KR100735601B1 - semiconductor wafer washing system and wafer drying method - Google Patents

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KR100735601B1 KR1020010017288A KR20010017288A KR100735601B1 KR 100735601 B1 KR100735601 B1 KR 100735601B1 KR 1020010017288 A KR1020010017288 A KR 1020010017288A KR 20010017288 A KR20010017288 A KR 20010017288A KR 100735601 B1 KR100735601 B1 KR 100735601B1
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Abstract

본 발명은 초순수조에서 건조부로 이송되는 과정에서 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있도록 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 웨이퍼 건조방법에 관한 것으로서, 이에 대한 구성은, 소정 케미컬을 각각 수용하여 배치되는 복수의 세척조와; 초순수를 수용하며 상기 세척조에 연이어 배치되는 초순수조와; 상기 각 세척조와 초순수조에 대하여 복수의 웨이퍼를 이송하는 로봇장치와; 상기 초순수조를 거쳐 이송되는 복수의 웨이퍼에 대하여 치환액을 분무하여 치환 반응으로 건조시키도록 하는 건조부와; 상기 초순수조에서 건조부로 이송되는 복수의 웨이퍼에 대하여 수증기 상태의 분위기를 형성토록 하는 초순수 분무장치가 설치됨을 특징으로 한다. 상기 초순수 분무장치를 이용하여 초순수조에서 건조부로 이송되는 웨이퍼에 대하여 수증기 상태의 초순수를 공급함으로써, 웨이퍼 상에 잔존하는 초순수의 자연 건조가 방지되고, 또 수증기 상태의 초순수에 의해 세정시스템 내에 유동하는 파티클이 웨이퍼로 근접하는 것을 차단하여 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있게 된다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning system and a wafer drying method that can prevent the wafer from being contaminated during the transfer from the ultrapure water tank to the drying unit, and the configuration thereof includes a plurality of cleaning tanks arranged to accommodate predetermined chemicals, respectively. Wow; An ultrapure water tank accommodating ultrapure water and disposed successively to the washing tank; A robot device for transferring a plurality of wafers to each of the washing tanks and the ultrapure water tanks; A drying unit spraying a substitution liquid on the plurality of wafers transferred through the ultrapure water tank and drying the substitution solution; An ultrapure water spray device is installed to form an atmosphere of a water vapor state with respect to the plurality of wafers transferred from the ultrapure water tank to the drying unit. By supplying ultra-pure water in the vapor state to the wafer transferred from the ultrapure water tank to the drying unit using the ultrapure water spray device, natural drying of the ultrapure water remaining on the wafer is prevented, and the ultrapure water in the vapor state flows into the cleaning system by the ultrapure water. By blocking particles from adhering to the wafer, it is possible to prevent contamination of the wafer.

세정시스템, 세척조, 건조부, 치환, IPACleaning system, cleaning tank, drying unit, replacement, IPA

Description

반도체 웨이퍼 세정시스템 및 웨이퍼 건조방법{semiconductor wafer washing system and wafer drying method} Semiconductor wafer cleaning system and wafer drying method             

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템의 구성 및 이들 구성의 배치 관계를 개략적으로 나타낸 개념도이다.1 is a conceptual diagram schematically showing the configuration of a semiconductor wafer cleaning system according to the prior art and the arrangement relationship of these configurations.

도 2는 도 1에 도시된 세정시스템의 각 구성에 따른 구동 관계를 나타낸 흐름도이다.FIG. 2 is a flowchart showing a drive relationship according to each configuration of the cleaning system shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 세정시스템의 각 구성 중 초순수조와 건조부 사이의 웨이퍼 이송관계를 개략적으로 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view schematically showing a wafer transfer relationship between an ultrapure water tank and a drying unit among the components of the cleaning system illustrated in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 초순수조와 건조부 사이의 웨이퍼 이송관계를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *4 is a perspective view schematically showing a wafer transfer relationship between an ultrapure water tank and a drying unit according to an embodiment of the present invention.
Explanation of symbols on the main parts of the drawings

삭제delete

10: 로딩부 12: 정렬부10: loading section 12: alignment section

14: 트랜스퍼 16: 제 1 트랜스부14: transfer 16: first transformer

18: 로봇장치 20: 대기부18: robot apparatus 20: waiting part

22, 32: 세척조 24: 건조부 22, 32: washing tank 24: drying unit                 

26: 제 2 트랜스부 28, 30: 세정액 공급부26: 2nd transformer part 28, 30: washing | cleaning liquid supply part

29, 36: 배출부 34: 순환부29, 36: discharge part 34: circulation part

38: 케미컬 탱크 40: 필터38: chemical tank 40: filter

42: 유량계 44: 정량공급부42: flow meter 44: metering unit

46: 정량조 48: 레벨센서46: metering tank 48: level sensor

50: 커버 52: 퍼지가스 공급관50: cover 52: purge gas supply pipe

54: 펌프 56: 제 1 유도배출관54: pump 56: first induction discharge pipe

58: 제 2 유도배출관 60: 열교환기58: second induction discharge pipe 60: heat exchanger

62: 압력게이지 64: 체크밸브62: pressure gauge 64: check valve

66: 드레인베스 70: 저장부66: drain bath 70: storage unit

72: 저장조
72: reservoir

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 세정액 공급방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 초순수조에서 건조부로 이송되는 과정에서 웨이퍼가 오염되는 것을 방지하도록 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 웨이퍼 건조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning system and a cleaning solution supply method thereof, and more particularly, to a semiconductor wafer cleaning system and a wafer drying method for preventing a wafer from being contaminated during transfer from an ultrapure water tank to a drying unit.

일반적으로 반도체장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 금속증착, 세정등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하여 적어도 하나 이상의 회로패턴층을 형성함으로써 제조되어진다.
한편, 상기 세정공정은 웨이퍼 상에 회로패턴층을 형성하기 위한 사진 또는 식각공정을 실시하는 과정에서, 충분히 제거되지 않은 불필요한 공정층과 공정 과정에서 생성되는 폴리머를 포함한 불순물 및 각종 형태의 파티클 등이 다음 공정에서의 공정 불량의 요인으로 작용하는 것을 방지하도록, 이들을 제거하는 공정을 말한다.In general, semiconductor devices are manufactured by selectively and repeatedly performing processes such as photographing, etching, diffusion, metal deposition, and cleaning on a wafer to form at least one circuit pattern layer.
On the other hand, the cleaning process in the process of performing a photo or etching process for forming a circuit pattern layer on the wafer, the unnecessary process layer that is not sufficiently removed, impurities including polymers produced in the process and various types of particles, etc. The process of removing these is said to prevent it from acting as a factor of process failure in a next process.

삭제delete

이러한 세정공정에 사용되는 세정액은 적어도 하나 이상의 케미컬이 웨이퍼의 종류 및 공정상태 등의 세정 조건을 제시함에 대응하여 그 농도와 양 및 온도 상태 등의 조건이 매우 정확하게 형성 유지될 것이 요구되고, 이 요구에 따라 세정시스템에는 세정액의 농도 등의 상태를 광센서 등을 포함한 각종 센싱장치를 이용하여 약품성 또는 탈이온수의 양 및 온도 등의 조건을 제어할 수 있도록 구성된다.The cleaning liquid used in such a cleaning process requires that at least one or more chemicals form cleaning conditions such as the type and process state of the wafer so that the conditions such as concentration, quantity and temperature state are formed and maintained very accurately. Accordingly, the cleaning system is configured to control the conditions such as the chemical properties or the amount and temperature of deionized water by using various sensing devices including optical sensors and the like for the concentration of the cleaning liquid.

이렇게 세정공정을 수행하는 반도체 웨이퍼 세정시스템의 종래 기술 구성은, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 복수개 웨이퍼(W)가 카세트(K)에 수용된 상태로 이송 위치되어(ST10) 로딩부(10)에 순차적으로 로딩하게 된다(ST12).In the prior art configuration of the semiconductor wafer cleaning system which performs the cleaning process as described above, as shown in FIG. 1 or FIG. 2, first, the plurality of wafers W are transported and placed in the cassette K (ST10). 10 is loaded sequentially (ST12).

이후 카세트(K)를 포함한 웨이퍼(W)는 계속해서 정렬부(12)로 이송되고, 이 정렬부(12)에서 웨이퍼(W)는 카세트(K)에 수용된 상태를 유지하며 웨이퍼(W)의 플랫존(도면의 단순화를 위하여 생략함)을 기준하여 정렬되며(ST14), 이어 웨이퍼(W)를 포함한 카세트(K)는 트랜스퍼(14)에 의해 제 1 트랜스부(16)로 이송된다(ST16).Thereafter, the wafer W including the cassette K is continuously transferred to the alignment unit 12, in which the wafer W is held in the cassette K and the wafer W is kept in the wafer W. As shown in FIG. Aligned with respect to the flat zone (omitted for simplification of the drawing) (ST14), and then the cassette K including the wafer W is transferred to the first transformer section 16 by the transfer 14 (ST16). ).

이때, 상기 제 1 트랜스부(16)는 위치되는 웨이퍼(W)의 개수를 확인하게 되고(ST18), 동시에 카세트(K)로부터 웨이퍼(W)를 분리시켜(ST20) 그 상측에 대기하는 로봇척을 갖는 로봇장치(18)에 웨이퍼(W)를 인계하게 된다(ST22).At this time, the first transformer 16 checks the number of wafers W positioned (ST18), and simultaneously separates the wafers W from the cassette K (ST20) and waits on the robot chuck. The wafer W is turned over to the robot device 18 having the upper surface (ST22).

그리고, 상기 카세트(K)는 다시 트랜스퍼(14)에 인계되어 대기부(20)로 이송되어 소정시간 대기한 후 후술하는 제 2 트랜스부(26)에 위치하게 되고(ST24)(ST26), 상기 로봇장치(18)에 인계된 웨이퍼(W)는 로봇장치(18)의 구동에 따라 복수개가 인라인 배열된 세척조(22)에 순차적으로 이송되어 그 내부에 수용된 세정액에 투입되는 과정을 거치게 된다(ST28).Then, the cassette K is again transferred to the transfer unit 14 and transferred to the standby unit 20, and waits for a predetermined time, and is then positioned in the second transformer unit 26 to be described later (ST24) (ST26). The wafers W transferred to the robot device 18 are sequentially transferred to the cleaning tank 22 in which a plurality of the wafers W are inlined according to the driving of the robot device 18 and then put into the cleaning liquid housed therein (ST28). ).

이렇게 웨이퍼(W)가 세정액에 투입되는 과정에서 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 각종 불순물은 세정액에 의한 화학반응으로 제거되고, 이후 웨이퍼(W)는 세척조(22)에 연이어 설치되는 초순수조(23)에서 다시 세정액을 제거하게 되며, 로봇장치에 의해 계속적으로 이송되어 건조부(24)를 통과하는 과정에서 건조된다(ST30).Thus, various impurities remaining on the wafer W in the process of inputting the wafer W to the cleaning liquid are removed by a chemical reaction by the cleaning liquid, and the wafer W is subsequently installed in the cleaning tank 22 in an ultrapure water tank 23. ) Again to remove the cleaning liquid, it is continuously transported by the robot device is dried in the process of passing through the drying unit 24 (ST30).

이러한 건조부(24)는 상술한 초순수조(23)를 통과함에 따른 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 초순수를 치환액(IPA)과 치환 반응토록 하여 제거하게 된다.The drying unit 24 removes the ultrapure water remaining on the wafer W as it passes through the ultrapure water tank 23 described above so as to perform a substitution reaction with the substitution solution IPA.

이러한 과정 이후 웨이퍼(W)는 로봇장치의 구동에 의해 제 2 트랜스부(26)로 이송되며, 제 2 트랜스부(26)는 다시 웨이퍼(W)를 정렬시킴과 동시에 제 1 트랜스부(16)에서 확인된 웨이퍼(W) 개수와 세정 과정을 마친 웨이퍼(W) 개수가 일치하는지 여부를 확인하게 된다(ST32).After this process, the wafer W is transferred to the second transformer 26 by the driving of the robot device, and the second transformer 26 aligns the wafer W again and at the same time, the first transformer 16. It is checked whether the number of wafers W and the number of wafers W that have been cleaned coincide with each other (ST32).

또한, 상기 제 2 트랜스부(26)에서는 상술한 대기부(20)로부터 먼저 이송 위치된 카세트(K)에 웨이퍼(W)를 합체시키게 되고(ST34), 이렇게 합체된 상태의 웨이퍼(W)와 카세트(K)는 계속해서 언로딩되어 다음 공정 위치로 이송되는 과정을 거치게 된다(ST36).In addition, in the second transformer unit 26, the wafer W is coalesced into the cassette K first transferred from the standby unit 20 (ST34). The cassette K continues to be unloaded and passed to the next process position (ST36).

따라서, 상술한 세정시스템의 각 구성은, 계속적으로 위치되는 웨이퍼(W)에 대하여 세정 작업이 연속적으로 이루어지도록 인라인 배치됨이 통상적이고, 이에 더하여 각 세척조(22)에 수용되는 세정액은 웨이퍼(W)의 종류나 공정 상태 등을 포함한 각 조건에 대응하여 소정량과 그에 따른 농도 및 온도 등을 포함한 조건이 설정된 상태로 있을 것이 요구된다.Therefore, each configuration of the above-described cleaning system is typically arranged inline such that the cleaning operation is continuously performed on the continuously positioned wafer W, and in addition, the cleaning liquid contained in each cleaning tank 22 is the wafer W. Corresponding to the respective conditions including the type and the process state, the condition including the predetermined amount, the concentration and temperature, and the like are required to be set.

이러한 관계에 있어서, 상술한 바와 같이, 복수의 웨이퍼(W)가 초순수조(23)에서 건조부(24)로 이송되기까지 비교적 많은 시간이 소요되며, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하게 되는 초순수는 웨이퍼(W)의 표면에서 자연 건조되어 그 표면에 물반점을 생성하게 되고, 또는 세정시스템 내에 잔존하는 파티클을 흡착하게 되어 제품 불량과 제조수율을 저하시키는 등의 문제를 초래하게 된다.
In this relationship, as described above, it takes a relatively long time for the plurality of wafers W to be transferred from the ultrapure water tank 23 to the drying unit 24, and the ultrapure water remaining on the surface of the wafer W. Is naturally dried on the surface of the wafer (W) to generate water spots on the surface of the wafer (W), or to adsorb particles remaining in the cleaning system, resulting in problems such as product defects and manufacturing yields.

본 발명의 목적은, 상술한 종래 기술의 문제 해결과 요구 사항을 충족시키기 위한 것으로서, 초순수조에서 건조부로 이송되기까지 웨이퍼 상에 잔존하는 초순수가 자연 건조되는 것을 방지하도록 하고, 또 세정시스템 내에 유동하는 파티클이 웨이퍼 상에 유도되지 않게 차단하도록 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템을 제공함에 있다.
An object of the present invention is to satisfy the above-mentioned problems and requirements of the prior art, and to prevent the ultrapure water remaining on the wafer from being naturally dried until it is transferred from the ultrapure water tank to the drying unit, and also flows into the cleaning system. To provide a semiconductor wafer cleaning system to block particles from being induced on the wafer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템 구성은, 복수의 소정 케미컬을 각각 수용하여 나란하게 배치되는 복수의 세척조와; 초순수를 수용하여 상기 세척조에 연이어 배치되는 초순수조와; 상기 각 세척조와 초순수조에 대하여 복수의 웨이퍼가 잠기도록 이송하는 로봇장치와; 상기 초순수조를 거쳐 이송되는 복수의 웨이퍼에 대하여 치환액을 분무하여 치환 반응으로 초순수를 건조시키도록 하는 건조부를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서, 상기 초순수조에서 건조부로 이송되는 복수의 웨이퍼에 대하여, 펌핑장치를 통해 초순수를 유도한 뒤, 가열장치를 이용하여 상기 유도된 초순수를 수증기 상태로 변환시켜 웨이퍼측으로 제공토록 하는 초순수 분무장치가 설치됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 초순수 분무장치는 상기 초순수조와 건조부 사이에 설치토록 할 수 있고, 또는 상기 초순수조와 건조부 사이를 포함한 상기 건조부 주연 부위를 따라 확대 설치하여 구성할 수도 있다.
그리고, 상기 초순수 분무장치는, 상기 초순수조에 수용된 초순수를 선택적으로 공급받도록 하거나, 초순수 공급장치와 연통 연결되어 초순수를 선택적으로 공급받도록 구성할 수도 있다. 이에 더하여, 상기 초순수 분무장치는, 펌핑장치와 가열장치를 구비하여 상기 펌핑장치를 통해 유도되는 초순수에 대하여 상기 가열장치로 하여금 유도되는 초순수를 수증기 상태로 변환시켜 공급토록 구성될 수 있으며, 이것은 다시 펌핑장치와 초음파 제공장치를 구비하여 상기 펌핑장치를 통해 유도되는 초순수에 대하여 상기 초음파 제공장치로 하여금 유도되는 초순수를 수증기 상태로 변환시켜 공급토록 구성될 수도 있는 것이다.A semiconductor wafer cleaning system configuration according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises a plurality of cleaning tanks arranged in parallel to receive a plurality of predetermined chemicals, respectively; An ultrapure water tank accommodating ultrapure water and disposed subsequent to the washing tank; A robot apparatus for transferring a plurality of wafers to be locked to each of the washing tanks and the ultrapure water tanks; A semiconductor wafer cleaning system comprising a drying unit for spraying a replacement liquid on a plurality of wafers transferred through the ultrapure water tank to dry ultrapure water by a substitution reaction, wherein the plurality of wafers are transferred from the ultrapure water tank to a drying unit. In contrast, after the ultrapure water is introduced through a pumping device, an ultrapure water spraying device is installed to convert the induced ultrapure water into a vapor state using a heating device and provide the same to the wafer side.
In addition, the ultrapure water spray device may be installed between the ultrapure water tank and the drying unit, or may be configured by expanding along the peripheral portion of the drying unit including between the ultrapure water tank and the drying unit.
The ultrapure water spraying device may be configured to selectively receive the ultrapure water contained in the ultrapure water tank, or may be configured to be selectively connected to the ultrapure water supply device in communication with the ultrapure water supply device. In addition, the ultrapure water spraying device may include a pumping device and a heating device to convert the ultrapure water induced by the heating device into a water vapor state and supply the ultrapure water induced through the pumping device, which in turn is supplied. A pumping device and an ultrasonic wave providing device may be configured to convert the ultrapure water induced by the ultrasonic wave supplying device into a water vapor state with respect to the ultrapure water induced through the pumping device.

또한, 상기 초순수 분무장치는, 상기 초순수조에 근접하는 상기 건조부 주연 부위에 상기 펌핑장치를 통해 유도되는 수증기 상태의 초순수가 수용되는 유도관과; 상기 유도관 상에 기체 상태의 초순수가 분무되도록 내측과 연통하게 구비되는 다수개의 노즐을 포함한 구성으로 형성함이 보다 용이하다.In addition, the ultra-pure water spraying apparatus, the induction pipe receiving the ultra-pure water in the steam state guided by the pumping device in the peripheral portion of the drying unit adjacent to the ultra-pure water tank; It is easier to form a configuration including a plurality of nozzles provided in communication with the inside so that the ultra-pure water in the gas state on the induction pipe.

한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템의 웨이퍼 건조방법은, 초순수조와 건조부 사이에 초순수를 분무하는 초순수 분무장치를 설치한 상태에서, 상기 초순수 분무장치로 하여금 로봇장치에 의해 상기 초순수조에서 건조부로 이송되는 웨이퍼에 대하여 수증기 상태의 초순수를 분무토록 하여 초순수 분위기를 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.On the other hand, the wafer drying method of the semiconductor wafer cleaning system according to the present invention for achieving the above object, the ultra-pure water spraying device to the robot apparatus in a state in which the ultra-pure water spraying device is installed between the ultra-pure water tank and the drying unit By spraying the ultra-pure water in the vapor state with respect to the wafer transferred to the drying unit in the ultra-pure water tank may be formed to include an ultra-pure atmosphere.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 건조방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a semiconductor wafer cleaning system and a drying method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템의 구성 및 웨이퍼를 건조시키는 관계를 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 사시도로서, 종래와 동일한 부분에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.4 is a perspective view schematically illustrating a configuration of a semiconductor wafer cleaning system and a relationship of drying a wafer according to an embodiment of the present invention, and a detailed description of the same parts as in the related art will be omitted.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정시스템은, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 소정 케미컬을 각각 수용하는 복수의 세척조(22)가 나란하게 배치되고, 이들 세척조(22)에 연장 배열되는 형상으로 초순수를 수용하게 되는 초순수조(23)가 배치된다. 또한, 상기 각 세척조(22)와 초순수조(23)에 대하여 복수의 웨이퍼(W)를 파지하여 이송하는 로봇장치(18)의 이동 경로 즉, 상기 초순수조(23)에 연이은 배열 방향으로 초순수조(23)를 거쳐 이송되는 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 치환액을 분무하여 치환 반응으로 건조시키도록 하는 건조부(24)가 설치된다. 여기서, 상술한 초순수조(23)와 건조부(24) 사이 또는 이를 포함한 건조부(24) 주연 부위에 초순수조(23)에서 건조부(24)로 이송되는 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 초순수를 수증기 상태로 변환시켜 분무토록 하는 초순수 분무장치(30, 32)가 설치되고, 상기 초순수 분무장치(30, 32)에 의해 초순수조(23)에서 건조부(24)로 이송되는 복수의 웨이퍼(W)는 수증기 상태의 초순수 분위기를 통과하게 된다.In a semiconductor wafer cleaning system according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, a plurality of cleaning tanks 22 each accommodating a plurality of predetermined chemicals are arranged side by side, and are extended to these cleaning tanks 22. The ultrapure water tank 23 which accommodates ultrapure water in the shape which becomes is arrange | positioned. In addition, the movement path of the robot apparatus 18 that grips and transfers a plurality of wafers W to each of the washing tanks 22 and the ultrapure water tank 23, that is, the ultrapure water tank in an array direction subsequent to the ultrapure water tank 23. The drying part 24 which sprays a substitution liquid with respect to the some wafer W conveyed through 23, and makes it dry by a substitution reaction is provided. Here, ultrapure water for the plurality of wafers W transferred from the ultrapure water tank 23 to the drying unit 24 between the ultrapure water tank 23 and the drying unit 24 described above or around the drying unit 24 including the same. Ultrapure water spraying devices 30 and 32 are installed to convert the water into a vapor state and spray the same, and the plurality of wafers transferred from the ultrapure water tank 23 to the drying unit 24 by the ultrapure water spraying devices 30 and 32 ( W) passes through the ultrapure atmosphere of the vapor state.

한편, 이렇게 설치되는 초순수 분무장치(30, 32)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 초순수조(23)로부터 연결관 등을 통해 초순수를 선택적으로 공급받는 구성으로 형성될 수 있으며, 또는 초순수 공급장치(도면의 단순화를 위하여 생략함)와 연통 연결되어 초순수를 직접적으로 공급받는 구성으로 형성될 수도 있는 것이다. 이에 더하여, 상술한 초순수 분무장치(30, 32)는, 펌핑장치와 가열장치(도면의 단순화를 위하여 생략함)를 구비하여 펌핑장치를 통해 초순수를 유도 공급하고, 이렇게 유도되는 초순수에 대하여 가열장치로 하여금 초순수를 수증기 상태로 변환시키도록 하여 공급하게 된다. 그리고, 이러한 구성은, 다시 펌핑장치와 초음파 제공장치를 구비하여 펌핑장치를 통해 초순수를 유도 공급토록 하고, 이에 따라 유도되는 초순수에 대하여 상술한 초음파 제공장치로 하여금 유도되는 초순수를 수증기 상태로 변환시키도록 하여 공급하는 구성으로 형성될 수도 있는 것이다. 이러한 초순수 분무장치(30, 32)의 구성을 보다 상세하게 설명하면, 초순수조(23)와 건조부(24) 사이 또는 건조부(24) 주연 부위에 상술한 펌핑장치와 가열장치 또는 초음파 제공장치를 통해 수증기 상태로 유도되는 초순수를 구획된 공간에 있도록 수용하는 유도관(30)이 설치되고, 이러한 유도관(30) 상에 기체 상태의 초순수가 분무되도록 내측과 연통하게 구비되는 다수개의 노즐(32)이 형성된 구성으로 이루어질 수 있다.On the other hand, the ultra-pure water spraying device (30, 32) is installed in this way, as shown in Figure 4, may be formed in a configuration that is selectively supplied with ultra-pure water from the ultra-pure water tank 23 through a connecting pipe or the like, or ultra-pure water supply It may be formed in a configuration in which the ultrapure water is directly supplied in communication with the device (not shown for simplicity of the drawing). In addition, the above-described ultrapure water spray device 30, 32 is provided with a pumping device and a heating device (not shown for simplicity of the drawing) to induce and supply ultrapure water through the pumping device, and to the ultrapure water thus induced. It is supplied to convert the ultrapure water into the vapor state. In addition, such a configuration is provided with a pumping device and an ultrasonic providing device to induce and supply ultrapure water through the pumping device, thereby converting the ultrapure water induced by the ultrasonic providing device described above with respect to the ultrapure water induced thereto into a steam state. It may be formed in a configuration to supply so that. When explaining the configuration of the ultra-pure water spray device (30, 32) in more detail, the above-described pumping device and heating device or ultrasonic providing device between the ultra-pure water tank 23 and the drying unit 24 or the peripheral portion of the drying unit 24 Induction pipe 30 is installed to accommodate the ultra-pure water guided to the water vapor state in a partitioned space, and a plurality of nozzles provided in communication with the inside so that the ultra-pure water in the gas state on the induction pipe 30 ( 32) may be formed.

이러한 구성에 의하면, 로봇장치(18)에 의해 초순수조(23)에서 건조부(24)로 이송되는 복수의 웨이퍼(W)는, 초순수 분무장치(30, 32)로부터 웨이퍼(W)에 대응하여 공급되는 수증기 상태의 초순수 분위기 하에 있게 되고, 이에 따라 웨이퍼(W)에 잔존하는 초순수는 수증기 상태의 초순수 분위기에 의해 자연 건조되지 않고 유지되며, 또 외부의 각종 형태의 파티클은 웨이퍼(W)에 도달하기까지 수증기 상태의 초순수 분위기에 의해 차단되게 된다.According to this structure, the plurality of wafers W transferred from the ultrapure water tank 23 to the drying unit 24 by the robot device 18 correspond to the wafers W from the ultrapure water spraying devices 30 and 32. The ultrapure water in the state of being supplied with steam is in a state of ultrapure water, whereby the ultrapure water remaining on the wafer W is not naturally dried by the ultrapure atmosphere of being in a water vapor state, and particles of various external forms reach the wafer (W). Until it is blocked by the ultrapure atmosphere of the water vapor state.

따라서, 본 발명에 의하면, 초순수 분무장치가 설치되어 초순수조에서 건조부로 이송되기까지 웨이퍼에 대하여 수증기 상태의 초순수를 공급하게 됨에 따라 웨이퍼 상에 잔존하는 초순수는 수증기 상태의 초순수 분위기에 의해 그 상태 그대로 유지되어 자연 건조가 방지되고, 또 수증기 상태의 초순수는 세정시스템 내에 유동하는 파티클이 웨이퍼로 근접하는 것을 차단하게 됨으로써 웨이퍼의 오염을 방지하는 효과가 있게 된다.Therefore, according to the present invention, the ultrapure water remaining on the wafer is supplied as the ultrapure water remaining on the wafer as the ultrapure water spraying device is installed to transfer the ultrapure water to the wafer from the ultrapure water tank to the drying unit. The natural drying is prevented, and the ultra-pure water in the vapor state prevents particles flowing in the cleaning system from approaching the wafer, thereby preventing contamination of the wafer.

본 발명은 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that modifications and variations can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such modifications or changes belong to the claims of the present invention. something to do.

Claims (9)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 복수의 소정 케미컬을 각각 수용하여 나란하게 배치되는 복수의 세척조와; 초순수를 수용하여 상기 세척조에 연이어 배치되는 초순수조와; 상기 각 세척조와 초순수조에 대하여 복수의 웨이퍼가 잠기도록 이송하는 로봇장치와; 상기 초순수조를 거쳐 이송되는 복수의 웨이퍼에 대하여 치환액을 분무하여 치환 반응으로 초순수를 건조시키도록 하는 건조부를 포함하여 구성된 반도체 웨이퍼 세정시스템에 있어서,A plurality of washing tanks accommodating a plurality of predetermined chemicals and arranged in parallel; An ultrapure water tank accommodating ultrapure water and disposed subsequent to the washing tank; A robot apparatus for transferring a plurality of wafers to be locked to each of the washing tanks and the ultrapure water tanks; In the semiconductor wafer cleaning system comprising a drying unit for spraying a replacement liquid to a plurality of wafers transferred through the ultrapure water tank to dry the ultrapure water by a substitution reaction, 상기 초순수조에서 건조부로 이송되는 복수의 웨이퍼에 대하여, 펌핑장치를 통해 초순수를 유도한 뒤, 가열장치를 이용하여 상기 유도된 초순수를 수증기 상태로 변환시켜 웨이퍼측으로 제공토록 하는 초순수 분무장치가 설치됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템.For the plurality of wafers transferred from the ultrapure water tank to the drying unit, an ultrapure water spraying device is installed to induce ultrapure water through a pumping device, and then convert the induced ultrapure water into a vapor state using a heating device to provide the wafer to the wafer side. A semiconductor wafer cleaning system. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 초순수 분무장치는, 펌핑장치와 초음파 제공장치를 구비하여 상기 펌핑장치를 통해 유도되는 초순수에 대하여 상기 초음파 제공장치로 하여금 유도되는 초순수를 수증기 상태로 변환시켜 공급토록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.The ultra-pure water spraying device is provided with a pumping device and an ultrasonic wave providing device to convert the ultra-pure water induced by the ultrasonic wave supplying device to the vapor state with respect to the ultra-pure water induced through the pumping device is configured to supply the semiconductor wafer. Cleaning system. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 초순수 분무장치는, 상기 초순수조에 근접하는 상기 건조부 주연 부위에 상기 펌핑장치를 통해 유도되는 수증기 상태의 초순수가 수용되는 유도관과;The ultrapure water spraying apparatus may include: an induction pipe receiving ultrapure water in a vapor state guided by the pumping device at a peripheral portion of the drying unit adjacent to the ultrapure water tank; 상기 유도관 상에 기체 상태의 초순수가 분무되도록 내측과 연통하게 구비되는 다수개의 노즐;A plurality of nozzles provided in communication with an inside to spray gaseous ultrapure water on the induction pipe; 을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 웨이퍼 세정시스템.The semiconductor wafer cleaning system, characterized in that configured to include. 초순수조와 건조부 사이에 초순수를 분무하는 초순수 분무장치를 설치한 상태에서,With an ultrapure water spraying device for spraying ultrapure water between the ultrapure water tank and the drying unit, 상기 초순수 분무장치로 하여금 로봇장치에 의해 상기 초순수조에서 건조부로 이송되는 웨이퍼에 대하여 수증기 상태의 초순수를 분무토록 하여 초순수 분위기를 형성하는 단계;Forming an ultrapure water atmosphere by causing the ultrapure water spraying device to spray ultrapure water in a vapor state with respect to a wafer transferred from the ultrapure water tank to a drying unit by a robot apparatus; 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정시스템의 세정방법.Method of cleaning a semiconductor wafer cleaning system, characterized in that comprises a.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61100937A (en) * 1984-10-23 1986-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Treatment of wafer
JPH06275585A (en) * 1993-03-18 1994-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
KR940022733A (en) * 1993-03-18 1994-10-21 이시다 아키라 Substrate Processing Equipment
JPH07261013A (en) * 1994-03-18 1995-10-13 Toray Ind Inc Production of color filter and production of tft circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61100937A (en) * 1984-10-23 1986-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Treatment of wafer
JPH06275585A (en) * 1993-03-18 1994-09-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
KR940022733A (en) * 1993-03-18 1994-10-21 이시다 아키라 Substrate Processing Equipment
JPH07261013A (en) * 1994-03-18 1995-10-13 Toray Ind Inc Production of color filter and production of tft circuit

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