KR100727885B1 - 10 bit digital/analog converter with new deglitch circuit and new 2-dimensionally hierarchical symmetric centroid switching order - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 CMOS를 이용한 D/A 변환기에 관한 것으로 특히, 영상 처리용 D/A 변환기에서 주파수적인 특성에 따라 변동이 심해지는 동적 규격을 만족하면서도 구조의 변화가 크게 일어나지 않도록 하기 위해 온도계 디코더의 복잡성을 감소시키고 선형성을 보장하는 혼합 구조 방식을 채택하여 상위 6비트는 중심형 전류원 매트릭스(Centroid Current Cell Matrix) 구조로, 하위 4비트는 2진 가중(Weighted Current Array) 구조와, 1차원(Dimension)적인 계층적 구조의 대칭 스위칭(Hierarchical Symmetric Switching)을 2차원으로 확장한 새로운 스위칭 방법을 이용하고, 정적, 동적 특성 모두를 만족시키기 위해 출력이 대칭인 글리치 억제 회로를 설계 채용한 영상 처리용 10비트 D/A 변환기를 제공함으로써 주파수 성능도 향상시키며 전류셀 매트릭스 내에서 추가의 보정 회로 설계 없이 10비트의 선형성을 유지하도록 한다.The present invention relates to a D / A converter using CMOS. In particular, the complexity of the thermometer decoder in order to satisfy the dynamic specification that fluctuates depending on the frequency characteristics in the D / A converter for image processing while the structure does not change significantly. The lower 6 bits are the centered current cell matrix structure, the lower 4 bits are the weighted current array structure, and 10-bit for image processing using a new switching method that extends hierarchical symmetric switching in two dimensions, and designing a glitch suppression circuit with symmetrical outputs to satisfy both static and dynamic characteristics Providing a D / A converter also improves frequency performance and eliminates the need for additional compensation circuit design within the current cell matrix. Try to maintain 10 bits of linearity.

글리칭 회로, 전류셀, 글리칭 억제Glitching Circuit, Current Cell, Glitch Suppression

Description

새로운 글리치 에너지 억제 회로와 새로운 2차원적 전류셀 스위칭 순서를 이용한 10비트 디지털/아날로그 변환기{10 BIT DIGITAL/ANALOG CONVERTER WITH NEW DEGLITCH CIRCUIT AND NEW 2-DIMENSIONALLY HIERARCHICAL SYMMETRIC CENTROID SWITCHING ORDER} 10-bit DIGITAL / ANALOG CONVERTER WITH NEW DEGLITCH CIRCUIT AND NEW 2-DIMENSIONALLY HIERARCHICAL SYMMETRIC CENTROID SWITCHING ORDER}             

도 1은 본 발명에 따라 설계된 10비트 D/A 변환기의 전체회로도1 is an overall circuit diagram of a 10-bit D / A converter designed in accordance with the present invention.

도 2는 본 발명에 따라 제안된 글리치 에너지 억제(Deglitch Circuit)회로도2 is a proposed glitch energy suppression circuit diagram according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따라 제안된 글리치 글리치 에너지 억제 회로의 입출력 파형 예시도3 is an exemplary input / output waveform of a glitch glitch energy suppression circuit proposed according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따라 제안된 글리치 글리치 에너지 억제 회로의 D&D_bar 파형과 U&U_bar 파형 예시도4 is an exemplary D & D_bar waveform and a U & U_bar waveform of the proposed glitch glitch energy suppression circuit according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따라 제안된 글리치 억제 회로의 특성곡선5 is a characteristic curve of the proposed glitch suppression circuit according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따라 제안된 새로운 2차원적 전류셀 스위칭 순서 예시도6 illustrates a new two-dimensional current cell switching sequence proposed in accordance with the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 전류원 바이어스(Bias) 회로도7 is a circuit diagram of a current source bias circuit according to the present invention.

도 8은 상위비트(1MSB) 스위치 전류원 회로도8 is an upper bit (1MSB) switch current source circuit diagram.

도 9는 하위비트(1,2,4,8 MSB) 스위치 전류원 회로도9 is a lower bit (1, 2, 4, 8 MSB) switch current source circuit diagram.

본 발명은 CMOS를 이용한 D/A 변환기에 관한 것으로 특히, 10비트 D/A 변환기에 관한 것이다.The present invention relates to a D / A converter using CMOS, and more particularly, to a 10-bit D / A converter.

근래의 무선 통신(Wireless Communication), 음성, 영상 신호 처리(Voice, Image Signal Processing), 비대칭 가입자 선로(ADSL : Asymmetric Digital Subscriber Line), 측정 장비(Measurement Equipment) 등의 발달은, 기존의 영상 신호 처리용과 음성 신호 처리용 D/A 변환기에서 중요시되던 해상도(Resolution), 속도의 정적 규격 외에 동적 규격도 중요하게 되었다.Recent developments in wireless communication, voice, image signal processing (Voice, Image Signal Processing), asymmetric digital subscriber line (ADSL), measurement equipment (Measurement Equipment), etc. In addition to the static resolution of resolution and speed, which are important in D / A converters for audio and audio signal processing, dynamic specifications are also important.

일반적으로 동적 규격은 주파수적인 특성으로, 대역폭(Bandwidth)과 신호 대 잡음비(Signal to Noise, Spurious Free Dynamic Range)로 나타낸다.In general, the dynamic specification is a frequency characteristic, and is expressed in bandwidth and signal to noise (spurious free dynamic range).

따라서 CMOS 전류 구동 D/A 변환기는 고속 동작이 가능하면서도, 저전압, 저전력 소모의 장점을 가지고 있지만, 공정 변수 부정합과 전류원(Current Source)의 부정합 등으로 고해상도 응용이 제한되며, 고속 동작시 출력의 글리치 에너지로 인해 주파수 성능이 제한되는 단점이 있다.Therefore, CMOS current-driven D / A converters have the advantages of low voltage and low power consumption while enabling high-speed operation, but high resolution applications are limited due to process variable mismatch and current source mismatch. The disadvantage is that energy is limited in frequency performance.

특히, 영상 처리용으로 설계된 D/A 변환기의 경우, 속도와 해상도는 우수한 반면, 주파수가 높아질수록 신호대 잡음비 성능이 급격히 떨어지는 단점이 있었으며, 10비트 이상의 해상도를 유지하며, 주파수 특성을 향상시키기 위해서는 2000년 10월 IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 35, pp.1841-1852에 실린 A. R. Bugeja, B. S. Song, "A Self-Trimming 14b 100MS/s CMOS DAC"에 따른 오차 보정 회로(Calibration Circuit)를 사용하는 것이 바람직하지만, 이는 추가 회로로 인해 칩면적이 증가되고 설계의 복잡도와 시간이 늘어나는 단점이 있었다.In particular, D / A converters designed for image processing have excellent speed and resolution, but have a disadvantage in that signal-to-noise ratio performance decreases rapidly with higher frequencies. October IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 35, pp.1841-1852, AR Bugeja, BS Song, "A Self-Trimming 14b 100MS / s CMOS DAC" is recommended to use a calibration circuit, but this is due to the additional circuitry This has the disadvantage of increasing design complexity and time.

또한, 주파수 특성 향상을 위하여 참조문서 1(S. Chin, and C. Wu, "A 10-b 125-MHz CMOS Digital-to-Analog Converter with Threshold-Voltage Compensated Current source," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 29, pp. 1374-1380, Nov. 1994.)과 참조문서 2(T. Wu, C. Jih, J. Chen, and C. Wu, "A low glitch 10-bit 75-MHz CMOS Video D/A converter". IEEE J. Solid-State circuits, pp. 68-72 Jan. 1995.)에 언급되어진 글리치 억제 회로(Deglitch Circuit)를 설계하는 경우, 글리치 억제회로의 동작이 비대칭 스위칭 방법을 사용함으로 인해서 전류원 오차 유발의 문제도 있었다.See also S. Chin, and C. Wu, "A 10-b 125-MHz CMOS Digital-to-Analog Converter with Threshold-Voltage Compensated Current source," IEEE J. Solid-State Circuits , vol. 29, pp. 1374-1380, Nov. 1994. and Reference 2 (T. Wu, C. Jih, J. Chen, and C. Wu, "A low glitch 10-bit 75-MHz CMOS Video D / A converter ". When designing a glitch suppression circuit referred to in IEEE J. Solid-State circuits , pp. 68-72 Jan. 1995. There was also a problem of causing a current source error due to the use.

그동안 공정 및 구조상의 문제로 발생하는 무작위(Random) 오차 및 경사(Graded), 대칭(Symmetric) 오차를 줄이기 위해 많은 스위칭 방법들이 제안되어 왔다.Many switching methods have been proposed to reduce random and graded and symmetrical errors caused by process and structural problems.

그러나 제안된 스위칭 방법이 1차원적인 경우와, 2차원적인 방법이라도 행, 열 오차 모두를 줄이지 못하는 경우, 그리고 행, 열 디코더의 구조적인 제한으로 인해 매트릭스 구조에서는 이러한 방법이 효과적이지 못하다는 연구 결과가 다수 발표되고 있는 실정이다.However, the research results show that the proposed switching method is not effective in the matrix structure due to the one-dimensional, two-dimensional, non-row and column errors, and structural limitations of the row and column decoders. Many have been announced.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 CMOS를 이용한 D/A 변환기에 관한 것으로 특히, 영상 처리용 D/A 변환기에서 주파수적인 특성에 따라 변동이 심해지는 동적 규격을 만족하면서도 구조의 변화가 크게 일어나지 않도록 하기 위해 온도계 디코더의 복잡성을 감소시키고 선형성을 보장하는 혼합 구조 방식을 채택하여 상위 6비트는 중심형 전류원 매트릭스(Centroid Current Cell Matrix) 구조로, 하위 4비트는 2진 가중(Weighted Current Array) 구조로 구성되는 영상 처리용 10비트 D/A 변환기를 제공하는 데 있다. An object of the present invention for solving the above problems is directed to a D / A converter using CMOS, in particular, the structure of the D / A converter for image processing changes in the structure while satisfying the dynamic specification that fluctuates depending on the frequency characteristics In order to reduce the complexity of the thermometer decoder, a mixed structure scheme that reduces linearity and guarantees linearity, the upper 6 bits are the central current cell matrix structure, and the lower 4 bits are the weighted current. The present invention provides a 10-bit D / A converter for image processing having an array structure.

또한, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 1차원(Dimension)적인 계층적 구조의 대칭 스위칭(Hierarchical Symmetric Switching)을 2차원으로 확장한 새로운 스위칭 방법을 이용하여 전류셀 매트릭스 내에서 추가의 보정 회로 설계 없이 10비트의 선형성을 유지하도록 하는 영상 처리용 10비트 D/A 변환기를 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention to solve the above problems is to use a new switching method that extends the two-dimensional hierarchical symmetric switching (Dimension) hierarchical structure in the current cell matrix A 10-bit D / A converter for image processing to maintain 10-bit linearity without additional correction circuit design.

또한, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 목적은 주파수 성능도 향상시키며 정적, 동적 특성 모두를 만족시키기 위해 출력이 대칭인 글리치 억제 회로를 설계 채용한 영상 처리용 10비트 D/A 변환기를 제공하는 데 있다.
In addition, another object of the present invention to solve the above problems is to improve the frequency performance, 10-bit D / A for image processing that employs a glitch suppression circuit with a symmetrical output to satisfy both static and dynamic characteristics To provide a converter.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 영상 처리용 10비트 D/A 변환기의 특징은, 입력되는 디지털 2진 데이터를 상위비트와 하위비트로 구분하되 상위비트의 데이터를 입력받아 글리치 에너지를 줄이고 단조 증가성을 높이기 위하여 온도계 코드로 변환되어 64비트 형태로 출력하는 상위비트 온도계 디코더와; 하위 비트를 입력받아 상기 상위비트 온도계 디코더의 동작시간동안 지연시켜 출력하는 지연소자와; 상기 상위비트 온도계 디코더의 출력신호를 입력받아 논리상태의 변환시 신호를 지연시켜 글리치가 발생하지 않게 신호를 변환하여 출력하는 제 1글리치 에너지 억제 회로와; 상기 지연소자의 출력신호를 입력받아 논리상태의 변환시 신호를 지연시켜 글리치가 발생하지 않게 신호를 변환하여 출력하는 제 2글리치 에너지 억제 회로와; 상기 제 2글리치 에너지 억제 회로로부터 받은 신호를 전류로 변화하여 출력하여 디지털 값이 아날로그 값으로 변환되어 출력되게 하는 하위비트의 이진 가중 전류원; 및 상기 제 1글리치 에너지 억제 회로로부터 받은 신호를 전류로 변화하여 출력하여 디지털 값이 아날로그 값으로 변환되어 출력되게 하는 상위비트의 온도계 코드 전류원 메트릭스를 포함하되, 상기 전류원 메트릭스는 2차원의 계층 구조 및 대칭적 스위칭 순서를 갖는다.A feature of the 10-bit D / A converter for image processing according to the present invention for achieving the above object is to divide the input digital binary data into upper bits and lower bits, but to reduce the glitch energy and increase monotonism by receiving the upper bits of data. An upper bit thermometer decoder that converts the thermometer code into a 64-bit form to increase the sex; A delay element for receiving a lower bit and delaying the upper bit during an operation time of the upper bit thermometer decoder; A first glitch energy suppression circuit that receives the output signal of the higher-bit thermometer decoder and delays the signal when converting the logic state to convert the signal so that glitches are not generated and output the converted signal; A second glitch energy suppression circuit which receives the output signal of the delay element and converts the signal to delay the signal during conversion of the logic state so that the glitch does not occur; A binary weighted current source of a lower bit that converts the signal received from the second glitch energy suppression circuit into a current and outputs the converted digital value to an analog value; And a higher-order thermometer code current source matrix for converting the signal received from the first glitch energy suppression circuit into a current and outputting the converted digital value to an analog value, wherein the current source matrix includes a two-dimensional hierarchical structure and It has a symmetrical switching order.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 영상 처리용 10비트 D/A 변환기의 부가적인 특징은, 상기 상위비트 온도계 디코더의 출력신호를 입력받아 임의의 구동클럭에 동기시켜 상기 제 1글리치 에너지 억제 회로에 전달하는 제 1래치와; 상기 제 1래치의 구동클럭에 동기시켜 상기 지연소자의 출력신호를 입력받아 제 2글리치 에너지 억제 회로에 전달하는 제 2래치를 더 포함하는 데 있다.An additional feature of the 10-bit D / A converter for image processing according to the present invention for achieving the above object is that the output signal of the higher-bit thermometer decoder receives the first glitch energy suppression circuit in synchronization with an arbitrary drive clock A first latch delivered to; And a second latch configured to receive the output signal of the delay element in synchronization with the driving clock of the first latch and to deliver the output signal to the second glitchy energy suppression circuit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 영상 처리용 10비트 D/A 변환기의 부가적인 다른 특징은, 상기 상위비트 온도계 디코더는 6비트 온도계 디코더를 사용하는 데 있다.An additional feature of the 10-bit D / A converter for image processing according to the present invention for achieving the above object is that the higher-bit thermometer decoder uses a 6-bit thermometer decoder.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 영상 처리용 10비트 D/A 변환기의 부가적인 또 다른 특징은, 상기 상위비트의 온도계 코드 전류원 매트릭스는 상기 하위비트의 이진 가중 전류원의 동일한 전류 크기를 가지는 63개의 전류원 매트릭스 4개를 연결하여 구성하는 데 있다.An additional feature of the 10-bit D / A converter for image processing according to the present invention for achieving the above object is that the upper bit thermometer code current source matrix has the same current magnitude of the binary bit current source of the lower bit. It consists of connecting four matrix of current sources.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 영상 처리용 10비트 D/A 변환기의 부가적인 또 다른 특징은, 상기 하위비트의 이진 가중 전류원은 디코더 없이 입력 이진 비트에 의해 직접 구동되며, 이진 가중 전류원의 구현을 위하여 전류 미러(Current Mirror)를 이용하는 데 있다.An additional feature of the 10-bit D / A converter for image processing according to the present invention for achieving the above object is that the binary weighted current source of the lower bit is driven directly by an input binary bit without a decoder, The present invention is to use the current mirror (Current Mirror) for the implementation.

본 발명의 상술한 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 후술되는 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.The above object and various advantages of the present invention will become more apparent from the preferred embodiments of the present invention described below with reference to the accompanying drawings by those skilled in the art.

본 발명에 따라 제안된 10비트 D/A 변환기의 전체 구성 회로도는 첨부한 도 1에 도시되어 있는 바와 같은데, 제안된 회로는 상위 6비트 , 하위4비트의 혼합 구조 방식으로 설계되었으며, 회로는 6비트 온도계 디코더(110), 지연회로(140), 제 1 래치회로(120), 제 2 래치회로(150), 제 1 글리치 에너지 억제회로(Deglitch Circuit; 130), 제 1 글리치 에너지 억제회로(Deglitch Circuit; 160), LSB 전류원(170) 및 MSB전류원(180)회로로 이루어져 있다.The overall configuration of the proposed 10-bit D / A converter according to the present invention is shown in the accompanying Figure 1, the proposed circuit is designed in a mixed structure of the upper 6 bits, lower 4 bits, the circuit is 6 The bit thermometer decoder 110, the delay circuit 140, the first latch circuit 120, the second latch circuit 150, the first glitch energy suppression circuit 130, and the first glitch energy suppression circuit Deglitch Circuit 160, the LSB current source 170 and the MSB current source 180 circuit.

입력된 디지털 2진코드는 상위 6비트와 하위 4비트로 나누어져 변환되게 되는데, 상위 6비트는 글리치 에너지를 줄이고 단조 증가성을 높이기 위하여 6비트 온도계 디코더(110)를 통하여 온도계 코드로 변환되어 64비트 형태로 제 1래치 회 로(120)에 전달되지고, 하위 4비트는 상위 6비트가 온도계 코드로 변환되어 지는 시간과 맞추기 위하여 지연소자(140)를 통하여 제 2 래치회로(150)에 전달되어진다.The input digital binary code is divided into upper 6 bits and lower 4 bits, and the upper 6 bits are converted into thermometer codes through the 6-bit thermometer decoder 110 to reduce the glitch energy and increase monotonic growth. Form is transmitted to the first latch circuit 120, and the lower 4 bits are transmitted to the second latch circuit 150 through the delay element 140 to match the time when the upper 6 bits are converted into a thermometer code. .

상기 제 1, 제 2래치회로(120, 150)는 클럭(Clock)에 맞추어서 온도계 코드로 변환되어진 상위 비트와 하위 비트의 값을 제 1, 제 2글리치 에너지 억제 회로(Deglitch Circuit; 130, 160)에 전달하게 되고, 상기 제 1, 제 2글리치 에너지 억제 회로(Deglitch Circuit; 130, 160)는 신호를 지연시켜 글리치가 발생하지 않게 신호를 변환하여 전류원(170, 180)에 전달한다.The first and second latch circuits 120 and 150 convert the values of the upper and lower bits, which are converted into thermometer codes in accordance with a clock, to the first and second glitch energy suppression circuits 130 and 160. The first and second glitch energy suppression circuits (Deglitch Circuit 130, 160) delays the signal to convert the signal so that the glitch does not occur, and delivers it to the current source (170, 180).

전류원들은 글리치 에너지 억제 회로로부터 받은 신호를 전류로 변화하여 출력하여 디지털 값이 아날로그 값으로 변환되어 출력되게 된다.The current sources convert the signal received from the glitch energy suppression circuit into current and output the digital value by converting it into an analog value.

이때, 제안된 D/A 변환기는 상위 6비트의 온도계 코드 전류원단과 하위 4비트의 이진 가중 전류원단으로 구성되었다.In this case, the proposed D / A converter is composed of the upper 6 bit thermometer code current source and the lower 4 bit binary weighted current source.

온도계 코드 전류원단은 6비트 온도계 디코더(110), 제 1래치(120), 제 1글리치 에너지 억제회로(130), 전류원 매트릭스(180)로 이루어져있으며, 전류원 매트릭스(180)는 4LSB의 동일한 전류 크기를 가지는 63개의 전류원 매트릭스 4개를 연결하였다.The thermometer code current source consists of a 6-bit thermometer decoder 110, a first latch 120, a first glitch energy suppression circuit 130, and a current source matrix 180, the current source matrix 180 having the same current magnitude of 4LSB. Four 63 current source matrices with are connected.

이진 가중 전류원단은 4개의 전류원과 4개의 차동 전류 스위치, 지연단, 글리치 에너지 억제 회로로 구성되며, 디코더 없이 입력 이진 비트에 의해 직접 구동되며, 이진 가중 전류원의 구현을 위하여 전류 미러(Current Mirror)를 이용하였다.The binary weighted current source consists of four current sources, four differential current switches, a delay stage, and a glitch energy suppression circuit, which is directly driven by the input binary bits without a decoder, and is a current mirror for the implementation of binary weighted current sources. Was used.

입력 비트는 MSB(Most Significant Bit, 최상위비트) 블록은 6비트, LSB(Least Significant Bit, 최하위비트) 블럭은 4비트로 나뉘어 지는데, 상위단은 온도계 디코더(110)를 통해 64개의 온도계 코드로 디코딩되며, 여분인 한개의 온도계 코드는 더미로 연결한다.The input bits are divided into 6 bits for the Most Significant Bit (MSB) block and 4 bits for the Least Significant Bit (LSB) block.The upper end is decoded into 64 thermometer codes by the thermometer decoder 110. One thermometer cord that is extra connects into a stack.

또한, 출력된 온도계 코드는 반전된 신호와 함께 제 1글리치 에너지 억제 회로(130)에 차동으로 입력되며, 상기 제 1글리치 에너지 억제 회로(130)에서는 입력된 신호를 동기화시키며 참조번호 180a로 지칭되는 각 셀 내부의 차동전류원 스위치를 구동시킨다.In addition, the output thermometer code is differentially input to the first glitch energy suppression circuit 130 together with the inverted signal, and the first glitch energy suppression circuit 130 synchronizes the input signal and is referred to by reference numeral 180a. The differential current source switch inside each cell is driven.

반면에, 하위단에서는 제 2글리치 억제 회로(160)를 통해 참조번호 170으로 지칭되는 하위 전류원 내부의 차동 전류원 스위치를 직접 구동한다.On the other hand, at the lower stage, the second current suppression circuit 160 directly drives the differential current source switch inside the lower current source referred to by reference numeral 170.

이때, 상, 하위단을 구동하여 생성된 출력전류(Iout)와 출력 전압(Vout)은 수학식 1과 수학식 2로 표시되며, 수학식 3과 같이 MSB 전류원 하나의 전류 크기는 이진 가중 전류원단에서 최하위 비트에 해당하는 전류원보다 4배 큰 전류 크기를 가진다. At this time, the output current Iout and the output voltage Vout generated by driving the upper and lower stages are represented by Equations 1 and 2, and as shown in Equation 3, the current magnitude of one MSB current source is a binary weighted current source. Has a current magnitude that is four times greater than the least significant bit of the current source.

Figure 112003017872417-pat00001
Figure 112003017872417-pat00001

상기 수학식 1에서 bx는 입력 디지털 비트를 나타낸다.In Equation 1, bx represents an input digital bit.

Figure 112003017872417-pat00002
Figure 112003017872417-pat00002

상기 수학식 2에서 RLOAD는 외부 저항의 크기를 나타낸다. In Equation 2, R LOAD represents the magnitude of the external resistor.

또한, MSB 전류원 하나의 전류 크기는Also, the current magnitude of one MSB current source

Figure 112003017872417-pat00003
(3.3)
Figure 112003017872417-pat00003
(3.3)

상기 수학식 3에서 IMSB는 전류 셀 하나의 전류, ILSB는 이진 가중 전류원단에서 최하위 비트에 해당하는 전류원의 전류 크기를 나타낸다. In Equation 3, I MSB represents a current of one current cell, and I LSB represents a current magnitude of a current source corresponding to the least significant bit in a binary weighted current source.

첨부한 도 2는 본 발명에 따라 제안된 글리치 에너지 억제(Deglitch Circuit)회로도이며, 도 3은 본 발명에 따라 제안된 글리치 글리치 에너지 억제 회로의 입출력 파형 예시도이고, 도 4는 본 발명에 따라 제안된 글리치 글리치 에너지 억제 회로의 D&D_bar 파형과 U&U_bar 파형 예시도이다.FIG. 2 is a glitch energy suppression circuit diagram proposed according to the present invention, FIG. 3 is an exemplary input and output waveform diagram of a glitch energy suppression circuit proposed according to the present invention, and FIG. 4 is proposed according to the present invention. D & D_bar and U & U_bar waveforms are shown for the glitch glitch energy suppression circuit.

기본적인 원리는 입력 신호의 교차지점(Crossing point)을 N형 트랜지스터의 경우 VDD쪽으로, P형의 경우 그라운드 쪽으로 이동시켜, 스위칭시 두 개 중 어느 한 개는 항상 도통 상태로 둠으로서 동시에 꺼지게 되는 것을 방지 할 수 있다. The basic principle is to move the crossing point of the input signal to VDD for N-type transistors and to ground for P-type transistors, so that either of them is always in conduction during switching to prevent them from turning off at the same time. can do.

선행 발표된 논문들의 살펴보면, 상승, 하강 시간을 다르게 하는 비대칭(Asymmetry) 출력과 상승 또는 하강직전에 약간의 지연시간을 이용하여 교차지점을 변경시키는 두 가지 방법이 있었다. 전자의 경우에는 입력신호의 비대칭으로 인해 전류원 출력의 비대칭 문제가 있어 후자의 방법이 선호된다. In the previous papers, there are two ways to change the intersection point by using asymmetry output with different rise and fall times and a slight delay just before rise or fall. In the former case, the latter method is preferred because of the asymmetry of the current source output due to the asymmetry of the input signal.

회로의 기본 구조 및 동작은 다음과 같다. 회로의 출력이 대칭적으로 출력될 수 있도록 설계시 주안점을 두었기 때문에 신호의 경로 역시 대칭적으로 동작하도 록 만들었다. 두 개의 인버터를 마주보게 하면서 각각을 래치로 연결시켰으며 바이어스 된 지연소자를 추가하였다. The basic structure and operation of the circuit are as follows. The design of the circuit allows the output of the circuit to be symmetrical, so the path of the signal is also symmetrical. With two inverters facing each other, each was latched and an additional biased delay element was added.

이때 바이어스 된 지연소자(M5, M6)의 (W/L)비는 후술하는 수학식 9의 관계에 의해서 정해 주어야 한다.At this time, the (W / L) ratio of the biased delay elements M5 and M6 should be determined by the relationship of Equation 9 to be described later.

소자를 통한 신호의 상승시간과 하강시간을 각각 수학식으로 정의하면, 상승시간은 수학식 4로 정의되며, 하강시간은 수학식 5로 정의된다.If the rise time and fall time of the signal through the device is defined by the equation, respectively, the rise time is defined by equation (4), the fall time is defined by equation (5).

Figure 112003017872417-pat00004
Figure 112003017872417-pat00004

Figure 112003017872417-pat00005
Figure 112003017872417-pat00005

상기 수학식 4와 수학식 5에서 변수

Figure 112003017872417-pat00006
는 수학식 6과 같이 정의된다.Variables in Equations 4 and 5
Figure 112003017872417-pat00006
Is defined as in Equation 6.

Figure 112003017872417-pat00007
Figure 112003017872417-pat00007

또한, 수학식 4와 수학식 5에서 변수

Figure 112003017872417-pat00008
의 관계는 수학식 7과 같이 정의된다.In addition, the variables in Equations 4 and 5
Figure 112003017872417-pat00008
Is defined as in Equation 7.

Figure 112003017872417-pat00009
(3.7)
Figure 112003017872417-pat00009
(3.7)

따라서 MOS 게이트의 평균 지연시간

Figure 112003017872417-pat00010
는 아래의 수학식 8에 의해서 계산되어진다. Therefore, average delay time of MOS gate
Figure 112003017872417-pat00010
Is calculated by Equation 8 below.

Figure 112003017872417-pat00011
Figure 112003017872417-pat00011

상기 수학식 8에서 다음과 같은 수학식 9와 같은 관계를 확인할 수 있다.In Equation 8, a relationship as shown in Equation 9 below may be confirmed.

Figure 112003017872417-pat00012
Figure 112003017872417-pat00013
하고
Figure 112003017872417-pat00012
Figure 112003017872417-pat00013
and

따라서 온도계 코드 및 이진 코드의 입력 신호들은 인버터를 통과하여 차동 신호로 변환된 후, 글리치 억제회로의

Figure 112003017872417-pat00014
Figure 112003017872417-pat00015
로 입력된다.Therefore, the input signals of the thermometer code and the binary code pass through the inverter and are converted into differential signals.
Figure 112003017872417-pat00014
Wow
Figure 112003017872417-pat00015
Is entered.

Figure 112003017872417-pat00016
에 논리상태 High(Low),
Figure 112003017872417-pat00017
에 논리상태 Low(High)가 입력되면
Figure 112003017872417-pat00018
,
Figure 112003017872417-pat00019
의 값은 논리상태 High(Low)가 되며,
Figure 112003017872417-pat00020
,
Figure 112003017872417-pat00021
는 논리상태 Low(High)의 값을 출력한다.
Figure 112003017872417-pat00016
Logic state at High (Low),
Figure 112003017872417-pat00017
When logic state Low (High) is input to
Figure 112003017872417-pat00018
,
Figure 112003017872417-pat00019
The value of becomes the logic state High (Low),
Figure 112003017872417-pat00020
,
Figure 112003017872417-pat00021
Outputs the value of the logic state Low (High).

바이어스 된 트랜지스터M5, M6는 일종의 지연 소자로서 논리상태"High"에서 논리상태 "Low"로 출력이 변환될 때 출력신호의 지연을 유발시킨다. 또한 상, 하 래치단과 함께 스위치 트랜지스터로의 전하누설 효과를 감소시키는 역할도 하므로 전류원 스위치로의 입력값을 안정시킨다.The biased transistors M5 and M6 are a kind of delay element that cause a delay of the output signal when the output is switched from the logic state "High" to the logic state "Low". In addition, the upper and lower latch stages serve to reduce the effect of charge leakage to the switch transistor, thereby stabilizing the input value to the current source switch.

한편

Figure 112003017872417-pat00022
,
Figure 112003017872417-pat00023
에서의 출력은 상승신호부분에서 지연이 일어나 출력신호의 교차점이 하강하게 된다. 다만 출력 전압 스윙 폭이 작아져 전류원 스위치 구동속도 가 감소될 수 있으나, 스위치 전하누설도 감소되어 출력의 오차가 적어질 수 있다. 따라서 제안된 글리치 에너지 억제 회로를 이용하면, 전류원 스위치 트랜지스터의 종류에 상관없이 원하는 입력 신호를 선택해 사용할 수 있다. Meanwhile
Figure 112003017872417-pat00022
,
Figure 112003017872417-pat00023
The output at is delayed in the rising signal part, and the intersection of the output signal falls. However, the output voltage swing width may be reduced to reduce the current source switch driving speed, but the switch charge leakage may also be reduced to reduce the error of the output. Therefore, using the proposed glitch energy suppression circuit, the desired input signal can be selected and used regardless of the type of the current source switch transistor.

첨부한 도 5는 본 발명에 따라 제안된 글리치 억제 회로의 특성곡선을 보여주는 데, 최대 글리치는 스위칭이 가장 많이 일어나는 중간 값에서 발생했으며, 입력코드가 0111111111 --> 1000000000로 천이시 생성되었고, 모의실험 결과 그 값은 10.5 pVsec였다. Figure 5 shows the characteristic curve of the proposed glitch suppression circuit according to the present invention, the maximum glitch occurred at the intermediate value of the most switching, the input code was generated when the transition from 0111111111-> 1000000000, and simulated The result of the experiment was 10.5 pVsec.

첨부한 도 6은 본 발명에 따라 제안된 새로운 2차원적 전류셀 스위칭 순서 예시도로써, 2차원 계층 중심 구조, 대칭적 스위칭 순서 전류원 매트릭스(2D Hierachical Symmetric centroid switching sequencing current source matrix)를 나타낸 것이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a new two-dimensional current cell switching sequence proposed according to the present invention, and illustrates a two-dimensional hierarchical symmetric centroid switching sequencing current source matrix.

각 블록은 중심점을 기준으로 기준 블록과 대칭인 전류원 매트릭스를 배치하는 중심(centroid) 방식으로 레이아웃 되어 있으며, MSB 블럭에 입력이 들어갈 때, 기준 블록과 대칭인 블록의 동일한 순서의 전류원이 동시에 켜져, 각 스위치 순서마다 4LSB×4 블록 =16LSB의 전류를 출력하게 된다.Each block is laid out in a centroid manner in which a matrix of current sources symmetrical with the reference block is positioned with respect to the center point.When an input is input to the MSB block, current sources in the same order of the reference block and the symmetric block are simultaneously turned on. Each switch sequence will output 4LSB × 4 blocks = 16LSB of current.

기존의 계층적 대칭 스위칭 방법은 1차원적인 방법으로서 전류원 매트릭스 구조에 적용하기는 힘들었으나, 본 발명에서 제안하는 방법은 2차원으로 계층적 , 대칭식으로 스위칭 순서를 정하므로 매트릭스 구조에도 적용할 수 있는데, 스위칭 순서의 결정은 다음과 같은 방법을 따른다.Conventional hierarchical symmetrical switching method is a one-dimensional method, it was difficult to apply to the current source matrix structure, but the method proposed in the present invention can be applied to the matrix structure because the switching order is determined in two dimensions hierarchical, symmetrical In order to determine the switching order, the following method is used.

먼저 세로열의 계층구조, 대칭적 시퀀스 배열을 기준으로 하여 고정시킨 후, 가로열의 계층 구조, 대칭적 스위칭 순서의 시퀀싱 순서를 모든 경우의 순서대로 변경시키면서 가로와 세로가 마주하는 셀을 순서화하였다. 이를 부연 설명하면 다음과 같다. 상기 도 6의 셀 안의 숫자는 전류원이 켜지는 순서를 나타낸 것이다. 셀이 켜지는 순서를 보면, 1,2,3,4,5,6,7,8 번까지 서로 대각선 방향으로 켜지는 것을 볼 수 있다. 그 다음에 9,10,11,12,13,14,15,16이 켜지는 것을 볼 수 있다. 이때 1번과 9번은 가로방향으로 같은 줄에 위치하며, 또한 2번과 10번, 3번과 11번, 4번과 12번, 5번과 13번, 6번과 14번, 7번과 15번, 8번과 16번이 같은 줄에 있음을 볼 수 있다. 즉, 상기와 같은 순서로 전류셀은 켜지며, 스위칭 순서는 세로축만 보았을 경우 변함이 없다.First, the columns are fixed based on the hierarchical structure of the column and the symmetrical sequence arrangement, and then the cells facing each other are ordered while changing the sequencing order of the column structure and the symmetrical switching order. If this is explained in detail. The number in the cell of FIG. 6 represents the order in which the current source is turned on. If you look at the order in which the cells are turned on, you can see that 1,2,3,4,5,6,7,8 turns on diagonally with each other. Then you can see that 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15 and 16 are turned on. At this time, 1 and 9 are located on the same line in the horizontal direction, and also 2 and 10, 3 and 11, 4 and 12, 5 and 13, 6 and 14, 7 and 15 You can see that times, 8 and 16 are on the same line. That is, the current cells are turned on in the same order as described above, and the switching order does not change when only the vertical axis is viewed.

이런 순서를 적용하여 8*8의 지역 매트릭스내에서 행과 열 모두에서 경사오차와 대칭오차를 감소시키게 되었다. 대칭인 매트릭스내의 전류원이 동시에 켜지게 되므로 전체 전류원 매트릭스에서 시스템적으로 가지게 되는 경사오차를 서로 상쇄시키게 된다. 즉, 새로운 스위칭 방법과 중심 레이아웃 방법을 사용하여 이중의 오차 보정 효과를 볼 수 있다. By applying this order, the slope and symmetry errors are reduced in both rows and columns within the 8 * 8 local matrix. Since the current sources in the symmetric matrix are turned on at the same time, the slope error systematically in the entire current source matrix is canceled with each other. In other words, the new switching method and the central layout method can be used to achieve the double error correction effect.

전류원의 전류양은 바이어스단에서 조절한다. 3.3V의 저전압에서 210(=1024)단계의 전압을 표시하기 위해서 최소 출력 전압이 낮은 바이어스 회로가 필요하며, 따라서 개선형 캐스코드 바이어스 회로를 사용했다.The amount of current in the current source is adjusted at the bias stage. To display 2 10 (= 1024) steps at a low voltage of 3.3V, a bias circuit with a low minimum output voltage is needed, so an improved cascode bias circuit is used.

첨부한 도 7은 본 발명에 따른 전류원 바이어스(Bias) 회로도로서, 이 구조는 M1에서 VB1의 바이어스 전압을 조절하여 최소 포화 출력전압을 생성한다.7 is a circuit diagram of a current source bias circuit according to the present invention, which generates a minimum saturated output voltage by adjusting a bias voltage of VB1 at M1.

M1의 종횡비는 M2, M3의 종횡비보다 k배 작게함에 따라 아래의 수학식 10과 같이 바이어스 전압 VB1을 얻을 수 있다.As the aspect ratio of M1 is k times smaller than the aspect ratios of M2 and M3, the bias voltage VB1 can be obtained as shown in Equation 10 below.

Figure 112003017872417-pat00024
Figure 112003017872417-pat00024

이때, 캐스코드 전류원의 소자비 결정시 사용한 전류원 트랜지스터의 바이어스전압(VGS-VT)이 VB1의 값과 같으므로 1.2V를 대입하여 계산한다.At this time, since the bias voltage (VGS-VT) of the current source transistor used to determine the device ratio of the cascode current source is equal to the value of VB1, 1.2V is substituted.

여기서 VT는 문턱전압이고, ΔV는 M2와 M3의 소스와 드레인에 걸리는 포화전압으로 아래의 수학식 11로 나타내어진다.Here, VT is a threshold voltage, and ΔV is a saturation voltage applied to the sources and drains of M2 and M3, which is represented by Equation 11 below.

Figure 112003017872417-pat00025
Figure 112003017872417-pat00025

이상적으로 k가 4일 때 VB1이 VT+2ΔV가 되어 캐스코드 전류원이 모든 트랜지스터들이 포화영역의 가장자리에서 동작 최소 포화 출력전압이 2ΔV가 되지만, 벌크효과(bulk effect) 또는 공정변수 오차에 인해서 트랜지스터들이 포화영역에서 벗어날 수 있다. Ideally, when k is 4, VB1 becomes VT + 2ΔV, so the cascode current source will cause all transistors to operate at the edge of the saturation region with a minimum operating saturation output voltage of 2ΔV, but due to the bulk effect or process variable error It can escape from the saturation region.

따라서 M1의 k의 값을 5로 하여 캐스코드 전류원을 안정된 포화영역에서 동작하도록 한다. 이러한 개선형 캐스코드 바이어스 회로는 기존의 캐스코드 바이어스 회로보다 전류원의 포화전압 값을 약 VT정도 감소시켜 전체 D/A 변환기를 공급전압 3.3V로 동작시켰다. Therefore, the value of k of M1 is set to 5 so that the cascode current source operates in a stable saturation region. This improved cascode bias circuit reduces the saturation voltage of the current source by about VT compared to the conventional cascode bias circuit, operating the entire D / A converter at a supply voltage of 3.3V.

D/A 변환기의 외부 출력 저항을 50Ω으로 정한후, 총 전류의 합을 16mA로 하 면 아래의 수학식 12를 이용하여 소자비(W/L)와 단위 전류의 크기를 정할 수 있다.After setting the external output resistance of the D / A converter to 50Ω and adding the total current to 16mA, the device ratio (W / L) and the unit current can be determined using Equation 12 below.

Figure 112003017872417-pat00026
Figure 112003017872417-pat00026

N은 D/A 변환기의 해상도이며, ILSB은 단위 전류 크기이고,

Figure 112003017872417-pat00027
는 총 전류의 크기와 같다. 그러므로 계산된 소자비의 값은 약 0.3이며, 단위 전류의 크기는 15.64 uA이다.N is the resolution of the D / A converter, ILSB is the unit current magnitude,
Figure 112003017872417-pat00027
Is equal to the magnitude of the total current. Therefore, the calculated device ratio is about 0.3, and the unit current is 15.64 uA.

따라서 최소 면적과 소자비, 단위 전류의 크기를 고려하여 단위 전류원 트랜지스터의 소자비값은 3/9로 정했으며, 총전류에 해당하는 전압 스윙 값은 0.8V가 된다.Therefore, in consideration of the minimum area, device ratio, and unit current, the device ratio of the unit current source transistor is set to 3/9, and the voltage swing value corresponding to the total current is 0.8V.

첨부한 도 8은 상위비트(1MSB) 스위치 전류원 회로도로써, 전류원 트랜지스터 M1은 바이어스 전압 VB1에 의해 단위 전류를 생성하며, 스위칭 트랜지스터 M3,M4는 글리치 억제 회로로부터의 입력에 따라 전류의 방향을 조정한다.8 is an upper bit (1MSB) switch current source circuit diagram, in which the current source transistor M1 generates unit current by the bias voltage VB1, and the switching transistors M3 and M4 adjust the direction of the current according to the input from the glitch suppression circuit. .

출력임피던스와 INL과의 관계는 아래의 수학식 13과 같이 나타나므로, INL 특성을 좋게 하고 유한한 출력저항으로 인한 비선형을 줄이기 위해 캐스코드 트랜지스터 M2를 연결하였다.Since the relationship between the output impedance and INL is represented by Equation 13 below, the cascode transistor M2 is connected to improve the INL characteristics and reduce the nonlinearity due to the finite output resistance.

Figure 112003017872417-pat00028
Figure 112003017872417-pat00028

Iunit은 LSB 전류원이며, RL은 외부 저항의 크기, N은 전류원의 총 개수, Zimp 는 출력 임피던스의 크기이다. M2 트랜지스터가 캐스코드로 연결되면서 출력저항은 gm3ro3ro1에서 gm3gm2ro2ro3r o1으로 증가되었다. I unit is the LSB current source, RL is the external resistance, N is the total number of current sources, and Z imp is the output impedance. As the M2 transistor was cascoded, the output resistance increased from g m3 r o3 r o1 to g m3 g m2 r o2 r o3 r o1 .

또한, 첨부한 도 9는 하위비트(1,2,4,8 MSB) 스위치 전류원 회로도로써, 상위 전류원의 전류크기는 하위 전류원의 전류크기보다 4배가 크며, 전류원 매트릭스 4개에 동일한 입력신호를 받아, 4개의MSB 전류원이 동시에 켜지므로 총 16LSB의 크기가 된다. 트랜지스터 M1MSB, M2MSB의 소자비를 M1LSB, M2LSB의 소자비에 4배(×개)함으로써 상위 비트 전류원을 구현할 수 있다. In addition, Figure 9 is a lower bit (1, 2, 4, 8 MSB) switch current source circuit diagram, the current size of the upper current source is four times larger than the current size of the lower current source, and receives the same input signal to the four current source matrix Four MSB current sources are turned on simultaneously, resulting in a total size of 16LSB. The upper bit current source can be realized by four times (×) the device ratios of the transistors M1 MSB and M2 MSB to the device ratios of the M1 LSB and M2 LSB .

채널 길이를 크게 해 정합 특성을 향상시키기 위해 전류원 트랜지스터는 1LSB 크기의 전류원으로 4개를 묶어 구성한다. M3MSB, M4MSB는 차동쌍으로 구성되어 글리치 억제 회로에서 나오는 신호를 차동으로 입력시켜 전류방향을 제어한다. In order to improve the matching characteristics by increasing the channel length, the current source transistor is composed of four 1LSB-sized current sources. M3MSB and M4MSB are composed of differential pairs to control the current direction by differentially inputting the signal from the glitch suppression circuit.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.While the invention has been shown and described in connection with specific embodiments thereof, it is well known in the art that various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention as indicated by the claims. Anyone who owns it can easily find out.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 본 발명에 따른 글리치 에너지 억제 회로(Deglitch Circuit)을 사용할 경우 고속 동작시 출력에 글리치 에너지로 인 해 주파수 성능이 제한되는 단점을 해결할 수 있다.As described above, according to the present invention, when using the glitch energy suppression circuit (Deglitch Circuit) according to the present invention can solve the disadvantage that the frequency performance is limited due to the glitch energy in the output during high speed operation.

또한, 이러한 글리치 에너지를 효과적을 억제함으로써 고속 및 고해상도 D/A변환기 설계가 가능하다.In addition, by suppressing the glitch energy effectively, high speed and high resolution D / A converter designs are possible.

또한 제안하는 새로운 2차원적 전류셀 스위칭 순서를 이용하면 공정 및 구조상의 문제로 발생하는 경사오류와 계층적오류를 최소화 하여 고선형성을 유지할 수 있다. In addition, the proposed new two-dimensional current cell switching order can maintain high linearity by minimizing slope and hierarchical errors caused by process and structural problems.

또한, 본 발명에 따른 글리치 억제 회로와 새로운 2차원적 전류셀 스위칭 순서를 이용하면 정적 특성인 선형성과 동적 특성인 주파수 특성 모두를 향상 시킬 수 있다In addition, by using the glitch suppression circuit and the new two-dimensional current cell switching sequence according to the present invention, both linear and dynamic frequency characteristics, which are static characteristics, can be improved.

Claims (6)

입력되는 디지털 2진 데이터를 상위비트와 하위비트로 구분하되 상위비트의 데이터를 입력받아 글리치 에너지를 줄이고 단조 증가성을 높이기 위하여 온도계 코드로 변환되어 64비트 형태로 출력하는 상위비트 온도계 디코더와;An upper bit thermometer decoder that divides the input digital binary data into upper bits and lower bits but converts the thermometer data into a 64-bit form in order to reduce glitch energy and increase monotonous increase by receiving upper bits of data; 하위 비트를 입력받아 상기 상위비트 온도계 디코더의 동작시간동안 지연시켜 출력하는 지연소자와;A delay element for receiving a lower bit and delaying the upper bit during an operation time of the upper bit thermometer decoder; 상기 상위비트 온도계 디코더의 출력신호를 입력받아 논리상태의 변환시 신호를 지연시켜 글리치가 발생하지 않게 신호를 변환하여 출력하는 제 1글리치 에너지 억제 회로와;A first glitch energy suppression circuit that receives the output signal of the higher-bit thermometer decoder and delays the signal when converting the logic state to convert the signal so that glitches are not generated and output the converted signal; 상기 지연소자의 출력신호를 입력받아 논리상태의 변환시 신호를 지연시켜 글리치가 발생하지 않게 신호를 변환하여 출력하는 제 2글리치 에너지 억제 회로와;A second glitch energy suppression circuit which receives the output signal of the delay element and converts the signal to delay the signal during conversion of the logic state so that the glitch does not occur; 상기 제 2글리치 에너지 억제 회로로부터 받은 신호를 전류로 변화하여 출력하여 디지털 값이 아날로그 값으로 변환되어 출력되게 하는 하위비트의 이진 가중 전류원; 및 A binary weighted current source of a lower bit that converts the signal received from the second glitch energy suppression circuit into a current and outputs the converted digital value to an analog value; And 상기 제 1글리치 에너지 억제 회로로부터 받은 신호를 전류로 변화하여 출력하여 디지털 값이 아날로그 값으로 변환되어 출력되게 하는 상위비트의 온도계 코드 전류원 메트릭스를 포함하되,Including a higher-order thermometer code current source matrix for converting the signal received from the first glitch energy suppression circuit into a current to output a digital value is converted to an analog value, 상기 전류원 메트릭스는 2차원의 계층 구조 및 대칭적 스위칭 순서를 갖는 것을 특징으로 하는 10비트 D/A 변환기.Wherein said current source matrix has a two dimensional hierarchical structure and a symmetrical switching order. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상위비트 온도계 디코더의 출력신호를 입력받아 임의의 구동클럭에 동기시켜 상기 제 1글리치 에너지 억제 회로에 전달하는 제 1래치와;A first latch receiving an output signal of the higher bit thermometer decoder and synchronizing with an arbitrary drive clock to deliver the first signal to the first glitch energy suppression circuit; 상기 제 1래치의 구동클럭에 동기시켜 상기 지연소자의 출력신호를 입력받아 제 2글리치 에너지 억제 회로에 전달하는 제 2래치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 10비트 D/A 변환기.And a second latch configured to receive the output signal of the delay element in synchronization with the driving clock of the first latch and to transfer the output signal to the second glitchy energy suppression circuit. 제 1항 또는 제 2항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 상위비트 온도계 디코더는 6비트 온도계 디코더를 사용하는 것을 특징으로 하는 10비트 D/A 변환기.And the higher bit thermometer decoder uses a 6 bit thermometer decoder. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 상위비트의 온도계 코드 전류원 매트릭스는 상기 하위비트의 이진 가중 전류원의 동일한 전류 크기를 가지는 63개의 전류원 매트릭스 4개를 연결하여 구성하는 것을 특징으로 하는 10비트 D/A 변환기.And the upper bit thermometer code current source matrix is formed by connecting four 63 current source matrices having the same current magnitude of the lower bit binary weighted current source. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 하위비트의 이진 가중 전류원은 디코더 없이 입력 이진 비트에 의해 직 접 구동되며, 이진 가중 전류원의 구현을 위하여 전류 미러(Current Mirror)를 이용하는 것을 특징으로 하는 10비트 D/A 변환기.Wherein the lower bit binary weighted current source is directly driven by the input binary bit without a decoder, and uses a current mirror to implement a binary weighted current source. D/A 변환기의 2차원적 전류셀 스위칭 방법에 있어서,In the two-dimensional current cell switching method of the D / A converter, 세로열의 계층구조, 대칭적 시퀀스 배열을 기준으로 하여 고정하는 단계와,Fixing based on a hierarchical, symmetric sequence of columns; 가로열의 계층 구조, 대칭적 스위칭 순서의 시퀀싱 순서를 모든 경우의 순서대로 변경시키면서 가로와 세로가 마주하는 셀을 순서화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 방법.And ordering cells facing each other horizontally and vertically while changing the sequencing order of the columnar hierarchy and the symmetrical switching order in all cases.
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