KR100672124B1 - Chemical mechanical polishing machine - Google Patents

Chemical mechanical polishing machine Download PDF

Info

Publication number
KR100672124B1
KR100672124B1 KR1020050053354A KR20050053354A KR100672124B1 KR 100672124 B1 KR100672124 B1 KR 100672124B1 KR 1020050053354 A KR1020050053354 A KR 1020050053354A KR 20050053354 A KR20050053354 A KR 20050053354A KR 100672124 B1 KR100672124 B1 KR 100672124B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
wafer
pad
platen pad
platen
Prior art date
Application number
KR1020050053354A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060133639A (en
Inventor
박상준
송필근
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020050053354A priority Critical patent/KR100672124B1/en
Publication of KR20060133639A publication Critical patent/KR20060133639A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100672124B1 publication Critical patent/KR100672124B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Abstract

본 발명은 CMP(Chemical mechanical polishing) 장비에 관한 것으로, 플래튼(platen) 패드와 폴리싱(polishing) 헤드가 접촉되는 전체 부분을 헥사고널 형태로 형성하여, 폴리싱 헤드의 스위프 운동이나 회전 운동시 플래튼 패드가 폴리싱 헤드의 바깥 방향으로 밀리는 현상과 폴리싱 헤드에 압력을 가해 웨이퍼를 연마할 때 웨이퍼 양 끝부분에 발생하는 연마 불균일을 방지할 수 있다. 또한, 플래튼 패드 아랫단에 온도 조절이 가능한 쿨링 장치를 설치하여 연마시 마찰에 의한 플래튼 패드의 온도 상승을 방지할 수 있고, 이로 인하여 연마량을 균일하게 조정할 수 있다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus, and forms a hexagonal shape in which the platen pad and the polishing head are in contact with each other, and thus the platen during sweep or rotational movement of the polishing head. The pad may be pushed outward of the polishing head and pressure applied to the polishing head may prevent polishing irregularities occurring at both ends of the wafer when polishing the wafer. In addition, by installing a cooling device capable of temperature control at the lower end of the platen pad, it is possible to prevent the temperature rise of the platen pad due to friction during polishing, thereby adjusting the polishing amount uniformly.

CMP 장비, 헥사고널 CMP Equipment, Hexagonal

Description

ＣＭＰ 장비{Chemical mechanical polishing machine}CPM equipment {Chemical mechanical polishing machine}

도 1은 일반적인 CMP 장비를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a general CMP equipment.

도 2는 종래의 CMP 장비에서 폴리싱 헤드와 플래튼 패드를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating a polishing head and a platen pad in a conventional CMP apparatus.

도 3은 종래의 CMP 장비에서 발생하는 문제점을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a problem occurring in the conventional CMP equipment.

도 4는 종래 기술에 따른 웨이퍼의 연마량을 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing the polishing amount of a wafer according to the prior art.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 장비를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing CMP equipment according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼의 연마량을 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing the polishing amount of a wafer according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 플래튼 패드 2 : 슬러리 공급 라인1: platen pad 2: slurry supply line

3 : 폴리싱 헤드 4 : 컨디셔너3: polishing head 4: conditioner

5 : 웨이퍼 6 : 쿨링 장치5: wafer 6: cooling device

본 발명은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 장비에 관한 것으로, 특히, 플래튼(platen) 패드와 폴리싱(polishing) 헤드가 접촉되는 전체 부분을 헥사고널 (hexagonal) 형태로 형성한 폴리싱 헤드와 패드 쿨링(pad cooling) 장치를 이용한 CMP 장비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to chemical mechanical polishing (CMP) equipment, and more particularly, to a polishing head and pad cooling in which a whole portion of a platen pad and a polishing head is formed in a hexagonal form. CMP equipment using a cooling device).

최근에는 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정이 널리 이용되고 있다.Recently, as the wafer is large-sized, a chemical mechanical polishing (CMP) process, in which chemical removal processing and mechanical removal processing are combined in one processing method, has been widely used to planarize the widened surface of the wafer.

CMP 공정은 단차를 가진 웨이퍼 표면을 플래튼 패드 위에 밀착시킨 후 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 플래튼 패드 사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 연마하여 평탄화시키는 방법이다.In the CMP process, a wafer surface having a step is brought into close contact with a platen pad, and a slurry containing an abrasive and a chemical is injected between the wafer and the platen pad to polish and planarize the surface of the wafer.

일반적인 CMP 공정을 실시하는 CMP 장비를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a CMP apparatus for performing a general CMP process is as follows.

도 1은 기존의 CMP 장비를 도시한 평면도로서 플래튼(platen) 패드(1) 상에 슬러리 공급 라인(2), 폴리싱 헤드(3) 및 패드 컨디셔너(4)가 각각 설치된다. 1 is a plan view of a conventional CMP apparatus, in which a slurry supply line 2, a polishing head 3, and a pad conditioner 4 are installed on a platen pad 1, respectively.

플래튼 패드(1)는 연마시 상측면에 폴리싱 헤드(3)에 의해 웨이퍼(미도시)가 밀착되며, 회전 정반(미도시)의 상측면에 부착되어 회전한다. 슬러리 공급 라인(2)은 연마시 플래튼 패드(1)로 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리를 공급한다. 폴리싱 헤드(3)는 웨이퍼를 진공 흡착하여 연마시 웨이퍼를 플래튼 패드 (1)로 로딩하여 일정 압력으로 밀착시키며, 연마를 마친 웨이퍼를 진공 흡착하여 후속 공정을 위해 플래튼 패드(1)로부터 언로딩한다. 패드 컨디셔너(4)는 연마를 마친 플래튼 패드 (1)의 상측면을 미소절삭하여 윤모 및 미공들을 회복시킨다.When the platen pad 1 is polished, a wafer (not shown) is brought into close contact with the polishing head 3 on an upper side thereof, and the platen pad 1 is attached to an upper side of a rotating table (not shown) to rotate. The slurry supply line 2 supplies a slurry containing abrasive and chemicals to the platen pad 1 during polishing. The polishing head 3 vacuum-adsorbs the wafer to load the wafer into the platen pad 1 and polishes it at a constant pressure when polishing, and vacuum-adsorbs the polished wafer from the platen pad 1 for subsequent processing. Load. The pad conditioner 4 micro-cuts the upper surface of the polished platen pad 1 to restore hair growth and fine pores.

도 2는 상술한 CMP 장비에서 폴리싱 헤드(3)와 플래튼 패드(1)를 도시한 단면도이다. 도시된 바와 같이 CMP 장비에서 폴리싱 헤드(3)가 플래튼 패드(1)와 접촉 하였을 경우 가장 이상적인 경우를 보여주고 있으며, 플래튼 패드(1)는 하드 (hard) 패드와 소프트(soft) 패드로 구성되어 함께 붙여서 사용한다.2 is a cross-sectional view showing the polishing head 3 and the platen pad 1 in the above-described CMP equipment. As shown in the figure, the polishing head 3 shows the ideal case when the polishing head 3 is in contact with the platen pad 1, and the platen pad 1 is formed of a hard pad and a soft pad. It is composed and pasted together.

그러나, 상기와 같은 CMP 장치를 사용할 경우, 폴리싱 헤드(3)에 압력을 가해 웨이퍼(5) 표면을 플래튼 패드(1) 위에 밀착시켜 스위프(sweep) 운동을 하면서 웨이퍼(5)를 연마하여 평탄화 시키는데 이때, 플래튼 패드(1)는 폴리싱 헤드(3)와 접촉 할때, 도3의 A처럼 플래튼 패드(1)가 밀린다. 이런 밀리는 현상은 도3의 A처럼 웨이브 형태를 보이고, 이 웨이브는 웨이퍼(5) 연마시 영향을 미쳐 불균일하게 연마된다.However, in the case of using the CMP device as described above, the polishing head 3 is pressed and the surface of the wafer 5 is brought into close contact with the platen pad 1 to polish the wafer 5 while sweeping. In this case, when the platen pad 1 contacts the polishing head 3, the platen pad 1 is pushed as shown in FIG. This pushing phenomenon shows a wave shape as shown in Fig. 3A, and this wave affects the wafer 5 during polishing and is unevenly polished.

또한, 폴리싱 헤드(3)에 압력을 가하여 웨이퍼(5) 표면을 플래튼 패드(1) 위에 밀착시켜 스위프 운동과 회전 운동하여 웨이퍼(5)를 연마할 경우, 폴리싱 헤드 (3)에 가해지는 압력이 웨이퍼(5) 양 끝까지 균일하게 적용되지 않기 때문에 도3의 B처럼 웨이퍼(5) 양 끝부분엔 연마가 제대로 이루어 지지 않는 연마 불균일을 가져온다. 이러한 현상을 도 4에서 그래프로 보여주고 있으며, 웨이퍼(5)의 양 끝부분(도 4의 C)이 웨이퍼(5)의 중심부분에 비해 연마량이 저하된다는 것을 보여주고 있다.In addition, when pressure is applied to the polishing head 3 to bring the surface of the wafer 5 into close contact with the platen pad 1 and the sweep and rotational movements are used to polish the wafer 5, the pressure applied to the polishing head 3. Since the wafer 5 is not uniformly applied to both ends, as shown in FIG. 3B, both ends of the wafer 5 are not polished properly. This phenomenon is shown graphically in FIG. 4 and shows that both ends (C of FIG. 4) of the wafer 5 have a lower polishing amount compared to the central portion of the wafer 5.

상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 웨이퍼 양 끝부분에서 발생되는 연마 불균일을 조절하고, 연마시 마찰에 의해 발생되는 플래튼 패드의 온도 상승을 방지하여 연마량을 균일하게 조정하는 CMP 장비를 제공하는데 있다.An object of the present invention devised to solve the above problems is to adjust the polishing unevenness generated at both ends of the wafer, and to adjust the polishing amount uniformly by preventing the temperature rise of the platen pad caused by friction during polishing. To provide CMP equipment.

본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 장비는, CMP 장비에 있어서, 웨이퍼 연마시 상측면에 폴리싱 헤드에 의해 웨이퍼가 밀착되며, 회전 정반의 상측면에 부착되어 회전하는 플래튼 패드와, 상기 웨이퍼 연마시 상기 플래튼 패드로 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 라인과, 상기 플래튼 패드와 접촉되는 전체 부분이 헥사고널 형태로 형성된 폴리싱 헤드와, 연마를 마친 상기 플래튼 패드의 상측면을 미소절삭하여 윤모 및 미공들을 회복시키는 패드 컨디셔너와, 연마시 마찰력에 의해 온도가 상승되는 상기 플래튼 패드의 온도 조절을 위한 쿨링 장치를 포함하는 CMP 장비를 제공한다.CMP equipment according to an embodiment of the present invention, in the CMP equipment, the wafer is adhered to the upper surface of the polishing surface by the polishing head, the platen pad is attached to the upper surface of the rotating surface plate and the wafer polishing, A slurry supply line for supplying a slurry containing abrasives and chemicals to the platen pad, a polishing head having a hexagonal shape in its entirety in contact with the platen pad, and an image of the polished platen pad. CMP equipment including a pad conditioner for micro-cutting the side to recover the hair and fine pores, and a cooling device for controlling the temperature of the platen pad, the temperature of which is raised by friction when polishing.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 장비를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing CMP equipment according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 폴리싱 헤드(3)에 압력을 가해 웨이퍼(5) 표면을 플래튼 패드(1) 위에 밀착시켜 스위프 운동을 하면서 웨이퍼(5)를 연마할 때 플래튼 패드(1)가 밀리는 현상과 웨이퍼(5) 양 끝부분에 발생하는 연마 불균일을 방지하기 위하여 폴리싱 헤드(3)와 플래튼 패드(1)가 서로 접촉되는 전체 부분을 헥사고널 형태로 형성한다. 이로 인해, 폴리싱 헤드(3)에 압력을 가하면 웨이퍼(5) 양 끝부분에도 웨이퍼(5) 중심부분에 가해지는 압력과 동일한 압력이 가해져 웨이퍼(5) 양 끝부분이 플래튼 패드(1)와 완전히 접촉되어 웨이퍼(5)가 균일하게 연마된다.As shown in FIG. 5, when the polishing head 3 is pressed to adhere the surface of the wafer 5 to the platen pad 1, the platen pad 1 is polished when the wafer 5 is polished while sweeping. In order to prevent the phenomenon of being pushed and the polishing irregularity occurring at both ends of the wafer 5, the entire portion of the polishing head 3 and the platen pad 1 in contact with each other is formed in hexagonal shape. For this reason, when the pressure is applied to the polishing head 3, the same pressure applied to the center portion of the wafer 5 is applied to both ends of the wafer 5, so that both ends of the wafer 5 are connected to the platen pad 1. In full contact, the wafer 5 is uniformly polished.

그리고 웨이퍼(5) 연마시 마찰력에 의한 플래튼 패드(1)의 온도 상승으로 인하여 발생되는 연마량 변동을 방지하기 위하여 온도 조절이 가능한 동심원 모양의 쿨링 장치(6)를 플래튼 패드(1) 아랫단에 설치한다. 이때, 쿨링 방법으로 냉각수를 사용하거나, 에어(air) 쿨링을 통한 공냉을 사용하는데, 냉각수를 사용할 경우, 5도 내지 20도의 쿨링 온도로 한다. In order to prevent fluctuation in polishing amount caused by the temperature rise of the platen pad 1 due to the frictional force during polishing of the wafer 5, a concentric circular cooling device 6 having a temperature control is provided. Install on. At this time, using the cooling water as the cooling method, or using air cooling through air (air) cooling, when using the cooling water, the cooling temperature of 5 to 20 degrees.

도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼의 연마량을 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing the polishing amount of a wafer according to the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 폴리싱 헤드(3)에 압력을 가했을 때 웨이퍼(5)의 양 끝부분의 연마량이 웨이퍼(5)의 중심부분의 연마량과 동일함을 보여주고 있다.As shown in FIG. 6, when the pressure is applied to the polishing head 3, the polishing amount at both ends of the wafer 5 is equal to the polishing amount at the center portion of the wafer 5.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사 상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 플래튼 패드와 폴리싱 헤드가 접촉되는 전체 부분을 헥사고널 형태로 형성함으로써, 폴리싱 헤드의 스위프 운동이나 회전 운동시 플래튼 패드가 바깥 방향으로 밀리는 현상과 웨이퍼 양 끝부분에 발생하는 연마 불균일을 방지할 수 있다. As described above, according to the present invention, by forming the entire portion of the platen pad and the polishing head in contact with the hexagonal shape, the platen pad is pushed outward during sweep or rotational movement of the polishing head and both ends of the wafer. The polishing nonuniformity which arises in a part can be prevented.

또한, 플래튼 패드 아랫단에 온도 조절이 가능한 쿨링 장치를 설치함으로써 웨이퍼 연마시 마찰에 의한 플래튼 패드의 온도 상승을 방지하여 연마량을 균일하게 조정할 수 있고, 이로 인해 수율 향상에 기여할 수 있는 효과가 있다.In addition, by installing a temperature-controlled cooling device at the bottom of the platen pad, it is possible to uniformly adjust the amount of polishing by preventing the temperature rise of the platen pad due to friction during wafer polishing, thereby improving the yield. have.

Claims (4)

CMP 장비에 있어서, In CMP equipment, 웨이퍼 연마시 상측면에 폴리싱 헤드에 의해 웨이퍼가 밀착되며, 회전 정반의 상측면에 부착되어 회전하는 플래튼 패드; A platen pad, the wafer being adhered to the upper side by a polishing head upon polishing the wafer and attached to the upper side of the rotating surface plate to rotate; 상기 웨이퍼 연마시 상기 플래튼 패드로 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 라인; A slurry supply line for supplying a slurry containing an abrasive and a chemical to the platen pad when polishing the wafer; 상기 플래튼 패드와 접촉되는 전체 부분이 헥사고널 형태로 형성된 폴리싱 헤드;  A polishing head having a hexagonal shape in its entirety in contact with the platen pad; 연마를 마친 상기 플래튼 패드의 상측면을 미소절삭하여 윤모 및 미공들을 회복시키는 패드 컨디셔너; 및A pad conditioner for micro-cutting the upper surface of the platen pad after polishing to restore hair growth and fine pores; And 연마시 마찰력에 의해 온도가 상승되는 상기 플래튼 패드의 온도 조절을 위한 쿨링 장치를 포함하는 CMP 장비.CMP equipment comprising a cooling device for controlling the temperature of the platen pad, the temperature is increased by the frictional force during polishing. 제1항에 있어서, 상기 폴리싱 헤드는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하여 연마시 상기 웨이퍼를 상기 플래튼 패드로 로딩하여 일정 압력으로 밀착시키며, 연마를 마친 상기 웨이퍼를 진공 흡착하여 후속 공정을 위해 상기 플래튼 패드로부터 언로딩하는 것을 포함하는 CMP 장비.The polishing plate of claim 1, wherein the polishing head vacuum-adsorbs the wafer to load the wafer into the platen pad and adheres to the platen pad at a predetermined pressure. CMP equipment comprising unloading from the pad. 제1항에 있어서, 상기 쿨링 장치의 냉각 방법은 냉각수를 사용하거나, 에어 쿨링을 통한 공냉을 사용하는 것을 포함하는 CMP 장비.The CMP apparatus of claim 1, wherein the cooling method of the cooling device comprises using cooling water or using air cooling through air cooling. 제3항에 있어서, 상기 냉각수 사용시 쿨링 온도는 5도 내지 20도로 하는 것을 포함하는 CMP 장비.The CMP apparatus of claim 3, wherein a cooling temperature of the cooling water is 5 degrees to 20 degrees.
KR1020050053354A 2005-06-21 2005-06-21 Chemical mechanical polishing machine KR100672124B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050053354A KR100672124B1 (en) 2005-06-21 2005-06-21 Chemical mechanical polishing machine

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050053354A KR100672124B1 (en) 2005-06-21 2005-06-21 Chemical mechanical polishing machine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060133639A KR20060133639A (en) 2006-12-27
KR100672124B1 true KR100672124B1 (en) 2007-01-19

Family

ID=37812390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050053354A KR100672124B1 (en) 2005-06-21 2005-06-21 Chemical mechanical polishing machine

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100672124B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102264785B1 (en) 2015-02-16 2021-06-14 삼성전자주식회사 Polishing head and polishing carrier apparatus having the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020045740A (en) * 2000-12-11 2002-06-20 윤종용 Chemical mechanical polishing equipment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020045740A (en) * 2000-12-11 2002-06-20 윤종용 Chemical mechanical polishing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060133639A (en) 2006-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6203413B1 (en) Apparatus and methods for conditioning polishing pads in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6193587B1 (en) Apparatus and method for cleansing a polishing pad
US6387289B1 (en) Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US8257142B2 (en) Chemical mechanical polishing method
US8439723B2 (en) Chemical mechanical polisher with heater and method
US20060270237A1 (en) Apparatus and method for pre-conditioning CMP polishing pad
US20060183410A1 (en) Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishing (CMP) polishing pads
JP2004066450A (en) Chemical mechanical polishing and pad dressing method
US6302770B1 (en) In-situ pad conditioning for CMP polisher
JP2000117616A (en) Manufacture and working device for semiconductor device
US9095953B2 (en) Apparatus for polishing rear surface of substrate, system for polishing rear surface of substrate, method for polishing rear surface of substrate and recording medium having program for polishing rear surface of substrate
CN112476227A (en) Chemical mechanical polishing device
KR100672124B1 (en) Chemical mechanical polishing machine
TW202023754A (en) Conditioning device and method of conditioning polishing pad for chemical mechanical polishing
TW201524686A (en) Dressing method and dressing device
KR20200079533A (en) Method for substrate processing system and planarized membrane
US6783441B2 (en) Apparatus and method for transferring a torque from a rotating hub frame to a one-piece hub shaft
JP2004223684A (en) Wafer notch polishing pad
JP2004122291A (en) Method for polishing substrate
KR20110099486A (en) Adhering and conditioning apparatus of edge polishing pad and edge polishing equipment including the same
KR100648996B1 (en) Apparatus and Method for Chemical Mechanical Polishing
US20060258269A1 (en) Wafer carrier and chemical mechanical polishing apparatus including the same
JP2000233360A5 (en)
JP2005271172A (en) Abrasive pad
KR100678303B1 (en) Cmp pad dresser and cmp apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101224

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee