KR100786753B1 - Device for detecting pixel state of flat-panel display - Google Patents

Device for detecting pixel state of flat-panel display Download PDF

Info

Publication number
KR100786753B1
KR100786753B1 KR1020070037317A KR20070037317A KR100786753B1 KR 100786753 B1 KR100786753 B1 KR 100786753B1 KR 1020070037317 A KR1020070037317 A KR 1020070037317A KR 20070037317 A KR20070037317 A KR 20070037317A KR 100786753 B1 KR100786753 B1 KR 100786753B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass
transparent electrode
panel display
detection device
display device
Prior art date
Application number
KR1020070037317A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
전진국
전형일
서명기
김영훈
박영식
윤영룡
Original Assignee
주식회사 오킨스전자
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 오킨스전자 filed Critical 주식회사 오킨스전자
Priority to KR1020070037317A priority Critical patent/KR100786753B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100786753B1 publication Critical patent/KR100786753B1/en
Priority to PCT/KR2008/001311 priority patent/WO2008126988A1/en
Priority to JP2009530293A priority patent/JP2010506196A/en
Priority to JP2009530294A priority patent/JP2010506197A/en
Priority to US12/443,794 priority patent/US20100194414A1/en
Priority to US12/443,793 priority patent/US8378708B2/en
Priority to PCT/KR2008/001310 priority patent/WO2008126987A1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136254Checking; Testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

An apparatus for detecting a state of a pixel in a flat display device and a method for manufacturing the apparatus are provided to check an electric state of the pixel using an electro-optical property of a TNLC(Twisted-Nematic Liquid Crystal) to detect whether the pixel is good or defective efficiently. A detecting apparatus is composed of a transparent electrode(12) and an upper alignment layer(16) formed on a rear surface of an upper glass substrate(10), a lower alignment layer(18) formed on a surface of a lower glass substrate(14), a TNLC formed between the upper alignment layer and the lower alignment layer, a reflection layer(26) formed on a rear surface of the lower glass substrate, and a glass block(30) and a polarization plate(32) formed on a surface of the upper glass substrate. A DC voltage is applied between the transparent electrode of the detecting apparatus and a common terminal of a flat display device, thereby respectively detecting field differences between the detecting apparatus and plural pixels of the flat display device.

Description

평면표시장치의 화소상태 검출 장치 및 그 장치 제조 방법{DEVICE FOR DETECTING PIXEL STATE OF FLAT-PANEL DISPLAY}DEVICE FOR DETECTING PIXEL STATE OF FLAT-PANEL DISPLAY}

도 1은 종래의 PDLC를 사용한 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프,1 is a graph showing the transmittance of a pixel state detection apparatus using a conventional PDLC,

도 2는 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 일 실시예를 나타낸 단면도,2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a pixel state detection device of a flat panel display device according to the present invention;

도 3은 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 동작 원리를 나타낸 도면,3 is a view illustrating an operating principle of a pixel state detection device of the flat panel display shown in FIG. 2;

도 4는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치를 평면표시장치의 화소상태 검출 시스템에 적용한 예를 나타낸 도면,4 is a diagram illustrating an example in which the pixel state detection device of the flat panel display device shown in FIG. 2 is applied to the pixel state detection system of the flat panel display device;

도 5는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프,5 is a graph illustrating transmittance of a pixel state detection device of the flat panel display shown in FIG. 2;

도 6은 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치에서 투명 전극의 일 실시예를 나타낸 도면.6 is a view showing an embodiment of a transparent electrode in a pixel state detection device of a flat panel display device according to the present invention;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 상부 유리 12 : 투명 전극10: upper glass 12: transparent electrode

14 : 하부 유리 16 : 상부 배향막14 lower glass 16 upper alignment film

18 : 하부 배향막 20 : 액정18 lower alignment film 20 liquid crystal

22, 24 : 실런트 26 : 반사막22, 24: sealant 26: reflecting film

28 : 접착층 30 : 유리 블록28: adhesive layer 30: glass block

32 : 편광판 122 : ITO32: polarizing plate 122: ITO

124 : 절연체 300 : 평면표시장치124: insulator 300: flat display device

302, 306 : 정상 화소 304 : 불량 화소302, 306: normal pixel 304: bad pixel

308 : 전계 310 : 검출 장치308: electric field 310: detection device

312 : 직류 전원 314 : 광원312: DC power source 314: light source

316 : 광분리기 318 : 텔레센트릭 렌즈316: optical separator 318: telecentric lens

320 : CCD 카메라 322 : 영상 처리기320: CCD camera 322: image processor

본 발명은 평면표시장치(flat-panel display)의 화소(pixel)상태 검출 장치 및 그 장치 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 능동 매트릭스형 액정표시장치(AMLCD; Active Matrix Liquid Crystal Display)의 생산 공정에서 TFT(thin film transistor, 박막 트랜지스터) 기판 상의 각 소자의 전기적 이상 유무를 검출함으로써 해당 화소의 상태를 검출하도록 하는 장치 및 그 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for detecting a pixel state of a flat-panel display and a method of manufacturing the apparatus, in particular, in the production process of an active matrix liquid crystal display (AMLCD). An apparatus for detecting a state of a corresponding pixel by detecting the presence or absence of an electrical abnormality of each element on a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the apparatus.

미국특허 제5406213호에서 PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal, 고분자 분산형 액정)를 이용하여 평면표시장치를 검사하는 장치의 동작 원리를 보면 다음과 같다.The operation principle of a device for inspecting a flat panel display device using PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal) in US Pat.

상기 미국특허 제5406213호에서 평면표시장치를 검사하는 장치는 반사막, 하부 ITO(indium-tin oxide, 투명 전극), PDLC층, 및 상부 ITO가 차례로 적층된 구조를 구비한다. 상기 반사막, 하부 ITO, PDLC층, 및 상부 ITO은 도면 중에 도시되지 않음.The apparatus for inspecting a flat panel display in US Pat. No. 5,532,13 has a structure in which a reflective film, a lower indium-tin oxide (ITO), a PDLC layer, and an upper ITO are sequentially stacked. The reflective film, lower ITO, PDLC layer, and upper ITO are not shown in the figure.

이와 같은 구조에서 하부, 상부 ITO에 전압을 인가하지 않을 경우 PDLC가 불균일하게 정렬된다. 따라서 상부 ITO 측으로부터 제공되는 입사광이 그 상부 ITO에서 산란된다.In such a structure, when no voltage is applied to the lower and upper ITO, the PDLC is unevenly aligned. Thus, incident light provided from the upper ITO side is scattered at the upper ITO.

반면, 하부, 상부 ITO에 전압을 인가할 경우 PDLC가 균일하게 정렬된다. 따라서 상부 ITO 측으로부터 제공되는 입사광이 상부 ITO, PDLC층, 및 하부 ITO를 차례로 투과하고 반사막에 의해 반사된다.On the other hand, when the voltage is applied to the lower and upper ITO, the PDLC is uniformly aligned. Therefore, incident light provided from the upper ITO side passes through the upper ITO, the PDLC layer, and the lower ITO in turn and is reflected by the reflecting film.

이와 같은 동작 원리를 이용하여 평면표시장치의 각 화소에 각기 대응하는 각 회로의 불량 여부를 검출할 수 있다.By using such an operating principle, it is possible to detect whether or not each circuit corresponding to each pixel of the flat panel display is defective.

즉, 복수의 화소가 매트릭스 형태로 배열된 평면표시장치(도면 중에 도시되지 않음)의 표면에 상기 검사 장치를 그 평면표시장치의 표면과 일정 간격을 유지하도록 위치시킨다. 그 평면표시장치와 검사 장치 간에 고전압을 인가한다.That is, the inspection apparatus is positioned on a surface of a flat panel display device (not shown in the drawing) in which a plurality of pixels are arranged in a matrix so as to maintain a predetermined distance from the surface of the flat panel display device. A high voltage is applied between the flat panel display device and the inspection device.

이에 따라, 평면표시장치의 불량 화소 영역에서, 그 불량 화소에 대응하는 TFT의 전기적 특성이 좋지 않기 때문에, 불량 화소 영역의 PDLC층에 전기장이 형성되지 않는다. 따라서 불량 화소 영역의 PDLC가 균일하게 정렬되지 않으므로 결국, 불량 화소 영역에서 검사 장치의 반사율이 저하된다.Accordingly, in the defective pixel region of the flat panel display device, since the electrical characteristics of the TFT corresponding to the defective pixel are not good, no electric field is formed in the PDLC layer of the defective pixel region. Therefore, since the PDLCs of the bad pixel regions are not uniformly aligned, the reflectance of the inspection apparatus is reduced in the bad pixel region.

반면, 평면표시장치의 정상 화소 영역에서, 그 정상 화소에 대응하는 TFT의 전기적 특성이 좋기 때문에, 정상 화소 영역의 PDLC층에 전기장이 양호하게 형성된다. 따라서 정상 화소 영역의 PDLC가 균일하게 정렬되므로 결국, 정상 화소 영역에서 검사 장치의 반사율이 증가된다.On the other hand, in the normal pixel region of the flat panel display device, since the electrical characteristics of the TFT corresponding to the normal pixel are good, the electric field is well formed in the PDLC layer of the normal pixel region. Therefore, since the PDLCs of the normal pixel region are uniformly aligned, the reflectance of the inspection apparatus is increased in the normal pixel region.

이 후, 기 설치된 CCD 카메라(charge-coupled device camera)는 그 검사 장치로부터 반사되는 빛의 세기에 대응하는 전기적인 신호를 생성한다.Thereafter, a pre-installed charge-coupled device camera generates an electrical signal corresponding to the intensity of light reflected from the inspection apparatus.

기 설치된 영상 처리기는 CCD 카메라로부터 제공되는 빛의 세기에 대응하는 전기적인 신호를 처리하여, 평면표시장치에 형성된 각 TFT 어레이 소자에 각기 대응하는 각 화소의 밝기에 따른 영상을 화면에 디스플레이(display)한다.The pre-installed image processor processes an electrical signal corresponding to the light intensity provided from the CCD camera, and displays an image according to the brightness of each pixel corresponding to each TFT array element formed in the flat panel display on a screen. do.

그러나 이와 같은 검사 장치에 구비된 PDLC가 전기장에 반응하기 위해서는 수 마이크로미터 정도의 거리(air gap)가 필요하기 때문에, 그 검사 장치와 검사 대상인 평면표시장치 사이를 수 마이크로미터 정도로 유지시켜야 한다. 따라서 평면표시장치 위의 미세 파티클(particle)에 의해 검사 장치가 파손되는 결점이 있다.However, since the PDLC included in such an inspection apparatus requires an air gap of several micrometers in order to respond to an electric field, it must be maintained between several micrometers between the inspection apparatus and the flat display apparatus to be inspected. Therefore, there is a drawback that the inspection device is damaged by fine particles on the flat panel display.

또한, PDLC 특성상 LC 대비 감도(Sensitivity)가 떨어지기 때문에, 평면표시장치와 검사 장치 사이에 고전압을 가해야 한다. 그 평면표시장치와 검사 장치 사 이에 고전압이 가해지더라도 형성되는 전계가 작기 때문에, 검사 장치와 평면표시장치 사이의 거리가 작아야 한다. 결국, 전술된 바와 같이 검사 장치와 평면표시장치 사이의 거리가 작으므로 평면표시장치 위의 미세 파티클에 의해 검사 장치가 파손된다.In addition, due to PDLC characteristics, sensitivity is inferior to that of LC. Therefore, a high voltage must be applied between the flat panel display device and the inspection device. Even if a high voltage is applied between the flat display device and the inspection device, the electric field formed is small, so the distance between the inspection device and the flat display device should be small. As a result, as described above, since the distance between the inspection device and the flat display device is small, the inspection device is damaged by the fine particles on the flat display device.

도 1은 종래의 PDLC를 사용한 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프로, PDLC는 검사 대상인 평면표시장치와 검출 장치 간의 에어 갭(air gap) 12㎛, 바이어스 전압(bias voltage) 200V 근방에서 10au/V 감도를 갖으며, 하기에서 기술될 본 발명에 따른 TNLC(twisted-nematic liquid crystal)보다 감도가 상당히 떨어지는 것을 알 수 있다.FIG. 1 is a graph showing the transmittance of a conventional pixel state detection device using PDLC. PDLC shows an air gap of 12 μm between the flat display device under test and the detection device, and 10 au / around a bias voltage of 200 V. It can be seen that it has a V sensitivity and is significantly inferior to a twisted-nematic liquid crystal (TNLC) according to the present invention to be described below.

본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 능동 매트릭스형 액정표시장치의 생산 공정에서 TFT 기판 상의 각 소자의 전기적 이상 유무를 TNLC의 전기 광학적 특성을 이용해서 검출함으로써 해당 화소의 양불 여부를 검출하도록 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치 및 그 장치 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. In the production process of an active matrix type liquid crystal display device, the presence or absence of an abnormal pixel of a pixel is detected by detecting the presence or absence of an electrical abnormality of each element on a TFT substrate using the electro-optical characteristics of TNLC. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pixel state detection device for a flat panel display device and a manufacturing method thereof.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve this purpose,

본 발명의 일 형태에 따르면, 반사막, 하부 유리, 하부 배향막, TNLC, 상부 배향막, 투명 전극, 및 상부 유리가 차례로 적층되고; 상기 상부 유리 표면에 유리 블록(glass block) 및 편광판이 차례로 적층된 것이 제공된다.According to one embodiment of the present invention, a reflective film, a lower glass, a lower alignment film, a TNLC, an upper alignment film, a transparent electrode, and an upper glass are sequentially stacked; A glass block and a polarizing plate are sequentially stacked on the upper glass surface.

바람직하게는 상기 투명 전극은 인접한 픽셀(pixel) 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상인 것이 좋다.Preferably, the transparent electrode may have a shape consisting of a plurality of rectangular pixels having a matrix in which edges are connected to each other between adjacent pixels.

본 발명의 다른 형태에 따르면, 반사막, 하부 유리, 하부 배향막, TNLC, 상부 배향막, 투명 전극, 및 상부 유리가 차례로 적층되고; 상기 상부 유리 표면에 편광판 및 유리 블록이 차례로 적층된 것이 제공된다.According to another aspect of the present invention, a reflective film, a lower glass, a lower alignment film, a TNLC, an upper alignment film, a transparent electrode, and an upper glass are laminated in this order; It is provided that the polarizing plate and the glass block are sequentially laminated on the upper glass surface.

바람직하게는 상기 투명 전극은 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상인 것이 좋다.Preferably, the transparent electrode may have a shape consisting of a plurality of rectangular pixels having a matrix in which edges are connected to each other between adjacent pixels.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a pixel state detection device of a flat panel display device according to the present invention.

이와 같은 검출 장치는 반사막(26), 하부 유리(두께 80㎛)(14), 하부 배향막(PI(Polyimide, 폴리이미드))(18), 액정(TNLC)(20), 상부 배향막(PI)(16), 투명 전극(두께가 400Å인 ITO)(12), 및 상부 유리(10)가 차례로 적층된다. 이때 하부 배향막(18), 액정(20), 및 상부 배향막(16)의 양측은 실링(sealing)된다.Such a detection device includes a reflective film 26, a lower glass (thickness 80 µm) 14, a lower alignment film (PI (Polyimide, polyimide)) 18, a liquid crystal (TNLC) 20, and an upper alignment film (PI) ( 16), a transparent electrode (ITO having a thickness of 400 GPa) 12, and an upper glass 10 are sequentially stacked. At this time, both sides of the lower alignment layer 18, the liquid crystal 20, and the upper alignment layer 16 are sealed.

상부 유리(10) 표면에 접착층(28)에 의해 유리 블록(30)이 접착되고, 그 유리 블록(30) 위에 편광판(32)이 부착된다. 이때 편광판(32)은 유리 블록(30) 위에 부착되는 대신에 상부 유리(10) 위에 부착될 수 있다. 나머지 구조는 전술된 것과 같다.The glass block 30 is adhered to the surface of the upper glass 10 by the adhesive layer 28, and the polarizing plate 32 is attached to the glass block 30. In this case, the polarizer 32 may be attached to the upper glass 10 instead of being attached to the glass block 30. The rest of the structure is as described above.

상기 투명 전극(12)은 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상으로 이루어진다.The transparent electrode 12 has a shape consisting of a plurality of rectangular pixels having a matrix in which edges are connected to each other between adjacent pixels.

이와 같은 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 제조 방법을 각 단계별로 보면 다음과 같다.The manufacturing method of the pixel state detection device of the flat panel display for each step is as follows.

먼저 상부 유리(코닝사 E2K 0.5t(두께 0.5mm))(10)의 하측 표면에 투명 전극(ITO)(12)을 스퍼터링 방식을 사용하여 400Å 두께로 증착한다.First, a transparent electrode (ITO) 12 is deposited on the lower surface of the upper glass (Corning E2K 0.5t (thickness 0.5mm)) 10 to a thickness of 400 kV using a sputtering method.

이후 도 6과 같이 투명 전극(12)을 패터닝하고 불필요한 부분을 식각(Etching)하여, 투명 전극(12)이 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상이 되도록 한다. 이와 같이 투명 전극(12)을 인접한 픽셀(pixel) 간에 모서리가 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상으로 형성함으로써 본 발명에 따른 화소상태 검출의 분해능이 개선된다. 상기 각기의 사각형 픽셀의 크기는 10×10 ㎛가 적당하고 사각형 픽셀의 간격은 5 ㎛가 적당하다. 여기서 도면 부호 122는 ITO이고 도면 부호 124는 절연체이다.Thereafter, as shown in FIG. 6, the transparent electrode 12 is patterned and an unnecessary portion is etched, so that the transparent electrode 12 is formed of a plurality of rectangular pixels having a matrix in which corners are connected to adjacent pixels. As such, the resolution of the pixel state detection according to the present invention is improved by forming the transparent electrode 12 in a shape consisting of a plurality of rectangular pixels having a matrix in which edges are connected between adjacent pixels. The size of each square pixel is appropriately 10 × 10 μm and the spacing of the square pixels is 5 μm. Here, reference numeral 122 denotes ITO and reference numeral 124 denotes an insulator.

투명 전극(12)의 표면 및 하부 유리(두께 100㎛ 이하)(14)의 상측 표면, 양 측의 일부 영역을 제외한 영역에 후공정의 액정(20)에 배향력을 만들어 주는 PI를 각기 코팅(coating)하여 상부, 하부 배향막(16, 18)을 각각 형성한다. 상기 양측의 일부 영역은 후에 액정(20)을 실링할 영역이다.On the surface of the transparent electrode 12 and on the upper surface of the lower glass (thickness of 100 μm or less) 14 and a region except for some regions on both sides, PIs which form an alignment force on the liquid crystal 20 in the post-process are respectively coated ( coating) to form upper and lower alignment layers 16 and 18, respectively. The partial region on both sides is an region to seal the liquid crystal 20 later.

광효율이 최대가 되도록 상부, 하부 배향막(16, 18)의 표면을 예로, 55도로 러빙(rubbing)한다.In order to maximize the light efficiency, the surfaces of the upper and lower alignment layers 16 and 18 are rubbed at, for example, 55 degrees.

상부, 하부 유리(10, 14)를 상부, 하부 배향막(16, 18)이 서로 마주보도록 액정(20)의 셀갭 3.9㎛로 합착한다. 또한, 액정(20)의 Δε은 8.8이고 Δn은 0.101이다.The upper and lower glasses 10 and 14 are bonded to each other with a cell gap of 3.9 μm so that the upper and lower alignment layers 16 and 18 face each other. Further, Δε of the liquid crystal 20 is 8.8 and Δn is 0.101.

상부, 하부 배향막(16, 18) 사이에 액정(20)을 주입한다. 액정(20)은 저전압으로 구동하는 TNLC를 사용한다.The liquid crystal 20 is injected between the upper and lower alignment layers 16 and 18. The liquid crystal 20 uses TNLC for driving at low voltage.

상부, 하부 배향막(16, 18) 및 액정(20)의 양측에 실런트(sealant)(22, 24)를 실링한다.Sealants 22 and 24 are sealed on the upper and lower alignment layers 16 and 18 and on both sides of the liquid crystal 20.

하부 유리(14)를 두께가 100㎛ 이하로 되도록 슬리밍(slimming)한다. 슬리밍 방법으로는 식각 및 폴리싱(Polishing)이 있는데, 이 중에 한가지를 사용한다. 하부 유리(14)의 슬리밍은 최대한 얇게 하는 것이 중요하지만, 그 하부 유리(14)의 파손 및 가공 편차를 감안하여, 하부 유리(14)의 두께가 80㎛가 되도록 슬리밍하는 것이 좋다.The lower glass 14 is slimmed to have a thickness of 100 μm or less. Slimming methods include etching and polishing, and one of them is used. Although slimming of the lower glass 14 is important to be as thin as possible, it is preferable to slim the lower glass 14 so that the thickness of the lower glass 14 is 80 µm in view of the breakage and processing variation of the lower glass 14.

하부 유리(14)의 표면에 특정 파장 예로, 레드(red) 파장대(660nm)를 반사시키는 반사막(26)을 코팅한다.The reflective film 26 reflecting a specific wavelength, for example, a red wavelength band (660 nm) is coated on the surface of the lower glass 14.

상부 유리(10)의 표면에 접착층(28)을 사용하여 유리 블록(30)을 접착한다.The glass block 30 is adhered to the surface of the upper glass 10 using the adhesive layer 28.

유리 블록(30)의 표면에 25도의 편광판(32)을 부착한다. 이때 25도의 편광판(32)을 유리 블록(30)의 표면에 부착하는 대신 상부 유리(10)의 표면에 부착할 수 있다. 나머지 공정은 전술된 것과 같다.A 25 degree polarizing plate 32 is attached to the surface of the glass block 30. In this case, the polarizing plate 32 of 25 degrees may be attached to the surface of the upper glass 10 instead of attaching to the surface of the glass block 30. The rest of the process is as described above.

이와 같은 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 동작을 보면 다음과 같다.The operation of the pixel state detection device of the flat panel display device according to the present invention is as follows.

도 3은 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 동작 원리를 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating an operating principle of a pixel state detection device of the flat panel display shown in FIG. 2.

먼저, 도 3의 좌측 도면은 투명 전극과 테스트용 평면표시장치 간에 직류 전압이 인가되지 않았을 경우의 액정 거동 및 광로를 나타낸 것으로, 액정은 초기 꼬임상태를 유지하게 되므로 위에서 입사된 빛이 반사막을 통해 반사되지 않은 상태를 보이고 있다. 즉, 편광판을 통해 입사된 빛이 액정층을 통과하고 반사막에 의해 반사되며, 다시 액정층을 통과하면서 90도를 유지한다. 따라서 입사된 빛이 반사막에 의해 반사되고 액정을 통과할 경우 편광판과 이루는 각도 때문에 결국, 편광판을 투과할 수 없다.First, FIG. 3 illustrates a liquid crystal behavior and an optical path when a direct current voltage is not applied between the transparent electrode and the test flat panel display. Since the liquid crystal maintains an initial twist state, the light incident from above is reflected through the reflective film. It is not reflected. That is, light incident through the polarizing plate passes through the liquid crystal layer and is reflected by the reflective film, and maintains 90 degrees while passing through the liquid crystal layer again. Therefore, when the incident light is reflected by the reflective film and passes through the liquid crystal, it cannot be transmitted through the polarizing plate because of the angle formed with the polarizing plate.

다음, 도 3의 우측 도면은 투명 전극과 테스트용 평면표시장치 간에 직류 전압이 인가되었을 경우의 액정 거동 및 광로를 나타낸 것으로, 액정이 거동하여 광경로의 변화가 없기 때문에 결국, 입사된 빛이 반사막에 의해 그대로 반사되고 편광판을 통과하게 된다. 이와 같이 통과된 빛은 광학 장치를 거쳐 CCD 카메라에 감지된 후 이미지 처리기에 의해 이미지 처리된다. 그 이미지 처리된 신호에 대응하 는 영상이 화면에 디스플레이됨으로써 사용자는 테스트용 평면표시장치에 형성된 화소 및 TFT 등의 불량 여부를 시각적으로 용이하게 확인할 수 있다.Next, FIG. 3 shows a liquid crystal behavior and an optical path when a direct current voltage is applied between the transparent electrode and the test flat panel display. As the liquid crystal behaves, there is no change in the optical path. It is reflected by the light as it passes through the polarizing plate. The light passed in this way is sensed by the CCD camera via the optical device and then processed by the image processor. Since an image corresponding to the image processed signal is displayed on the screen, the user can visually check whether the pixels and the TFTs formed in the test flat display device are defective.

도 4는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치를 평면표시장치의 화소상태 검출 시스템에 적용한 예를 나타낸 도면이다. 이때, 검출 장치(310)는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치를 의미한다.4 is a diagram illustrating an example in which the pixel state detection device of the flat panel display device illustrated in FIG. 2 is applied to the pixel state detection system of the flat panel display device. In this case, the detection device 310 refers to a pixel state detection device of the flat panel display device illustrated in FIG. 2.

먼저, 검출 장치(310)에 구비된 투명 전극(12) 및 검사 대상인 평면표시장치(300)에 형성된 TFT 어레이 기판의 공통(common) 단자 간에 직류 전원(바이어스 전압)(312)을 인가하고, 평면표시장치(300)에 형성된 복수의 화소(302, 304, 306)에 각기 대응하는 복수의 TFT를 구동시킨다. 이때, 검출 장치(310)는 평면표시장치(300)의 표면에 근접되어 있는 상태이다.First, a DC power supply (bias voltage) 312 is applied between the transparent electrode 12 of the detection device 310 and the common terminal of the TFT array substrate formed on the planar display device 300 to be inspected. A plurality of TFTs respectively corresponding to the plurality of pixels 302, 304, and 306 formed in the display device 300 are driven. In this case, the detection device 310 is in a state of being close to the surface of the flat panel display device 300.

이에 따라 평면표시장치(300)에 형성된 복수의 화소(302, 304, 306)와 검출 장치(310) 간에 각 전계(308)가 형성된다. 이때 정상 화소(302, 306)와 전기적인 결함이 있는 불량 화소(304)와의 각 전계의 차이가 각기 다르게 형성된다.Accordingly, each electric field 308 is formed between the plurality of pixels 302, 304, and 306 formed in the flat panel display device 300 and the detection device 310. In this case, the difference between the electric fields between the normal pixels 302 and 306 and the defective pixel 304 having an electrical defect is formed differently.

그 전계의 차이가 각기 다르게 형성됨에 대응하여 광원(314)으로부터 광분리기(Beam Splitter)(316)를 통해 제공되는 광의 반사율이 각기 다르게 된다. 결국, 그 각기 다른 반사율에 따라 반사되는 각 광이 광분리기(316)를 통과하고 텔레센트릭 렌즈(Telecentric Lens)(318)를 통해 CCD 카메라(320)로 제공된다.In response to the difference in the electric field being formed differently, the reflectance of the light provided through the light splitter 316 from the light source 314 is different. As a result, each light reflected according to its different reflectance passes through the optical separator 316 and is provided to the CCD camera 320 through a telecentric lens 318.

CCD 카메라(320)는 텔레센트릭 렌즈(318)를 통해 제공되는 빛을 자신의 CCD 크기에 맞게 축소하여 집광한다.The CCD camera 320 reduces and condenses the light provided through the telecentric lens 318 according to its CCD size.

CCD 카메라(320)에 있어서, 각기의 CCD 소자는 서로 다른 광량의 빛을 각기 받아 각각의 전기적인 아날로그 신호로 변환하고, 각 증폭기를 통해 그 각 아날로그 신호를 각기 증폭하며, 각각의 A/D 변환기(Analog/Digital Converter)를 통해 그 각기 증폭된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환해서 영상 처리기(322)로 제공한다.In the CCD camera 320, each CCD element receives different amounts of light and converts each light into an electrical analog signal, and amplifies each analog signal through each amplifier, and each A / D converter. The analog / amplified analog signal is converted into a digital signal through an analog / digital converter and provided to the image processor 322.

영상 처리기(322)는 CCD 카메라(320)로부터 제공되는 디지털 신호를 볼티지 이미지 프로세싱하여, 프로그램 상에 정해진 한계값을 벗어난 값을 전기적 결함이 있는 불량 화소로 검출해서 예로, 화면(324)과 같이 디스플레이한다.The image processor 322 performs voltage image processing on the digital signal provided from the CCD camera 320 and detects a value out of a predetermined limit value on the program as a defective pixel having an electrical defect, for example, as shown in the screen 324. Display.

도 5는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프로, TNLC는 검사 대상인 평면표시장치와 검출 장치 간의 에어 갭 20㎛, 바이어스 전압 100V 근방에서 37.5au/V 감도를 갖는다. 즉, 본 발명에 따른 TNLC는 종래의 PDLC보다 3~4배 정도의 감도를 나타냄을 알 수 있다.FIG. 5 is a graph illustrating transmittance of the pixel state detection device of the flat panel display device illustrated in FIG. 2. The TNLC shows a sensitivity of 37.5 au / V at an air gap of 20 μm and a bias voltage of 100 V between the flat display device and the detection device. Have That is, it can be seen that the TNLC according to the present invention exhibits sensitivity of about 3 to 4 times that of the conventional PDLC.

따라서 본 발명의 TNLC 검출 장치는 종래의 PDLC 검출 장치에 비해 큰 에어 갭을 유지하면서도 훨씬 우수한 불량 검출률 확보가 가능하다.Therefore, the TNLC detection apparatus of the present invention can secure a much better defect detection rate while maintaining a larger air gap than the conventional PDLC detection apparatus.

이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사 실이다.The technical spirit of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, but this is by way of example only and not intended to limit the present invention. In addition, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치에 TNLC를 사용함으로써 평면표시장치와 검출 장치 간에 형성된 전기장에 반응하는 액정의 감도가 향상된다. 따라서 평면표시장치와 검출 장치 간의 에어갭을 증가시킬 수 있으므로 평면표시장치 위에 존재하는 파티클에 의해 검출 장치가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 향상된 감도로 평면표시장치에 형성된 TFT 소자 간 미세한 특성 차이를 감지할 수 있고, 화소 불량 및 인접 화소 간 특성 차이에 의해 나타나는 얼룩까지 검출할 수 있다.As described above, the use of TNLC in the pixel state detection device of the flat panel display device according to the present invention improves the sensitivity of the liquid crystal in response to an electric field formed between the flat panel display device and the detection device. Therefore, since the air gap between the flat display device and the detection device can be increased, it is possible to prevent the detection device from being damaged by the particles present on the flat display device. In addition, it is possible to detect the minute characteristic difference between the TFT elements formed in the flat panel display device with improved sensitivity, and to detect spots caused by the pixel defect and the characteristic difference between adjacent pixels.

아울러, 파티클에 의해 검출 장치가 파손되는 것을 방지함으로써 TFT 액정표시장치 제조 라인에서 그 검출 장치 파손에 따른 교체 비용과 장비 다운 타임(down time)의 감소를 통해 생산성이 증대된다.In addition, by preventing the detection device from being damaged by the particles, productivity is increased by reducing the replacement cost and equipment down time caused by the detection device damage in the TFT liquid crystal display manufacturing line.

Claims (6)

상부 유리 이면에 투명전극과 상부 배향막이 형성되고, 하부 유리 표면에 하부 배향막이 형성되며, 상기 상부 배향막과 하부 배향막 사이에 TNLC이 형성되고, 상기 하부 유리 이면에 반사막이 형성되며, 상기 상부 유리 표면에 유리 블록 및 편광판이 차례로 형성되어 검출장치를 구성하고,A transparent electrode and an upper alignment layer are formed on an upper surface of the upper glass, a lower alignment layer is formed on a lower glass surface, a TNLC is formed between the upper alignment layer and a lower alignment layer, and a reflective film is formed on the lower surface of the lower glass. Glass blocks and polarizers are formed in this order to form a detection device, 상기 검출장치의 투명 전극과 화소상태 검출대상인 평면표시장치의 공통단자를 직류 전원으로 인가되게 하여,The common terminal of the transparent electrode of the detection device and the flat panel display as the pixel state detection object are applied with a DC power source, 상기 검출장치와 상기 평면표시장치의 복수 화소 사이에 나타나는 각각의 전계 차이를 검출하도록 된 것을 특징으로 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치.And detecting respective electric field differences between the detection device and the plurality of pixels of the flat panel display device. 상부 유리 이면에 투명전극과 상부 배향막이 형성되고, 하부 유리 표면에 하부 배향막이 형성되며, 상기 상부 배향막과 하부 배향막 사이에 TNLC이 형성되고, 상기 하부 유리 이면에 반사막이 형성되며, 상기 상부 유리 표면에 편광판 및 유리블록이 차례로 형성되어 검출장치를 구성하고,A transparent electrode and an upper alignment layer are formed on an upper surface of the upper glass, a lower alignment layer is formed on a lower glass surface, a TNLC is formed between the upper alignment layer and a lower alignment layer, and a reflective film is formed on the lower surface of the lower glass. Polarizing plates and glass blocks are formed in this order to form a detection device, 상기 검출장치의 투명 전극과 화소상태 검출대상인 평면표시장치의 공통단자를 직류 전원으로 인가되게 하여,The common terminal of the transparent electrode of the detection device and the flat panel display as the pixel state detection object are applied with a DC power source, 상기 검출장치와 상기 평면표시장치의 복수 화소 사이에 나타나는 각각의 전계 차이를 검출하도록 된 것을 특징으로 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치.And detecting respective electric field differences between the detection device and the plurality of pixels of the flat panel display device. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 투명 전극은 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상인 것을 특징으로 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치.The transparent electrode is a pixel state detection device of a flat panel display device, characterized in that the shape consisting of a plurality of rectangular pixels in the form of a matrix, the corners of the adjacent pixels connected to each other. (a) 상부 유리의 하측 표면에 투명 전극을 형성하는 단계;(a) forming a transparent electrode on the lower surface of the upper glass; (b) 상기 투명 전극의 표면 및 하부 유리의 상측 표면, 양측의 일부 영역을 제외한 영역에 상부, 하부 배향막을 각각 형성하는 단계;(b) forming upper and lower alignment layers on the surface of the transparent electrode, the upper surface of the lower glass, and regions except for some regions on both sides; (c) 상기 상부, 하부 배향막의 표면을 러빙하는 단계;(c) rubbing the surfaces of the upper and lower alignment layers; (d) 상기 상부, 하부 유리를 상기 상부, 하부 배향막이 서로 마주보도록 합착하는 단계;(d) bonding the upper and lower glasses so that the upper and lower alignment layers face each other; (e) 상기 상부, 하부 배향막 사이에 TNLC를 주입하는 단계;(e) injecting TNLC between the upper and lower alignment layers; (f) 상기 상부, 하부 배향막 및 상기 TNLC의 양측에 실런트를 실링하는 단계;(f) sealing the sealant on both sides of the upper and lower alignment layers and the TNLC; (g) 상기 하부 유리를 슬리밍하는 단계;(g) slimming the bottom glass; (h) 상기 하부 유리의 표면에 반사막을 형성하는 단계;(h) forming a reflective film on the surface of the lower glass; (i) 상기 상부 유리의 표면에 유리 블록을 형성하는 단계;(i) forming a glass block on the surface of the upper glass; (j) 상기 유리 블록의 표면에 편광판을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치 제조 방법.(j) forming a polarizing plate on the surface of the glass block. (a) 상부 유리의 하측 표면에 투명 전극을 형성하는 단계;(a) forming a transparent electrode on the lower surface of the upper glass; (b) 상기 투명 전극의 표면 및 하부 유리의 상측 표면, 양측의 일부 영역을 제외한 영역에 상부, 하부 배향막을 각각 형성하는 단계;(b) forming upper and lower alignment layers on the surface of the transparent electrode, the upper surface of the lower glass, and regions except for some regions on both sides; (c) 상기 상부, 하부 배향막의 표면을 러빙하는 단계;(c) rubbing the surfaces of the upper and lower alignment layers; (d) 상기 상부, 하부 유리를 상기 상부, 하부 배향막이 서로 마주보도록 합착하는 단계;(d) bonding the upper and lower glasses so that the upper and lower alignment layers face each other; (e) 상기 상부, 하부 배향막 사이에 TNLC를 주입하는 단계;(e) injecting TNLC between the upper and lower alignment layers; (f) 상기 상부, 하부 배향막 및 상기 TNLC의 양측에 실런트를 실링하는 단계;(f) sealing the sealant on both sides of the upper and lower alignment layers and the TNLC; (g) 상기 하부 유리를 슬리밍하는 단계;(g) slimming the bottom glass; (h) 상기 하부 유리의 표면에 반사막을 형성하는 단계;(h) forming a reflective film on the surface of the lower glass; (i) 상기 상부 유리의 표면에 편광판을 형성하는 단계;(i) forming a polarizing plate on the surface of the upper glass; (j) 상기 편광판의 표면에 유리 블록을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치 제조 방법.(j) forming a glass block on the surface of the polarizing plate. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,The method according to claim 4 or 5, 상기 단계 (a)에서 상기 투명 전극은 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치 제조 방법.In the step (a), the transparent electrode is a pixel state detection device manufacturing method of the flat display device, characterized in that formed in the shape consisting of a plurality of rectangular pixels of the matrix form the edges are connected to each other.
KR1020070037317A 2007-04-17 2007-04-17 Device for detecting pixel state of flat-panel display KR100786753B1 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070037317A KR100786753B1 (en) 2007-04-17 2007-04-17 Device for detecting pixel state of flat-panel display
PCT/KR2008/001311 WO2008126988A1 (en) 2007-04-17 2008-03-07 Inspecting method using an electro optical detector
JP2009530293A JP2010506196A (en) 2007-04-17 2008-03-07 Electro-optic detector
JP2009530294A JP2010506197A (en) 2007-04-17 2008-03-07 Inspection method using electro-optic detector
US12/443,794 US20100194414A1 (en) 2007-04-17 2008-03-07 Electro optical detector
US12/443,793 US8378708B2 (en) 2007-04-17 2008-03-07 Inspecting method using an electro optical detector
PCT/KR2008/001310 WO2008126987A1 (en) 2007-04-17 2008-03-07 Electro optical detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070037317A KR100786753B1 (en) 2007-04-17 2007-04-17 Device for detecting pixel state of flat-panel display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100786753B1 true KR100786753B1 (en) 2007-12-18

Family

ID=39147341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070037317A KR100786753B1 (en) 2007-04-17 2007-04-17 Device for detecting pixel state of flat-panel display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100786753B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030042076A (en) * 2001-11-20 2003-05-28 세심광전자기술(주) Active addressing Flat Panel Display Testing Apparatus And It's Making Method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030042076A (en) * 2001-11-20 2003-05-28 세심광전자기술(주) Active addressing Flat Panel Display Testing Apparatus And It's Making Method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101291843B1 (en) Apparatus for inspection of liquid crystal display device and inspecting method thereof
TWI465821B (en) Display panel and alignment method thereof
KR20070037864A (en) Liquid crystal display panel and fabrication method thereof
US20080117372A1 (en) Liquid crystal display device
WO2013149486A1 (en) Device and method for detecting liquid crystal display panel
KR19990012386A (en) Substrate flattening method of liquid crystal display
US20050219442A1 (en) Color filter on array mode liquid crystal display and method for making the same
US7477369B2 (en) Apparatus for testing liquid crystal display device and testing method thereof
KR101541029B1 (en) Color filter substrate, method of manufacturing the same, liquid crystal display panel having the color filter substrate, and method of manufacturing the liquid crystal display panel
US20050190320A1 (en) In-plane switching liquid crystal display device having extraordinary polarizers
US7027123B2 (en) Method of fabricating liquid crystal display device
US20150146122A1 (en) Trace Structure, Repair Method and Liquid Crystal Panel Thereof
KR101697590B1 (en) Substrate structure of liquid crystal display device and method of fabricating liquid crsytal display device
KR20170133734A (en) Liquid Crystal Display Device Including Liquid Crystal Capsule And Method Of Fabricating The Same
KR100786753B1 (en) Device for detecting pixel state of flat-panel display
KR20070046354A (en) Liquid crystal display device and the operating method thereof
KR20070006480A (en) Apparatus for detecting the badness of the seal line and method for detecting the badness of the seal line using the apparatus
KR101232732B1 (en) Polarizer and Liquid Crystal Display Using the Same
US8059225B2 (en) V-shaped pallet comprising a main pallet and an auxiliary pallet having first and second plane sections jointed in a V-shape configured for a liquid crystal display panel
TW201732401A (en) Liquid crystal display device and manufacturing method for same
KR100632680B1 (en) array circuit board of Liquid Crystal Display Device and test method of thereof
JP3010568B2 (en) Inspection machine, inspection method, and manufacturing method for liquid crystal image display device
JP2010185920A (en) Device for inspecting alignment layer, method of inspecting alignment layer, and method for manufacturing electrooptical apparatus
CN101071211A (en) Liquid crystal display device
KR100786754B1 (en) Device for detecting pixel state of display element array substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121205

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131205

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141125

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151207

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161206

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171206

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181129

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190926

Year of fee payment: 13