KR100681678B1 - Method for Measuring Temperature of Process Chamber - Google Patents

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Abstract

반도체 소자를 제조하기 위한 각종 공정이 진행되는 공정 챔버 내부의 적외선이 유입되는 프로브와; 공정 챔버의 내부에서 적외선을 발생시키는 적외선 발광부와; 상기 적외선 발광부에서 발생되는 적외선이 유입되는 적외선 수광부와; 상기 프로브 및 적외선 수광부를 통해 유입되는 적외선의 세기를 이용하여 공정 챔버 내부의 온도를 측정하는 온도 조절부를 포함하여 구성되는 온도 측정 장치를 이용한 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법에 있어서, 상기 적외선 수광부를 통해 유입되는 초기의 적외선의 세기를 측정하는 제1단계; 상기 적외선 수광부를 통해 유입되는 현재의 적외선 세기를 측정하는 제2단계; 온도 보정 팩터를 계산하는 제3단계; 상기 프로브를 통해 유입되는 적외선 세기로부터 온도를 계산하는 제4단계; 및 상기 제 4 단계에서 계산한 온도에 상기 제 3 단계에서 구한 온도 조절 팩터를 곱하여 공정 챔버 내부의 온도를 계산하는 제5단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법에 관한 것이다. A probe into which infrared rays are introduced into a process chamber through which various processes for manufacturing a semiconductor device are performed; An infrared light emitting unit generating infrared light in the process chamber; An infrared light receiving unit into which infrared light generated from the infrared light emitting unit is introduced; In the temperature measuring method inside the process chamber using a temperature measuring device configured to include a temperature control unit for measuring the temperature inside the process chamber using the intensity of the infrared ray introduced through the probe and the infrared light receiving unit, through the infrared light receiving unit A first step of measuring the intensity of the initial infrared ray introduced; A second step of measuring a current infrared ray intensity introduced through the infrared light receiving unit; Calculating a temperature correction factor; A fourth step of calculating a temperature from the infrared intensity flowing through the probe; And a fifth step of calculating the temperature inside the process chamber by multiplying the temperature calculated in the fourth step by the temperature control factor obtained in the third step. will be.

공정 챔버, 프로브, 적외선 Process chamber, probe, infrared

Description

공정 챔버 내부의 온도 측정 방법{Method for Measuring Temperature of Process Chamber}Method for Measuring Temperature of Process Chamber

도 1은 종래 기술에 따른 공정 챔버 내부의 온도 측정 장치를 나타내는 개략도.1 is a schematic view showing a temperature measuring device inside a process chamber according to the prior art.

도 2에는 종래의 공정 챔버 내부의 온도 측정 장치 중 프로브를 나타내는 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing a probe of a temperature measuring device inside a conventional process chamber.

도 3은 본 발명에 따른 공정 챔버 내부의 온도 측정 장치를 나타내는 개략도.3 is a schematic view showing a temperature measuring device inside a process chamber according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

20 : 공정 챔버 30 : 온도 조절부20: process chamber 30: temperature control unit

40 : 프로브 50 : 적외선 수광부40: probe 50: infrared light receiving unit

42, 52 : 케이블 60 : 적외선 발광부42, 52: cable 60: infrared light emitting unit

본 발명은 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 반도체 소자를 제조하기 위한 각종 공정이 진행되는 공정 챔버 내부의 온도를 정밀하게 측정할 수 있게 하는 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of measuring a temperature inside a process chamber, and more particularly, to a method of measuring a temperature inside a process chamber to precisely measure a temperature inside a process chamber in which various processes for manufacturing a semiconductor device are performed. It is about.

일반적으로 반도체 소자는 수많은 공정들을 거치면서 제조되고, 이러한 각각의 공정들은 통상적으로 공정 챔버에서 진행된다. 즉 반도체 소자의 제조를 위한 실리콘 웨이퍼가 공정 챔버에 위치하면, 그 공정 챔버 내부로 소정의 공정을 진행시키기 위한 각종 가스가 주입된다.In general, semiconductor devices are manufactured through a number of processes, each of which typically proceeds in a process chamber. That is, when a silicon wafer for manufacturing a semiconductor device is located in a process chamber, various gases are injected into the process chamber to advance a predetermined process.

한편, 반도체 소자의 제조 과정에서 공정 챔버 내부의 온도를 측정 및 조절하는 것은 매우 중요한 일이라 할 수 있고, 이를 위한 종래의 온도 측정 장치가 도 1에 도시되어 있고, 도 2에는 그 온도 측정 장치를 구성하는 프로브가 도시되어 있다.On the other hand, it is very important to measure and adjust the temperature inside the process chamber in the manufacturing process of the semiconductor device, a conventional temperature measuring apparatus for this is shown in Figure 1, Figure 2 is a temperature measuring apparatus The constructing probe is shown.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실리콘 웨이퍼가 들어가 있는 공정 챔버(1) 내부로 소정의 공정을 진행시키기 위한 가스가 주입된다. 그리고 그러한 공정 챔버(1) 내부의 온도를 측정하기 위해 온도 측정용 프로브(3)가 공정 챔버(1) 내부에 위치하고, 그 프로브(3)는 케이블(4)에 의해 온도 조절부(2)에 연결된다. 1 and 2, a gas is injected into a process chamber 1 containing a silicon wafer to advance a predetermined process. In order to measure the temperature inside the process chamber 1, a temperature measuring probe 3 is located inside the process chamber 1, and the probe 3 is connected to the temperature control unit 2 by a cable 4. Connected.

한편, 상기 프로브(3)의 끝단부에는 사파이어 팁(5)이 형성되고, 그 사파이어 팁(5)을 통해 유입되는 적외선 세기를 측정한 후, 그 측정된 값을 온도 조절부 (2)에 보내게 된다. 즉, 사파이어 팁(5)을 통해 프로브(3)에 공정 챔버(1) 내부의 적외선이 유입되고, 이처럼 유입된 적외선의 세기는 온도 조절부(2)로 보내지고, 온도 조절부(2)는 프로브(3)에 유입되는 적외선 세기로부터 공정 챔버(1) 내부의 온도를 계산하게 된다.On the other hand, a sapphire tip (5) is formed at the end of the probe (3), the infrared intensity flowing through the sapphire tip (5) is measured, and then the measured value is sent to the temperature controller (2). It becomes. That is, infrared rays inside the process chamber 1 are introduced into the probe 3 through the sapphire tip 5, and the intensity of the infrared rays thus introduced is sent to the temperature controller 2, and the temperature controller 2 is The temperature inside the process chamber 1 is calculated from the infrared intensity entering the probe 3.

그러나 이러한 종래 기술에 의하면, 공정이 진행되는 동안 그 공정 챔버(1) 내부는 항상 소정의 가스로 가득차게 되고, 따라서 적외선이 유입되는 프로브의 사파이어 팁(5) 표면에도 상기 가스가 증착되어 소정의 박막이 형성될 수 있다. 이처럼 프로브(3)의 표면에 형성되는 박막으로 인해 프로브(3)를 통해 유입되는 적외선 세기는 달라질 수 있고, 따라서 공정 챔버(1) 내부의 온도를 잘못 측정할 염려가 있다. However, according to this conventional technique, the inside of the process chamber 1 is always filled with a predetermined gas during the process, so that the gas is also deposited on the surface of the sapphire tip 5 of the probe into which infrared rays are introduced. A thin film can be formed. As such, due to the thin film formed on the surface of the probe 3, the infrared intensity flowing through the probe 3 may be different, and thus there is a concern that the temperature inside the process chamber 1 may be incorrectly measured.

만일 공정 챔버(1) 내부의 온도를 잘못 측정하게 되면, 제조되는 반도체 소자의 품질 저하 문제와, 대형 사고 발생의 가능성이 존재하게 된다. 따라서 공정 챔버 내부의 온도를 정확하게 측정하는 것은 매우 중요한 일이라고 할 것이다.If the temperature inside the process chamber 1 is incorrectly measured, there is a problem of deterioration of the quality of the semiconductor device to be manufactured and the possibility of a large accident. Therefore, it is very important to accurately measure the temperature inside the process chamber.

본 발명의 목적은, 반도체 소자 생산 공정 중에서, 특히 반도체 소자에 대한 소정의 공정이 진행되는 공정 챔부 내부의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for measuring a temperature inside a process chamber that can accurately measure a temperature inside a process chamber during which a predetermined process for a semiconductor device is performed, among semiconductor device production processes.

본 발명에 따른 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법은, 공정 챔버 내부의 적외선이 유입되는 프로브와; 공정 챔버의 내부에서 적외선을 발생시키는 적외선 발광부와; 상기 적외선 발광부에서 발생되는 적외선이 유입되는 적외선 수광부와; 상기 프로브 및 적외선 수광부를 통해 유입되는 적외선의 세기를 이용하여 공정 챔버 내부의 온도를 측정하는 온도 조절부를 포함하여 구성된 온도측정장치를 이용하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, there is provided a method of measuring a temperature in a process chamber, the probe including an infrared ray introduced into the process chamber; An infrared light emitting unit generating infrared light in the process chamber; An infrared light receiving unit into which infrared light generated from the infrared light emitting unit is introduced; It characterized in that it uses a temperature measuring device comprising a temperature control unit for measuring the temperature inside the process chamber using the intensity of the infrared ray flowing through the probe and the infrared light receiving unit.

그리고 본 발명에 따른 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법은, 상기 온도 측정 장치를 이용하여 공정 챔버 내부의 온도를 측정하는 방법에 있어서, 적외선 수광부를 통해 유입되는 초기의 적외선의 세기를 측정하는 제1단계; 적외선 수광부를 통해 유입되는 현재의 적외선 세기를 측정하는 제2단계; 아래의 수학식 1을 이용하여 온도 보정 팩터를 계산하는 제3단계;In the method of measuring a temperature inside a process chamber according to the present invention, in the method of measuring a temperature inside a process chamber using the temperature measuring device, a first step of measuring an intensity of an initial infrared ray flowing through an infrared light receiving unit ; A second step of measuring a current infrared ray intensity introduced through the infrared light receiving unit; A third step of calculating a temperature correction factor using Equation 1 below;

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112005037157114-pat00001
Figure 112005037157114-pat00001

프로브를 통해 유입되는 적외선 세기로부터 온도를 계산하는 제4단계; 상기 제3단계에서 계산한 온도에 상기 제2단계에서 구한 온도 조절 팩터를 곱하여 공정 챔버 내부의 온도를 계산하는 제5단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Calculating a temperature from the infrared intensity flowing through the probe; And a fifth step of calculating the temperature inside the process chamber by multiplying the temperature calculated in the third step by the temperature control factor obtained in the second step.

구현예Embodiment

이하 도면을 참조로 본 발명의 구현예에 대해 설명한다.Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

도 3에는 본 발명에 따른 공정 챔버 내부의 온도 측정 장치가 도시되어 있다.3 shows a temperature measuring device inside a process chamber according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 공정 챔버 내부의 온도 측정 장치는, 공정 챔버(20) 내부에 위치하는 프로브(40), 적외선 발광부(60) 및 적외선 수광부(50), 그리고 상기 프로브(40)와 적외선 수광부(50)를 제어하는 온도 조절부(30)로 이루어진다.Referring to FIG. 3, the temperature measuring device inside the process chamber according to the present invention includes a probe 40, an infrared light emitting unit 60 and an infrared light receiving unit 50, and the probe ( 40 and the temperature adjusting part 30 for controlling the infrared light receiving part 50.

여기서, 상기 공정 챔버(20)는 반도체 소자의 제조를 위한 각종 공정이 진행되는 곳으로서, 공정의 진행을 위한 각종 가스가 공정 챔버(20) 내부로 유입되고, 또한 공정 챔버(20) 외부로 배출된다. 따라서 공정 챔버(20) 내부에는 항상 공정의 진행을 위한 가스 분위기 상태가 된다.Here, the process chamber 20 is a place where various processes for manufacturing a semiconductor device are performed, and various gases for advancing the process are introduced into the process chamber 20 and are discharged to the outside of the process chamber 20. do. Therefore, the process chamber 20 is always in a gas atmosphere for the progress of the process.

상기 공정 챔버(20) 내부에 위치하는 프로브(40)는, 공정 챔버(20) 내부의 적외선 세기를 측정한 후, 케이블(42)로 연결된 온도 조절부(30)에 그 측정된 적외선 세기를 전송하는 장치로서, 끝단부에는 적외선이 유입되는 사파이어 팁(Sapphire Tip)이 형성된다.The probe 40 located inside the process chamber 20 measures the infrared intensity inside the process chamber 20, and then transmits the measured infrared intensity to the temperature controller 30 connected by the cable 42. As an apparatus, a sapphire tip through which infrared rays are introduced is formed at an end thereof.

그리고 상기 적외선 발광부(60)는 공정 챔버(20) 내부에서 일정한 세기의 적외선을 발생시키는 장치이고, 상기 적외선 수광부(50)는 적외선 발광부(60)에서 발생시키는 적외선의 세기를 측정한 후, 케이블(52)로 연결된 온도 조절부(30)에 그 측정된 적외선 세기를 전송하는 장치이다. 따라서 적외선 발광부(60) 및 적외선 수광부(50)의 표면이 오염되지 않으면, 적외선 수광부(50)에서 측정하는 적외선 세기는 항상 일정한 값을 가지게 된다.In addition, the infrared light emitting unit 60 is a device for generating infrared rays of a constant intensity inside the process chamber 20, and the infrared light receiving unit 50 measures the intensity of infrared rays generated by the infrared light emitting unit 60, It is a device for transmitting the measured infrared intensity to the temperature control unit 30 connected by a cable 52. Therefore, if the surfaces of the infrared light emitting unit 60 and the infrared light receiving unit 50 are not contaminated, the infrared intensity measured by the infrared light receiving unit 50 will always have a constant value.

그리고 상기 프로브(40) 및 적외선 수광부(50)에 케이블(42, 52)로 연결되는 온도 조절부(30)는, 프로브(40) 및 적외선 수광부(50)를 통해 유입되는 적외선의 세기를 이용하여 공정 챔버(20) 내부의 온도를 측정하는 장치이다.In addition, the temperature controller 30 connected to the probe 40 and the infrared light receiver 50 by cables 42 and 52 may use the intensity of the infrared rays introduced through the probe 40 and the infrared light receiver 50. It is a device for measuring the temperature inside the process chamber 20.

이하에서는 상기와 같은 구성을 가지는 공정 챔버 내부의 온도 측정 장치를 이용하여 공정 챔버 내부의 온도를 측정하는 방법에 대해 살펴본다.Hereinafter, a method of measuring a temperature inside a process chamber using a temperature measuring device inside the process chamber having the above configuration will be described.

우선, 적외선 수광부(50)는 적외선 발광부(60)에서 발생시키는 적외선의 세기를 측정한 후, 그 측정된 값을 온도 조절부(30)로 보낸다. 이때, 초기에 적외선 수광부(50)에 유입되는 적외선 세기를 측정한 후, 공정 챔버(20) 내부의 온도를 측정하고자 하는 시점에서 다시 적외선 세기를 측정한다. 물론 초기부터 소정 시간 주기로 계속적으로 적외선 세기를 측정할 수도 있다. 한편, 시간이 지남에 따라 적외선 수광부(50)를 통해 측정되는 값은 초기에 측정된 값보다 더욱 작아지게 된다. 왜냐하면, 적외선 발광부(60) 및 적외선 수광부(50)의 표면이 모두 가스의 증착에 의한 박막이 형성되어 발산 및 유입되는 적외선이 줄어들기 때문이다.First, the infrared light receiving unit 50 measures the intensity of the infrared rays generated by the infrared light emitting unit 60, and then sends the measured value to the temperature controller 30. At this time, the infrared intensity flowing into the infrared light receiving unit 50 is initially measured, and then the infrared intensity is measured again at a time point to measure the temperature inside the process chamber 20. Of course, infrared intensity may be continuously measured at a predetermined time period from the beginning. On the other hand, as time passes, the value measured by the infrared light receiver 50 becomes smaller than the value initially measured. This is because both the surfaces of the infrared light emitting unit 60 and the infrared light receiving unit 50 are formed with a thin film formed by vapor deposition, and thus the infrared rays emitted and introduced are reduced.

그리고 공정 챔버(20) 내부의 정확한 온도를 측정하고자 할 때는, 아래의 수식을 이용하여 온도 보정 팩터를 계산한다.And when you want to measure the exact temperature inside the process chamber 20, the temperature correction factor is calculated using the following equation.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112005037157114-pat00002
Figure 112005037157114-pat00002

상기 수학식 1에서 적외선 수광부(50)의 초기 측정 값은, 적외선 발광부(60)에서 발생되는 적외선에 대해 적외선 수광부(50)에서 최초로 측정한 값을 나타내는 것으로서, 적외선 수광부(50)와 적외선 발광부(60)의 표면이 모두 오염이 안된 상태에서 측정된 값이다. 그리고 상기 적외선 수광부(50)의 현재 측정 값은, 공정 챔버(20) 내부의 온도를 측정하고자 하는 순간에 적외선 수광부(50)에서 측정된 값을 나타낸다. 그리고 상기 적외선 수광부(50)의 초기 값과 현재 값의 비율에 1/2을 곱하는 것은, 프로브(40)의 표면에는 가스 증착에 의한 1개의 박막이 형성되는데 반해, 적외선 수광부(50)와 적외선 발광부(60)의 표면 각각에 박막이 형성되기 때문이다.In the above Equation 1, the initial measurement value of the infrared light receiving unit 50 represents the value measured by the infrared light receiving unit 50 for the first time with respect to the infrared light generated by the infrared light emitting unit 60, and the infrared light receiving unit 50 and the infrared light emitting unit. It is a value measured in the state that all the surface of the part 60 is uncontaminated. The current measured value of the infrared light receiver 50 represents a value measured by the infrared light receiver 50 at the instant of measuring the temperature inside the process chamber 20. And multiplying the ratio of the initial value and the present value of the infrared light receiving unit 50 by one half, while one thin film formed by gas deposition on the surface of the probe 40, the infrared light receiving unit 50 and infrared light emission This is because a thin film is formed on each surface of the part 60.

한편, 프로브(40)는 공정 챔버(20) 내부에서 발생되는 적외선의 세기를 측정한 후, 그 측정된 값을 온도 조절부(30)로 보내고, 온도 조절부(30)는 프로브(40)에서 측정한 적외선 세기를 이용하여 공정 챔버(20) 내부의 온도 값을 계산한다. 이때, 공정이 시작되고 어느 정도의 시간이 지나고 나면, 프로브(40)를 이용하여 계산하는 공정 챔버(20) 내부의 온도 값은 실제와 다르게 나타날 수 있다. 왜냐하면, 프로브(40)의 표면이 가스의 증착에 의한 박막이 형성되어 실제보다 적은 적외선이 유입될 수 있기 때문이다.Meanwhile, the probe 40 measures the intensity of the infrared rays generated in the process chamber 20, and then sends the measured value to the temperature controller 30, and the temperature controller 30 at the probe 40. The temperature value inside the process chamber 20 is calculated using the measured infrared intensity. In this case, after the process starts and a certain time passes, the temperature value inside the process chamber 20 calculated using the probe 40 may appear different from the actual state. This is because the surface of the probe 40 may be formed by a thin film formed by vapor deposition, so that less infrared rays may be introduced.

따라서 프로브(40)를 이용하여 계산한 온도 값에 상기에서 구한 온도 보정 팩터를 곱한 값이 공정 챔버(20) 내부의 실제 온도가 된다.Therefore, the value obtained by multiplying the temperature correction factor obtained by using the temperature value calculated using the probe 40 becomes the actual temperature inside the process chamber 20.

지금까지 본 발명의 구체적인 구현예를 도면을 참조로 설명하였지만 이것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 평균적 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이고 발명의 기술적 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의하여 정하여지며, 도면을 참조로 설명한 구현예는 본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 얼마든지 변형하거나 수정할 수 있다.Although specific embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, this is intended to be easily understood by those skilled in the art and is not intended to limit the technical scope of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention is determined by the matters described in the claims, and the embodiments described with reference to the drawings may be modified or modified as much as possible within the technical spirit and scope of the present invention.

본 발명에 따르면, 공정 챔버 내부에 위치하는 프로브의 표면에 형성되는 박막으로 인한 적외선 유입의 변화에 관계없이 공정 챔버 내부의 정확한 온도를 측정할 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to measure the accurate temperature inside the process chamber irrespective of the change in the infrared inflow due to the thin film formed on the surface of the probe located inside the process chamber.

Claims (2)

삭제delete 반도체 소자를 제조하기 위한 각종 공정이 진행되는 공정 챔버 내부의 적외선이 유입되는 프로브와; 공정 챔버의 내부에서 적외선을 발생시키는 적외선 발광부와; 상기 적외선 발광부에서 발생되는 적외선이 유입되는 적외선 수광부와; 상기 프로브 및 적외선 수광부를 통해 유입되는 적외선의 세기를 이용하여 공정 챔버 내부의 온도를 측정하는 온도 조절부를 포함하여 구성되는 온도 측정 장치를 이용한 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법에 있어서, A probe into which infrared rays are introduced into a process chamber through which various processes for manufacturing a semiconductor device are performed; An infrared light emitting unit generating infrared light in the process chamber; An infrared light receiving unit into which infrared light generated from the infrared light emitting unit is introduced; In the temperature measuring method inside the process chamber using a temperature measuring device comprising a temperature control unit for measuring the temperature inside the process chamber using the intensity of the infrared ray flowing through the probe and the infrared light receiving unit, 상기 적외선 수광부를 통해 유입되는 초기의 적외선의 세기를 측정하는 제1단계; A first step of measuring an intensity of an initial infrared ray flowing through the infrared light receiving unit; 상기 적외선 수광부를 통해 유입되는 현재의 적외선 세기를 측정하는 제2단계; A second step of measuring a current infrared ray intensity introduced through the infrared light receiving unit; 아래의 수학식 1을 이용하여 온도 보정 팩터를 계산하는 제3단계;A third step of calculating a temperature correction factor using Equation 1 below; [수학식 1][Equation 1]
Figure 112006068566045-pat00003
Figure 112006068566045-pat00003
 상기 프로브를 통해 유입되는 적외선 세기로부터 온도를 계산하는 제4단계; 및A fourth step of calculating a temperature from the infrared intensity flowing through the probe; And 상기 제 4 단계에서 계산한 온도에 상기 제 3 단계에서 구한 온도 조절 팩터를 곱하여 공정 챔버 내부의 온도를 계산하는 제5단계;A fifth step of calculating the temperature inside the process chamber by multiplying the temperature calculated in the fourth step by the temperature control factor obtained in the third step; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버 내부의 온도 측정 방법.Temperature measuring method inside the process chamber, characterized in that comprises a.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960019638A (en) * 1994-11-29 1996-06-17 양승택 Wafer temperature measuring device using two wavelength infrared laser interferometer
KR20010047142A (en) * 1999-11-18 2001-06-15 정기로 Apparatus for rapid thermal processing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960019638A (en) * 1994-11-29 1996-06-17 양승택 Wafer temperature measuring device using two wavelength infrared laser interferometer
KR0149886B1 (en) * 1994-11-29 1999-04-15 양승택 Measurement instrument of wafer temperature using a two wavelength infrared laser interometry
KR20010047142A (en) * 1999-11-18 2001-06-15 정기로 Apparatus for rapid thermal processing

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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