KR100729775B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100729775B1
KR100729775B1 KR1019990028821A KR19990028821A KR100729775B1 KR 100729775 B1 KR100729775 B1 KR 100729775B1 KR 1019990028821 A KR1019990028821 A KR 1019990028821A KR 19990028821 A KR19990028821 A KR 19990028821A KR 100729775 B1 KR100729775 B1 KR 100729775B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
electrode
thin film
film transistor
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1019990028821A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010010115A (ko
Inventor
송진호
주영길
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019990028821A priority Critical patent/KR100729775B1/ko
Publication of KR20010010115A publication Critical patent/KR20010010115A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100729775B1 publication Critical patent/KR100729775B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K7/00—Arrangements for handling mechanical energy structurally associated with dynamo-electric machines, e.g. structural association with mechanical driving motors or auxiliary dynamo-electric machines
    • H02K7/06—Means for converting reciprocating motion into rotary motion or vice versa
    • H02K7/065—Electromechanical oscillators; Vibrating magnetic drives
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K23/00—DC commutator motors or generators having mechanical commutator; Universal AC/DC commutator motors
    • H02K23/54—Disc armature motors or generators
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K3/00—Details of windings
    • H02K3/04—Windings characterised by the conductor shape, form or construction, e.g. with bar conductors
    • H02K3/26—Windings characterised by the conductor shape, form or construction, e.g. with bar conductors consisting of printed conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K3/00—Details of windings
    • H02K3/04—Windings characterised by the conductor shape, form or construction, e.g. with bar conductors
    • H02K3/28—Layout of windings or of connections between windings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 상부 기판 두께를 감소시키기 위한 것으로, 하부 유리 기판에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선, 상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하는 부분에 형성되어 있으며 반도체층과 상기 게이트선의 분지 또는 일부인 게이트 전극과 상기 데이터선의 분지 또는 일부인 소스 전극과 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 가진 유기 절연막, 상기 유기 절연막 상부에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극과 접속되어 상기 화소에 형성되어 있는 반사막과, 상기 반사막 상부에 형성된 컬러 필터를 포함하여 하부 기판을 형성하며, 상기 하부 기판과 마주하는 상부 유리 기판의 대향면에 형성된 공통 전극을 포함하여 상부 기판을 형성하는 것으로, 컬러 필터를 하부 기판에 형성하고 상부 기판을 투명 전극이 코팅된 유리 기판만으로 형성함으로써 상부 기판의 두께를 초 슬림화하여 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제품 경쟁력을 향상시킬 수 있다.
액정 표시 장치, 반사형 모드, 컬러 필터, 박막트랜지스터, TFT LCD

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
도 1은 종래 반사형 박막 트랜지스터 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판을 개략적으로 도시한 배치도이고,
도 2b는 도 2a의 IIb-IIb'선에 대한 하부 기판을 포함한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 3a 내지 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치 중 하부 기판을 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 배치도이고,
도 3b 내지 6b는 도 3a 내지 도 6a에서 각각 IIIb-IIIb', IVb-IVb', Vb-Vb', VIb-VIb'선에 대한 단면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반사형 모드를 적용한 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 일반적으로 공통 전극과 컬러 필터 등이 형성되어 있는 상부 기판과 박막 트랜지스터와 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 기판 사이에 액정 물질을 주입해 놓고 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가하여 액정 분자들의 배열을 변경시킴으로써 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다.
현재 이러한 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 관련 제품의 시장 추세는 노트북(Note-book) 용도는 물론, 대형 모니터 및 중소형 제품에까지 확대되고 있으며, 중소형 제품의 경우는 주로 Hand-hold PC나 PDA, View CAM 등의 용도에 적용된다. 특히, PDA나 Hand-hold PC 등의 소형 정보 기기의 경우에는 배터리 용량 문제와 연관되어 백 라이트가 없는 반사형 모드를 적용하여 저소비 전력을 구현하는 제품까지 선을 보이고 있다.
그러면, 도 1을 참조하여 종래 반사형 모드를 적용한 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 구조를 개략적으로 설명한다.
하부 기판의 유리 기판(1) 상부에 게이트 배선(도시하지 않음), 게이트 절연막(3), 반도체층(4), 데이터 배선(도시하지 않음)을 포함하는 박막 트랜지스터층이 형성되어 있다.
박막 트랜지스터층의 구조를 상세히 설명하면, 유리 기판(1) 상부에 금속 또는 도전체로 형성되어 주사 신호선 역할을 하는 게이트선(도시하지 않음)과 게이트선의 끝단에 연결되어 외부로부터의 주사 신호를 인가 받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드(도시하지 않음), 게이트선의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극(2)으로 이루어지는 게이트 배선이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 배선이 형성된 유리 기판(1) 상부 전면에는 게이트 절연막(3)이 형성되어 있으며, 게이트 배선의 게이트 전극(2)과 중첩되는 게이트 절연막(3) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon, α-Si:H)로 이루어진 반도체층(4)이 형성되어 있다. 그리고, 반도체층(4)을 포함한 게이트 절연막(3) 상부에는 금속 또는 도전체로 형성되어 화상 신호선 역할을 하는 데이터선(도시하지 않음)과 데이터선의 끝단에 연결되어 외부로부터의 화상 신호를 인가 받아 데이터선으로 전달하는 데이터 패드(도시하지 않음), 데이터선의 분지로 반도체층(4) 상부에서 게이트 전극(2)의 일부와 중첩되는 박막 트랜지스터의 소스 전극(7), 데이터선과 분리되어 있으며 소스 전극(7)의 반대쪽에 위치하여 반도체층(4) 상부에서 게이트 전극(2)의 일부와 중첩되는 드레인 전극(8)으로 이루어지는 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고, 소스 전극(7) 및 드레인 전극(8)과 반도체층(4)이 접하는 면에는 각각 인(P) 등의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 비정질 실리콘 등으로 이루어진 저항성 접촉층(ohmic contact layer)(5, 6)이 형성되어 있다.
그리고, 게이트 배선, 게이트 절연막(3), 반도체층(4), 데이터 배선을 포함하는 박막 트랜지스터층 상부에는 드레인 전극(8)의 일부가 드러나도록 하는 접촉구(10)를 가진 절연막(9)이 형성되어 있고, 절연막(9) 상부의 화소에는 게이트 배선의 게이트선과 일정 영역이 중첩되며 접촉구(10)를 통해 드레인 전극(8)에 접속된 반사막(11)이 형성되어 있다. 이때, 반사막(11)은 게이트선과 데이터선이 교차되어 정의되는 각 영역에 형성되어 화소 전극의 기능을 가진다.
그리고, 하부 기판과 대향되게 결합된 상부 기판의 유리 기판(12) 대향면에는 R(red), G(green), B(blue)의 컬러 필터(13)가 형성되어 있으며, 컬러 필터(13) 상부에는 ITO(indium tin oxide) 등의 투명 도전 물질로 형성된 공통 전극(14)이 형성되어 있다.
그리고, 상부 기판과 하부 기판의 사이에는 액정(15)이 주입되어 있으며, 상부 기판의 유리 기판(12) 상부에는 확산판(diffuser), 위상차판(16) 및 편광판(17)이 형성되어 있다.
이와 같은 반사형 박막 트랜지스터 액정 표시 장치를 이용하는 휴대용 기기에서 저소비 전력에 못지 않게 요구되는 사항은 휴대성이며, 이는 제품의 경량화를 근간으로 한다. 반사형 모드에서의 백 라이트 생략은 제품의 경량화에 기여는 하지만 패널(panel) 자체의 경량화에는 한계가 있으며, 이는 패널 제작에 사용되는 유리 기판 두께와 밀접한 관련이 있다. 즉, 일반적인 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 제조 공정과 설비 내외의 반송을 견딜 수 있는 유리 기판의 내구성 문제는 유리 기판의 최소 두께를 대형 패널의 경우에는 0.7mm 수준으로 최소화하였고, 소형 패널의 경우에는 0.63mm 수준으로 최소화하였다. 휴대가 가능한 중소형 제품의 경쟁력 향상을 위해서는 초경량, 초 슬림(slim) 제품 개발이 필요하며, 최적의 제품은 반사형 모드를 적용하는 초경량 패널에 달려 있다고 볼 수 있다.
그러나, 도 1에서와 같이 상부 기판에 RGB의 컬러 필터를 형성하는 구조로서는 상부 기판의 유리 기판 두께를 감소시키기에는 한계가 있으므로 패널 경량화에 제한이 따르게 된다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제품 경쟁력 강화를 위하여 상부 기판의 두께를 감소시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 컬러 필터를 하부 기판에 형성하고, 상부 기판을 투명 전극이 코팅된 유리 기판만으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
즉, 하부 유리 기판에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선, 상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하는 부분에 형성되어 있으며 반도체층과 상기 게이트선의 분지 또는 일부인 게이트 전극과 상기 데이터선의 분지 또는 일부인 소스 전극과 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 가진 유기 절연막, 상기 유기 절연막 상부에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극과 접속되어 상기 화소에 형성되어 있는 반사막과, 상기 반사막 상부에 형성된 컬러 필터를 포함하여 하부 기판을 형성하며, 상기 하부 기판과 마주하는 상부 유리 기판의 대향면에 형성된 공통 전극을 포함하여 상부 기판을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기에서 유기 절연막 하부에 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호 절연막을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기에서 상부 유리 기판에 형성되어 있으며 상기 화소에 개구부가 형성되어 있는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기에서 반사막 상부에 형성된 확산판을 더 포함하거나, 상기 유기 절연막을 렌즈 구조로 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일 실시예를 설명한다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판을 개략적으로 도시한 배치도이고, 도 2b는 도 2a의 IIb-IIb'선에 대한 하부 기판을 포함한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
하부 유리 기판(20) 상부에 게이트 배선(30, 31, 32), 게이트 절연막(40), 반도체층(50), 데이터 배선(60, 61, 62, 63)을 포함하는 박막 트랜지스터층이 형성되어 있다.
박막 트랜지스터층의 구조를 상세히 설명하면, 하부 유리 기판(20) 상부에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴 합금, 알루미늄-네오디늄(Nd), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 또는 도전체로 형성되어 주사 신호선 역할을 하는 게이트선(30)과 게이트선(30)의 끝단에 연결되어 외부로부터의 주사 신호를 인가 받아 게이트선(30)으로 전달하는 게이트 패드(31), 게이트선(30)의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극(32)으로 이루어지는 게이트 배선(30, 31, 32)이 형성되어 있다. 이때, 게이트 배선(30, 31, 32)은 단일층 또는 이중층 이상으로 형성될 수도 있다.
게이트 배선(30, 31, 32)이 형성된 하부 유리 기판(10) 상부 전면에는 질화 규소(SiNX) 등으로 이루어진 게이트 절연막(40)이 형성되어 있으며, 게이트 배선(30, 31, 32)의 게이트 전극(32)과 중첩되는 게이트 절연막(40) 상부에는 수소화 비정질 규소로 이루어진 반도체층(50)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(40) 상부에는 크롬 등의 금속 또는 도전체로 형성되어 화상 신호선 역할을 하는 데이터선(60)과 데이터선(60)의 끝단에 연결되어 외부로부터의 화상 신호를 인가 받아 데이터선(60)으로 전달하는 데이터 패드(61), 데이터선(60)의 분지로 반도체층(50) 상부에서 게이트 전극(32)의 일부와 중첩되는 박막 트랜지스터의 소스 전극(62), 데이터선(60)과 분리되어 있으며 게이트 전극(32)에 대하여 소스 전극(62)의 반대쪽에 위치하여 반도체층(50) 상부에서 게이트 전극(32)의 일부와 중첩되는 드레인 전극(63)으로 이루어지는 데이터 배선(60, 61, 62, 63)이 형성되어 있다.
소스 전극(62) 및 드레인 전극(63)과 반도체층(50)이 접하는 면에는 각각 인 등의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 비정질 실리콘 등으로 이루어진 저항성 접촉층(51)(52)이 형성되어 있다.
박막 트랜지스터층을 하부 유리 기판(20) 상부에 게이트 배선(30, 31, 32), 게이트 절연막(40), 반도체층(50), 데이터 배선(60, 61, 62, 63) 순서로 이루어진 구조에 의해 역 스태거형(inverted staggered type) 박막 트랜지스터로 형성하였지만, 이와는 달리 데이터 배선, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 배선 순서로 이루 어진 구조에 의한 스태거형 박막 트랜지스터, 반도체층, 데이터 배선, 게이트 배선 순서로 이루어진 구조에 의한 플래너형(planar type) 박막 트랜지스터 등 다양한 구조로 형성할 수 있다.
게이트 배선(30, 31, 32), 게이트 절연막(40), 반도체층(50), 데이터 배선(60, 61, 62, 63)을 포함하는 박막 트랜지스터층 상부에는 드레인 전극(63)의 일부분을 드러내는 접촉구(71)를 가진 유기 절연막(70)이 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터층의 박막 트랜지스터 채널부가 오염되는 것을 방지하기 위하여 유기 절연막(70) 하부에 질화 규소 등의 절연막으로 이루어진 보호막이 형성될 수도 있다.
유기 절연막(70) 상부의 화소에는 게이트 배선(30, 31, 32)의 게이트선(30)과 일정 영역이 중첩되며 유기 절연막(70)의 접촉구(71)를 통해 드레인 전극(63)에 접속된 반사막(80)이 형성되어 있다. 이때, 반사막(80)에 확산판을 형성하거나, 확산판의 형성없이 유기 절연막(70)을 렌즈(lens) 구조로 형성함으로써 빛의 산란을 통해 사용자의 시야각을 확대시킬 수도 있다. 반사막(80) 상부에는 RGB의 컬러 필터(90)가 형성되어 있다.
그리고, 하부 유리 기판(20)과 대향되게 결합된 상부 유리 기판(100)의 대향면에는 ITO 등의 투명 도전 물질로 형성된 공통 전극(110)이 형성되어 있으며, 유리 기판(100)에는 화소에 개구부를 가지는 블랙 매트릭스가 형성될 수도 있다.
그리고, 결합된 상부, 하부 유리 기판(20, 100) 사이에는 액정(120)이 주입되어 있으며, 상부 유리 기판(100) 상부에는 위상차판(130) 및 편광판(140)이 형성되어 있다. 이때, 유리 기판(100) 상부에 빛의 산란을 통해 사용자의 시야각을 확 장시키기 위하여 확산판이 형성될 수도 있다.
이와 같이 종래 상부 기판에 형성된 컬러 필터를 하부 기판에 형성한 구조로 변경함으로써 상부 기판의 유리 기판 두께를 감소시킬 수 있어 초경량 패널의 제작이 가능하게 된다.
그러면, 도 3a 내지 도 6a와 도 3b 내지 도 6b를 참조하여 이와 같은 구조의 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 상세히 설명한다.
도 3a 내지 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치 중 하부 기판을 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 배치도이고, 도 3b 내지 6b는 도 3a 내지 도 6a에서 각각 IIIb-IIIb', IVb-IVb', Vb-Vb', VIb-VIb'선에 대한 단면도이다.
먼저 도 3a와 도 3b에 도시한 바와 같이, 하부 유리 기판(20) 상부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴-텅스텐 합금, 알루미늄-네오디늄, 크롬, 탄탈륨 등의 금속 또는 도전체를 스퍼터(sputter) 방법 등으로 증착하고 사진 식각 방법 등으로 패터닝(patterning)하여, 하부 유리 기판(20) 상부에 가로 방향으로 뻗어 있으며 주사 신호선 역할을 하는 게이트선(30)과 게이트선(30)의 끝단에 형성되어 외부로부터의 주사 신호를 인가 받아 게이트선(30)으로 전달하는 게이트 패드(31), 게이트선(30)의 일부인 박막 트랜지스터의 게이트 전극(30)으로 이루어지는 게이트 배선(30, 31, 32)을 형성한다. 이때, 게이트 배선(30, 31, 32)은 단일층 또는 이중층 이상으로 형성할 수도 있다.
그 다음 도 4a와 도 4b에 도시한 바와 같이, 게이트 배선(30, 31, 32)이 형성된 하부 유리 기판(20) 전면에 질화 규소 등을 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD)하여 게이트 절연막(40)을 형성한다. 그리고, 게이트 절연막(40) 상부 전면에 SiH4, NH3, N2, H2 혼합 기체를 이용하여 플라즈마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD)한 수소화 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체층(50)을 형성하고, 반도체층(50) 상부에 후속 공정에서 형성될 금속막과의 접촉 저항을 감소시키기 위하여 인 등의 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 규소 등의 저항성 접촉층(51, 52)을 형성한다. 이후, 사진 식각 등의 방법으로 게이트 절연막(40) 상부의 반도체층(50)과 저항성 접촉층(51, 52)을 패터닝하여 게이트 전극(32) 상부에만 중첩되어 남도록 한다.
그 다음 도 5a와 도 5b에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(40) 상부 전면에 크롬, 몰리브덴 등의 금속 또는 도전 물질을 증착하고 패터닝하여, 세로 방향으로 형성되어 화상 신호선 역할을 하는 데이터선(60)과 데이터선(60)의 끝단에 연결되어 외부로부터의 화상 신호를 인가 받아 데이터선(60)으로 전달하는 데이터 패드(61), 데이터선(60)의 분지로 패터닝된 반도체층(50)과 저항성 접촉층(51, 52) 상부에서 게이트 전극(32)의 일부와 중첩되는 박막 트랜지스터의 소스 전극(62), 데이터선(60)과 분리되어 있으며 게이트 전극(32)에 대하여 소스 전극(62)의 반대쪽에 위치하여 반도체층(50)과 저항성 접촉층(51, 52)에 중첩되는 드레인 전극(63)을 포함하는 데이터 배선(60, 61, 62, 63)을 형성한다. 이때, 데이터 배선(60, 61, 62, 63)은 단일층 또는 이중층 이상으로 형성할 수도 있다. 이후, 소스 전극(62)과 드레인 전극(63) 사이에 드러난 저항성 접촉층을 식각하여 반도체층(50)이 드러나 도록 함으로써 게이트 배선(30, 31, 32), 게이트 절연막(40), 반도체층(50), 데이터 배선(60, 61, 62, 63)을 포함하는 박막 트랜지스터층을 완성한다.
이때, 도 3a 내지 도 5a와 도 3b 내지 도 5b의 공정을 통해 하부 유리 기판(20) 상부에 게이트 배선(30, 31, 32), 게이트 절연막(40), 반도체층(50), 데이터 배선(60, 61, 62, 63) 순서로 형성하여 역 스태거형 박막 트랜지스터를 형성하였지만, 이와는 달리 하부 유리 기판 상부에 소스/드레인 전극을 포함하는 데이터 배선, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선 순서로 형성하여 스태거형 박막 트랜지스터를 형성하거나 하부 유리 기판 상부에 반도체층, 소스/드레인 전극을 포함하는 데이터 배선, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선 순서로 형성하여 플래너형 박막 트랜지스터를 형성하는 등 다양한 구조의 박막 트랜지스터를 형성할 수도 있다.
그 다음 도 6a와 도 6b에 도시한 바와 같이, 게이트 배선(30, 31, 32), 게이트 절연막(40), 반도체층(50), 데이터 배선(60, 61, 62, 63)을 포함하는 박막 트랜지스터층 상부 전면에 스핀 코팅(spin coating) 등의 방법으로 유기 절연막(70)을 증착하고, 사진 식각 등의 방법에 의해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(63) 일부가 드러나도록 접촉구(71)를 형성한다. 그리고, 이와 동시에 게이트 패드(31), 데이터 패드(61)의 일부분이 드러나도록 접촉구(72)를 형성한다.
이때, 박막 트랜지스터층의 박막 트랜지스터 채널부가 오염되는 것을 방지하기 위하여 스퍼터 방법 등에 의해 유기 절연막(70) 하부에 보호 절연막을 형성할 수도 있다.
그 다음 도 2a와 도 2b에 도시한 바와 같이, 유기 절연막(70) 상부 전면에 화소 전극으로 사용할 반사막(80)을 증착하고, 게이트선(30)과 데이터선(60)이 교차하는 영역으로 정의되도록 패터닝하여 접촉구(71)를 통해 드레인 전극(63)에 접속된 각 화소 전극을 형성한다. 이때, 패터닝된 반사막(80)은 일부분이 게이트선(30)에 중첩되도록 하여 충분한 유지 용량을 얻을 수 있도록 한다. 그리고, 반사막(80) 상부에 확산판을 형성하여 빛의 산란을 통해 사용자의 시야각을 확장하는 것이 바람직하다. 그러나, 반사막(80) 상부에 확산판을 형성하지 않을 경우에는 반사막(80) 하부의 유기 절연막(70)을 렌즈 구조로 형성하여 빛의 산란을 통해 사용자의 시야각을 확장하는 것이 바람직하다. 이후, 반사막(80) 상부에 RGB의 컬러 필터(90)를 형성함으로써 하부 기판을 완성한다.
그 다음, 상부 유리 기판(100)에 ITO 등의 투명 도전 물질을 스퍼터링 증착하여 공통 전극(110)을 형성함으로써 상부 기판을 완성한다. 이때, 상부 유리 기판(100)에는 화소에 개구부를 가지는 블랙 매트릭스를 형성할 수도 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법에서는 종래와는 달리 컬러 필터를 하부 기판에 형성하고, ITO 등의 공통 전극이 코팅된 상부 유리 기판을 상부 기판으로 사용함으로써 상부 유리 기판(100) 두께를 종래에 비해 0.3t 수준까지 감소시킬 수 있으며, 그에 따라 액정 표시 장치를 장착한 제품의 경량화를 실현할 수 있게 된다.
그 다음, 상부 유리 기판(100)의 공통 전극(110)과 하부 유리 기판(20)의 컬러 필터(90)가 대향되도록 상부 기판과 하부 기판을 결합한 후, 상부 유리 기판(100)과 하부 유리 기판(20)의 사이에 액정(120)을 주입하고 봉합한다. 그리고, 하부 유리 기판(20)과 결합된 상부 유리 기판(100) 상부에 위상차판(130)과 편광판(140)을 형성함으로써 반사형 박막 트랜지스터 액정 표시 장치를 완성한다.
이와 같이 본 발명은 컬러 필터를 박막 트랜지스터가 형성된 하부 유리 기판에 형성함으로써 상부 기판을 투명 전극이 코팅된 유리 기판만으로 형성할 수 있어 상부 기판의 두께를 초 슬림화할 수 있을 뿐만 아니라 패널을 초 경량화 할 수 있으며, 그에 따라 액정 표시 장치를 장착한 휴대가 가능한 중소형 제품의 경쟁력을 향상시킬 수 있다.

Claims (5)

  1. 게이트선, 상기 게이트선과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선, 상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하는 부분에 형성되어 있으며 반도체층과 상기 게이트선의 분지 또는 일부인 게이트 전극과 상기 데이터선의 분지 또는 일부인 소스 전극과 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되어 있고, 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 가지며, 렌즈 구조로 형성된 유기 절연막, 상기 유기 절연막 상부에 형성되어 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 화소에 형성되어 있는 반사막 및 상기 반사막 상부에 형성되어 있는 컬러 필터를 포함하는 하부 기판;
    공통 전극 및 상기 화소와 대응하는 영역에 개구부를 가지는 블랙 매트릭스를 포함하고, 상기 하부 기판과 마주하는 상부 기판;
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 절연막 하부에 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호 절연막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반사막 상부에 형성된 확산판을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  5. 삭제
KR1019990028821A 1999-07-16 1999-07-16 액정 표시 장치 KR100729775B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990028821A KR100729775B1 (ko) 1999-07-16 1999-07-16 액정 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990028821A KR100729775B1 (ko) 1999-07-16 1999-07-16 액정 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010010115A KR20010010115A (ko) 2001-02-05
KR100729775B1 true KR100729775B1 (ko) 2007-06-20

Family

ID=19602243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990028821A KR100729775B1 (ko) 1999-07-16 1999-07-16 액정 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100729775B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990016342A (ko) * 1997-08-14 1999-03-05 구자홍 액정표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990016342A (ko) * 1997-08-14 1999-03-05 구자홍 액정표시장치 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010010115A (ko) 2001-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7528917B2 (en) Liquid crystal display device having structure of color filter on TFT and using in plane switching mode
US7477345B2 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
EP1605511B1 (en) Liquid crystal display with wide viewing angle
US20150153604A1 (en) Liquid crystal display device
US7667807B2 (en) In-plane-switching-mode liquid crystal display device
US6970209B2 (en) Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and method for fabricating the same
US7072012B2 (en) Liquid crystal display device including data line divided into first and second branch lines and method of fabricating the same
US20020008825A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
US9274390B2 (en) Liquid crystal display device and fabricating method thereof
US20020063824A1 (en) Transflective liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US7061566B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7341895B2 (en) Thin film transistor substrate and fabricating method thereof
US6781653B2 (en) LCD device having a reflective electrode and a fabricating method thereof
US6947108B2 (en) Reflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US7142770B2 (en) Electrooptic device and production method therefor
US20010022638A1 (en) Transflective liquid crystal display device
US7289180B2 (en) Liquid crystal display device of a horizontal electric field applying type comprising a storage capacitor substantially parallel to the data line and fabricating method thereof
US6850299B2 (en) Liquid crystal display device
JP2003270627A (ja) 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
US8294862B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US20040046918A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof
JP4154880B2 (ja) 電気光学装置及びその製造方法
KR100729775B1 (ko) 액정 표시 장치
JP4035992B2 (ja) 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
US20020151097A1 (en) Flat panel display and method for forming the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee