KR100744766B1 - Faraday system for measuring the current of ion beam - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템에 관한 것으로, 플라즈마 소스로부터 추출한 이온 빔을 서로 절연된 분할영역에 입사시켜 각 영역으로 유도되는 전류를 측정함으로써 이온 빔 전체의 플럭스 뿐만 아니라, 이온 빔의 균일성도 동시에 측정하는데 그 목적이 있다.The present invention relates to a Faraday system for measuring the current of an ion beam, and the ion beam extracted from the plasma source is incident on the divided regions insulated from each other to measure the current induced in each region, as well as the flux of the entire ion beam, as well as the ion beam. The purpose of measuring the uniformity of is also at the same time.

이를 위해 본 발명은, 플라즈마로부터 이온 빔을 추출하는 소스; 상기 추출된 이온 빔을 분할하기 위해 복수의 영역으로 분할된 이온 빔 분할기; 및 상기 복수의 분할영역으로 유도되는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하며, 상기 복수의 분할영역은 동심원으로 분할된 링형상의 구조 또는 반경방향 일정각도로 분할된 방사상의 구조로 서로 조립되어 이온 빔의 전류량을 측정하는 패러데이 컵을 형성하는 것이다.To this end, the present invention, the source for extracting the ion beam from the plasma; An ion beam splitter divided into a plurality of regions for dividing the extracted ion beam; And a current measuring device for measuring current induced in the plurality of divided regions, wherein the plurality of divided regions are assembled into a concentric ring-shaped structure or a radial structure divided at a predetermined radial angle to each other to form an ion beam. To form a Faraday cup to measure the amount of current.

Description

이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템{Faraday system for measuring the current of ion beam}Faraday system for measuring the current of ion beam

도 1은 일반적인 패러데이 컵의 기본 개념도,1 is a basic conceptual view of a typical Faraday cup,

도 2는 종래 다양한 형태의 패러데이 컵 구조도,
도 3은 본 발명에 의한 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템의 기본 구성을 나타내는 블록도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 링형상의 분할 구조도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 방사상의 분할 구조도,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 의한 패러데이 시스템의 세부 구성도.2 is a conventional Faraday cup structure diagram of various forms,
3 is a block diagram showing the basic configuration of a Faraday system for measuring the current of the ion beam according to the present invention;
4 is a ring-shaped partition structure according to the first embodiment of the present invention;
5 is a radial divided structure diagram according to a second embodiment of the present invention;
6 is a detailed block diagram of a Faraday system according to a first embodiment of the present invention.

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* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 플라즈마 소스 200 : 이온 빔 분할기100: plasma source 200: ion beam splitter

200-1 ~ 200-n, 260-1 ~ 260-n : 분할영역200-1 to 200-n, 260-1 to 260-n: Partition

200a-1 ~ 200a-n, 260a-1 ~ 260a-n : 아이솔레이터200a-1 to 200a-n, 260a-1 to 260a-n: isolator

300 : 전류 측정기300: current meter

본 발명은 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템에 관한 것으로, 특히 플라즈마 소스로부터 추출한 이온 빔을 서로 절연된 분할영역에 입사하여 각 영역의 전류량을 측정하는 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a Faraday system for measuring the current of the ion beam, and more particularly to a Faraday system for measuring the current of the ion beam by measuring the amount of current in each region by injecting the ion beam extracted from the plasma source into the divided regions insulated from each other will be.

최근, 반도체소자의 고집적화, 고밀도화에 대응하여 보다 정밀한 불순물 제어가 요구되며, 더욱이 양산 기술면에서는 재현성의 향상 및 처리능력의 향상이 요구되고 있다. 이에 따라 이온주입기술에 대한 활용이 커지고 있다.In recent years, more precise impurity control is required to cope with higher integration and higher density of semiconductor devices, and furthermore, in terms of mass production technology, improvement of reproducibility and processing capability are required. Accordingly, the use of ion implantation technology is increasing.

이온주입이란, 불순물을 이온 상태로 만든 후, 이를 가속하여 반도체 기판상의 특정부위에 주사함으로써 원하는 영역에 적정량의 불순물을 이온 주입시키는 반도체 기술로, 이온주입기술은 선택적 불순물 주입 및 순도 높은 불순물 주입이 가능하고, 정밀한 불순물 제어가 가능하여 재현성 및 균일성이 우수하다.Ion implantation is a semiconductor technology in which an impurity is ionized and then injected into a specific area on a semiconductor substrate to implant an appropriate amount of impurity in a desired region. The ion implantation technique is characterized by selective impurity implantation and high purity impurity implantation. It is possible to control the impurity precisely and is excellent in reproducibility and uniformity.

이러한 기술을 이행하는 이온주입설비는 진공장치, 이온공급장치, 주사장치 등으로 나뉘어질 수 있으며, 소스가스(Source Gas)가 공급되는 이온발생부에서 이온 빔이 발생되면, 이 발생된 이온 빔을 추출 및 가속시켜 웨이퍼에 주입시킨다.Ion implantation equipment that implements this technology can be divided into a vacuum device, an ion supply device, a scanning device, etc., if the ion beam is generated in the ion generator that is supplied with the source gas, the generated ion beam Extracted and accelerated into the wafer.

현재, 이온 빔을 이용하여 웨이퍼 공정을 진행하는 기술에서 웨이퍼 면적에 대한 이온 빔의 균일성(Uniformity)은 웨이퍼 스퍼터링(Sputtering)으로 측정하고, 이온 플럭스(Ion Flux)는 패러데이 컵(Faraday Cup)을 통해 전류값으로 측정한다.Currently, the uniformity of the ion beam with respect to the wafer area is measured by wafer sputtering in the technology of processing a wafer using an ion beam, and the ion flux is a Faraday Cup. Measure with current value.

패러데이 컵은 도 1에 도시한 바와 같이, 이온 빔의 입사방향에 맞춰 설치하여 컵 내부로 입사되는 이온의 플럭스(Flux) 양을 그라운드(Ground)로부터 유도되는 전류를 통해 측정하기 위한 장치로, 입사되는 이온 빔의 전체 플럭스를 측정하기 위해 독립된 하나의 빔 수광부와 하나의 출력 전류값을 얻는 구조를 가지고 있 다.Faraday cup is a device for measuring the flux of ions incident to the inside of the cup by installing in accordance with the direction of incidence of the ion beam as shown in FIG. In order to measure the total flux of the ion beam, it has a structure of obtaining one independent beam receiver and one output current value.

패러데이 컵은 도전 재료에 입사되는 이온 빔(Ion Beam)의 플럭스 크기(Flux Magnitude)를 측정하기 위해 이용되는 간단한 기술로, 기본적으로 도전 재료로 만들어져 있으며, 컵의 형상을 가지거나 평판의 형태를 가지고 있다. Faraday Cup is a simple technique used to measure the flux magnitude of an ion beam incident on a conductive material. It is basically made of a conductive material and has the shape of a cup or a flat plate. have.

이러한 패러데이 컵은 기본적으로 도전 재료(Conductive Material)로 만들어져 도 2에 도시한 바와 같이, 컵(Cup)의 형상을 가지거나 평판의 형태를 가지고, 이 컵 또는 평판에 입사되는 이온 빔에 유도되는 전류를 검출값으로 얻을 수 있다.The Faraday cup is basically made of a conductive material and has a shape of a cup Cup or a flat plate, as shown in FIG. 2, and a current induced in an ion beam incident on the cup or flat plate. Can be obtained as a detection value.

이러한 도전막(Conductive Layer)에서 생기는 충돌(Collision)로 인해 생기는 2차 전자손실(Secondary Emission Electron Loss)을 없애기 위해 도 2(a)의 컵 형태를 가진 구조는 서로 다른 극성의 2개의 자석을 입구 근처에 설치하여 자계(B-field)를 발생해 준다.In order to eliminate secondary emission electron loss caused by collisions in the conductive layer, the cup-shaped structure of FIG. It is installed nearby to generate B-field.

다른 형태로는, 도 2(b)의 컵 형태나 도 2(c)의 평판(Planar) 형태를 가진 구조의 경우, 자석 대신 앞부분에 전계(Electrical Field)를 줄 수 있게 얇은 도전 와이어(Conductive Wire)로 슬릿(slit)을 만들어 준다. 와이어는 개구 면적(Open area)에 지장이 없을 정도로 떨어져 있다. 예로, 그리드(Suppression Grid)를 측정면적 전에 부착하여 전계를 인가하게 되어 있거나 전류 측정면적이 평판 형태이면 면적 자체에 전계를 연결하여 전자손실을 방지하는 형태이다.In another embodiment, in the case of the cup form of FIG. 2 (b) or the planar shape of FIG. 2 (c), a thin conductive wire may be used to give an electric field in front of the magnet. ) To make a slit. The wires are spaced apart so as not to interfere with the open area. For example, when a grid is attached before the measurement area to apply an electric field, or when the current measurement area is a flat plate, an electric field is connected to the area itself to prevent electron loss.

그런데, 이와 같은 종래의 패러데이 컵은 입사되는 플럭스에 대해 측정효율을 극대화하기 위한 구조이기는 하나, 극대화된 하나의 전류 출력값만을 얻을 수 있는 구조이기 때문에 플라즈마 전체의 전류 측정은 가능하나, 균일성 측정을 위한 국부적인 전류 측정이 가능하지 않아 입사되는 빔 영역 내에서의 플럭스 분포(전류 분포)를 측정할 수 없었다.By the way, the conventional Faraday cup is a structure for maximizing the measurement efficiency for the incident flux, but because only one of the maximum current output value can be obtained, it is possible to measure the current of the entire plasma, but to measure the uniformity. It was not possible to measure the local current for this purpose, so the flux distribution (current distribution) in the incident beam region could not be measured.

빔 영역 내에서의 플럭스 분포는 반도체 공정장비에 있어서 중요한 요소중의 하나인 균일성과 밀접한 관계를 가지고 있으나, 종래의 전류측정방식은 균일성을 최적화하는데 없어서는 안될 중요한 정보를 얻을 수 없기 때문에 이온 빔의 균일성 측정을 위한 웨이퍼 스퍼터링을 별도로 진행해야 한다는 문제점이 있었다.The flux distribution in the beam region is closely related to the uniformity, which is one of the important factors in semiconductor processing equipment. However, since the conventional current measurement method cannot obtain important information that is indispensable for optimizing uniformity, There has been a problem in that wafer sputtering for uniformity measurement must be performed separately.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 플라즈마 소스로부터 추출한 이온 빔을 서로 절연된 분할영역에 입사시켜 각 영역으로 유도되는 전류를 측정하는 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention is to solve the conventional problems as described above, the object of the present invention is to input the ion beam extracted from the plasma source to the divided region insulated from each other to measure the current induced in each region current of the ion beam To provide a Faraday system for measurement.

본 발명의 다른 목적은, 각 영역으로부터 얻어진 전류값을 통해 이온 빔의 균일성과 플럭스를 동시에 측정할 수 있는 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a Faraday system for measuring the current of an ion beam, which can simultaneously measure the uniformity and flux of the ion beam through current values obtained from each region.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마로부터 이온 빔을 추출하는 소스; 상기 추출된 이온 빔을 분할하기 위해 복수의 영역으로 분할된 이온 빔 분할기; 및 상기 복수의 분할영역으로 유도되는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하며, 상기 복수의 분할영역은 동심원으로 분할된 링형상의 구조로 서로 조립되어 이온 빔의 전류량을 측정하는 패러데이 컵을 형성하는 것을 특징으로 한다.The present invention to achieve the above object, the source for extracting the ion beam from the plasma; An ion beam splitter divided into a plurality of regions for dividing the extracted ion beam; And a current meter for measuring current induced in the plurality of divided regions, wherein the plurality of divided regions are assembled into concentric ring-shaped structures to form a Faraday cup for measuring the amount of current in the ion beam. It features.

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또한, 본 발명은 플라즈마로부터 이온 빔을 추출하는 소스; 상기 추출된 이온 빔을 분할하기 위해 복수의 영역으로 분할된 이온 빔 분할기; 및 상기 복수의 분할영역으로 유도되는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하며, 상기 복수의 분할영역은 반경방향 일정각도로 분할된 방사상의 구조로 서로 조립되어 이온 빔의 전류량을 측정하는 패러데이 컵을 형성하는 것을 특징으로 한다.The invention also provides a source for extracting the ion beam from the plasma; An ion beam splitter divided into a plurality of regions for dividing the extracted ion beam; And a current meter for measuring current induced in the plurality of divided regions, wherein the plurality of divided regions are assembled in a radial structure divided at a predetermined radial direction to form a Faraday cup measuring an amount of current of an ion beam. Characterized in that.

이하, 본 발명의 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

일반적으로, 반도체 공정에 이용되는 이온 총(Ion Gun)은 다양한 방법을 통해 플라즈마 소스로부터 이온 빔을 추출해내고, 이 추출된 이온 빔은 생성된 플라즈마 자체의 불균일성 때문에 원주방향으로 균일한 플럭스를 가지지 않는다. 이러한 불균일성을 가지는 이온 빔을 반도체 공정 등에 바로 이용할 경우 직접적으로 공정 균일성에 영향을 받게 되므로 이온 빔의 균일성을 최적화하기 위해 빔 영역 내에서의 플럭스 분포를 측정하기 위한 장치로 본 발명이 제안되었다.In general, ion guns used in semiconductor processes extract ion beams from plasma sources through various methods, which do not have uniform flux in the circumferential direction because of the nonuniformity of the generated plasma itself. . When the ion beam having such non-uniformity is directly used in a semiconductor process or the like, the present invention has been proposed as an apparatus for measuring the flux distribution in the beam region in order to optimize the uniformity of the ion beam.

도 3은 본 발명에 의한 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템의 기본 구성을 나타내는 블록도이다.3 is a block diagram showing the basic configuration of a Faraday system for measuring the current of the ion beam according to the present invention.

도 3에서, 본 발명의 패러데이 시스템은 플라즈마 소스(100), 이온 빔 분할기(200) 및 전류 측정기(300)를 포함한다.In FIG. 3, the Faraday system of the present invention includes a plasma source 100, an ion beam splitter 200, and a current meter 300.

상기 플라즈마 소스(100)는 외부와 차단되어 진공을 유지하는 반응공간(도 6 참고) 내에 각종 반응가스로부터 이온 빔을 추출하는 것으로, 고주파를 공급하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치 등을 사용할 수 있으며, 다양한 형태로 변형된 이온소스를 사용할 수 있는 공지된 기술이다.The plasma source 100 extracts ion beams from various reaction gases in a reaction space (see FIG. 6) that is blocked from the outside and maintains a vacuum. A plasma generator 100 may be used to generate a plasma by supplying a high frequency wave. It is a known technique that can use ion sources modified in various forms.

상기 이온 빔 분할기(200)는 플라즈마 소스(100)로부터 추출된 초기 이온 빔을 제1 내지 제n 이온 빔으로 분할하기 위해 서로 절연된 특정형상의 여러 영역으로 분할된 패러데이 컵의 일종이다. The ion beam splitter 200 is a type of Faraday cup that is divided into several regions of a specific shape insulated from each other to divide the initial ion beam extracted from the plasma source 100 into first to nth ion beams.

상기 전류 측정기(300)는 각각의 분할영역으로 유도되는 전류를 측정하여 이를 통해 얻어진 전류값으로 이온 빔의 플럭스와 균일성을 동시에 측정한다.The current meter 300 measures the current induced in each divided region and simultaneously measures the flux and uniformity of the ion beam using the current value obtained through the division.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 링형상의 분할 구조도이다.4 is a ring-shaped partition structure diagram according to the first embodiment of the present invention.

도 4에서, 이온 빔 분할기(200)는 링형상의 동심원으로 여러 영역(200-1, 200-2,…… 200-n)으로 분할된 구조로, 각각의 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)은 도전 재료로 만들어져 서로 절연되어 있으며, 각각의 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)은 이온 빔 분할기(200)와 동일한 크기의 절연체(도시되지 않음) 서로 조립되어 하나의 면을 이루며, 이 전체 면은 입사되는 이온 빔 플럭스 전체에 대해 측정 가능하도록 이온 빔의 단면 전체를 덮을 수 있는 충분한 크기여야 한다.In FIG. 4, the ion beam splitter 200 is divided into several regions 200-1, 200-2,..., 200-n with ring-shaped concentric circles, and each divided region 200-1, 200-. 2,... 200-n are made of a conductive material and insulated from each other, and each of the divided regions 200-1, 200-2,..., 200-n has an insulator (the same size as that of the ion beam splitter 200). (Not shown) assembled together to form a single surface, which must be large enough to cover the entire cross section of the ion beam so that it can be measured for the entire incident ion beam flux.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 방사상의 분할 구조도이다.5 is a radial divisional structure diagram according to a second embodiment of the present invention.

도 5에서, 이온 빔 분할기(200)는 반경방향 일정각도를 갖는 방사상의 여러 영역(260-1, 260-2,…… 260-n)으로 분할된 구조로, 각각의 분할영역(260-1, 260-2,…… 260-n)은 도전 재료로 만들어져 있다. In FIG. 5, the ion beam splitter 200 is divided into various radial regions 260-1, 260-2,... 260-n having a constant radial angle, and each of the divided regions 260-1. , 260-2, ... 260-n) are made of a conductive material.

상기 각각의 분할영역(260-1, 260-2,…… 260-n) 사이에는 서로 접촉되는 면을 전기적으로 절연하기 위해 영역을 구성하는 아이솔레이터(260a-1, 260a-2,…… 260a-n)가 위치하고, 첫번째 분할영역(260-1)과 n번째 분할영역(260-n) 사이에는 스플릿 영역(270;Split Area)이 위치한다.Isolators 260a-1, 260a-2, ... 260a- constituting regions for electrically insulating the surfaces in contact with each other between the divided regions 260-1, 260-2, ..., 260-n. n) is located, and a split area 270 is located between the first partition area 260-1 and the nth partition area 260-n.

상기 아이솔레이터(260a-1, 260a-2,…… 260a-n)는 붕소 질화물(BN; Boron Nitride)과 같은 절연막(Dielectric layer)으로 코팅되어 있거나, 세라믹 등과 같 은 절연물질로 만들어져 있다.The isolators 260a-1, 260a-2,... 260a-n are coated with an insulating layer such as boron nitride (BN) or made of an insulating material such as ceramic.

각각의 분할영역(260-1, 260-2,…… 260-n)은 서로 조립되어 하나의 면을 이루며, 이 전체 면은 입사되는 이온 빔 플럭스 전체에 대해 측정 가능하도록 이온 빔의 단면 전체를 덮을 수 있는 충분한 크기여야 한다.Each of the divided regions 260-1, 260-2,... 260-n is assembled with each other to form one surface, and the entire surface covers the entire cross section of the ion beam so that the entire incident beam flux can be measured. It must be large enough to cover it.

도 6은 본 발명의 제1실시예에 의한 패러데이 시스템의 세부 구성도이다.  6 is a detailed block diagram of a Faraday system according to a first embodiment of the present invention.

도 6에서, 외부와 차단되어 진공을 유지하는 반응 공간(10)에 플라즈마를 발생하고, 이로부터 이온 빔을 추출하여 이온 빔 분할기(200)의 서로 절연된 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)에 입사시킨다.In FIG. 6, plasma is generated in the reaction space 10 that is blocked from the outside and maintains a vacuum, and ion beams are extracted from the divided spaces 200-1 and 200-2 of the ion beam splitter 200. , ... ... 200-n).

상기 이온 빔 분할기(200)는 여러 개의 영역(200-1, 200-2,…… 200-n)으로 분할된 구조로, 각각의 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n) 사이에는 서로 접촉되는 면을 전기적으로 절연하기 위한 아이솔레이터(200a-1, 200a-2,…… 200a-n)가 위치하고, n번째 분할영역(200-n)에는 가스 방출 홀(220;Gas Exhausting Hole)이 위치한다.The ion beam splitter 200 is divided into a plurality of regions 200-1, 200-2,... 200-n, and each of the divided regions 200-1, 200-2,... ) Isolators 200a-1, 200a-2,... 200a-n for electrically insulating the surfaces in contact with each other are disposed, and gas ejection holes 220 are disposed in the n-th partition 200-n. Hole) is located.

각각의 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)은 서로 조립되어 하나의 면을 이루며, 조립된 후 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)들이 서로 전기적으로 하나의 전극이 된다면, 전체 이온 빔의 플럭스를 측정하는 일종의 패러데이 컵이 된다.Each of the divided regions 200-1, 200-2,... 200-n is assembled with each other to form a single surface, and after being assembled, the divided regions 200-1, 200-2,. If one electrode is electrically connected to each other, it is a kind of Faraday cup that measures the flux of the entire ion beam.

플라즈마가 발생되고, 이로부터 이온 빔이 추출되는 부분은 기본적으로 진공상태이므로, 본 발명은 진공을 유지할 수 있는 펌핑 포트(Pumping Port)와 외부의 전류 측정기(300)와 같은 DVM으로 나가는 피드스루(20;Vacuum Feed-through)가 필요하다. Since the plasma is generated and the portion from which the ion beam is extracted is basically a vacuum state, the present invention provides a pumping port capable of maintaining a vacuum and a feedthrough to a DVM such as an external current meter 300. 20; Vacuum feed-through is required.

상기 여러 개의 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)은 피드스루(20; Vacuum Feed-through)와 각각 연결되어 있으며, 이를 통해 외부에 연결된 전류 측정기(300)에서 각각의 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)으로 유도되는 전류를 측정하여 입사되는 이온 빔 영역 내에서의 플럭스 분포를 측정할 수 있게 된다. The plurality of partitions 200-1, 200-2,..., 200-n are respectively connected to a vacuum feed-through (20), through which the respective current measuring units 300 are externally connected. By measuring the current induced in the divided regions 200-1, 200-2,... 200-n, the flux distribution in the incident ion beam region can be measured.

따라서, 이온 빔을 이용하는 반도체 공정에서 빔 자체의 플럭스 균일성이 공정 균일성을 결정하는 중요한 인자이므로, 각각의 분할영역(200-1, 200-2,…… 200-n)으로 유도되는 전류 측정으로 빔 전체의 플럭스 뿐만 아니라, 이온 빔의 균일성도 측정 가능하게 되었다.Therefore, the flux uniformity of the beam itself in the semiconductor process using the ion beam is an important factor in determining the process uniformity, and thus the current measurement induced in each of the divided regions 200-1, 200-2,... As a result, not only the flux of the entire beam but also the uniformity of the ion beam can be measured.

상기에서 설명한 것은 본 발명에 의한 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템을 실시하기 위한 실시예에 불과한 것으로, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.What has been described above is merely an embodiment for implementing a Faraday system for measuring the current of the ion beam according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, it is usually within the technical spirit of the present invention Of course, various modifications are possible by those who have the knowledge of.

상기의 설명에서와 같이, 본 발명에 의한 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템에 의하면, 플라즈마 소스로부터 추출한 이온 빔을 서로 절연된 분할영역에 입사시켜 각 영역으로 유도되는 전류를 측정함으로써 이온 빔 전체의 플럭스 뿐만 아니라, 이온 빔의 균일성도 동시에 측정 가능하기 때문에 이온주입설비의 성능을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the Faraday system for measuring the current of the ion beam according to the present invention, the ion beam extracted from the plasma source is incident on the divided regions insulated from each other to measure the current induced in each region, so that the entire ion beam is measured. In addition to the flux of, the uniformity of the ion beam can be measured simultaneously, thus improving the performance of the ion implantation equipment.

Claims (5)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 플라즈마로부터 이온 빔을 추출하는 소스;A source for extracting an ion beam from the plasma; 상기 추출된 이온 빔을 분할하기 위해 복수의 영역으로 분할된 이온 빔 분할기; 및An ion beam splitter divided into a plurality of regions for dividing the extracted ion beam; And 상기 복수의 분할영역으로 유도되는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하며;A current meter for measuring current induced in the plurality of partitions; 상기 복수의 분할영역은 동심원에 의해 분할된 링형상의 구조로 서로 조립되어 이온 빔의 전류량을 측정하는 패러데이 컵을 형성하는 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템.The plurality of divided regions are assembled in a ring-shaped structure divided by concentric circles to each other to form a Faraday cup for measuring the current amount of the ion beam Faraday system for measuring the current of the ion beam. 플라즈마로부터 이온 빔을 추출하는 소스;A source for extracting an ion beam from the plasma; 상기 추출된 이온 빔을 분할하기 위해 복수의 영역으로 분할된 이온 빔 분할기; 및An ion beam splitter divided into a plurality of regions for dividing the extracted ion beam; And 상기 복수의 분할영역으로 유도되는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하며;A current meter for measuring current induced in the plurality of partitions; 상기 복수의 분할영역은 반경방향 일정각도로 분할된 방사상의 구조로 서로 조립되어 이온 빔의 전류량을 측정하는 패러데이 컵을 형성하는 이온 빔의 전류측정을 위한 패러데이 시스템.The plurality of partitions are Faraday system for measuring the current of the ion beam to form a Faraday cup is assembled with each other in a radial structure divided by a constant radial angle to measure the current amount of the ion beam.
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