KR100787636B1 - Method of forming metal pattern and ??? filter and display device comprising metal pattern - Google Patents

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Abstract

효율적으로 고전도도의 미세 금속 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공한다. 이 금속 패턴을 형성하는 방법은 기판 상에 형성된 광반응필름층 상에 금속 패턴 형성 영역을 정의하는 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계 및 포토레지스트 몰드에 의해 노출되고 선택적으로 활성화 된 광반응화합물을 포함하는 광반응필름층 상에 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 방법으로 형성된 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터 및 디스플레이 장치를 또한 제공한다.Provided is a method for efficiently forming a fine metal pattern of high conductivity. The method of forming a metal pattern includes forming a photoresist mold defining a metal pattern formation region on a photoreaction film layer formed on a substrate, and including a photoreactive compound exposed and selectively activated by the photoresist mold. Forming a metal pattern on the photoreaction film layer. Also provided is an electromagnetic wave shielding filter and display device comprising a metal pattern formed in this manner.

금속 패턴, 전자파 차폐 필터, 디스플레이 장치, 포토레지스트 몰드Metal pattern, electromagnetic shielding filter, display device, photoresist mold

Description

금속 패턴 형성 방법과 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터 및 디스플레이 장치{Method of forming metal pattern and EMI filter and display device comprising metal pattern}Electromagnetic shielding filter and display device comprising a metal pattern forming method and a metal pattern {Method of forming metal pattern and EMI filter and display device comprising metal pattern}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 패턴의 제조 공정의 흐름도이다.1 is a flow chart of a manufacturing process of a metal pattern according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 패턴의 제조 공정에 있어서 각 단계별 공정 중간 단계 구조물의 단면도들이다. 2 to 5 are cross-sectional views of the intermediate step structure of each step in the manufacturing process of the metal pattern according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 장치를 나타내는 분해사시도이다.6 is an exploded perspective view showing a PDP apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터를 포함하는 PDP 장치를 나타낸 사시도이다. 7 is a perspective view illustrating a PDP device including an electromagnetic shielding filter according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

210: 기판 220: 광반응필름층210: substrate 220: photoreaction film layer

230: 포토레지스트층 230': 포토레지스트 몰드230: photoresist layer 230 ': photoresist mold

240: 무전해 도금핵 패턴 250: 금속 패턴240: electroless plating core pattern 250: metal pattern

310: 마스크 500: 전자파 차폐 필터310: mask 500: electromagnetic shielding filter

600: PDP 장치 610: 케이스600: PDP device 610: case

620: 구동 회로 기판 630: 패널 어셈블리620: drive circuit board 630: panel assembly

640: 커버 711: 전면기판640: cover 711: front substrate

712: 유지전극 713: 버스전극712: sustain electrode 713: bus electrode

714: 유전체층 715: 유전체 보호막714: dielectric layer 715: dielectric protective film

721: 배면기판 722: 어드레스 전극721: back substrate 722: address electrode

723: 유전체층 724: 격벽723: dielectric layer 724: partition wall

725: 형광체층 725R: 적색 형광체층725: phosphor layer 725R: red phosphor layer

725G: 녹색 형광체층 725B: 청색 형광체층725G: green phosphor layer 725B: blue phosphor layer

726: 방전셀726: discharge cell

본 발명은 금속 패턴 형성 방법과 상기 방법으로 형성된 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터 및 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 효율적으로 고전도도의 미세 금속 패턴을 형성할 수 있는 방법과 상기 방법에 의해 수득한 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a metal pattern and an electromagnetic wave shielding filter and a display device including the metal pattern formed by the above method, and more particularly, to a method for efficiently forming a fine metal pattern having high conductivity, and by the method An electromagnetic wave shielding filter and a display apparatus containing the obtained metal pattern.

현대 사회가 고도로 정보화 되어감에 따라서 광일렉트로닉스 (Photoelectronics) 관련부품 및 기기가 현저하게 진보하고 보급되고 있다. 그 중에서, 화상을 표시하는 디스플레이 장치는 텔레비전 장치용, 퍼스널컴퓨터의 모니터 장치용 등으로서 현저하게 보급되고 있으며, 또한 이러한 디스플레이 장치의 대형화와 동시에 박형화가 진행되고 있다. As the modern society is highly informationized, photoelectronics-related components and devices are remarkably advanced and widely distributed. Among them, display apparatuses for displaying images are widely used for television apparatuses, monitor apparatuses of personal computers, and the like, and thinning is progressing at the same time as such display apparatuses are enlarged.

상기 디스플레이 장치의 일 예로서 PDP 장치는 기존의 디스플레이 장치를 대 표하는 CRT에 비해 대형화 및 박형화를 동시에 만족할 수 있어 차세대 디스플레이 장치로서 각광받고 있다. 이러한 PDP 장치는 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하다. 그리고, PDP 장치는 다른 표시장치보다 대형화가 용이하고, 박형의 발광형 표시장치로써 향후 고품질 디지털 텔레비젼으로서 가장 적합한 특성을 갖추고 있는 것으로 평가되고 있어 CRT를 대체할 수 있는 디스플레이 장치로 각광받고 있다.As an example of the display device, the PDP device is in the spotlight as the next generation display device because it can satisfy both the size and the thickness of the display device, compared to the CRT representing the existing display device. Such a PDP apparatus displays an image using a gas discharge phenomenon, and is excellent in various display capabilities such as display capacity, brightness, contrast, afterimage, viewing angle, and the like. In addition, the PDP device is easier to be enlarged than other display devices, and is considered to be a thin light emitting display device having the most suitable characteristics as a high quality digital television in the future.

PDP 장치는 전극에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이의 가스에서 방전이 발생하고, 여기에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체를 여기시켜 발광하게 된다.The PDP device generates a discharge in the gas between the electrodes by a direct current or an alternating current voltage applied to the electrode, and excites the phosphor by the radiation of ultraviolet rays, which emits light.

그러나, PDP 장치는 그 구동 특성상 전자파 및 근적외선의 방출량이 많고 형광체의 표면반사가 높을 뿐 아니라 봉입가스인 헬륨(He)이나 제논(Xe)에서 방출되는 오렌지 광으로 인해 색순도가 음극선관에 미치지 못하는 단점이 있다.However, due to its driving characteristics, the PDP device has a high emission amount of electromagnetic waves and near infrared rays, high surface reflection of the phosphor, and color purity of the PDP device due to the orange light emitted from the encapsulated helium (He) or xenon (Xe), which does not reach the cathode ray tube. There is this.

따라서, PDP 장치에서 발생되는 전자파 및 근적외선에 의해 인체에 유해한 영향을 미치고 무선 전화기나 리모콘 등의 정밀기기의 오동작을 유발할 수도 있다. 이러한 PDP 장치를 사용하기 위해서는, PDP 장치로부터 방출되는 전자파와 근적외선의 방출을 소정치 이하로 억제하는 것이 요구되고 있다. 이를 위해, 전자파 및 근적외선을 차폐하는 동시에 반사광을 감소시키고 색순도를 향상시키기 위해 전자파 차폐, 근적외선 차폐 및/또는 색보정 등의 기능을 갖는 전자파 차폐 필터를 채용하고 있다.Therefore, electromagnetic waves and near-infrared rays generated in the PDP device may adversely affect the human body and cause malfunction of precision devices such as a wireless telephone or a remote controller. In order to use such a PDP apparatus, it is required to suppress the emission of electromagnetic waves and near-infrared rays emitted from the PDP apparatus below a predetermined value. To this end, an electromagnetic wave shielding filter having a function such as electromagnetic shielding, near-infrared shielding, and / or color correction is employed to shield electromagnetic waves and near infrared rays while reducing reflected light and improving color purity.

일본특개평5-16281호 및 일본특개평10-72676호는 폴리카보네이트 등의 투명 기판상에 투명 수지층을 형성하고, 그 위에 무전해 동도금 처리를 한 후 미세사진식각공정에 의한 에칭법에 의해 메쉬 패턴을 형성하는 전자파 차폐 필터의 제조방법을 개시하고 있는 바, 이 경우 금속박막을 처리하는 점에서는 공정상 유리할 수 있으나 기판의 전면에 금속의 도금층을 형성한 뒤에, 에칭을 하기 때문에 에칭되어 버려지는 금속층이 낭비된다. 특히 디스플레이 장치용 전자파 차폐 필터의 경우, 투과율을 고려하여 비교적 넓은 개구율을 유지해야 하므로 에칭되어지는 금속층이 많게 된다. 또한 높은 전자파 차폐효율을 위해, 낮은 면저항이 필요한 경우 두꺼운 금속막이 필요하므로 에칭에 의해 용해 제거되는 금속 도전층도 두꺼워지게 되고, 이경우 금속 패턴의 측면에 있어서의 사이드 에칭 현상이 발생한다는 문제가 있다. 그 때문에 금속 패턴의 라인 폭과 스페이스 폭의 축소화에 한계가 있다.JP-A-5-16281 and JP-A-10-72676 form a transparent resin layer on a transparent substrate, such as polycarbonate, and after electroless copper plating treatment thereon, by a microphotographic etching process. Disclosed is a method of manufacturing an electromagnetic shielding filter for forming a mesh pattern. In this case, the method may be advantageous in terms of processing a metal thin film, but may be etched after forming a plating layer of metal on the entire surface of the substrate. The metal layer is wasted. In particular, in the case of the electromagnetic wave shielding filter for a display device, since a relatively wide aperture must be maintained in consideration of the transmittance, many metal layers are etched. In addition, for high electromagnetic shielding efficiency, when a low sheet resistance is required, a thick metal film is required, so that the metal conductive layer dissolved and removed by etching is also thickened. In this case, there is a problem that a side etching phenomenon occurs on the side of the metal pattern. Therefore, there is a limit to the reduction of the line width and the space width of the metal pattern.

한편, 일본특개평13-168574호는 에칭 과정 없이 메쉬 패턴을 형성하는 방법을 개시하고 있는 바, 상기 방법에서는 환원금속입자(무전해 도금 촉매)를 함유하는 투명수지 코팅막을 투명 기판 위에 형성한 후, 메쉬 패턴 상의 개구부의 촉매를 비활성화 처리 또는 용해 제거 처리제를 접촉시키고, 전자파 또는 전자선을 조사한 후 촉매 부분만 무전해 도금 처리를 하여 메쉬 상의 전자파 차폐 필름을 형성한다. 상기 방법에 의할 경우 전면에 도금층을 성장시키지 않고 특정 부분만 선택적으로 도금막을 성장시킬 수 있지만, 촉매층 상에 금속 화학 도금층이 성장 시 횡방향으로의 성장을 막아주지 못하기 때문에 선폭의 증가가 발생하게 되어 선폭의 제어가 용이하지 않다는 문제가 있다.On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 13-168574 discloses a method of forming a mesh pattern without an etching process. In this method, a transparent resin coating film containing reducing metal particles (electroless plating catalyst) is formed on a transparent substrate. After contacting the catalyst of the opening on the mesh pattern with the deactivation treatment or the dissolution removal treatment agent, the electromagnetic wave or the electron beam is irradiated, and only the catalyst portion is subjected to electroless plating to form an electromagnetic shielding film on the mesh. According to the above method, the plating film can be selectively grown only on a specific portion without growing the plating layer on the front surface, but an increase in line width occurs because the metal chemical plating layer on the catalyst layer does not prevent the growth in the transverse direction. There is a problem that the control of the line width is not easy.

따라서, 당해 기술분야에서는 고진공·고온 등을 요하는 금속 박막 공정 또는 미세 형상 노광공정과 후속하는 에칭공정이 생략된 간단한 공정에 의해 빠르고 효율적으로 고전도도의 금속 패턴을 형성할 수 있으며, 수득된 금속 패턴이 전자파 차폐 필터로 사용될 경우, 우수한 성능을 발휘할 수 있는 금속 패턴 형성 방법에 대한 요구가 있어왔다.Therefore, in the art, it is possible to form a high-conductivity metal pattern quickly and efficiently by a metal thin film process requiring a high vacuum or high temperature or a simple process in which a fine shape exposure process and a subsequent etching process are omitted. When the pattern is used as an electromagnetic shielding filter, there has been a need for a metal pattern forming method that can exhibit excellent performance.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 간단한 공정에 의한 효율적인 고전도도의 미세 금속 패턴의 형성 방법을 제공하고자 하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for forming an efficient high conductivity fine metal pattern by a simple process.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 방법에 의해 형성한 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터를 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding filter including a metal pattern formed by the above method.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 방법에 의해 형성한 금속 패턴을 포함하는 디스플레이 장치를 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a display device including a metal pattern formed by the above method.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 패턴 형성 방법은 기판 상에 형성된 광반응필름층 상에 금속 패턴 형성 영역을 정의하는 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 몰드에 의해 노출되고 선택적으로 활성화 된 광반응화합물을 포함하는 상기 광반응필름층 상에 금속 패턴 을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a metal pattern on a photoreaction film layer formed on a substrate and forming a photoresist mold defining a metal pattern formation region on the photoresist mold. And forming a metal pattern on the photoreaction film layer comprising the photoreaction compound exposed by and selectively activated.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전자폐 차폐 필터는 기판, 상기 기판 상에 형성된 광반응필름층, 상기 광반응필름층 내에서 선택적으로 활성화 된 광반응화합물을 포함하는 광반응필름층을 노출하는 포토레지스트 몰드 및 상기 포토레지스트 몰드 사이를 매립하는 금속 패턴을 포함한다.Electron shielding filter according to an embodiment of the present invention for achieving the another technical problem comprises a substrate, a photoreaction film layer formed on the substrate, a photoreaction compound selectively activated in the photoreaction film layer It includes a photoresist mold exposing the photoreactive film layer and a metal pattern buried between the photoresist mold.

상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 서로 대향 배치되게 결합하는 투명한 전면기판 및 배면기판과 상기 전면기판과 배면기판 사이에 다수의 방전셀을 구획 짓도록 연속적으로 개재되는 격벽과 상호 직교되도록 상기 전면기판 및 배면기판에 각각 형성된 스트라이프형 전극들을 포함하는 패널 어셈블리와, 상기 패널 어셈블리의 전면기판과 대향 배치되고, 기판, 상기 기판 상에 형성된 광반응필름층, 상기 광반응필름층 내에서 선택적으로 활성화 된 광반응필름층을 노출하는 포토레지스트 몰드, 상기 포토레지스트 몰드 사이를 매립하는 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터를 포함한다.The display device according to an embodiment of the present invention for achieving another technical problem is continuous so as to partition a plurality of discharge cells between the transparent front substrate and the rear substrate and the front substrate and the rear substrate are coupled to face each other. A panel assembly including stripe-shaped electrodes formed on the front substrate and the rear substrate so as to be orthogonal to the partition wall interposed therebetween, the panel assembly disposed to face the front substrate of the panel assembly, the substrate, the photoreaction film layer formed on the substrate, And a photoresist mold exposing the photoreactive film layer selectively activated in the photoreaction film layer, and an electromagnetic wave shielding filter including a metal pattern to fill the space between the photoresist mold.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알 려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 본 발명의 실시예들에 따른 금속 패턴 형성 방법, 상기 방법으로 형성한 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터 및 디스플레이 장치를 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of forming a metal pattern, an electromagnetic wave shielding filter and a display device including the metal pattern formed by the method will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

도 1은 금속 패턴의 제조 공정 흐름도이고, 도 2 내지 도 5는 각 단계별 공정 중간 단계 구조물의 단면도들이다.1 is a flow chart illustrating a manufacturing process of a metal pattern, and FIGS. 2 to 5 are cross-sectional views of each step process intermediate step structure.

도 1을 참조하면, 먼저 기판 상에 광반응필름층을 형성한다(S1). 본 발명의 '광반응필름층'은 광에 의해 그 특성이 현저히 변화하는 화합물 층을 의미한다. Referring to FIG. 1, first, a photoreactive film layer is formed on a substrate (S1). "Photoreactive film layer" of the present invention means a compound layer whose properties are significantly changed by light.

구체적으로, 도 2를 참조하면 기판(210) 상에 광반응필름층(220)을 형성한다. Specifically, referring to FIG. 2, the photoreaction film layer 220 is formed on the substrate 210.

본 발명에서 사용 가능한 기판(210)에는 특별한 제한은 없으나, 바람직하게는 투명한 플라스틱 기판이나 유리 재료가 사용된다. 투명한 플라스틱 기판으로는 아크릴, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리에테르설폰, 올레핀 말레이미드 공중합체, 노보넨계 수지 등이 이용될 수 있고, 내열성이 요구되는 경우 올레핀 말레이미드 공중합체, 노보넨계 수지가 좋으며, 그렇지 않은 경우 폴리에스테르 필름이나 아크릴 수지 등을 이용하는 것이 바람직하다.The substrate 210 usable in the present invention is not particularly limited, but a transparent plastic substrate or glass material is preferably used. As the transparent plastic substrate, acrylic, polyester, polycarbonate, polyethylene, polyethersulfone, olefin maleimide copolymer, norbornene-based resin, and the like may be used. If not, it is preferable to use a polyester film, an acrylic resin, or the like.

상기 기판(210) 상에 적층되는 광반응필름층(220)에 포함되는 광반응화합물의 종류로는 광을 받는 쪽이 활성화되어 광전자를 발생시키는 네가티브 타입(Negative type)과 광을 받기 전에는 활성화되어 있다가 광에 의해 비활성화되는 포지티브 타입(Positive Type)이 있다.The photoreactive compound included in the photoreactive film layer 220 stacked on the substrate 210 may be activated before receiving light and a negative type for generating photoelectrons. There is a positive type which is then deactivated by light.

네가티브 타입의 광반응화합물로는 광에 의해 광전자를 형성할 수 있는 Ti를 포함한 유기금속화합물 등이 있다. Ti를 포함한 유기금속화합물의 예는 테트라이소프로필티타네이트(Tetraisopropyl titanate), 테트라-n-부틸티타네이트(Tetra-n-butyl titinate), 테트라키스(2-에틸-헥실)티타네이트(Tetrakis(2-ethyl-hexyl) titanate), 및 폴리부틸티타네이트(Polybutyltitanate)를 포함한다.Negative-type photoreactive compounds include organometallic compounds including Ti that can form photoelectrons by light. Examples of organometallic compounds including Ti are tetraisopropyl titanate, tetra-n-butyl titinate, tetrakis (2-ethylhexyl) titanate (Tetrakis (2) -ethyl-hexyl) titanate), and polybutyltitanate.

또한, 포지티브 타입의 광반응화합물로는 Sn을 포함한 유기금속화합물이 있다. Sn을 포함한 유기금속화합물의 예는 SnCl(OH) 및 SnCl2를 포함한다. The positive type photoreaction compound is an organometallic compound including Sn. Examples of organometallic compounds including Sn include SnCl (OH) and SnCl 2 .

본 발명의 사용되는 광반응화합물의 일 예로서 TiO2 전구체를 들 수 있으며, 이는 부탄올(Butanol)이나 프로판올(Propanol)에 통상 20%이내의 범위에서 희석하여 사용하는 것이 좋다. 광반응화합물은 범용으로 판매되는 제품을 사용하는 것이 가능하며, 대표적인 제품으로는 듀퐁사의 Tyzor®있다.An example of the photoreactive compound used in the present invention may include a TiO 2 precursor, which is preferably diluted in butanol or propanol within 20% of a range. Photoreactive compounds can be used commercially available products, a typical product is DuPont Tyzor ® .

본 발명의 광반응필름층(220)은 스핀 코팅(Spin coating), 롤 코팅(Roll coating), 디핑(Dipping) 또는 바 코팅(Bar coating)을 이용하여 기판(210) 상에 도포할 수 있다. 광반응필름층(220)을 도포하는 방법의 일 예로서 스핀 코팅에 의할 경우 통상 1000 내지 3000 rpm으로 회전하는 스핀 코터에서 도포할 수 있다.The photoreaction film layer 220 of the present invention may be applied onto the substrate 210 using spin coating, roll coating, dipping, or bar coating. As an example of a method of applying the photoreaction film layer 220, spin coating may be applied in a spin coater that rotates at 1000 to 3000 rpm.

본 발명의 광반응필름층(220)의 두께는 UV 조사 시간 및 광파장에 따라서 달라질 수 있으며, 각 조건에서 최적화하는 것이 중요하다.The thickness of the photoreactive film layer 220 of the present invention may vary depending on UV irradiation time and light wavelength, and it is important to optimize in each condition.

또한, 상기 광반응필름층(220)은 색보정을 위한 기능성 색소를 포함하는 것 이 가능하다. 이러한 색소로는 염료 또는 안료를 사용할 수 있다. 색소의 종류는 안트라퀴논계, 시아닌계, 아조계, 스트릴계, 프탈로시아닌계, 메틴계 등의 유기 색소가 있으며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 색소의 종류와 농도는 색소의 흡수파장, 흡수계수, 디스플레이 장치에서 요구되는 투과 특성에 의해서 결정되는 것이므로, 특정 수치로 한정되어 사용되지 않는다. In addition, the photoreaction film layer 220 may include a functional dye for color correction. As such a dye, a dye or a pigment can be used. Kinds of pigments include organic dyes such as anthraquinone, cyanine, azo, stryl, phthalocyanine and methine, but the present invention is not limited thereto. Since the type and concentration of the dye are determined by the absorption wavelength of the dye, the absorption coefficient, and the transmission characteristics required by the display device, the dye is not limited to a specific value.

이어서, 광반응필름층 상에 포토레지스트 몰드를 형성한다(S2).Next, a photoresist mold is formed on the photoreaction film layer (S2).

도 3a를 참조하면, 광반응필름층(220) 상부에 포토레지스트 몰드를 형성하기 위한 포토레지스트층(230)을 형성한다. 포토레지스트는 광반응필름층에 포함되는 광반응화합물의 타입에 따라서, 즉 광반응화합물이 네가티브 타입인 경우에는 포토레지스트는 포지티브 타입으로, 광반응화합물이 포지티브 타입인 경우에는 포토레지스트는 네가티브 타입으로 선택되어야 한다. Referring to FIG. 3A, a photoresist layer 230 for forming a photoresist mold is formed on the photoreaction film layer 220. The photoresist depends on the type of photoreactive compound included in the photoreactive film layer, i.e., the photoresist is positive when the photoreactive compound is negative, and the photoresist is negative when the photoreactive compound is positive. Should be chosen.

포지티브 타입의 포토레지스트로는 예를 들면 감광성 폴리이미드(Polyimide), 감광제를 첨가한 노블락 수지, 폴리계피산비닐, 폴리메틸이소프로비닐케톤, 폴리비닐페놀, 폴리비닐알코올 등이 있다. 또한 네가티브 타입의 포토레지스트는 바인더, 감광성 모노머 성분, 광개시제, 용매, 분산제 등을 포함한다. 주로 메타크릴산(Metacrylic acid) 계열, 아크릴산(Acrylic acid) 계열, 크로톤산(Crotonic acid) 계열, 말레산(Maleic acid) 계열의 바인더를 사용할 수 있으며, 감광성 모노머로는 폴리아크릴레이트(Polyacrylate) 계열이 주를 이루나 비닐(Vinyl) 계열을 사용할 수 있다. 광개시제로는 벤조인 에테르(Benzoin ether), 아세토페논(Acetophenone), 아실포스핀(Acylphosphine), 벤조페논(Benzophenone), 크 산톤(Xanthone), 퀴논(Quinone) 등을 사용할 수 있다.Positive type photoresists include, for example, photosensitive polyimide, noblock resin to which a photosensitive agent is added, polyvinyl cinnamic acid, polymethylisoprovinyl ketone, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, and the like. The negative type photoresist also includes a binder, a photosensitive monomer component, a photoinitiator, a solvent, a dispersant, and the like. Mainly, binders of methacrylic acid, acrylic acid, crotonic acid and maleic acid can be used.As the photosensitive monomer, polyacrylate is used. This may be achieved but vinyl may be used. Examples of the photoinitiator may include benzoin ether, acetophenone, acylphenine, acylphosphine, benzophenone, xanthone, quinone, and the like.

상기 포토레지스트층(230)은 색보정을 위한 기능성 색소를 포함하는 것이 가능하다. 이러한 색소로는 염료 또는 안료를 사용할 수 있다. 색소의 종류는 안트라퀴논계, 시아닌계, 아조계, 스트릴계, 프탈로시아닌계, 메틴계 등의 유기 색소가 있으며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 색소의 종류와 농도는 색소의 흡수파장, 흡수계수, 디스플레이 장치에서 요구되는 투과 특성에 의해서 결정되는 것이므로, 특정 수치로 한정되어 사용되지 않는다.The photoresist layer 230 may include a functional dye for color correction. As such a dye, a dye or a pigment can be used. Kinds of pigments include organic dyes such as anthraquinone, cyanine, azo, stryl, phthalocyanine and methine, but the present invention is not limited thereto. Since the type and concentration of the dye are determined by the absorption wavelength of the dye, the absorption coefficient, and the transmission characteristics required by the display device, the dye is not limited to a specific value.

상기한 바와 같이 광반응필름층(220) 상에 포토레지스트층(230)을 형성한 후 계속해서, 노광 공정을 실시한다.As described above, the photoresist layer 230 is formed on the photoreaction film layer 220, and then an exposure process is performed.

도 3b 및 도 3c를 참조하면, 금속 패턴이 형성될 영역을 정의한 다음 이러한 금속 패턴을 정의한 마스크(310)를 통한 자외선의 조사에 의해 포토레지스트층(230)과 광반응필름층(220)의 소정 영역을 노광한다.Referring to FIGS. 3B and 3C, the regions in which the metal patterns are to be formed are defined, and then the photoresist layer 230 and the photoreaction film layer 220 are formed by irradiation of ultraviolet rays through the mask 310 defining the metal patterns. The area is exposed.

도 3b에 도시되어 있는 바와 같이, 광반응화합물로서 네가티브 타입을 사용하고, 포토레지스트를 포지티브 타입을 사용한 경우에는 포토레지스트 몰드를 형성하고자 하는 영역을 노광(ER)하게 되면, 노광된 영역의 광반응필름층(220)에 포함되어 있는 광반응화합물이 활성화 되고, 포토레지스트층(230)의 노광 영역은 분해되며, 또한 후속하는 현상 공정에 의해 제거된다.As shown in FIG. 3B, when the negative type is used as the photoreactive compound and the positive type is used as the photoresist, when the area to be formed with the photoresist mold is exposed (ER), the photoreaction of the exposed area is performed. The photoreactive compound included in the film layer 220 is activated, and the exposed region of the photoresist layer 230 is decomposed and removed by a subsequent developing process.

도 3c에 도시되어 있는 바와 같이, 반대로 광반응화합물로서 포지티브 타입을 사용하고, 포토레지스트를 네가티브 타입으로 사용한 경우에는 포토레지스트 몰드를 형성하고자 하는 이외의 영역을 노광(ER)하게 되면, 비노광 영역의 광반응필 름층(220)에 포함되어 있는 광반응화합물의 활성이 유지되고, 포토레지스트층(230)의 비노광 영역이 분해되고, 또한 후속하는 현상 공정에 의해 제거된다.As shown in FIG. 3C, in the case where the positive type is used as the photoreactive compound and the photoresist is used as the negative type, the non-exposed area is exposed when ER is exposed to an area other than the photoresist mold. The activity of the photoreactive compound contained in the photoreaction film layer 220 is maintained, and the non-exposed areas of the photoresist layer 230 are decomposed and removed by a subsequent development process.

활성화 된 광반응화합물을 포함하는 광반응필름층에서는 광전자를 형성하게 되고, 후술하게 될 무전해 도금핵을 위한 잠재적 패턴이 된다. 이 광전자는 기저 상태에서 활성화 된 상태로 전이된 것으로 다른 양전하와 쉽게 결합할 수 있는 상태가 된다. 광전자의 생성 효율을 높이고, 라이프 타임(Life time)을 늘리기 위해서 트리에탄올아민, 이소프로필알코올, 시트르산 등과 같은 첨가제를 광반응필름층(220) 또는 포토레지스트층(230)에 적당량을 넣어 주는 것도 바람직하다. In the photoreaction film layer including the activated photoreaction compound, photoelectrons are formed and become a potential pattern for the electroless plating nuclei to be described later. The optoelectronics transition from the ground state to the active state, where they can be easily combined with other positive charges. In order to increase the efficiency of photoelectron generation and increase the life time, it is preferable to add an appropriate amount of additives such as triethanolamine, isopropyl alcohol, citric acid, etc. to the photoreaction film layer 220 or photoresist layer 230. .

선택적인 노광을 받은 포토레지스트층(230)은 현상 공정을 통하여 제거된다. 도 3d 및 도 3e는 현상 공정에 의하여 포토레지스트층의 일부가 제거되어 포토레지스트 몰드가 형성된 것을 도시한 것이다. 현상 방법으로는, 예를 들면, 샤워(Shower) 현상법, 현상액 중에 침지시키고 요동시키는 방법 등이 있을 수 있다. 또한 상온의 현상액을 이용하여 현상 공정을 행하거나, 현상 속도를 고려해 가열할 필요가 있을 때는 현상액을 승온하여 사용하는 것도 바람직하다.The selectively exposed photoresist layer 230 is removed through a development process. 3D and 3E illustrate that a portion of the photoresist layer is removed by a developing process to form a photoresist mold. As the developing method, for example, there may be a shower developing method, a method of immersing and shaking in a developing solution. Moreover, it is also preferable to heat up a developing solution, when it is necessary to perform a developing process using the developing solution at normal temperature, or to heat in consideration of developing speed.

이하에서는 광반응화합물로서 네가티브 타입을 사용하고, 포토레지스트를 포지티브 타입을 사용하여 노광 및 현상 공정을 실시한 경우에 대해서만 설명하기로 한다.Hereinafter, only the case where the negative type is used as the photoreactive compound and the photoresist is performed using the positive type will be described.

이어서, 포토레지스트 몰드에 의해 노출된 영역에 무전해 도금핵 패턴을 형성한다(S3). Next, an electroless plating nucleus pattern is formed in the region exposed by the photoresist mold (S3).

도 4를 참조하면, 무전해 도금을 위한 촉매 수용액에 노광된 광반응필름층 (220) 및 포토레지스트 몰드(230')를 포함하는 기판(210)을 침적한다. 양전하를 발생시킬 수 있는 금속 수용액에 침적시키면 노광에 의하여 형성된 광전자가 촉매 수용액 내의 양전하와 결합하여 환원 반응이 일어나게 되고, 이 반응을 통해 광전자가 형성된 영역에만 양전하 금속이 흡착하게 되어 무전해 도금핵 패턴(240)을 형성하게 된다. 상기 흡착된 금속 입자는 후속하는 도금 공정에서 금속 결정 성장을 촉진하는 촉매의 역할을 하게 된다. 구리, 니켈, 또는 금을 도금 처리할 경우, 이러한 금속염 처리를 통한 무전해 도금핵을 만드는 것이 바람직하다. 또한, 은 염용액 또는 팔라듐 염용액 또는 이들의 혼합 용액을 금속염 용액으로 사용한다. 팔라듐 또는 은 금속 입자 등이 환원된 무전해 도금핵 패턴(240)은 후속하는 무전해 도금 공정에서 촉매로서 충분한 활성을 지녀서 도금에 의한 금속 결정 성장을 촉진하므로, 보다 치밀한 조직의 금속 패턴을 얻을 수 있는 유리한 점이 있으므로 바람직하다.Referring to FIG. 4, the substrate 210 including the photoreactive film layer 220 and the photoresist mold 230 ′ exposed to the catalyst aqueous solution for electroless plating is deposited. When deposited on an aqueous metal solution capable of generating positive charges, the photoelectrons formed by exposure are combined with the positive charges in the aqueous catalyst solution to cause a reduction reaction, which causes the positively charged metal to be adsorbed only to the region where the photoelectrons are formed. 240 is formed. The adsorbed metal particles serve as a catalyst for promoting metal crystal growth in a subsequent plating process. When plating copper, nickel, or gold, it is desirable to make an electroless plating nucleus through such metal salt treatment. In addition, a silver salt solution or a palladium salt solution or a mixed solution thereof is used as the metal salt solution. The electroless plating core pattern 240 having reduced palladium or silver metal particles or the like has sufficient activity as a catalyst in a subsequent electroless plating process to promote metal crystal growth by plating, thereby obtaining a more compact metal pattern. It is preferable because there are advantages that can be obtained.

계속해서, 무전해 도금핵 패턴 상에 금속 패턴을 형성한다(S4).Subsequently, a metal pattern is formed on the electroless plating core pattern (S4).

도 5를 참조하면, 금속 패턴(250)의 형성은 전해 도금이나 무전해 도금으로도 충분히 가능하다. 금속 패턴(250)은 진공성막법에 의하여 형성한다면 밀착 강도 및 내구성이 우수하게 되지만, 공정 단순화를 위해서는 무전해 도금법이 가장 적당하며, 이하에서는 무전해 도금법을 사용한 경우에 대하여 설명하기로 한다.Referring to FIG. 5, the formation of the metal pattern 250 may be sufficiently performed by electrolytic plating or electroless plating. If the metal pattern 250 is formed by the vacuum film forming method, the adhesion strength and durability will be excellent. However, in order to simplify the process, the electroless plating method is most suitable. Hereinafter, the electroless plating method will be described.

도 5에 도시되어 있는 바와 같이 금속 결정이 무전해 도금핵 패턴(240) 상에서 성장시 포토레지스트 몰드(230')에 둘러싸여 있기 때문에, 횡방향으로의 성장은 규제된다. 따라서, 균일한 선폭의 금속 패턴(250)을 형성할 수 있어 선폭의 확장 없는 미세 선폭의 제어가 가능하다.As shown in FIG. 5, since the metal crystal is surrounded by the photoresist mold 230 ′ upon growth on the electroless plating core pattern 240, growth in the transverse direction is restricted. Therefore, the metal pattern 250 having a uniform line width can be formed, so that the fine line width can be controlled without expanding the line width.

무전해 도금핵 패턴(240) 상에 금속 패턴(250)을 형성하는 공정은 궁극적으로 수득하고자 금속 패턴(250)의 두께 등의 조건에 따라 여러 가지 조합으로 할 수 있음은 물론이다. 예를 들어, 수득하고자 하는 금속 패턴(250)의 두께가 두꺼운 경우, 초기에는 무전해 도금층으로 적정 두께까지 성장시킨 후, 이 무전해 도금층의 일부를 전극으로서 전해 도금층을 성장시키는 것도 바람직하다.The process of forming the metal pattern 250 on the electroless plating core pattern 240 may be of various combinations depending on the conditions such as the thickness of the metal pattern 250 to ultimately obtain. For example, when the thickness of the metal pattern 250 to be obtained is thick, it is also preferable to initially grow to an appropriate thickness with an electroless plating layer, and then grow a part of the electroless plating layer as an electrode to grow an electrolytic plating layer.

상기 금속 결정을 성장시켜 금속 패턴(250)을 형성한 뒤에는, 포토레지스트 몰드(230')를 박리 또는 제거할 수도 있지만, 포토레지스트 몰드(230')에 색소 첨가 등의 기능성을 부가하였을 경우에는 박리 또는 제거하지 않는 것도 바람직하다. 포토레지스트 몰드(230')를 박리 또는 제거하지 않았을 경우에는 또한 포토레지스트 몰드를 박리 또는 제거하고 금속 패턴 사이를 별도의 투명 수지 등으로 충전해야 하는 투명화 처리를 하지 않아도 되는 이점이 있는 것도 물론이다.After the metal crystals are grown to form the metal pattern 250, the photoresist mold 230 ′ may be peeled off or removed, but when the functionalities such as dye addition are added to the photoresist mold 230 ′, peeling is performed. Or not removed. Of course, when the photoresist mold 230 'is not peeled or removed, the photoresist mold may also be peeled or removed, and there is no need to perform a transparent treatment in which the metal pattern is filled with a separate transparent resin or the like.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 의해 형성된 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an electromagnetic shielding filter including a metal pattern formed by a method according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터(500)는 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 기판, 광반응필름층, 포토레지스트 몰드, 무전해 도금핵 패턴 및 금속 패턴을 포함한다.Electromagnetic shielding filter 500 according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a photoreactive film layer, a photoresist mold, an electroless plating nucleus pattern and a metal pattern as shown in FIG.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터(500)의 기판(210) 상에는 광반응필름층(220)이 위치한다.Referring to FIG. 5, the photoreaction film layer 220 is positioned on the substrate 210 of the electromagnetic wave shielding filter 500 according to an embodiment of the present invention.

상기 광반응필름층(220)은 광반응화합물을 포함하는 층으로써 노광에 의하여 광반응화합물이 선택적으로 광전자를 형성하여 후술하게 되는 무전해 도금핵 패턴(240) 형성에 기여하는 역할을 한다.The photoreactive film layer 220 is a layer containing a photoreactive compound and plays a role in contributing to the formation of an electroless plating nucleus pattern 240 to be described later by selectively forming a photoelectron by exposure to the photoreaction compound.

상기 광반응필름층(220)에 포함되는 광반응화합물로는 광을 받는 쪽이 활성화되어 광전자를 발생시키는 네가티브 타입과 광을 받기 전에는 활성화 되어 있다가 광에 의해 비활성화 되는 포지티브 타입이 있다. 네가티브 타입의 광반응화합물로는 광에 의해 광전자를 형성할 수 있는 Ti를 포함한 유기금속화합물 등이 있다. Ti를 포함한 유기금속화합물의 예는 테트라이소프로필티타네이트(Tetraisopropyl titanate), 테트라-n-부틸티타네이트(Tetra-n-butyl titinate), 테트라키스(2-에틸-헥실)티타네이트(Tetrakis(2-ethyl-hexyl) titanate), 및 폴리부틸티타네이트(Polybutyltitanate)를 포함한다. 또한, 포지티브 타입의 광반응화합물로는 Sn을 포함한 유기금속화합물이 있다. Sn을 포함한 유기금속화합물의 예는 SnCl(OH) 및 SnCl2를 포함한다. The photoreactive compound included in the photoreactive film layer 220 includes a negative type that receives light and is activated to generate photoelectrons, and a positive type that is activated before receiving light and deactivated by light. Negative-type photoreactive compounds include organometallic compounds including Ti that can form photoelectrons by light. Examples of organometallic compounds containing Ti include tetraisopropyl titanate, tetra-n-butyl titinate, tetrakis (2-ethylhexyl) titanate (Tetrakis (2) -ethyl-hexyl) titanate), and polybutyltitanate. The positive type photoreaction compound is an organometallic compound including Sn. Examples of organometallic compounds including Sn include SnCl (OH) and SnCl 2 .

또한, 상기 광반응필름층(220)은 기능성 색소를 포함할 수 있고, 이러한 경우에는 전자파 차폐 필터(500)는 추가적인 색보정 필름을 포함하지 않아도 색보정의 기능을 수행할 수 있다. In addition, the photoreaction film layer 220 may include a functional dye, and in this case, the electromagnetic shielding filter 500 may perform a function of color correction even without including an additional color correction film.

상기 광반응필름층(220)에 포함되는 색소로는 염료 또는 안료를 사용할 수 있다. 색소의 종류는 안트라퀴논계, 시아닌계, 아조계, 스트릴계, 프탈로시아닌계, 메틴계 등의 유기 색소가 있으며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 색소의 종류와 농도는 색소의 흡수파장, 흡수계수, 디스플레이 장치에서 요구되는 투과 특 성에 의해서 결정되는 것이므로, 특정 수치로 한정되어 사용되지 않는다. A dye or a pigment may be used as a dye included in the photoreaction film layer 220. Kinds of pigments include organic dyes such as anthraquinone, cyanine, azo, stryl, phthalocyanine and methine, but the present invention is not limited thereto. The type and concentration of the dye is determined by the absorption wavelength of the dye, the absorption coefficient, and the transmission characteristics required by the display device, and is therefore not limited to a specific value.

상기 광반응필름층(220) 상에 포토레지스트 몰드(230')가 위치한다. 상기 포토레지스트 몰드(230')는 광반응필름층 내에서 선택적으로 활성화 된 광반응화합물을 포함하는 광반응필름층을 노출하는 역할을 한다. 또한, 포토레지스트 몰드(230')의 선폭은 궁극적으로 수득하고자 하는 금속 배선의 선폭과 동일한 선폭을 갖는다. 즉, 상기 포토레지스트 몰드(230')는 금속 패턴(250)의 횡방향으로의 성장을 규제하는 역할을 한다.The photoresist mold 230 ′ is positioned on the photoreaction film layer 220. The photoresist mold 230 ′ exposes the photoreaction film layer including the photoreaction compound selectively activated in the photoreaction film layer. Also, the line width of the photoresist mold 230 'has the same line width as the line width of the metal wiring ultimately to be obtained. That is, the photoresist mold 230 ′ regulates the growth of the metal pattern 250 in the lateral direction.

상기 포토레지스트 몰드는 기능성 색소를 포함할 수 있고, 이러한 경우에는 전자파 차폐 필터(500)는 추가적인 색보정 필름을 포함하지 않아도 색보정의 기능을 수행할 수 있다.The photoresist mold may include a functional dye, and in this case, the electromagnetic shielding filter 500 may perform a function of color correction even without including an additional color correction film.

상기 포토레지스트 몰드(230')에 포함되는 색소로는 염료 또는 안료를 사용할 수 있다. 색소의 종류는 안트라퀴논계, 시아닌계, 아조계, 스트릴계, 프탈로시아닌계, 메틴계 등의 유기 색소가 있으며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 색소의 종류와 농도는 색소의 흡수파장, 흡수계수, 디스플레이 장치에서 요구되는 투과 특성에 의해서 결정되는 것이므로, 특정 수치로 한정되어 사용되지 않는다. A dye or a pigment may be used as a dye included in the photoresist mold 230 ′. Kinds of pigments include organic dyes such as anthraquinone, cyanine, azo, stryl, phthalocyanine and methine, but the present invention is not limited thereto. Since the type and concentration of the dye are determined by the absorption wavelength of the dye, the absorption coefficient, and the transmission characteristics required by the display device, the dye is not limited to a specific value.

상기 포토레지스트 몰드(230')에 의해 노출되는 광반응필름층(220) 에는 무전해 도금핵 패턴(240)이 위치할 수 있다. 상기 무전해 도금핵 패턴(240)은 후술하게 될 금속 패턴(250) 형성 시 촉매 역할을 한다.An electroless plating core pattern 240 may be disposed on the photoreaction film layer 220 exposed by the photoresist mold 230 ′. The electroless plating core pattern 240 serves as a catalyst when the metal pattern 250 to be described later is formed.

상기 무전해 도금핵 패턴(240)은 Cu, Ni, Pd, Au, Ag 또는 이들의 조합으로 이루어진다.The electroless plating core pattern 240 is made of Cu, Ni, Pd, Au, Ag, or a combination thereof.

상기 무전해 도금핵 패턴(240) 상에는 금속 패턴(250)이 포토레지스트 몰드(230')에 둘러싸인 형태로 위치한다. 즉, 포토레지스트 몰드(230')에 의하여 상기 금속 패턴(250)의 횡방향으로의 성장이 규제된 형태로 존재하게 된다.The metal pattern 250 is positioned on the electroless plating core pattern 240 in a form surrounded by the photoresist mold 230 ′. That is, the growth of the metal pattern 250 in the transverse direction is controlled by the photoresist mold 230 ′.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터를 포함하는 디스플레이 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a display apparatus including an electromagnetic shielding filter according to an exemplary embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 디스플레이 장치의 일 예인 PDP 장치(600)를 나타내는 분해사시도이다. 본 발명의 일 실시예에 의한 PDP 장치(600)의 구조는 도 6에 도시된 바와 같이, 케이스(610)와, 케이스(610)의 상부를 덮는 커버(640)와, 케이스(610) 내에 수용되는 구동 회로 기판(620), 가스방전현상이 일어나는 방전셀을 포함하는 패널 어셈블리(Panel assembly)(630) 및 본 발명의 실시예에 따른 전자파 차폐 필터(500)로 구성된다.6 is an exploded perspective view showing a PDP device 600 as an example of a display device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the structure of the PDP device 600 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a case 610, a cover 640 covering an upper portion of the case 610, and a housing within the case 610. The driving circuit board 620, a panel assembly 630 including a discharge cell in which gas discharge occurs, and an electromagnetic shielding filter 500 according to an exemplary embodiment of the present invention.

전자파 차폐 필터(500)는 기판 상에 도전성이 우수한 재료로 형성된 금속 패턴이 구비되며, 이 금속 패턴은 커버(640)를 통하여 케이스(610)로 접지된다. 즉, 패널 어셈블리(630)로부터 발생된 전자파가 사용자에게 도달하기 전에, 이를 전자파 차폐 필터(500)의 도전층을 통해서 커버(640)와 케이스(610)로 접지시키는 것이다. The electromagnetic shielding filter 500 includes a metal pattern formed of a material having excellent conductivity on a substrate, and the metal pattern is grounded to the case 610 through the cover 640. That is, before the electromagnetic waves generated from the panel assembly 630 reach the user, the electromagnetic waves generated by the panel assembly 630 are grounded to the cover 640 and the case 610 through the conductive layer of the electromagnetic shielding filter 500.

이때, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 예인 PDP 장치(600)를 나타낸 사시도이다.In this case, FIG. 7 is a perspective view illustrating a PDP apparatus 600 as an example of a display apparatus according to an exemplary embodiment.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 PDP 장치(600)는 전자파 차폐 필터(500)와 패널 어셈블리(630)를 포함한다. 전자파 차폐 필터(500)는 위에서 언급한 바와 같이 기판(210) 상에 광반응필름층(220)이 위치하고, 여기에 포토레지스트 몰드(230')가 위치하며, 포토레지스트 몰드(230')에 의해 노출된 광반응필름층 상에 무전해 도금핵 패턴(240)이 위치하고, 상기 포토레지스트 몰드(230') 사이를 금속 패턴(250)이 매립한다. 이하 패널 어셈블리(630)에 대해 자세히 설명한다.As shown in FIG. 6 and FIG. 7, the PDP device 600 according to an embodiment of the present invention includes an electromagnetic shielding filter 500 and a panel assembly 630. As described above, the electromagnetic wave shielding filter 500 includes a photoreaction film layer 220 on the substrate 210, a photoresist mold 230 ′, and a photoresist mold 230 ′. The electroless plating core pattern 240 is positioned on the exposed photoreaction film layer, and the metal pattern 250 is buried between the photoresist mold 230 ′. Hereinafter, the panel assembly 630 will be described in detail.

도 7에 도시된 바와 같이, 전면기판(711)의 표면 상에는 복수의 유지전극(Sustain electrode)(712)이 스트라이프 형상으로 배치되어 있다. 각 유지전극(712)에는 신호지연을 줄이기 위해 버스전극(713)이 형성되어 있다. 유지전극(712)이 배치된 면의 위에는 전체를 덮도록 유전체층(714)이 형성되어 있다. 또, 유전체층(714)의 면 상에는 유전체 보호막(715)이 형성되어 있다. 예를 들어, 유전체 보호막(715)은 스퍼터링법 등을 이용하여 유전체층(714)의 표면 상을 MgO의 박막으로 덮음으로써 형성할 수 있다. As illustrated in FIG. 7, a plurality of sustain electrodes 712 are disposed on the surface of the front substrate 711 in a stripe shape. Bus electrodes 713 are formed on each sustain electrode 712 to reduce signal delay. The dielectric layer 714 is formed on the surface where the sustain electrode 712 is disposed to cover the whole. A dielectric protective film 715 is formed on the surface of the dielectric layer 714. For example, the dielectric protective film 715 can be formed by covering the surface of the dielectric layer 714 with a thin film of MgO using a sputtering method or the like.

한편, 배면기판(721)의 상기 전면기판(711)과 대향하는 면에는 다수의 어드레스 전극(722)이 스트라이프 형상으로 배치되어 있다. 어드레스 전극(722)의 배치방향은 전면기판(711)과 배면기판(721)을 대향배치할 때에 유지전극(712)과 교차하는 방향이다. 어드레스 전극(722)이 배치된 면의 위에는 전체를 덮도록 유전체층(723)이 형성되어 있다. 또, 유전체층(723)의 면 상에는 어드레스 전극(722)과 평행하면서 전면기판(711) 쪽으로 향한 다수의 격벽(724)이 돌출 설치되어 있다. 격벽(724)은 이웃하는 어드레스 전극(722)과 어드레스 전극(722)과의 사이의 영역에 배치되어 있다.On the other hand, a plurality of address electrodes 722 are arranged in a stripe shape on a surface of the rear substrate 721 that faces the front substrate 711. The disposition direction of the address electrode 722 is a direction intersecting with the sustain electrode 712 when the front substrate 711 and the rear substrate 721 are disposed to face each other. The dielectric layer 723 is formed on the surface where the address electrode 722 is disposed so as to cover the whole. On the surface of the dielectric layer 723, a plurality of partition walls 724 protruding toward the front substrate 711 while being parallel to the address electrode 722 are provided. The partition wall 724 is disposed in an area between the neighboring address electrode 722 and the address electrode 722.

이웃하는 격벽(724)과 격벽(724) 및 유전체층(723)으로 형성되는 홈 부분의 측면에는 형광체층(725)이 배치되어 있다. 형광체층(725)은 격벽(724)으로 구획되는 홈 부분마다 적색 형광체층(725R), 녹색 형광체층(725G), 청색 형광체층(725B)이 배치되어 있다. 이들 형광체층(725)은 스크린 인쇄법, 잉크젯법 또는 포토레지스트 필름법 등의 후막형성법을 이용하여 형성된 형광체 입자군으로 이루어지는 층이다. 이러한 형광체층(725)의 재질로는, 예를 들어 적색 형광체로서 (Y, Gd)BO3 : Eu, 녹색 형광체로서 Zn2SiO4 : Mn, 청색 형광체로서 BaMgAl10O17 : Eu를 사용할 수 있다.The phosphor layer 725 is disposed on the side surface of the groove portion formed of the neighboring partition wall 724, the partition wall 724, and the dielectric layer 723. In the phosphor layer 725, a red phosphor layer 725R, a green phosphor layer 725G, and a blue phosphor layer 725B are disposed in each of the groove portions partitioned by the partition wall 724. These phosphor layers 725 are layers made of a phosphor particle group formed by using a thick film forming method such as a screen printing method, an inkjet method, or a photoresist film method. As the material of the phosphor layer 725, for example, (Y, Gd) BO 3 : Eu may be used as the red phosphor, Zn 2 SiO 4 : Mn as the green phosphor, and BaMgAl 10 O 17 : Eu as the blue phosphor. .

이러한 구조를 갖는 전면기판(711)과 배면기판(721)을 대향배치했을 때에 상기 홈 부분과 유전체 보호막(715)으로 형성되는 방전셀(726)에는 방전가스가 봉입되어 있다. 즉, 방전셀(726)은 패널 어셈블리(630)에서는 전면기판(711)과 배면기판(721) 사이에서의 유지전극(712)과 어드레스 전극(722)이 교차하는 각각의 부분에 형성된다. 방전가스로는 예를 들어, Ne-Xe계 가스, He-Xe계 가스 등을 사용할 수 있다.When the front substrate 711 and the rear substrate 721 having such a structure are disposed to face each other, the discharge gas is filled in the discharge cell 726 formed of the groove portion and the dielectric protective film 715. That is, in the panel assembly 630, the discharge cells 726 are formed at respective portions where the sustain electrode 712 and the address electrode 722 cross between the front substrate 711 and the rear substrate 721. As the discharge gas, for example, a Ne-Xe-based gas, a He-Xe-based gas, or the like can be used.

이상의 구조를 갖는 패널 어셈블리(630)는 기본적으로 형광등과 같은 발광원리를 갖고, 방전셀(726)의 내부에서의 방전에 따라 방전가스로부터 방출된 자외선이 형광체층(725)을 여기 발광시켜 가시광으로 변환된다. The panel assembly 630 having the above structure basically has a light emitting principle such as a fluorescent lamp, and ultraviolet rays emitted from the discharge gas according to the discharge inside the discharge cell 726 excite the phosphor layer 725 to emit visible light. Is converted.

다만, 패널 어셈블리(630)에 이용하는 각 색의 형광체층(725R, 725G, 725B)에는 각각 다른 가시광으로의 변환효율을 갖는 형광체 재료가 사용되고 있다. 그 때문에, 패널 어셈블리(630)에서 화상을 표시할 때는 일반적으로 각 형광체층(725R, 725G, 725B)의 휘도를 조정함으로써, 색 밸런스의 조정이 이루어지고 있다. 구체적으로는, 휘도가 가장 낮은 색의 형광체층을 기준으로 하여, 다른 형광체층의 휘도를 색마다 지정된 비율로 저하시키고 있다.However, phosphor materials having different conversion efficiencies to different visible light are used for the phosphor layers 725R, 725G, and 725B of the respective colors used for the panel assembly 630. Therefore, when displaying an image in the panel assembly 630, color balance is generally adjusted by adjusting the brightness of each phosphor layer 725R, 725G, 725B. Specifically, on the basis of the phosphor layer of the color having the lowest luminance, the luminance of the other phosphor layer is reduced at a ratio designated for each color.

이러한 패널 어셈블리(630)의 구동은 크게 어드레스 방전을 위한 구동과 유지 방전을 위한 구동으로 나뉜다. 어드레스 방전은 어드레스 전극(722)과 하나의 유지전극(712) 사이에서 일어나며, 이 때 벽전하(Wall charge)가 형성된다. 유지 방전은 벽전하가 형성된 방전셀(726)에 위치하는 두개의 유지전극들(712) 사이의 전위차에 의해서 일어난다. 이 유지 방전시에 방전가스로부터 발생되는 자외선에 의해 해당 방전셀(726)의 형광체층(725)이 여기 되어 가시광이 발산되며, 이 가시광이 전면기판(711)을 통해 출사되면서 사용자가 인식할 수 있는 화상을 형성하게 된다.The driving of the panel assembly 630 is largely divided into driving for address discharge and driving for sustain discharge. The address discharge occurs between the address electrode 722 and one sustain electrode 712, at which time a wall charge is formed. The sustain discharge is caused by the potential difference between the two sustain electrodes 712 positioned in the discharge cell 726 in which the wall charges are formed. During the sustain discharge, the phosphor layer 725 of the corresponding discharge cell 726 is excited by the ultraviolet rays generated from the discharge gas, and the visible light is emitted, and the visible light is emitted through the front substrate 711 to be recognized by the user. To form an image.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같은 본 발명의 금속 패턴 형성 방법, 상기 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터 및 상기 전자파 차폐 필터를 포함하는 디스플레이 장치에 따 르면 다음과 같은 효과가 하나 또는 그 이상 있다. According to the metal pattern forming method of the present invention, the electromagnetic shielding filter including the metal pattern and the display device including the electromagnetic shielding filter as described above has one or more of the following effects.

첫째, 본 발명에 따른 금속 패턴의 형성 방법은 광반응필름층의 선택적 노광을 통해 선택적인 금속 패턴을 형성하는 것이 가능하여 후속적인 에칭 공정이 불필요하며 간단한 공정에 의한 금속 패턴의 형성이 가능하다.First, in the method of forming a metal pattern according to the present invention, it is possible to form a selective metal pattern through selective exposure of the photoreactive film layer, so that a subsequent etching process is unnecessary and a metal pattern can be formed by a simple process.

둘째, 본 발명에 따른 금속 패턴의 형성 방법은 포토레지스트 몰드에 의해 횡방향 성장을 규제함으로써 금속 패턴의 선폭의 확장 없이 미세 선폭의 제어가 가능하다.Secondly, in the method of forming the metal pattern according to the present invention, by controlling the lateral growth by the photoresist mold, it is possible to control the fine line width without expanding the line width of the metal pattern.

셋째, 본 발명에 따른 금속 패턴 형성 방법은 광반응필름층 및/또는 포토레지스트 몰드 상에 색보정을 하는 기능성 색소를 포함하게 하여, 상기 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터에 추가의 색보정 필름을 포함시키지 않아도 되어 비용 감소 및 공정 단순화의 효과가 있다.Third, the metal pattern forming method according to the present invention includes a functional dye for color correction on the photoreaction film layer and / or photoresist mold, to add an additional color correction film to the electromagnetic shielding filter comprising the metal pattern It does not need to be included, which reduces costs and simplifies the process.

넷째, 본 발명에 따른 금속 패턴 형성 방법은 기능성 색소를 포함한 포토레지스트 몰드를 포함하게 한 경우에는 포토레지스트 몰드를 박리 또는 제거하고 금속 패턴 사이를 별도의 투명 수지 등으로 충전해야 하는 투명화 처리를 수행하지 않아도 되는 공정 단순화의 효과가 있다.Fourth, in the method of forming a metal pattern according to the present invention, when the photoresist mold including a functional dye is included, the photoresist mold must be peeled or removed and a transparent process must be performed between the metal patterns with a separate transparent resin or the like. This has the effect of simplifying the process.

다섯째, 본 발명에 따른 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 및 디스플레이 장치는 기존 방식의 전자파 차폐 필터 및 디스플레이 장치와 동등한 성능을 나타내면서 보다 단순한 공정 및 저가격으로 제조가 가능하다.  Fifth, the electromagnetic shielding and display device including the metal pattern according to the present invention can be produced at a simpler process and lower cost while showing the same performance as the conventional electromagnetic shielding filter and display device.

Claims (11)

광반응필름층이 형성된 기판을 제공하는 단계;Providing a substrate having a photoreaction film layer formed thereon; 상기 광반응필름층에 금속 패턴 영역을 선택적으로 노출시키기 위한 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계;Forming a photoresist mold for selectively exposing a metal pattern region on the photoreaction film layer; 상기 포토레지스트 몰드를 이용하여 상기 광반응 필름층의 광반응 화합물을 선택적으로 활성화하는 단계; 및Selectively activating a photoreactive compound of the photoreactive film layer using the photoresist mold; And 상기 활성화된 광반응필름층 상에 금속 패턴을 형성하는 단계;Forming a metal pattern on the activated photoreaction film layer; 를 포함하는 금속 패턴 형성 방법. Metal pattern forming method comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광반응필름층에 포함되는 광반응화합물이 네가티브 타입인 경우, 상기 포토레지스트 몰드를 형성하는 포토레지스트는 포지티브 타입인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.And a photoresist forming the photoresist mold when the photoreaction compound included in the photoreaction film layer is a negative type. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광반응필름층에 포함되는 광반응화합물이 포지티브 타입인 경우, 상기 포토레지스트 몰드를 형성하는 포토레지스트는 네가티브 타입인 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.And a photoresist forming the photoresist mold when the photoreaction compound included in the photoreaction film layer is a positive type. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광반응필름층 및 상기 포토레지스트 몰드 중 적어도 어느 하나는 색보정이 가능한 색소를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법. At least one of the photoreaction film layer and the photoresist mold includes a dye capable of color correction. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계는 무전해 도금 및 전해 도금 중 적어도 어느 하나의 방법으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법. Forming the metal pattern is a metal pattern forming method, characterized in that consisting of at least one method of electroless plating and electrolytic plating. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계가 무전해 도금 방법으로 구성되는 경우에는 상기 포토레지스트 몰드에 의해 노출되고 선택적으로 활성화 된 광반응화합물을 포함하는 상기 광반응필름층 상에 무전해 도금핵 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법.When the forming of the metal pattern comprises an electroless plating method, forming an electroless plating nucleus pattern on the photoreaction film layer including a photoreaction compound exposed by the photoresist mold and selectively activated. Method of forming a metal pattern, characterized in that. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계 이후, 상기 포토레지스트 몰드를 박리 또는 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법. After the forming of the metal pattern, the method of forming a metal pattern further comprising the step of peeling or removing the photoresist mold. 기판;Board; 상기 기판 상에 형성된 광반응필름층;A photoreactive film layer formed on the substrate; 상기 광반응필름층 내에서 선택적으로 활성화 된 광반응화합물을 포함하는 광반응필름층을 노출하는 포토레지스트 몰드; 및A photoresist mold exposing the photoreaction film layer including the photoreaction compound selectively activated in the photoreaction film layer; And 상기 포토레지스트 몰드 사이를 매립하는 금속 패턴을 포함하는 전자파 차폐 필터.Electromagnetic shielding filter including a metal pattern to fill between the photoresist mold. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 금속 패턴의 하부에 무전해 도금핵 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 필터.Electromagnetic shielding filter, characterized in that it further comprises an electroless plating core pattern on the lower portion of the metal pattern. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계 이후, 상기 포토레지스트 몰드를 박리 또는 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴 형성 방법. After the forming of the metal pattern, the method of forming a metal pattern further comprising the step of peeling or removing the photoresist mold. 삭제delete
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