KR100728210B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대향 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판상에 형성되어 다수의 방전셀을 구획하는 격벽, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에서 제1 방향을 따라 벋어 형성되고, 상기 제1 기판으로부터 멀어지는 방향으로 상기 제2 기판을 향해 확장되어 서로의 사이에 공간을 두고 대향하도록 형성되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮으면서 상기 제1 방향과 나란하게 형성되는 제1 유전층, 상기 제1 유전층과 제2 기판 사이에서, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 벋어 형성되는 어드레스 전극, 및 상기 방전셀 내에 형성되는 제1 형광체층을 포함하고, 상기 제1 기판과 상기 격벽은 일체로 형성되고, 상기 격벽에는 상기 제1 방향을 따라 홈이 형성되며, 이 홈에 상기 제1 전극 및 제2 전극이 형성된다.
대향 방전, 샌드 블라스트법

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법{PLASMA DISPLAY PANEL AND METHDD OF THE SAME}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극과 방전셀의 구조를 개략적으로 도시한 부분 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널을 결합한 상태의 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 부분 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널을 결합한 상태의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 부분 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 유지 전극 및 주사 전극을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 제1 유전층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 제1 유전층 상에 어드레스 전극을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 어드레 스 전극을 덮도록 제2 유전층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5g 및 도 5h 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 방전 공간을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 단면도이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 대향 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display pane)은 기체방전을 통하여 얻어진 플라즈마로부터 방사되는 진공자외선(Vacuum UltraViolet,VUV)이 형광체를 여기시킴으로써 발생되는 가시광을 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 소자이다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 60인치 이상의 초대형 화면을 불과 10㎝ 이내의 두께로 구현할 수 있다. 또한, 플라즈마 디스플레이 패널은 CRT와 같은 자발광 디스플레이 소자이므로, 색 재현력이 우수하고 시야각에 따른 왜곡현상이 없는 특성을 가진다. 또한, LCD 등에 비해 제조공법이 단순하여 생산성 및 원가 측면에서도 강점을 가지므로 차세대 산업용 평판 디스플레이 및 가정용 TV 디스플 레이로 각광받고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널의 구조는 1970년대부터 오랜 기간에 걸쳐 발전하여 왔는데, 현재 일반적으로 알려져 있는 구조는 3 전극 면 방전형 구조이다. 3 전극 면 방전형 구조는 동일 면상에 위치한 두 개의 전극을 포함한 1개의 기판과, 이 기판으로부터 일정 거리를 두고 이격되어 수직방향으로 이어지는 어드레스 전극을 포함한 또 다른 기판으로 이루어진다. 그리고, 이 한 쌍의 기판 사이에 방전가스가 충전되고, 양 기판이 봉입 된다.
일반적으로 방전의 유무는 각 라인에 연결되어 독립적으로 제어되는 주사 전극과, 이 주사 전극에 대향하고 있는 어드레스 전극의 방전에 의해 결정된다. 또한, 휘도를 표시하는 유지방전은 동일 면상에 위치한 두 전극군(群), 즉 유지 전극 및 주사 전극에 의해 이루어진다.
한편, 이 유지 전극과 주사 전극 사이에 방전이 일어나게 되면, 유지 전극 및 주사 전극 주변의 유전층에 생성되는 공간 전하 효과(space charge effect)에 의해 유지 전극과 주사 전극 사이의 전압 분포는 왜곡된 형태로 나타난다. 더욱 구체적으로, AC 형 3 전극 면 방전 구조에서는 인가되는 전압 펄스에 따라 유지 전극 및 주사 전극이 교대로 양극 및 음극의 역할을 수행하게 되는데, 이 양극과 음극 사이의 전압 분포는 왜곡된 형태로 나타난다.
즉, 음극 주변의 캐소드 쉬스(cathode sheath) 영역과, 양극 주변의 애노드 쉬스(anode sheath) 영역과, 이 두 영역 사이에 형성되는 포지티브 칼럼 영역(positive column) 영역이 형성된다. 캐소드 쉬스 영역에서는 양극과 음극 사이에 인가되는 전압의 대부분이 소비되고, 애노드 영역에서는 전압의 일부분이 소비되며, 포지티브 칼럼 영역에서는 전압이 거의 소비되지 않는다. 또한, 캐소드 쉬스 영역에서 전자 가열 효율(electron heating efficiency)은 유전층 표면에 형성된 보호막(통상 MgO 막)의 이차 전자 방출 계수에 의존하고, 포지티브 칼럼 영역에서는 인가된 전압의 대부분이 전자 가열에 소비되는 것으로 알려져 있다.
형광체에 충돌하여 가시광을 방출하는 진공 자외선은 여기 상태의 제논(Xe) 기체가 안정 상태로 전이될 때 발생하며, 제논의 여기 상태는 제논 기체와 전자 사이의 충돌에 의해 얻어진다. 따라서, 인가되는 전압 중 가시광을 생성하는 비율(즉, 발광 효율)을 높이기 위해서는, 인가되는 전압 중 제논 기체의 방전에 기여하는 비율(즉, 방전 효율)을 높여야 하고, 이 방전 효율을 높이기 위해서는 제논 기체와 전자의 충돌을 증가시켜야 한다. 그리고, 제논 기체와 전자의 충돌을 증가시키기 위해서는 전자 가열 효율을 증가시켜야 한다.
상기 캐소드 쉬스 영역에서는 인가되는 전압의 대부분이 소비되지만 전자 가열 효율이 낮고, 포지티브 칼럼 영역에서는 인가되는 전압이 거의 소비되지 않으면서도 전자 가열 효율이 매우 높다. 또한, 캐소드 쉬스 영역과 애노드 쉬스 영역은 유지 전극과 주사 전극 사이의 거리에 상관없이 거의 일정한 공간을 차지한다. 따라서, 높은 방전 효율을 얻기 위해서는 포지티브 칼럼 영역을 증가시켜야 하고, 포지티브 칼럼 영역을 증가시키기 위해서는 유지 전극과 주사 전극 사이의 거리 및 대향 면적을 증가시키는 대향 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널이 요구된다.
본 발명의 목적은 가시광 투과율을 향상시키고 제조가 용이한 대향 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 대향 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널을 용이하게 제조할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판상에 형성되어 다수의 방전셀을 구획하는 격벽, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서 제1 방향을 따라 벋어 형성되고, 상기 제1 기판으로부터 멀어지는 방향으로 상기 제2 기판을 향해 확장되어 서로의 사이에 공간을 두고 대향하도록 형성되는 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮으면서 상기 제1 방향과 나란하게 형성되는 제1 유전층, 상기 제1 유전층과 제2 기판 사이에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 벋어 형성되는 어드레스 전극, 및 상기 방전셀 내에 형성되는 제1 형광체층을 포함하고, 상기 제1 기판과 상기 격벽은 일체로 형성되고, 상기 격벽에는 상기 제1 방향을 따라 홈이 형성되며, 이 홈에 상기 제1 전극 및 제2 전극이 형성된다.
상기 격벽은 제1 방향을 따라 형성되는 제1 격벽부재 및, 이 제1 격벽부재와 교차하도록 형성되는 제2 격벽부재를 포함할 수 있다.
상기 제1 유전층과 상기 제2 기판 사이에는, 상기 제2 방향으로 이웃하는 방전셀들을 연통하는 개구부가 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 어드레스전극의 외면 에 제2 유전층이 형성되고, 상기 제1 기판에 수직한 방향으로 측정되는 상기 제2 유전층의 길이는 상기 제1 기판에 수직한 방향으로 측정되는 상기 개구부의 길이와 서로 같게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 스페이서가 배치되고, 상기 스페이서에 의해 개구부가 형성될 수도 있다.
한편, 상기 어드레스 전극은 상기 제1 방향으로 이웃하는 방전셀들의 경계에 대응하여 형성되고, 상기 제1 방향을 향해 돌출 형성되는 돌출부를 포함한다.
상기 돌출부는 상기 제2 전극에 대응하면서, 상기 제2 방향으로 이웃하는 방전셀들의 경계를 지나도록 형성될 수 있다.
상기 돌출부는 각 방전셀의 내부를 향해 돌출 형성될 수 있다.
또한, 상기 어드레스 전극은 상기 제2 기판상에 형성되고 상기 방전셀의 내부를 지나도록 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 어드레스 전극의 외면에 제2 유전층이 형성될 수 있으며, 상기 제2 유전층은 투명 유전층으로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 제2 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다.
상기 제1 형광체층은 제1 기판측에 형성되고, 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 형성되는 높이보다 낮게 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제2 기판상에는 상기 방전셀에 대응하는 위치에 제2 형광체층이 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 제1 형광체층은 반사형 형광체로 형성되고, 상기 제2 형광체층은 투과형 형광체로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 제조 방법은, 제1 기판을 식각하여 홈 형상의 전극 형성부를 형성하는 단계, 상기 전극 형성부에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮는 제1 유전층을 형성하는 단계, 상기 제1 유전층 및 상기 제1 기판을 함께 식각하여 방전공간을 형성하는 단계, 및 상기 방전공간 내에 형광체층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전극 형성부 형성 단계는, 상기 제1 기판 위에 레지스터를 도포하는 단계, 상기 레지스터를 패터닝하는 단계, 및 상기 패터닝된 레지스터를 보호막으로 하여 상기 제1 기판을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 유전층 위에 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 교차하는 방향으로 어드레스 전극을 형성하는 단계가 포함될 수 있으며, 이 어드레스 전극을 덮는 제2 유전층을 패턴 인쇄하는 단계가 더 포함될 수 있다.
또한, 상기 어드레스 전극을 형성하는 단계에서 상기 어드레스 전극은 제2 기판상에 형성될 수 있다.
상기 방전공간 형성단계는, 상기 제1 유전층 위에 레지스터를 도포하는 단계, 상기 레지스터를 패터닝하는 단계, 및 상기 패터닝된 레지스터를 보호막으로 하여 상기 제1 유전층 및 상기 제1 기판을 함께 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 방전 공간 형성 단계는 샌드 블라스트법에 의해 수행될 수 있다.
상기 방전 공간 형성단계에서 상기 방전공간은 상기 제1 전극과 상기 제2 전 극 사이에 위치하도록 형성될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있우며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도시한 부분 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 기본적으로 제1 기판(10, 이하 '배면기판'이라 한다)과 제2 기판(20, 이하 '전면기판'이라 한다)이 소정의 간격을 두고 서로 대향 배치되며, 이 배면기판(10)과 전면기판(20) 사이에는 다수의 방전셀(18)들이 구획된다. 방전셀(18) 내에는 자외선을 흡수하여 가시광을 방출하는 제1 형광체층(19)이 형성된다. 또한, 플라즈마 방전을 일으킬 수 있도록 상기 방전셀(18)내에는 방전가스(일례로 제논(Xe), 네온(Ne) 등을 포함하는 혼합가스)가 채워진다.
배면기판(10)의 전면기판(20) 대향면에는 다수의 방전셀(18)을 구획하는 격벽(17)이 형성된다. 그리고, 이 격벽(17)에는 제1 방향( 도면의 x 축 방향)을 따라 홈이 형성되고, 이 홈에 제1 전극(11, 이하 '유지 전극'이라 한다) 및 제2 전극(12, 이하 '주사 전극'이라 한다)이 벋어 형성되며, 이 유지 전극(11) 및 주사 전 극(12)을 덮으면서 제1 유전층(13)이 형성된다. 이 제1 유전층(13)상에는, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)과 교차하는 제2 방향(도면의 y 축 방향)을 따라 어드레스 전극(14)이 벋어 형성된다. 그리고, 이 어드레스 전극(14)을 덮으면서 제2 유전층(16)이 형성된다.
배면 기판(10)상에 형성되는 격벽(17)은 제1 방향을 따라 형성되는 제1 격벽 부재(17a)와, 이 제1 격벽부재(17a)와 교차하도록 형성되는 제2 격벽부재(17b)를 포함한다. 또한, 이 제1 격벽부재(17a) 및 제2 격벽부재(17b)는 배면 기판(10)과 동일 재질로 형성될 수 있으며, 본 실시예처럼 배면 기판(10)과 일체로 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 배면 기판(10)상의 방전셀(18)에 대응하는 부분을 식각함으로써, 방전셀(18)을 구획하는 격벽(17)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서 배면 기판(10)의 식각은 샌드 블라스트(sand blast)법에 의해서 수행되며, 다른 기계적 또는 화학적 방법, 예컨대 에칭이나 절삭법에 의해서도 식각이 수행될 수도 있다. 또한, 이러한 격벽 구조는 상기 설명한 구조에 한정되는 것은 아니며 다양한 형상의 격벽 구조도 가능하다. 또한, 배면 기판(10)을 식각하여 격벽(17)을 형성함으로써, 별도의 격벽 형성용 재료를 사용하지 않고 격벽(17)이 형성될 수 있으며, 이로 인해 재료비 절감의 효과가 있다. 또한, 격벽을 형성한 후에 소성 단계를 거칠 필요가 없기 때문에, 소성 단계시 열로 인해 일어날 수 있는 배면 기판(10)의 물리적 및 화학적 성질의 변화가 최소화되고, 배면 기판(10)의 치수 안정성이 확보될 수 있다.
한편, 배면 기판(10)의 대향측에는 전면 기판(20)이 배치된다. 본 실시예에 서는 전면 기판(20)상에 별도의 구조물이 구비되지 않는다. 이러한 구조를 통해, 전면 기판(20)쪽을 향해 방사되는 가시광의 투과율이 향상될 수 있다. 더욱 구체적으로 설명하면, 종래의 3전극 면방전 구조에서는, 전면 기판상에 화상을 표시하는 유지 전극 및 주사 전극이 배치되고, 이 유지 전극 및 주사 전극을 덮도록 유전층 및 보호막이 적층 형성되었다. 따라서, 전면 기판을 향하는 가시광이 보호막, 유전층, 유지전극, 및 주사전극에 의해 상당 부분 차폐되어, 가시광의 투과율이 떨어지는 단점이 있었다. 하지만, 본 실시예에서는 전면 기판(20)상에 전극 및 유전층, 보호막이 형성되지 않기 때문에, 가시광 투과율이 더욱 향상될 수 있다.
한편, 제1 격벽부재(17a) 및 제2 격벽부재(17b)에 의해 구획되는 방전셀(18) 내에는 제1 형광체층(19)이 형성된다. 즉, 방전셀(18)에 대응하는 배면 기판(10)상의 방전 공간내에서, 배면 기판(10)의 내면과 격벽(17)의 측면을 따라 제1 형광체층(19)이 형성된다. 이 제1 형광체층(19)은 반사형 형광체로 형성되는 것이 바람직하다. 제1 형광체층(19)이 반사형 형광체로 형성됨으로써, 방전 공간 내에서 생성된 가시광이 전면 기판(20)쪽으로 더 많이 향하게 되고 발광 효율이 향상될 수 있다. 또한, 전면 기판(20)의 방전셀(18)에 대응하는 위치에 제2 형광체층(미도시)이 점 모양으로 더 구비될 수 있다. 이 경우, 제2 형광체층은 가시광을 투과시킬 수 있는 투과형 형광체로 이루어지는 것이 바람직하며, 제1 형광체층만 형성된 경우보다 발광효율이 더욱 향상될 수 있다.
제1 격벽부재(17a)의 내부에는 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)이 제1 방향을 따라 벋어 형성된다. 더욱 구체적으로 설명하면, 제1 격벽부재(17a)의 상면에 는 홈 형상의 전극 형성부가 형성되고, 이 전극 형성부에 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)이 형성된다. 이로 인해, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)의 외면 중, 제2 방향의 양 측면과 배면 기판(10)측 하면은 격벽(17)에 의해 둘러싸이게 된다. 이와 같이, 제2 방향으로 대향하는 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)의 대향면에 격벽(17)이 형성됨으로써, 유지 전극 및 주사 전극을 둘러싸는 별도의 유전층을 형성할 필요가 없는 장점이 있다. 즉, 종래의 AC 형 플라즈마 디스플레이 패널에는 유지 전극 및 주사 전극의 외면에 유전층이 형성되며, 이 유전층은 유지 전극 및 주사 전극을 기체 방전시 생성되는 전하들의 충돌로부터 보호하는 역할을 수행한다. 또한, 이 유전층상에는 어드레스 방전시에 벽전하가 축적됨으로써 방전개시전압이 낮아질 수 있다. 그러나, 본 실시예에서는, 유지 전극 및 주사 전극을 감싸고 있는 격벽이 유전 물질로 사용되며 별도의 유전층을 형성할 필요가 없게 된다. 즉, 격벽(17)은 방전셀(18)을 구획하는 역할뿐만 아니라 상기한 유전층의 역할을 병행하게 된다.
또한, 이 격벽(17)의 외면에 보호막(도시되지 않음)이 더 형성될 수 있으며, 기체 방전에 노출되는 외면, 즉 유지 전극(11)과 주사 전극(12)이 서로 대향하는 부분의 격벽(17)상에 형성되는 것이 바람직하다. 보호막의 예로는 MgO 보호막이 사용될 수 있다. 이 MgO 보호막은 기체 방전시 전리된 이온의 충돌로부터 격벽(17)을 보호하는 역할을 수행한다. 또한, MgO 보호막은 이온이 부딪혔을 때 이차전자의 방출계수도 높기 때문에 방전효율을 높일 수 있다.
한편, 제1 격벽부재(17a) 및 제2 격벽부재(17b)상에는 제1 유전층(13)이 형 성된다. 이 제1 유전층(13)은 제1 격벽부재(17a)에 대응하는 제1 유전층부(13a)와, 제2 격벽부재(17b)에 대응하는 제2 유전층부(13b)를 포함한다. 즉, 제1 유전층부(13a)는 제1 격벽부재(17a) 내에 형성된 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)을 덮으면서 제1 방향을 따라 벋어 형성된다. 제2 유전층부(13b)는 제1 유전층부(13a)와 교차하는 제2 방향을 따라 형성된다. 이 제1 유전층부(13a)와 제2 유전층부(13b)는 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)과, 이 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)과 교차하는 방향으로 배치되는 어드레스 전극(14)을 전기적으로 절연시키는 역할을 수행한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극과 방전셀의 구조를 개략적으로 도시한 부분 평면도이다.
도 2를 참조하면, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)은 제1 방향(도면의 x 축 방향)을 따라 벋어 형성되고, 또한 제2 방향(도면의 y 축 방향)을 따라 이웃하는 방전셀(18)들의 경계를 지나면서 이 제2 방향을 따라 교대로 형성된다. 즉, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)은 제1 격벽 부재(17a)의 내부에 형성되기 때문에, 제2 방향을 따라 서로 인접한 한 쌍의 방전셀(18)에 의해 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)이 각각 공유되는 구조가 형성된다.
한편, 어드레스 전극(14)은 제2 방향을 따라 벋어 형성되고, 제1 방향으로 방전셀(18) 간격에 대응하면서 서로 나란하게 형성된다. 즉, 어드레스 전극(14)은 제2 격벽부재(17b)에 대응하면서 제1 방향으로 이웃하는 방전셀(18)들의 경계를 지나도록 형성된다. 이로 인해 제1 방향으로 이웃하는 한 쌍의 방전셀(18)에 의해 하나의 어드레스 전극(14)이 공유되는 구조가 형성된다.
어드레스 전극(14)은 어드레스 기간에서 주사 전극(12)과 상호 작용한다. 이로 인해, 켜질 방전셀(18)을 선택하는 어드레스 방전이 수행된다. 또한, 유지 전극(11)및 주사 전극(12)은 유지 기간에서 상호 작용한다. 이로 인해, 화상을 표시하는 유지 방전이 유지 전극(11)과 주사 전극(12)에 의해 수행된다. 본 실시예에서는 제1 방향으로 이웃하는 한 쌍의 방전셀(18)에 의해 하나의 어드레스 전극(14)이 공유되는 구조이기 때문에, 어드레스 기간에서 켜질 방전셀(18)이 잘못 선택될 수 있다. 이러한 점을 극복하기 위해, 어드레스 전극(14)에 돌출부(14a)가 형성된다.
이 돌출부(14a)는 어드레스 전극(14)으로부터 제1 방향으로 돌출 형성된다. 또한, 이 돌출부(14a)는 주사 전극(12)이 지나가는 제1 격벽부재(17a)에 대응하여 돌출 형성된다. 돌출부(14a)가 주사 전극(12)측에 대응하여 형성되기 때문에, 어드레스 전극(14)과 주사 전극(12)의 상호 작용에 의해 수행되는 어드레스 방전이 더욱 효율적으로 일어날 수 있다. 또한, 이렇게 돌출부(14a)가 형성됨으로써, 어드레스 기간에서 제2 방향으로 이웃하는 한 쌍의 방전셀(18)이 선택될 수 있다. 더욱 구체적으로 설명하면, 어드레스 전극(14)에 어드레스 펄스가 인가되고 주사 전극(12)에 스캔 펄스가 인가되면, 주사 전극(12)을 공유하는 한 쌍의 방전셀(18)이 선택될 수 있다. 이와 같은 경우, 화상을 구현하기 위해 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)에 유지 펄스를 인가하여 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 방법은 공지의 방법이 이용될 수 있다. 예컨대, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)을 각각 짝수 행과 홀수 행으로 구분하고, 짝수 행의 유지 방전시에는 짝수 행의 유지 전극(11)과 주사 전극(12)에 유지 펄스를 인가하고, 홀수 행의 유지 방전시에는 홀수 행의 유지 전극(11)과 주사 전극(12)에 유지 펄스를 인가하여 최종 화상을 구현하는 방법이 이용될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널을 결합한 상태의 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 부분 단면도이다.
도 3을 참조하면, 어드레스 전극(14)을 덮으면서 제1 유전층(13)상에 제2 유전층(16)이 형성된다. 즉, 제2 유전층(16)은 어드레스 전극(14)이 연장하는 제2 방향(도면의 y 축 방향)을 따라 길게 연장하여 형성된다. 본 실시예에서는 제1 방향(도면의 x 축 방향)으로 이웃한 방전셀의 경계에 어드레스 전극(14)이 배치되기 때문에, 이 어드레스 전극(14)은 방전에 노출되지 않게 되고, 이 어드레스 전극(14)의 상면에는 전면 기판(20)이 직접 결합하게 된다. 이로 인해, 어드레스 전극(14)을 덮도록 형성되는 제2 유전층(16)은 생략될 수도 있다.
한편, 제1 유전층(13)과 전면 기판(20) 사이에는, 제2 방향으로 이웃하는 방전셀(18)들을 연통하는 개구부(21)가 형성된다. 즉, 어드레스 전극(14) 및 이 어드레스 전극(14)을 덮는 제2 유전층(16)이 두껍게 형성된다. 그리고, 어드레스 전극(14)의 돌출부(14a)를 덮는 제2 유전층(16)은 제1 방향으로 형성되는 제1 유전층부(13a)상의 전면(全面)이 아니라 일부에만 형성된다. 이로 인해, 이 제2 유전층(16)이 형성되지 않은 제1 유전층부(13a)와 전면 기판(20) 사이에는 개구부가 형성되게 된다. 이와 같이 제2 방향으로 개구부(21)가 형성됨으로써, 배기 공정 및 방 전 가스 주입 공정에서 원활한 배기와 가스 주입이 가능해질 수 있다.
또한, 배면 기판(10)에 수직한 방향(도면의 z 축 방향)으로 측정되는 제2 유전층(16)의 길이(h1)는 같은 방향으로 측정되는 개구부(21)의 길이(h2)와 같게 형성된다. 즉, 제1 방향으로 이웃하는 방전셀(18)들 간에는 개구부가 형성되지 않고 제2 방향으로 이웃하는 방전셀(18)들 사이에만 개구부(21)가 형성되게 된다. 이로 인해, 배기 및 가스 주입이 원활하게 수행되면서, 제1 방향으로 이웃하는 방전셀(18)들 간에 크로스토크(crosstalk)가 더욱 효율적으로 차단될 수 있다. 하지만, 이에 한정될 필요는 없으며, 개구부(21)의 길이가 제2 유전층(16)의 길이보다 더 크게 형성될 수도 있다. 이와 같은 경우에는 배기 및 가스 주입이 더욱 원활하게 수행될 수 있는 장점이 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
도 4는 도 1에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널을 결합한 상태의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 부분 단면도이다.
도 4를 참조하면, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)의 횡단면은 기판(10, 20)에 수직한 방향(z 축 방향)으로의 길이(H)가 기판(10, 20)에 평행한 방향(y 축 방향)으로의 길이(W)보다 길게 형성될 수 있다. 다시 말하면, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)의 배면기판(10) 면으로부터의 높이가 더 높게 형성될 수 있다. 이렇게 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)의 높이를 높임으로써, 고정세 디스플레이를 구현하기 위해 방전셀의 평면방향 크기가 감소되어야 할 경우에도 그 크기의 감소량이 보상될 수 있다. 또한, 유지 전극(11)과 주사 전극(12) 사이의 대향면의 면적을 증가시킴으로써, 면 방전 구조에 비해 더욱 높은 발광효율이 얻어질 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 배면기판(10)측에 형성되는 방전공간 내에 제1 형광체층(19)이 형성되며, 더욱 구체적으로 제1 형광체층(19)은 배면 기판(10)으로부터 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)까지의 높이보다 낮게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 유지 방전에 관여하는 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)의 대향면상에 제1 형광체층(19)이 형성되지 않게 된다. 또한, 어드레스 방전에 관여하는 어드레스 전극(14)과 주사 전극(12) 사이에도 제1 형광체층(19)이 개재되지 않게 된다. 이와 같이, 제1 형광체층(19)이 배면기판(10)으로부터 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)까지의 높이보다 낮게 형성됨으로써, 유지 방전시 전하들과의 충돌로 인해 제1 형광체층(19)의 열화가 방지될 수 있고, 어드레스방전시 방전개시전압이 각 방전셀(18) 별로 균일하게 형성되고 형광체의 수명이 향상될 수 있는 장점이 있다.
즉, 종래의 3 전극 면 방전 구조에서는, 어드레스방전을 일으키는 어드레스 전극과 주사 전극 사이에 형광체층이 위치함으로써, 적색, 녹색, 및 청색 형광체층의 서로 다른 유전율 때문에 어드레스방전의 방전개시전압이 불균일한 단점이 있었다. 하지만, 본 실시예에서는, 어드레스방전을 일으키는 어드레스 전극(14) 및 주사 전극(12) 사이에 제1 형광체층(19)이 구비되지 않기 때문에, 종래의 단점이 해결될 수 있다.
또한, 어드레스 방전은 전면 기판(20)과 배면 기판(10) 사이에 배치되는 어드레스 전극(14)과, 배면 기판(10)의 격벽(17) 내에 배치되는 주사 전극(12) 사이에서 일어나기 때문에, 배면기판(10) 측에 형성되는 제1 형광체층(19) 위에는 어드레스 방전시에 전하가 쌓이지 않게 된다. 이로 인해, 제1 형광체층(19) 상에 전하 가 쌓이면서 이온 스퍼터링에 의해 형광체 수명이 감소되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 본 실시예의 경우, 유지 전극(11)과 주사 전극(12)의 대향면 사이에 형광체층(19)이 형성되지 않기 때문에, 유지 방전시에 전하의 충돌로부터 제1 형광체층(19)이 보호되고 유지 방전이 안정화되는 장점이 있지만, 이에 한정될 필요는 없다. 즉, 제1 형광체층(19)이 격벽(17)의 측면 전체에 형성됨으로써, 형광체의 도포 면적이 증가하게 되고, 이로 인해 발광효율이 더욱 향상될 수도 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
이하, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 5a 내지 도 5h 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 공정을 나타내는 단면도이다.
즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 공정을 개략적으로 설명하면, 배면 기판(10)상에 홈 형상의 전극 형성부(32)를 형성하는 단계, 전극 형성부(32)에 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)을 형성하는 단계, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)을 덮도록 제1 유전층(13)을 형성하는 단계, 제1 유전층(13) 위에 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)과 교차하는 방향으로 어드레스 전극(14)을 형성하는 단계, 방전셀(18)에 대응하는 위치에 형성된 제1 유전층(13) 및 배면 기판(10)을 함께 식각하여 방전 공간을 형성하는 단계; 및 이 방전 공간을 형성하는 단계에서 형성된 방전 공간내에 제1 형광체층(19)을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 각 단계별로 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 전극 형성부를 형성하는 단계에서는, 배면 기판(10)을 세정하여 건조시킨 뒤, 이 배면 기판 (10)상에 내(耐) 샌드 블라스트성(endurance sandblast property)을 가지는 드라이 필름 레지스터(dry film resistor, 이하 'DFR' 이라 한다)를 라미네이션(lamination)한다. 그후, 마스크를 이용하여 노광, 현상하여 이 DFR (31)을 패터닝한다(도 5a 참조). 즉, 이러한 패터닝에 의해 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)이 형성될 부분만 외부로 노출되기 때문에, 배면 기판(10)을 샌드 블라스트법으로 식각하는 경우, 패터닝된 DFR 에 의해 보호되는 배면 기판(10) 부분은 식각되지 않고, 외부로 노출된 배면 기판(10)부분만 식각된다. 즉, 전극이 형성될 부분만 식각되어 전극 형성부(32)가 형성된다(도 5b 참조)
유지 전극 및 주사 전극을 형성하는 단계에서는, 이 전극 형성부(32)에 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)을 패턴 인쇄하고, 적절한 온도에서 소성시켜 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)을 형성한다(도 5c 참조).
제1 유전층을 형성하는 단계에서는, 유지 전극(11) 및 주사 전극(12)을 덮으면서 배면 기판(10) 전면(全面)에 제1 유전층(13)을 인쇄법을 이용하여 도포한다(도 5d 참조). 그리고, 건조 및 소성 단계를 거쳐 제1 유전층(13)이 형성된다. 이 경우 제1 유전층(13)은 반사형 유전체의 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
어드레스 전극 형성 단계에서는, 이 제1 유전층(13) 위에 제2 방향(도면의 y 축 방향)으로 어드레스 전극(14) 및 어드레스 전극(14)의 돌출부(14a)를 패턴 인쇄한다(도 5e 참조). 더욱 구체적으로 설명하면, 제1 방향(도면의 x 축 방향)을 따 라 각 방전셀의 폭에 대응되는 간격으로 어드레스 전극(14)을 서로 나란하게 패턴 인쇄하고, 주사 전극(12)과 교차하는 부분에는 돌출부(14a)를 패턴 인쇄한다. 그리고, 건조 및 소성 단계를 거쳐 어드레스 전극(14) 및 어드레스 전극(14)의 돌출부(14a)가 형성된다.
본 실시예에서는, 이 어드레스 전극을 형성하는 단계에서 어드레스 전극(14) 및 어드레스 전극(14a)을 덮도록 제2 유전층(16)을 패턴 인쇄하는 단계가 더 포함된다(도 5f 참조). 즉, 어드레스 전극(14) 및 어드레스 전극(14)의 돌출부(14a)와 대응하는 형상으로 제2 유전층(16)을 제1 유전층(13)상에 패턴 인쇄한다. 그리고, 건조 및 소성 단계를 거쳐 제2 유전층(16)이 형성된다.
방전 공간을 형성하는 단계에서는, 내(耐) 샌드 블라스트성을 가지는 DFR(33)을 라미네이션한다. 그후, 마스크를 이용하여 노광, 현상함으로써 이 DFR(33)을 매트릭스 모양으로 패터닝한다(도 5g 참조). 즉, 유지 전극(11), 주사 전극(12), 및 어드레스 전극(14)의 평면 형상에 대응하여 DFR(33) 이 패터닝되고, 이 DFR(33) 이 패터닝 되지 않은 부분은 추후 샌드 블라스트법에 의해 식각되게 된다. 더욱 구체적으로 설명하면, 방전셀에 대응하는 방전 공간을 형성하기 위해 샌드 블라스트법이 실행될 때, 패터닝된 DFR(33) 은 유지 전극(11), 주사 전극(12), 및 어드레스 전극(14)을 보호하는 보호막 역할을 수행하게 되고, DFR(33) 이 패터닝되지 않은 부분은 샌드 블라스트법에 의해 식각되어 배면 기판(10) 내부로 오목한 방전 공간이 형성된다. 또한, 패터닝된 DFR(33)에 의해, 방전 공간은 유지 전극(11)과 주사 전극(12) 사이에 위치하도록 형성된다(도 5h 참조). 즉, 패터닝된 DFR(33) 의 평면 형상에 따라 격벽이 배면 기판(10)과 일체로 형성되고, 이로 인해 격벽을 소성하기 위한 단계가 추가로 필요하지 않게 되는 장점이 있다.
또한, 본 실시예에서는 샌드 블라스트법에 의해 방전 공간을 형성하였으나 이에 한정될 필요는 없다. 예컨대, 화학적 에칭이나 기계적 절삭법 등을 통해서 방전 공간이 형성될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
그리고, 이와 같이 형성된 방전 공간내에 형광체층을 인쇄하고 소성한 뒤에, 배면 기판을 전면 기판과 합착하여 본 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 제조한다.
이와 같이, 배면 기판(10)을 식각하여 방전 공간을 형성하고, 방전셀을 구획하는 격벽이 배면 기판(10)과 일체로 형성되며, 유지 전극(11)과 주사 전극(12)을 둘러싸는 기존의 유전층의 역할을 일체로 형성된 격벽이 수행함에 따라, 대향형 방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널을 용이하게 제조할 수 있고, 소성 공정 횟수가 감소되어 기판의 치수 안정성이 더욱 확보될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다양한 실시예들에 대해서 설명한다. 각 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 제1 실시예에서 설명한 플라즈마 디스플레이 패널과 구성 및 작용이 서로 동일 또는 유사하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 단면도이다.
본 실시예에서는, 어드레스 전극(14)을 덮는 제2 유전층(16)상에 스페이서 (200)가 구비된다. 즉, 제1 방향(도면의 x 축 방향)으로 이웃하는 방전셀(18)들의 경계 부분에 스페이서(200)가 형성된다. 더욱 구체적으로 설명하면, 제1 실시예에서는 어드레스 전극(14) 및 제2 유전층(16)을 두껍게 형성함으로써, 제1 유전층(13)과 전면 기판(20) 사이에 개구부(21)가 형성된다. 하지만, 제2 실시예에서는 어드레스 전극(14) 및 제2 유전층(16)을 얇게 형성하는 경우에도, 전면 기판(20)과 배면 기판(10) 사이에 스페이서(200)를 배치함으로써, 개구부(221)가 형성될 수 있다. 또한, 스페이서(200)는 제1 유전층부(13a) 및 제2 유전층부(13b)상의 다양한 위치에 배치될 수도 있다. 이와 같이 스페이서(200)가 구비됨으로써, 어드레스 전극(14) 및 제2 유전층(16)을 두껍게 인쇄하지 않더라도 개구부(221)가 형성될 수 있으며, 이 개구부(221)에 의해 배기 및 가스 주입 공정이 원활하게 수행될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 부분 단면도이다.
본 실시예에서, 어드레스 전극(314)이 전면 기판(20)상에 형성된다. 즉, 어드레스 전극(314)은 제2 방향(도면의 y 축 방향)을 따라 벋어 형성되고, 방전셀(18)의 내부를 지나도록 형성된다. 그리고 이 어드레스 전극(314)을 덮도록 제2 유전층(316)이 전면 기판(20)상에 패턴 인쇄법으로 형성된다. 이와 같은 구조를 통하여, 어드레스 기간에서 각 방전셀(18)을 선택하는 작용이 더욱 확실하게 수행될 수 있다. 또한, 제2 유전층(316)은 전면 기판(20)의 전면(全面)상에 도포되는 것이 아니라 패턴 인쇄법으로 어드레스 전극(314)을 덮도록 형성되기 때문에, 전면 기판(20)과 제1 유전층(13)사이에는 개구부(321)가 형성될 수 있다. 이 경우, 전면 기판(20)에 수직한 방향(z 축 방향)으로 측정되는 개구부(321)의 높이는 같은 방향으로 측정되는 제2 유전층(316)의 높이와 서로 대응되게 형성된다.
이와 같이 어드레스 전극(314)을 각 방전셀(18)의 내부를 지나도록 전면 기판(20)상에 형성함으로써, 이 어드레스 전극(314)에 별도의 돌출부를 형성하지 않더라도 각 방전셀(18)의 어드레싱이 가능해진다. 또한, 3 전극 면방전 구조의 경우에는 전면 기판에 2 개의 전극, 즉 유지 전극 및 주사 전극이 배치되기 때문에 가시광 투과율이 저하되지만, 본 실시예의 경우에는, 1 개의 전극이 전면 기판(20)상에 배치되기 때문에 가시광 투과율이 향상될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 어드레스 전극(314)이 제2 방향을 따라 방전셀(18)의 내부를 지나도록 전면 기판(20)상에 형성되지만 이에 한정될 필요는 없다. 즉, 어드레스 전극은 제1 방향(도면의 x축 방향)으로 인접하는 방전셀들의 경계 부분, 즉 제2 격벽 부재(17b)에 대응하도록 전면 기판(20)상에 형성될 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. 이 경우에는 각 방전셀 내부를 향하여 돌출하는 금속의 돌출부가 더 형성될 수 있으며, 개구율을 더 향상시키기 위해서 투명 전극의 돌출부가 형성될 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 배면 기판상에 격벽 및 모든 전극들을 형성함으로써 전면 기판을 향해 방사되는 가시광의 투과율이 더욱 향상될 수 있고, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정이 단순화될 수 있다.
또한, 배면 기판을 식각하여 격벽을 형성하고, 격벽 내부에 유지 전극 및 주사 전극을 형성함으로써, 소성 공정의 횟수가 감소될 수 있고, 이로 인해 열에 의한 배면 기판의 변형이 최소화되며 수치안정성이 확보될 수 있다.
또한, 유지 전극 및 주사 전극을 덮는 유전층과 전면 기판 사이에 개구부가 형성되어, 배기 및 가스 주입 공정이 보다 원활하게 수행될 수 있다.

Claims (20)

  1. 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판상에 형성되어 다수의 방전셀을 구획하는 격벽;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서, 제1 방향을 따라 벋어 형성되고, 상기 제1 기판으로부터 멀어지는 방향으로 상기 제2 기판을 향해 확장되어
    서로의 사이에 공간을 두고 대향하도록 형성되는 제1 전극 및 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮으면서 상기 제1 방향과 나란하게 형성되는 제1 유전층;
    상기 제1 유전층과 제2 기판 사이에서, 상기 제2기판과 평행한 상태에서 상기 제1 방향과 수직되게 교차하는 제2 방향을 따라 벋어 형성되는 어드레스 전극; 및
    상기 방전셀 내에 형성되는 제1 형광체층을 포함하고,상기 제1 기판과 상기 격벽은 일체로 형성되고, 상기 격벽에는 상기 제1 방향을 따라 홈이 형성되며, 이 홈에 상기 제1 전극 및 제2 전극이 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 격벽은 제1 방향을 따라 형성되는 제1 격벽부재 및, 상기 제1기판과 평행한 상태에서 제1 격벽부재와 수직되게 교차하도록 형성되는 제2 격벽부재를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유전층과 상기 제2 기판 사이에는, 상기 제2 방향으로 이웃하는 방전셀들을 연통하는 개구부가 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 어드레스전극의 외면에 제2 유전층이 형성되고, 상기 제1 기판에 수직한 방향으로 측정되는 상기 제2 유전층의 길이는 상기 제1 기판에 수직한 방향으로 측정되는 상기 개구부의 길이와 서로 같게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 스페이서가 배치되고, 상기 스페이서에 의해 개구부가 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 어드레스 전극은 상기 제1 방향으로 이웃하는 방전셀들의 경계에 대응하여 형성되고, 상기 제1 방향을 향해 돌출 형성되는 돌출부를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 제2 전극에 대응하면서, 상기 제2 방향으로 이웃하는 방 전셀들의 경계를 지나도록 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 돌출부는 각 방전셀의 내부를 향해 돌출 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 어드레스 전극은 상기 제2 기판상에 형성되고 상기 방전셀의 내부를 지나는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 어드레스 전극의 외면에 제2 유전층이 형성되고, 상기 제2 유전층은 투명 유전층으로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 제2 방향을 따라 교대로 배열되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 형광체층은 제1 기판측에 형성되고, 상기 제1 기판으로부터 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극이 형성되는 높이보다 낮게 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 기판상에는 상기 방전셀에 대응하는 위치에 제2 형광체층이 형성되고,
    상기 제1 형광체층은 반사형 형광체로 형성되고, 상기 제2 형광체층은 투과형 형광체로 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제1 기판을 식각하여 홈 형상의 전극 형성부를 형성하는 단계;
    상기 전극 형성부에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮는 제1 유전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 유전층 및 상기 제1 기판을 함께 식각하여 방전공간을 형성하는 단계;
    상기 방전공간 내에 형광체층을 형성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전극 형성부 형성 단계는,
    상기 제1 기판 위에 레지스터를 도포하는 단계;
    상기 레지스터를 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 레지스터를 보호막으로 하여 상기 제1 기판을 식각하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 유전층 위에 상기 제1기판과 평행한 상태에서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 수직되게 교차하는 방향으로 어드레스 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 어드레스 전극을 형성하는 단계 이후, 상기 어드레스 전극을 덮는 제2 유전층을 패턴 인쇄하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 방전공간 형성단계는,
    상기 제1 유전층 위에 레지스터를 도포하는 단계;
    상기 레지스터를 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 레지스터를 보호막으로 하여 상기 제1 유전층 및 상기 제1 기판을 함께 식각하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 방전공간 형성 단계는 샌드 블라스트법에 의해 수행되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 방전 공간 형성단계에서 상기 방전공간은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하도록 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
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