KR100684890B1 - Serdes system - Google Patents

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KR100684890B1
KR100684890B1 KR1020050123328A KR20050123328A KR100684890B1 KR 100684890 B1 KR100684890 B1 KR 100684890B1 KR 1020050123328 A KR1020050123328 A KR 1020050123328A KR 20050123328 A KR20050123328 A KR 20050123328A KR 100684890 B1 KR100684890 B1 KR 100684890B1
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강대운
김진현
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삼성전자주식회사
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Abstract

A SerDes(Serializing/Deserializing) system is provided not to be overhead to the size of the semiconductor IC by including a pipeline and a serial-parallel signal converter for transceiving a signal even if a command packet is received without gap. A controller(100) manages signal transceiving with a memory device(200). A pipeline(320) transfers the signal transceived by the controller in a serial type. A serializer of a serial-parallel signal converter(340) converts a parallel signal transferred through the pipeline into a serial signal by responding to a control signal, and transfers the serial signal to the memory device. A deserializer of the serial-parallel converter converts a serial signal received from the memory device into the parallel signal by responding to the control signal, and transfers the parallel signal to the pipeline. A control signal generation circuit(360) generates the control signal. The semiconductor IC device is a DRAM and the controller is an FPGA(Field Programmable Gate Array).

Description

서데스 시스템{SERDES System}Suddes System

도 1은 본 발명에 따른 서데스 시스템에 대한 블록도이다.1 is a block diagram of a suddes system according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 서데스 시스템의 실시예이다.2 is an embodiment of a sudes system according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 서데스 시스템에서 무간격으로 명령을 내렸을 때 타이밍도이다.3 is a timing diagram when a command is issued at no intervals in the Sustain system according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *

320: 파이프 라인320: pipeline

322: 커맨드 파이프 라인322: command pipeline

324: 데이터 파이프 라인324: data pipeline

340: 직병렬 신호변환기340: serial-to-parallel signal converter

342: 먹스, 344: 먹스 및 디먹스342: mux, 344: mux and demux

321: CRQ핀, 343: XRQ핀321: CRQ pin, 343: XRQ pin

323: CDQ핀, 345: XDQ핀323: CDQ pin, 345: XDQ pin

본 발명은 반도체 집적회로에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 반도체 집적회 로에 사용되는 서데스 시스템에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and more particularly, to a suddes system for use in semiconductor integrated circuits.

반도체 집적회로(Integration Circuit)는 기판 위에 상호배선하여 고차의 집적화한 것이다. 반도체 직접회로 중 집적도가 100 이하의 것을 소규모 집적회로(SSI), 100~1000 정도의 것을 중규모 집적회로(MSI), 1000 이상의 것을 대규모 집적회로(LSI:Large Scale Integration)라고 하며, 1만 이상의 것은 VLSI(Very LSI)라고 한다. 집적도는 모놀리식(monolithic) 반도체 집적회로의 경우, 한 변이 1~수mm인 네모꼴 실리콘 박판의 작은 칩위에 상호결선된 트랜지스터, 다이오드, 저항 및 커패시터 등의 개별 전기회로소자의 수를 말한다. Semiconductor integrated circuits are interconnected on a substrate and integrated on a higher order. Small integrated circuits (SSI) of less than 100 integrated semiconductors, medium scale integrated circuits (MSI) of about 100 to 1000, and large scale integrated circuits (LSI) of more than 10,000 are called. It is called VLSI (Very LSI). In monolithic semiconductor integrated circuits, the degree of integration refers to the number of individual electrical circuit elements, such as transistors, diodes, resistors, and capacitors, interconnected on small chips of one- to-a-millimeter square silicon sheets.

LSI화로 반도체소자의 기능당 가격의 저하와 조립된 전자기기 시스템 전체로서의 가격저하 등 이들의 경제성이 크게 향상되며, 또 전자기기 및 시스템의 고성능화,고신뢰화,초소형화 그리고 저소비전력화가 이루어진다. The LSI increases the economic efficiency of the semiconductor device, such as lowering the price per function and lowering the price of the entire assembled electronic system. Further, high performance, high reliability, miniaturization, and low power consumption of the electronic device and system are achieved.

서데스 시스템(SERDES System)은 반도체 집적회로내 장치들 사이에 전달되는 신호의 송수신에 관련한 시스템으로, 병렬 신호를 직렬 신호를 변환시켜 주거나 직렬신호를 병렬신호를 변환시켜 주는 역할을 한다. 일반적으로 서데스 시스템은 시리얼라이저(Serializer)와 디시리얼라이저(Deserializer)를 포함한다. 여기서 시리얼라이저(Serializer)는 병렬 신호를 직렬 신호로 변환시켜 주는 장치이며, 디시리얼라이저(Deserializer)는 직렬 신호를 병렬 신호로 변환시켜 주는 장치이다. 서데스 시스템은 반도체 집적회로에서 보다 높은 대역폭의 데이터 통신을 수행하기 위해서 현재 많이 채용되고 있다. The SERDES system is a system related to the transmission and reception of signals transmitted between devices in a semiconductor integrated circuit. The SERDES system converts a parallel signal into a serial signal or converts a serial signal into a parallel signal. In general, Sustain systems include serializers and deserializers. Here, a serializer is a device for converting parallel signals into a serial signal, and a deserializer is a device for converting serial signals into a parallel signal. Suddes systems are now widely employed to perform higher bandwidth data communications in semiconductor integrated circuits.

종래의 서데스 시스템은 FIFO(First In First Out)와 같은 레지스터 (register)들을 사용하고 있다. FIFO는 레지스터에 먼저 들어온 입력 값에 대해서 연산을 실행해 주는 것을 말한다. 명령어 패킷(Command packet)을 무간격(gapless) 계속해서 내보내야 하는 경우 FIFO를 써야한다. 그런데 무간격(gapless)으로 출력되는 명령어 패킷의 개수에 비례하여 레지스터들이 늘어나야 한다. 이는 반도체 직접회로의 사이즈에 오버헤드가 되고 있다.Conventional Sudes systems use registers such as First In First Out (FIFO). The FIFO is the operation performed on the input value first entered into the register. If you need to keep sending command packets gapless, you should use a FIFO. However, registers must increase in proportion to the number of command packets output at a gapless rate. This is an overhead in the size of the semiconductor integrated circuit.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 무간격으로 명령어 패킷이 전달되더라도 반도체 직접회로의 사이즈에 오버헤드가 되지 않는 서데스 시스템을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a sustain system in which the size of a semiconductor integrated circuit does not become an overhead even when an instruction packet is transmitted at an interval.

본 발명에 따른 서데스 시스템은; 상기 반도체 메모리 장치와의 신호의 송수신을 관장하는 콘트롤러; 상기 콘트롤러에서 송수신하는 신호를 병렬 형태로 전달하는 파이프 라인; 상기 파이프 라인에서 전달된 병렬 신호를 제어 신호에 응답하여 직렬 신호로 변환하여 상기 반도체 메모리 장치에 전달하거나 상기 반도체 메모리 장치에서 전달된 직렬 신호를 제어 신호에 응답하여 병렬 신호로 변환하여 상기 파이프 라인에 전달하는 직병렬 신호 변환기; 및 상기 제어 신호를 생성하는 제어신호 생성회로를 포함한다.Sude system according to the present invention; A controller that controls transmission and reception of signals with the semiconductor memory device; A pipeline for transmitting signals transmitted and received by the controller in parallel; The parallel signal transmitted from the pipeline is converted into a serial signal in response to a control signal and transmitted to the semiconductor memory device, or the serial signal transmitted from the semiconductor memory device is converted into a parallel signal in response to a control signal to the pipeline. A serial-to-parallel signal converter for transmitting; And a control signal generation circuit for generating the control signal.

이 실시예에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는 DRAM인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the semiconductor memory device is a DRAM.

이 실시예에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 콘트롤러보다 고주파 에서 동작하는 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the semiconductor memory device is characterized in that it operates at a higher frequency than the controller.

이 실시예에 있어서, 상기 콘트롤러는 FPGA(Field Programmable Gate Array)인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the controller is characterized in that the field programmable gate array (FPGA).

이 실시예에 있어서, 상기 송수신하는 신호는 데이터 신호와 명령어 신호인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the signal to be transmitted and received is characterized in that the data signal and the command signal.

이 실시예에 있어서, 상기 파이프 라인은 상기 데이터 신호를 처리하고 상기 명령어 신호를 처리하기 위해 각각의 파이프 라인은 구비한 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the pipeline is characterized in that each pipeline is provided for processing the data signal and the command signal.

이 실시예에 있어서, 상기 직병렬 신호변환기는 먹스 및 디먹스인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the serial-to-parallel signal converter is characterized in that the mux and demux.

이 실시예에 있어서, 상기 제어신호 생성회로는 동기회로인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the control signal generation circuit is characterized in that the synchronization circuit.

이 실시예에 있어서, 상기 동기회로는 PLL(Phase Locked Loop)인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the synchronous circuit is a phase locked loop (PLL).

이 실시예에 있어서, 상기 동기회로는 DLL(Delay Locked Loop)인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the synchronization circuit is a DLL (Delay Locked Loop).

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 서데스 시스템에 대한 블록도이다. 서데스 시스템은콘트롤러(100), 메모리 장치(200) 및 서데스 장치(300)를 포함하고 있다. 서데스 장치(300)는 파이프 라인(320), 직병렬 신호 변환기(340) 및 제어신호발생회로(360)을 포함하고 있다.1 is a block diagram of a suddes system according to the present invention. The sused system includes a controller 100, a memory device 200, and a sused device 300. The suddes apparatus 300 includes a pipeline 320, a series-parallel signal converter 340, and a control signal generation circuit 360.

콘트롤러(100)는 메모리 장치(200)와 신호를 주고 받는다. 콘트롤러(100)는 메모리 장치(200)보다 저주파에서 동작한다. 콘트롤러(100)는 FPGA(Field Programmable Gate Array)를 이용할 수 있다. FPGA는 프로그램이 가능한 로직 칩의 한 형태이다. FPGA는 PLD(Programmable Logic Device)와 비슷하지만, PLD가 일반적으로 수백 개의 게이트에 제한되는데 반해, FPGA는 수천 개의 게이트를 지원한다. 둘 모두 집적회로 설계의 프로토타입 제작용으로 인기가 높다. FPGA는 일단 설계가 확정되면, 성능을 더 높이기 위해 영구 전자회로를 가진 칩들로 생산된다. The controller 100 exchanges signals with the memory device 200. The controller 100 operates at a lower frequency than the memory device 200. The controller 100 may use a field programmable gate array (FPGA). FPGAs are a form of programmable logic chip. FPGAs are similar to programmable logic devices (PLDs), but FPGAs typically support thousands of gates, while PLDs are typically limited to hundreds of gates. Both are popular for prototyping integrated circuit designs. Once the design is confirmed, FPGAs are produced with chips with permanent electronics to further improve performance.

메모리 장치(200)는 콘트롤러(100)보다 고주파에서 동작한다. 메모리 장치(200)는 DRAM, SRAM, PRAM 등 다양한 반도체 메모리 장치를 이용할 수 있다.The memory device 200 operates at a higher frequency than the controller 100. The memory device 200 may use various semiconductor memory devices such as DRAM, SRAM, and PRAM.

파이프 라인(320)은 콘트롤러(100)와 직병렬 신호 변환기(320)사이에 위치한다. 파이프 라인(320)은 콘트롤러(100)에서 생성된 병렬 신호를 직병렬 신호 변환기(340)에 전달하거나 혹은 직병렬 신호 변환기(340)에서 변환된 병렬 신호를 콘트롤러(100)에 전달한다. Pipeline 320 is located between controller 100 and serial-to-parallel signal converter 320. The pipeline 320 transmits the parallel signal generated by the controller 100 to the serial / parallel signal converter 340 or the parallel signal converted by the serial / parallel signal converter 340 to the controller 100.

직병렬 신호 변환기(340)는 메모리 장치(200)와 파이프 라인(320) 사이에 위치한다. 직병렬 신호 변환기(340)는 병렬 신호를 직렬 신호로 바꾸어 주는 시리얼라이저(Serializer)와 직렬 신호를 병렬 신호로 바꾸어 주는 디시리얼라이저(Deserializer)를 포함하고 있다. 시리얼 라이저는 파이프 라인(320)을 통과한 병렬 신호를 직렬 신호로 변환하여 메모리 장치에 전달한다. 디시리얼 라이저는 메모 리 장치(200)에서 생성된 직렬 신호를 병렬 신호로 변환하여 파이프 라인(320)에 전달한다. 이때 직병렬 신호 변환기(340)는 제어신호 발생회로(360)에서 생성된 제어 신호에 응답하여 병렬 신호를 직렬 신호로 변환하거나 직렬 신호를 병렬 신호로 변환한다.The serial to parallel signal converter 340 is located between the memory device 200 and the pipeline 320. The serial-to-parallel signal converter 340 includes a serializer for converting a parallel signal into a serial signal and a deserializer for converting a serial signal into a parallel signal. The serializer converts the parallel signal passing through the pipeline 320 into a serial signal and delivers the serial signal to the memory device. The deserializer converts the serial signal generated by the memory device 200 into a parallel signal and transmits the serial signal to the pipeline 320. At this time, the serial-to-parallel signal converter 340 converts the parallel signal into a serial signal or converts the serial signal into a parallel signal in response to the control signal generated by the control signal generation circuit 360.

제어신호발생회로(360)는 제어 신호를 생성하여 직병렬 신호 변환기(340)에 전달한다. 제어신호 발생회로(360)는 동기회로일 수 있다. 동기회로는 PLL(Phase Locked Loop) 혹은 DLL(Delay Locked Loop)를 이용할 수 있다.The control signal generation circuit 360 generates a control signal and transmits the control signal to the serial / parallel signal converter 340. The control signal generation circuit 360 may be a synchronization circuit. The synchronization circuit may use a phase locked loop (PLL) or a delay locked loop (DLL).

도 2는 본 발명에 따른 서데스 시스템의 실시예이다. 서데스 시스템은 FPGA(100), DRAM(200) 및 서데스 장치(300)를 포함하고 있다. 2 is an embodiment of a sudes system according to the present invention. The sused system includes the FPGA 100, the DRAM 200, and the sused device 300.

설명의 편의를 위해서 FPGA(100)는 200MHz로 동작하고, DRAM(200)은 800Mhz으로 동작하고 있다고 가정한다. 상대적으로 FPGA(100)는 저주파용 콘트롤러이고, DRAM(200)은 고주파용 메모리 장치이다. 서데스 장치(300)는 크게 명령어 신호(CMD)를 관장하는 명령어 신호라인과 데이터 신호(DATA)를 관장하는 데이터 신호라인을 포함하고 있다. For convenience of description, it is assumed that the FPGA 100 operates at 200 MHz and the DRAM 200 operates at 800 MHz. Relatively, the FPGA 100 is a low frequency controller, and the DRAM 200 is a high frequency memory device. The sustain device 300 includes a command signal line for managing the command signal CMD and a data signal line for managing the data signal DATA.

명령어 신호라인은 CRQ핀(321), 커맨드 파이프 라인(322), 먹스(342) 그리고 XRQ핀(343)를 포함하고 있다. CRQ핀(321)은 저주파용 명령어 핀이고, XRQ핀(343)는 고주파용 명령어핀이다. CRQ핀(321)는 FPGA(100)에서 생성된 명령어 신호를 전달받는다. CRQ핀(321)을 통해 입력된 명령어 신호는 서데스 장치를 통하여 XRQ핀(343)을 통하여 출력되어 DRAM(200)에 전달된다. 여기서 CRQ핀(321)과 XRQ핀(343)의 개수는 서데스 장치를 통한 입출력 신호가 같은 밴드폭을 가지도록 조정되어 진다.The command signal line includes a CRQ pin 321, a command pipeline 322, a mux 342, and an XRQ pin 343. The CRQ pin 321 is a low frequency command pin, and the XRQ pin 343 is a high frequency command pin. The CRQ pin 321 receives a command signal generated by the FPGA 100. The command signal input through the CRQ pin 321 is output through the XRQ pin 343 through the sustain device and transferred to the DRAM 200. Here, the number of CRQ pins 321 and XRQ pins 343 is adjusted so that input / output signals through the sustain device have the same bandwidth.

커맨드 파이프 라인(322)은 CRQ핀(321)을 통해 입력된 명령어 신호들을 먹스(342)에 전달하는 통로이다. 전달된 명령어 신호는 병렬 형태의 신호들이다.The command pipeline 322 is a path for transmitting command signals input through the CRQ pin 321 to the mux 342. The command signals passed are signals in parallel form.

먹스(342)는 PLL(360)에 동기하여 커맨드 파이프 라인(322)로부터 전달받은 병렬 형태의 명령어 신호를 직렬 형태의 명령어 신호로 바꾸어 준다. 직렬 형태의 명령어 신호는 XRQ핀(343)을 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)은 XRQ핀(343) 핀으로부터 전달된 명령어 신호에 따라 활성화 된다.The mux 342 converts the parallel command signal received from the command pipeline 322 into a serial command signal in synchronization with the PLL 360. The serial command signal is transmitted to the DRAM 200 through the XRQ pin 343. The DRAM 200 is activated according to the command signal transmitted from the XRQ pin 343 pin.

데이터 신호라인은 CDQ핀(323), 데이터 파이프 라인(324), 먹스 및 디먹스(344) 그리고 XDQ핀(345)을 포함하고 있다.The data signal line includes a CDQ pin 323, a data pipeline 324, a mux and demux 344, and an XDQ pin 345.

데이터 신호라인은 FPGA(100)에 생성된 데이터 신호(DQ)를 DRAM(200)에 읽거나 쓰기 위해서 사용된다. CDQ핀(323)는 저주파용 입출력 데이터 핀이다. XDQ핀(345)는 고주파용 입출력 데이터핀이다.The data signal line is used to read or write the data signal DQ generated in the FPGA 100 to the DRAM 200. The CDQ pin 323 is a low frequency input / output data pin. The XDQ pin 345 is an input / output data pin for high frequency.

데이터 파이프 라인(324)는 라이트(Write) 파이프 라인과 리드(Read) 파이프 라인을 포함하고 있다. 라이트 파이프 라인은 FPGA(100)에서 DRAM(200)에 데이터를 저장하고자 할 때 사용되는 데이터의 통로이다. 리드 파이프 라인은 FPGA(100)이 DRAM(200)으로부터 데이터를 읽어올 때 사용하는 데이터 통로이다.The data pipeline 324 includes a write pipeline and a read pipeline. The light pipeline is a passage of data used when the FPGA 100 wants to store data in the DRAM 200. The lead pipeline is a data path that the FPGA 100 uses when reading data from the DRAM 200.

본 발명에 따른 서데스 시스템은 아래와 같이 동작한다. The sustain system according to the present invention operates as follows.

우선 FPAG(100)가 DRAM(200)에 쓰기 동작을 하고자 한다고 가정하자. FPGA(100)는 DRAM(200)에 쓰기 동작을 활성화하기 위한 명령어 신호를 생성한다. FPGA(100)으로부터 생성된 명령어 신호는 서데스 장치를 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)은 전달된 명령어 신호에 의해 쓰기 동작이 가능하도록 활성화 되 어 있다. FPGA(100)는 DRAM(200)에 저장하기 위한 데이터 신호를 생성한다. CDQ핀(323)은 FPGA(100)에서 생성된 데이터 신호를 전달 받는다. CDQ핀(323)으로부터 입력받은 데이터 신호는 데이터 파이프 라인(324)중 라이트 파이프 라인을 통하여 먹스 및 디먹스(344)에 전달된다. 이때 전달되는 데이터는 복수의 CDQ핀(323)으로 데이터 신호를 전달받기 때문에 병렬 형태이다. 먹스 및 디먹스(344)는 데이터 파이프 라인(324)로부터 전달 받은 병렬 데이터를 PLL(360)에 동기하여 직렬의 데이터로 변환한다. 먹스 및 디먹스(344)에 의해 직렬 데이터로 변환된 데이터 신호는 XDQ핀(343)을 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)는 전달된 직렬의 데이터 신호에 따라 데이터를 저장하게 된다. 이로써 서데스 시스템은 쓰기 동작을 마친다. First, assume that the FPAG 100 intends to perform a write operation on the DRAM 200. The FPGA 100 generates a command signal for activating a write operation to the DRAM 200. The command signal generated from the FPGA 100 is transmitted to the DRAM 200 through the sustain device. The DRAM 200 is activated to enable a write operation by the transferred command signal. The FPGA 100 generates a data signal for storing in the DRAM 200. The CDQ pin 323 receives the data signal generated by the FPGA 100. The data signal received from the CDQ pin 323 is transmitted to the mux and demux 344 through the light pipeline of the data pipeline 324. In this case, the data to be transmitted is in parallel because the data signals are received through the plurality of CDQ pins 323. The mux and demux 344 converts the parallel data received from the data pipeline 324 into serial data in synchronization with the PLL 360. The data signal converted into serial data by the mux and demux 344 is transferred to the DRAM 200 through the XDQ pin 343. The DRAM 200 stores data in accordance with the transmitted serial data signal. This completes the write operation.

반대로 FPGA(100)가 DRAM(200)에 읽기 동작하고자 가정하자. FPGA(100)는 DRAM(200)에 읽기 동작을 활성화하기 위한 명령어 신호를 생성한다. FPGA(100)으로부터 생성된 명령어 신호는 서데스 장치를 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)은 전달된 명령어 신호에 의해 읽기 동작이 가능하도록 활성화 된다. DRAM(200)은 데이터를 읽어 데이터 신호를 생성하여 XDQ핀(345)에 전달한다 XDQ핀(345)에 전달된 데이터 신호는 고주파용 직렬 형태의 신호이다. 먹스 및 디먹스(344)는 XDQ핀(345)으로부터 전달받은 직렬의 데이터 신호를 병렬 형태의 신호로 변환시켜 준다. 먹스 및 디먹스(344)에 의해 변환된 병렬의 데이터는 데이터 파이프 라인(324)의 리드(Read) 파이프 라인을 통과한다. 데이터 파이프 라인(324)의 리드 파이프 라인을 통과한 데이터 신호는 CDQ핀(323)을 통하여 FPGA(100)에 전달된다. 이로써 서데스 시스템은 읽기 동작을 마친다.On the contrary, suppose the FPGA 100 wants to read a DRAM 200. The FPGA 100 generates a command signal for activating a read operation to the DRAM 200. The command signal generated from the FPGA 100 is transmitted to the DRAM 200 through the sustain device. The DRAM 200 is activated to enable a read operation by the transferred command signal. The DRAM 200 reads data, generates a data signal, and delivers the data signal to the XDQ pin 345. The data signal transmitted to the XDQ pin 345 is a high frequency serial signal. The mux and demux 344 convert the serial data signal received from the XDQ pin 345 into a parallel signal. Parallel data converted by the mux and demux 344 passes through the Read pipeline of the data pipeline 324. The data signal passing through the lead pipeline of the data pipeline 324 is transmitted to the FPGA 100 through the CDQ pin 323. This completes the reading process.

도 2에 도시된 데이터 라인은 하나이나 복수로 확장이 가능하다.The data lines shown in FIG. 2 can be expanded to one or more.

도 3은 본 발명에 따른 서데스 시스템에서 무간격으로 명령을 내렸을 때 타이밍도이다. 도2와 도3을 참조하면, 서데스 시스템은 FPGA(100)에서 CRQ핀(321)으로 200Mbps의 명령어 패킷(command packet)을 받아들여서 XRQ핀(343)을 통해 DRAM(200)으로 800Mbps의 명령어 패킷으로 변환하여 전달한다. 3 is a timing diagram when a command is issued at no intervals in the Sustain system according to the present invention. Referring to Figures 2 and 3, the SUDES system receives a 200 Mbps command packet from the FPGA 100 to the CRQ pin 321, and then sends an 800 Mbps command to the DRAM 200 through the XRQ pin 343. Convert the packet and deliver it.

이때 명령어 패킷에 있어서 최악의 타이밍 조건은 각각의 명령어들이 무간격(gapless)으로 붙어 있을 때이다. 도 3을 참조하여 동작 설명을 하면 다음과 같다. CRQ핀(323)으로부터 DRAM(200)의 활성화 명령어 패킷(A)과 함께 쓰기(WRITE) 명령어 패킷(W1)을 동시에 입력 받는다. 서데스 시스템은 입력 받은 명령어 패킷들(A,W1,W2) 전달받아 직렬 형태의 명령어 패킷들(ACT,WR1,WR2)로 변환한다. 직렬형태의 명령어 패킷들(ACT,WR1,WR2))은 DRAM(200)에 전달된다. 명령어 패킷들(ACT,WR1,WR2)에 의해 DRAM(200)은 활성화 상태가 된다. CDQ핀(323)은 저장하고자 하는 데이터 패킷들(D1,D2)를 입력 받는다. 이때 입력되는 데이터 패킷은 병렬 데이터 패킷이다. 서데스 시스템은 입력 받은 병렬 데이터 패킷을 PLL(360)에 동기하여 직렬 데이터 패킷으로 변환한다. 변환된 직렬 형태의 데이터 패킷들(DA1,DA2)은 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)는 전달받은 직렬 형태의 데이터 패킷들에 따라 데이터를 저장하게 된다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 서데스 시스템은 명령어 패킷이 무간격으로 전달되더라도 제한없이 출력을 얻게 된다.The worst timing condition for the instruction packet is when each instruction is attached gapless. Referring to FIG. 3, the operation will be described below. The write command packet W1 is simultaneously received from the CRQ pin 323 together with the activation command packet A of the DRAM 200. The Serdes system receives the received command packets A, W1, W2 and converts them into serial command packets ACT, WR1, WR2. The command packets ACT, WR1 and WR2 in serial form are delivered to the DRAM 200. The DRAM 200 is activated by the command packets ACT, WR1, and WR2. The CDQ pin 323 receives data packets D1 and D2 to be stored. The input data packet is a parallel data packet. The sudes system converts the received parallel data packet into a serial data packet in synchronization with the PLL 360. The converted serial data packets DA1 and DA2 are transferred to the DRAM 200. The DRAM 200 stores data according to serial data packets received. Referring to FIG. 3, the sustain system according to the present invention obtains an output without restriction even if the instruction packet is delivered at no interval.

한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지로 변형할 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Meanwhile, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be defined by the equivalents of the claims of the present invention as well as the following claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 서데스 시스템은 신호의 송수신을 위한 파이프 라인과 직병렬 신호변환기를 구비하여 복수의 명령어 패킷이 무간격으로 전달되더라도 반도체 집적회로의 사이즈에 오버헤드가 되지 않는다.As described above, the Sustain system according to the present invention includes a pipeline for transmitting and receiving a signal and a serial / parallel signal converter, so that even if a plurality of command packets are transmitted at no interval, the size of the semiconductor integrated circuit is not overhead.

Claims (10)

반도체 메모리 장치;Semiconductor memory devices; 상기 반도체 메모리 장치와의 신호의 송수신을 관장하는 콘트롤러;A controller that controls transmission and reception of signals with the semiconductor memory device; 상기 콘트롤러에서 송수신하는 신호를 병렬 형태로 전달하는 파이프 라인;A pipeline for transmitting signals transmitted and received by the controller in parallel; 상기 파이프 라인에서 전달된 병렬 신호를 제어 신호에 응답하여 직렬 신호로 변환하여 상기 반도체 메모리 장치에 전달하거나 상기 반도체 메모리 장치에서 전달된 직렬 신호를 제어 신호에 응답하여 병렬 신호로 변환하여 상기 파이프 라인에 전달하는 직병렬 신호 변환기; 및 The parallel signal transmitted from the pipeline is converted into a serial signal in response to a control signal and transmitted to the semiconductor memory device, or the serial signal transmitted from the semiconductor memory device is converted into a parallel signal in response to a control signal to the pipeline. A serial-to-parallel signal converter for transmitting; And 상기 제어 신호를 생성하는 제어신호 생성회로를 포함하는 서데스 시스템.A sused system including a control signal generation circuit for generating the control signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 메모리 장치는 DRAM인 것을 특징으로 하는 서데스 시스템The suede system, characterized in that the semiconductor memory device is DRAM 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 콘트롤러보다 고주파에서 동작하는 것을 특징으로 하는 서데스 시스템.And the semiconductor memory device operates at a higher frequency than the controller. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 콘트롤러는 FPGA(Field Programmable Gate Array)인 것을 특징으로 하 는 서데스 시스템.The controller is a sustained system, characterized in that the field programmable gate array (FPGA). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 송수신하는 신호는 데이터 신호와 명령어 신호인 것을 특징으로 하는 서데스 시스템.And a signal for transmitting and receiving is a data signal and a command signal. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 파이프 라인은 상기 데이터 신호를 처리하고 상기 명령어 신호를 처리하기 위해 각각의 파이프 라인은 구비한 것을 특징으로 하는 서데스 시스템.The pipeline is configured to process the data signal and each pipeline to process the command signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 직병렬 신호 변환기는 먹스 및 디먹스인 것을 특징으로 하는 서데스 시스템.The serial-to-parallel signal converter is a mux and a demux. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어신호 생성회로는 동기회로인 것을 특징으로 하는 서데스 시스템.And the control signal generation circuit is a synchronization circuit. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 동기회로는 PLL(Phase Locked Loop)인 것을 특징으로 하는 서데스 시스템.The synchronization circuit is a PLL (Phase Locked Loop). 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 동기회로는 DLL(Delay Locked Loop)인 것을 특징으로 하는 서데스 시스템.The synchronization circuit is a DLL (Delay Locked Loop).
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