KR100760623B1 - 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법 - Google Patents

기판의 티칭 상태를 감지하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 베이크 공정시 히팅 플레이트 상에 로딩되는 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법에 관한 것이다. 복수의 가열구역들로 이루어진 히팅 플레이트의 정위치 상에 기판을 로딩하고, 가열구역들을 이용하여 히팅 플레이트를 가열하면서 가열구역들의 온도변화를 각각 측정한 다음에 측정된 온도를 이용하여 데이터베이스를 구축한다. 다음으로, 히팅 플레이트 상에 실제 기판을 로딩한 후 가열하면서 가열구역들의 온도변화를 측정하고, 측정된 온도를 상기 데이터베이스의 온도와 비교하여 기판의 티칭 상태를 감지한다.
티칭, 히팅 플레이트, 가열구역

Description

기판의 티칭 상태를 감지하는 방법{Method for sensing the teaching condition of a substrate}
도 1a 및 도 1b는 히팅 플레이트 상에 정상적으로 안착된 웨이퍼를 나타내는 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 히팅 플레이트 상에 비정상적으로 안착된 웨이퍼를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판의 티칭 상태를 감지하는 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 블럭도이다.
도 4는 본 발명에 따른 히팅 플레이트의 가열구역들을 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 가열구역의 온도변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼의 티칭 상태를 감지하는 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 7은 본 발명에 따른 측정온도와 데이터베이스의 온도를 비교하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2 : 웨이퍼 4, 210 : 히팅 플레이트
6, 214 : 웨이퍼 가이드 100 : 제어기
110 : 디스플레이부 120 : 입력부
130 : 데이터베이스부 200 : 베이크 유닛
220 : 히터 컨트롤러
본 발명은 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 가열구역들로 이루어진 히팅 플레이트 상에 로딩된 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing:CMP) 공정과, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 리소그래피(lithography) 공정과, 포토레지스트 패턴을 이용하여 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각(etching) 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 이온들을 주입하기 위한 이온 주입(ion implantation) 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정(cleaning) 공정과, 세정된 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조(drying) 공정과, 막 또는 패턴의 결함을 검사하기 위한 검사 공정 등을 통해 제조된다.
리소그래피 공정은 실리콘 기판 상에 포토레지스트층을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 포토레지스트 막을 형성하기 위하여 상기 포토레지스트층을 경화시키는 베이크 공정과, 레티클 패턴을 상기 포토레지스트 막으로 전사하기 위 한 노광 공정과, 상기 전사된 레티클 패턴을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 현상 공정을 포함한다.
일반적으로 베이크 공정은 포토레지스트 조성물이 도포된 웨이퍼를 가열하여 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트를 경화 정착시키는 공정이다. 상기 베이크 공정의 종류로는 소프트 베이크(Soft Bake), 하드 베이크(Hard Bake), PEB(Post Exposure Bake) 등이 있다. 소프트 베이크 및 하드 베이크는 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트의 균일도를 유지하기 위해 포토레지스트의 솔벤트를 웨이퍼에 열을 가하여 제거하는 공정이다. PEB은 포토레지스트를 노광할 경우, 자외선의 빛산란으로 인해 노광 경계부위의 불필요한 노광 현상을 방지하기 위해 웨이퍼를 가열하는 공정이다.
한편, 베이크 유닛는 웨이퍼를 가열하는 히팅 플레이트, 웨이퍼를 히팅 플레이트에 로딩 또는 언로딩하는 다수의 리프트 핀 및 히팅 플레이트에 로딩된 웨이퍼의 위치를 가이드하는 다수의 가이드 핀을 구비한다. 웨이퍼 이송장치는 웨이퍼를 히팅 플레이트로부터 소정의 높이로 돌출된 다수의 리프트 핀 상에 웨이퍼를 올려놓는다. 다수의 리프트 핀은 히팅 플레이트측으로 내려가 웨이퍼를 가열 레이트에 로딩한다. 히팅 플레이트는 열을 발생하여 웨이퍼를 베이크 공정의 종류에 따라 적정의 온도로 가열한다. 히팅 플레이트는 소프트 베이크일 경우에는 약 80℃ 내지 110℃ 정도의 열을 발생하고, 하드 베이크일 경우에는 약 150℃ 정도의 열을 발생한다.
이때, 웨이퍼(2)는 히팅 플레이트 상의 기설정된 위치에 정상적으로 안착되 어야 한다. 웨이퍼(2)가 기설정된 위치로부터 벗어나거나, 웨이퍼(2)가 비스듬하게 안착되면, 히팅 플레이트에서 발생한 열이 웨이퍼(2)로 원활하게 전달될 수 없다.
도 1a 내지 도 2b는 히팅 플레이트(4) 상에 안착된 웨이퍼(2)를 나타내는 도면이다.
도 1a 및 도 1b는 히팅 플레이트(4) 상에 정상적으로 안착된 웨이퍼(2)를 나타내는 도면이다. 정위치 상태의 웨이퍼(2)는 히팅 플레이트(4)의 가장자리에 구비된 웨이퍼 가이드(6)들의 안쪽에 놓여진다.
도 2a 및 도 2b는 히팅 플레이트 상에 비정상적으로 안착된 웨이퍼(2)를 나타내는 도면이다. 웨이퍼 이송로봇(도시안됨)의 티칭 불량 등의 오동작으로 인하여 웨이퍼(2)가 웨이퍼 가이드(6)의 상부에 얹혀질 수 있다. 이러한 경우 웨이퍼 가이드(6)로 인하여 웨이퍼(2)의 일측이 히팅 플레이트(4)로부터 이격되며, 히팅 플레이트(4)의 열이 웨이퍼(2)의 이격된 부분에 전달되지 않으므로 웨이퍼(2) 상에는 패턴 불량이 발생한다.
그러나, 공정진행시 히팅 플레이트(4)의 상부가 커버(도시안됨)에 의하여 차단된 상태에서 공정이 이루어지므로 웨이퍼(2)가 정상적으로 안착되었는지 아니면 비정상적으로 안착되었는지 확인할 수 있는 방법이 없었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 베이크 공정시 히팅 플레이트 상에 비정상적으로 안착된 기판을 확인할 수 있는 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 의하면, 베이크 공정시 기판의 티칭 상태를 판단하는 방법은 복수의 가열구역들로 이루어진 히팅 플레이트 상에 기판을 정상적으로 로딩하는 단계와, 상기 가열구역들을 이용하여 상기 히팅 플레이트를 가열하면서 상기 가열구역들의 온도변화를 측정하는 단계와, 상기 측정된 온도를 이용하여 데이터베이스를 구축하는 단계와, 실제 공정진행시 상기 히팅 플레이트 상에 실제 기판을 로딩하는 단계와, 상기 가열구역들을 이용하여 상기 히팅 플레이트를 가열하는 단계와, 상기 가열구역들 중 하나 이상의 가열구역을 선택하는 단계와, 선택된 가열구역들의 온도변화를 측정하고 측정된 온도를 상기 데이터베이스의 온도와 비교하는 단계를 포함한다.
상기 비교하는 단계는 복수개의 비교방법들이 제공되는 단계와, 공정특성에 따라 상기 비교방법들 중 어느 하나를 선택하는 단계와, 선택된 비교방법에 따라 비교하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 비교방법은 상기 선택된 가열구역들의 최저온도와 상기 데이터베이스의 최저온도를 비교하는 방법일 수 있으며, 상기 선택된 가열구역들의 최고온도와 상기 데이터베이스의 최고온도를 비교하는 방법일 수 있다.
상기 비교방법은 상기 선택된 가열구역들의 온도변화량과 상기 데이터베이스의 온도변화량을 비교하는 방법일 수 있다.
상기 비교방법들 중 어느 하나를 선택하는 단계는 각각의 상기 가열구역에 대하여 개별적으로 비교방법을 선택하는 단계를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 3 내지 도 7을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
이하에서는 기판의 일례로 웨이퍼(2)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 3은 본 발명에 따른 기판의 티칭(Teaching) 상태를 감지하는 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 블럭도이다.
시스템은 제어기(100)와 베이크 유닛(200: Bake Unit) 및 알람 장치(140)를 포함한다. 시스템은 웨이퍼(2)가 히팅 플레이트(210: Heating plate) 상의 웨이퍼 가이드(214) 내에 정상적으로 안착되었는지를 감지하여 작업자에게 알려준다. 만일, 웨이퍼(2)가 정상적으로 안착되면 웨이퍼(2)는 히팅 플레이트(210)의 상부면과 완전히 접촉되며, 웨이퍼(2)가 비정상적으로 안착되면 웨이퍼(2)는 웨이퍼 가이드(214)의 상부에 놓여져 히팅 플레이트(210)와 완전히 접촉되지 않는다.
베이크 유닛(200)은 베이크 공정을 위해 웨이퍼(2)가 안착되는 히팅 플레이 트(210)와, 히팅 플레이트(210) 가장자리에 구비되는 다수의 웨이퍼 가이드(214) 및 히팅 플레이트(210)를 제어하는 히터 컨트롤러(220)를 포함한다.
히팅 플레이트(210) 상에는 복수의 온도센서들이 구비된다. 히터 컨트롤러(220)는 웨이퍼(2)가 히팅 플레이트(210)에 안착되면 온도센서들로부터 감지된 히팅 플레이트(210)의 온도 데이터를 실시간으로 받아서 제어기(100)로 전송한다. 히팅 플레이트(210) 및 온도센서에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
제어기(100)는 예컨대, PMC(PC based Machine Control) 제어기, PLC(Programable Logic Controller) 등으로 구비되며, 디스플레이부(110)와, 입력부(120) 및 디스플레이부(130)를 포함한다. 제어기(100)는 베이크 유닛(200)과 반도체 표준 프로토콜을 위한 컴퓨터 네트워크(예컨대, RS-232C, SECS-1 등)를 통해 연결되며, 상기 베이크 유닛(200)의 제반 공정 처리 동작을 제어하고, 히터 컨트롤러(220)로부터 제공되는 온도 데이터를 받아서 실시간으로 모니터링한다. 디스플레이부(110)는 도 5에 도시된 바와 같이, 모니터링된 온도 데이터들을 받아서 분석된 온도 변화량에 대한 정보를 출력한다. 입력부(120)는 웨이퍼(2)의 종류 및 그 특성, 이전 공정의 특성 및 히팅 플레이트(210)의 특성 등에 따라 공정조건을 설정하기 위하여 요구된다. 데이터베이스부(130)에는 히팅 플레이트(210) 상에 웨이퍼(2)가 정상적으로 안착되었을 때 히팅 플레이트(210)의 온도 데이터가 저장된다. 저장된 온도 데이터는 히팅 플레이트(210) 상에 웨이퍼(2)가 정상적으로 안착되었는지를 판단하는 기준 데이터가 된다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
알람 장치(140)는 제어기(100)의 제어를 받아서 베이크 유닛(200)에 티칭 불량(웨이퍼(2)가 비정상적으로 안착된 경우)이 발생하면, 외부로 경보음을 출력한다.
따라서, 제어기(100)는 베이크 유닛(200)로부터 히팅 플레이트(210)의 온도를 실시간으로 모니터링하여 온도 데이터를 분석하고, 측정된 온도가 기설정된 허용범위를 벗어나면, 웨이퍼(2)가 히팅 플레이트(210) 상에 비정상적으로 안착되었음을 외부로 알리도록 상기 알람 장치(140)를 제어한다. 그 결과, 히팅 플레이트(210) 상에 웨이퍼(2)가 비정상적으로 안착되는 것을 감지할 수 있으며, 작업자는 이후의 웨이퍼(2)가 정상적인 위치에 안착되도록 웨이퍼 이송로봇(도시안됨)을 수정할 수 있다. 이를 통하여 베이크 공정에서의 불량을 최소화할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 히팅 플레이트(210)의 가열구역들을 나타내는 평면도이다.
히팅 플레이트(210)는 복수의 가열구역들을 구비한다. 히팅 플레이트(210)의 중앙에 위치하는 제1 구역(Ⅰ), 제1 구역(Ⅰ)과 동심원을 이루며 제1 구역(Ⅰ)의 외측에 위치하는 제2 구역(Ⅱ), 제1 및 제2 구역(Ⅰ,Ⅱ)과 동심원을 이루며 제2 구역(Ⅱ)의 외측에 위치하는 제3 구역(Ⅲ), 제3 구역(Ⅲ)의 둘레 및 히팅 플레이트(210)의 가장자리에 배치되는 제4 내지 제7 구역(Ⅳ,Ⅴ,Ⅵ,Ⅶ)을 포함한다. 복수의 가열구역들은 각각의 가열구역에 상응하는 웨이퍼(2) 부분을 가열하며, 작업자는 공정조건에 따라 각각의 가열구역의 온도를 다르게 제어할 수 있다.
한편, 각각의 가열구역에는 온도센서가 제공된다. 온도센서들은 제1 구역(Ⅰ)에 제공된 제1 온도센서(a), 제2 구역(Ⅱ)에 제공된 제2 온도센서(b), 제3 구역(Ⅲ)에 제공된 제3 온도센서(c), 그리고 제4 내지 제7 구역(Ⅳ,Ⅴ,Ⅵ,Ⅶ)에 각각 제공된 제4 내지 제7 온도센서(d,e,f,g)를 포함한다. 이때, 제2 및 제3 구역(Ⅱ,Ⅲ)과 같이 넓은 면적에 대해서는 복수개의 제2 및 제3 온도센서(b,c)들이 각각 제공될 수 있다. 만일, 복수개의 제2 온도센서(b)들이 제공될 때, 제2 구역(Ⅱ)의 온도값은 복수개의 제2 온도센서(b)를 이용하여 측정된 온도들의 평균값으로 하거나, 최저값과 최고값을 제외한 온도들의 평균값으로 할 수 있다. 제3 온도센서(c)의 경우에도 동일하게 적용된다.
도 5는 본 발명에 따른 가열구역의 온도변화를 나타내는 그래프이다. 도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼(2)의 티칭 상태를 감지하는 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이며, 도 7은 본 발명에 따른 측정온도와 데이터베이스의 온도를 비교하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하에서, 웨이퍼(2)의 티칭 상태를 감지하는 방법을 설명하기로 한다.
먼저, 히팅 플레이트(210)의 정위치 상에 웨이퍼(2)를 로딩한다(S10). 정위치에 로딩된 웨이퍼(2)는 웨이퍼 가이드(214)의 내측에 위치하며, 웨이퍼(2)의 바닥면은 히팅 플레이트(210)의 상부면과 접촉한다.
다음, 복수의 가열구역들을 이용하여 웨이퍼(2)를 가열하면서 각각의 가열구역에 제공된 온도센서를 이용하여 가열구역의 온도변화를 각각 측정한다(S20). 가 열구역들은 각각의 가열구역에 상응하는 웨이퍼(2) 부분을 가열하며, 가열구역에 제공된 온도센서는 가열에 따른 가열구역의 온도변화를 측정한다.
이때, 가열구역의 온도변화를 측정하는 방법에는 다양한 방법이 있을 수 있다. 특정한 가열구역(예를 들어, 제1 구역(Ⅰ) 또는 제1 및 제2 구역(Ⅰ,Ⅱ)을 선택하고, 선택된 가열구역만을 이용하여 웨이퍼(2)를 가열하면서 가열구역의 온도변화를 각각 측정할 수 있으며, 전체 가열구역을 이용하여 웨이퍼(2)를 가열하면서 가열구역의 온도변화를 각각 측정할 수 있다. 그러나, 실제 베이크 공정이 이루어지는 조건과 동일한 조건 하에서 온도변화를 측정하는 것이 가장 바람직하다.
다음, 측정된 온도를 이용하여 데이터베이스를 구축한다(S30). 데이터베이스는 추후 히팅 플레이트(210) 상에 로딩된 웨이퍼(2)의 티칭 상태를 판단하기 위한 비교 데이터가 되며, 데이터베이스부(130)에 저장된다. 데이터베이스는 도 5에 실선으로 도시한 바와 같이 그래프일 수 있으며, 일정 시간(t)을 단위로 측정된 데이터일 수 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 히팅 플레이트(210) 상에 정상적으로 안착된 히팅 플레이트(210)의 온도 데이터는 최저온도(Tmin)와 최고온도(Tmax)를 가지는 함수 그래프로 나타날 수 있다.
다음, 실제 베이크 공정을 위하여 웨이퍼(2)를 히팅 플레이트(210) 상에 로딩하고(S40), 복수의 가열구역들을 이용하여 히팅 플레이트(210)를 가열한다(S50). 웨이퍼(2)는 웨이퍼 이송로봇(도시안됨)에 의하여 히팅 플레이트(210) 상에 로딩될 수 있다.
다음, 복수의 가열구역들 중 하나 이상의 가열구역을 선택한다(S60). 작업자는 높은 정확도를 위하여 전체 가열구역들을 모두 선택할 수 있으며, 낮은 정확도를 위하여 하나의 가열구역을 선택할 수 있다. 또한, 완화된 정확도를 위하여 2개 또는 3개의 가열구역을 선택할 수 있다. 이하에서는 3개의 가열구역(Ⅰ,Ⅴ,Ⅶ)을 선택하는 것으로 설명한다.
요구되는 정확도에 따라 선택된 가열구역의 수가 증감하는 것은 선택된 가열구역이 웨이퍼(2)의 티칭 상태를 감지하기 위한 검사대상이 되므로, 검사대상이 많을수록 감지결과의 정확도는 높으며, 검사대상이 적을수록 감지결과의 정확도는 낮기 때문이다.
다음, 선택된 가열구역의 온도변화를 측정하여 온도 데이터를 작성하고, 온도 데이터를 데이터베이스부(130)에 저장된 기준 데이터와 비교하여 웨이퍼(2)의 티칭 상태를 감지한다(S70). 이때, 동일한 가열구역을 기준으로 온도 데이터와 데이터베이스의 기준 데이터를 비교하여야 한다.
이때, 측정된 온도를 데이터베이스의 온도와 비교하는 방법에는 세가지가 있다. 이하에서는 제1 구역(Ⅰ)을 예로 들어 설명하기로 하며, 이는 제1 구역(Ⅰ)을 제외한 가열구역에도 적용될 수 있다. 제1 구역(Ⅰ)의 온도변화는 도 5에 점선으로 도시되었다.
첫번째는 측정된 최저온도(tmin)와 데이터베이스의 최저온도(Tmin)를 비교하는 방법이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 최저온도(tmin)가 데이터베이스의 최저온 도(Tmin)의 허용범위 내에 있을 때 제1 구역(Ⅰ)에 해당하는 웨이퍼(2) 부분이 정상적으로 티칭된 것으로 볼 수 있으며, 최저온도(tmin)가 데이터베이스의 최저온도(Tmin)의 허용범위 외에 있을 때 제1 구역(Ⅰ)에 해당하는 웨이퍼(2) 부분이 비정상적으로 티칭된 것으로 볼 수 있다. 허용범위는 최저온도(Tmin)를 기준으로 요구되는 티칭의 정확도에 따라 설정된 범위를 말한다.
두번째는 측정된 최고온도(tmax)와 데이터베이스의 최고온도(Tmax)를 비교하는 방법이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 최고온도(tmin)가 데이터베이스의 최저온도(Tmin)의 허용범위 내에 있을 때 제1 구역(Ⅰ)에 해당하는 웨이퍼(2) 부분이 정상적으로 티칭된 것으로 볼 수 있으며, 최고온도(tmin)가 데이터베이스의 최저온도(Tmin)의 허용범위 외에 있을 때 웨이퍼(2)가 비정상적으로 티칭된 것으로 볼 수 있다. 허용범위는 최고온도(Tmax)를 기준으로 요구되는 티칭의 정확도에 따라 설정된 범위를 말한다.
세번째는 측정된 온도변화량(Δt)과 데이터베이스의 온도변화량(ΔT)을 비교하는 방법이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 온도변화량(Δt)이 데이터베이스의 온도변화량(ΔT)의 허용범위 내에 있을 때 제1 구역(Ⅰ)에 해당하는 웨이퍼(2) 부분이 정상적으로 티칭된 것으로 볼 수 있으며, 온도변화량(Δt)이 데이터베이스의 온도변화량(ΔT)의 허용범위 외에 있을 때 제1 구역(Ⅰ)에 해당하는 웨이퍼(2) 부분이 비정상적으로 티칭된 것으로 볼 수 있다. 허용범위는 온도변화량(ΔT)을 기준으로 요구되는 티칭의 정확도에 따라 설정된 범위를 말한다.
상술한 방법 외에도, 온도 데이터에 대한 미분값을 데이터베이스의 기준 데이터에 대한 미분값과 비교하는 방법이 있으며, 온도 데이터에 대한 적분값을 데이터베이스의 기준 데이터에 대한 적분값과 비교하는 방법이 있다. 이외에도 측정된 온도 데이터와 데이터베이스의 기준 데이터를 비교하는 방법은 다양하게 제공될 수 있다. 또한, 웨이퍼(2)가 정상적으로 안착된 경우 히팅 플레이트(210)의 온도가 최저온도에 이르는 시간을 측정하고, 웨이퍼(2)가 비정상적으로 안착된 경우 히팅 플레이트(210)의 온도가 최저온도에 이르는 시간을 측정하여 양자를 비교하는 방법도 가능하다.
도 7에 도시한 바와 같이, 데이터베이스부(130)에는 복수의 비교방법들이 제공되어 있다(S110). 작업자는 원하는 공정특성에 따라 복수의 비교방법 중 어느 하나를 선택할 수 있으며(S120). 입력부(120)를 통하여 제어기(100)에 입력한다.
제어기(100)는 선택된 비교방법에 따라서 측정된 온도 데이터와 데이터베이스의 기준 데이터를 비교하며(S130), 상술한 바와 같이 측정된 온도 데이터가 기준 데이터의 허용범위 내에 있으면 티칭 상태는 정상이라고 판단한다.
한편, 선택된 가열구역들(ⅠⅤⅦ)에 대하여 서로 다른 비교방법을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 제1 구역(Ⅰ)에 대해서는 최저온도 비교법을 사용하여 티칭 상태를 감지하고, 제5 구역(Ⅴ)에 대해서는 온도변화량 비교법을 사용하여 티칭 상태를 감지하며, 제7 구역(Ⅶ)에 대해서는 최고온도 비교법을 사용하여 티칭 상태를 감지할 수 있다. 또한, 가열구역에 따라 기준 데이터를 기준으로 설정되는 허용범위를 다르게 할 수 있으며, 이는 상술한 바와 같이 공정특성에 따라 요구되는 정확도에 따라 달라질 수 있다. 또한, 하나의 구역에 대하여 두 가지 이상의 비교방법을 사용할 수 있으며, 두 가지 이상의 비교방법을 만족하는 경우에 웨이퍼(2)의 티칭 상태가 정상이라고 판단할 수 있다.
이와 같이, 선택된 가열구역(ⅠⅤⅦ) 각각에 대하여 측정된 온도 데이터가 데이터베이스의 기준 데이터의 허용범위 내에 있으면 선택된 가열구역(ⅠⅤⅦ)에 해당하는 웨이퍼(2) 부분은 티칭 상태가 정상이라고 판단할 수 있으며 전체적으로 웨이퍼(2)의 티칭 상태는 정상이라고 판단할 수 있다. 즉, 제1 구역(Ⅰ), 제5 구역(Ⅴ), 제7 구역(Ⅶ)에 대하여 티칭 상태는 별도로 판단되며, 각각의 가열구역에 해당하는 웨이퍼(2) 부분의 티칭 상태가 정상인 경우에 전체적인 웨이퍼(2)의 티칭 상태가 정상이라고 판단한다. 그러나, 선택된 가열구역(ⅠⅤⅦ) 중 어느 하나의 온도 데이터라도 데이베이스의 기준 데이터의 허용범위 외에 있으면 티칭 상태가 정상이라고 판단할 수 없다. 상술한 바와 같이, 선택된 가열구역의 수가 늘어면 티칭 상태의 정확도는 증가하며, 선택된 가열구역의 수가 줄어들면 티칭 상태의 정확도는 감소한다.
상술한 바에 의하면, 공정진행시 히팅 플레이트(210) 상에 로딩된 웨이퍼(2)의 티칭 상태를 확인할 수 있으며, 검사하는 가열구역의 수 또는 허용범위에 따라 티칭 상태를 판단하는 제어기의 정확도를 높일 수 있다.
본 발명에 의하면, 베이크 공정시 히팅 플레이트 상에 로딩되는 웨이퍼의 티칭 상태를 확인할 수 있으며, 공정특성에 따라 요구되는 티칭 상태의 정확도를 조절할 수 있다.

Claims (6)

  1. 베이크 공정시 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법에 있어서,
    복수의 가열구역들로 이루어진 히팅 플레이트 상에 기판을 정상적으로 로딩하는 단계;
    상기 가열구역들을 이용하여 상기 히팅 플레이트를 가열하면서 상기 가열구역들의 온도변화를 측정하는 단계;
    상기 측정된 온도를 이용하여 데이터베이스를 구축하는 단계;
    실제 공정진행시 상기 히팅 플레이트 상에 실제 기판을 로딩하는 단계;
    상기 가열구역들을 이용하여 상기 히팅 플레이트를 가열하는 단계;
    상기 가열구역들 중 하나 이상의 가열구역을 선택하는 단계; 및
    선택된 가열구역들의 온도변화를 측정하고 측정된 온도를 상기 데이터베이스의 온도와 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비교하는 단계는,
    복수개의 비교방법들이 제공되는 단계;
    공정특성에 따라 상기 비교방법들 중 어느 하나를 선택하는 단계; 및
    선택된 비교방법에 따라 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 의 티칭 상태를 감지하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 비교방법은 상기 선택된 가열구역들의 최저온도와 상기 데이터베이스의 최저온도를 비교하는 방법인 것을 특징으로 하는 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 비교방법은 상기 선택된 가열구역들의 최고온도와 상기 데이터베이스의 최고온도를 비교하는 방법인 것을 특징으로 하는 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 비교방법은 상기 선택된 가열구역들의 온도변화량과 상기 데이터베이스의 온도변화량을 비교하는 방법인 것을 특징으로 하는 기판의 티칭 상태를 감지하는 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 비교방법들 중 어느 하나를 선택하는 단계는 각각의 상기 가열구역에 대하여 개별적으로 비교방법을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 의 티칭 상태를 감지하는 방법.
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