지를 느리게 공급하여 와이어의 변형을 예방할 수 있으며, 수지의 공급 속도를 적절하게 조절함으로써 반도체소자의 몰딩체에 발생할 수 있는 내부 기포(void)등의 불량을 방지할 수 있다. 또한, 용융된 수지가 진공홀 주변으로 이동될 때에는 진공홀을 통해 가해지는 공기 및 가스 배출 압력을 조절하여 용융된 수지가 진공홀에 도입되어 진공홀이 막히게 되는 문제를 개선할 수 있다. Therefore, in a section in which molten resin may be supplied quickly, the molten resin is quickly supplied to increase the molding speed of the semiconductor device, and in a section in which deformation is feared in the wire connecting the semiconductor device according to the flow pressure of the molten resin. It is possible to prevent the deformation of the wire by slowly supplying the resin, and to prevent defects such as internal voids that may occur in the molding of the semiconductor device by appropriately adjusting the supply speed of the resin. In addition, when the molten resin is moved around the vacuum hole, it is possible to improve the problem that the molten resin is introduced into the vacuum hole to block the vacuum hole by adjusting the air and gas discharge pressure applied through the vacuum hole.

또한, 본 발명의 반도체소자 몰딩 방법은 반도체소자의 몰딩 후 다음 반도체소자의 몰딩 이전에 진공홀의 막힘 여부를 체크하게 함으로써, 다음 반도체소자의 몰딩 공정시 진공홀이 막혀 있어 수지 공급 속도를 적절하게 조절하지 못하는 문제를 방지할 수 있다. In addition, the method of molding a semiconductor device of the present invention allows the vacuum hole to be blocked after the molding of the semiconductor device and before the molding of the next semiconductor device. It can prevent the problem that cannot be done.

따라서, 본 발명의 반도체소자 몰딩 방법에 의하면 와이어의 변형이나 내부 기포가 없는 우수한 품질의 반도체소자 몰딩체를 생산할 수 있게 된다. Therefore, according to the semiconductor device molding method of the present invention, it is possible to produce a semiconductor device molding of excellent quality without the deformation of wires or internal bubbles.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and it is obvious that the present invention belongs to the appended claims. Do.

Claims (15)

외부와 연통되는 진공홀, 반도체소자가 적재되는 반도체소자 적재부, 수지 원료가 적재되는 포트, 및 상기 포트 내부에서 수지공급위치와 표면위치 사이를 왕복 운동하는 수지가압부를 포함하는 금형;A mold including a vacuum hole communicating with the outside, a semiconductor device loading part on which semiconductor elements are loaded, a port on which resin raw materials are loaded, and a resin pressing part reciprocating between a resin supply position and a surface position in the port; 상기 진공홀과 연통되며, 상기 금형 내부로부터 가스를 흡입하여 배출하는 가스 흡입/배출 장치; 및A gas suction / discharge device communicating with the vacuum hole and sucking and discharging gas from the inside of the mold; And 입력된 구간별 이동 속도에 따라 상기 수지가압부를 이동시키며, 입력된 금형 내 압력을 형성하도록 상기 가스 흡입/배출 장치를 제어하는 제어부;A control unit which moves the resin pressurizing unit according to the input movement speed for each section and controls the gas suction / discharge device to form the input pressure in the mold; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 몰딩 장치. Semiconductor device molding apparatus comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 구간별 이동 속도는 상기 수지공급위치와 표면위치 사이의 거리를 복수의 구간으로 나누었을 때, 상기 수지가압부의 각 구간에서의 이동속도인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 장치. And the movement speed for each section is a movement speed in each section of the resin pressurizing unit when the distance between the resin supply position and the surface position is divided into a plurality of sections. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 수지원료의 길이는 상기 수지공급위치와 상기 표면위치사이의 거리에 대응하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 장치. And the length of the support material corresponds to the distance between the resin supply position and the surface position. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가스 흡입/배출 장치는 상기 반도체소자의 몰딩 완료후 상기 진공홀로의 가스 배출 여부를 판단하는 기능을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 장치. The gas suction / exhaust device further comprises a function of determining whether gas is discharged into the vacuum hole after the molding of the semiconductor device is completed. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 입력된 구간별 이동 속도 및 금형 내 압력은 상기 반도체소자의 특성 또는 상기 수지 원료의 특성에 따라서 설정되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 장치. The input device moving speed and the pressure in the mold is set in accordance with the characteristics of the semiconductor device or the resin raw material. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 반도체소자의 특성은 상기 반도체소자의 크기, 또는 상기 반도체소자와 연결되어 있는 와이어의 길이인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 장치. The semiconductor device molding apparatus is characterized in that the characteristic of the semiconductor device is the size or length of the wire connected to the semiconductor device. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 수지 원료의 특성은 용융된 수지의 점성인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 장치. The resin raw material molding apparatus, characterized in that the characteristic of the resin raw material is the viscosity of the molten resin. 금형 내부의 반도체소자 적재부 및 포트에 각각 반도체소자 및 이를 몰딩하기 위한 수지 원료를 로딩하는 단계;Loading a semiconductor device and a resin raw material for molding the semiconductor device into the semiconductor device loading part and the port in the mold; 상기 금형을 가압 가열하여 상기 수지 원료를 용융시키는 단계;Melting the resin raw material by heating the mold under pressure; 상기 포트 내부에 위치한 수지가압부를 기 설정된 구간별 속도로 상승시켜 용용된 수지를 금형 내부로 공급하는 단계; 및 Supplying the molten resin into the mold by raising the resin pressurizing unit located inside the pot at a predetermined speed for each section; And 상기 금형 내부에 위치한 진공홀을 통해 가스를 배출하여 상기 금형 내부의 압력을 기 설정된 내부 압력으로 형성하는 단계; Discharging gas through a vacuum hole located in the mold to form a pressure inside the mold at a preset internal pressure; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 몰딩 방법. Semiconductor device molding method comprising a. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 금형에 가해진 압력을 기 설정 압력과 비교하는 단계; 및Comparing the pressure applied to the mold with a preset pressure; And 상기 금형에 가해진 압력이 상기 기 설정 압력을 초과하는 경우 상기 수지가압부를 상승시키는 단계;Raising the resin pressing part when the pressure applied to the mold exceeds the preset pressure; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 방법. The semiconductor device molding method further comprises. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 반도체소자의 몰딩이 완료되어 배출된 후, 상기 진공홀의 막힘 여부를 체크하는 단계;Checking whether the vacuum hole is blocked after molding of the semiconductor device is completed and discharged; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 방법. The semiconductor device molding method further comprises. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 구간별 이동 속도는 상기 수지공급위치와 표면위치 사이의 거리를 복수 의 구간으로 나누었을 때, 상기 수지가압부의 각 구간에서의 이동속도인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 방법. The moving speed for each section is the semiconductor device molding method, characterized in that the movement speed in each section of the resin pressing unit when the distance between the resin supply position and the surface position is divided into a plurality of sections. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 수지원료의 길이는 상기 수지공급위치와 상기 표면위치사이의 거리에 대응하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 방법.And the length of the support material corresponds to the distance between the resin supply position and the surface position. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 기 설정된 구간별 이동 속도 및 상기 기 설정된 내부 압력은 상기 반도체소자의 특성 또는 상기 수지 원료의 특성에 따라서 설정되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 방법. And the predetermined moving speed and the predetermined internal pressure are set according to the characteristics of the semiconductor element or the resin raw material. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 반도체소자의 특성은 상기 반도체소자의 크기, 또는 상기 반도체소자와 연결되어 있는 와이어의 길이인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 방법. The semiconductor device molding method is characterized in that the size of the semiconductor device, or the length of the wire connected to the semiconductor device. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 수지 원료의 특성은 용융된 수지의 점성인 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 몰딩 방법. The semiconductor device molding method characterized in that the characteristic of the resin raw material is the viscosity of the molten resin.
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