KR100684890B1 - Serdes system - Google Patents
Serdes system Download PDFInfo
- Publication number
- KR100684890B1 KR100684890B1 KR1020050123328A KR20050123328A KR100684890B1 KR 100684890 B1 KR100684890 B1 KR 100684890B1 KR 1020050123328 A KR1020050123328 A KR 1020050123328A KR 20050123328 A KR20050123328 A KR 20050123328A KR 100684890 B1 KR100684890 B1 KR 100684890B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- serial
- pipeline
- parallel
- memory device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1605—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration
- G06F13/161—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement
- G06F13/1615—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement using a concurrent pipeline structrure
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F7/00—Methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
- G06F7/38—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation
- G06F7/48—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation using non-contact-making devices, e.g. tube, solid state device; using unspecified devices
- G06F7/4824—Methods or arrangements for performing computations using exclusively denominational number representation, e.g. using binary, ternary, decimal representation using non-contact-making devices, e.g. tube, solid state device; using unspecified devices using signed-digit representation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/30—Arrangements for executing machine instructions, e.g. instruction decode
- G06F9/38—Concurrent instruction execution, e.g. pipeline or look ahead
- G06F9/3867—Concurrent instruction execution, e.g. pipeline or look ahead using instruction pipelines
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2207/00—Indexing scheme relating to methods or arrangements for processing data by operating upon the order or content of the data handled
- G06F2207/38—Indexing scheme relating to groups G06F7/38 - G06F7/575
- G06F2207/48—Indexing scheme relating to groups G06F7/48 - G06F7/575
- G06F2207/4802—Special implementations
- G06F2207/4812—Multiplexers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Computational Mathematics (AREA)
- Mathematical Analysis (AREA)
- Mathematical Optimization (AREA)
- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 서데스 시스템에 대한 블록도이다.1 is a block diagram of a suddes system according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 서데스 시스템의 실시예이다.2 is an embodiment of a sudes system according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 서데스 시스템에서 무간격으로 명령을 내렸을 때 타이밍도이다.3 is a timing diagram when a command is issued at no intervals in the Sustain system according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *
320: 파이프 라인320: pipeline
322: 커맨드 파이프 라인322: command pipeline
324: 데이터 파이프 라인324: data pipeline
340: 직병렬 신호변환기340: serial-to-parallel signal converter
342: 먹스, 344: 먹스 및 디먹스342: mux, 344: mux and demux
321: CRQ핀, 343: XRQ핀321: CRQ pin, 343: XRQ pin
323: CDQ핀, 345: XDQ핀323: CDQ pin, 345: XDQ pin
본 발명은 반도체 집적회로에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 반도체 집적회 로에 사용되는 서데스 시스템에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and more particularly, to a suddes system for use in semiconductor integrated circuits.
반도체 집적회로(Integration Circuit)는 기판 위에 상호배선하여 고차의 집적화한 것이다. 반도체 직접회로 중 집적도가 100 이하의 것을 소규모 집적회로(SSI), 100~1000 정도의 것을 중규모 집적회로(MSI), 1000 이상의 것을 대규모 집적회로(LSI:Large Scale Integration)라고 하며, 1만 이상의 것은 VLSI(Very LSI)라고 한다. 집적도는 모놀리식(monolithic) 반도체 집적회로의 경우, 한 변이 1~수mm인 네모꼴 실리콘 박판의 작은 칩위에 상호결선된 트랜지스터, 다이오드, 저항 및 커패시터 등의 개별 전기회로소자의 수를 말한다. Semiconductor integrated circuits are interconnected on a substrate and integrated on a higher order. Small integrated circuits (SSI) of less than 100 integrated semiconductors, medium scale integrated circuits (MSI) of about 100 to 1000, and large scale integrated circuits (LSI) of more than 10,000 are called. It is called VLSI (Very LSI). In monolithic semiconductor integrated circuits, the degree of integration refers to the number of individual electrical circuit elements, such as transistors, diodes, resistors, and capacitors, interconnected on small chips of one- to-a-millimeter square silicon sheets.
LSI화로 반도체소자의 기능당 가격의 저하와 조립된 전자기기 시스템 전체로서의 가격저하 등 이들의 경제성이 크게 향상되며, 또 전자기기 및 시스템의 고성능화,고신뢰화,초소형화 그리고 저소비전력화가 이루어진다. The LSI increases the economic efficiency of the semiconductor device, such as lowering the price per function and lowering the price of the entire assembled electronic system. Further, high performance, high reliability, miniaturization, and low power consumption of the electronic device and system are achieved.
서데스 시스템(SERDES System)은 반도체 집적회로내 장치들 사이에 전달되는 신호의 송수신에 관련한 시스템으로, 병렬 신호를 직렬 신호를 변환시켜 주거나 직렬신호를 병렬신호를 변환시켜 주는 역할을 한다. 일반적으로 서데스 시스템은 시리얼라이저(Serializer)와 디시리얼라이저(Deserializer)를 포함한다. 여기서 시리얼라이저(Serializer)는 병렬 신호를 직렬 신호로 변환시켜 주는 장치이며, 디시리얼라이저(Deserializer)는 직렬 신호를 병렬 신호로 변환시켜 주는 장치이다. 서데스 시스템은 반도체 집적회로에서 보다 높은 대역폭의 데이터 통신을 수행하기 위해서 현재 많이 채용되고 있다. The SERDES system is a system related to the transmission and reception of signals transmitted between devices in a semiconductor integrated circuit. The SERDES system converts a parallel signal into a serial signal or converts a serial signal into a parallel signal. In general, Sustain systems include serializers and deserializers. Here, a serializer is a device for converting parallel signals into a serial signal, and a deserializer is a device for converting serial signals into a parallel signal. Suddes systems are now widely employed to perform higher bandwidth data communications in semiconductor integrated circuits.
종래의 서데스 시스템은 FIFO(First In First Out)와 같은 레지스터 (register)들을 사용하고 있다. FIFO는 레지스터에 먼저 들어온 입력 값에 대해서 연산을 실행해 주는 것을 말한다. 명령어 패킷(Command packet)을 무간격(gapless) 계속해서 내보내야 하는 경우 FIFO를 써야한다. 그런데 무간격(gapless)으로 출력되는 명령어 패킷의 개수에 비례하여 레지스터들이 늘어나야 한다. 이는 반도체 직접회로의 사이즈에 오버헤드가 되고 있다.Conventional Sudes systems use registers such as First In First Out (FIFO). The FIFO is the operation performed on the input value first entered into the register. If you need to keep sending command packets gapless, you should use a FIFO. However, registers must increase in proportion to the number of command packets output at a gapless rate. This is an overhead in the size of the semiconductor integrated circuit.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 무간격으로 명령어 패킷이 전달되더라도 반도체 직접회로의 사이즈에 오버헤드가 되지 않는 서데스 시스템을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a sustain system in which the size of a semiconductor integrated circuit does not become an overhead even when an instruction packet is transmitted at an interval.
본 발명에 따른 서데스 시스템은; 상기 반도체 메모리 장치와의 신호의 송수신을 관장하는 콘트롤러; 상기 콘트롤러에서 송수신하는 신호를 병렬 형태로 전달하는 파이프 라인; 상기 파이프 라인에서 전달된 병렬 신호를 제어 신호에 응답하여 직렬 신호로 변환하여 상기 반도체 메모리 장치에 전달하거나 상기 반도체 메모리 장치에서 전달된 직렬 신호를 제어 신호에 응답하여 병렬 신호로 변환하여 상기 파이프 라인에 전달하는 직병렬 신호 변환기; 및 상기 제어 신호를 생성하는 제어신호 생성회로를 포함한다.Sude system according to the present invention; A controller that controls transmission and reception of signals with the semiconductor memory device; A pipeline for transmitting signals transmitted and received by the controller in parallel; The parallel signal transmitted from the pipeline is converted into a serial signal in response to a control signal and transmitted to the semiconductor memory device, or the serial signal transmitted from the semiconductor memory device is converted into a parallel signal in response to a control signal to the pipeline. A serial-to-parallel signal converter for transmitting; And a control signal generation circuit for generating the control signal.
이 실시예에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는 DRAM인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the semiconductor memory device is a DRAM.
이 실시예에 있어서, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 콘트롤러보다 고주파 에서 동작하는 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the semiconductor memory device is characterized in that it operates at a higher frequency than the controller.
이 실시예에 있어서, 상기 콘트롤러는 FPGA(Field Programmable Gate Array)인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the controller is characterized in that the field programmable gate array (FPGA).
이 실시예에 있어서, 상기 송수신하는 신호는 데이터 신호와 명령어 신호인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the signal to be transmitted and received is characterized in that the data signal and the command signal.
이 실시예에 있어서, 상기 파이프 라인은 상기 데이터 신호를 처리하고 상기 명령어 신호를 처리하기 위해 각각의 파이프 라인은 구비한 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the pipeline is characterized in that each pipeline is provided for processing the data signal and the command signal.
이 실시예에 있어서, 상기 직병렬 신호변환기는 먹스 및 디먹스인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the serial-to-parallel signal converter is characterized in that the mux and demux.
이 실시예에 있어서, 상기 제어신호 생성회로는 동기회로인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the control signal generation circuit is characterized in that the synchronization circuit.
이 실시예에 있어서, 상기 동기회로는 PLL(Phase Locked Loop)인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the synchronous circuit is a phase locked loop (PLL).
이 실시예에 있어서, 상기 동기회로는 DLL(Delay Locked Loop)인 것을 특징으로 한다.In this embodiment, the synchronization circuit is a DLL (Delay Locked Loop).
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.
도 1은 본 발명에 따른 서데스 시스템에 대한 블록도이다. 서데스 시스템은콘트롤러(100), 메모리 장치(200) 및 서데스 장치(300)를 포함하고 있다. 서데스 장치(300)는 파이프 라인(320), 직병렬 신호 변환기(340) 및 제어신호발생회로(360)을 포함하고 있다.1 is a block diagram of a suddes system according to the present invention. The sused system includes a
콘트롤러(100)는 메모리 장치(200)와 신호를 주고 받는다. 콘트롤러(100)는 메모리 장치(200)보다 저주파에서 동작한다. 콘트롤러(100)는 FPGA(Field Programmable Gate Array)를 이용할 수 있다. FPGA는 프로그램이 가능한 로직 칩의 한 형태이다. FPGA는 PLD(Programmable Logic Device)와 비슷하지만, PLD가 일반적으로 수백 개의 게이트에 제한되는데 반해, FPGA는 수천 개의 게이트를 지원한다. 둘 모두 집적회로 설계의 프로토타입 제작용으로 인기가 높다. FPGA는 일단 설계가 확정되면, 성능을 더 높이기 위해 영구 전자회로를 가진 칩들로 생산된다. The
메모리 장치(200)는 콘트롤러(100)보다 고주파에서 동작한다. 메모리 장치(200)는 DRAM, SRAM, PRAM 등 다양한 반도체 메모리 장치를 이용할 수 있다.The
파이프 라인(320)은 콘트롤러(100)와 직병렬 신호 변환기(320)사이에 위치한다. 파이프 라인(320)은 콘트롤러(100)에서 생성된 병렬 신호를 직병렬 신호 변환기(340)에 전달하거나 혹은 직병렬 신호 변환기(340)에서 변환된 병렬 신호를 콘트롤러(100)에 전달한다. Pipeline 320 is located between
직병렬 신호 변환기(340)는 메모리 장치(200)와 파이프 라인(320) 사이에 위치한다. 직병렬 신호 변환기(340)는 병렬 신호를 직렬 신호로 바꾸어 주는 시리얼라이저(Serializer)와 직렬 신호를 병렬 신호로 바꾸어 주는 디시리얼라이저(Deserializer)를 포함하고 있다. 시리얼 라이저는 파이프 라인(320)을 통과한 병렬 신호를 직렬 신호로 변환하여 메모리 장치에 전달한다. 디시리얼 라이저는 메모 리 장치(200)에서 생성된 직렬 신호를 병렬 신호로 변환하여 파이프 라인(320)에 전달한다. 이때 직병렬 신호 변환기(340)는 제어신호 발생회로(360)에서 생성된 제어 신호에 응답하여 병렬 신호를 직렬 신호로 변환하거나 직렬 신호를 병렬 신호로 변환한다.The serial to
제어신호발생회로(360)는 제어 신호를 생성하여 직병렬 신호 변환기(340)에 전달한다. 제어신호 발생회로(360)는 동기회로일 수 있다. 동기회로는 PLL(Phase Locked Loop) 혹은 DLL(Delay Locked Loop)를 이용할 수 있다.The control
도 2는 본 발명에 따른 서데스 시스템의 실시예이다. 서데스 시스템은 FPGA(100), DRAM(200) 및 서데스 장치(300)를 포함하고 있다. 2 is an embodiment of a sudes system according to the present invention. The sused system includes the
설명의 편의를 위해서 FPGA(100)는 200MHz로 동작하고, DRAM(200)은 800Mhz으로 동작하고 있다고 가정한다. 상대적으로 FPGA(100)는 저주파용 콘트롤러이고, DRAM(200)은 고주파용 메모리 장치이다. 서데스 장치(300)는 크게 명령어 신호(CMD)를 관장하는 명령어 신호라인과 데이터 신호(DATA)를 관장하는 데이터 신호라인을 포함하고 있다. For convenience of description, it is assumed that the
명령어 신호라인은 CRQ핀(321), 커맨드 파이프 라인(322), 먹스(342) 그리고 XRQ핀(343)를 포함하고 있다. CRQ핀(321)은 저주파용 명령어 핀이고, XRQ핀(343)는 고주파용 명령어핀이다. CRQ핀(321)는 FPGA(100)에서 생성된 명령어 신호를 전달받는다. CRQ핀(321)을 통해 입력된 명령어 신호는 서데스 장치를 통하여 XRQ핀(343)을 통하여 출력되어 DRAM(200)에 전달된다. 여기서 CRQ핀(321)과 XRQ핀(343)의 개수는 서데스 장치를 통한 입출력 신호가 같은 밴드폭을 가지도록 조정되어 진다.The command signal line includes a
커맨드 파이프 라인(322)은 CRQ핀(321)을 통해 입력된 명령어 신호들을 먹스(342)에 전달하는 통로이다. 전달된 명령어 신호는 병렬 형태의 신호들이다.The
먹스(342)는 PLL(360)에 동기하여 커맨드 파이프 라인(322)로부터 전달받은 병렬 형태의 명령어 신호를 직렬 형태의 명령어 신호로 바꾸어 준다. 직렬 형태의 명령어 신호는 XRQ핀(343)을 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)은 XRQ핀(343) 핀으로부터 전달된 명령어 신호에 따라 활성화 된다.The
데이터 신호라인은 CDQ핀(323), 데이터 파이프 라인(324), 먹스 및 디먹스(344) 그리고 XDQ핀(345)을 포함하고 있다.The data signal line includes a
데이터 신호라인은 FPGA(100)에 생성된 데이터 신호(DQ)를 DRAM(200)에 읽거나 쓰기 위해서 사용된다. CDQ핀(323)는 저주파용 입출력 데이터 핀이다. XDQ핀(345)는 고주파용 입출력 데이터핀이다.The data signal line is used to read or write the data signal DQ generated in the
데이터 파이프 라인(324)는 라이트(Write) 파이프 라인과 리드(Read) 파이프 라인을 포함하고 있다. 라이트 파이프 라인은 FPGA(100)에서 DRAM(200)에 데이터를 저장하고자 할 때 사용되는 데이터의 통로이다. 리드 파이프 라인은 FPGA(100)이 DRAM(200)으로부터 데이터를 읽어올 때 사용하는 데이터 통로이다.The
본 발명에 따른 서데스 시스템은 아래와 같이 동작한다. The sustain system according to the present invention operates as follows.
우선 FPAG(100)가 DRAM(200)에 쓰기 동작을 하고자 한다고 가정하자. FPGA(100)는 DRAM(200)에 쓰기 동작을 활성화하기 위한 명령어 신호를 생성한다. FPGA(100)으로부터 생성된 명령어 신호는 서데스 장치를 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)은 전달된 명령어 신호에 의해 쓰기 동작이 가능하도록 활성화 되 어 있다. FPGA(100)는 DRAM(200)에 저장하기 위한 데이터 신호를 생성한다. CDQ핀(323)은 FPGA(100)에서 생성된 데이터 신호를 전달 받는다. CDQ핀(323)으로부터 입력받은 데이터 신호는 데이터 파이프 라인(324)중 라이트 파이프 라인을 통하여 먹스 및 디먹스(344)에 전달된다. 이때 전달되는 데이터는 복수의 CDQ핀(323)으로 데이터 신호를 전달받기 때문에 병렬 형태이다. 먹스 및 디먹스(344)는 데이터 파이프 라인(324)로부터 전달 받은 병렬 데이터를 PLL(360)에 동기하여 직렬의 데이터로 변환한다. 먹스 및 디먹스(344)에 의해 직렬 데이터로 변환된 데이터 신호는 XDQ핀(343)을 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)는 전달된 직렬의 데이터 신호에 따라 데이터를 저장하게 된다. 이로써 서데스 시스템은 쓰기 동작을 마친다. First, assume that the
반대로 FPGA(100)가 DRAM(200)에 읽기 동작하고자 가정하자. FPGA(100)는 DRAM(200)에 읽기 동작을 활성화하기 위한 명령어 신호를 생성한다. FPGA(100)으로부터 생성된 명령어 신호는 서데스 장치를 통하여 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)은 전달된 명령어 신호에 의해 읽기 동작이 가능하도록 활성화 된다. DRAM(200)은 데이터를 읽어 데이터 신호를 생성하여 XDQ핀(345)에 전달한다 XDQ핀(345)에 전달된 데이터 신호는 고주파용 직렬 형태의 신호이다. 먹스 및 디먹스(344)는 XDQ핀(345)으로부터 전달받은 직렬의 데이터 신호를 병렬 형태의 신호로 변환시켜 준다. 먹스 및 디먹스(344)에 의해 변환된 병렬의 데이터는 데이터 파이프 라인(324)의 리드(Read) 파이프 라인을 통과한다. 데이터 파이프 라인(324)의 리드 파이프 라인을 통과한 데이터 신호는 CDQ핀(323)을 통하여 FPGA(100)에 전달된다. 이로써 서데스 시스템은 읽기 동작을 마친다.On the contrary, suppose the
도 2에 도시된 데이터 라인은 하나이나 복수로 확장이 가능하다.The data lines shown in FIG. 2 can be expanded to one or more.
도 3은 본 발명에 따른 서데스 시스템에서 무간격으로 명령을 내렸을 때 타이밍도이다. 도2와 도3을 참조하면, 서데스 시스템은 FPGA(100)에서 CRQ핀(321)으로 200Mbps의 명령어 패킷(command packet)을 받아들여서 XRQ핀(343)을 통해 DRAM(200)으로 800Mbps의 명령어 패킷으로 변환하여 전달한다. 3 is a timing diagram when a command is issued at no intervals in the Sustain system according to the present invention. Referring to Figures 2 and 3, the SUDES system receives a 200 Mbps command packet from the
이때 명령어 패킷에 있어서 최악의 타이밍 조건은 각각의 명령어들이 무간격(gapless)으로 붙어 있을 때이다. 도 3을 참조하여 동작 설명을 하면 다음과 같다. CRQ핀(323)으로부터 DRAM(200)의 활성화 명령어 패킷(A)과 함께 쓰기(WRITE) 명령어 패킷(W1)을 동시에 입력 받는다. 서데스 시스템은 입력 받은 명령어 패킷들(A,W1,W2) 전달받아 직렬 형태의 명령어 패킷들(ACT,WR1,WR2)로 변환한다. 직렬형태의 명령어 패킷들(ACT,WR1,WR2))은 DRAM(200)에 전달된다. 명령어 패킷들(ACT,WR1,WR2)에 의해 DRAM(200)은 활성화 상태가 된다. CDQ핀(323)은 저장하고자 하는 데이터 패킷들(D1,D2)를 입력 받는다. 이때 입력되는 데이터 패킷은 병렬 데이터 패킷이다. 서데스 시스템은 입력 받은 병렬 데이터 패킷을 PLL(360)에 동기하여 직렬 데이터 패킷으로 변환한다. 변환된 직렬 형태의 데이터 패킷들(DA1,DA2)은 DRAM(200)에 전달된다. DRAM(200)는 전달받은 직렬 형태의 데이터 패킷들에 따라 데이터를 저장하게 된다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 서데스 시스템은 명령어 패킷이 무간격으로 전달되더라도 제한없이 출력을 얻게 된다.The worst timing condition for the instruction packet is when each instruction is attached gapless. Referring to FIG. 3, the operation will be described below. The write command packet W1 is simultaneously received from the
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지로 변형할 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Meanwhile, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be defined by the equivalents of the claims of the present invention as well as the following claims.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 서데스 시스템은 신호의 송수신을 위한 파이프 라인과 직병렬 신호변환기를 구비하여 복수의 명령어 패킷이 무간격으로 전달되더라도 반도체 집적회로의 사이즈에 오버헤드가 되지 않는다.As described above, the Sustain system according to the present invention includes a pipeline for transmitting and receiving a signal and a serial / parallel signal converter, so that even if a plurality of command packets are transmitted at no interval, the size of the semiconductor integrated circuit is not overhead.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050123328A KR100684890B1 (en) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | Serdes system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050123328A KR100684890B1 (en) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | Serdes system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100684890B1 true KR100684890B1 (en) | 2007-02-20 |
Family
ID=38104130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050123328A KR100684890B1 (en) | 2005-12-14 | 2005-12-14 | Serdes system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100684890B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8634221B2 (en) | 2011-11-01 | 2014-01-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Memory system that utilizes a wide input/output (I/O) interface to interface memory storage with an interposer and that utilizes a SerDes interface to interface a memory controller with an integrated circuit, and a method |
-
2005
- 2005-12-14 KR KR1020050123328A patent/KR100684890B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8634221B2 (en) | 2011-11-01 | 2014-01-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Memory system that utilizes a wide input/output (I/O) interface to interface memory storage with an interposer and that utilizes a SerDes interface to interface a memory controller with an integrated circuit, and a method |
US9182925B2 (en) | 2011-11-01 | 2015-11-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Memory system that utilizes a wide input/output (I/O) interface to interface memory storage with an interposer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI411956B (en) | Sending and/or receiving serial data with bit timing and parallel data conversion | |
US9148277B2 (en) | Clock reproducing and timing method in a system having a plurality of devices | |
TWI519077B (en) | Clock reproducing and timing method in a system having a plurality of devices and memory controller with flexible data alignment | |
US7245147B1 (en) | Interface for a programmable logic device | |
US10943625B2 (en) | Memory device with write data bus control | |
US20120324152A1 (en) | Memory controller with bi-directional buffer for achieving high speed capability and related method thereof | |
US11294842B2 (en) | Multichip package with protocol-configurable data paths | |
US11037608B2 (en) | Stacked memory device and memory system including the same | |
US6832325B2 (en) | Device on a source synchronous bus sending data in quadrature phase relationship and receiving data in phase with the bus clock signal | |
US6178206B1 (en) | Method and apparatus for source synchronous data transfer | |
KR20170008077A (en) | Interface circuit for high speed communication and system including the same | |
US10177901B2 (en) | Serializer, and semiconductor apparatus and system including the same | |
US9330034B2 (en) | Levelization of memory interface for communicating with multiple memory devices | |
US11355168B2 (en) | Stacked semiconductor device and method of operating same | |
KR100684890B1 (en) | Serdes system | |
TWI810962B (en) | Semiconductor die, electronic component, electronic device and manufacturing method thereof | |
US20080159454A1 (en) | Network on chip device and on-chip data transmission device | |
TW201910970A (en) | Systems and methods providing a low-power mode for serial links | |
US20090231948A1 (en) | Data output circuit having shared data output control unit | |
TWI525998B (en) | Clock reproducing and timing method, device and apparatus in a system having a plurality of devices and memory controller with flexible data alignment | |
US9438410B2 (en) | Semiconductor apparatus and system | |
US12117864B2 (en) | Interface device and signal transceiving method thereof | |
US7269681B1 (en) | Arrangement for receiving and transmitting PCI-X data according to selected data modes | |
US20240249765A1 (en) | Buffer chip, and semiconductor package including buffer chip and memory chip | |
JP2009503640A (en) | Asynchronous data buffer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100114 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |