KR100650854B1 - Amplifier circuit with self activation function - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 증폭 회로의 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram of a conventional amplifier circuit.
도 2는 도 1에 도시된 증폭 회로의 동작과 관련된 신호들의 타이밍도이다.FIG. 2 is a timing diagram of signals related to the operation of the amplifier circuit of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 증폭 회로를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating an amplifying circuit according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 제1 및 제2 차동 증폭기들의 상세한 회로도이다.4 is a detailed circuit diagram of the first and second differential amplifiers shown in FIG. 3.
도 5는 도 3에 도시된 제2 증폭기의 상세한 회로도이다.FIG. 5 is a detailed circuit diagram of the second amplifier shown in FIG. 3.
도 6은 도 3에 도시된 증폭 회로의 동작과 관련된 신호들의 타이밍도이다.FIG. 6 is a timing diagram of signals related to the operation of the amplifier circuit of FIG. 3.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
100 : 증폭 회로 110 : 제1 증폭기100: amplification circuit 110: first amplifier
120 : 인에이블 제어 회로 130 : 제2 증폭기120: enable control circuit 130: second amplifier
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히, 증폭 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to an amplifier circuit.
일반적으로, 증폭 회로는 미세한 전압 레벨을 가지는 입력 신호를 설정된 전압 레벨로 증폭시키고, 그 증폭된 신호를 출력 신호로서 출력한다. 따라서 증폭 회 로는 미세한 신호의 증폭이 요구되는 회로들에서 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 증폭 회로는 입력 신호의 전압 레벨을 더욱 정확하게 판단하고, 더욱 안정적인 증폭 동작을 실행하기 위해, 직렬로 연결된 복수의 증폭기들을 포함하여 이루어지는 다단(multi-step) 증폭 구조를 갖는다. 이러한 다단 증폭 구조를 가지는 종래의 증폭 회로의 일례가 도 1에 도시되어 있다. 도 1을 참고하면, 증폭 회로(10)는 직렬로 연결되는 제1 증폭기(11) 및 제2 증폭기(12)를 포함한다. 상기 제1 및 제2 증폭기들(11, 12)은 외부에서 입력되는 인에이블 신호들(EN1, EN2)에 각각 응답하여, 인에이블되거나 또는 디세이블된다. 좀 더 상세하게는, 상기 인에이블 신호들(EN1, EN2)이 각각 인에이블될 때, 상기 제1 및 제1 증폭기들(11, 12)이 각각 인에이블된다. 이때, 상기 인에이블 신호들(EN1, EN2)은 설정된 시간 간격(D1)을 두고 순차적으로 인에이블되는 것이 바람직하다. 그 이유는, 상기 제1 증폭기(11)가 인에이블되어 충분히 안정화된 후, 상기 제1 증폭기(11)의 출력 신호(OUT11 또는 OUT12)가 상기 제2 증폭기(12)에 입력되도록 하기 위함이다. 이처럼, 상기 제1 증폭기(11)가 충분히 안정화된 후 상기 제2 증폭기(12)가 인에이블되면, 상기 제2 증폭기(12)는 안정적인 상기 출력 신호(OUT11 또는 OUT12)를 수신할 수 있으므로, 에러(error) 발생 비율이 감소된 출력 신호(OUT21 또는 OUT22)를 출력할 수 있다. 결과적으로, 상기 증폭 회로(10)가 오동작하지 않고, 안정적으로 동작할 수 있다. 한편, 상기 제1 증폭기(11)가 안정화된 상기 출력 신호(OUT11 또는 OUT12)를 출력하는 시점은, 입력 신호들(IN1 및 IN1B, 또는 IN2 및 IN2B)간의 전압 차의 크기, 상기 입력 신호들(IN1 및 IN1B, 또는 IN2 및 IN2B)의 천이 속도, 공정의 변화, 및 온도의 변화 등 과 같은 다양한 조건들에 따라 변화할 수 있다. 즉, 상술한 조건들이 변화함에 따라 상기 제1 증폭기(11)가 안정화된 상기 출력 신호(OUT11 또는 OUT12)를 출력하는 시점이 더 빨라지거나 또는 더 느려질 수 있다. 도 2에서는 각각 전압 차가 서로 다른 상기 입력 신호들(IN1, IN1B)과 상기 입력 신호들(IN2, IN2B)이 상기 증폭 회로(10)에 각각 입력되는 경우, 상기 증폭 회로(10)의 동작과 관련된 신호들의 타이밍 도가 도시되어 있다. 도 2를 참고하면, 상기 인에이블 신호(EN1)가 인에이블된 시점(P0)으로부터 설정된 시간(D1)이 경과 한 후, 상기 인에이블 신호(EN2)가 인에이블된다. 그 결과, 상기 시점(P0)에 상기 제1 증폭기(11)가 인에이블되고, 상기 인에이블 신호(EN2)가 인에이블되는 시점(P1)에 상기 제2 증폭기(12)가 인에이블된다. 한편, 도 2에서 참고되는 것과 같이, 상기 입력 신호들(IN1, IN1B)간의 전압 차(△V1)가 상기 입력 신호들(IN2, IN2B)간의 전압 차(△V2)보다 더 크다. 이 경우, 상기 제1 증폭기(11)가 상기 입력 신호들(IN1, IN1B)에 응답하여 출력 신호(OUT11)를 출력하는 시점(P2)은, 상기 제1 증폭기(11)가 상기 입력 신호들(IN2, IN2B)에 응답하여 출력 신호(OUT21)를 출력하는 시점(P3)보다 더 앞서게 된다. 또, 상기 출력 신호(OUT11)가 천이(transition)하는데 걸리는 시간은 상기 출력 신호(OUT21)가 천이하는데 걸리는 시간(D2)보다 훨씬 더 짧다. 결국, 상기 제1 증폭기(11)가 상기 입력 신호들(IN2, IN2B)을 수신할 때에 비하여, 상기 제1 증폭기(11)가 상기 입력 신호들(IN1, IN1B)을 수신할 때, 상기 증폭 회로(10)가 더 고속으로 동작할 수 있다. 도 2에서 참고되는 것과 같이, 최악의 동작 조건(즉, 전압 차가 작은 상기 입력 신호들(IN2, IN2B)이 입력되는 경우)에서도 상기 증폭 회로(10)가 정상적으로 동작할 수 있도록 하기 위해, 상기 인에이블 신호(EN2)가 인에이블되는 시점(P1)은 상기 최악의 동작 조건을 기준으로 설정된다. 즉, 상기 인에이블 신호(EN1)가 인에이블되는 시점(P0)과 상기 인에이블 신호(EN2)가 인에이블되는 시점(P1) 사이의 시간 간격(D1)은 상기 최악의 동작 조건을 충분히 커버 할 만큼 길게 설정된다. 하지만 이처럼 상기 인에이블 시점들(P0, P1) 간의 마진(margin)(즉, D1)이 최대로 설정될 경우, 상기 증폭 회로(10)가 고속으로 동작할 수 있는 조건임에도 불구하고 상기 증폭 회로(10)의 동작 속도가 제한되는 문제점이 있다. 또한, 상기 증폭 회로(10)의 설계 및 제조 과정에서 상기 인에이블 신호(EN2)가 인에이블되어야 할 최적의 시점을 결정하기 위해, 반복적인 테스트 과정이 실행되어야 하므로, 상기 증폭 회로(10)의 테스트 시간이 증가하는 문제점이 있다.In general, an amplifier circuit amplifies an input signal having a fine voltage level to a set voltage level, and outputs the amplified signal as an output signal. Therefore, amplification circuits are widely used in circuits requiring fine signal amplification. This amplifying circuit has a multi-step amplifying structure comprising a plurality of amplifiers connected in series to more accurately determine the voltage level of the input signal and perform a more stable amplification operation. An example of a conventional amplifying circuit having such a multistage amplifying structure is shown in FIG. Referring to FIG. 1, the
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 다단 증폭 구조에서 전단의 증폭기의 출력 신호에 기초하여 후단의 증폭기의 인에이블 신호를 발생함으로써, 최적의 동작 조건에서 고속으로 동작할 수 있고, 추가의 테스트 과정이 필요 없는 증폭 회로를 제공하는 데 있다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to generate the enable signal of the amplifier in the rear stage based on the output signal of the amplifier in the front stage in the multi-stage amplification structure, it is possible to operate at a high speed in the optimal operating conditions, further test process This is to provide an amplifier circuit which does not need this.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 증폭 회로는, 인에이블 신호에 응답하여, 입력 신호를 제1 증폭하고, 제1 증폭 신호를 출력하는 제1 증폭기; 제1 증폭 신호에 기초하여 셀프 인에이블 신호를 출력하는 인에이블 제어 회로; 및 셀프 인에이블 신호에 응답하여, 제1 증폭 신호를 제2 증폭하고, 제2 증폭 신호를 출력하는 제2 증폭기를 포함한다.According to an aspect of the present invention, an amplifier circuit includes: a first amplifier configured to first amplify an input signal and output a first amplified signal in response to an enable signal; An enable control circuit to output a self enable signal based on the first amplified signal; And a second amplifier configured to second amplify the first amplified signal and output the second amplified signal in response to the self-enabled signal.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록하며 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 증폭 회로를 나타내는 도면이다. 도 3을 참고하면, 증폭 회로(100)는 제1 증폭기(110), 인에이블 제어 회로(120), 및 제2 증폭기(130)를 포함한다. 상기 제1 증폭기(110)는 인에이블 신호(E)에 응답하여, 입력 신호들(S, SB)을 증폭하고, 증폭 신호들(COM, COMB)를 출력한다. 바람직하게, 상기 입력 신호들(S, SB)은 상보(complementary) 신호들이다. 상기 제1 증폭기(110)의 구성 및 동작을 좀 더 상세히 설명하면, 상기 제1 증폭기(110)는 인버터(111), 제1 차동 증폭기(112), 및 제2 차동 증폭기(113)를 포함한다. 상기 인버터(111)는 상기 인에이블 신호(E)를 반전시켜, 반전된 인에이블 신호(EB)를 출력한다. 상기 제1 차동 증폭기(112)는 상기 반전된 인에이블 신호(EB)에 응답하여, 인에이블되거나 또는 디세이블된다. 상기 제1 차동 증폭기(112)는 인에이블될 때, 상기 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차를 증폭하고, 상기 증폭 신호(COM)를 출력한다. 상기 제2 차동 증폭기(113) 역시 상기 반전된 인에이블 신호(EB)에 응답하여, 인에이블되거나 디세이블된다. 상기 제2 차동 증폭기(113)는 인에이블될 때, 상기 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차를 증폭하고, 상기 증폭 신호(COMB)를 출력한다.3 is a diagram illustrating an amplifying circuit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the amplifying
도 4를 참고하여, 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)의 구성 및 구체적인 동작을 좀 더 상세히 설명한다. 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)의 구성 및 구체적인 동작 서로 유사하므로, 도 4에서는 상기 제1 차동 증폭기(112)의 동작을 중심으로 설명하기로 한다. 도 4를 참고하면, 상기 제1 차동 증폭기(112)는 인버터들(141, 143)과 차동 증폭 회로(142)를 포함한다. 상기 인버터(141)는 상기 반전된 인에이블 신호(EB)를 반전시켜, 상기 인에이블 신호(E)를 출력한다. 결국, 상기 인버터들(111, 141)에 의해 상기 인에이블 신호(E)가 설정 시간 동안 지연된 후, 상기 차동 증폭 회로(142)에 입력된다. 상기 차동 증폭 회로(142)는 PMOS 트랜지스터들(P1∼P3)과 NMOS 트랜지스터들(N1∼N3)을 포함한다. 상기 차동 증폭 회로(142)는 상기 인에이블 신호(E)에 응답하여 인에이블되거나 또는 디세이블되고, 인에이블될 때, 상기 상보 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차를 증폭하고, 출력 신호(ICOM)를 출력 노드(NT1)에 출력한다. 상기 차동 증폭 회로(142)의 구성 및 구체적인 동작은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 충분히 이해할 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 상기 차동 증폭 회로(142)는 일반적인 차동 증폭 회로에 비교할 때, 상기 PMOS 트랜지스터(P3)를 더 포함하고 있다. 상기 PMOS 트랜지스터(P3)는 상기 인에이블 신호(E)가 디세이블 상태인 동안, 상기 출력 신호(ICOM)를 로직 하이로 유지하는 역할을 한다. 그 결과, 상기 인에이블 신호(E)가 디세이블 상태인 동안, 상기 제1 차동 증폭기(112)는 상기 증폭 신호(COM)를 로직 로우 상태로 유지한다. 상기 인버터(143)는 상기 출력 신호(ICOM)를 반전시키고, 그 반전된 신호를 상기 증폭 신호(COM)로서 출력한다.Referring to FIG. 4, the configuration and specific operation of the first and second
다시 도 3을 참고하면, 상기 인에이블 제어 회로(120)는 상기 증폭 신호들(COM, COMB)에 기초하여 셀프 인에이블 신호(SE)를 출력한다. 바람직하게, 상기 인에이블 제어 회로(120)는 NOR 게이트로서 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 인에이블 제어 회로(120)는 상기 증폭 신호들(COM, COMB) 중 어느 하나가 로직 하이로 변경될 때, 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 로직 로우로 인에이블시킨다. 반대로, 상기 증폭 신호들(COM, COMB)이 모두 로직 로우 상태일 때, 상기 인에이블 제어 회로(120)는 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 로직 하이로 디세이블시킨다. 결과적으로, 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)이 모두 디세이블 상태인 동안, 상기 인에이블 제어 회로(120)가 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 디세이블시킨다. 또, 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)이 모두 인에이블되어 안정화된 후, 상기 증폭 신호들(COM, COMB)을 출력할 때, 상기 인에이블 제어 회로(120)가 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 인에이블시킨다.Referring to FIG. 3 again, the enable
상기 제2 증폭기(130)는 상기 셀프 인에이블 신호(SE)에 응답하여, 상기 증폭 신호들(COM, COMB)을 증폭하고, 증폭 신호(SO)를 출력한다. 도 5를 참고하여, 상기 제2 증폭기(130)의 구성 및 구체적인 동작을 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다. 상기 제2 증폭기(130)는 인버터들(131, 134), 차동 증폭 회로(132), 및 래치 회로(133)를 포함한다. 상기 인버터(131)는 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 반전시키고, 반전된 셀프 인에이블 신호(SEB)를 출력한다. 상기 차동 증폭 회로(132)는 상기 반전된 셀프 인에이블 신호(SEB)에 응답하여, 인에이블되거나 또는 디세이블된다. 상기 차동 증폭 회로(132)는 인에이블될 때, 상기 증폭 신호들(COM, COMB)간 의 전압 차를 증폭하고, 출력 신호들(CM1, CM2)을 출력 노드들(NT11, NT12)에 각각 출력한다. 바람직하게, 상기 차동 증폭 회로(132)가 동작할 때, 상기 출력 신호들(CM1, CM2)은 상보적인 신호들로 된다. 상기 차동 증폭 회로(132)는 PMOS 트랜지스터들(P11∼P14)과 NMOS 트랜지스터들(N11∼N15)을 포함한다. 상기 PMOS 트랜지스터들(P11, P12)은 내부 전압(VDD)과 상기 출력 노드(NT11) 사이에 병렬로 연결되고, 상기 PMOS 트랜지스터들(P13, P14)은 상기 내부 전압(VDD)과 상기 출력 노드(NT12) 사이에 병렬로 연결된다. 상기 PMOS 트랜지스터들(P11, P14)의 게이트들에는 상기 반전된 셀프 인에이블 신호(SEB)가 입력된다. 상기 PMOS 트랜지스터들(P11, P14)은 상기 반전된 셀프 인에이블 신호(SEB)에 응답하여 턴 온 또는 오프되고, 턴 온될 때 상기 출력 노드들(NT11, NT12)에 각각 상기 내부 전압(VDD)을 공급한다. 또, 상기 PMOS 트랜지스터(P12)의 게이트는 상기 출력 노드(NT12)에 연결되고, 상기 PMOS 트랜지스터(P13)의 게이트는 상기 출력 노드(NT11)에 연결된다. 상기 NMOS 트랜지스터들(N11, N13)은 상기 출력 노드(NT11)와 제어 노드(NT13) 사이에 직렬로 연결되고, 상기 NMOS 트랜지스터들(N12, N14)은 상기 출력 노드(NT12)와 상기 제어 노드(NT13) 사이에 직렬로 연결된다. 상기 NMOS 트랜지스터(N11)의 게이트는 상기 출력 노드(NT12)에 연결되고, 상기 NMOS 트랜지스터(N12)의 게이트는 상기 출력 노드(NT11)에 연결된다. 상기 NMOS 트랜지스터(N13)의 게이트에는 상기 증폭 신호(COM)가 입력되고, 상기 NMOS 트랜지스터(N14)의 게이트에는 상기 증폭 신호(COMB)가 입력된다. 상기 NMOS 트랜지스터(N15)는 상기 제어 노드(NT13)와 그라운드 전압(VSS) 사이에 연결되고, 그 게이트에는 상기 반전된 셀프 인에이블 신호(SEB)가 입력된 다.The
상기 차동 증폭 회로(132)의 동작 과정을 간략하게 설명하면 다음과 같다. 먼저, 초기에, 상기 반전된 셀프 인에이블 신호(SEB)가 로직 로우 상태인 동안, 상기 PMOS 트랜지스터들(P11, P14)이 턴 온되어, 상기 출력 노드들(NT11, NT12)에 각각 상기 내부 전압(VDD)을 공급한다. 그 결과, 상기 출력 노드들(NT11, NT12)에서 상기 내부 전압(VDD) 레벨(즉, 로직 하이)의 상기 출력 신호들(CM1, CM2)이 발생한다. 상기 NMOS 트랜지스터들(N11, N12)은 초기에 상기 출력 노드들(NT11, NT12)로부터 수신되는 로직 하이의 상기 출력 신호들(CM1, CM2)에 응답하여 턴 온된다. 이 후, 상기 반전된 셀프 인에이블 신호(SEB)가 로직 하이로 되면, 상기 NMOS 트랜지스터(N15)가 턴 온되어, 상기 차동 증폭 회로(132)가 인에이블된다. 상기 NMOS 트랜지스터들(N13, N14)은 상기 증폭 신호들(COM, COMB)에 각각 응답하여, 턴 온 또는 오프된다. 예를 들어, 상기 증폭 신호(COM)가 로직 하이이고, 상기 증폭 신호(COMB)가 로직 로우일 때, 상기 NMOS 트랜지스터(N13)가 턴 온되어, 상기 출력 노드(NT11)를 상기 그라운드 전압(VSS)으로 디스차지 하고, 상기 NMOS 트랜지스터(N14)는 상기 증폭 신호(COMB)에 응답하여, 턴 오프된다. 그 결과, 상기 출력 노드(NT11)에서 출력되는 상기 출력 신호(CM1)는 로직 로우로 되고, 상기 출력 노드(NT12)에서 출력되는 상기 출력 신호(CM2)는 로직 하이로 유지된다.An operation process of the
상기 래치 회로(133)는 NAND 게이트들(ND1, ND2)을 포함하는 RS 래치로서 구현될 수 있다. 상기 NAND 게이트(ND1)는 상기 출력 신호(CM1)와 래치 신호(Q2)에 응답하여, 래치 신호(Q1)를 출력한다. 상기 NAND 게이트(ND2)는 상기 래치 신호 (Q1), 상기 출력 신호(CM2), 및 초기화 신호(INT)에 응답하여, 상기 래치 신호(Q2)를 출력한다. 바람직하게, 상기 초기화 신호(INT)는 초기에 설정된 시간 동안 로직 로우 상태로 유지된 후, 로직 하이로 된다. 상기 래치 회로(133)는 상기 초기화 신호(INT)가 로직 로우일 때, 리셋된다. 상기 래치 회로(133)가 리셋 될 때, 상기 래치 신호(Q2)를 로직 하이로 출력한다. 상기 인버터(134)는 상기 래치 신호(Q2)를 반전시키고, 그 반전된 신호를 증폭 신호(SO)로서 출력한다.The
다음으로, 도 6을 참고하여, 상기 증폭 회로(100)의 동작 과정을 상세히 설명한다. 도 6에서는 상기 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차가 △VA인 경우와 △VB인 경우의 상기 증폭 회로(100)의 동작과 관련된 신호들의 타이밍 도가 도시되어 있다. 도 6에서는 상기 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차(△VA)가 입력 신호들(S', SB')의 전압 차(△VB)보다 더 작은 것으로 도시되어 있다. 상기 증폭 회로(100)의 동작을 설명하면, 먼저, 상기 초기화 신호(INT)가 로직 로우 상태일 때, 상기 제2 증폭기(130)의 래치 회로(133)가 리셋 되어, 증폭 신호(SO)를 로직 로우로 출력한다. 또, 인에이블 신호(E)가 디세이블 상태일 때, 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)이 모두 디세이블되어, 상기 증폭 신호들(COM, COMB)을 로직 로우로 각각 출력한다. 상기 인에이블 제어 회로(120)는 상기 증폭 신호들(COM, COMB)이 모두 로직 로우 상태이므로, 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 로직 하이 상태로 유지한다(즉, 디세이블 상태로 유지한다). 이 후, 상기 인에이블 신호(E)가 인에이블되면, 상기 제1 증폭기(110)의 인버터(111)가 상기 인에이블 신호(E)를 반전시켜, 로직 로우의 반전된 인에이블 신호(EB)를 출력한다. 그 결과, 상기 반전된 인에이블 신호(EB)에 응답하여, 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)이 모두 인에이블되고, 상기 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차를 각각 증폭하여, 상기 증폭 신호들(COM, COMB)을 각각 출력한다. 이때, 상기 증폭 신호들(COM, COMB) 중 어느 하나가 로직 하이로 된다. 상기 인에이블 제어 회로(120)는 상기 증폭 신호들(COM, COMB) 중 어느 하나가 로직 하이로 될 때, 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 로직 로우로 인에이블시킨다. 상기 제2 증폭기(130)는 상기 셀프 인에이블 신호(SE)가 인에이블될 때, 인에이블되어, 상기 증폭 신호들(COM, COMB)간의 전압 차를 증폭하고, 증폭 신호(SO)를 출력한다. 한편, 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)의 동작 속도는 상기 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차의 크기에 따라 달라질 수 있다. 도 6에서는 상기 전압 차(△VB)가 상기 전압 차(△VA)보다 더 크기 때문에, 상기 입력 신호들(S, SB)을 수신할 때보다 상기 입력 신호들(S', SB')을 수신할 때, 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)의 동작 속도가 더 증가한다. 따라서 상기 입력 신호들(S, SB)을 수신할 때 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)이 상기 증폭 신호들(COM, COMB)을 출력하는 시점보다, 상기 입력 신호들(S', SB')을 수신할 때 상기 제1 및 제2 차동 증폭기들(112, 113)이 상기 증폭 신호들(COM', COMB')을 출력하는 시점이 훨씬 더 빠르다. 그 결과, 상기 인에이블 제어 회로(120)가 상기 셀프 인에이블 신호(SE 또는 SE')를 로직 로우로 인에이블시키는 시점(T2 또는 T4)이 변경된다. 이처럼 상기 셀프 인에이블 신호(SE 또는 SE')의 인에이블 시점이 변경되면, 상기 제2 증폭기(130)가 상기 증폭 신호(SO 또는 SO')를 출력하는 시점(T3 또는 T5)도 변경된다. 상술한 것과 같이, 상기 인에이블 제어 회로(120)가 상기 제 1 증폭기(110)가 상기 증폭 신호들(COM, COMB)을 출력하는 시점에 동기하여, 상기 셀프 인에이블 신호(SE)를 발생하기 때문에, 각 동작 조건에 적합하게 상기 제2 증폭기(130)의 인에이블 시점이 조절될 수 있다. 다시 말하면, 상기 입력 신호들(S, SB)간의 전압 차가 작을 때(또는 최악의 동작 조건일 때), 상기 인에이블 신호(E)가 인에이블되는 시점(T1)으로부터 상기 셀프 인에이블 신호(SE)가 인에이블되는 시점(T2) 간의 마진(D11)이 상기 최악의 동작 조건을 충분히 커버 할 만큼 길게 설정될 수 있다. 또, 상기 입력 신호들(S', SB')간의 전압 차가 클 때(또는 최적의 동작 조건일 때), 상기 시점(T1)으로부터 상기 셀프 인에이블 신호(SE')가 인에이블되는 시점(T4) 간의 마진(D12)이 불필요하게 길게 설정되는 것이 방지될 수 있다. 결국, 상기 증폭 회로(100)가 최적의 동작 조건에서 고속으로 동작할 수 있다. 또한, 상기 제1 증폭기(110)의 출력 신호들에 기초하여 상기 제2 증폭기(130)의 동작 시점이 결정되므로, 상기 제2 증폭기(130)의 인에이블 시점을 결정하기 위한 테스트 과정이 필요 없다.Next, an operation process of the amplifying
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention described above has been described in detail in a preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, the present invention will be understood by those skilled in the art that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 증폭 회로는 전단의 증폭기의 출력 신호에 기초하여 후단의 증폭기의 인에이블 신호를 발생하므로, 최적의 동작 조건에서 고속으로 동작할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 증폭 회로는 동작 시점을 결정하기 위한 추가의 테스트 과정을 필요로 하지 않는다.As described above, the amplification circuit according to the present invention generates the enable signal of the amplifier of the rear stage based on the output signal of the amplifier of the previous stage, it is possible to operate at a high speed in the optimum operating conditions. In addition, the amplification circuit according to the invention does not require an additional test procedure to determine the time of operation.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050112130A KR100650854B1 (en) | 2005-11-23 | 2005-11-23 | Amplifier circuit with self activation function |
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KR1020050112130A KR100650854B1 (en) | 2005-11-23 | 2005-11-23 | Amplifier circuit with self activation function |
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KR100650854B1 true KR100650854B1 (en) | 2006-11-27 |
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ID=37713953
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
- 2005-11-23 KR KR1020050112130A patent/KR100650854B1/en not_active IP Right Cessation
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