KR100721479B1 - Method for making low density compound semiconductor quantum dots by interrupting growth time - Google Patents

Method for making low density compound semiconductor quantum dots by interrupting growth time Download PDF

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KR100721479B1 KR1020060000244A KR20060000244A KR100721479B1 KR 100721479 B1 KR100721479 B1 KR 100721479B1 KR 1020060000244 A KR1020060000244 A KR 1020060000244A KR 20060000244 A KR20060000244 A KR 20060000244A KR 100721479 B1 KR100721479 B1 KR 100721479B1
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Abstract

본 발명은 양자점 구조를 가지는 반도체 장치 제작시, 저밀도 양자점 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하기 위한 발명에 관한 것으로서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하고, 소정의 시간 동안 증착을 멈추고 대기하는 단계; d) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 c)를 반복하는 단계; 및 e) 상기 양자점 상에 덮개층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 장치의 제작 방법을 제공함으로써 저밀도 양자점을 갖는 반도체 장치를 구현할 수 있다.The present invention relates to an invention for manufacturing a semiconductor device having a low density quantum dot structure when manufacturing a semiconductor device having a quantum dot structure, comprising the steps of: a) preparing a substrate; b) forming a buffer layer on the substrate; c) depositing constituent elements of the compound semiconductor element by element, stopping deposition and waiting for a predetermined time; d) repeating step c) a predetermined number of times until a quantum dot structure of desired thickness is produced; And e) a method of manufacturing a compound semiconductor device having a quantum dot structure, including forming a cover layer on the quantum dots, thereby realizing a semiconductor device having low density quantum dots.

저밀도 양자점, 화합물 반도체, InAs, MBE, 단일 광자 광원 Low Density Quantum Dots, Compound Semiconductors, InAs, MBE, Single Photon Light Sources

Description

성장 시간 정지를 이용한 저밀도 화합물 반도체 양자점 제작방법{Method for making low density compound semiconductor quantum dots by interrupting growth time}Method for making low density compound semiconductor quantum dots by interrupting growth time}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 InAs 양자점 성장 방법에 있어서 시간별로 In 및 As의 셔터의 개폐를 설명하는 개념도.1 is a conceptual diagram illustrating opening and closing of shutters of In and As in time in an InAs quantum dot growth method according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제작된 양자점 구조를 가지는 반도체 장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of a semiconductor device having a quantum dot structure manufactured according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 3d는 본 발명의 일 실시예에 따라서 각각 (a) 성장 중단 시간이 5초, (b) 성장 중단 시간이 10초, (c) 성장 중단 시간이 20초 및 (d) 성장 중단 시간이 30초로 하여 InAs 양자점을 성장시킨 반도체 장치 샘플들의 AFM(Atomic Force Microscopic) 사진.3a to 3d are (a) growth stop time of 5 seconds, (b) growth stop time of 10 seconds, (c) growth stop time of 20 seconds and (d) growth stop time, respectively, according to one embodiment of the present invention. Atomic force microscopic (AFM) photographs of semiconductor device samples in which InAs quantum dots were grown in 30 seconds.

도 4는 도 3의 성장 중단 시간별 양자점 사진을 기반으로, 성장 중단 시간별 양자점 밀도의 관계를 도시한 그래프.FIG. 4 is a graph showing the relationship between quantum dot density by growth stop time based on the growth stop time quantum dot photograph of FIG.

본 발명은 양자점 구조를 가지는 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 화합물반 도체 양자점을 성장시킬 때 화합물 반도체를 구성하는 원소들의 증착을 원소별로 순차적으로 하고 각 원소의 증착 시간 사이에 성장 중단 시간을 두어 저밀도 양자점 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a quantum dot structure. In particular, when growing a compound semiconductor quantum dot, the deposition of the elements constituting the compound semiconductor is sequentially performed element by element, and a low density quantum dot is placed between growth times of each element. A method of manufacturing a semiconductor device having a structure.

일반적으로, 양자점은 캐리어(carrier)의 자유도가 0차원인 양자구조로서, 발광 다이오드(light emitting diode; LED), 레이저 다이오드(laser diode; LD), 수광 장치 등의 광전소자(opto-electronic device)나 단전자 트랜지스터 등의 전자 장치로 응용되어, 낮은 문턱 전류(threshold current), 높은 광 이득(optical gain) 및 낮은 온도 의존성의 특성을 제공한다. 이와 같은 특성을 갖는 양자점 응용장치는 차세대 장치로서 각광받고 있다.In general, a quantum dot is a quantum structure having a zero degree of freedom of a carrier, and includes an opto-electronic device such as a light emitting diode (LED), a laser diode (LD), and a light receiving device. It is applied to electronic devices such as single-electron transistors, and provides low threshold current, high optical gain, and low temperature dependency. Quantum dot application devices having such characteristics are in the spotlight as next generation devices.

특히 저밀도 양자점을 이용하면 단일 광자 광원(single photon light source) 장치를 개발할 수 있는데, 단일 광자 광원이라는 것은 하나의 광자만을 방출하는 광원으로서 양자역학의 얽힘 현상(entanglement)을 이용한 양자 암호화(quantum cryptography) 기술을 실현하기 위해서는 필수적으로 필요한 장치이다. 단일 광자 광원을 이용한 양자 암호와 기술에 관해서는 챨스 산토리, 매튜 펠톤, 글렌 솔로몬, 옙술 데일 및 요시히사 야마모토의 2001년도 피지컬 리뷰 레터지, 볼륨 86, 8권, 1502페이지의 "Triggered Single Photon from a Quantum Dot"을 참조하라. 단일 광자 광원 장치를 구현하기 위해서는 현재 양자점 형성에 대표적으로 사용되고 있는 InAs/GaAs 양자점이 1~2개/μm2 이하의 저밀도로 제작되어야 한다.In particular, low-density quantum dots can be used to develop single photon light source devices. A single-photon light source is a light source that emits only one photon and uses quantum cryptography. It is an essential device to realize the technology. For quantum cryptography and techniques using single-photon light sources, see "Triggered Single Photon from a" by Charles Suntory, Matthew Pelton, Glen Solomon, Chesul Dale, and Yoshihiyama Yamamoto's 2001 Physical Review Letter, Volume 86, Volume 8, page 1502. Quantum Dot ". In order to realize a single-photon light source device, InAs / GaAs quantum dots, which are currently used for quantum dot formation, should be manufactured at a low density of 1 to 2 / μm 2 or less.

양자점을 제작하는 방법은 격자상수의 부정합을 이용한 자발적 성장방법인 S-K(Stranski-Krastanov) 성장법, 원자층을 교대로 성장시키는 원자층 에피턱시(Atomic Layer Epitaxy, ALE) 및 분자빔 에피턱시(Molecular Beam Epitaxy; MBE)를 이용하는 방법 등이 있다. 이중, MBE 장비를 사용하여 저밀도 InAs 양자점을 만드는 방법에는 여러 가지가 있다. 종래의 방법은 In 셀 온도, As 셀 온도, Ga 셀 온도, 성장 기판 온도, In 증착 시간, As 증착 시간 등의 인자들을 조정해서 저밀도 InAs/GaAs 양자점을 만들어왔다. 저밀도 양자점 제작에 관해서는 지 선, 펭 진 및 장-구오 왕의 2004년도 나노테그놀로지지의 볼륨 15, 1763페이지부터 1766페이지의 "Extremely low density InAs quantum dots realized in situ on (100) GaAs"를 참조하라.The quantum dot fabrication method includes the Stranski-Krastanov (SK) growth method, a spontaneous growth method using mismatch of lattice constants, atomic layer epitaxy (ALE) and molecular beam epitaxial growth of alternating atomic layers. (Molecular Beam Epitaxy; MBE). Among these, there are several ways to make low density InAs quantum dots using MBE equipment. Conventional methods have made low density InAs / GaAs quantum dots by adjusting factors such as In cell temperature, As cell temperature, Ga cell temperature, growth substrate temperature, In deposition time, As deposition time. For low-density quantum dot fabrication, see “Extremely low density InAs quantum dots realized in situ on (100) GaAs” on page 15 , 1763 to 1766, by Ji Sun, Feng Jin and Zhang-Guo Wang. See also.

하지만, MBE 장비를 이용한 양자점 형성 방법에 있어서 상술한 바와 같은 셀이나 성장 기판의 온도를 변화시키는 종래의 양자점 생성 방법을 사용하려면 셀이나 기판의 온도를 균일하게 상승시키기 위해 고가의 장비가 별도로 필요하고, In이나 As의 증착 시간을 조정해서는 In과 As의 성분 비율이 변경될 수 있어 원하는 구성비를 갖는 InAs 양자점의 제작이 어려운 문제가 있다.However, in the quantum dot formation method using the MBE equipment, in order to use the conventional quantum dot generation method of changing the temperature of the cell or the growth substrate as described above, expensive equipment is required to increase the temperature of the cell or the substrate uniformly. By adjusting the deposition time of In or As, the component ratio of In and As can be changed, making it difficult to manufacture InAs quantum dots having a desired composition ratio.

본 발명의 목적은 In 증착과 As 증착을 동시에 하지 않고, 별개의 단계에서 증착을 하며 In 증착과 As 증착 단계 사이에 성장이 없는 성장 중단 시간을 두어 저밀도로 양자점이 생성되도록 하는 저밀도의 양자점을 제작하기 위한 새로운 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to produce a low-density quantum dot to produce a quantum dot at a low density by the deposition in a separate step without the In deposition and As deposition, with a growth stop time without growth between the In deposition and the As deposition step To provide a new way to do this.

본 발명은 기판이나 셀의 온도를 이용하여 저밀도 양자점을 생성하지 않으므 로 온도 제어를 위한 별도의 장치가 필요하지 않으며, In 증착 시간과 As 증착 시간을 독립적으로 제어하여 InAs의 구성비, 즉 단위 In 원자에 결합된 As의 원자 수를 조정하고 성장 중단 시간을 변화시켜 밀도를 제어하므로 InAs의 구성비와 독립해 원하는 밀도의 양자점을 제작할 수 있는 장점이 있다. 이에 추가해, MBE 장비는 장치의 구조상 셔터를 각 셀마다 장착하고 있으므로, 본 발명의 실시를 위해서는 기존 MBE 장비의 개조 없이, 즉 추가 비용 없이 본 발명을 실시할 수 있는 장점이 있다.Since the present invention does not generate low-density quantum dots using the temperature of the substrate or the cell, there is no need for a separate device for temperature control, and the composition ratio of InAs, that is, unit In atoms by independently controlling In deposition time and As deposition time Density is controlled by adjusting the number of atoms of As bonded to and controlling the growth stop time, thereby producing a quantum dot having a desired density independent of the composition ratio of InAs. In addition, since the MBE equipment is equipped with a shutter for each cell in the structure of the device, the present invention has the advantage that the present invention can be carried out without modification of the existing MBE equipment, that is, without additional cost.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 장치의 제작 방법에 있어서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 화합물 반도체의 구성 원소를 원소별로 증착하고 소정의 시간 동안 증착을 멈추고 대기하는 단계; d) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 c를 반복하는 단계; 및 e) 상기 양자점 상에 덮개층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 장치의 제작 방법을 제공한다.According to one embodiment of the present invention, a method of fabricating a compound semiconductor device having a quantum dot structure comprising the steps of: a) preparing a substrate; b) forming a buffer layer on the substrate; c) depositing constituent elements of the compound semiconductor element by element and stopping deposition and waiting for a predetermined time; d) repeating step c above a predetermined number of times until a quantum dot structure having a desired thickness is produced; And e) forming a cover layer on the quantum dots.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 저밀도 화합물 반도체 양자점 구조 제작하기 위해서, 상업적으로 판매하고 있는 GaAs 기판 위에 GaAs 버퍼를 증착한다. 이 버퍼는 GaAs 기판에 있는 불순물 또는 산화막을 제거한 후 성장된다. 약 20nm 두께의 GaAs 시드 층(seed layer)을 증착한다. 이 시드 층의 다수의 역활이 있는데, 그 중 하나는 후속으로 증착될 양자점이 기판에 잘 부착되어 성장이 용이하게 되도 록 촉진하는 역할을 한다. 이 시드층 위에 InAs와 같은 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하되, 상기 구성 원소별 증착 시간 사이에 소정의 시간 동안 증착을 멈춘다. 증착이 멈추는 시간은 원소 종류에 상관없이 동일해도 되고, 원소별로 상이해도 된다. 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하되 일정 시간의 증착 정지 시간을 가지는 방법을 반복해서 행한다. 도 1은 본 발명의 핵심 사항인 화합물 반도체에서 구성 원소들을 원소별로 증착하되 성장 중단 시간이 포함된 셔터의 움직임에 관한 모식도이다. 양자점 성장시 In 셔터를 적정시간 연후 모든 셔터를 닫고 다시 As 셔터를 적정시간 연후 다시 모든 셔터를 닫는 과정을 여러 번 반복하여 양자점을 성장시켰다. 여기서 모든 셔터를 닫는 성장 중단 시간을 조절하여 원하는 밀도의 양자점을 얻을 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a GaAs buffer is deposited on a commercially available GaAs substrate to fabricate a low density compound semiconductor quantum dot structure. This buffer is grown after removing impurities or oxide films on the GaAs substrate. A GaAs seed layer of about 20 nm thickness is deposited. There are a number of roles in this seed layer, one of which serves to facilitate quantum dots to be subsequently deposited and to facilitate growth. The constituent elements of the compound semiconductor such as InAs are deposited on the seed layer for each element, and the deposition is stopped for a predetermined time between the constituent elements. The time at which deposition stops may be the same or different for each element, regardless of the element type. The constituent elements of the compound semiconductor are deposited element by element until a quantum dot structure having a desired thickness is formed, but the method having a deposition stop time of a predetermined time is repeatedly performed. 1 is a schematic diagram of the movement of the shutter including the growth stop time while depositing the constituent elements by element in the compound semiconductor which is the core of the present invention. In quantum dot growth, the quantum dots were grown by repeating the In shutter for a proper time and closing all the shutters and the As shutter for a proper time and then closing all the shutters. Here, the growth stop time of closing all shutters can be adjusted to obtain a quantum dot of a desired density.

도 2는 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 구조를 가지는 반도체 장치를 도시하는 단면도이다. 본 반도체 장치의 구조 제작에 사용된 장비는 MBE 장비로 영국 소재의 VG semicon사의 V80 장비이다. 장비의 진공 유지를 위해 이온 펌프를 사용하고 있으며, 액화질소를 충전하고 성장 시작 전의 진공은 약 2.5 x 10-11 torr이고, 성장 중의 진공은 약 2 x 10-7 torr이었다. 본 장비에는 2개의 Ga 공급원, 1개의 In 공급원, 1개의 As 공급원이 장착되어 있다. As/Ga의 압력 비율은 약 10:1이다. GaAs 기판을 600℃로 가열시켜서 기판 표면의 산화막을 제거한 후, 기판의 온도를 580℃로 낮추어 약 100 nm 두께의 GaAs를 버퍼(buffer)로서 성장시 켰다. 이후 4600℃의 양자점 성장 온도에서 도 2의 양자점 구조를 제작하였다.2 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device having a quantum dot structure according to an exemplary embodiment of the present invention described above. The equipment used to fabricate the structure of this semiconductor device is MBE equipment, VG equipment of VG semicon of UK. An ion pump was used to maintain the vacuum of the equipment, and the vacuum prior to filling the liquid nitrogen and starting the growth was about 2.5 x 10 -11 torr, and the vacuum during growth was about 2 x 10 -7 torr. The equipment is equipped with two Ga sources, one In source and one As source. The pressure ratio of As / Ga is about 10: 1. After the GaAs substrate was heated to 600 ° C. to remove the oxide film on the substrate surface, the temperature of the substrate was lowered to 580 ° C. to grow GaAs having a thickness of about 100 nm as a buffer. Thereafter, the quantum dot structure of FIG. 2 was manufactured at a quantum dot growth temperature of 4600 ° C.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 원하는 두께의 양자점 층을 획득한 후에는, 외부의 습기나 정전기 등으로부터 양자점 층을 보호하기 위한, 덮개층이 증착될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, after obtaining a quantum dot layer having a desired thickness, a cover layer may be deposited to protect the quantum dot layer from external moisture, static electricity, and the like.

도 3은 양자점 성장 후 열적 어닐링을 행한 후 샘플을 AFM으로 찍은 사진이다. 도 3a 내지 3d의 양자점 구조는 모두 In 증착 시간이 9.3초이고 As 증착 시간은 2초로 제작되었으며 In 증착과 As 증착을 3회씩 반복하여 만든 양자점 샘플이다. 도 3a는 성장 중단 시간이 5초인 샘플이며 1.76×1010개/cm2의 양자점 밀도를 가진다. 도 3b는 성장 중단 시간이 10초인 샘플이며 1.60×1010개/cm2의 양자점 밀도를 가진다. 도 3c는 성장 중단 시간이 20초인 샘플이며 1.12×1010개/cm2의 양자점 밀도를 가진다. 도 3d는 성장 중단 시간이 30초인 샘플이며 2.00×109개/cm2의 양자점 밀도를 가진다. 따라서 본 실시 예에 의하면 본 발명에서 제시하는 저밀도 양자점 성장 방법을 이용해서 원하는 밀도의 양자점을 획득하기 위한 최적의 성장 중단 시간을 찾을 수 있다.3 is a photograph taken with AFM after thermal annealing after quantum dot growth. The quantum dot structures of FIGS. 3A to 3D are both quantum In deposition time of 9.3 seconds and As deposition time of 2 seconds, and are quantum dot samples made by repeating In deposition and As deposition three times. 3A is a sample with a growth stop time of 5 seconds and has a quantum dot density of 1.76 × 10 10 holes / cm 2 . 3B is a sample with a growth stop time of 10 seconds and has a quantum dot density of 1.60 × 10 10 holes / cm 2 . 3C is a sample with a growth stop time of 20 seconds and has a quantum dot density of 1.12 × 10 10 holes / cm 2 . 3D is a sample with a growth stop time of 30 seconds and has a quantum dot density of 2.00 × 10 9 holes / cm 2 . Therefore, according to the present embodiment, it is possible to find an optimal growth stop time for acquiring a quantum dot having a desired density by using the low density quantum dot growth method of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 성장 중단 시간별 양자점 사진을 기반으로, 성장 중단 시간별 양자점 밀도의 관계를 도시한 그래프이다. 특히, 당업자가 도 4로부터 인식할 수 있는 바와 같이 성장 중단 시간의 증가에 따라 양자점의 밀도가 선형적인 감소보다도 더 급속하게 줄어드므로, 소정의 성장 중단 시간을 이용해서 실용화 가 능한 저밀도 InAs 양자점을 얻을 수 있음을 알 수 있다. 도 4에서 보여준 것처럼 본 발명을 이용하면 성장 중단 시간을 5초에서 30초로 변화시켜 최대 cm2당 1.76×1010개에서 최소 2.00×109개에 이르는 양자점 밀도를 얻을 수 있다. 본 발명을 이용하면 기존의 온도나 증착 시간 인자들을 조정하는 저밀도 InAs 양자점을 제작 방법보다도 용이하게 원하는 저밀도의 양자점 구조를 제작할 수 있다.FIG. 4 is a graph illustrating a relationship between quantum dot densities at each growth stop time based on the quantum dot pictures of growth stop times shown in FIG. 3. In particular, as one skilled in the art can recognize from FIG. 4, as the growth stop time increases, the density of the quantum dots decreases more rapidly than the linear decrease, so that a low density InAs quantum dot that can be put to practical use using a predetermined growth stop time is used. It can be seen that. As shown in FIG. 4, the growth stop time may be changed from 5 seconds to 30 seconds to obtain a density of quantum dots ranging from 1.76 × 10 10 to at least 2.00 × 10 9 per cm 2 . According to the present invention, a low-density quantum dot structure can be fabricated more easily than a low-density InAs quantum dot adjusting existing temperature or deposition time factors.

본 발명을 이용하여 제작된 저밀도의 양자점을 갖는 반도체 장치를 이용하여, 한 개의 양자점에서 한 개의 광자가 방출되는 단일광자 광원(single photon light source)을 용이하게 구현할 수 있다.Using a semiconductor device having a low density quantum dot manufactured using the present invention, it is possible to easily implement a single photon light source in which one photon is emitted from one quantum dot.

Claims (18)

저밀도 화합물 반도체 양자점 구조 제작 방법에 있어서,In the low density compound semiconductor quantum dot structure manufacturing method, a) 상기 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하되, 상기 구성 원소별 증착 시간 사이에 소정의 시간 동안 증착을 멈추는 단계; 및a) depositing constituent elements of the compound semiconductor element by element, and stopping deposition for a predetermined time between deposition times of the constituent elements; And b) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 a)를 반복하는 단계b) repeating step a) a predetermined number of times until a quantum dot structure of desired thickness is produced; 를 포함하는 저밀도 화합물 반도체 양자점 구조 제작 방법.Low density compound semiconductor quantum dot structure manufacturing method comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화합물 반도체는 InAs, In(Al)GaAs(P), InP, InGaP, Si(Ge), Zn(Cd)Se를 포함하는 제작 방법.The compound semiconductor includes InAs, In (Al) GaAs (P), InP, InGaP, Si (Ge), Zn (Cd) Se. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소정의 시간은 증착되는 상기 화합물 반도체의 상기 구성 원소 종류에 따라 상이한 제작 방법.Wherein said predetermined time is different depending on the kind of constituent elements of said compound semiconductor being deposited. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소정의 시간은 증착되는 상기 화합물 반도체의 상기 구성 원소의 종류에 상관없이 동일한 제작 방법.Wherein said predetermined time is the same regardless of the type of said constituent element of said compound semiconductor being deposited. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착하는 단계는 MBE(molecular beam epitaxy) 장비 또는 MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) 장비를 이용하여 수행하는 제작 방법.The deposition step is performed using a molecular beam epitaxy (MBE) equipment or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) equipment. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 저밀도 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 소자의 제작 방법에 있어서,In the manufacturing method of a compound semiconductor device having a low density quantum dot structure, a) 기판을 준비하는 단계;a) preparing a substrate; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계;b) forming a buffer layer on the substrate; c) 상기 버퍼층 위에, 상기 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 상기 버퍼층의 격자와 정합되도록 증착하며, 상기 원소별 증착 시간 사이에 소정의 시간 동안 증착을 멈추는 단계;c) depositing constituent elements of the compound semiconductor on an element-by-element basis to match the lattice of the buffer layer, and stopping deposition for a predetermined time between the elemental deposition times; d) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 c)를 반복하는 단계; 및d) repeating step c) a predetermined number of times until a quantum dot structure of desired thickness is produced; And e) 상기 양자점 구조상에 덮개층을 형성하는 단계e) forming a cover layer on the quantum dot structure 를 포함하는 저밀도 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 소자의 제작 방법.Method for manufacturing a compound semiconductor device having a low density quantum dot structure comprising a. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 화합물 반도체는 InAs, In(Al)GaAs(P), InP, InGaP, Si(Ge), Zn(Cd)Se를 포함하는 제작 방법.The compound semiconductor includes InAs, In (Al) GaAs (P), InP, InGaP, Si (Ge), Zn (Cd) Se. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 덮개층을 형성하는 단계는 열적 어닐링(thermal annealing)하는 단계를 포함하는 제작 방법.Forming the cover layer comprises a step of thermal annealing (thermal annealing). 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 소정의 시간은 증착되는 상기 화합물 반도체의 상기 구성 원소의 종류에 따라 상이한 제작 방법.The predetermined time is different depending on the kind of the constituent elements of the compound semiconductor to be deposited. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 소정의 시간은 증착되는 상기 화합물 반도체의 상기 구성 원소에 상관없이 동일한 제작 방법.Wherein said predetermined time is the same regardless of said constituent elements of said compound semiconductor being deposited. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 버퍼층은 GaAs, InAs, InGaAs, GaP, InP, InGaP, GaAsP, InGaAsP 및 사파이어로 이루어진 그룹 중 하나인 기판을 포함하는 제작 방법.The buffer layer comprises a substrate which is one of the group consisting of GaAs, InAs, InGaAs, GaP, InP, InGaP, GaAsP, InGaAsP and sapphire. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 화합물 반도체 소자의 제작 방법은 MBE 장비 또는 MOCVD 장비를 이용하는 제작 방법.The method of manufacturing the compound semiconductor device is a manufacturing method using MBE equipment or MOCVD equipment. 삭제delete 삭제delete
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