KR100737451B1 - Chuck for wafer testing apparatus - Google Patents

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백동석
주재철
편희수
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Abstract

A chuck for a wafer test apparatus is provided to support the lower surface of a wafer by using frictional force of a frictional support member installed on an upper surface of a first plate. A chuck includes a first plate(41) in which a wafer is mounted on an upper surface of the first plate, and at least one frictional support member(44) installed on the upper surface of the first plate for preventing rolling of the wafer and having a given frictional coefficient. The first plate and the frictional support member are made of conductive material for flow of current. The frictional support member is an O-ring extended in a radial direction of the first plate, and the first plate is provided with an engaging groove having a shape corresponding to the frictional support member.

Description

웨이퍼 검사장치용 척{CHUCK FOR WAFER TESTING APPARATUS}CHUCK FOR WAFER TESTING APPARATUS}

도 1은 본 발명에 따른 척이 적용된 웨이퍼 검사장치를 나타낸 것이다.1 shows a wafer inspection apparatus to which a chuck according to the present invention is applied.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치용 척을 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a chuck for a wafer inspection apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치용 척의 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view of a chuck for a wafer inspection apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치용 척의 상면을 나타낸 평면도이다. 4 is a plan view showing a top surface of the chuck for a wafer inspection apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 진공챔버, 11: 이송장치,10: vacuum chamber, 11: feeder,

12: 반송장치, 20: 빔조사장치,12: conveying apparatus, 20: beam irradiation apparatus,

40: 척, 41: 제1플레이트,40: chuck, 41: first plate,

42: 제2플레이트, 43: 제3플레이트,42: second plate, 43: third plate,

44: 마찰지지부재, 45: 결합홈,44: friction support member, 45: coupling groove,

47: 제1결합안내핀, 48: 제2결합안내핀,47: the first coupling guide pin, 48: the second coupling guide pin,

60: 높이조절장치, 70: 결합스프링,60: height adjustment device, 70: coupling spring,

본 발명은 웨이퍼 검사장치용 척에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 결함이나 이상유무 검사를 수행할 때 웨이퍼를 지지하는 척에 관한 것이다.The present invention relates to a chuck for a wafer inspection apparatus, and more particularly, to a chuck supporting a wafer when inspecting a wafer for defects or abnormalities.

반도체 웨이퍼의 제조 및 검사공정에서 웨이퍼를 고정하는 척(Chuck)으로는 진공 흡착방식의 진공 척(Vacuum Chuck), 복수의 클램프들을 이용하는 기계식 척(Mechanical Chuck), 정전기력을 이용하는 정전척(Electrostatic chuck: ESC) 등이 알려져 있다. In the manufacturing and inspection process of semiconductor wafers, a chuck that holds a wafer is a vacuum chuck, a vacuum chuck, a mechanical chuck using a plurality of clamps, and an electrostatic chuck using an electrostatic force. ESC) and the like are known.

그러나 하전입자빔(Charged Particle Beam)을 이용하여 웨이퍼의 결함유무 등을 검사하는 장치에서는 검사환경을 진공으로 유지해야 하기 때문에 진공흡착방식으로 웨이퍼를 고정하는 진공척의 경우 사용하기 어려운 문제가 있었다. 또 정전척의 경우는 웨이퍼를 고정하는 척에서 전기장이나 자기장이 생기기 때문에 사용하기 어려운 문제가 있었다. 즉 정전척에서 생기는 전기장이나 자기장이 하전입자빔을 굴절시켜 검사결과의 오류를 야기할 수 있기 때문에 하전입자빔을 이용하는 검사장치에서 사용이 어려웠다. 또 기계식으로 웨이퍼를 고정하는 척의 경우는 클램프로 웨이퍼를 직접 결속하는 구조이기 때문에 고정이 안정적이긴 하지만 파티클에 의해 웨이퍼가 오염될 수 있었고, 클램프와 웨이퍼가 접촉하기 때문에 웨이퍼가 클램프에 의해 손상될 수 있는 문제가 있었다. However, in the apparatus for inspecting wafer defects or the like using charged particle beams, it is difficult to use a vacuum chuck to fix the wafer by vacuum adsorption because the inspection environment must be maintained in a vacuum. In addition, in the case of the electrostatic chuck, there is a problem that it is difficult to use because an electric field or a magnetic field is generated in the chuck fixing the wafer. In other words, since the electric field or the magnetic field generated by the electrostatic chuck can be refracted by the charged particle beam may cause an error of the test result, it is difficult to use in the inspection apparatus using the charged particle beam. In the case of mechanically fixing the wafer, the clamp is directly bonded to the wafer, so the fixing is stable, but the wafer may be contaminated by particles, and the wafer may be damaged by the clamp because the clamp and the wafer contact each other. There was a problem.

본 발명은 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 흔들림 없이 안정적으로 지지할 수 있으면서도 웨이퍼의 오염이나 파손을 방지할 수 있도록 하는 웨이퍼 검사장치용 척을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a chuck for a wafer inspection apparatus that can stably support a wafer without shaking and prevent contamination or breakage of the wafer.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼를 흐르는 전류의 측정을 통해 웨이퍼에 형성 되는 컨택트 홀의 개방상태 등을 보다 명확히 판단할 수 있도록 하는 웨이퍼 검사장치용 척을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chuck for a wafer inspection apparatus that can more clearly determine the open state and the like of a contact hole formed in a wafer by measuring a current flowing through the wafer.

본 발명의 또 다른 목적은 척의 높이나 수평상태를 용이하게 조절할 수 있도록 하는 웨이퍼 검사장치용 척을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a chuck for a wafer inspection apparatus that can easily adjust the height or horizontal state of the chuck.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼의 검사를 위해 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 검사장치용 척에 있어서, 상기 웨이퍼가 탑재되는 상면을 갖춘 제1플레이트와, 상기 웨이퍼의 흔들림방지를 위해 상기 제1플레이트 상면에 설치되며 소정의 마찰계수를 가진 하나이상의 마찰지지부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chuck for a wafer inspection apparatus for supporting a wafer for inspecting a wafer, the first plate having an upper surface on which the wafer is mounted, and the first plate for preventing shaking of the wafer. It is installed on the upper surface and characterized in that it comprises at least one friction support member having a predetermined coefficient of friction.

또한 상기 제1플레이트와 상기 마찰지지부재는 전류의 흐름이 가능한 전도성 재질인 것을 특징으로 한다.In addition, the first plate and the friction support member is characterized in that the conductive material capable of the flow of current.

또한 상기 마찰지지부재는 상기 제1플레이트 상면에 복수개가 상호 등 간격을 이루도록 방사형으로 배치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the friction support member is characterized in that the plurality of radially arranged on the upper surface of the first plate at equal intervals.

또한 상기 마찰지지부재는 상기 제1플레이트의 반경방향으로 길이가 긴 오링(O-ring)형태이고, 상기 제1플레이트의 상면에는 상기 마찰지지부재의 결합을 위해 상기 마찰지지부재와 대응하는 형상의 결합홈이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the friction support member has a long O-ring shape in the radial direction of the first plate, the upper surface of the first plate of the shape corresponding to the friction support member for coupling the friction support member It is characterized in that the coupling groove is formed.

또한 상기 제1플레이트에는 상기 마찰지지부재가 120도 간격으로 3개 설치된 것을 특징으로 한다.In addition, the first plate is characterized in that the three friction support members are installed at intervals of 120 degrees.

또한 본 발명은 상기 제1플레이트의 지지를 위해 상기 제1플레이트 하부에 설치되며 비전도성 재질로 된 제2플레이트와, 상기 제2플레이트의 하부에 결합되며 척을 이송시키는 이송장치의 상부에 고정되는 제3플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is installed in the lower portion of the first plate for the support of the first plate and the non-conductive material is coupled to the lower portion of the second plate and fixed to the upper of the transfer device for conveying the chuck It further comprises a third plate.

또한 본 발명은 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트의 정확한 결합안내를 위해 상기 제1 및 제2플레이트 중 적어도 하나에 설치된 제1결합안내핀과, 상기 제2플레이트와 상기 제3플레이트의 정확한 결합안내를 위한 제2결합안내핀을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the present invention is the first coupling guide pin installed on at least one of the first and second plates for the accurate coupling guide of the first plate and the second plate, and the precise coupling of the second plate and the third plate. It further comprises a second coupling guide pin for guidance.

또한 본 발명은 상기 제1플레이트의 높이 및 수평조절을 위해 상기 제2플레이트에 설치된 복수의 높이조절장치와, 상기 제1플레이트의 유동방지를 위해 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트 사이에 설치된 복수의 결합스프링을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the present invention is a plurality of height adjustment device installed on the second plate for height and horizontal adjustment of the first plate, and a plurality of installed between the first plate and the second plate to prevent the flow of the first plate It characterized in that it comprises a coupling spring.

또한 상기 높이조절장치는 상기 제1플레이트의 하면을 지지하는 형태로 상기 제2플레이트의 3개소에 상호 등 간격으로 설치되며, 미세한 상하 높이의 조절이 가능한 마이크로미터인 것을 특징으로 한다.In addition, the height adjusting device is installed in three places of the second plate in the form of supporting the lower surface of the first plate at equal intervals, characterized in that the micrometer capable of fine adjustment of the vertical height.

또한 상기 결합스프링은 상기 높이조절장치와 근접 위치에 설치되며 상기 제1플레이트를 상기 제2플레이트 쪽으로 당겨 주는 것을 특징으로 한다.In addition, the coupling spring is installed in a position close to the height adjustment device is characterized in that for pulling the first plate toward the second plate.

또한 상기 제1 및 제2플레이트에는 파티클의 배출을 위한 복수의 통공이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the first and second plates are characterized in that a plurality of through-holes for the discharge of the particles are formed.

이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 척이 적용되는 웨이퍼 검사장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 진공상태로 유지되는 진공챔버(10), 진공챔버(10) 내에 설치되며 그 상면에 검사를 위한 웨이퍼(W)가 탑재되는 척(40), 척(40)에 탑재된 웨이퍼(W)에 하전입자빔(이하 "전자빔"이라 함)을 조사할 수 있도록 진공챔버(10)의 상부에 설치된 빔조사장치(20), 웨이퍼(W)가 탑재된 척(40)을 X축 또는 Y축 방향으로 이송시키는 척 이송장치(11), 검사용 웨이퍼(W)를 척(40) 상부로 이동시키는 반송장치(12)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the wafer inspection apparatus to which the chuck according to the present invention is applied is installed in the vacuum chamber 10 and the vacuum chamber 10 maintained in a vacuum state, and a wafer W for inspection is formed on the upper surface thereof. Beam irradiation apparatus 20 installed on top of vacuum chamber 10 so as to irradiate charged particle beams (hereinafter referred to as "electron beams") to the mounted chuck 40 and the wafer W mounted on the chuck 40. , The chuck transfer device 11 for transferring the chuck 40 on which the wafer W is mounted in the X-axis or Y-axis direction, and the transfer device 12 for moving the inspection wafer W to the upper portion of the chuck 40. Include.

빔조사장치(20)는 전자총(21)과, 전자총(21)으로부터 조사되는 전자빔을 웨이퍼(W)의 상면으로 안내하는 집속렌즈(22) 및 대물렌즈(23)와, 대물렌즈(23)의 상측에 설치되어 웨이퍼(W)로 조사되는 전자빔을 제어하는 조사코일(24)을 포함한다. The beam irradiator 20 includes an electron gun 21, a focusing lens 22 and an objective lens 23 for guiding the electron beam irradiated from the electron gun 21 onto the upper surface of the wafer W, and the objective lens 23. It includes an irradiation coil 24 provided on the upper side to control the electron beam irradiated to the wafer (W).

또 빔조사장치(20)는 전자빔의 조사에 의하여 웨이퍼(W)로부터 생기는 반사전자나 이차전자의 검출을 위해 대물렌즈(23)의 상측에 설치된 검출장치(25)를 포함한다. The beam irradiation apparatus 20 further includes a detection device 25 provided on the upper side of the objective lens 23 for detection of reflected electrons or secondary electrons generated from the wafer W by irradiation of the electron beam.

이송장치(11)는 도면에 상세히 도시하지는 않았지만, 웨이퍼(W) 상면에 조사되는 전자빔의 조사위치를 가변시키면서 웨이퍼(W)의 검사를 수행할 수 있도록 웨이퍼(W)가 탑재된 척(40)을 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이동시킨다. Although not shown in detail in the drawings, the transfer apparatus 11 may include a chuck 40 on which the wafer W is mounted so that the inspection of the wafer W may be performed while varying the irradiation position of the electron beam irradiated on the upper surface of the wafer W. Move in the X-axis direction or the Y-axis direction.

이러한 웨이퍼 검사장치는 검출장치(25)에 의해 검출된 신호가 증폭기(26)에 의해 증폭된 후 A/D변환장치(미도시)에 의해 디지털신호로 변환되며 제1데이터기억장치(27)로 공급되어 기억된다. 또 전자빔의 조사에 따른 웨이퍼(W) 상의 전류는 척(40)으로 흐르며, 척(40)으로 흐른 전류는 전류검출장치(28)를 통하여 검출된 후 전류를 전압출력으로 변환하는 증폭기(29) 쪽으로 공급된다. 증폭기(29)의 출력신호는 A/D변환장치(미도시)에 의해 디지털신호로 변환 된 후 제2데이터기억장치(30) 로 공급되어 기억된다. The wafer inspection apparatus is converted into a digital signal by an A / D converter (not shown) after the signal detected by the detection device 25 is amplified by the amplifier 26 and is transferred to the first data storage device 27. It is supplied and remembered. In addition, the current on the wafer W due to the irradiation of the electron beam flows to the chuck 40, and the current flowing to the chuck 40 is detected through the current detector 28, and then the amplifier 29 converts the current into a voltage output. Is supplied to the side. The output signal of the amplifier 29 is converted into a digital signal by an A / D converter (not shown) and then supplied to the second data storage device 30 and stored therein.

제1데이터기억장치(27)와 제2데이터기억장치(30)에 기억된 계측 데이터는 결과처리장치(31)로 공급되어 두 데이터를 근거로 계측결과가 산출되며, 산출된 데이터는 화상처리장치(32)에 의하여 화상으로 표현됨으로써 웨이퍼(W)의 결함상태 등을 판독할 수 있다. 특히 이 웨이퍼 검사장치는 전자빔의 조사에 의하여 웨이퍼(W)에 흐르는 전류를 측정함으로써 웨이퍼(W)에 형성되는 컨택트 홀의 개방상태 등을 보다 명확히 판단할 수 있다.The measurement data stored in the first data storage device 27 and the second data storage device 30 is supplied to the result processing device 31 to calculate a measurement result based on the two data, and the calculated data is an image processing device. The defect state of the wafer W and the like can be read by the image represented by the numeral 32. In particular, the wafer inspection apparatus can more clearly determine the open state or the like of the contact hole formed in the wafer W by measuring the current flowing through the wafer W by irradiation of the electron beam.

이러한 검사를 수행하기 위한 척(40)은 도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같다. The chuck 40 for performing this inspection is as shown in Figs.

척(40)은 웨이퍼(W)가 탑재되는 상면을 갖춘 제1플레이트(41), 제1플레이트(41)의 하부에 설치되어 제1플레이트(41)를 지지하는 제2플레이트(42), 제2플레이트(42)의 하부에 설치되어 제2플레이트(42)를 지지하며 그 하면이 척 이송장치(11)의 상부에 결합되는 제3플레이트(43)를 포함한다. The chuck 40 includes a first plate 41 having an upper surface on which the wafer W is mounted, a second plate 42 disposed below the first plate 41 to support the first plate 41, and a first plate 41. It is installed on the lower portion of the second plate 42 to support the second plate 42 and the lower surface includes a third plate 43 coupled to the upper portion of the chuck transfer device (11).

제1플레이트(41)는 전류의 흐름이 가능한 금속재질로 이루어진다. 그리고 제1플레이트(41)의 상면에는 도 3과 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 흔들림 없이 지지될 수 있도록 마찰계수가 큰 재질로 이루어지는 복수의 마찰지지부재(44)가 설치된다. The first plate 41 is made of a metal material capable of flowing current. 3 and 4, a plurality of friction support members 44 made of a material having a large coefficient of friction is installed on the upper surface of the first plate 41 so that the wafer W can be supported without shaking. .

마찰지지부재(44)는 웨이퍼(W)를 흐르는 전류가 제1플레이트(41) 쪽으로 흐를 수 있도록 은 등의 전도성재질이 포함된 불소고무로 이루어진다. 또 마찰지지부재(44)는 웨이퍼(W)의 하면을 안정적으로 지지할 수 있도록 3개가 120도 간격으로 설치되며, 제1플레이트(41)의 반경방향으로 길이가 긴 오링(O-ring)의 형태로 이루 어진다. 이러한 마찰지지부재(44)의 결합을 위해 제1플레이트(41) 상면에는 마찰지지부재(44)와 대응하는 형상의 결합홈(45)이 형성된다. 결합홈(45)에 마찰지지부재(44)를 설치할 때는 결합홈(45)의 크기를 마찰지지부재(44)보다 약간 크게 형성하여 탄성을 가진 마찰지지부재(44)를 늘려서 끼우는 방식으로 장착함으로써 마찰지지부재(44)의 유동이나 이탈없이 결합될 수 있도록 한다. 또 마찰지지부재(44)는 장착 후 상측이 제1플레이트(41)의 상면으로부터 돌출하는 형태가 되도록 한다. The friction support member 44 is made of fluorine rubber containing a conductive material such as silver so that a current flowing through the wafer W can flow toward the first plate 41. In addition, three friction support members 44 are installed at intervals of 120 degrees so that the lower surface of the wafer W can be stably supported, and the O-rings having a long length in the radial direction of the first plate 41 are provided. In the form of In order to couple the friction support member 44, a coupling groove 45 having a shape corresponding to the friction support member 44 is formed on an upper surface of the first plate 41. When the friction support member 44 is installed in the coupling groove 45, the size of the coupling groove 45 is slightly larger than that of the friction support member 44, so that the friction support member 44 having elasticity is mounted in such a way as to be stretched and fitted. The friction support member 44 can be coupled without flow or departure. In addition, the friction support member 44 is such that the upper side after the mounting to protrude from the upper surface of the first plate (41).

따라서 척(40)에 탑재되는 웨이퍼(W)는 도 2에 도시한 바와 같이, 하면이 3개의 마찰지지부재(44)에 의해 지지되므로 제1플레이트(41)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 지지되고, 마찰지지부재(44)의 마찰력에 의해 흔들림이 방지된다. Therefore, as shown in FIG. 2, the wafer W mounted on the chuck 40 is supported by three friction support members 44 so that the wafer W is slightly spaced apart from the top surface of the first plate 41. In addition, the shaking is prevented by the frictional force of the friction support member 44.

즉 검사과정에서 이송장치(11)의 동작에 의해 척(40)이 X축 또는 Y축 방향으로 이동하더라도 웨이퍼(W)의 흔들림이 생기지 않는다. 또 각 마찰지지부재(44)는 제1플레이트(41)의 반경방향으로 길이가 긴 오링 형태이기 때문에 크기가 작은 200mm 웨이퍼에서부터 크기가 큰 300mm 웨이퍼까지 안정적으로 지지할 수 있다.That is, even if the chuck 40 moves in the X-axis or Y-axis direction by the operation of the transfer device 11 in the inspection process, the wafer W does not shake. In addition, each friction support member 44 has a long O-ring shape in the radial direction of the first plate 41 can be stably supported from a small 200mm wafer to a large 300mm wafer.

여기서 도 2 내지 도 4의 예는 마찰지지부재(44)가 오링형태인 경우를 나타낸 것이나, 마찰지지부재(44)는 이러한 형태로 한정되지 않는다. 마찰지지부재(44)는 제1플레이트(41) 상면에 설치되어 웨이퍼(W)의 하면과 접촉을 통해 마찰력을 부여할 수 있다면 다른 형상도 가능하다. 또 마찰지지부재(44)는 재질이 불소고무로 한정되지 않고 전도성을 가지면서 마찰력을 부여할 수 있는 재질이면 된다.2 to 4 illustrate a case in which the friction support member 44 has an O-ring shape, but the friction support member 44 is not limited to this form. If the friction support member 44 is provided on the upper surface of the first plate 41 to impart a friction force through contact with the lower surface of the wafer W, other shapes are possible. In addition, the friction support member 44 is not limited to the fluorine rubber material may be a material capable of imparting friction while having conductivity.

제2플레이트(42)는 제1플레이트(41) 하부에 설치되어 제1플레이트(41)를 지지함과 동시에 제1플레이트(41)와 제3플레이트(43) 사이를 전기적으로 절연시킨다. The second plate 42 is installed below the first plate 41 to support the first plate 41 and to electrically insulate between the first plate 41 and the third plate 43.

이를 위해 제2플레이트(42)는 수지 등의 비전도성재질로 이루어진다. 제2플레이트(42)에는 도 2와 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흐르는 전류의 검출을 위한 전류검출장치(28)가 설치된다. 이 전류검출장치(28)는 제1플레이트(41)에 삽입 결합되는 프로브(28a)와, 프로브(28a)의 지지를 위해 제2플레이트(42)의 단부에 설치된 프로브 지지장치(28b)를 포함한다. 전류검출장치(28)는 웨이퍼(W)로부터 마찰지지부재(44)를 통하여 제1플레이트(41) 쪽으로 흐른 전류가 프로브(28a)를 통해 증폭기(29, 도 1참조) 쪽으로 흐를 수 있도록 함으로써 웨이퍼(W)의 전류를 감지하여 웨이퍼(W)의 결함유무를 판단할 수 있도록 한다. 프로브 지지장치(28b)는 제2플레이트(42)와 마찬가지로 절연이 가능한 비전도성재질로 이루어진다.To this end, the second plate 42 is made of a non-conductive material such as resin. As shown in FIGS. 2 and 3, the second plate 42 is provided with a current detecting device 28 for detecting current flowing through the wafer W. As shown in FIG. The current detecting device 28 includes a probe 28a inserted into and coupled to the first plate 41 and a probe support device 28b provided at an end of the second plate 42 for supporting the probe 28a. do. The current detecting device 28 allows the current flowing from the wafer W to the first plate 41 through the friction support member 44 to flow through the probe 28a toward the amplifier 29 (see FIG. 1). The current of (W) is sensed to determine whether the wafer (W) is defective. The probe support device 28b is made of a non-conductive material that can be insulated like the second plate 42.

제2플레이트(42)에는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 제1플레이트(41)와 제2플레이트(42) 사이의 정확한 결합 안내하는 제1결합안내핀들(47)과, 제2플레이트(42)와 제3플레이트(43)사이의 결합을 안내하는 제2결합안내핀들(48)이 설치된다. 그리고 제1플레이트(41)에는 제1결합안내핀(47)이 결합되는 제1결합안내공(49)이 형성되고, 제3플레이트(43)에는 제2결합안내핀(48)이 결합되는 제2결합안내공(50)이 형성된다. 이러한 구성은 척(40)의 제조 또는 설치과정에서 각 플레이트들(41,42,43)이 상호 정확하게 결합될 수 있도록 한다.As shown in FIGS. 2 and 3, the second plate 42 includes first coupling guide pins 47 for guiding accurate coupling between the first plate 41 and the second plate 42, and a second plate. Second coupling guide pins 48 for guiding the coupling between the 42 and the third plate 43 are provided. In addition, a first coupling guide hole 49 to which the first coupling guide pin 47 is coupled is formed in the first plate 41, and a second coupling guide pin 48 is coupled to the third plate 43. Two coupling guide hole 50 is formed. This configuration allows the plates 41, 42, 43 to be accurately coupled to each other during the manufacture or installation of the chuck 40.

제2플레이트(42)에는 제1플레이트(41)의 하면을 지지함과 동시에 제1플레이트(41)의 높이 및 수평조절을 위한 복수의 높이조절장치들(60)이 설치되고, 높이조절장치들(60)과 근접한 위치의 제1플레이트(41)와 제2플레이트(42) 사이에는 제1플레이트(41)의 유동방지를 위한 복수의 결합스프링들(70)이 설치된다.The second plate 42 supports a lower surface of the first plate 41 and is provided with a plurality of height adjusting devices 60 for height and horizontal adjustment of the first plate 41, and height adjusting devices. A plurality of coupling springs 70 are provided between the first plate 41 and the second plate 42 in a position close to the 60 to prevent the flow of the first plate 41.

높이조절장치(60)는 도 2에 도시한 바와 같이, 상단의 지지부(61)가 제1플레이트(41)의 하면을 지지하는 형태로 제2플레이트(42)의 3개소에 상호 등 간격(120도 간격)을 이루도록 설치된다. 높이조절장치(60)는 제2플레이트(42)의 하부 쪽에 위치하는 조절손잡이(62)를 사용자가 회전시킴으로써 제2플레이트(42)의 상부에 위치하는 지지부(61)의 높이가 미세하게 가변되는 마이크로미터로 이루어진다.  As shown in FIG. 2, the height adjusting device 60 has a support portion 61 at the upper end supporting the lower surface of the first plate 41. Installed at intervals). The height adjustment device 60 is a height of the support 61 positioned on the upper portion of the second plate 42 by the user rotates the adjustment knob 62 located on the lower side of the second plate 42 is finely changed Consists of micrometers.

이러한 높이조절장치(60)는 통상의 마이크로미터 헤드부분을 채용한 것으로 조절손잡이(62)를 회전시킬 때 지지부(61)의 높이가 미세하게 변하도록 함으로써 제1플레이트(41) 상면의 높이 및 수평을 용이하게 조절할 수 있도록 한 것이다. 이러한 높이조절장치(60)는 위와 같은 구성에 한정되지 않고, 제2플레이트(42)에 나사방식으로 직접 체결됨으로써 조이거나 풀어 주는 동작에 의해 그 높이가 조절되는 통상의 조절볼트로 이루어질 수도 있다.The height adjusting device 60 employs a conventional micrometer head portion, so that the height of the support 61 changes slightly when the adjustment knob 62 is rotated so that the height and horizontality of the upper surface of the first plate 41 are increased. It is to be able to easily adjust. The height adjustment device 60 is not limited to the above configuration, it may be made of a conventional adjustment bolt that is adjusted in height by the fastening or loosening operation by fastening directly to the second plate 42 by a screw method.

결합스프링들(70)은 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2플레이트(41,42)를 관통하는 형태로 설치되는 인장스프링으로 이루어지며, 상단이 제1플레이트(41)에 결합된 제1지지핀(71)에 결합되고 하단이 제2플레이트(42)에 결합된 제2지지핀(72)에 결합된다. 이는 결합스프링들(70)이 제1플레이트(41)를 제2플레이트(42) 쪽으로 당겨 줌으로써 제1플레이트(41)의 하면이 높이조절장치(60)의 지지부(61) 상단에 유동없이 밀착상태로 지지될 수 있게 한 것이다. 또 높이조절장치(60)의 조작을 통해 제1플레이트(41)의 높이를 조절할 때는 결합스프링(70)이 신장되거나 수축하도록 한 것이다.As shown in FIG. 2, the coupling springs 70 are formed of tension springs installed to penetrate the first and second plates 41 and 42, and the upper ends of the coupling springs 70 are coupled to the first plate 41. It is coupled to the first support pin 71 and the lower end is coupled to the second support pin 72 coupled to the second plate 42. This is because the coupling springs 70 pull the first plate 41 toward the second plate 42 so that the lower surface of the first plate 41 is in close contact with the upper end of the support 61 of the height adjusting device 60 without flow. To be supported. In addition, when adjusting the height of the first plate 41 through the operation of the height adjustment device 60 is to make the coupling spring 70 extend or contract.

제2플레이트(42)와 제3플레이트(43)는 도 2에 도시한 바와 같이, 고정볼트 (52)의 체결을 통해 상호 움직임 없이 고정되고, 제3플레이트(43)는 이송장치(11)의 상부에 고정볼트(53) 체결을 통해 움직임 없이 고정된다. As shown in FIG. 2, the second plate 42 and the third plate 43 are fixed without mutual movement through the fastening of the fixing bolts 52, and the third plate 43 of the transfer device 11 is fixed. The fixing bolt 53 is fixed to the top without movement.

또 제1 내지 제3플레이트(41,42,43)에는 도 3에 도시한 바와 같이, 파티클 등의 배출을 위해 다수의 통공(54,55)이 형성되고, 제1플레이트(41)의 상면에는 웨이퍼(W)를 탑재시키는 반송장치(12)의 동작을 위해 상면으로부터 소정깊이 함몰된 함몰부(56)가 형성된다.In addition, as illustrated in FIG. 3, a plurality of through holes 54 and 55 are formed in the first to third plates 41, 42, and 43, and the upper surface of the first plate 41 is formed on the first and third plates 41, 42, and 43. In order to operate the conveying apparatus 12 on which the wafer W is mounted, a depression 56 recessed from the upper surface by a predetermined depth is formed.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 검사장치용 척은 제1플레이트 상면에 설치된 마찰지지부재의 마찰력을 이용하여 웨이퍼의 하면을 미끌림 없이 지지하기 때문에 별도의 결속장치가 없이도 진공챔버 내에서 웨이퍼를 흔들림 없이 안정적으로 지지할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the wafer inspection apparatus chuck according to the present invention supports the lower surface of the wafer without slipping by using the frictional force of the friction support member installed on the upper surface of the first plate, so that it does not need a separate binding device in the vacuum chamber. The wafer can be stably supported without shaking.

또 본 발명은 척의 상면에 웨이퍼를 탑재할 때 반송장치가 척 상부에 웨이퍼를 올려 주기만 하면 되므로 척 상부에 웨이퍼를 손쉽게 탑재시킬 수 있는 효과가 있으며, 웨이퍼를 결속하지 않기 때문에 웨이퍼의 파손이나 오염을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect that the wafer can be easily mounted on the upper part of the chuck when the wafer is mounted on the upper surface of the chuck when the wafer is mounted on the upper surface of the chuck. There is an effect that can be prevented.

또 본 발명은 웨이퍼의 하면을 지지하는 마찰지지부재가 전도성재질이기 때문에 웨이퍼를 흐르는 전류의 측정을 통하여 웨이퍼에 형성된 컨택트 홀의 개방상태 등을 보다 명확히 판단할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the friction support member supporting the lower surface of the wafer is a conductive material, it is possible to more clearly determine the open state of the contact hole formed in the wafer through measurement of the current flowing through the wafer.

또 본 발명은 제2플레이트가 비전도성재질이기 때문에 제1플레이트와 제3플레이트를 확실히 절연시킬 수 있어 제1플레이트 쪽으로 흐르는 전류의 측정을 통해 웨이퍼의 결함유무 판단하는 검사를 더욱 정확히 할 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, since the second plate is a non-conductive material, the first plate and the third plate can be insulated reliably, and thus the effect of more accurately inspecting wafer defects by measuring the current flowing toward the first plate can be more accurately performed. There is.

또 본 발명은 높이조절장치들을 통해 제1플레이트의 높이 및 수평을 손쉽게 조절할 수 있으며, 제1플레이트의 높이를 미세하게 조절할 수 있기 때문에 척의 세팅작업을 용이하게 수행할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention can easily adjust the height and horizontality of the first plate through the height adjustment device, it is possible to easily adjust the height of the first plate has an effect that can easily perform the setting work of the chuck.

또한 본 발명은 제1 내지 제3플레이트가 제1 및 제2결합안내핀들에 의해 결합이 안내되기 때문에 척을 제조하거나 추후 장착하는 과정에서 각 플레이트 간의 결합을 정확하게 수행할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect that the coupling between each plate in the process of manufacturing or later mounting the chuck because the first to third plate is guided by the first and second coupling guide pins.

Claims (11)

삭제delete 웨이퍼의 검사를 위해 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 검사장치용 척에 있어서,A chuck for a wafer inspection apparatus for supporting a wafer for inspection of a wafer, 상기 웨이퍼가 탑재되는 상면을 갖춘 제1플레이트와, 상기 웨이퍼의 흔들림방지를 위해 상기 제1플레이트 상면에 설치되며 소정의 마찰계수를 가진 하나이상의 마찰지지부재를 포함하고,A first plate having an upper surface on which the wafer is mounted, and at least one friction support member installed on an upper surface of the first plate to prevent shaking of the wafer, and having a predetermined coefficient of friction; 상기 제1플레이트와 상기 마찰지지부재는 전류의 흐름이 가능한 전도성 재질인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.The first plate and the friction support member is a chuck for a wafer inspection apparatus, characterized in that the conductive material capable of flowing current. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 마찰지지부재는 상기 제1플레이트 상면에 복수개가 상호 등 간격을 이루도록 방사형으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.The friction support member is a chuck for a wafer inspection apparatus, characterized in that the plurality of radially arranged on the upper surface of the first plate at equal intervals. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 마찰지지부재는 상기 제1플레이트의 반경방향으로 길이가 긴 오링(O-ring)형태이고, 상기 제1플레이트의 상면에는 상기 마찰지지부재의 결합을 위해 상기 마찰지지부재와 대응하는 형상의 결합홈이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.The friction support member has an O-ring shape that is long in the radial direction of the first plate, and an upper surface of the first plate has a shape corresponding to the friction support member for coupling the friction support member. Chuck for wafer inspection apparatus, characterized in that the groove is formed. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1플레이트 상면에는 상기 마찰지지부재가 120도 간격으로 3개 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.Chuck for the wafer inspection apparatus, characterized in that three friction support members are provided on the first plate upper surface at intervals of 120 degrees. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1플레이트의 지지를 위해 상기 제1플레이트 하부에 설치되며 비전도성 재질로 된 제2플레이트와, 상기 제2플레이트의 하부에 결합되며 척을 이송시키는 이송장치의 상부에 고정되는 제3플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.A second plate installed below the first plate and supported by the first plate and made of a non-conductive material, and a third plate coupled to the bottom of the second plate and fixed to an upper portion of the transfer device for transferring the chuck. Chuck for wafer inspection apparatus further comprising. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1플레이트와 상기 제2플레이트의 정확한 결합안내를 위해 상기 제1 및 제2플레이트 중 적어도 하나에 설치된 제1결합안내핀과, 상기 제2플레이트와 상기 제3플레이트의 정확한 결합안내를 위한 제2결합안내핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.A first coupling guide pin installed on at least one of the first and second plates for accurate coupling guide of the first plate and the second plate, and a first guide for accurate coupling of the second plate and the third plate; Chuck for wafer inspection device further comprises a coupling guide pin. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1플레이트의 높이 및 수평조절을 위해 상기 제2플레이트에 설치된 복수의 높이조절장치와, 상기 제1플레이트의 유동방지를 위해 상기 제1플레이트와 상 기 제2플레이트 사이에 설치된 복수의 결합스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.A plurality of height adjusting devices installed on the second plate for height and horizontal adjustment of the first plate, and a plurality of coupling springs installed between the first plate and the second plate to prevent flow of the first plate. Chuck for wafer inspection apparatus comprising a. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 높이조절장치는 상기 제1플레이트의 하면을 지지하는 형태로 상기 제2플레이트의 3개소에 상호 등 간격으로 설치되며, 미세한 상하 높이의 조절이 가능한 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.The height adjusting device is a chuck for a wafer inspection device, which is installed at three places of the second plate at equal intervals to support the lower surface of the first plate, and is a micrometer capable of adjusting fine vertical height. . 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 결합스프링은 상기 높이조절장치와 근접 위치에 설치되며 상기 제1플레이트를 상기 제2플레이트 쪽으로 당겨 주는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.The coupling spring is installed in close proximity to the height adjustment device for the wafer inspection device, characterized in that for pulling the first plate toward the second plate. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1 및 제2플레이트에는 파티클의 배출을 위한 복수의 통공이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사장치용 척.The first and second plate chuck for a wafer inspection device, characterized in that a plurality of through-holes for the discharge of the particles are formed.
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