KR100696584B1 - Organic electroluminescent device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 각 스캔 라인을 간단한 구조로 구성함과 동시에 낮은 저항값을 유지할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 개시한다. 본 발명에 따른, 기판 상에 형성된 액티브 영역 및 액티브 영역의 캐소드 전극에 연결된 다수의 스캔 라인을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 각 스캔 라인은, 기판 상에 형성되며 알루미늄으로 이루어진 제 1 보조 전극층; 제 1 보조 전극층 상에 형성되며 몰리브덴으로 이루어진 제 2 보조 전극층; 및 제 2 보조 전극층 상에 형성된 ITO층으로 이루어진다.The present invention discloses an organic electroluminescent device capable of constructing each scan line with a simple structure and maintaining a low resistance value. According to the present invention, each scan line of an organic electroluminescent device comprising an active region formed on a substrate and a plurality of scan lines connected to a cathode electrode of the active region comprises: a first auxiliary electrode layer formed on the substrate and made of aluminum; A second auxiliary electrode layer formed on the first auxiliary electrode layer and made of molybdenum; And an ITO layer formed on the second auxiliary electrode layer.

유기 전계 발광 소자, 스캔 라인 Organic electroluminescent element, scan line

Description

유기 전계 발광 소자{Organic electroluminescent device}Organic electroluminescent device

도 1은 유기 전계 발광 소자의 기본적인 구조를 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing the basic structure of an organic EL device.

도 2는 도 1에 도시된, 캡을 제거한 상태의 유기 전계 발광 소자의 평면도.FIG. 2 is a plan view of the organic electroluminescent device shown in FIG. 1 with the cap removed. FIG.

도 3은 도 2의 B-B선을 따라 절취한 상태의 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line B-B of FIG. 2.

도 4는 도 3의 대응 도면으로서, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서의 어느 한 스캔 라인의 상세 단면도. 4 is a cross-sectional view of one of the scan lines in the organic electroluminescent device according to the present invention, corresponding to FIG.

본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 구조가 간단하면서도 저항을 현저하게 줄일 수 있는 스캔 라인을 포함한 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device including a scan line capable of significantly reducing resistance.

유기 전계 발광은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공(hole)이 재결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상이다. In organic electroluminescence, electrons and holes injected through a cathode and an anode recombine in an organic (low molecular or polymer) thin film to form an exciton, and light of a specific wavelength is generated by energy from the excitons formed. It is a phenomenon.

이러한 현상을 이용한 유기 전계 발광 소자는 도 1에 도시된 바와 같은 기본적인 구조를 갖고 있다. 유기 전계 발광 소자의 기본적인 구성은, 유리 기판(1), 유리 기판(1) 상부에 형성되어 애노드(anode) 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물층(2; Indium Tin Oxide film ; "ITO 층"), 절연층과 유기물층(3) 및 캐소드(cathode) 전극인 금속층(4)이 순차적으로 적층된 구조이다. 각 격벽(W)은 ITO 층(2) 상에 다수의 캐소드 전극(4)을 분리된 상태로 증착하기 위하여 형성된다.The organic EL device using this phenomenon has a basic structure as shown in FIG. 1. The basic configuration of the organic electroluminescent device is a glass substrate 1, an indium tin oxide layer 2 formed on the glass substrate 1 and used as an anode electrode (Indium Tin Oxide film; " ITO layer "), The insulating layer, the organic layer 3, and the metal layer 4, which is a cathode, are sequentially stacked. Each partition W is formed for depositing a plurality of cathode electrodes 4 on the ITO layer 2 in a separated state.

도 2는 도 1에 도시된 유기 전계 발광 소자의 평면도로서, 편의상 도 1에 도시된 캡(6)을 제거한 상태를 도시하였다. 도 2에서 도시된 바와 같이, 액티브 영역(A)의 외곽부에는 다수의 애노드 전극층(2) 및 캐소드 전극(4)과 각각 연결된 다수의 데이터 라인(2A) 및 스캔 라인(4A)이 형성되며, 스캔 라인(4A)과 데이터 라인(2A)의 각 단부가 기판(1)의 한 부분으로 집중되어 패드부(P)를 형성하게 된다. FIG. 2 is a plan view of the organic electroluminescent device illustrated in FIG. 1 and illustrates a state in which the cap 6 illustrated in FIG. 1 is removed for convenience. As illustrated in FIG. 2, a plurality of data lines 2A and scan lines 4A connected to the plurality of anode electrode layers 2 and the cathode electrodes 4, respectively, are formed at an outer portion of the active region A. Each end of the scan line 4A and the data line 2A is concentrated to a part of the substrate 1 to form the pad portion P. FIG.

도 3은 도 2의 B-B선을 따라 절취한 상태의 단면도로서, 어느 한 스캔 라인(4A)의 구조를 상세하게 도시하고 있다. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 2 and shows the structure of any one scan line 4A in detail.

도 3에 도시된 바와 같이, 일반적으로 각 스캔 라인(4A)은 기판(1) 상에 형성된 ITO층(4A-4), ITO층(4A-4) 상에 순차적으로 형성된 제 1 보조 전극층(4A-1) 내지 제 3 보조 전극층(4A-3)으로 구성된다. 제 1 및 제 3 보조 전극층(4A-1 및 4A-3)은 몰리브덴(Mo)으로, 제 2 보조 전극층(4A-2)은 알루미늄으로 이루어진다. As shown in FIG. 3, each scan line 4A generally includes an ITO layer 4A-4 formed on the substrate 1 and a first auxiliary electrode layer 4A sequentially formed on the ITO layer 4A-4. -1) to the third auxiliary electrode layer 4A-3. The first and third auxiliary electrode layers 4A-1 and 4A-3 are made of molybdenum (Mo), and the second auxiliary electrode layer 4A-2 is made of aluminum.

액티브 영역(A)의 ITO층(2)을 형성하는 공정에서 스캔 라인 형성 영역에 ITO층(4A-4)이 동시에 형성되며, 이후 ITO층(4A-4) 상에 제 1 내지 제 3 보조 전극층(4A-1, 4A-2, 4A-3)을 적층시킴으로서 각 스캔 라인(4A)이 형성된다. In the process of forming the ITO layer 2 of the active region A, the ITO layer 4A-4 is simultaneously formed in the scan line formation region, and then the first to third auxiliary electrode layers are formed on the ITO layer 4A-4. Each scan line 4A is formed by stacking (4A-1, 4A-2, 4A-3).

스캔 라인(4A)의 저항을 낮추기 위하여 ITO보다 도전성이 우수한 몰리브덴과 알루미늄으로 이루어진 보조 전극층(4A-1 내지 4A-3)이 ITO층(4A-4) 상에 형성되 며, 이 후 이 스캔 라인(4A)은 액티브 영역(A)의 캐소드 전극, 즉 금속층(4; 주로 알루미늄)과 연결된다. In order to lower the resistance of the scan line 4A, auxiliary electrode layers 4A-1 to 4A-3 made of molybdenum and aluminum, which are more conductive than ITO, are formed on the ITO layer 4A-4. 4A is connected to the cathode electrode of the active region A, that is, the metal layer 4 (mainly aluminum).

여기서, ITO와 알루미늄이 접촉하면 수분에 의하여 양 금속 간에 산화가 발생하며, 따라서 ITO층(4A-4)과 알루미늄층인 제 2 보조 전극층(4A-2) 사이에 몰리브덴층인 제 1 보조 전극층(4A-1)을 형성한다. 또한, 알루미늄은 전도도 및 빛 반사율이 우수하나 대기 중에서는 산화물 피막이 형성되는 성질이 있다. 따라서, 제 2 보조 전극층(4A-2) 상에 몰리브덴으로 이루어진 제 3 보조 전극층(4A-3)을 형성함으로서 제 2 보조 전극층(4A-2)을 산화로부터 보호하고 또한 반사 등이 억제된다. 참고로, 몰리브덴은 넓은 온도 범위에 걸쳐 기계적 강도가 우수하여 스테인리스합금 또는 내화합금 등에 사용되는 금속이다. Here, when ITO and aluminum are in contact with each other, oxidation occurs between both metals due to moisture. 4A-1). In addition, aluminum has excellent conductivity and light reflectance, but has the property of forming an oxide film in the air. Therefore, by forming the third auxiliary electrode layer 4A-3 made of molybdenum on the second auxiliary electrode layer 4A-2, the second auxiliary electrode layer 4A-2 is protected from oxidation, and the reflection and the like are suppressed. For reference, molybdenum is a metal used in stainless steel alloys or refractory alloys because of its excellent mechanical strength over a wide temperature range.

이와 같이 ITO층(4A-4)과 제 1 내지 제 3 보조 전극층(4A-1 내지 4A-3)의 다수의 보조 전극층을 형성함으로서 스캔 라인(4A)이 구성되기 때문에 제조 공정이 복잡하다는 문제점이 야기된다. Thus, since the scan line 4A is formed by forming a plurality of auxiliary electrode layers of the ITO layer 4A-4 and the first to third auxiliary electrode layers 4A-1 to 4A-3, the manufacturing process is complicated. Is caused.

본 발명은 유기 전계 발광 소자의 각 스캔 라인을 간단한 구조로 구성함과 동시에 낮은 저항값을 유지할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device capable of maintaining a low resistance value while simultaneously configuring each scan line of an organic electroluminescent device.

상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른, 기판 상에 형성된 액티브 영역 및 액티브 영역의 캐소드 전극에 연결된 다수의 스캔 라인을 포함하는 유기 전계 발광 소자의 각 스캔 라인은, 기판 상에 형성되며 알루미늄으로 이루어진 제 1 보조 전극층; 제 1 보조 전극층 상에 형성되며 몰리브덴으로 이루어진 제 2 보조 전극층; 및 제 2 보조 전극층 상에 형성된 ITO층으로 이루어진다.Each scan line of the organic electroluminescent device comprising an active region formed on a substrate and a plurality of scan lines connected to a cathode electrode of the active region according to the present invention for realizing the above object is formed on the substrate and made of aluminum. A first auxiliary electrode layer formed; A second auxiliary electrode layer formed on the first auxiliary electrode layer and made of molybdenum; And an ITO layer formed on the second auxiliary electrode layer.

이하, 본 발명을 첨부한 도면을 통하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 전체적인 구성은 도 1 및 도 2에 도시된 유기 전계 발광 소자의 전체적인 구성과 동일하며, 따라서 이에 대한 중복 설명은 생략하고, 본 발명의 특징적인 부분만을 설명한다. The overall configuration of the organic EL device according to the present invention is the same as the overall configuration of the organic EL device shown in Figs. 1 and 2, and thus description thereof will be omitted, and only the characteristic parts of the present invention will be described.

도 4는 도 3의 대응 도면으로서, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서의 어느 한 스캔 라인의 단면을 도시한다.FIG. 4 is a corresponding view of FIG. 3, showing a cross section of one scan line in the organic electroluminescent device according to the invention. FIG.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 가장 큰 특징은 각 스캔 라인(14)을 기판(1) 상에 형성된 제 1 보조 전극층(14-1), 제 1 보조 전극층(14-1) 상에 형성된 제 2 보조 전극층(14-2) 및 제 2 보조 전극층(14-2) 상에 형성된 ITO층(14-3)으로 구성한 것이다.The greatest feature of the organic electroluminescent device according to the present invention is that the first auxiliary electrode layer 14-1 formed on each of the scan lines 14 on the substrate 1 and the first auxiliary electrode layer 14-1 formed on the first auxiliary electrode layer 14-1. It consists of the ITO layer 14-3 formed on the 2nd auxiliary electrode layer 14-2 and the 2nd auxiliary electrode layer 14-2.

기판(도 2의 1) 표면의 스캔 라인 형성 영역에 먼저 증착 공정을 통하여 알루미늄으로 이루어진 제 1 보조 전극층(14-1)을 형성하고, 제 1 보조 전극층(14-1) 상에 몰리브덴으로 이루어진 제 2 보조 전극층(14-2)을 형성한다. A first auxiliary electrode layer 14-1 made of aluminum is first formed in a scan line forming region on the surface of the substrate (1 in FIG. 2), and a first material made of molybdenum is formed on the first auxiliary electrode layer 14-1. 2 Auxiliary electrode layer 14-2 is formed.

이후, 액티브 영역(도 2의 A)의 애노드 전극(도 2의 2) 형성 공정시, ITO층(14-3)을 제 2 보조 전극층(14-2) 상에 형성함으로서 도 4에 도시된 구조의 스캔 라인(14)이 형성된다. 이후, 각 스캔 라인(14)은 액티브 영역(도 2의 A)의 캐소드 전극, 즉 알루미늄 금속층(도 2의 4)과 연결된다. Then, in the process of forming the anode electrode (2 in FIG. 2) of the active region (A in FIG. 2), the structure shown in FIG. 4 by forming the ITO layer 14-3 on the second auxiliary electrode layer 14-2. Scan line 14 is formed. Each scan line 14 is then connected to a cathode electrode of an active region (A in FIG. 2), that is, an aluminum metal layer (4 in FIG. 2).

이와 같은 구조로 이루어진 스캔 라인(14)을 유기 전계 발광 소자에 적용할 경우, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.When the scan line 14 having such a structure is applied to the organic EL device, the following effects can be obtained.

각 스캔 라인(14)은 알루미늄으로 이루어진 제 1 보조 전극층(14-1), 몰리브덴으로 이루어진 제 2 보조 전극층(14-2) 및 ITO층(14-3)이 적층된 상태로 구성됨으로써 도 3에 도시된 일반적인 구조의 스캔 라인(4A)과 비교하여 낮은 저항값을 유지할 수 있음과 동시에 그 구조가 간단하며, 이에 따라 소자의 제조 공정이 단순화될 수 있다.Each scan line 14 is formed by stacking a first auxiliary electrode layer 14-1 made of aluminum, a second auxiliary electrode layer 14-2 made of molybdenum, and an ITO layer 14-3, and the like. Compared with the scan line 4A of the illustrated general structure, the resistance value can be maintained and the structure thereof can be simplified, thereby simplifying the manufacturing process of the device.

또한, ITO층(14-3)과 알루미늄층인 제 1 보조 전극층(14-1) 사이에 몰리브덴층인 제 2 보조 전극층(14-2)이 위치함으로서 알루미늄층에서의 산화물 피막 생성 억제는 물론 ITO층과 알루미늄층의 접촉에 따른 양 금속층의 산화를 방지할 수 있다. In addition, the second auxiliary electrode layer 14-2, which is a molybdenum layer, is positioned between the ITO layer 14-3 and the first auxiliary electrode layer 14-1, which is an aluminum layer, thereby suppressing oxide film formation in the aluminum layer, as well as ITO. Oxidation of both metal layers due to contact between the layer and the aluminum layer can be prevented.

위에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시되었다. 따라서, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. Preferred embodiments of the invention described above have been disclosed for purposes of illustration. Therefore, those skilled in the art having ordinary knowledge of the present invention will be capable of various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention, and such modifications, changes and additions should be regarded as belonging to the following claims.

Claims (1)

기판 상에 형성된 액티브 영역 및 상기 액티브 영역의 캐소드 전극에 연결된 스캔 라인을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,An organic electroluminescent device comprising an active region formed on a substrate and a scan line connected to a cathode electrode of the active region, 상기 스캔 라인은, The scan line, 상기 기판 상에 형성되며, 알루미늄으로 이루어진 제 1 보조 전극층; A first auxiliary electrode layer formed on the substrate and made of aluminum; 상기 제 1 보조 전극층 상에 형성되며, 몰리브덴으로 이루어진 제 2 보조 전극층; 및 A second auxiliary electrode layer formed on the first auxiliary electrode layer and made of molybdenum; And 상기 제 2 보조 전극층 상에 형성된 ITO층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.An organic electroluminescent device comprising an ITO layer formed on the second auxiliary electrode layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101749753B1 (en) 2010-10-21 2017-06-21 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diodde desplay device
US9691822B2 (en) 2015-01-23 2017-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040100006A (en) * 2003-05-21 2004-12-02 엘지전자 주식회사 Organic Electro Luminescence Display And Fabricating Method Thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040100006A (en) * 2003-05-21 2004-12-02 엘지전자 주식회사 Organic Electro Luminescence Display And Fabricating Method Thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101749753B1 (en) 2010-10-21 2017-06-21 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diodde desplay device
US9691822B2 (en) 2015-01-23 2017-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

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