KR100757854B1 - 배치식 웨이퍼 세정 설비 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 기판을 배치식으로 습식 세정하는 설비에 관한 것으로, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비는 공정시 내부에 처리액이 채워지는 복수의 처리조들 및 내부에 복수의 웨이퍼들을 수납하는 카세트들을 로딩 및 언로딩하는 로딩/언로딩부를 포함하는 공정 처리부, 그리고 상기 로딩 및 언로딩부와 인접하게 배치되어 공정시 각각의 처리면이 동일 방향을 향하도록 평행하게 배치되는 웨이퍼들로 이루어지는 그룹에서, 상기 그룹의 웨이퍼들 중 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들만을 반전시키는 반전 처리부를 포함한다. 이때, 상기 반전 처리부는 상기 로딩/언로딩부와 인접하게 설치되며, 상기 웨이퍼들의 그룹 중 상기 짝수매 또는 홀수매의 반전이 요구되는 경우에만 선택적으로 웨이퍼들을 반전시킨다. 따라서, 본 발명은 웨이의 세정 공정시 기판들 각각의 처리면이 서로 마주보는 상태에서 세정 공정을 진행함으로써, 기판의 피처리면으로부터 제거되는 오염물질이 다시 웨이퍼의 처리면을 오염시키는 현상을 방지하여 세정 효율을 향상시킨다. 특히, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비는 반전 공정이 요구되는 설비에만 부가되어 반전 공정을 선택적으로 수행할 수 있다.
반도체, 웨이퍼, 세정, 배치식, 습식, 반전, 회전, 턴오버

Description

배치식 웨이퍼 세정 설비{FACILITY FOR CLEANING WAFER IN BATCH TYPE}
도 1은 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼 세정 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 반전 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼 세정 설비의 공정 과정을 보여주는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 웨이퍼들의 반전 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 배치식 웨이퍼세정설비
10 : 세정 처리부
20 : 로딩/언로딩부
30 : 반전 처리부
100 : 웨이퍼 반전장치
200 : 웨이퍼 분리장치
본 발명은 기판을 세정하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 배치식으로 반도체 웨이퍼를 배치식으로 세정하는 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정 중 세정 공정은 반도체 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클, 유기오염물질, 금속오염물질 등을 제거하는 공정이다. 그 중에서도 습식 세정 설비는 기판상에 다양한 종류의 처리액들을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 설비이다.
일반적인 배치식의 습식 세정 설비는 웨이퍼들을 각각의 처리면이 동일방향을 향하도록 나란히 배치시킨 상태에서 웨이퍼들을 처리액이 담겨지는 액조에 침지시키거나, 웨이퍼들을 향해 처리액을 분사시켜 기판을 세정하였다. 이때, 보통 웨이퍼의 피처리면은 웨이퍼의 처리면(연마면)에 비하여 그 오염도가 높다. 따라서, 세정 공정시 각각의 웨이퍼들의 처리면은 인접하는 웨이퍼의 피처리면과 마주한 상태로 세정되므로, 웨이퍼의 피처리면에 묻은 오염물질들이 각각의 웨이퍼의 처리면에 영향을 주어 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다. 즉, 웨이퍼의 피처리면에 부착되어 있던 파티클이 처리액 내 부유해서 인접한 웨이퍼의 처리면에 재부착되는 현상이 발생된다.
종래에는 상술한 문제점을 해결하기 위해, 세정 공정시 웨이퍼들 각각의 처리면이 서로 마주보도록, 웨이퍼들의 짝수열 또는 홀수열를 반전시키는 기술이 적용되었다. 그러나, 이러한 웨이퍼 반전장치는 300mm 웨이퍼들을 세정하는 세정설비에 적합하도록 그 구성 및 구조가 이루어져 있으므로, 종래의 상술한 웨이퍼들의 반전을 수행하는 장치가 구비되지 않은 설비에 상기 기술을 적용하기 위해서는 종래의 세정설비를 새로운 세정설비로 교체해야 한다. 그러나, 이러한 설비의 교체에는 비용의 부담이 크고, 교체 작업이 수행되는 동안에는 세정 공정이 중단되므로 반도체 제조 공정의 처리량이 저하된다.
또한, 300mm보다 작은 구경의 웨이퍼(예컨대, 200mm 웨이퍼)를 세정하는 공정에서는 웨이퍼들의 면적이 상대적으로 작으므로, 상술한 웨이퍼의 반전 공정으로 인한 세정 효율의 증가 효과가 상대적으로 적을 수 있다. 즉, 일반적인 세정 공정에 반전 공정이 부가되면, 반전 공정의 추가로 인한 세정 공정 시간의 증가, 제작 비용의 증가 등의 문제점이 발생될 수 있으므로, 이러한 문제점에 비해 반전 공정의 부가로 인해 얻어지는 세정 효율이 상대적으로 적은 경우에는 상술한 설비의 교체로 얻어지는 효과가 적다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 배치식으로 웨이퍼를 습식 세정하는 설비에 있어서, 세정 공정시 웨이퍼들의 처리면이 서로 마주보도록 하여 세정 효율을 향상시키는 배치식 웨이퍼세정설비를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 종래의 웨이퍼들의 반전을 수행할 수 있는 장치가 구비되지 않은 설비에 선택적으로 웨이퍼 반전장치를 부가하여 반전 공정이 요구되는 경우에만 선택적으로 웨이퍼들을 반전시킬 수 있는 배치식 웨이퍼세정설비를 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 200mm 웨이퍼를 배치식으로 습식 세정하는 기판 세정 설비에 있어서, 웨이퍼들 각각의 처리면이 동일 방향으로 평행하게 배치된 상태에서, 웨이퍼들 각각의 처리면이 서로 마주보도록 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들을 반전시키는 기판 반전 장치를 구비하는 배치식 웨이퍼세정설비를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 세정 설비는 공정시 내부에 처리액이 채워지는 복수의 처리조들 및 상기 처리조들 상호간에 웨이퍼들을 이송시키는 이송 부재, 그리고 내부에 복수의 웨이퍼들을 수납하는 카세트들을 로딩 및 언로딩하는 로딩/언로딩부를 포함하는 공정 처리부, 그리고 상기 로딩 및 언로딩부와 인접하게 배치되어, 공정시 각각의 처리면이 동일 방향을 향하도록 평행하게 배치되는 웨이퍼들로 이루어지는 그룹에서, 상기 그룹의 웨이퍼들 중 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들만을 반전시키는 반전 처리부를 포함하되, 상기 반전 처리부는 상기 로딩/언로딩부 및 상기 처리조들 상호간의 이송되는 웨이퍼들의 이동 경로와 인접하게 설치되며, 상기 웨이퍼들의 그룹 중 상기 짝수열 또는 홀수열의 반전이 요구되는 경우에 웨이퍼들을 반전시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반전 처리부는 상기 로딩/언로딩부의 로딩부와 인접하기 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반전 처리부는 상기 웨이퍼들의 반전이 요구되는 경우에만 선택적으로 웨이퍼들을 반전시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반전 처리부는 공정시 상기 카세트 내 웨이퍼들을 상기 카세트로부터 분리시키는 웨이퍼 분리 장치, 공정시 각각의 처리면 이 동일 방향을 향하도록 평행하게 배치되는 웨이퍼들로 이루어지는 그룹에서, 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들만을 반전시키는 웨이퍼 반전 장치, 그리고 상기 웨이퍼 반전 장치와 상기 공정 처리부 상호간에 상기 카세트를 이송시키는 카세트 이송장치를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비는 200mm(8inch)의 웨이퍼들을 세정하는 설비이고, 상기 웨이퍼 반전 장치는 상기 로딩/언로딩부에 선택적으로 부가된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 배치식으로 반도체 기판, 즉 웨이퍼를 습식으로 세정하는 설비를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 복수의 웨이퍼들의 반전(turnover)이 요구되는 모든 반도체 제조 설비에 적용될 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼 세정 설비의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 반전 장치의 구성도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비(1)는 공정 처리부 및 반전 처리부(30)를 포함한다. 공정 처리부는 웨이퍼의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading), 그리고 세정 공정을 수행한다. 공정 처리부는 세정부(10) 및 로딩/언로딩부(20)를 포함한다.
세정부(10)는 웨이퍼의 습식 세정 공정을 수행한다. 세정부(10)는 복수의 처리조들(12) 및 이송 부재(14)를 포함한다. 각각의 처리조들(12)은 내부에 소정의 처리액이 채워지는 공간을 가진다. 상기 처리액은 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클, 유기오염물질, 금속오염물질 등의 오염물질들을 제거하기 위한 것으로, 다양한 종류의 화학약품(chemical), 유기용제(solvent), 그리고 초순수(DIW:Deionized Water) 등을 포함한다. 이송 부재(14)는 공정 처리부에서 기설정된 단위 매수씩 그룹지어진 웨이퍼들을 이송시킨다. 특히, 이송 부재(14)는 공정시 처리조들(12) 각각에 웨이퍼들을 침지시킨다. 이송 부재(14)는 척킹암(chucking arm)(14a) 및 가이드 레일(guide rail)(14b)을 포함한다. 척킹암(14a)은 단위 매수씩 그룹지어진 웨이퍼들을 상하로 평행하게 척킹(chucking)한다. 척킹암(14a)은 가이드 레일(14b)을 따라 직선 왕복이동되면서 각각의 처리조들(12)에 웨이퍼들을 침지시킨다.
로딩/언로딩부(20)는 공정시 복수의 웨이퍼들을 수납하는 카세트(C:Cassette)를 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)시킨다. 로딩/언로딩부(20)의 내부에는 공정시 카세트가 로딩 및 언로딩되는 적어도 하나의 로드 포트(load port)(미도시됨)가 구비되며, 로드 포트에 로딩된 카세트는 소정의 이송 수단(미도시됨)에 의해 공정 처리부(10)로 이송된다. 로딩/언로딩부(20)의 카세트 로딩 및 언로딩을 위한 구성은 다양하게 변경 및 변형될 수 있으며, 반도체 산업의 당업자가 용이하게 인지할 수 있는 기술이므로, 구체적인 구성 및 구조, 그리고 카세트 이송 과정에 대한 상세한 설명은 생략한다.
여기서, 상술한 공정 처리부는 300mm 이하의 웨이퍼들(예컨대, 200mm 웨이퍼)의 세정 공정에 적합하도록 그 구성 및 구조가 이루어져 있으며, 반전 처리부(30)는 상기 공정 처리부에 선택적으로 부가되어, 200mm의 웨이퍼들의 반전 공정을 수행한다.
반전 처리부(30)는 공정시 단위 매수씩 그룹지어진 웨이퍼들 중 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들만을 반전(turn-over)시키는 공정을 수행한다. 반전 처리부(30)는 로딩/언로딩부(20)와 인접하게 설치된다. 특히, 반전 처리부(30)는 로딩/언로딩부(20) 중 카세트(C)가 로딩되는 인풋포트(input-port)(미도시됨)와 인접하게 설치되는 것이 바람직하다.
반전 처리부(30)는 카세트 이송장치(32), 웨이퍼 반전장치(100), 그리고 웨이퍼 분리장치(200)를 포함한다. 카세트 이송장치(32)는 로딩/언로딩부(20) 및 기판반전부(30) 상호간에 카세트를 왕복이동시킨다. 예컨대, 카세트 이송장치(32)는 공정시 로딩/언로딩부(20)에 로딩된 두 개의 카세트(C)를 동시에 웨이퍼 반전장치(100)로 이송한다.
웨이퍼 반전장치(100)는 카세트 이송장치(32)로부터 두 개의 카세트(C)를 이송받아 카세트(C) 내 웨이퍼들 중 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들을 반전시킨다. 웨이퍼 반전장치(100)는 안착부재(110), 제1 및 제2 가이드(122, 124), 그리고 제1 및 제2 회전부재(132, 134)를 포함한다. 안착부재(110)는 공정시 두 개의 카세트(C)를 안착시킨다. 제1 및 제2 가이트(122, 124) 각각은 안착부재(110)에 안착된 두 개의 카세트 각각으로부터 인출된 웨이퍼들을 안착시킨다. 제1 및 제2 가이드(122, 124) 각각에는 각각의 웨이퍼들의 처리면들이 일정 방향을 향하도록 상하로 병행하게 안착시키는 슬롯(slot)(S)들이 구비된다. 제1 및 제2 회전부재(132, 134)는 공정시 제1 및 제2 가이드(122, 124)를 180°회전시켜, 슬롯(S)에 안착된 웨이퍼들을 180°로 반전시킨다.
웨이퍼 분리장치(200)는 공정시 제1 및 제2 가이드(122, 124)에 안착된 웨이퍼들(W) 중 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들만을 제1 및 제2 가이드(122, 124)로부터 분리시킨다. 일 실시예로서, 웨이퍼 분리장치(200)는 제1 및 제2 가이드(122, 124)의 슬롯(S)에 각각 안착되는 웨이퍼들(W)들 중에 반전이 필요한 홀수열의 웨이퍼들(W1)을 제어한 짝수열의 웨이퍼들(W2)을 슬롯(S)으로부터 이격시킨다. 이때, 웨이퍼 분리장치(200)는 웨이퍼들(W1)의 반전 동작에 간섭이 발생되지 않을 정도의 높이로 웨이퍼들(W2)을 슬롯(S)으로부터 상승시킨다.
여기서, 상술한 구성들을 가지는 반전 처리부(30)는 공정상 반전 공정이 요구되는 경우에만 선택적으로 상술한 웨이퍼의 반전 공정을 수행한다. 반전 처리부(30)는 웨이퍼의 세정 효율을 향상시키기 위해 웨이퍼들의 처리면이 서로 마주보도록 하는 것이나, 이러한 반전 공정은 세정 공정 시간의 증가 및 세정 설비의 제작 비용 및 풋 프린트(foot-print)의 증가 등의 부수적인 문제가 발생될 수 있다. 특히, 200mm의 반도체 웨이퍼들을 세정하는 공정은 300mm의 웨이퍼들을 세정하는 공정보다 웨이퍼들의 처리면의 면적이 작으므로, 상술한 웨이퍼들의 반전 공정의 효율이 크지 않을 수 있다. 따라서, 반전 처리부(30)는 공정 처리부와 인접하게 구비되어, 선택적으로 웨이퍼들의 반전 공정을 수행할 수 있다. 만약, 반전 처리부(30)가 구비되어 있지 않았던 200mm 웨이퍼의 세정 공정을 수행하는 공정 처리부에 반전 처리부(30)를 추가적으로 구비하는 경우에는 반전 처리부(30)가 공정 처리부의 로딩/언로딩부(30)에 인접하게 배치되되, 기존의 공정 처리부의 구성 및 구조의 큰 변경이 없이 설치되어, 공정상 반전 공정이 요구되는 경우에만 웨이퍼들의 반전 공정을 수행할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
이하, 상술한 구성들을 가지는 배치식 웨이퍼세정설비(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼 세정 설비의 공정 과정을 보여주는 순서도이다. 그리고, 도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 웨이퍼들의 반전 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3을 참조하면, 배치식 웨이퍼세정설비(1)의 공정이 개시되면, 로딩/언로딩부(20)로 카세트(C)들이 로딩(loading)되고, 카세트 이송장치(32)는 로딩된 카세트(C)들 중 두 개의 카세트(C)를 웨이퍼 반전장치(100)의 안착부재(110)에 안착시킨다(S110). 카세트(C)가 안착부재(110)에 안착되면, 카세트(C) 내 웨이퍼들(W)은 카세트(C)로부터 분리되어 제1 및 제2 가이드(122, 124)에 안착된다(S120). 이때, 웨이퍼들(W)은 제1 및 제2 가이드(122, 124)의 슬롯(S)에 안착된다. 이때, 슬롯(S) 에 안착된 각각의 웨이퍼들(W)은 각각의 처리면들이 동일한 방향을 향하도록 상하로 평행하게 정렬된다.
웨이퍼들(W)이 제1 및 제2 가이드(122, 124)에 안착되면, 웨이퍼들(W) 중 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들을 반전시키는 공정을 수행한다(S130). 일 실시예로서, 도 4a를 참조하면, 웨이퍼 분리장치(200)는 제1 및 제2 가이드(122, 124)에 안착된 웨이퍼들(W) 중 반전이 불필요한 웨이퍼들(W2)을 제외한 웨이퍼들(W1)을 제1 및 제2 가이드(122, 124)로부터 일정한 간격만큼 상승시킨다. 제1 및 제2 가이드(122, 124)로부터 웨이퍼들(W2)이 분리되면, 제1 및 제2 회전장치(132, 134) 각각은 제1 및 제2 가이드(122, 124)를 180°회전시켜 웨이퍼들(W2)을 반전시킨다.
그리고, 웨이퍼들(W2)이 반전되면, 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 회전장치(132, 134)는 측방향으로 일정거리를 이동한다. 이는 웨이퍼들(W2) 사이에 웨이퍼들(W1) 각각이 안치될 수 있도록 웨이퍼들(W2)의 위치를 조절하기 위함이다. 웨이퍼들(W2)의 위치가 조절되면, 도 4c에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 분리장치(200)는 웨이퍼들(W1)을 각각의 웨이퍼들(W2) 사이에 각각의 웨이퍼들(W1)이 위치되도록 제1 및 제2 가이드(122, 124)에 안치시킨다. 따라서, 웨이퍼들(W1)의 처리면과 웨이퍼들(W2)의 처리면은 서로 마주보게 된다.
상술한 웨이퍼들(W)의 반전 공정이 완료되면, 반전 공정이 완료된 웨이퍼들(W)의 세정 공정이 수행된다(S140). 즉, 웨이퍼 이송장치(32)는 반전 처리부(30)로부터 반전 공정이 완료된 웨이퍼들(W) 또는 반전 공정이 완료된 웨이퍼들을 수납된 카세트(C)를 로딩/언로딩부(20)로 이송시키고, 로딩/언로딩부(20)에 구비된 이 송 수단(미도시됨)은 웨이퍼들(W) 또는 카세트(C)를 세정부(10)로 이송하기 전에 대기하는 대기부(미도시됨)에 안치시킨다. 그리고, 세정부(10)의 척킹암(14a)은 가이드 레일(14b)을 따라 이동되면서, 대기부에 안치된 웨이퍼들(W)을 각각의 처리조들(12)에 침지시켜 웨이퍼들(W) 표면에 잔류하는 오염물질을 세정한다. 이때, 각각의 웨이퍼들(W)은 서로 처리면들이 마주보고 있으므로, 웨이퍼들(W)의 피처리면으로부터 제거되는 오염물질이 다시 웨이퍼들(W)의 처리면을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
상술한 세정 공정이 완료되면, 반전되었던 웨이퍼들(W1)을 다시 반전시킨다(S150). 즉, 세정부(10)에 의해 세정 공정이 완료된 웨이퍼들(W)은 다시 로딩/언로딩부(20)를 경유하여 다시 반전 처리부(30)로 이송된다. 반전 처리부(30)로 이송된 웨이퍼들(W)은 상술한 반전 공정과 동일한 방식으로 반전 공정이 수행되었던 웨이퍼들(W1)을 다시 180°회전시켜 웨이퍼들(W)을 각각의 처리면이 동일 방향을 향하도록 정렬시킨다. 재반전이 완료된 웨이퍼들(W)은 카세트(C) 내에 수납되고(S160), 카세트(C)는 다시 로딩/언로딩부(20)로 이동된 후 후속 공정이 수행되는 설비(미도시됨)로 반출된다(S170).
상술한 배치식 웨이퍼세정설비(1)는 웨이퍼들(W) 각각의 처리면이 서로 마주보도록 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들을 반전시킨 상태에서 웨이퍼들(W)을 세정한다. 따라서, 세정 공정시 웨이퍼들(W)의 피처리면으로부터 제거되는 오염물질이 웨이퍼들(W)의 처리면을 오염시키는 것을 방지할 수 있어 세정 효율을 향상시킨다.
또한, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비(1)는 선택적으로 웨이퍼들(W) 의 반전 공정을 수행한다. 즉, 본 발명에 따른 웨이퍼 반전장치(100)는 반전 처리부(30)가 없는 공정 처리부에 추가적으로 부가되어, 세정 공정시 웨이퍼들(W)의 반전 공정을 선택적으로 수행할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 웨이퍼 반전장치(100)는 종래의 200mm 웨이퍼들을 세정하는 공정 처리부에 추가적으로 설치되어, 웨이퍼들(W)의 반전 공정을 선택적으로 수행한다. 따라서, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비(1)는 종래의 반전 공정 설비가 구비되지 않은 배치식 웨이퍼세정설비(1)에 선택적으로 반전 처리부(30)를 부가하여, 반전 공정이 요구되는 경우에만 반전 공정을 수행한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비는 웨이퍼 세정 공 정시 기판들 각각의 처리면이 서로 마주보는 상태에서 세정 공정을 진행함으로써, 웨이의 피처리면으로부터 제거되는 오염물질이 다시 기판의 처리면을 오염시키는 현상을 방지하여 세정 효율을 향상시킨다. 특히, 본 발명에 따른 배치식 웨이퍼세정설비는 반전 공정이 요구되는 설비에만 부가되어 반전 공정을 선택적으로 수행할 수 있다.

Claims (2)

  1. 배치식으로 웨이퍼를 세정하는 설비에 있어서,
    공정시 내부에 처리액이 채워지는 복수의 처리조들 및 상기 처리조들 상호간에 웨이퍼들을 이송시키는 이송 부재, 그리고 내부에 복수의 웨이퍼들을 수납하는 카세트들을 로딩 및 언로딩하는 로딩/언로딩부를 포함하는 공정 처리부와,
    상기 로딩 및 언로딩부의 로딩부와 인접하게 배치되어, 공정시 각각의 처리면이 동일 방향을 향하도록 평행하게 배치되는 웨이퍼들로 이루어지는 그룹에서, 상기 그룹의 웨이퍼들 중 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들만을 반전시키는 반전 처리부를 포함하되,
    상기 반전 처리부는,
    상기 로딩/언로딩부 및 상기 처리조들 상호간의 이송되는 웨이퍼들의 이동 경로와 인접하게 설치되며, 상기 웨이퍼들의 그룹 중 상기 짝수열 또는 홀수열의 반전이 요구되는 경우에 웨이퍼들을 반전시키는 것을 특징으로 하는 배치식 웨이퍼 세정 설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반전 처리부는,
    공정시 상기 카세트 내 웨이퍼들을 상기 카세트로부터 분리시키는 웨이퍼 분리 장치와,
    공정시 각각의 처리면이 동일 방향을 향하도록 평행하게 배치되는 웨이퍼들로 이루어지는 그룹에서, 짝수열 또는 홀수열의 웨이퍼들만을 반전시키는 웨이퍼 반전 장치, 그리고
    상기 웨이퍼 반전 장치와 상기 공정 처리부 상호간에 상기 카세트를 이송시키는 카세트 이송장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 웨이퍼세정설비.
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