KR100785796B1 - Apparatus for fabricating Bragg grating and method of fabricating Bragg grating using the same apparatus in planar optical waveguide - Google Patents

Apparatus for fabricating Bragg grating and method of fabricating Bragg grating using the same apparatus in planar optical waveguide Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자빔 방법 및 레이저 빔 간섭 방법의 문제점을 개선할 수 있고, 위상 마스크를 이용하면서도 평판형 광도파로에 브라그 격자를 형성할 수 있는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치 및 그 장치를 이용한 브라그 격자 형성방법을 제공한다. 그 브라그 격자 형성장치는 브라그 격자를 형성하기 위해 이용되는 위상 마스크; 위상 마스크로 입사 및 출사되는 자외선(ultraviolet) 빔을 조절하여 자외선 빔에 의한 노광을 제어하는 노광 제어장치; 및 브라그 격자가 형성될 평판형 광도파로 구조를 가진 샘플의 정렬 및 상기 노광 제어장치의 위치를 자동으로 조절하는 자동 위치조절장치;를 포함한다.The present invention can improve the problems of the electron beam method and the laser beam interference method, and a Bragg grating forming apparatus and a device thereof in a flat plate type optical waveguide that can form a Bragg grating in a plate type optical waveguide while using a phase mask. Provided is a Bragg grating forming method. The Bragg grating forming apparatus includes a phase mask used to form a Bragg grating; An exposure control device controlling exposure by an ultraviolet beam by adjusting an ultraviolet beam incident and exiting with a phase mask; And an automatic positioning device for automatically adjusting the alignment of the sample having the flat optical waveguide structure on which the Bragg grating is to be formed and the position of the exposure control device.

격자, 평판형 광도파로, 브라그 격자, 위상 마스크 Gratings, Planar Waveguides, Bragg Gratings, Phase Masks

Description

평판형 광도파로의 브라그 격자 형성장치 및 그 장치를 이용한 브라그 격자 형성방법{Apparatus for fabricating Bragg grating and method of fabricating Bragg grating using the same apparatus in planar optical waveguide}Apparatus for fabricating Bragg grating and method of fabricating Bragg grating using the same apparatus in planar optical waveguide}

도 1a ~ 1c는 종래의 브라그 격자 형성방법을 개략적으로 보여주는 단면도들이다.1A to 1C are cross-sectional views schematically illustrating a conventional Bragg grating forming method.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치에 대한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a Bragg grating forming apparatus in a planar optical waveguide according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 브라그 격자 형성장치에서 브라그 격자가 형성될 샘플과 위상 마스크 간의 초기 정렬 방법을 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an initial alignment method between a phase mask and a sample on which a Bragg grating is to be formed in the Bragg grating forming apparatus of FIG. 2.

도 4a ~ 4f는 제2 실시예에 따른 브라그 격자 형성장치를 이용한 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법을 보여주는 단면도들이다.4A to 4F are cross-sectional views illustrating a Bragg grating forming method in a flat optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus according to the second embodiment.

도 5는 도 4b의 A 부분을 확대하여 보여주는 평면도이다.5 is an enlarged plan view illustrating a portion A of FIG. 4B.

도 6a ~ 6e는 제3 실시예에 따른 브라그 격자 형성장치를 이용한 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법을 보여주는 단면도들이다.6A to 6E are cross-sectional views illustrating a Bragg grating forming method in a flat optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus according to the third embodiment.

도 7a 및 7b는 본 발명의 브라그 격자 형성방법을 통해 제작한 브라그 격자의 전자현미경 측정 사진들이다.7a and 7b are electron micrographs of the Bragg grating produced by the Bragg grating forming method of the present invention.

도 8은 본 발명의 브라그 격자 형성방법을 통해 제작한 브라그 격자의 스펙 트럼 측정사진이다.8 is a spectrum measurement photograph of Bragg grating produced by the Bragg grating forming method of the present invention.

<도면에 주요부분에 대한 설명><Description of main parts in the drawing>

100:기판 110,110a:하부 클래드층100: substrate 110,110a: lower clad layer

120,120a,120b:코아층 130,130a:크롬 박막층120, 120a, 120b: core layer 130, 130a: chrome thin film layer

140:금 박막층 142:금 박막층의 마스크 영역140: gold thin film layer 142: mask region of the gold thin film layer

144:금 박막층의 공백 영역 150:포토 레지스트144: blank region 150 of gold thin film layer: photoresist

160,160a:상부 클래드층 302:제1 광블로커160,160a: upper clad layer 302: first optical blocker

304:위상 마스크 305:제2 광블로커304: phase mask 305: second optical blocker

307:샘플 홀더 308,402:Y 방향 스테이지307: sample holder 308, 402: stage Y direction

309:스테이지 홀더 310:제어장치 홀더309: stage holder 310: controller holder

320,401:Z 방향 스테이지 330,404:X 방향 스테이지320,401: Z direction stage 330,404: X direction stage

403:CCD 카메라 510:샘플403: CCD camera 510: Sample

본 발명은 광통신 소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 평판형 광도파로에 브라그 격자를 형성하는 브라그 격자 형성장치 및 그 형성장치를 이용한 브라그 격자 형성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical communication device, and more particularly, to a Bragg grating forming apparatus for forming a Bragg grating on a flat optical waveguide and a Bragg grating forming method using the forming apparatus.

브라그 격자(Bragg Grating)는 여러 파장의 광신호 채널 중, 원하는 신호를 전송하는 특정 파장의 빛을 선택할 수 있는 파장 필터(wavelength filter)로 파장 분할 다중(Wavelength Division Multiplexing:WDM) 광통신 시스템의 핵심 부품이다.Bragg Grating is a wavelength filter that selects light of a specific wavelength that transmits a desired signal among optical signal channels of various wavelengths, and is the core of a wavelength division multiplexing (WDM) optical communication system. Parts.

이러한 브라그 격자는 광섬유나 광도파로 상에 빛의 진행방향으로 도파로의 유효굴절률이 주기적으로 변하는 격자를 형성하여 제작할 수 있다. 광도파로에 λ1, λ2, ..., λN의 N개의 파장이 입사하게 되면 다음의 식(1)의 조건을 만족하는 파장의 빛은 반사되고, 나머지 파장의 빛은 투과하게 된다. 이와 같은 조건을 브라그 조건(Bragg condition)이라고 한다.The Bragg grating can be fabricated by forming a grating in which the effective refractive index of the waveguide periodically changes in the direction of light propagation on the optical fiber or optical waveguide. When N wavelengths of λ 1 , λ 2 , ..., λ N are incident on the optical waveguide, light of a wavelength satisfying the condition of the following expression (1) is reflected and light of the remaining wavelength is transmitted. Such a condition is called a Bragg condition.

λB = 2 neffΛ ................ 식(1)λ B = 2 n eff Λ ................ Equation (1)

여기서, λB 는 브라그 격자에 의해 반사되는 브라그 파장을 나타내고, neff 는 유효 굴절율을 나타내며, Λ는 광도파로 내에 형성된 격자의 주기를 나타낸다.Λ B represents the Bragg wavelength reflected by the Bragg grating, n eff represents the effective refractive index, and Λ represents the period of the grating formed in the optical waveguide.

기존의 파장 필터 제조방법으로 광 민감성 광섬유에 위상 마스크를 통해 브라그 격자를 형성하는 방법이 있다.Conventional wavelength filter manufacturing method has a method to form a Bragg grating through a phase mask on a photosensitive optical fiber.

도 1a는 종래의 위상 마스크를 이용하여 브라그 격자를 형성하는 방법을 개략적으로 보여주는 단면도이다.1A is a cross-sectional view schematically illustrating a method of forming a Bragg grating using a conventional phase mask.

도 1a를 참조하면, 위상 마스크(14, phase mask)에 일정 주기(ΛPM)의 격자가 형성되어 있고, 이러한 위상 마스크(14)를 통해 자외선(ultraviolet) 빔을 브라그 격자가 형성될 샘플(12, sample)에 조사하여 브라그 격자를 형성하게 된다. 여기서, 화살표 상의 -1, 0, +1은 간섭 무늬에 의한 격자 차수를 나타내는 것으로, -1 및 +1 가 1 차 보강간섭을 의미한다. 따라서, 샘플 내의 브라그 격자는 위상 마스크의 격자 주기(ΛPM)의 1/2 주기로 형성된다.Referring to FIG. 1A, a grating having a certain period (Λ PM ) is formed in a phase mask 14, and a sample to which an Bragg grating is formed by applying an ultraviolet beam through the phase mask 14 is illustrated. 12, sample) to form a Bragg grating. Here, -1, 0, +1 on the arrow indicates a lattice order due to interference fringes, and -1 and +1 mean primary constructive interference. Thus, the Bragg grating in the sample is formed at half the period of the grating period Λ PM of the phase mask.

이와 같은 위상 마스크를 통한 브라그 격자 형성 방법은 일반적으로 광민감성 광섬유가 이용되는데, 이러한 광민감성 광섬유는 특성상 다른 광소자와의 집적이 어려우며 대량 생산이 용이하지 않다는 단점이 있다. 또한, 광민감성 물질이 사용되므로 사용 가능한 물질이 제한된다는 단점을 가진다.The Bragg grating formation method using such a phase mask is generally used a photosensitive optical fiber, the optical sensitive optical fiber is difficult to integrate with other optical elements and has a disadvantage in that mass production is not easy. In addition, the use of photosensitive materials has the disadvantage that the available materials are limited.

한편, 파장 필터 제조방법으로 평판형 광도파로를 이용하는 방법이 있는데, 이러한 평판형 도파로 소자는 생산성이 우수하고 크기가 작으며 다수의 소자가 집적된 소자를 제조하는데 유리하다. 통상의 평판형 도파로 소자를 제작하기 위한 물질로는 실리카(silica)와 같은 유리 물질, 폴리머(polymer), 실리콘(silicon), 리튬나오베이트(LiNbO3) 등이 존재한다. 이러한 물질의 대부분은 광민감성 특성이 없기 때문에, 기존의 광섬유의 광민감성 성질을 이용한 위상 마스크를 사용하는 방법을 적용할 수 없다. 또한, 별도의 후공정을 통하여 광민감성을 갖도록 할 수 있으나, 공정이 용이하지 않을 뿐만 아니라 장기간 사용시 물질의 안정성 및 브라그 격자 특성 안정성을 보장하기가 현실적으로 어렵다.On the other hand, there is a method of using a flat waveguide as a wavelength filter manufacturing method, such a flat waveguide device is excellent in productivity, small size, it is advantageous to manufacture a device in which a large number of devices are integrated. As a material for fabricating a conventional flat waveguide device, a glass material such as silica, a polymer, a silicon, lithium naobate (LiNbO 3 ), and the like are present. Since most of these materials do not have photosensitive properties, the method of using a phase mask using the photosensitive properties of existing optical fibers cannot be applied. In addition, it is possible to have a photosensitivity through a separate post-process, but not only the process is easy, but also it is practically difficult to ensure the stability of the material and the stability of Bragg grating properties in the long-term use.

상기와 같이 광민감성이 없거나 광민감성 공정을 적용하기 어려운 평판형 도파로에 브라그 격자를 제작하기 위한 종래 기술로는 먼저 기판에 포토 레지스트(photo resist)를 코팅한 후에 전자빔(electron beam)을 이용하여 직접 브라그 격자 패턴을 새기는 방법이 있다. 그러나 전자빔을 이용하기 때문에, 고가의 장비를 사용해야 하고, 브라그 격자 패턴을 새기기 위한 공정 시간이 매우 길기 때문에 대량 생산에 적합하지 않은 단점이 있다.As a conventional technique for fabricating Bragg grating on a flat waveguide, which is not photosensitive or difficult to apply a photosensitive process as described above, first a photoresist is coated on a substrate and then an electron beam is used. There is a way to engrave the Bragg grid pattern directly. However, since the use of the electron beam, expensive equipment must be used, and the processing time for engraving Bragg grating patterns is very long, which is not suitable for mass production.

평판형 도파로에 브라그 격자를 제작하는 다른 기술로는 레이저(laser) 빔의 간섭 특성을 이용하여 포토 레지스트에 원하는 격자를 갖는 브라그 패턴을 형성하고 그 패턴을 이용하여 평판형 도파로에 브라그 격자를 형성하는 방법이 있다.Another technique for fabricating Bragg gratings in a planar waveguide is to form a Bragg pattern with a desired grating in the photoresist using the interference characteristics of the laser beam and to use the Bragg grating in the planar waveguides. There is a way to form.

도 1b 및 1c는 종래의 평판형 광도파로에 레이저 빔의 간섭 특성을 이용하여 브라그 격자를 형성하는 방법을 개략적으로 보여주는 단면도들이다.1B and 1C are cross-sectional views schematically illustrating a method of forming Bragg grating using the interference characteristics of a laser beam in a conventional flat optical waveguide.

도 1b의 경우, 자외선 레이저 장치(28)에서 발생한 자외선 빔이 빔 분배기(26, beam splitter, 이하 '빔 분배기'라 한다)를 통해 분리되고 두 개의 자외선 반사경(24)을 거쳐 평판형 광도파로 구조를 갖는 샘플(22) 상의 포토 레지스트에 보강 간섭을 하면서 조사된다. 도 1c의 경우도 간섭 특성을 이용하는 것은 동일하나, 도 1b와는 달리 자외선 레이저(28)에서 두 개의 자외선 빔이 출사되어 하나의 자외선 빔은 바로 샘플(22)에 조사되고 다른 하나는 자외선 반사경(24)을 통해 조사되어, 결국 샘플(22)에서 두 자외선 빔이 보강 간섭을 하는 구조를 갖는다. 한편, 샘플을 고정하는 샘플 홀더(32)와 정확한 간섭 특성을 조절하기 위한 회전 스테이지(34, rotation stage, 이하 '회전 스테이지'라 한다 )가 자외선 반사경(24)과 결합하여 형성되어 있다.In the case of Figure 1b, the ultraviolet beam generated by the ultraviolet laser device 28 is separated through a beam splitter 26 (beam splitter, hereinafter referred to as "beam splitter"), and through the two ultraviolet reflector 24, a flat optical waveguide structure Irradiated with constructive interference on the photoresist on the sample 22 having In the case of FIG. 1C, the interference characteristics are the same. However, unlike FIG. 1B, two ultraviolet beams are emitted from the ultraviolet laser 28 so that one ultraviolet beam is directly irradiated onto the sample 22 and the other is an ultraviolet reflector 24. Is irradiated), resulting in a structure in which two ultraviolet beams in the sample 22 interfere with constructive interference. On the other hand, a sample holder 32 for fixing a sample and a rotation stage 34 (hereinafter referred to as a rotation stage) for adjusting an accurate interference characteristic are formed in combination with the ultraviolet reflector 24.

이와 같은 자외선 레이저 빔의 간섭 특성을 이용한 노광 방법은 전자빔을 이용한 방법보다는 시간이 짧은 장점이 있으나, 넓은 영역의 기판에 균일한 브라그 격자를 제작하기 어려운 문제가 있다.Such an exposure method using the interference characteristics of the ultraviolet laser beam has a shorter time than the method using the electron beam, but it is difficult to produce a uniform Bragg grating on a large area of the substrate.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전자빔 방법 및 레이저 빔 간섭 방법의 문제점을 개선할 수 있고, 위상 마스크를 이용하면서도 평판형 광도파 로에 브라그 격자를 형성할 수 있는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치 및 그 장치를 이용한 브라그 격자 형성방법을 제공하는 데에 있다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to improve the problems of the electron beam method and the laser beam interference method, Bragg in a flat plate optical waveguide that can form a Bragg grating on a flat plate optical waveguide while using a phase mask A grid forming apparatus and a Bragg grid forming method using the apparatus are provided.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 브라그 격자(Bragg Grating)를 형성하기 위해 이용되는 위상 마스크(phase mask); 상기 위상 마스크로 입사 및 출사되는 자외선(ultraviolet) 빔(beam)을 조절하여 자외선 빔에 의한 노광을 제어하는 노광 제어장치; 및 브라그 격자가 형성될 평판형 광도파로 구조를 가진 샘플(sample)의 정렬 및 상기 노광 제어장치의 위치를 자동으로 조절하는 자동 위치조절장치;를 포함하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성 장치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is a phase mask used to form a Bragg grating (Bragg Grating); An exposure control device controlling exposure by an ultraviolet beam by adjusting an ultraviolet beam incident and exited by the phase mask; And an automatic positioning device for automatically adjusting the alignment of a sample having a flat plate type optical waveguide structure on which the Bragg grating is to be formed and the position of the exposure control device. To provide.

본 발명에 있어서, 상기 노광 제어장치는 상기 위상 마스크가 결합하고 상기 위상 마스크로의 자외선 빔의 크기(size)를 조절하기 위한 제1 광블로커(optical blocker) 및 상기 제1 광블로커에 결합되고 상기 위상 마스크를 통과한 자외선 빔의 격자 차수를 제한하기 위한 제2 광블로커를 포함할 수 있고, 상기 자동 위치조절장치는 상기 샘플을 고정하기 위한 샘플 홀더(sample holder), 상기 샘플 홀더의 좌우 및 상하 위치를 조절하는 X 및 Y 방향 스테이지(direction stage), 및 상기 노광 제어장치의 전후 위치를 조절하는 Z 방향 스테이지를 포함할 수 있다.In the present invention, the exposure control device is coupled to the first optical blocker and the first optical blocker and the first optical blocker for adjusting the size of the ultraviolet beam to the phase mask is coupled to the phase mask and the And a second optical blocker for limiting the lattice order of the ultraviolet beam passing through the phase mask, wherein the automatic positioning device comprises: a sample holder for holding the sample, left and right and top and bottom of the sample holder; X and Y direction stages for adjusting the position, and Z direction stage for adjusting the front and rear positions of the exposure control device.

또한, 상기 X 및 Y 방향 스테이지는 컴퓨터 프로그램(program)을 통해 미세자동조절되며, 상기 브라그 격자 형성장치는 한 번의 프로그램 입력을 통해 상기 샘플의 브라그 격자 패턴 형성 영역 전체에 대한 자외선 빔에 의한 노광 공정을 진행할 수 있다.In addition, the X and Y direction stages are finely adjusted through a computer program, and the Bragg grating forming apparatus is driven by an ultraviolet beam for the entire Bragg grating pattern forming region of the sample through one program input. An exposure process can be advanced.

상기 제1 광블로커는 평판 형상을 가지되 상기 위상 마스크로 자외선 빔이 입사되고 자외선 빔의 크기 조절을 할 수 있는 빔사이즈 조절 개방부를 가지며, 상기 빔사이즈 조절 개방부의 개방 크기는 사용되는 위상 마스크의 격자 부분의 크기에 따라 변화될 수 있다. The first optical blocker has a flat plate shape and has a beam size adjusting opening for injecting an ultraviolet beam into the phase mask and controlling the size of the ultraviolet beam, and the opening size of the beam size adjusting opening is determined by the phase mask used. It may vary depending on the size of the grating portion.

상기 제2 광블로커는 상기 위상 마스크를 감싸는 형상으로 상기 제1 광블로커에 결합되어 있되 상기 위상 마스크를 통과하여 상기 샘플로 입사되는 상기 자외선 빔의 간섭무늬의 격자 차수 제한을 위한 간섭차수 조절 개방부가 형성되어 있고, 상기 간섭 조절 개방부는 브라그 격자 패턴 영역의 범위에 따라 크기 조절이 될 수 있다.The second optical blocker is coupled to the first optical blocker in a shape surrounding the phase mask, but an interference order control opening portion for limiting the lattice order of the interference fringes of the ultraviolet beam incident through the phase mask and incident on the sample is provided. The interference control opening may be sized according to the range of the Bragg grating pattern region.

상기 브라그 격자 형성장치는 CCD 카메라(camera)를 통한 위상 마스크와 샘플 간의 이미지(image) 정렬을 모니터(monitor)를 통해 실시간으로 제어할 수 있고, 상기 CCD 카메라는 카메라용 X, Y, 및 Z 방향 스테이지에 고정되어 X, Y, 및 Z 방향으로 자유롭게 위치 조절이 될 수 있다.The Bragg grating forming apparatus can control image alignment between a phase mask and a sample through a CCD camera in real time through a monitor, and the CCD camera is used for camera X, Y, and Z. It is fixed to the directional stage and can be freely adjusted in the X, Y, and Z directions.

본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 상기의 브라그 격자 형성장치를 이용하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성 방법에 있어서, 기판 상에 하부 클래드(clad)층 및 코아(core)층을 형성하는 단계; 브라그 격자 형성 및 패턴 형성을 제어하기 위한 박막층을 형성하는 단계; 상기 브라그 격자 형성 장치를 이용하여 상기 코아층에 격자를 형성하는 단계; 및 상기 격자가 형성된 상기 코아층 상에 상부 클래드층을 형성하는 단계;를 포함하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention also provides a Bragg grating forming method in a flat plate optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus, the lower clad layer and core layer on a substrate Forming; Forming a thin film layer for controlling Bragg grating formation and pattern formation; Forming a lattice on the core layer using the Bragg lattice forming apparatus; And forming an upper clad layer on the core layer having the lattice formed therein.

더 나아가 본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 상기 브라그 격자 형성장치를 이용하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성 방법에 있어서, 기판 상에 하부 클래드층을 형성하는 단계; 브라그 격자 형성 및 패턴 형성을 제어하기 위한 박막층을 형성하는 단계; 상기 브라그 격자 형성 장치를 이용하여 상기 하부 클래드층에 격자를 형성하는 단계; 및 상기 격자가 형성된 상기 하부 클래드층에 코아층 및 상부 클래드층을 형성하는 단계;를 포함하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법을 제공한다.Furthermore, the present invention provides a Bragg grating forming method in a flat plate optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus to achieve the technical problem, the method comprising: forming a lower clad layer on a substrate; Forming a thin film layer for controlling Bragg grating formation and pattern formation; Forming a lattice on the lower clad layer using the Bragg lattice forming apparatus; And forming a core layer and an upper cladding layer in the lower cladding layer on which the lattice is formed.

본 발명에 있어서, 상기 박막층 형성 단계는 크롬(Cr) 박막층을 형성하는 단계;In the present invention, the forming of the thin film layer may include forming a chromium (Cr) thin film layer;

상기 크롬층 상에 금(Au) 박막층을 형성하고 패터닝 하는 단계; 및 상기 패터닝된 금 박막층 상에 포토 레지스트(Photo Resist:PR)층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.Forming and patterning a thin film of gold (Au) on the chromium layer; And forming a photo resist layer on the patterned gold thin film layer.

상기 금 박막층은 상기 크롬 박막층이 노출되도록 패터닝되고, 상기 금 박막층은 브라그 격자 패턴 형성 영역 이외의 영역으로의 자외선 빔 노광을 억제하는 기능을 할 수 있다. 또한, 상기 노출된 크롬 박막층은 상기 PR을 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝되고, 상기 패터닝된 크롬 박막층이 코어층 또는 하부 클래드층의 격자 형성을 위한 식각 마스크로 이용될 수 있다.The gold thin film layer is patterned to expose the chromium thin film layer, and the gold thin film layer may function to suppress ultraviolet beam exposure to a region other than a Bragg grating pattern forming region. In addition, the exposed chromium thin film layer may be patterned through a photolithography process using the PR, and the patterned chromium thin film layer may be used as an etching mask for forming a lattice of a core layer or a lower clad layer.

본 발명에 따른 평판형 광도파로의 브라그 격자 형성장치 및 그 그 장치를 이용한 브라그 격자 형성방법은 X, Y, 및 Z 방향 스테이지를 이용하여 브라그 격자를 원하는 평판형 도파로 위치에 균일하게 형성할 수 있고, 위상마스크를 사용하여 브라그 격자 패턴을 형성하기 때문에, 서로 다른 종류의 브라그 격자 패턴을 용이하게 제작할 수 있다.Bragg grating forming apparatus of a plate-type optical waveguide according to the present invention and Bragg grating forming method using the apparatus is uniformly formed in the desired flat waveguide position using the X, Y, and Z direction stages In addition, since Bragg grating patterns are formed using a phase mask, different types of Bragg grating patterns can be easily produced.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 설명에서 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 상부에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 구성 요소의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 구성 요소가 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 구성 요소의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었고, 설명과 관계없는 부분은 생략되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 한편, 사용되는 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention; In the following description, when a component is described as being on top of another component, it may be directly on top of another component, and a third component may be interposed therebetween. In addition, in the drawings, the thickness or size of each component is exaggerated for convenience and clarity of description, and parts irrelevant to the description are omitted. Like numbers refer to like elements in the figures. On the other hand, the terms used are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not used to limit the scope of the invention described in the meaning or claims.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치에 대한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a Bragg grating forming apparatus in a planar optical waveguide according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 브라그 격자 형성장치는 브라그 격자를 형성하기 위한 위상 마스크(304, mask), 위상 마스크로 입사되고 위상마스크로부터 출사되는 자외선(ultraviolet) 빔을 조절하여 자외선 빔에 의한 노광을 제어하기 위한 노광 제어장치, 및 브라그 격자가 형성될 샘플(510, sample)의 정렬 및 상기 노광 제어장치의 위치를 자동 조절하는 자동 위치조절장치를 포함한다. 여기서, 브라그 격자가 형성될 샘플(510)은 평판형 광도파로 구조를 가지며, 샘플(510) 상부로 브라그 격자 형성 영역을 제한하기 위한 금(Au) 박막층을 포함할 수 있다. 그에 대한 내용은 도 4 ~ 6에 대한 설명 부분에서 좀더 상세히 기술한다.Referring to FIG. 2, the Bragg grating forming apparatus exposes a phase mask 304 for forming the Bragg grating and an ultraviolet beam that is incident to the phase mask and is emitted from the phase mask to adjust the ultraviolet beam. An exposure control device for controlling the control, and an automatic positioning device for automatically adjusting the alignment of the sample (510, sample) on which the Bragg grating is to be formed and the position of the exposure control device. Here, the sample 510 on which the Bragg grating is to be formed has a flat optical waveguide structure, and may include a thin film layer of gold (Au) to limit the Bragg grating formation area above the sample 510. Details thereof will be described in more detail with reference to FIGS. 4 to 6.

사용되는 위상 마스크(304)의 격자 주기(Λpm)는 상기 식(1)에 의한 브라그 파장 λB 에 따라, 다음의 식(2)에 의한 샘플(510)에 형성될 격자 주기(Λ)에 의해 결정된다.The grating period Λ pm of the phase mask 304 used is the grating period Λ to be formed in the sample 510 by the following equation (2) according to Bragg wavelength λ B according to the above equation (1). Determined by

Λpm = NλB /neff = 2Λ ....................... 식(2)Λ pm = Nλ B / n eff = 2Λ ............. Equation (2)

노광 제어장치는 위상 마스크(304)가 결합되어 있고, 위상 마스크(304)로 입사되는 자외선 빔의 크기를 조절하기 위한 제1 광블로커(302, optical blocker, 이하 '광블로커'라 한다) 및 위상 마스크(304)를 통과한 자외선 빔의 간섭 무늬의 격자 차수를 제한하기 위한 제2 광블로커(305)를 포함한다. The exposure control device includes a phase mask 304 and a first optical blocker 302 and a phase for adjusting the size of the ultraviolet beam incident on the phase mask 304. And a second optical blocker 305 for limiting the lattice order of the interference fringes of the ultraviolet beam passing through the mask 304.

제1 광블로커(302)는 평판형태를 가지며, 중심으로 자외선 빔이 통과될 수 있는 빔사이즈(beam-size) 조절 개방부가 형성되어 있다. 이러한 빔사이즈 조절 개방부는 사용되는 위상 마스크(304)의 크기에 따라 크기조절이 가능하여 위상 마스크(304)의 격자 부분에만 선택적으로 자외선 빔이 입사되도록 할 수 있다. 격자부분 이외에서 입사하는 빔이 위상 마스크의 간섭무늬 형성에 영향을 줄 수 있으므로, 빔사이즈 조절 개방부가 자외선 빔을 위상 마스크(304)의 격자 부분으로 제한함으로써, 인접한 다른 브라그 격자 형성 영역(501)에 대한 영향을 배제시키는 기능을 한다.The first optical blocker 302 has a flat plate shape, and is formed with a beam-size adjustment opening through which an ultraviolet beam can pass. The beam size adjustment opening may be sized according to the size of the phase mask 304 to be used so that the ultraviolet beam is selectively incident only on the grating portion of the phase mask 304. Since beams incident from other than the grating portion may affect the formation of the interference fringes of the phase mask, the beam size adjusting opening restricts the ultraviolet beam to the grating portion of the phase mask 304, thereby forming another adjacent Bragg grating forming region 501. ) To exclude the effect on

제2 광블로커(305)는 제1 광블로커(302)에 결합되어 있고, 위상 마스크(304)를 감싸는 형상으로 형성되어 있다. 도면상 단면이 직사각형 형상으로 구성되어 있으나 이러한 형상에 한정되지 않음은 물론이다. 제2 광블로커(305)는 자외선 빛이 출사하는 방향으로 간섭차수 조절 개방부가 형성되어 있다. 즉, 간섭차수 조절 개방부가 제2 광블로커(305) 전면으로 형성되어 위상 마스크(304)를 통과한 자외선 빔의 브라그 격자 차수, 예컨대 1차 브라그 간섭 무늬의 빛이 샘플(510)의 노광 소스원(source)으로 이용되도록 제한한다. 즉, 위상마스크(304)를 통과한 빔의 간섭무늬는 거리에 따라 여러 차수의 브라그 격자를 포함하게 되므로 제2 광블로커(305)는 격자 차수를 제한하는 기능을 수행한다.The second optical blocker 305 is coupled to the first optical blocker 302 and is formed in a shape surrounding the phase mask 304. Although the cross section in the drawing is configured in a rectangular shape, it is a matter of course that it is not limited to such a shape. The second optical blocker 305 has an interference order control opening in a direction in which ultraviolet light is emitted. That is, the interference order adjustment opening is formed in front of the second optical blocker 305 so that the Bragg lattice order of the ultraviolet beam passing through the phase mask 304, for example, light of the primary Bragg interference fringe, is exposed to the sample 510. Restrict to be used as a source. That is, since the interference fringe of the beam passing through the phase mask 304 includes Bragg gratings of various orders depending on the distance, the second optical blocker 305 functions to limit the grating order.

자동 위치조절장치는 샘플(510)을 고정하기 위한 샘플 홀더(307, sample holder), 샘플 홀더(307)의 좌우(X) 및 상하(Y) 위치를 조절하여, 샘플(510)의 노광 영역을 조절하기 위한 X 및 Y 방향 스테이지(330,308, direction stage, 이하 '방향 스테이지'라 한다) 및 상기 노광 제어장치의 전후(Z) 위치, 즉 샘플(510) 과 노광 제어 장치의 간격을 조정하기 위한 Z 방향 스테이지(320)를 포함한다. X 및 Y 방향 스테이지(330,308)는 스테이지 홀더(309, stage holder)에 고정되며, 노광 제어장치의 제1 광블로커(302)가 제어장치 홀더(310)를 통해 Z 방향 스테이지(320)에 결합된다.The automatic positioning device controls the exposure area of the sample 510 by adjusting the sample holder 307 for fixing the sample 510, the left and right (X) and the up and down (Y) positions of the sample holder 307. X and Y direction stages (330,308, direction stage, hereinafter referred to as "direction stage") to adjust and the front and rear (Z) position of the exposure control device, that is, Z for adjusting the distance between the sample 510 and the exposure control device Direction stage 320. The X and Y direction stages 330 and 308 are fixed to a stage holder 309, and the first optical blocker 302 of the exposure control device is coupled to the Z direction stage 320 through the control device holder 310. .

샘플 홀더(307)는 샘플(510)을 고정하는 장치로서 제작하고자 하는 샘플(510) 크기에 따라 그 크기 조절이 가능하며 X 및 Y 방향 스테이지(330,308)에 고정된다. 한편, X 및 Y 방향 스테이지(330,308)는 컴퓨터 프로그램(program)을 통해 미세자동조절이 가능하고, 또한 한 번의 프로그램의 입력을 통해 샘플(510) 전체에 분포되어 있는 브라그 격자 패턴 형성 영역에 대한 자외선 빔에 의한 노광 공정을 진행할 수 있게 한다.The sample holder 307 is a device for fixing the sample 510 and its size can be adjusted according to the size of the sample 510 to be manufactured and is fixed to the stages 330 and 308 in the X and Y directions. On the other hand, the X and Y direction stages 330 and 308 can be finely adjusted through a computer program, and the BG lattice pattern forming region distributed throughout the sample 510 through a single program input. It is possible to proceed with the exposure process by the ultraviolet beam.

본 발명의 브라그 격자 형성장치는 노광 제어장치 및 자동 위치조절장치를 통해 노광을 미세자동조절할 수 있으므로, 위상 마스크를 이용하여 평판형 광도파 로 구조에 브라그 격자를 형성할 수 있고, 그에 따라 여러 종류의 브라그 격자 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 자동화기능을 통해 노광 공정을 진행함으로써, 짧은 시간 내에 브라그 패턴 형성 영역 전체에 균일한 브라그 격자 패턴을 형성할 수 있다.Since the Bragg grating forming apparatus of the present invention can finely adjust the exposure through the exposure control device and the automatic positioning device, the Bragg grating can be formed in the flat optical waveguide structure using the phase mask, and accordingly Various kinds of Bragg grating patterns can be formed. In addition, by performing the exposure process through an automated function, it is possible to form a uniform Bragg grating pattern over the entire Bragg pattern forming region within a short time.

도 3은 도 2의 브라그 격자 형성장치에서 브라그 격자가 형성될 샘플과 위상 마스크 간의 초기 정렬 방법을 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an initial alignment method between a phase mask and a sample on which a Bragg grating is to be formed in the Bragg grating forming apparatus of FIG. 2.

도 3을 참조하면, 브라그 격자 제작에 필요한 샘플(510)과 위상 마스크(304) 간의 초기 정렬을 위하여, 브라그 격자 형성 장치는 CCD(charge-coupled device) 카메라(403), 카메라용 X, Y 및 Z 방향 스테이지(404,402,401), 모니터(미도시, monitor)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the Bragg grating forming apparatus includes a charge-coupled device (CCD) camera 403, a camera X, a camera, for initial alignment between the sample mask 510 and the phase mask 304 required for fabricating the Bragg grating. Y and Z direction stages 404, 402, 401, and a monitor (not shown).

상기 CCD 카메라(403)는 위상 마스크(304)와 샘플(510) 간의 거리 차에 따른 정렬 오차를 최소화하기 위해 줌 기능을 포함할 수 있으며, 선택된 이미지(image)는 모니터(미도시)를 통해 관찰 가능하다. 한편, CCD 카메라(403)는 카메라용 X,Y,및 Z 방향 스테이지(404,402,401)에 고정되어 X, Y 및 Z 방향으로의 위치조절이 자유롭다. The CCD camera 403 may include a zoom function to minimize alignment error due to the difference in distance between the phase mask 304 and the sample 510, and the selected image is observed through a monitor (not shown). It is possible. On the other hand, the CCD camera 403 is fixed to the camera X, Y, and Z direction stages 404, 402, 401, and is free to adjust the position in the X, Y, and Z directions.

본 발명의 브라그 격자 형성장치는 X, Y 및 Z 방향으로의 위치조절이 자유로운 CCD 카메라(403)를 포함함으로써, 위상 마스크와 샘플 간의 이미지 정렬을 모니터를 통해 실시간으로 제어할 수 있고, 그에 따라 좀더 정밀한 브라그 격자의 패턴을 형성할 수 있다.The Bragg grating forming apparatus of the present invention includes a CCD camera 403 which can be freely adjusted in the X, Y, and Z directions, so that the image alignment between the phase mask and the sample can be controlled in real time through a monitor. A more precise pattern of Bragg gratings can be formed.

도 4a ~ 4f는 제2 실시예에 따른 브라그 격자 형성장치를 이용한 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법을 보여주는 단면도들이다.4A to 4F are cross-sectional views illustrating a Bragg grating forming method in a flat optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus according to the second embodiment.

도 4a를 참조하면, 먼저 기판(100) 상에 하부 클래드(clad)층(110) 및 코아(core)층(120)을 형성한다. 기판(100)은 투명기판 또는 실리콘(silicon)과 같은 반도체 기판을 사용할 수 있다. 하부 클래드층(110) 및 코아층(120)은 광도파로 형성에 일반적으로 사용되는 폴리머(polymer)로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4A, first, a lower clad layer 110 and a core layer 120 are formed on a substrate 100. The substrate 100 may be a transparent substrate or a semiconductor substrate such as silicon. The lower clad layer 110 and the core layer 120 may be formed of a polymer generally used for forming an optical waveguide.

도 4b를 참조하면, 코아층(120) 상부로 크롬(Cr) 박막층(130) 및 패터닝된 금(Au) 박막층(140)을 형성한다. 금 박막층(140)은 크롬 박막층(130) 상에 금을 도포한 후, 포토 리소그라피와 같은 공정을 통해 패터닝 될 수 있다. 여기서, 크롬 박막층(130)은 하부의 코어층(120)에 브라그 격자를 형성하기 위한 식각 마스크로 사용되며, 패터닝된 금 박막층(140)은 브라그 격자 패턴 형성 영역 이외의 영역에 자외선 빔 노광을 억제하기 위하여 사용된다. 즉, 금 박막층(140)의 공백 영역(144, blank region, 이하 '공백 영역'이라 한다)이 브라그 격자 패턴이 형성되는 영역이 되며, 금 박막이 존재하는 금 박막층(140)의 마스크 영역(142)이 브라그 격자 패턴 형성 영역 이외의 영역이 된다. 이러한 금 박막층(140)은 샘플 내에 형성될 브라그 격자 패턴 영역 특징에 따라 그 크기 및 위치 변경이 가능함은 물론이다.Referring to FIG. 4B, a chromium (Cr) thin film layer 130 and a patterned gold (Au) thin film layer 140 are formed on the core layer 120. The gold thin film layer 140 may be patterned through a process such as photolithography after coating gold on the chrome thin film layer 130. Here, the chromium thin film layer 130 is used as an etching mask for forming a Bragg grating on the lower core layer 120, and the patterned gold thin film layer 140 exposes an ultraviolet beam to a region other than the Bragg grating pattern forming region. It is used to suppress. That is, the blank region 144 of the gold thin film layer 140 is referred to as a “blank region” to form a Bragg grating pattern, and the mask region of the gold thin film layer 140 in which the gold thin film is present ( 142 becomes an area other than the Bragg grating pattern forming area. The gold thin film layer 140 may be changed in size and position according to the Bragg grating pattern region to be formed in the sample.

도 4c를 참조하면, 패턴이 형성된 금 박막층(140) 상부로 포토 레지스트(150,Photo Resist:PR, 이하 'PR'이라 한다)가 도포되고, 포토 리소그라피 공정을 통해 PR을 패터닝 한다. 이하에서는 브라그 격자 패턴이 형성되는 영역(B)을 위주로 설명한다. 여기서 포토 리소그라피(photo-lithography) 공정 상의 자외선 빔에 의한 노광 공정은 전술한 제1 실시예의 브라그 격자 형성장치를 통해 위상 마스크를 이용하여 정밀하게 수행된다. 따라서, 기존에 평판형 광도파로에 위상 마스크를 이용하여 브라그 격자 형성시, 정밀한 거리 조절, 격자 무늬 차수 제한 필요성 등의 문제점을 해결할 수 있고, 또한 자동화를 통해 노광 공정이 수행됨으로써, 한번에 전체 샘플에 균일한 브라그 격자 형성을 가능케 한다.Referring to FIG. 4C, a photoresist 150 is applied on the gold thin film layer 140 on which the pattern is formed, and then PR is patterned through a photolithography process. Hereinafter, the area B in which the Bragg grating pattern is formed will be mainly described. Here, the exposure process by the ultraviolet beam on the photo-lithography process is precisely performed using the phase mask through the Bragg grating forming apparatus of the first embodiment described above. Therefore, when the Bragg grating is formed by using a phase mask in a flat plate optical waveguide, problems such as precise distance control and necessity of limiting the lattice pattern can be solved. Enable uniform Bragg lattice formation in the

도 4d는 도 4c의 B 부분을 확대하여 보여주는 단면도로서, 패터닝된 PR 층을 마스크로 하여 식각 공정을 통해 크롬 박막층(130)이 패터닝 된 모습을 보여준다. 패터닝된 크롬 박막층(130a)에는 코아층(120)에 형성될 격자의 형상이 그대로 나타나게 된다.FIG. 4D is an enlarged cross-sectional view of part B of FIG. 4C, and shows the chrome thin film layer 130 patterned through an etching process using the patterned PR layer as a mask. In the patterned chromium thin film layer 130a, the shape of the lattice to be formed in the core layer 120 is displayed as it is.

도 4e 및 4f를 참조하면, 다시 패터닝된 크롬 박막층(130a)을 식각 마스크로 사용하여 식각 공정을 통해 코아층(120)을 패터닝 한다. 그 후, 패터닝 된 코아층(120a) 상에 상부 클래드층(160)을 형성한다. 이때, 형성되는 브라그 격자의 주기(Λ)는 전술한 바와 같이 상기 식(2)에 의해 결정될 수 있다.4E and 4F, the core layer 120 is patterned through an etching process using the patterned chromium thin film layer 130a as an etching mask. Thereafter, the upper clad layer 160 is formed on the patterned core layer 120a. In this case, the period Λ of the Bragg grating to be formed may be determined by Equation (2) as described above.

본 실시예의 브라그 격자 형성 방법은 전술한 브라그 격자 형성장치를 이용함으로써, 평판형 광도파로에 위상 마스크를 이용하여 자동화되고 정밀한 노광 공정을 수행할 수 있다. 그에 따라, 브라그 패턴이 형성될 영역 전체에 균일한 브라그 격자를 형성할 수 있다.In the Bragg grating forming method of the present embodiment, by using the Bragg grating forming apparatus described above, an automated and precise exposure process can be performed by using a phase mask on a flat optical waveguide. As a result, a uniform Bragg grating may be formed in the entire region where the Bragg pattern is to be formed.

도 5는 도 4b의 A 부분을 확대하여 보여주는 평면도로서, 샘플(510) 상부에 금 박층(140)이 공백 영역(144) 및 마스크 영역(142)으로 나누어 있음을 볼 수 있다. 도면상에서 공백 영역(144), 즉 브라그 격자 패턴이 형성될 영역이 마스크 영역(142)에 비해 과장되어 도시되어 있다.FIG. 5 is an enlarged plan view of portion A of FIG. 4B, in which the gold thin layer 140 is divided into a blank area 144 and a mask area 142 on the sample 510. In the drawing, the blank area 144, that is, the area where the Bragg grating pattern is to be formed is exaggerated compared to the mask area 142.

도 6a ~ 6e는 제3 실시예에 따른 브라그 격자 형성장치를 이용한 평판형 광 도파로에 브라그 격자 형성방법을 보여주는 단면도들이다.6A through 6E are cross-sectional views illustrating a Bragg grating forming method in a flat optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus according to the third embodiment.

도 6a 및 6b를 참조하면, 기판(100) 상에 하부 클래드층(110)을 형성함은 제2 실시예와 동일하다. 그러나 하부 클래드층(110) 상부에 코아층을 형성하는 것이 아니고, 크롬 박막층(130) 및 패터닝된 금 박막층(140)을 형성하고 금 박막층(140) 상부로 PR(150)을 형성한다. 기판(100) 및 하부 클래드층(110)의 재질 및 크롬 박막층(130)과 금 박막층(140)의 기능 및 형성 방법은 제2 실시예에서 설명한 바와 같음은 물론이다.6A and 6B, forming the lower clad layer 110 on the substrate 100 is the same as in the second embodiment. However, instead of forming a core layer on the lower clad layer 110, the chromium thin film layer 130 and the patterned gold thin film layer 140 are formed, and the PR 150 is formed on the gold thin film layer 140. The material of the substrate 100 and the lower cladding layer 110, and the functions and forming methods of the chromium thin film layer 130 and the gold thin film layer 140 are the same as described in the second embodiment.

PR(150)은 전술한 제1 실시예의 브라그 격자 형성장치를 통해 자외선 빔에 의한 노광 공정이 수행되어 패터닝 된다. 따라서, 앞서 설명한 바와 같이 위상 마스크를 이용하여 자동화되고 정밀한 노광 공정이 수행될 수 있다. 이하에서는 제2 실시예와 마찬가지로 브라그 격자 패턴 영역(C)을 위주로 설명한다.The PR 150 is patterned by performing an exposure process by an ultraviolet beam through the Bragg grating forming apparatus of the first embodiment described above. Thus, as described above, an automated and precise exposure process may be performed using the phase mask. Hereinafter, the Bragg grating pattern region C will be mainly described as in the second embodiment.

도 6c 및 6d를 참조하면, 패터닝된 PR(150)을 마스크로 하여 식각 공정을 통해 크롬 박막층(130)을 패터닝하고, 다시 패터닝된 크롬 박막층(130a)을 식각 마스크로 하여 하부 클래드층(110)을 패터닝 한다. 이때, 패터닝된 하부 클래드층(110a)은 형성될 코아층의 격자 형태의 뒤집힌 형태의 패턴을 갖는다.6C and 6D, the chromium thin film layer 130 is patterned through an etching process using the patterned PR 150 as a mask, and the lower clad layer 110 is formed using the patterned chromium thin film layer 130a as an etching mask. Pattern. In this case, the patterned lower clad layer 110a has an inverted pattern of a lattice shape of the core layer to be formed.

도 6e를 참조하면, 패터닝된 하부 클래드층(110a) 상에 코아층(120b) 및 상부 클래드층(160a)을 형성한다. 패터닝된 하부 클래드층(110a)이 격자 형태를 갖추고 있으므로, 코아층(120b)에는 별도의 격자 형성 공정 없이도 자연적으로 격자 형태가 갖추어 진다. 격자의 형성 방향이 제2 실시예와 반대, 즉 제2 실시예에서는 상부 클래드층(160) 방향으로 브라그 격자가 형성되고, 본 실시예에서는 하부 클래 드층(110a) 방향으로 브라그 격자가 형성되지만, 두 실시예의 브라그 격자는 재질 및 격자 주기(Λ)만 동일하다면 그 기능이 동일함은 물론이다.Referring to FIG. 6E, a core layer 120b and an upper clad layer 160a are formed on the patterned lower clad layer 110a. Since the patterned lower clad layer 110a has a lattice form, the core layer 120b has a lattice form naturally without a separate lattice forming process. The grating formation direction is opposite to the second embodiment, that is, in the second embodiment, the Bragg grating is formed in the direction of the upper cladding layer 160, and in this embodiment, the Bragg grating is formed in the direction of the lower cladding layer 110a. However, the Bragg gratings of the two embodiments have the same function if only the material and the grating period Λ are the same.

도 7a 및 7b는 본 발명의 브라그 격자 형성방법을 통해 제작한 브라그 격자의 전자현미경 측정 사진들이다.7a and 7b are electron micrographs of the Bragg grating produced by the Bragg grating forming method of the present invention.

도 7a 및 7b를 참조하면, 본 발명의 브라그 격자 형성방법을 통해 제작한 브라그 격자의 격자 주기는 0.56㎛ 정도이고, 형성된 격자의 높이 또는 깊이는 0.3㎛ 정도임을 확인할 수 있다.7A and 7B, the grating period of the Bragg grating manufactured by the Bragg grating forming method of the present invention is about 0.56 μm, and the height or depth of the formed grating is about 0.3 μm.

도 8은 본 발명의 브라그 격자 형성방법을 통해 제작한 브라그 격자의 스펙트럼 측정사진이다. 도시된 바와 같이 브라그 격자에 의해 선택되어 반사된 파장의 중심 주파수 파장은 1568.7 ㎚ 정도이고, 3dB 대역폭은 0.7 ㎚ 정도이다. 따라서, 본 발명에 따라 제작된 브라그 격자가 우수한 파장 선택 특성을 보여줌을 확인할 수 있다.8 is a spectral measurement photograph of the Bragg grating manufactured by the Bragg grating forming method of the present invention. As shown, the center frequency wavelength of the wavelength selected and reflected by the Bragg grating is about 1568.7 nm, and the 3 dB bandwidth is about 0.7 nm. Therefore, it can be seen that the Bragg grating manufactured according to the present invention shows excellent wavelength selection characteristics.

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지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.So far, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 브라그 격자 형성장치 및 브라그 격자 형성방법은 자동화되어 있는 노광 제어장치 및 자동 위치조절장치를 이용함으로써, 평판형 광도파로의 원하는 위치에 위상 마스크를 이용하여 브라그 격자를 균일하게 형성할 수 있다.As described in detail above, the Bragg grating forming apparatus and Bragg grating forming method according to the present invention employ a phase mask at a desired position of a flat optical waveguide by using an automated exposure control device and an automatic positioning device. Bragg grating can be formed uniformly.

또한, 위상 마스크를 이용하여 브라그 격자를 형성하기 때문에, 여러 종류의 브라그 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.In addition, since the Bragg grating is formed using the phase mask, various kinds of Bragg patterns can be easily formed.

더 나아가, 브라그 격자 형성장치가 자동화되어, 한 번의 프로그램 입력을 통해 전체 샘플의 브라그 격자를 한번에 형성할 수 있으므로 평판형 광도파로에 브라그 격자를 빠를 시간 내에 형성할 수 있다. 그에 따라, 브라그 격자가 형성된 평판형 광도파로의 대량 생산을 가능케 한다.Furthermore, the Bragg grating forming apparatus can be automated to form Bragg gratings of the entire sample at once through a single program input, so that the Bragg gratings can be formed in a flat optical waveguide in a short time. This enables mass production of flat waveguides in which Bragg gratings are formed.

Claims (22)

브라그 격자(Bragg Grating)를 형성하기 위해 이용되는 위상 마스크(phase mask);A phase mask used to form a Bragg grating; 상기 위상 마스크로 입사 및 출사되는 자외선(ultraviolet) 빔(beam)을 조절하여 자외선 빔에 의한 노광을 제어하는 노광 제어장치; 및An exposure control device controlling exposure by an ultraviolet beam by adjusting an ultraviolet beam incident and exited by the phase mask; And 브라그 격자가 형성될 평판형 광도파로 구조를 가진 샘플(sample)의 정렬 및 상기 노광 제어장치의 위치를 자동으로 조절하는 자동 위치조절장치;를 포함하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성 장치.Bragg grating forming apparatus for a flat plate optical waveguide comprising a; automatic positioning device for automatically adjusting the position of the exposure control device and the alignment of the sample having a flat plate optical waveguide structure to be formed. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 노광 제어장치는 상기 위상 마스크가 결합하고 상기 위상 마스크로의 자외선 빔의 크기(size)를 조절하기 위한 제1 광블로커(optical blocker) 및 상기 제1 광블로커에 결합되고 상기 위상 마스크를 통과한 자외선 빔의 간섭 무늬 격자 차수를 제한하기 위한 제2 광블로커를 포함하고,The exposure controller is coupled to the first optical blocker and the first optical blocker for adjusting the size of the ultraviolet beam to the phase mask and coupled to the phase mask and passed through the phase mask. A second optical blocker for limiting the interference fringe lattice order of the ultraviolet beam, 상기 자동 위치조절장치는 상기 샘플을 고정하기 위한 샘플 홀더(sample holder), 상기 샘플 홀더의 좌우 및 상하 위치를 조절하는 X 및 Y 방향 스테이지(direction stage), 및 상기 노광 제어장치의 전후 위치를 조절하는 Z 방향 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성 장치.The automatic positioning device includes a sample holder for holding the sample, an X and Y direction stage for adjusting the left and right and up and down positions of the sample holder, and a front and rear position of the exposure control device. Bragg grating forming apparatus for a flat plate optical waveguide comprising a Z direction stage. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 자동 위치조절장치는 상기 X 및 Y 방향 스테이지가 고정되는 스테이지 홀더(stage holder) 및 상기 Z 방향 스테이지에 상기 노광 제어장치를 고정하는 제어장치 홀더를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성 장치.The automatic positioning device includes a stage holder to which the X and Y direction stages are fixed, and a control device holder to fix the exposure control device to the Z direction stage. Its lattice forming device. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 샘플 홀더는 상기 샘플의 크기에 따라 크기 조절이 되는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성 장치.The sample holder is Bragg grating forming apparatus on a flat optical waveguide, characterized in that the size is adjusted according to the size of the sample. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 X 및 Y 방향 스테이지는 컴퓨터 프로그램(program)을 통해 미세자동조절되며, The X and Y direction stage is finely adjusted through a computer program (program), 상기 브라그 격자 형성장치는 한 번의 프로그램 입력을 통해 상기 샘플의 브라그 격자 패턴 형성 영역 전체에 대하여 자외선 빔에 의한 노광 공정을 진행할 수 있는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.The Bragg grating forming apparatus is a Bragg grating forming apparatus for a flat plate type optical waveguide, characterized in that the exposure process by the ultraviolet beam to the entire Bragg grating pattern forming region of the sample through a single program input. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 광블로커는 평판 형상을 가지되 상기 위상 마스크로 자외선 빔이 입사되고 자외선 빔의 크기 조절을 할 수 있는 빔사이즈 조절 개방부를 가지며,The first optical blocker has a flat plate shape but has a beam size adjusting opening for injecting an ultraviolet beam into the phase mask and controlling the size of the ultraviolet beam, 상기 빔사이즈 조절 개방부의 개방 크기는 사용되는 위상 마스크의 격자 부분의 크기에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.And the opening size of the beam size control opening is changed according to the size of the grating portion of the phase mask to be used. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2 광블로커는 상기 위상 마스크를 감싸는 형상으로 상기 제1 광블로커에 결합되어 있되 상기 위상 마스크를 통과하여 상기 샘플로 입사되는 상기 자외선 빔의 간섭무늬의 격자 차수 제한을 위한 간섭차수 조절 개방부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.The second optical blocker is coupled to the first optical blocker in a shape surrounding the phase mask, but an interference order control opening portion for limiting the lattice order of the interference fringes of the ultraviolet beam incident through the phase mask and incident on the sample is provided. Bragg grating forming apparatus for a flat plate optical waveguide, characterized in that formed. 제7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 간섭차수 조절 개방부는 브라그 격자 패턴 영역의 범위에 따라 크기 조절이 되는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.The Bragg grating forming apparatus of the planar optical waveguide, characterized in that the interference order control opening is adjusted in accordance with the range of the Bragg grating pattern area. 제1 항 내지 제8 항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 8, 상기 브라그 격자 형성장치는 CCD(charge-coupled device) 카메라(camera)를 통한 위상 마스크와 샘플 간의 이미지(image) 정렬을 모니터(monitor)를 통해 실시간으로 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.The Bragg grating forming apparatus can control image alignment between a phase mask and a sample through a charge-coupled device (CCD) camera in real time through a monitor. Bragg grating forming device on waveguide. 제9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 CCD 카메라는 카메라용 X, Y, 및 Z 방향 스테이지에 고정되어 X, Y, 및 Z 방향으로 위치 조절이 되는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.The CCD camera is fixed to the camera in the X, Y, and Z direction stage, the position of the Bragg grating on the flat-type optical waveguide, characterized in that the position adjustment in the X, Y, and Z direction. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 브라그 격자 형성장치를 통해 브라그 격자가 형성될 샘플은 상부로 금(Au) 박막층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.Bragg lattice forming apparatus in a flat plate type optical waveguide, characterized in that the sample to be formed by the Bragg grating forming the grid grating (Au) thin film. 제11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 금 박막층에 의하여 브라그 격자 패턴 형성 영역 이외의 영역에 대한 자외선 빔 노광이 억제되는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성장치.Ultraviolet beam exposure to areas other than the Bragg grating pattern forming region is suppressed by the gold thin film layer. 제1 항의 브라그 격자 형성장치를 이용하여 평판형 광도파로에 브라그 격자를 형성하는 방법에 있어서,A method of forming a Bragg grating in a flat optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus of claim 1, 기판 상에 하부 클래드(clad)층 및 코아(core)층을 형성하는 단계;Forming a lower clad layer and a core layer on the substrate; 브라그 격자 형성 및 패턴 형성을 제어하기 위한 박막층을 형성하는 단계;Forming a thin film layer for controlling Bragg grating formation and pattern formation; 상기 브라그 격자 형성장치를 이용하여 상기 코아층에 격자를 형성하는 단계; 및Forming a lattice on the core layer using the Bragg lattice forming apparatus; And 상기 격자가 형성된 상기 코아층 상에 상부 클래드층을 형성하는 단계;를 포함하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.And forming an upper clad layer on the core layer having the lattice formed therein. 제1 항의 브라그 격자 형성장치를 이용하여 평판형 광도파로에 브라그 격자를 형성하는 방법에 있어서,A method of forming a Bragg grating in a flat optical waveguide using the Bragg grating forming apparatus of claim 1, 기판 상에 하부 클래드층을 형성하는 단계;Forming a lower clad layer on the substrate; 브라그 격자 형성 및 패턴 형성을 제어하기 위한 박막층을 형성하는 단계;Forming a thin film layer for controlling Bragg grating formation and pattern formation; 상기 브라그 격자 형성 장치를 이용하여 상기 하부 클래드층에 격자를 형성하는 단계; 및Forming a lattice on the lower clad layer using the Bragg lattice forming apparatus; And 상기 격자가 형성된 상기 하부 클래드층에 코아층 및 상부 클래드층을 형성하는 단계;를 포함하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.And forming a core layer and an upper clad layer on the lower clad layer on which the lattice is formed. 제13 항 또는 제14 항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 기판은 투명 기판 또는 반도체 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.The substrate is a method for forming a Bragg grating on a flat optical waveguide, characterized in that using a transparent substrate or a semiconductor substrate. 제13 항 또는 제14 항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 박막 박막층 형성 단계는The thin film thin film layer forming step 크롬(Cr) 박막층을 형성하는 단계;Forming a chromium (Cr) thin film layer; 상기 크롬층 상에 금(Au) 박막층을 형성하고 패터닝 하는 단계; 및Forming and patterning a thin film of gold (Au) on the chromium layer; And 상기 패터닝된 금 박막층 상에 포토 레지스트(Photo Resist:PR)층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.Forming a photoresist (PR) layer on the patterned gold thin film layer. 제16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 금 박막층은 상기 크롬 박막층이 노출되도록 패터닝되고,The gold thin film layer is patterned to expose the chrome thin film layer, 상기 금 박막층은 브라그 격자 패턴 형성 영역 이외의 영역으로의 자외선 빔 노광을 억제하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.And the gold thin film layer has a function of suppressing ultraviolet light beam exposure to a region other than the Bragg grating pattern forming region. 제17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 노출된 크롬 박막층은 상기 PR을 이용한 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝되고,The exposed chromium thin film layer is patterned through a photolithography process using the PR, 상기 패터닝된 크롬 박막층이 코어층 또는 하부 클래드층의 격자 형성을 위한 식각 마스크로 이용되는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.And the patterned chromium thin film layer is used as an etching mask for forming a lattice of a core layer or a lower clad layer. 제13 항 또는 제14 항에 있어서,The method according to claim 13 or 14, 상기 노광 제어장치는 상기 위상 마스크가 결합하고 상기 위상 마스크로의 자외선 빔의 크기를 조절하기 위한 제1 광블로커 및 상기 제1 광블로커에 결합되고 상기 위상 마스크를 통과한 자외선 빔의 간섭 무늬 격자 차수를 제한하기 위한 제2 광블로커를 포함하고,The exposure control apparatus includes a first optical blocker for combining the phase mask and adjusting the size of the ultraviolet beam to the phase mask, and an interference fringe lattice order of the ultraviolet beam coupled to the first optical blocker and passing through the phase mask. It includes a second optical blocker for limiting, 상기 자동 위치조절장치는 상기 샘플을 고정하기 위한 샘플 홀더, 상기 샘플 홀더의 좌우 및 상하 위치를 조절하는 X 및 Y 방향 스테이지, 상기 노광 제어장치의 전후 위치를 조절하는 Z 방향 스테이지, 상기 X 및 Y 방향 스테이지가 고정되는 스테이지 홀더, 및 상기 Z 방향 스테이지에 상기 노광 제어장치를 고정하는 제어장치 홀더를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.The automatic positioning device includes a sample holder for fixing the sample, an X and Y direction stage for adjusting the left and right and up and down positions of the sample holder, a Z direction stage for adjusting the front and rear positions of the exposure control device, and the X and Y And a stage holder to which the directional stage is fixed, and a holder for fixing the exposure control device to the Z-direction stage. 제19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 X 및 Y 방향 스테이지는 컴퓨터 프로그램을 통해 미세자동조절되며, The X and Y direction stages are finely adjusted via a computer program, 상기 브라그 격자 형성장치는 한 번의 프로그램 입력을 통해 상기 샘플의 브라그 격자 패턴 형성 영역 전체에 대하여 자외선 빔에 의한 노광 공정을 진행할 수 있는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.The Bragg grating forming apparatus is capable of performing an exposure process by an ultraviolet beam to the entire Bragg grating pattern forming region of the sample through one program input. 제19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 제1 광블로커는 평판 형상을 가지되 상기 위상 마스크로 자외선 빔이 입사되고 자외선 빔의 크기 조절을 할 수 있는 빔사이즈 조절 개방부를 가지며,The first optical blocker has a flat plate shape but has a beam size adjusting opening for injecting an ultraviolet beam into the phase mask and controlling the size of the ultraviolet beam, 상기 빔사이즈 조절 개방부의 개방 크기는 사용되는 위상 마스크의 격자 부분의 크기에 따라 변화될 수 있고,The opening size of the beam size adjustment opening can be changed depending on the size of the grating portion of the phase mask used, 상기 제2 광블로커는 상기 위상 마스크를 감싸는 형상으로 상기 제1 광블로커에 결합되어 있되 상기 위상 마스크를 통과하여 상기 샘플로 입사되는 상기 자외선 빔의 간섭무늬의 격자 차수 제한을 위한 간섭차수 조절 개방부가 형성되며,The second optical blocker is coupled to the first optical blocker in a shape surrounding the phase mask, but an interference order control opening portion for limiting the lattice order of the interference fringes of the ultraviolet beam incident through the phase mask and incident on the sample is provided. Formed, 상기 간섭차수 조절 개방부는 브라그 격자 패턴 영역의 범위에 따라 크기 조절이 되는 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.The interference order control opening portion Bragg grating forming method on the flat optical waveguide, characterized in that the size is adjusted according to the range of the Bragg grating pattern region. 제19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 브라그 격자 형성장치는 CCD 카메라를 통한 위상 마스크와 샘플 간의 이미지 정렬을 모니터를 통해 실시간으로 제어할 수 있고,The Bragg grating forming apparatus can control the image alignment between the phase mask and the sample through a monitor in real time through a monitor, 상기 CCD 카메라는 카메라용 X, Y, 및 Z 방향 스테이지에 고정되어 위치 조절이 자유로운 것을 특징으로 하는 평판형 광도파로에 브라그 격자 형성방법.The CCD camera is fixed to the camera in the X, Y, and Z direction stage, the position of the Bragg grating on the flat optical waveguide, characterized in that the position adjustment is free.
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