KR100684660B1 - In-line system for manufacturing solar cell devices - Google Patents

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KR100684660B1 KR1020050038279A KR20050038279A KR100684660B1 KR 100684660 B1 KR100684660 B1 KR 100684660B1 KR 1020050038279 A KR1020050038279 A KR 1020050038279A KR 20050038279 A KR20050038279 A KR 20050038279A KR 100684660 B1 KR100684660 B1 KR 100684660B1
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최진광
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Abstract

본 발명은 태양전지 디바이스 제조를 위한 인라인(In-line) 타입 장치에 관한 것으로, 특히 N 형/P 형의 균일한 불순물 에미터(Emitter) 형성을 위한 플라즈마 도핑장치를 포함한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an in-line type device for manufacturing a solar cell device, and in particular, an inline device for manufacturing a solar cell device including a plasma doping apparatus for forming a uniform impurity emitter of type N / P. It is about.

본 발명의 플라즈마 도핑장치는 인라인(In-line)타입으로 제작이 되어있으며, 진공 및 플라즈마 기술을 이용하였다. 인라인 플라즈마 도핑장치는 외부와 격리된 진공 분위기를 조성할 수 있는 반응 챔버와 진공배기구를 구비하고, 상기의 반응 챔버간의 시료이송은 시료 이송 트레이(Tray)를 사용하며, 반응 챔버는 반응가스 유입구와 플라즈마 형성을 위한 전원부로 구성되어있다.The plasma doping apparatus of the present invention is manufactured in an in-line type, using vacuum and plasma technology. The in-line plasma doping apparatus includes a reaction chamber and a vacuum exhaust port which can create a vacuum atmosphere isolated from the outside, and the sample transfer between the reaction chambers uses a sample transfer tray, and the reaction chamber includes a reaction gas inlet and It is composed of a power supply unit for plasma formation.

본 발명의 플라즈마 형성을 위한 전원부는 반응 챔버 상부의 소스용 고주파 전원부와 반응 챔버 하부의 바이어스용 펄스 직류 전원부로 구성되어있다.The power supply unit for plasma formation of the present invention is composed of a high frequency power supply unit for the source above the reaction chamber and a pulsed DC power supply unit for the bias below the reaction chamber.

태양전지 디바이스, 인라인 장치, 플라즈마 도핑장치, 시료 이송 트레이Solar cell device, in-line device, plasma doping device, sample transfer tray

Description

태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치{In-line system for manufacturing solar cell devices }In-line system for manufacturing solar cell devices}

도 1은 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 적용된, 시료가 장착된 시료 장착용 홀더의 평면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan view of a sample mounting holder mounted on a sample applied to an inline device for manufacturing a solar cell device according to the present invention.

도 2는 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 적용된 플라즈마 도핑 장치의 내부 구성을 나타낸 개략 단면도.2 is a schematic cross-sectional view showing an internal configuration of a plasma doping apparatus applied to an inline apparatus for manufacturing a solar cell device according to the present invention.

도 3은 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 적용된 열처리 및 급속 냉각 장치의 내부 구성을 나타낸 개략 단면도.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of the heat treatment and rapid cooling device applied to the in-line device for manufacturing a solar cell device according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 시료 3: 시료 장착용 홀더1: sample 3: holder for sample loading

10: 플라즈마 도핑 장치 11, 21: 반응 챔버
12, 22: 반응 가스 주입구 13, 23: 진공 배기구10: plasma doping apparatus 11, 21: reaction chamber
12, 22: reaction gas inlet 13, 23: vacuum exhaust

14: 반응 챔버 게이트 밸브 15: 소스용 안테나 코일14: reaction chamber gate valve 15: antenna coil for source

16: 소스용 고주파 전원부 17: 바이어스용 펄스 직류 전원부
18: 시료 이송 트레이16: High frequency power supply for source 17: Pulse direct current power supply for bias
18: Sample transfer tray

20: 열처리 및 급속 냉각 장치 25: 할로겐 램프20: heat treatment and rapid cooling device 25: halogen lamp

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본 발명은 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 태양전지 디바이스를 위한 시료에 불순물을 균일한 두께로 플라즈마 도핑하면서도 인라인 타입으로 구성하도록 한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inline apparatus for manufacturing a solar cell device, and more particularly, to an inline apparatus for manufacturing a solar cell device in which the sample for the solar cell device is plasma-doped with a uniform thickness and configured in an inline type.

기존의 태양전지 디바이스 제조 공정은, 확산로를 사용하여 시료에 불순물을 도핑한 후 시료의 상, 하 양면의 도핑된 불순물을 전기적으로 격리하기 위하여, 상기 시료의 상, 하면 사이의 옆면에 도핑된 불순물 층을 플라즈마 식각 공정에 의해 식각한다.Existing solar cell device manufacturing process is doped to the side between the upper and lower surfaces of the sample, in order to electrically isolate the doped impurities of the upper and lower sides of the sample after doping the impurities into the sample using a diffusion furnace The impurity layer is etched by the plasma etching process.

그러나, 현재까지는 기존의 확산로를 사용하여 불순물을 도핑하므로 빠른 시간에 균일한 두께의 불순물을 도핑하지 못하는 실정에 있었다.However, until now, doping impurities using a conventional diffusion furnace have not been able to dope impurities of uniform thickness in a short time.

따라서, 본원 발명의 목적은, 평면의 구조물과 텍스쳐 패턴 구조물이 형성된 시료에 n＋혹은 p＋에미터 불순물을 균일한 두께로 플라즈마 도핑하면서도 인라인 타입으로 구성 가능하도록 한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an in-line device for manufacturing a solar cell device, which allows plasma-doped n + or p + emitter impurities with a uniform thickness to a sample having a planar structure and a texture pattern structure. It is.

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이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치는,
플라즈마 도핑 장치를 포함하며,
상기 플라즈마 도핑장치는,
반응 가스 주입구와 진공 배기구를 갖는, 플라즈마 도핑을 위한 반응 챔버; 소스용 고주파 전원을 발생하는 소스용 고주파 전원부; 상기 반응 챔버 내의 상측부에 설치되어, 상기 소스용 고주파 전원부의 소스용 고주파 전원을 인가받음으로써 상기 반응 챔버 내에 균일한 플라즈마를 형성하는 소스용 안테나 코일; 상기 반응 챔버의 진입/진출용 반응 챔버 게이트 밸브를 통하여 시료 장착용 홀더를 일방향으로 진입/진출시키기 위해, 상기 시료 장착용 홀더를 상기 일방향으로 이송하는 시료 이송 트레이; 및 상기 반응 챔버 내의 시료 장착용 홀더에 바이어스용 펄스 직류 전원을 인가하는 바이어스용 펄스 직류 전원부를 포함하여 인라인 타입으로 구성되며,
상기 반응 챔버 내의 시료 장착용 홀더에 장착된, 평면의 구조물과 삼차원 패턴 구조물이 형성된 시료에 플라즈마 도핑에 의해 균일한 불순물 도핑을 실시하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.In-line device for manufacturing a solar cell device according to the present invention for achieving the above object,
A plasma doping apparatus,
The plasma doping apparatus,
A reaction chamber for plasma doping, having a reaction gas inlet and a vacuum exhaust; A high frequency power supply unit for generating a high frequency power source for the source; A source antenna coil installed in an upper portion of the reaction chamber to form a uniform plasma in the reaction chamber by receiving a source high frequency power source of the source high frequency power supply unit; A sample transfer tray configured to transfer the sample holder in one direction to enter / extract the sample holder in one direction through a reaction chamber gate valve for entry / exit of the reaction chamber; And a bias pulse DC power supply for applying a bias pulse DC power to a sample mounting holder in the reaction chamber.
Uniform impurity doping is performed by plasma doping to the sample formed with the planar structure and the three-dimensional pattern structure mounted on the sample mounting holder in the reaction chamber.
Hereinafter, an inline device for manufacturing a solar cell device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 적용된, 시료가 장착된 시료 장착용 홀더의 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 태양전지 디바이스의 제조를 위한 시료(1)는 대략 사각형상을 이룬다. 시료 장착용 홀더(3)는 시료(1)를 장착한 채 도 2 및 도 3의 시료 이송 트레이(18) 상에 장착하기 위한 것으로, 전도체 재질로 구성된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The top view of the sample mounting holder with a sample applied to the inline apparatus for manufacturing solar cell devices by this invention. As shown in FIG. 1, the sample 1 for manufacturing the solar cell device is approximately square. The sample mounting holder 3 is mounted on the sample transfer tray 18 of FIGS. 2 and 3 with the sample 1 mounted thereon, and is made of a conductive material.

도 2는 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 적용된 플라즈마 도핑장치의 내부 구성을 나타낸 개략 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 플라즈마 도핑 장치(10)는 균일한 두께의 불순물 도핑을 위한 반응 챔버(11)를 포함하여 구성된다.
여기서, 반응 챔버(11)의 상측부에, 반응 챔버(11) 내에 반응 가스, 예를 들어 도핑 가스를 주입하기 위한 반응 가스 주입구(12)가 설치된다. 반응 챔버(11)의 하측부에, 반응 챔버(11)를 배기함으로써 반응 챔버(11) 내의 원하는 진공도를 형성하는 진공 배기구(13)가 설치된다. 반응 챔버(11)의 좌, 우 양측부에 반응 챔버 게이트 밸브(14)가 각각 설치된다.
또한, 반응 챔버(11) 내의 상측부에 소스용 안테나 코일(15)이 배치된다. 소스용 안테나 코일(15)의 일측에는 소스용 고주파 전원부(16)의 소스용 고주파 전원이 인가되며, 안테나 코일(15)의 타측은 접지된다.
또한, 반응 챔버(11) 내에 이송된, 시료 이송 트레이(18) 상의 시료 장착용 홀더(3)의 일측에는 바이어스용 펄스 직류 전원부(17)의 바이어스용 펄스 직류 전원이 인가된다.2 is a schematic cross-sectional view showing an internal configuration of a plasma doping apparatus applied to an inline apparatus for manufacturing a solar cell device according to the present invention.
As shown in FIG. 2, the plasma doping apparatus 10 includes a reaction chamber 11 for doping impurities of uniform thickness.
Here, a reaction gas inlet 12 for injecting a reaction gas, for example, a doping gas, is provided in the upper side of the reaction chamber 11. In the lower part of the reaction chamber 11, a vacuum exhaust port 13 is formed which exhausts the reaction chamber 11 to form a desired degree of vacuum in the reaction chamber 11. Reaction chamber gate valves 14 are provided at both left and right sides of the reaction chamber 11, respectively.
In addition, a source antenna coil 15 is disposed above the reaction chamber 11. The source high frequency power source of the source high frequency power supply unit 16 is applied to one side of the source antenna coil 15, and the other side of the antenna coil 15 is grounded.
In addition, a bias pulse DC power supply of the bias pulse DC power supply unit 17 is applied to one side of the sample mounting holder 3 on the sample transfer tray 18, which is transferred into the reaction chamber 11.

도 3은 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치에 적용된 열처리 및 급속 냉각 장치의 내부 구성을 나타낸 개략 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 열처리 및 급속 냉각 장치(20)는 열처리 및 급속 냉각을 위한 반응 챔버(21)를 포함하여 구성된다.
여기서, 반응 챔버(21)의 상측부에, 반응 챔버(21) 내에 반응 가스를 주입하기 위한 반응 가스 주입구(22)가 설치된다. 반응 챔버(21)의 하측부에, 반응 챔버(21)를 배기함으로써 반응 챔버(21) 내의 원하는 진공도를 형성하는 진공 배기구(23)가 설치된다. 반응 챔버(21)의 좌, 우 양측부에 반응 챔버 게이트 밸브(14)가 각각 설치된다.
또한, 반응 챔버(21) 내에 할로겐 램프(25)가 설치된다. 할로겐 램프(25)는 시료 이송 트레이(18) 상의 시료 장착용 홀더(3)를 가운데 두고 반응 챔버(21) 내의 상, 하측부에 각각 나열된다.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing the internal configuration of the heat treatment and rapid cooling device applied to the inline device for manufacturing a solar cell device according to the present invention.
As shown in FIG. 3, the heat treatment and rapid cooling apparatus 20 includes a reaction chamber 21 for heat treatment and rapid cooling.
Here, a reaction gas injection port 22 for injecting a reaction gas into the reaction chamber 21 is provided above the reaction chamber 21. In the lower part of the reaction chamber 21, a vacuum exhaust port 23 is formed which exhausts the reaction chamber 21 to form a desired degree of vacuum in the reaction chamber 21. Reaction chamber gate valves 14 are provided at both left and right sides of the reaction chamber 21, respectively.
In addition, a halogen lamp 25 is installed in the reaction chamber 21. The halogen lamp 25 is arranged in the upper and lower portions in the reaction chamber 21 with the holder 3 for sample mounting on the sample transfer tray 18 as the center.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치의 작용을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 먼저, 태양전지 디바이스 제조용 시료(1), 예를 들어 평면 구조물(미도시)과 텍스쳐 패턴 구조물(미도시)이 형성된 시료(1)를 준비한다. 이후, 전도체 재질의 시료 장착용 홀더(3)에 시료(1)를 장착한다.
도 2를 참조하면, 그런 다음, 시료(1)에 균일한 n+ 또는 p+ 에미터 불순물 도핑을 위해, 플라즈마 도핑장치(10) 앞의 시료 이송 트레이(18) 상에 도 1의 시료 장착용 홀더(3)를 놓은 후, 상기 홀더(3)를 시료 이송 트레이(18)에 의해 도 2에 도시된 화살표의 방향으로 이송시킨다.
이에 따라, 상기 홀더(3)가 플라즈마 도핑장치(10)를 향해 이송되기 시작하여 반응 챔버(11)의 진입용 반응 챔버 게이트 밸브(14)를 통하여 반응 챔버(11) 내에 장착된다.
상기 홀더(3)가 반응 챔버(11) 내에 장착되고 나면, 반응 가스 주입구(12)를 통하여 반응 챔버(11) 내에 도핑 가스를 주입한다. 이후, 소스용 안테나 코일(15)에 소스용 고주파 전원부(16)의 소스용 고주파 전원을 인가함으로써 반응 챔버(11) 내에 균일한 플라즈마를 형성한다. 그런 다음, 상기 홀더(3)에 바이어스용 펄스 직류 전원부(17)의 바이어스용 직류 펄스 전원을 인가하여 상기 홀더(3) 내의 시료(1)에 불순물을 플라즈마 도핑한다.
여기서, 상기 도핑 가스를 구성하는 가스들의 혼합 비율을 조절하고 아울러 상기 소스용 고주파 전원을 조절하며 상기 바이어스용 펄스 직류 전원을 조절함으로써 시료(1)에 0.1∼1.0 ㎛ 이내의 균일한 두께로 불순물을 도핑할 수 있다.
이때, 상기 시료(1)에 상기 바이어스용 펄스 직류 전원의 주파수(1Hz~5KHz)와 펄스 폭(1~100㎲)을 가변하여 인가함으로써 각진 부분의 모서리 와전류 효과를 감소시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은, 상기 텍스쳐 패턴 구조물이 형성된 시료(1)가 삼차원 구조물의 형태이더라도, 상기 시료(1)에 상기 불순물을 상기 균일한 두께로 플라즈마 도핑할 수 있으므로 태양전지 디바이스의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 불순물의 플라즈마 도핑이 완료되고 나면, 상기 홀더(3)를 시료 이송 트레이(18)에 의해 화살표 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 상기 홀더(3)는 반응 챔버(11)의 진출용 반응 챔버 게이트 밸브(14)를 통하여 도 3의 열처리 장치(20)를 향해 이송되기 시작한다.
도 3을 참조하면, 이후, 상기 홀더(3)는 열처리 및 급속 냉각 장치(20)의 진입용 반응 챔버 게이트 밸브(14)를 거쳐 반응 챔버(21) 내에 이송된다.
상기 홀더(3)가 반응 챔버(21) 내에 이송 완료되고 나면, 상기 홀더(3) 내의 시료(1)를 열처리한다. 즉, 상, 하측의 할로겐 램프(25)를 이용하여 상기 시료(1)의 상, 하 양면에 광을 각각 조사함으로써 상기 시료(1)를 원하는 온도로 가열한다. 따라서, 상기 불순물이 도핑된 텍스쳐 패턴의 불순물을 활성화하는 것이 가능하다.
한편, 도 1의 반응 챔버(11) 내에 시료(1)를 놓아둔 상태에서, 반응 가스 주입구(12)를 통하여 반응 챔버(11) 내에 보론트리플로라이트(BF3) 가스를 주입하여 반응 챔버 (11) 내의 압력을 10mTorr로 유지한 후, 반응 챔버(11)에 전압 5kV, 주파수 500Hz 및 펄스폭 20 ㎲의 펄스 직류 바이어스 전원을 인가하여 시료(1)에 상기 불순물을 플라즈마 도핑하였을 경우와, 반응 챔버(21) 내의 시료(1)를 950℃의 온도에서 열처리하여 상기 불순물을 활성화한 경우의 불순물 농도는 각각 도 4의 그래프와 같이 분포하였다.
상기 시료(1)의 열처리가 완료되고 나면, 반응 가스 주입구(22)를 통하여 반응 챔버(21) 내에 질소(N2)를 주입함으로써 상기 시료(1)를 급속 냉각한다.
상기 시료(1)의 냉각이 완료되고 나면, 상기 홀더(3)를 시료 이송 트레이(18)에 의해 화살표 방향으로 이동시킴에 따라 상기 홀더(3)를 반응 챔버(21)의 진출용 반응 챔버 게이트 밸브(14)를 통하여 반응 챔버(21)의 외부로 이송한다.
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 구조의 인라인 장치를 사용하여 플라즈마 도핑공정을 진행하면 태양전지 디바이스를 효과적으로 제조할 수 있다.The operation of the inline device for manufacturing a solar cell device according to the present invention configured as described above will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
Referring to FIG. 1, first, a sample 1 for manufacturing a solar cell device, for example, a sample 1 having a planar structure (not shown) and a texture pattern structure (not shown) are prepared. Thereafter, the sample 1 is mounted on the sample mounting holder 3 of the conductor material.
Referring to FIG. 2, the sample mounting holder of FIG. 1 is then placed on the sample transfer tray 18 in front of the plasma doping apparatus 10 for uniform doping of the sample 1 with n + or p + emitter impurities. 3) After placing, the holder 3 is transferred by the sample transfer tray 18 in the direction of the arrow shown in FIG.
Accordingly, the holder 3 starts to be transferred toward the plasma doping apparatus 10 and is mounted in the reaction chamber 11 through the entrance reaction chamber gate valve 14 of the reaction chamber 11.
After the holder 3 is mounted in the reaction chamber 11, the doping gas is injected into the reaction chamber 11 through the reaction gas inlet 12. Thereafter, a uniform plasma is formed in the reaction chamber 11 by applying a source high frequency power source of the source high frequency power supply unit 16 to the source antenna coil 15. Thereafter, a bias DC pulse power supply of the bias pulse DC power supply unit 17 is applied to the holder 3 to plasma-dope impurities into the sample 1 in the holder 3.
Here, by controlling the mixing ratio of the gases constituting the doping gas, the high frequency power source for the source and the pulsed DC power supply for the bias by controlling the impurity to the sample 1 with a uniform thickness within 0.1 ~ 1.0 ㎛ Can be doped
At this time, by varying the frequency (1Hz ~ 5KHz) and the pulse width (1 ~ 100kHz) of the bias pulse DC power supply to the sample 1 can be reduced the corner eddy current effect of the angled portion.
Therefore, the present invention can improve the efficiency of the solar cell device, even if the sample 1 having the texture pattern structure is in the form of a three-dimensional structure, since the impurities can be plasma-doped to the sample 1 to the uniform thickness. Can be.
After the plasma doping of the impurities is completed, the holder 3 is moved in the direction of the arrow by the sample transfer tray 18. Accordingly, the holder 3 starts to be transferred toward the heat treatment apparatus 20 of FIG. 3 through the outgoing reaction chamber gate valve 14 of the reaction chamber 11.
Referring to FIG. 3, the holder 3 is then transferred into the reaction chamber 21 via a reaction chamber gate valve 14 for entry of the heat treatment and rapid cooling device 20.
After the holder 3 is transferred to the reaction chamber 21, the sample 1 in the holder 3 is heat-treated. That is, the sample 1 is heated to a desired temperature by irradiating light onto both the upper and lower surfaces of the sample 1 using the upper and lower halogen lamps 25. Therefore, it is possible to activate the impurities of the doped texture pattern.
Meanwhile, in a state in which the sample 1 is placed in the reaction chamber 11 of FIG. 1, boron triflolite (BF 3 ) gas is injected into the reaction chamber 11 through the reaction gas inlet 12 to react the reaction chamber ( 11) After maintaining the pressure in 10mTorr, the reaction chamber 11 is applied with a pulsed DC bias power supply having a voltage of 5 kV, a frequency of 500 Hz, and a pulse width of 20 Hz, and plasma doping the sample 1 with the impurity. Impurity concentrations when the sample 1 in the chamber 21 was heat-treated at a temperature of 950 ° C. to activate the impurities were distributed as shown in the graph of FIG. 4, respectively.
After the heat treatment of the sample 1 is completed, the sample 1 is rapidly cooled by injecting nitrogen (N 2 ) into the reaction chamber 21 through the reaction gas inlet 22.
After the cooling of the sample 1 is completed, as the holder 3 is moved in the direction of the arrow by the sample transfer tray 18, the holder 3 is moved into the reaction chamber gate for the advancement of the reaction chamber 21. The valve 14 is transferred to the outside of the reaction chamber 21.
Therefore, the present invention can effectively manufacture a solar cell device by performing the plasma doping process using the inline device having the structure described above.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치는, 인라인 타입의 플라즈마 도핑장치를 사용하여 텍스쳐 패턴 구조물의 균일한 불순물 도핑을 위한 플라즈마 도핑 단위공정을 실시함으로써 태양전지의 효율을 향상할 수 있고, 또한 기존의 확산로를 사용하여 시료에 불순물을 도핑하는 공정에 비하여 플라즈마 도핑공정을 인라인 형태로 진행함으로써 불순물 도핑을 위한 단위공정의 시간 단축 및 비용 절감을 얻을 수 있다.As described above, the inline device for manufacturing a solar cell device according to the present invention improves the efficiency of a solar cell by performing a plasma doping unit process for uniformly doping impurities of a texture pattern structure using an inline type plasma doping apparatus. In addition, the plasma doping process may be performed in an in-line form as compared to a process of doping impurities to a sample using a conventional diffusion furnace, thereby reducing time and cost of a unit process for impurity doping.

Claims (5)

플라즈마 도핑 장치를 포함하며,A plasma doping apparatus, 상기 플라즈마 도핑 장치는,The plasma doping apparatus, 반응 가스 주입구와 진공 배기구를 갖는, 플라즈마 도핑을 위한 반응 챔버;A reaction chamber for plasma doping, having a reaction gas inlet and a vacuum exhaust; 소스용 고주파 전원을 발생하는 소스용 고주파 전원부;A high frequency power supply unit for generating a high frequency power source for the source; 상기 반응 챔버 내의 상측부에 설치되어, 상기 소스용 고주파 전원부의 소스용 고주파 전원을 인가받음으로써 상기 반응 챔버 내에 균일한 플라즈마를 형성하는 소스용 안테나 코일;A source antenna coil installed in an upper portion of the reaction chamber to form a uniform plasma in the reaction chamber by receiving a source high frequency power source of the source high frequency power supply unit; 상기 반응 챔버의 진입/진출용 반응 챔버 게이트 밸브를 통하여 시료 장착용 홀더를 일방향으로 진입/진출시키기 위해, 상기 시료 장착용 홀더를 상기 일방향으로 이송하는 시료 이송 트레이; 및A sample transfer tray configured to transfer the sample holder in one direction to enter / extract the sample holder in one direction through a reaction chamber gate valve for entry / exit of the reaction chamber; And 상기 반응 챔버 내의 시료 장착용 홀더에 바이어스용 펄스 직류 전원을 인가하는 바이어스용 펄스 직류 전원부를 포함하여 인라인 타입으로 구성되며,It is configured in an inline type including a bias pulse DC power supply for applying a bias pulse DC power to the sample mounting holder in the reaction chamber, 상기 반응 챔버 내의 시료 장착용 홀더에 장착된, 평면의 구조물과 삼차원 패턴 구조물이 형성된 시료에 플라즈마 도핑에 의해 균일한 불순물 도핑을 실시하는 것을 특징으로 하는 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치.In-line device for manufacturing a solar cell device, characterized in that the impurity doping by plasma doping to the sample formed on the sample mounting holder in the reaction chamber, the planar structure and the three-dimensional pattern structure formed by plasma doping. 제 1 항에 있어서, 상기 바이어스용 펄스 직류 전원부는 플라즈마 도핑 형성을 위한 마이너스 전압, 주파수 가변, 그리고 주파수 폭 가변이 가능한 것을 특징으로 하는 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치.The inline device of claim 1, wherein the bias pulse DC power supply unit is capable of negative voltage, variable frequency, and variable frequency width for plasma doping. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 도핑을 위한 반응 챔버의 후단에, 상기 시료를 열처리하여 상기 시료의 플라즈마 도핑된 불순물을 활성화하기 위한 열처리 및 급속 냉각 장치가 추가로 연결되며,The heat treatment and rapid cooling apparatus of claim 1, further comprising a heat treatment for activating the plasma doped impurities of the sample by heat treatment of the sample to a rear end of the reaction chamber for plasma doping, 상기 열처리 및 급속 냉각 장치는 인라인 타입으로 구성된 것을 특징으로 하는 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치.In-line apparatus for manufacturing a solar cell device, characterized in that the heat treatment and rapid cooling apparatus is configured in the in-line type. 제 4 항에 있어서, 상기 열처리 및 급속 냉각 장치는, 가스 주입구를 통하여 반응 챔버 내에 질소가스를 주입함으로써 상기 열처리된 시료를 급속 냉각하는 것을 특징으로 하는 태양전지 디바이스 제조용 인라인 장치.The inline device for manufacturing a solar cell device according to claim 4, wherein the heat treatment and rapid cooling device rapidly cools the heat treated sample by injecting nitrogen gas into the reaction chamber through a gas injection port.
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