KR100786753B1 - Device for detecting pixel state of flat-panel display - Google Patents
Device for detecting pixel state of flat-panel display Download PDFInfo
- Publication number
- KR100786753B1 KR100786753B1 KR1020070037317A KR20070037317A KR100786753B1 KR 100786753 B1 KR100786753 B1 KR 100786753B1 KR 1020070037317 A KR1020070037317 A KR 1020070037317A KR 20070037317 A KR20070037317 A KR 20070037317A KR 100786753 B1 KR100786753 B1 KR 100786753B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass
- transparent electrode
- panel display
- detection device
- display device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
도 1은 종래의 PDLC를 사용한 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프,1 is a graph showing the transmittance of a pixel state detection apparatus using a conventional PDLC,
도 2는 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 일 실시예를 나타낸 단면도,2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a pixel state detection device of a flat panel display device according to the present invention;
도 3은 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 동작 원리를 나타낸 도면,3 is a view illustrating an operating principle of a pixel state detection device of the flat panel display shown in FIG. 2;
도 4는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치를 평면표시장치의 화소상태 검출 시스템에 적용한 예를 나타낸 도면,4 is a diagram illustrating an example in which the pixel state detection device of the flat panel display device shown in FIG. 2 is applied to the pixel state detection system of the flat panel display device;
도 5는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프,5 is a graph illustrating transmittance of a pixel state detection device of the flat panel display shown in FIG. 2;
도 6은 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치에서 투명 전극의 일 실시예를 나타낸 도면.6 is a view showing an embodiment of a transparent electrode in a pixel state detection device of a flat panel display device according to the present invention;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 상부 유리 12 : 투명 전극10: upper glass 12: transparent electrode
14 : 하부 유리 16 : 상부 배향막14
18 : 하부 배향막 20 : 액정18
22, 24 : 실런트 26 : 반사막22, 24: sealant 26: reflecting film
28 : 접착층 30 : 유리 블록28: adhesive layer 30: glass block
32 : 편광판 122 : ITO32: polarizing plate 122: ITO
124 : 절연체 300 : 평면표시장치124: insulator 300: flat display device
302, 306 : 정상 화소 304 : 불량 화소302, 306: normal pixel 304: bad pixel
308 : 전계 310 : 검출 장치308: electric field 310: detection device
312 : 직류 전원 314 : 광원312: DC power source 314: light source
316 : 광분리기 318 : 텔레센트릭 렌즈316: optical separator 318: telecentric lens
320 : CCD 카메라 322 : 영상 처리기320: CCD camera 322: image processor
본 발명은 평면표시장치(flat-panel display)의 화소(pixel)상태 검출 장치 및 그 장치 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 능동 매트릭스형 액정표시장치(AMLCD; Active Matrix Liquid Crystal Display)의 생산 공정에서 TFT(thin film transistor, 박막 트랜지스터) 기판 상의 각 소자의 전기적 이상 유무를 검출함으로써 해당 화소의 상태를 검출하도록 하는 장치 및 그 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for detecting a pixel state of a flat-panel display and a method of manufacturing the apparatus, in particular, in the production process of an active matrix liquid crystal display (AMLCD). An apparatus for detecting a state of a corresponding pixel by detecting the presence or absence of an electrical abnormality of each element on a thin film transistor (TFT) substrate, and a method of manufacturing the apparatus.
미국특허 제5406213호에서 PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal, 고분자 분산형 액정)를 이용하여 평면표시장치를 검사하는 장치의 동작 원리를 보면 다음과 같다.The operation principle of a device for inspecting a flat panel display device using PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal) in US Pat.
상기 미국특허 제5406213호에서 평면표시장치를 검사하는 장치는 반사막, 하부 ITO(indium-tin oxide, 투명 전극), PDLC층, 및 상부 ITO가 차례로 적층된 구조를 구비한다. 상기 반사막, 하부 ITO, PDLC층, 및 상부 ITO은 도면 중에 도시되지 않음.The apparatus for inspecting a flat panel display in US Pat. No. 5,532,13 has a structure in which a reflective film, a lower indium-tin oxide (ITO), a PDLC layer, and an upper ITO are sequentially stacked. The reflective film, lower ITO, PDLC layer, and upper ITO are not shown in the figure.
이와 같은 구조에서 하부, 상부 ITO에 전압을 인가하지 않을 경우 PDLC가 불균일하게 정렬된다. 따라서 상부 ITO 측으로부터 제공되는 입사광이 그 상부 ITO에서 산란된다.In such a structure, when no voltage is applied to the lower and upper ITO, the PDLC is unevenly aligned. Thus, incident light provided from the upper ITO side is scattered at the upper ITO.
반면, 하부, 상부 ITO에 전압을 인가할 경우 PDLC가 균일하게 정렬된다. 따라서 상부 ITO 측으로부터 제공되는 입사광이 상부 ITO, PDLC층, 및 하부 ITO를 차례로 투과하고 반사막에 의해 반사된다.On the other hand, when the voltage is applied to the lower and upper ITO, the PDLC is uniformly aligned. Therefore, incident light provided from the upper ITO side passes through the upper ITO, the PDLC layer, and the lower ITO in turn and is reflected by the reflecting film.
이와 같은 동작 원리를 이용하여 평면표시장치의 각 화소에 각기 대응하는 각 회로의 불량 여부를 검출할 수 있다.By using such an operating principle, it is possible to detect whether or not each circuit corresponding to each pixel of the flat panel display is defective.
즉, 복수의 화소가 매트릭스 형태로 배열된 평면표시장치(도면 중에 도시되지 않음)의 표면에 상기 검사 장치를 그 평면표시장치의 표면과 일정 간격을 유지하도록 위치시킨다. 그 평면표시장치와 검사 장치 간에 고전압을 인가한다.That is, the inspection apparatus is positioned on a surface of a flat panel display device (not shown in the drawing) in which a plurality of pixels are arranged in a matrix so as to maintain a predetermined distance from the surface of the flat panel display device. A high voltage is applied between the flat panel display device and the inspection device.
이에 따라, 평면표시장치의 불량 화소 영역에서, 그 불량 화소에 대응하는 TFT의 전기적 특성이 좋지 않기 때문에, 불량 화소 영역의 PDLC층에 전기장이 형성되지 않는다. 따라서 불량 화소 영역의 PDLC가 균일하게 정렬되지 않으므로 결국, 불량 화소 영역에서 검사 장치의 반사율이 저하된다.Accordingly, in the defective pixel region of the flat panel display device, since the electrical characteristics of the TFT corresponding to the defective pixel are not good, no electric field is formed in the PDLC layer of the defective pixel region. Therefore, since the PDLCs of the bad pixel regions are not uniformly aligned, the reflectance of the inspection apparatus is reduced in the bad pixel region.
반면, 평면표시장치의 정상 화소 영역에서, 그 정상 화소에 대응하는 TFT의 전기적 특성이 좋기 때문에, 정상 화소 영역의 PDLC층에 전기장이 양호하게 형성된다. 따라서 정상 화소 영역의 PDLC가 균일하게 정렬되므로 결국, 정상 화소 영역에서 검사 장치의 반사율이 증가된다.On the other hand, in the normal pixel region of the flat panel display device, since the electrical characteristics of the TFT corresponding to the normal pixel are good, the electric field is well formed in the PDLC layer of the normal pixel region. Therefore, since the PDLCs of the normal pixel region are uniformly aligned, the reflectance of the inspection apparatus is increased in the normal pixel region.
이 후, 기 설치된 CCD 카메라(charge-coupled device camera)는 그 검사 장치로부터 반사되는 빛의 세기에 대응하는 전기적인 신호를 생성한다.Thereafter, a pre-installed charge-coupled device camera generates an electrical signal corresponding to the intensity of light reflected from the inspection apparatus.
기 설치된 영상 처리기는 CCD 카메라로부터 제공되는 빛의 세기에 대응하는 전기적인 신호를 처리하여, 평면표시장치에 형성된 각 TFT 어레이 소자에 각기 대응하는 각 화소의 밝기에 따른 영상을 화면에 디스플레이(display)한다.The pre-installed image processor processes an electrical signal corresponding to the light intensity provided from the CCD camera, and displays an image according to the brightness of each pixel corresponding to each TFT array element formed in the flat panel display on a screen. do.
그러나 이와 같은 검사 장치에 구비된 PDLC가 전기장에 반응하기 위해서는 수 마이크로미터 정도의 거리(air gap)가 필요하기 때문에, 그 검사 장치와 검사 대상인 평면표시장치 사이를 수 마이크로미터 정도로 유지시켜야 한다. 따라서 평면표시장치 위의 미세 파티클(particle)에 의해 검사 장치가 파손되는 결점이 있다.However, since the PDLC included in such an inspection apparatus requires an air gap of several micrometers in order to respond to an electric field, it must be maintained between several micrometers between the inspection apparatus and the flat display apparatus to be inspected. Therefore, there is a drawback that the inspection device is damaged by fine particles on the flat panel display.
또한, PDLC 특성상 LC 대비 감도(Sensitivity)가 떨어지기 때문에, 평면표시장치와 검사 장치 사이에 고전압을 가해야 한다. 그 평면표시장치와 검사 장치 사 이에 고전압이 가해지더라도 형성되는 전계가 작기 때문에, 검사 장치와 평면표시장치 사이의 거리가 작아야 한다. 결국, 전술된 바와 같이 검사 장치와 평면표시장치 사이의 거리가 작으므로 평면표시장치 위의 미세 파티클에 의해 검사 장치가 파손된다.In addition, due to PDLC characteristics, sensitivity is inferior to that of LC. Therefore, a high voltage must be applied between the flat panel display device and the inspection device. Even if a high voltage is applied between the flat display device and the inspection device, the electric field formed is small, so the distance between the inspection device and the flat display device should be small. As a result, as described above, since the distance between the inspection device and the flat display device is small, the inspection device is damaged by the fine particles on the flat display device.
도 1은 종래의 PDLC를 사용한 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프로, PDLC는 검사 대상인 평면표시장치와 검출 장치 간의 에어 갭(air gap) 12㎛, 바이어스 전압(bias voltage) 200V 근방에서 10au/V 감도를 갖으며, 하기에서 기술될 본 발명에 따른 TNLC(twisted-nematic liquid crystal)보다 감도가 상당히 떨어지는 것을 알 수 있다.FIG. 1 is a graph showing the transmittance of a conventional pixel state detection device using PDLC. PDLC shows an air gap of 12 μm between the flat display device under test and the detection device, and 10 au / around a bias voltage of 200 V. It can be seen that it has a V sensitivity and is significantly inferior to a twisted-nematic liquid crystal (TNLC) according to the present invention to be described below.
본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 능동 매트릭스형 액정표시장치의 생산 공정에서 TFT 기판 상의 각 소자의 전기적 이상 유무를 TNLC의 전기 광학적 특성을 이용해서 검출함으로써 해당 화소의 양불 여부를 검출하도록 하는 평면표시장치의 화소상태 검출 장치 및 그 장치 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. In the production process of an active matrix type liquid crystal display device, the presence or absence of an abnormal pixel of a pixel is detected by detecting the presence or absence of an electrical abnormality of each element on a TFT substrate using the electro-optical characteristics of TNLC. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a pixel state detection device for a flat panel display device and a manufacturing method thereof.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve this purpose,
본 발명의 일 형태에 따르면, 반사막, 하부 유리, 하부 배향막, TNLC, 상부 배향막, 투명 전극, 및 상부 유리가 차례로 적층되고; 상기 상부 유리 표면에 유리 블록(glass block) 및 편광판이 차례로 적층된 것이 제공된다.According to one embodiment of the present invention, a reflective film, a lower glass, a lower alignment film, a TNLC, an upper alignment film, a transparent electrode, and an upper glass are sequentially stacked; A glass block and a polarizing plate are sequentially stacked on the upper glass surface.
바람직하게는 상기 투명 전극은 인접한 픽셀(pixel) 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상인 것이 좋다.Preferably, the transparent electrode may have a shape consisting of a plurality of rectangular pixels having a matrix in which edges are connected to each other between adjacent pixels.
본 발명의 다른 형태에 따르면, 반사막, 하부 유리, 하부 배향막, TNLC, 상부 배향막, 투명 전극, 및 상부 유리가 차례로 적층되고; 상기 상부 유리 표면에 편광판 및 유리 블록이 차례로 적층된 것이 제공된다.According to another aspect of the present invention, a reflective film, a lower glass, a lower alignment film, a TNLC, an upper alignment film, a transparent electrode, and an upper glass are laminated in this order; It is provided that the polarizing plate and the glass block are sequentially laminated on the upper glass surface.
바람직하게는 상기 투명 전극은 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상인 것이 좋다.Preferably, the transparent electrode may have a shape consisting of a plurality of rectangular pixels having a matrix in which edges are connected to each other between adjacent pixels.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an embodiment of a pixel state detection device of a flat panel display device according to the present invention.
이와 같은 검출 장치는 반사막(26), 하부 유리(두께 80㎛)(14), 하부 배향막(PI(Polyimide, 폴리이미드))(18), 액정(TNLC)(20), 상부 배향막(PI)(16), 투명 전극(두께가 400Å인 ITO)(12), 및 상부 유리(10)가 차례로 적층된다. 이때 하부 배향막(18), 액정(20), 및 상부 배향막(16)의 양측은 실링(sealing)된다.Such a detection device includes a
상부 유리(10) 표면에 접착층(28)에 의해 유리 블록(30)이 접착되고, 그 유리 블록(30) 위에 편광판(32)이 부착된다. 이때 편광판(32)은 유리 블록(30) 위에 부착되는 대신에 상부 유리(10) 위에 부착될 수 있다. 나머지 구조는 전술된 것과 같다.The
상기 투명 전극(12)은 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상으로 이루어진다.The
이와 같은 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 제조 방법을 각 단계별로 보면 다음과 같다.The manufacturing method of the pixel state detection device of the flat panel display for each step is as follows.
먼저 상부 유리(코닝사 E2K 0.5t(두께 0.5mm))(10)의 하측 표면에 투명 전극(ITO)(12)을 스퍼터링 방식을 사용하여 400Å 두께로 증착한다.First, a transparent electrode (ITO) 12 is deposited on the lower surface of the upper glass (Corning E2K 0.5t (thickness 0.5mm)) 10 to a thickness of 400 kV using a sputtering method.
이후 도 6과 같이 투명 전극(12)을 패터닝하고 불필요한 부분을 식각(Etching)하여, 투명 전극(12)이 인접한 픽셀 간에 모서리가 서로 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상이 되도록 한다. 이와 같이 투명 전극(12)을 인접한 픽셀(pixel) 간에 모서리가 연결된 매트릭스 형태의 복수의 사각형 픽셀로 이루어진 형상으로 형성함으로써 본 발명에 따른 화소상태 검출의 분해능이 개선된다. 상기 각기의 사각형 픽셀의 크기는 10×10 ㎛가 적당하고 사각형 픽셀의 간격은 5 ㎛가 적당하다. 여기서 도면 부호 122는 ITO이고 도면 부호 124는 절연체이다.Thereafter, as shown in FIG. 6, the
투명 전극(12)의 표면 및 하부 유리(두께 100㎛ 이하)(14)의 상측 표면, 양 측의 일부 영역을 제외한 영역에 후공정의 액정(20)에 배향력을 만들어 주는 PI를 각기 코팅(coating)하여 상부, 하부 배향막(16, 18)을 각각 형성한다. 상기 양측의 일부 영역은 후에 액정(20)을 실링할 영역이다.On the surface of the
광효율이 최대가 되도록 상부, 하부 배향막(16, 18)의 표면을 예로, 55도로 러빙(rubbing)한다.In order to maximize the light efficiency, the surfaces of the upper and lower alignment layers 16 and 18 are rubbed at, for example, 55 degrees.
상부, 하부 유리(10, 14)를 상부, 하부 배향막(16, 18)이 서로 마주보도록 액정(20)의 셀갭 3.9㎛로 합착한다. 또한, 액정(20)의 Δε은 8.8이고 Δn은 0.101이다.The upper and
상부, 하부 배향막(16, 18) 사이에 액정(20)을 주입한다. 액정(20)은 저전압으로 구동하는 TNLC를 사용한다.The
상부, 하부 배향막(16, 18) 및 액정(20)의 양측에 실런트(sealant)(22, 24)를 실링한다.
하부 유리(14)를 두께가 100㎛ 이하로 되도록 슬리밍(slimming)한다. 슬리밍 방법으로는 식각 및 폴리싱(Polishing)이 있는데, 이 중에 한가지를 사용한다. 하부 유리(14)의 슬리밍은 최대한 얇게 하는 것이 중요하지만, 그 하부 유리(14)의 파손 및 가공 편차를 감안하여, 하부 유리(14)의 두께가 80㎛가 되도록 슬리밍하는 것이 좋다.The
하부 유리(14)의 표면에 특정 파장 예로, 레드(red) 파장대(660nm)를 반사시키는 반사막(26)을 코팅한다.The
상부 유리(10)의 표면에 접착층(28)을 사용하여 유리 블록(30)을 접착한다.The
유리 블록(30)의 표면에 25도의 편광판(32)을 부착한다. 이때 25도의 편광판(32)을 유리 블록(30)의 표면에 부착하는 대신 상부 유리(10)의 표면에 부착할 수 있다. 나머지 공정은 전술된 것과 같다.A 25
이와 같은 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 동작을 보면 다음과 같다.The operation of the pixel state detection device of the flat panel display device according to the present invention is as follows.
도 3은 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 동작 원리를 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating an operating principle of a pixel state detection device of the flat panel display shown in FIG. 2.
먼저, 도 3의 좌측 도면은 투명 전극과 테스트용 평면표시장치 간에 직류 전압이 인가되지 않았을 경우의 액정 거동 및 광로를 나타낸 것으로, 액정은 초기 꼬임상태를 유지하게 되므로 위에서 입사된 빛이 반사막을 통해 반사되지 않은 상태를 보이고 있다. 즉, 편광판을 통해 입사된 빛이 액정층을 통과하고 반사막에 의해 반사되며, 다시 액정층을 통과하면서 90도를 유지한다. 따라서 입사된 빛이 반사막에 의해 반사되고 액정을 통과할 경우 편광판과 이루는 각도 때문에 결국, 편광판을 투과할 수 없다.First, FIG. 3 illustrates a liquid crystal behavior and an optical path when a direct current voltage is not applied between the transparent electrode and the test flat panel display. Since the liquid crystal maintains an initial twist state, the light incident from above is reflected through the reflective film. It is not reflected. That is, light incident through the polarizing plate passes through the liquid crystal layer and is reflected by the reflective film, and maintains 90 degrees while passing through the liquid crystal layer again. Therefore, when the incident light is reflected by the reflective film and passes through the liquid crystal, it cannot be transmitted through the polarizing plate because of the angle formed with the polarizing plate.
다음, 도 3의 우측 도면은 투명 전극과 테스트용 평면표시장치 간에 직류 전압이 인가되었을 경우의 액정 거동 및 광로를 나타낸 것으로, 액정이 거동하여 광경로의 변화가 없기 때문에 결국, 입사된 빛이 반사막에 의해 그대로 반사되고 편광판을 통과하게 된다. 이와 같이 통과된 빛은 광학 장치를 거쳐 CCD 카메라에 감지된 후 이미지 처리기에 의해 이미지 처리된다. 그 이미지 처리된 신호에 대응하 는 영상이 화면에 디스플레이됨으로써 사용자는 테스트용 평면표시장치에 형성된 화소 및 TFT 등의 불량 여부를 시각적으로 용이하게 확인할 수 있다.Next, FIG. 3 shows a liquid crystal behavior and an optical path when a direct current voltage is applied between the transparent electrode and the test flat panel display. As the liquid crystal behaves, there is no change in the optical path. It is reflected by the light as it passes through the polarizing plate. The light passed in this way is sensed by the CCD camera via the optical device and then processed by the image processor. Since an image corresponding to the image processed signal is displayed on the screen, the user can visually check whether the pixels and the TFTs formed in the test flat display device are defective.
도 4는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치를 평면표시장치의 화소상태 검출 시스템에 적용한 예를 나타낸 도면이다. 이때, 검출 장치(310)는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치를 의미한다.4 is a diagram illustrating an example in which the pixel state detection device of the flat panel display device illustrated in FIG. 2 is applied to the pixel state detection system of the flat panel display device. In this case, the
먼저, 검출 장치(310)에 구비된 투명 전극(12) 및 검사 대상인 평면표시장치(300)에 형성된 TFT 어레이 기판의 공통(common) 단자 간에 직류 전원(바이어스 전압)(312)을 인가하고, 평면표시장치(300)에 형성된 복수의 화소(302, 304, 306)에 각기 대응하는 복수의 TFT를 구동시킨다. 이때, 검출 장치(310)는 평면표시장치(300)의 표면에 근접되어 있는 상태이다.First, a DC power supply (bias voltage) 312 is applied between the
이에 따라 평면표시장치(300)에 형성된 복수의 화소(302, 304, 306)와 검출 장치(310) 간에 각 전계(308)가 형성된다. 이때 정상 화소(302, 306)와 전기적인 결함이 있는 불량 화소(304)와의 각 전계의 차이가 각기 다르게 형성된다.Accordingly, each
그 전계의 차이가 각기 다르게 형성됨에 대응하여 광원(314)으로부터 광분리기(Beam Splitter)(316)를 통해 제공되는 광의 반사율이 각기 다르게 된다. 결국, 그 각기 다른 반사율에 따라 반사되는 각 광이 광분리기(316)를 통과하고 텔레센트릭 렌즈(Telecentric Lens)(318)를 통해 CCD 카메라(320)로 제공된다.In response to the difference in the electric field being formed differently, the reflectance of the light provided through the
CCD 카메라(320)는 텔레센트릭 렌즈(318)를 통해 제공되는 빛을 자신의 CCD 크기에 맞게 축소하여 집광한다.The
CCD 카메라(320)에 있어서, 각기의 CCD 소자는 서로 다른 광량의 빛을 각기 받아 각각의 전기적인 아날로그 신호로 변환하고, 각 증폭기를 통해 그 각 아날로그 신호를 각기 증폭하며, 각각의 A/D 변환기(Analog/Digital Converter)를 통해 그 각기 증폭된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환해서 영상 처리기(322)로 제공한다.In the
영상 처리기(322)는 CCD 카메라(320)로부터 제공되는 디지털 신호를 볼티지 이미지 프로세싱하여, 프로그램 상에 정해진 한계값을 벗어난 값을 전기적 결함이 있는 불량 화소로 검출해서 예로, 화면(324)과 같이 디스플레이한다.The
도 5는 도 2에 도시된 평면표시장치의 화소상태 검출 장치의 투과율을 나타낸 그래프로, TNLC는 검사 대상인 평면표시장치와 검출 장치 간의 에어 갭 20㎛, 바이어스 전압 100V 근방에서 37.5au/V 감도를 갖는다. 즉, 본 발명에 따른 TNLC는 종래의 PDLC보다 3~4배 정도의 감도를 나타냄을 알 수 있다.FIG. 5 is a graph illustrating transmittance of the pixel state detection device of the flat panel display device illustrated in FIG. 2. The TNLC shows a sensitivity of 37.5 au / V at an air gap of 20 μm and a bias voltage of 100 V between the flat display device and the detection device. Have That is, it can be seen that the TNLC according to the present invention exhibits sensitivity of about 3 to 4 times that of the conventional PDLC.
따라서 본 발명의 TNLC 검출 장치는 종래의 PDLC 검출 장치에 비해 큰 에어 갭을 유지하면서도 훨씬 우수한 불량 검출률 확보가 가능하다.Therefore, the TNLC detection apparatus of the present invention can secure a much better defect detection rate while maintaining a larger air gap than the conventional PDLC detection apparatus.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사 실이다.The technical spirit of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, but this is by way of example only and not intended to limit the present invention. In addition, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 평면표시장치의 화소상태 검출 장치에 TNLC를 사용함으로써 평면표시장치와 검출 장치 간에 형성된 전기장에 반응하는 액정의 감도가 향상된다. 따라서 평면표시장치와 검출 장치 간의 에어갭을 증가시킬 수 있으므로 평면표시장치 위에 존재하는 파티클에 의해 검출 장치가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 향상된 감도로 평면표시장치에 형성된 TFT 소자 간 미세한 특성 차이를 감지할 수 있고, 화소 불량 및 인접 화소 간 특성 차이에 의해 나타나는 얼룩까지 검출할 수 있다.As described above, the use of TNLC in the pixel state detection device of the flat panel display device according to the present invention improves the sensitivity of the liquid crystal in response to an electric field formed between the flat panel display device and the detection device. Therefore, since the air gap between the flat display device and the detection device can be increased, it is possible to prevent the detection device from being damaged by the particles present on the flat display device. In addition, it is possible to detect the minute characteristic difference between the TFT elements formed in the flat panel display device with improved sensitivity, and to detect spots caused by the pixel defect and the characteristic difference between adjacent pixels.
아울러, 파티클에 의해 검출 장치가 파손되는 것을 방지함으로써 TFT 액정표시장치 제조 라인에서 그 검출 장치 파손에 따른 교체 비용과 장비 다운 타임(down time)의 감소를 통해 생산성이 증대된다.In addition, by preventing the detection device from being damaged by the particles, productivity is increased by reducing the replacement cost and equipment down time caused by the detection device damage in the TFT liquid crystal display manufacturing line.
Claims (6)
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070037317A KR100786753B1 (en) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | Device for detecting pixel state of flat-panel display |
PCT/KR2008/001311 WO2008126988A1 (en) | 2007-04-17 | 2008-03-07 | Inspecting method using an electro optical detector |
JP2009530293A JP2010506196A (en) | 2007-04-17 | 2008-03-07 | Electro-optic detector |
JP2009530294A JP2010506197A (en) | 2007-04-17 | 2008-03-07 | Inspection method using electro-optic detector |
US12/443,794 US20100194414A1 (en) | 2007-04-17 | 2008-03-07 | Electro optical detector |
US12/443,793 US8378708B2 (en) | 2007-04-17 | 2008-03-07 | Inspecting method using an electro optical detector |
PCT/KR2008/001310 WO2008126987A1 (en) | 2007-04-17 | 2008-03-07 | Electro optical detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070037317A KR100786753B1 (en) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | Device for detecting pixel state of flat-panel display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100786753B1 true KR100786753B1 (en) | 2007-12-18 |
Family
ID=39147341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070037317A KR100786753B1 (en) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | Device for detecting pixel state of flat-panel display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100786753B1 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030042076A (en) * | 2001-11-20 | 2003-05-28 | 세심광전자기술(주) | Active addressing Flat Panel Display Testing Apparatus And It's Making Method |
-
2007
- 2007-04-17 KR KR1020070037317A patent/KR100786753B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030042076A (en) * | 2001-11-20 | 2003-05-28 | 세심광전자기술(주) | Active addressing Flat Panel Display Testing Apparatus And It's Making Method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101291843B1 (en) | Apparatus for inspection of liquid crystal display device and inspecting method thereof | |
TWI465821B (en) | Display panel and alignment method thereof | |
KR20070037864A (en) | Liquid crystal display panel and fabrication method thereof | |
US20080117372A1 (en) | Liquid crystal display device | |
WO2013149486A1 (en) | Device and method for detecting liquid crystal display panel | |
KR19990012386A (en) | Substrate flattening method of liquid crystal display | |
US20050219442A1 (en) | Color filter on array mode liquid crystal display and method for making the same | |
US7477369B2 (en) | Apparatus for testing liquid crystal display device and testing method thereof | |
KR101541029B1 (en) | Color filter substrate, method of manufacturing the same, liquid crystal display panel having the color filter substrate, and method of manufacturing the liquid crystal display panel | |
US20050190320A1 (en) | In-plane switching liquid crystal display device having extraordinary polarizers | |
US7027123B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device | |
US20150146122A1 (en) | Trace Structure, Repair Method and Liquid Crystal Panel Thereof | |
KR101697590B1 (en) | Substrate structure of liquid crystal display device and method of fabricating liquid crsytal display device | |
KR20170133734A (en) | Liquid Crystal Display Device Including Liquid Crystal Capsule And Method Of Fabricating The Same | |
KR100786753B1 (en) | Device for detecting pixel state of flat-panel display | |
KR20070046354A (en) | Liquid crystal display device and the operating method thereof | |
KR20070006480A (en) | Apparatus for detecting the badness of the seal line and method for detecting the badness of the seal line using the apparatus | |
KR101232732B1 (en) | Polarizer and Liquid Crystal Display Using the Same | |
US8059225B2 (en) | V-shaped pallet comprising a main pallet and an auxiliary pallet having first and second plane sections jointed in a V-shape configured for a liquid crystal display panel | |
TW201732401A (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method for same | |
KR100632680B1 (en) | array circuit board of Liquid Crystal Display Device and test method of thereof | |
JP3010568B2 (en) | Inspection machine, inspection method, and manufacturing method for liquid crystal image display device | |
JP2010185920A (en) | Device for inspecting alignment layer, method of inspecting alignment layer, and method for manufacturing electrooptical apparatus | |
CN101071211A (en) | Liquid crystal display device | |
KR100786754B1 (en) | Device for detecting pixel state of display element array substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121205 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131205 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141125 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151207 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161206 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171206 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181129 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190926 Year of fee payment: 13 |