KR100672685B1 - Method of manufacturing image sensor - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서를 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing an image sensor according to the prior art.
도 2a 내지 도 2c는 종래 기술에 따른 이미지 센서의 형성방법을 나타낸 공정단면도. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of forming an image sensor according to the prior art.
도 3은 종래 기술의 문제점을 설명하기 위해 마이크로 렌즈를 통과하는 광경로를 나타낸 도면.3 shows an optical path through a microlens to illustrate the problems of the prior art;
도 4는 종래에 의한 노광마스크를 상부에서 바라본 정면도.4 is a front view of a conventional exposure mask viewed from above;
도 5는 종래에 의한 노광마스크를 통과하고 반도체 기판에 도달한 위치별 상대강도를 나타낸 그래프.5 is a graph showing the relative intensity of each position passing through the exposure mask according to the related art and reaching the semiconductor substrate.
도 6은 본 발명에 의한 노광마스크을 상부에서 바라본 정면도.Figure 6 is a front view of the exposure mask according to the present invention from the top.
도 7은 본 발명에 의한 노광마스크를 통과하고 반도체 기판에 도달한 위치별 상대강도를 나타낸 그래프.7 is a graph showing the relative intensity of each position passing through the exposure mask according to the present invention and reaching the semiconductor substrate.
<도면의 주요부의 부호에 대한 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawing>
161 : 노광마스크 181 : 투광패턴 161: exposure mask 181: light transmission pattern
182 : 차광패턴 183 : 보조 차광패턴 182: shading pattern 183: auxiliary shading pattern
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 마이크로 렌즈가 볼록 렌즈의 구실을 할 수 있는 어느 정도의 곡률(curvature)을 가지면서 갭이 없도록 형성함과 동시에 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 리플로우 공정을 생략하여 공정을 간소화하고자 하는 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an image sensor, and more particularly, a reflow process for forming a microlens while simultaneously forming a microlens without a gap while having a certain degree of curvature that can serve as a convex lens. It relates to a manufacturing method of an image sensor to simplify the process by omitting.
일반적으로, 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 장치로써, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 소자와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 소자로 크게 나눌 수 있다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and may be broadly classified into a charge coupled device (CCD) image sensor device and a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor device.
이러한 이미지 센서는 조사되는 빛을 감지하는 포토 다이오드부와 감지된 빛을 전기적인 신호로 처리하여 데이터화하는 로직 회로부로 구성되는데, 상기 포토다이오드의 수광량이 많을수록 상기 이미지 센서의 광 강도(Photo Sensitivity) 특성이 양호해진다.The image sensor is composed of a photodiode portion for sensing the irradiated light and a logic circuit portion for processing the detected light into an electrical signal and converting the data into light. The greater the amount of light received by the photodiode, the greater the photosensitivity characteristics of the image sensor. This becomes good.
이러한, 광 강도를 높이기 위해서 이미지 센서의 전체면적 중에서 포토다이오드의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하거나, 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토다이오드로 집광시켜 주는 기술이 사용된다.In order to increase the light intensity, the technology for condensing the photodiode by increasing the fill factor of the photodiode in the total area of the image sensor or by changing the path of light incident to a region other than the photodiode Used.
상기 집광 기술의 대표적인 예가 마이크로 렌즈를 형성하는 것인데, 이는 포토다이오드 상부에 광투과율이 좋은 물질로 통상적으로 볼록형 마이크로 렌즈를 만들어 입사광의 경로를 굴절시켜 보다 많은 양의 빛을 포토다이오드 영역으로 조사 하는 방법이다.A representative example of the condensing technique is to form a microlens, which is a method of irradiating a larger amount of light to a photodiode by refracting the path of incident light by making a convex microlens with a material having a high light transmittance on the photodiode. to be.
이 경우 마이크로 렌즈의 광축과 수평한 빛이 마이크로 렌즈에 의해서 굴절되어 광축상의 일정 위치에서 그 초점이 형성되어 진다.In this case, light parallel to the optical axis of the microlens is refracted by the microlens, and its focus is formed at a predetermined position on the optical axis.
한편, 일반적인 이미지 센서는 간단히 포토다이오드(Photo Diode), 층간절연층, 컬러필터(Color Filter), 마이크로 렌즈(Micro Lens) 등으로 구성된다.On the other hand, a general image sensor simply consists of a photo diode, an interlayer insulating layer, a color filter, a micro lens, and the like.
상기 포토다이오드는 빛을 감지하여 전기적 신호로 바꾸어 주는 역할을 하고, 상기 층간절연층은 각 금속배선들 간에 절연을 시키는 역할을 하고, 상기 컬러필터는 RGB의 빛의 삼원색을 표현하며, 상기 마이크로 렌즈는 빛을 포토다이오드에 집광시켜주는 역할을 하게 된다.The photodiode senses light and converts it into an electrical signal, the interlayer insulating layer serves to insulate between metal wires, and the color filter expresses three primary colors of RGB light, and the microlens Is to concentrate the light on the photodiode.
이하에서, 첨부된 도면을 참고로 하여 종래 기술에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. Hereinafter, an image sensor and a method of manufacturing the same according to the prior art will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2a 내지 도 2c는 종래 기술에 따른 이미지 센서의 형성방법을 나타낸 공정단면도이며, 도 3은 종래 기술의 문제점을 설명하기 위해 마이크로 렌즈를 통과하는 광경로를 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an image sensor according to the prior art, Figures 2a to 2c is a cross-sectional view showing a method of forming an image sensor according to the prior art, Figure 3 is a microscopic to illustrate the problems of the prior art A diagram showing an optical path passing through a lens.
그리고, 도 4는 종래에 의한 노광마스크를 상부에서 바라본 정면도이고, 도 5는 종래에 의한 노광마스크를 통과하고 반도체 기판에 도달한 위치별 상대강도를 나타낸 그래프이다.4 is a front view of a conventional exposure mask viewed from above, and FIG. 5 is a graph showing the relative intensity for each position that passes through a conventional exposure mask and reaches a semiconductor substrate.
도 1에서 알 수 있듯이, 복수개의 포토다이오드(40)가 형성된 반도체 기판(10) 상에 층간절연층(20)이 형성되어 있고, 상기 층간절연층(20) 상에 RGB 컬러필 터층(30)이 상기 복수개의 포토다이오드(40)와 각각 대응되도록 형성되어 있다.As shown in FIG. 1, an
상기 컬러필터층(30) 상에는 컬러필터층(30)의 불균일한 표면층을 평탄화하기 위한 평탄화층(25)이 형성되어 있고, 상기 평탄화층(25) 상에는 마이크로 렌즈(50)가 상기 복수개의 포토다이오드(40) 및 컬러필터층(40)과 각각 대응되도록 형성되어 있다.A
이때, 상기 마이크로 렌즈의 경우, 상기 포토 다이오드(photo diode)에 빛을 모아주기 위해서 볼록 렌즈와 같은 패턴으로 형성하여야 하는데, 이를 위해서 포토식각공정을 적용하여 패터닝한다. In this case, in the case of the micro lens, the photodiode needs to be formed in the same pattern as the convex lens to collect light. For this purpose, the microlens is patterned by applying a photoetch process.
구체적으로, 도 2a에 도시된 바와 같이, 평탄화층(25) 상에 마이크로 렌즈용 물질인 포토레지스트(60)를 도포하고 노광마스크(61)를 씌운 뒤, 디포커스(defocus) 현상을 이용해서 노광하여 상기 포토레지스트를, 도 2b에 도시된 바와 같이, 사다리꼴 모양으로 패터닝한다. Specifically, as shown in FIG. 2A, the
이후, 도 2c에 도시된 바와 같이, 사다리꼴 모양의 포토레지스트 패턴을 녹는점(melting point)까지 가열하여 리플로우(reflow) 시킨다. 리플로우 공정을 거치면, 포토레지스트 패턴이 유동성을 가지면서 둥글어 지는데 이로써 마이크로 렌즈(50)가 완성된다. Then, as shown in Figure 2c, the trapezoidal photoresist pattern is heated to the melting point (melting point) to reflow (reflow). Through the reflow process, the photoresist pattern is rounded while having fluidity, thereby completing the
하지만 상기의 방법으로 마이크로 렌즈를 형성하면, 도 2c에 도시된 바와 같이, 마이크로 렌즈 사이에 갭(G)이 발생하게 된다. However, when the microlens is formed by the above method, as shown in FIG. 2C, a gap G occurs between the microlenses.
따라서, 임의의 물체(70)에서 빛이 나오는 경우, 상기 마이크로 렌즈(50)를 통해서 들어오는 빛은 굴절되어 포토 다이오드(40)에 정확히 포커싱되지만, 마이크 로 렌즈와 마이크로 렌즈 사이의 갭을 통해서 들어오는 빛은, 도 3에 도시된 바와 같이, 포토 다이오드에 정확히 포커싱되지 못하게 한다. 마이크로 렌즈의 갭부분은 평평하므로 들어 온 빛은 그대로 직진하게 되어 포토 다이오드에 모이지 못하게 되는 것이다. Thus, when light is emitted from any
즉, 마이크로 렌즈와 마이크로 렌즈 사이의 갭을 통과하여 포토다이오드에 포커싱되지 못하고 직진하는 빛에 의해 이미지 품질(image quality)이 저하된다.That is, the image quality is degraded by light that passes through the gap between the microlens and the microlens and is not focused on the photodiode.
그러나, 종래 기술에 의한 이미지 센서의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.However, the manufacturing method of the image sensor according to the prior art has the following problems.
기존의 마이크로 렌즈를 형성하는 포토식각공정에서 노광마스크를 사용하는바, 상기 노광마스크(61)는 투광부와 차광부로 구분되어 있고, 도 2a에 도시된 바와 같이, 투광부는 투명한 유리기판(81)에 어떠한 차광층도 형성되어 있지 않고 차광부는 투명한 유리기판(81)에 크롬으로 형성된 차광층(82)이 형성되어 있다. An exposure mask is used in a photolithography process for forming a conventional micro lens, and the
이러한 노광마스크의 투광부는 마이크로 렌즈가 형성되지 않는 부분에 배치되어 빛을 통과시키고, 차광부는 마이크로 렌즈가 형성되는 부분에 배치되어 빛을 차단한다. The light transmitting portion of the exposure mask is disposed at a portion where the microlens is not formed to pass light, and the light blocking portion is disposed at the portion where the microlens is formed to block light.
상기 노광마스크를 상부에서 바라보면 도 4에 도시된 바와 같은데, 어두운 부분이 빛이 통과 되지 않는 차광부(Ⅰ)로 포토레지스트가 제거되지 않고 남아서 마이크로 렌즈가 되는 부분이고 밝은 부분이 빛이 통과 되는 투광부(Ⅱ)로 포토레지스트가 제거되어 마이크로 렌즈 사이의 갭이 만들어지는 부분이다. Looking at the exposure mask from the top as shown in Figure 4, the dark portion is the light-shielding portion (I) through which light does not pass, the photoresist is removed without being removed to become a micro lens and the light portion is passed through The photoresist is removed by the light-transmitting part (II) to create a gap between the micro lenses.
도 5는 상기 노광마스크를 통과한 빛이 반도체 기판에 도달했을 때의 강도 프로파일(intensity profile)을 나타낸 그래프로서, 차광부에는 빛이 도달하지 않아 강도가 0에 근접하고 투광부에는 빛이 도달하여 강도가 1에 근접한다. FIG. 5 is a graph illustrating an intensity profile when light passing through the exposure mask reaches a semiconductor substrate, wherein the light does not reach the light shielding portion, the intensity approaches zero, and the light reaches the light transmitting portion. The strength is close to one.
이러한 강도 프로파일에서는 마이크로 렌즈 사이 영역의 강도가 높게 형성되어 마이크로 렌즈의 갭이 크게 존재하는바, 마이크로 렌즈 사이의 갭을 없애기 위해서는 마이크로 렌즈 사이의 갭에 상응하는 투광부를 없애는 것이 가장 좋은 방법이지만, 노광마스크가 차광부로만 이루어지거나 투광부가 너무 좁으면 마이크로 렌즈가 곡률이 작아져 볼록렌즈와 같은 구실을 못하고 평평해 지는 문제점이 있다. In this intensity profile, the intensity of the region between the microlenses is formed to be high so that the gap between the microlenses is large. In order to eliminate the gap between the microlenses, it is best to eliminate the light-transmitting portion corresponding to the gap between the microlenses. If the mask is made of only the light shielding portion or the light transmitting portion is too narrow, there is a problem that the microlens becomes flat and becomes less conservative, such as a convex lens.
따라서, 마이크로 렌즈가 볼록 렌즈의 구실을 할 수 있는 어느 정도의 곡률(curvature)을 가지면서 갭이 없는 것이 가장 바람직하다 할 것이다.Thus, it would be most desirable for the microlenses to have some curvature that would serve as the convex lens and without gaps.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 마이크로 렌즈 사이의 갭 영역에 대응하도록 노광마스크에 보조 패턴을 추가형성함으로써 노광마스크를 통과한 빔(beam)의 강도 곡선(intensity curve)이 보조패턴이 없는 경우에 비해서 완만해지게 하여 리플로우 공정을 거치지 않고도 마이크로 렌즈를 형성할 수 있게 하는 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, by adding an auxiliary pattern to the exposure mask to correspond to the gap area between the micro-lenses, the intensity curve of the beam passing through the exposure mask is It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an image sensor that makes it easier to form a microlens without undergoing a reflow process by making it smoother than in the absence of an auxiliary pattern.
또한,마이크로 렌즈(micro lens)사이의 갭에 해당하는 부분을 노광마스크로 부분차광하여 상기 마이크로 렌즈 사이에 갭을 형성하지 않고 마이크로 렌즈를 볼록하게 형성하고자 하는 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 또다른 목적이 있다.In addition, the present invention provides a method of manufacturing an image sensor in which a portion corresponding to a gap between micro lenses is partially shielded with an exposure mask to form convex micro lenses without forming a gap between the micro lenses. There is a purpose.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서의 제조방법은 복수개의 포토다이오드가 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 반도체 기판 상에 층간절연층을 형성하는 단계와, 상기 층간절연층 상에 컬러필터층을 형성하는 단계와, 상기 컬러필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층 상에 절연막을 코팅하는 단계와, 상기 절연막 상에 보조차광패턴이 구비된 노광마스크를 씌우는 단계와, 상기 절연막을 현상하여 복수개의 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 이미지 센서의 제조방법에 있어서, 상기 노광마스크의 보조패턴이 배치된 영역이 상기 마이크로 렌즈와 마이크로 렌즈 사이의 경계부분이 되는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an image sensor, including: providing a semiconductor substrate having a plurality of photodiodes, forming an interlayer insulating layer on the semiconductor substrate, and forming an interlayer insulating layer on the interlayer insulating layer. Forming a color filter layer on the substrate, forming a planarization layer on the entire surface including the color filter layer, coating an insulating film on the planarization layer, and covering an exposure mask having an auxiliary light shielding pattern on the insulating film. And developing the insulating film to form a plurality of micro lenses, wherein an area in which an auxiliary pattern of the exposure mask is disposed is a boundary portion between the micro lens and the micro lens. It is characterized by.
즉, 본 발명은 CIS의 마이크로 렌즈의 제조 방법에 있어서 공정의 단순화와 마이크로 렌즈 사이의 갭 최소화에 목적을 두고 있다. 그 방법으로 마이크로 렌즈 사이에 보조패턴(assist pattern)을 추가형성함으로써 마이크로 렌즈를 리플로우 하지않으면서 볼록렌즈와 같은 모양을 가지게 할 수 있다. 또한 마이크로 렌즈 사이의 갭도 줄일 수 있게 된다.That is, the present invention aims at simplifying the process and minimizing the gap between the micro lenses in the CIS micro lens manufacturing method. In this way, by adding an auxiliary pattern between the micro lenses, the micro lens can have a convex lens-like shape without reflowing the micro lens. It also reduces the gap between micro lenses.
이하에서, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. Hereinafter, a method of manufacturing an image sensor according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 6은 본 발명에 의한 노광마스크를 상부에서 바라본 정면도이고, 도 7은 본 발명에 의한 노광마스크를 통과하고 반도체 기판에 도달한 위치별 상대강도를 나타낸 그래프이다.6 is a front view of the exposure mask according to the present invention as viewed from the top, and FIG. 7 is a graph showing the relative intensity of each position passing through the exposure mask according to the present invention and reaching the semiconductor substrate.
본 발명에 따른 이미지 센서의 마이크로 렌즈를 형성하기 위해서는 반도체 기판 상에 절연막을 코팅하고 그 위에 차광특성의 보조 차광패턴이 구비된 노광마스크를 씌워 노광 공정을 수행하고 상기 절연막을 현상한다. In order to form the microlens of the image sensor according to the present invention, an insulating film is coated on a semiconductor substrate, an exposure mask having an auxiliary light shielding pattern having a light shielding characteristic is covered thereon, and an exposure process is performed to develop the insulating film.
상기 절연막은 노광된 부분이 제거되는 것으로, 통상 포토레지스트를 사용하거나 또는 절연 특성을 가지면서 빛을 투과시키는 물질을 사용한다. 상기 절연막을 코팅한 이후에는 흐름성있는 절연막으로부터 용매를 제거하기 위해서 상기 절연막을 베이킹하는 공정을 더 수행한다. The exposed portion of the insulating layer is removed, and generally, a photoresist or a material that transmits light while having insulating properties is used. After coating the insulating film, a process of baking the insulating film is further performed to remove the solvent from the flowable insulating film.
한편, 본 발명에 의한 노광마스크는 보조 차광패턴을 더 구비하는 것을 특징으로 하는데, 도 6에 도시된 바와 같이, 마이크로 렌즈와 마이크로 렌즈 사이의 경계부분에 상기 노광마스크(161)의 보조 차광패턴(183)이 위치하도록 한 상태에서 노광공정을 수행한다.On the other hand, the exposure mask according to the invention is characterized in that it further comprises an auxiliary light shielding pattern, as shown in Figure 6, the auxiliary light shielding pattern of the exposure mask (161) at the boundary between the micro lens and the micro lens The exposure process is performed with 183) positioned.
구체적으로, 상기 노광마스크(161)는 마이크로 렌즈가 형성되는 부분에 대응하는 차광부(Ⅰ)와, 상기 마이로 렌즈와 마이크로 렌즈 사이의 경계부분에 대응하는 보조차광부(Ⅲ)와, 상기 차광부와 보조 차광부 사이에 구비된 투광부(Ⅱ)로 구성되는바, 상기 투광부는 투명한 유리기판에 어떠한 차광층도 형성되어 있지 않아 빛을 통과시키고 차광부 및 보조 차광부는 투명한 유리기판에 크롬으로 형성된 차광층이 형성되어 빛을 차광시킨다. Specifically, the
도 7은 상기 노광마스크를 통과한 빛이 반도체 기판에 도달했을 때의 강도 프로파일(intensity profile)을 나타낸 그래프로서, 차광부에는 빛이 도달하지 않아 강도가 0에 근접하고 투광부에는 빛이 도달하여 강도가 상승하는데, 보조 차광부에 의해 투광부의 강도가 급격히 상승하지 않고 완만해진다. FIG. 7 is a graph illustrating an intensity profile when light passing through the exposure mask reaches a semiconductor substrate, in which light does not reach the light shielding portion, the intensity approaches zero, and light reaches the light transmitting portion. Although the intensity increases, the intensity of the light transmitting portion is moderately increased by the auxiliary light shielding portion.
따라서, 마이크로 렌즈 사이 영역의 강도가 완만하도록 보조 차광패턴을 추가구성하여 노광공정을 수행한 후 이 절연막을 현상하면, 마이크로 렌즈와 마이크로렌즈 사이에 갭이 형성되지 않고 볼록하게 경사지도록 패터닝된다. 참고로, 마이크로 렌즈용 물질로 사용되는 포토레지스트의 경우 활성에너지(activity energy)가 보통 0.25~0.3정도가 되는데, 이때 그 부분을 현상해보면 마이크로 렌즈 사이의 갭이 줄어드는 것을 확인할 수 있다. Therefore, when the insulating film is developed after the exposure process is performed by additionally configuring the auxiliary light shielding pattern so that the intensity of the area between the microlenses is moderate, a gap is formed between the microlenses and the microlenses and patterned so as to be convexly inclined. For reference, in the case of a photoresist used as a material for a microlens, the activity energy is usually about 0.25 to 0.3. At this time, when developing the portion, the gap between the microlenses is reduced.
즉, 노광마스크의 보조 차광패턴에 의해 마이크로렌즈 사이의 광강도가 완만해져 갭이 제거되는 한편, 마이크로 렌즈가 곡률도 우수해져 볼록렌즈와 같은 구실을 잘하게 되는 것이다. In other words, the light shielding between the microlenses is moderated by the auxiliary light shielding pattern of the exposure mask, so that the gap is eliminated, and the microlenses have excellent curvature, thereby contributing to the convex lens.
이와같이, 이것은 포토레지스트가 현상 공정에서 현상될때 현상되는 부분의 강도커브가 급격한 경사를 가지는 것이 아니라 완만한 경사를 가지면서 현상되므로 리플로우 공정을 거쳐 일부러 완만하게 만들어 주는 공정을 거치지 않아도 된다. As such, when the photoresist is developed in the developing process, the intensity curve of the developed portion is developed with a gentle inclination, not with a sharp inclination, and thus does not need to be subjected to a process of deliberately smoothing through the reflow process.
이와같이, 반도체 기판 상에 마이크로 렌즈를 형성하기 이전에는 색상을 센싱하는 복수개의 포토다이오드를 형성하고, 상기 포토다이오드를 포함한 전면에 층간절연층을 형성한다. As described above, before forming the microlens on the semiconductor substrate, a plurality of photodiodes for sensing color are formed, and an interlayer insulating layer is formed on the entire surface including the photodiode.
그리고, 상기 층간절연층 상에는 상기 복수개의 포토다이오드와 각각 대응되도록 컬러필터층을 형성하고, 상기 컬러필터층을 포함한 전면에는 산화막 또는 질화막을 선택적으로 증착하여 표면을 평탄화하는 평탄화층을 형성한다. 상기 컬러필터층은 모자이크 형식으로 R(Red) 또는 B(Blue)가 G(Green)와 번갈아가며 형성한다.A color filter layer is formed on the interlayer insulating layer to correspond to the plurality of photodiodes, and a planarization layer is formed on the entire surface including the color filter layer by selectively depositing an oxide film or a nitride film. The color filter layer is formed by alternating R (Red) or B (Blue) with G (Green) in a mosaic form.
이후, 상기 평탄화층 상에 전술한 바와 같은 노광방법으로 갭이 존재하지 않는 마이크로 렌즈를 형성한다. 상기 마이크로 렌즈는 상기 컬러필터층 및 포토 다이오드 상부에 대응되도록 형성되어 물체로부터 나오는 빛을 포토다이오드에 포커싱해준다. Thereafter, a microlens with no gap is formed on the planarization layer by the exposure method as described above. The micro lens is formed to correspond to the color filter layer and the upper portion of the photodiode to focus light from an object onto the photodiode.
이때, 상기 마이크로 렌즈는 포토레지스트 또는 절연 특성을 가지면서 빛을 투과시키는 절연물질로 이루어지며, 상기 층간절연층 및 평탄화층의 두께를 조절하여 상기 마이크로 렌즈의 초점거리를 바꿀 수 있다.In this case, the microlens is made of an insulating material that transmits light while having a photoresist or an insulating property, and the focal length of the microlens may be changed by adjusting the thicknesses of the interlayer insulating layer and the planarization layer.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in Esau.
상기와 같은 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.The manufacturing method of the image sensor according to the present invention as described above has the following effects.
첫째, 이것은 포토레지스트가 현상 공정에서 현상될 때 현상되는 부분의 강도커브가 급격한 경사를 가지는 것이 아니라 완만한 경사를 가지면서 현상된다. 그러므로 리플로우 공정을 거쳐 일부러 완만하게 만들어 주는 공정을 거치지 않아도 된다. First, this is developed while the intensity curve of the portion to be developed when the photoresist is developed in the developing process does not have a sharp inclination but a gentle inclination. Therefore, it is not necessary to go through the reflow process and make it gentle on purpose.
둘째, 포토레지스트 패턴의 활성에너지(activity energy)가 보통 0.25~0.3정도가 되는데 노광마스크의 보조 차광패턴이 배치되는 영역에 대해서 아주 작은 부 분만 현상이 이루어져서 마이크로 렌즈 사이의 갭이 줄어 드는 것을 확인할 수 있다. Second, the activity energy of the photoresist pattern is usually about 0.25 to 0.3. Only a small portion occurs in the area where the auxiliary light shielding pattern of the exposure mask is disposed, so that the gap between the microlenses is reduced. have.
Claims (9)
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020050133836A KR100672685B1 (en) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | Method of manufacturing image sensor |
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| KR100672685B1 true KR100672685B1 (en) | 2007-01-22 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100962470B1 (en) * | 2008-05-09 | 2010-06-14 | 한국과학기술원 | Pixel circuit in the solid state image sensing device |
-
2005
- 2005-12-29 KR KR1020050133836A patent/KR100672685B1/en not_active IP Right Cessation
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