KR100643708B1 - Bolometer structure with high responsivity - Google Patents

Bolometer structure with high responsivity Download PDF

Info

Publication number
KR100643708B1
KR100643708B1 KR1020050090106A KR20050090106A KR100643708B1 KR 100643708 B1 KR100643708 B1 KR 100643708B1 KR 1020050090106 A KR1020050090106 A KR 1020050090106A KR 20050090106 A KR20050090106 A KR 20050090106A KR 100643708 B1 KR100643708 B1 KR 100643708B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bolometer
resistor
upper electrode
signal
support
Prior art date
Application number
KR1020050090106A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김태식
이희철
이용수
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020050090106A priority Critical patent/KR100643708B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100643708B1 publication Critical patent/KR100643708B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/08—Optical arrangements
    • G01J5/0853—Optical arrangements having infrared absorbers other than the usual absorber layers deposited on infrared detectors like bolometers, wherein the heat propagation between the absorber and the detecting element occurs within a solid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

A bolometer structure is provided to acquire a high responsivity by connecting a bolometer resistor to a signal leg only in a signal read process using the warpage of an upper electrode. A bolometer structure comprises a substrate(50), a lower electrode(51) on the substrate, an upper electrode(52) spaced apart from the lower electrode, a bolometer resistor(53) spaced apart from the upper electrode, a first support body(70) for supporting the upper electrode at a first predetermined portion between the upper and lower electrodes, a second support body(80) for supporting the bolometer resistor at a second predetermined portion between the bolometer resistor and the upper electrode, and a signal leg(60) for being selectively connected with the bolometer resistor. The bolometer resistor is electrically connected with the signal leg due to the warpage of the upper electrode in a predetermined voltage state.

Description

높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조{Bolometer structure with high responsivity}Bolometer structure with high responsivity

도 1은 종래의 적외선 볼로 미터의 구조를 도시한 것이다.Figure 1 shows the structure of a conventional infrared bolometer.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조를 도시한 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing a bolo meter structure having a high response according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 적외선 볼로 미터의 구조를 A-A' 기준으로 절단한 단면도로서, 볼로 미터의 에너지 축적 구조를 설명하기 위해 도시한 것이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of the structure of an infrared bollometer according to an embodiment of the present invention, taken along the line A-A ', to illustrate an energy accumulation structure of the bollometer.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 적외선 볼로 미터의 구조를 A-A' 기준으로 절단한 단면도로서, 볼로 미터의 측정 및 잔열 방출 구조를 설명하기 위해 도시한 것이다.Figure 4 is a cross-sectional view of the structure of the infrared bolometer according to an embodiment of the present invention cut along the line A-A ', it is shown to explain the measurement and residual heat emission structure of the bolometer.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

50 : 기판 51 : 하부 전극50 substrate 51 lower electrode

52 : 상부 전극 53 : 볼로 미터의 저항체52: upper electrode 53: resistor of the bolometer

70 : 제1 지지체 80 : 제2 지지체70: first support 80: second support

60 : 신호 다리 90 : 저항체 다리60: signal bridge 90: resistor bridge

본 발명은 적외선 검출기인 볼로 미터 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 신호를 읽어낼 때와 신호를 읽어낸 후 볼로 미터의 저항체 내의 잔류열을 제거할 때만 저항체에 접촉되는 별도의 두 다리를 구비한 볼로 미터에 관한 것이다.The present invention relates to a ballometer structure as an infrared detector, and more particularly, includes two separate legs contacting the resistor only when reading out the signal and after removing the residual heat in the resistor of the ballometer after reading the signal. One is about a meter.

일반적으로 볼로 미터는 적외선 센서의 일종이며, 이는 물체에서 방사되는 적외선을 흡수하고, 흡수된 적외선은 열에너지로 변환되면서 볼로 미터의 저항체 내의 온도를 상승시킨다. 이러한 온도 상승은 전기 저항을 변화시키게 되고, 이 변화된 전기 저항값을 측정하여 물체를 감지 및 방사 에너지를 측정하는 계기이다.In general, a bolo meter is a kind of infrared sensor, which absorbs infrared rays emitted from an object, and the absorbed infrared rays are converted into thermal energy, thereby raising the temperature in the resistor of the bolo meter. This increase in temperature changes the electrical resistance, and is an instrument that detects an object and measures radiant energy by measuring the changed electrical resistance value.

이러한 볼로 미터는 종래에 민수용과 군수용으로 응용되고 있으며, 물체의 적외선 열을 흡수하는 흡수체와 흡수된 열에 의해 저항값을 변화시키는 저항체가 신호 다리에 의해 기판으로부터 분리되어 있는 구조를 가진다.Such a bolometer has been conventionally applied for civil and military purposes, and has a structure in which an absorber that absorbs infrared heat of an object and a resistor that changes resistance value by absorbed heat are separated from a substrate by a signal bridge.

이하, 종래의 볼로 미터의 구조를 상세하게 설명하고 그에 따른 문제점을 설명한다.Hereinafter, the structure of the conventional boulometer will be described in detail and the problems according to it.

도 1은 종래의 적외선 볼로 미터의 구조를 도시한 것이다.Figure 1 shows the structure of a conventional infrared bolometer.

도시된 바와 같이, 종래에 사용되고 있는 볼로 미터 구조는 신호를 읽어내는 집적회로가 내장되어 보호층으로 코팅된 하부 기판(10)과, 적외선을 흡수하는 흡수층(미도시)과 상기 흡수층으로부터 흡수된 적외선 열에 의해 저항값이 변하는 저항체(미도시)를 구비하고 상기 하부 기판(10)과 소정의 공간을 갖으며 서로 이격되어 있는 상부 기판(20)과, 상기 상부 기판(20)과 하부 기판(10)을 기계적 또는 전기적으로 연결하는 신호 다리(30)로 이루어진다.As shown, the conventional bolometer structure has a lower substrate 10 coated with a protective layer with an integrated circuit for reading out signals, an absorbing layer (not shown) absorbing infrared rays, and infrared rays absorbed from the absorbing layer. An upper substrate 20 having a resistor (not shown) whose resistance is changed by heat, and having a predetermined space from the lower substrate 10 and spaced apart from each other, the upper substrate 20 and the lower substrate 10. It consists of a signal bridge 30 for mechanically or electrically connecting a.

상기와 같은 구조에 따라, 볼로 미터는 상부 기판(20)의 저항체로부터 신호를 신호 다리(30)를 통해 입력받는다. 입력받은 신호는 하부 기판(10)의 집적회로에서 그 신호를 제어하여 출력함으로써 외부 물체의 온도를 감지할 수 있게 된다.According to the structure as described above, the bolometer receives a signal from the resistor of the upper substrate 20 through the signal bridge (30). The input signal is controlled by the integrated circuit of the lower substrate 10 to output the signal so that the temperature of the external object can be sensed.

볼로 미터는 성능을 향상시키기 위해 방사되는 적외선 열을 손실 없이 흡수하여야 하며, 신호를 측정한 후 볼로 미터 저항체 내의 잔열을 완전히 제거하는 것이 중요한 문제가 된다.In order to improve performance, the bolo meter must absorb radiant infrared heat without loss, and it is important to completely remove the residual heat in the bolo meter resistor after measuring the signal.

따라서, 종래의 볼로 미터에서는 신호 다리(30)가 상기 상부 기판(20) 및 하부 기판(10)을 기계적으로 연결하는 역할을 하는 동시에, 신호 측정 후 잔열을 제거할 수 있는 역할을 하게 된다.Therefore, in the conventional bolometer, the signal leg 30 serves to mechanically connect the upper substrate 20 and the lower substrate 10, and also serves to remove residual heat after signal measurement.

그러나, 상기와 같은 신호 다리(30)는 전기적 신호를 전달할 수 있는 금속체로 이루어져 있어 높은 열 전도성을 갖는 반면, 적외선 열을 흡수할 때 적외선 열의 손실을 가져오는 문제가 있다.However, the signal bridge 30 as described above has a high thermal conductivity because it is made of a metal body capable of transmitting electrical signals, but has a problem of loss of infrared heat when absorbing infrared heat.

상기와 같은 문제를 해결하기 위한 방법으로, 볼로 미터의 열전도성을 낮추어 성능을 향상시키기 위해 신호 다리(30)를 길게 만들고 있지만, 화소의 크기가 결정되어있기 때문에 신호 다리(30)를 길게 하는 것은 한계가 있다.As a method for solving the above problem, the signal bridge 30 is made long to reduce the thermal conductivity of the bolometer to improve performance, but the signal bridge 30 is made longer because the size of the pixel is determined. There is a limit.

또한, 기존의 볼로 미터의 구조에서 신호 다리(30)를 길게 하여 열전도성을 낮추게 되더라도, 신호를 읽어낸 후 볼로 미터 저항체에 저장된 열을 완전히 제거하지 못하는 경우가 발생한다. 이 경우, 잔류열은 셀프히팅(self heating)과 함께 저항체의 온도를 높이는 결과가 되어 볼로 미터의 성능을 저하하게 된다.In addition, even when the signal bridge 30 is lowered in the structure of the conventional bolometer to reduce the thermal conductivity, there is a case that the heat stored in the bolometer resistor is not completely removed after reading the signal. In this case, the residual heat is a result of raising the temperature of the resistor along with self heating, thereby degrading the performance of the bollometer.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 에너지를 손실 없이 흡수하기 위한 방법으로 전압 인가 유무에 따라 온(on) 또는 오프(off) 되는 별도의 두 다리를 구비한다. 이는 신호를 읽어낼 때 또는 신호를 읽어낸 후 볼로 미터 저항체 내의 잔류열을 제거하여 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above-described problem is to provide two separate legs which are turned on or off depending on whether voltage is applied in a method for absorbing energy without loss. This removes the residual heat in the bollometer resistors when reading or after reading the signal, resulting in a high bollometer structure.

본 발명의 목적은, 별도의 두 다리를 구비함으로써, 열전도도를 배제하여 낮은 열전도도를 갖는 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조를 제공한다.It is an object of the present invention to provide a bollometer structure having a high response with low thermal conductivity by eliminating thermal conductivity by providing two separate legs.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조는, 다수 개의 기판이 소정의 공간을 갖고 이격되며, 지지 다리에 의해 연결되어 있는 적외선 열을 검출하는 볼로 미터 구조에 있어서, 신호를 읽어내는 기판; 기판 상면에 형성되는 하부 전극; 하부 전극과 소정의 공간으로 이격되는 상부 전극; 상부 전극과 소정의 공간으로 이격 되는 볼로 미터의 저항체; 상부 전극을 지지하도록 상부 전극과 하부 전극 사이에 형성되는 제1 지지체; 및 볼로 미터의 저항체를 지지하도록 볼로 미터의 저항체와 상부 전극 사이에 형성되는 제2 지지체; 기판 위에 고정되어 상기 볼로 미터의 저항체와 전기적으로 온-오프 되는 신호 다리; 를 포함하고, 하부 전극과 상부 전극 간에 소정의 전압 인가에 따라, 상부 전극이 하부 전극 방향으로 휘어지도록 하여, 제2 지지체에 의해 볼로 미터의 저항체가 신호 다리와 전기적으로 온되는 것을 특징으로 이루어진다.The high responsive ballometer structure according to the present invention for achieving the above object is a ballometer structure that detects infrared heat connected by a support leg with a plurality of substrates having a predetermined space. A substrate for reading out a signal; A lower electrode formed on the upper surface of the substrate; An upper electrode spaced apart from the lower electrode in a predetermined space; A resistor of a ballometer spaced apart from the upper electrode in a predetermined space; A first support formed between the upper electrode and the lower electrode to support the upper electrode; And a second support formed between the resistor of the bolometer and the upper electrode to support the resistor of the bolometer; A signal leg fixed on the substrate and electrically on-off with the resistor of the bolometer; And a predetermined voltage applied between the lower electrode and the upper electrode, such that the upper electrode is bent in the lower electrode direction so that the resistor of the bolometer is electrically turned on with the signal leg by the second support.

여기서, 제1 지지체 및 제2 지지체는 각각 2개의 지지체가 대각선 방향으로 엇각을 이루며 형성되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the first support and the second support each have two supports formed at an angle in the diagonal direction.

여기서, 신호 다리가 'ㄱ'자 형태를 갖는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the signal bridge has a '-' shape.

여기서, 신호 다리는 볼로 미터의 저항체로부터 소정 간격만큼 이격 되어 형성되는 것이 바람직하다.Here, the signal bridge is preferably formed spaced apart from the resistor of the bolometer by a predetermined interval.

여기서, 신호 다리는 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질을 이용하여 단층으로 형성되거나 또는 상기 단층을 제1층으로 하고, 제2층에 Polysilicon, SiO2, SixNy 또는 Silicon 중 어느 한 가지 물질을 증착하여 다층으로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the signal bridge is formed of a single layer using any one of Al, Au, Ni, Ti, or Cr, or the single layer is the first layer, and the polysilicon, SiO 2 , Si x N y is formed on the second layer. or It is preferable to form a multilayer by depositing any one material of silicon.

여기서, 하부 전극 상면에 절연물질을 증착한 후 하부 전극과 상부 전극 간에 소정 간격만큼 떨어져 형성하는 것이 바람직하다.Here, after depositing an insulating material on the upper surface of the lower electrode, it is preferable to form a predetermined distance apart from the lower electrode and the upper electrode.

여기서, 상부 전극은 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질을 이용하여 단층으로 형성되거나 또는 상기 단층을 제1층으로 하고, 제2층에 Polysilicon, SiO2, SixNy 또는 Silicon 중 어느 한 가지 물질을 증착하여 다층으로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the upper electrode is formed of a single layer using any one material of Al, Au, Ni, Ti, or Cr, or the single layer is the first layer, Polysilicon, SiO 2 , Si x N y in the second layer or It is preferable to form a multilayer by depositing any one material of silicon.

여기서, 하부 전극과 상부 전극 간에 소정의 전압 인가 시간은, 수 밀리 세컨드 동안이고, 수 밀리 세컨드 경과 후 상기 하부 전극과 상부 전극 간에 전압이 인가되지 않는 것이 바람직하다.Here, the predetermined voltage application time between the lower electrode and the upper electrode is for a few milliseconds, it is preferable that no voltage is applied between the lower electrode and the upper electrode after a few milliseconds.

여기서, 소정의 전압 인가 시간에는, 기판에서 신호 다리를 통하여 볼로 미 터의 저항체의 신호를 읽은 후, 볼로 미터의 저항체에 저장되어 있는 열을 완전히 제거하는 것이 바람직하다.Here, at a predetermined voltage application time, it is preferable to completely remove the heat stored in the resistor of the bolo meter after reading the signal of the resistor of the bollometer from the substrate through the signal bridge.

여기서, 볼로 미터의 저항체는 제2 지지체에 의해 지지가 되는 부위에 소정 영역이 절취 된 저항체 다리를 가져 열 전도성을 최소화하는 구조인 것이 가장 바람직하다.Here, the resistor of the bolometer is most preferably a structure that minimizes the thermal conductivity by having a resistor leg with a predetermined region cut in a portion supported by the second support.

이하, 첨부된 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조를 설명 하자면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figures 2 to 4 will be described a bollometer structure having a high response according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조를 도시한 사시도 이다.Figure 2 is a perspective view showing a bolo meter structure having a high response according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조는, 신호를 읽어내는 기판(50) 위에 하부 전극(51)이 형성된다.As shown, in the bolometer structure having a high responsiveness, a lower electrode 51 is formed on the substrate 50 for reading out a signal.

여기서, 하부 전극(51) 상면에는 절연물질이 추가로 증착 형성된다.Here, an insulating material is further deposited on the upper surface of the lower electrode 51.

상부 전극(52)은 레저넌트 캐비티(resonant cavity)를 형성하기 위한 반사 층 역할도 하도록 하부 전극(51)과 소정공간 이격 되어 형성된다.The upper electrode 52 is formed to be spaced apart from the lower electrode 51 to serve as a reflective layer for forming a resonant cavity.

볼로 미터의 저항체(53)는 상부 전극(52)과 소정공간 이격 되도록 형성된다.The resistor 53 of the bolometer is formed to be spaced apart from the upper electrode 52 by a predetermined space.

여기서, 볼로 미터의 저항체(53)는 흡수층(미도시)이 그 위에 형성되어 흡수층(미도시)으로부터 흡수된 적외선 열에 의해 저항값이 변하게 된다.Here, in the resistor 53 of the bolometer, an absorption layer (not shown) is formed thereon, and the resistance value is changed by infrared heat absorbed from the absorption layer (not shown).

한편, 볼로 미터의 저항체(53)가 형성된 박막과 상부 전극(52)을 각각 지탱하도록 하는 제1 지지체(70) 및 제2 지지체(80)는 다음과 같이 형성된다.On the other hand, the first support 70 and the second support 80 to support the thin film on which the resistor 53 of the bolometer and the upper electrode 52 are respectively formed are as follows.

하부 전극(51)과 상부 전극(52)의 이격 된 공간을 지지하도록 제1 지지체 (70)가 형성된다.The first support 70 is formed to support the spaced space between the lower electrode 51 and the upper electrode 52.

상부 전극(52)과 볼로 미터의 저항체(53)의 이격 된 공간을 지지하도록 제2 지지체(80)가 형성된다.The second support 80 is formed to support the spaced space between the upper electrode 52 and the resistor 53 of the bolometer.

여기서, 제1 지지체(70) 및 제2 지지체(80)는 각각 2개의 지지체가 대각선 방향으로 엇각을 이루며 형성된다.Here, the first support 70 and the second support 80 are each formed with two supports at an angle in a diagonal direction.

상부 전극(52)과 볼로 미터의 저항체(53) 사이에 형성된 신호 다리(60)는 그 일측이 기판(50)에 형성되고, 그 타측이 상부 전극(52)과 볼로 미터의 저항체(53) 사이의 이격 된 공간에 떠 있는 형태를 취하게 된다.The signal leg 60 formed between the upper electrode 52 and the resistor 53 of the bolometer has one side formed on the substrate 50, and the other side thereof is between the upper electrode 52 and the resistor 53 of the bolometer. It takes a floating form in spaced spaces.

또한, 신호 다리는 'ㄱ'자 형상을 갖는다.In addition, the signal leg has a '-' shape.

여기서, 신호 다리(60)는 신호를 읽어낼 때와 신호를 읽어낸 후 저항체의 잔류열을 제거할 때만 저항체에 접촉된다.Here, the signal bridge 60 is in contact with the resistor only when the signal is read and when the residual heat of the resistor is removed after reading the signal.

한편, 볼로 미터의 저항체(53)에는 볼로 미터의 열 전도도를 결정하는 저항체로 형성된 저항체 다리(90)가 더 형성된다.On the other hand, a resistor leg 90 formed of a resistor for determining the thermal conductivity of the bolometer is further formed on the resistor 53 of the bolo meter.

여기서, 저항체 다리(90)는 볼로 미터의 저항체(53)의 어느 한쪽 대각선 방향으로 대향 되도록 형성된다.Here, the resistor leg 90 is formed to face in one of the diagonal directions of the resistor 53 of the bolometer.

또한, 저항체 다리(90)는 제2 지지체(80)에 의해 지지 되는 부위에 형성되는 것으로 소정 영역이 절취 된 다리를 가져 열 전도성을 최소화하는 구조를 띄게 된다.In addition, the resistor leg 90 is formed on a portion supported by the second support 80 to have a structure in which a predetermined region is cut off, thereby minimizing thermal conductivity.

전술한 바와 같은 구조를 갖는 볼로 미터 구조를 제작함에 있어서, 신호를 읽어내는 기판(50)을 실리콘나이트라이드 (SixNy) 등의 절연 물질로 보호하고, 그 위에 하부 전극(51)으로 사용될 물질 Al(알루미늄), Au(금), Ni(니켈), Ti(티탄) 또는 Cr(크롬) 중 어느 하나를 이용하여 증착 형성된다.In fabricating the ballometer structure having the structure as described above, the substrate 50 for reading out the signal is protected with an insulating material such as silicon nitride (Si x N y ), and used as the lower electrode 51 thereon. The material is deposited by using any one of Al (aluminum), Au (gold), Ni (nickel), Ti (titanium) or Cr (chromium).

레저넌트 캐비티로 사용될 상부 전극(52)은 응력을 고려하여 평평하게 하는데, 이에 따라 절연 물질이 필요하게 되며 상부 전극(52)은 다음과 같이 형성된다.The upper electrode 52 to be used as the resonant cavity is flattened in consideration of stress, so that an insulating material is required and the upper electrode 52 is formed as follows.

상부 전극(52)을 단층으로 형성할 경우 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질로 증착 형성된다.When the upper electrode 52 is formed as a single layer, the upper electrode 52 is deposited by any one material of Al, Au, Ni, Ti, or Cr.

다층인 경우 제1층은 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질로 증착 형성되고, 제2층은 Polysilicon, SiO2 또는 SixNy 중 어느 한 가지 물질로 증착 형성된다.In the case of a multilayer, the first layer is formed by depositing any one of Al, Au, Ni, Ti, or Cr, and the second layer is made of Polysilicon, SiO 2 Or Si x N y .

여기서, 신호를 읽어내기 위한 신호 다리(60)를 제작할 때는 다음의 두 가지를 고려하여 설계하는 것이 바람직하다. Here, when manufacturing the signal bridge 60 for reading out the signal, it is preferable to consider the following two things.

첫째, 신호를 읽어낼 때 저항체의 온도를 급격하게 감소시키지 않도록 한다.First, do not sharply reduce the temperature of the resistor when reading out the signal.

둘째, 신호를 읽어낸 후 잔류열을 완전히 제거할 수 있는 정도의 열 전도성을 갖도록 다층(제1층에는 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr으로, 제2층에는 Polysilicon, SiO2 또는 SixNy 등으로 형성)으로 구성될 수 있도록 한다.Second, multi-layered (Al, Au, Ni, Ti or Cr in the first layer, Polysilicon, SiO 2 or Si x N in the second layer to have a thermal conductivity enough to completely remove the residual heat after reading the signal y, etc.).

이와 관련하여 좀더 상세히 설명하자면, 신호 다리(60)는 단층으로 형성할 경우 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질로 증착 형성된다.In this regard, in more detail, the signal bridge 60 is formed by depositing any one of Al, Au, Ni, Ti, or Cr when formed in a single layer.

다층인 경우 제1층은 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질로 증착 형성되고, 제2층은 Polysilicon, SiO2, SixNy 또는 Silicon 중 어느 한 가지 물질로 증착 형성된다.In the case of a multilayer, the first layer is formed by depositing any one of Al, Au, Ni, Ti, or Cr, and the second layer is formed of Polysilicon, SiO 2 , Si x N y. or It is formed by depositing any one of silicon.

한편, 볼로 미터의 저항체(53)를 지탱하고 있는 제1 지지체(70) 및 제2 지지체(80)의 저항체 다리(90)를 통한 열 전도성은 3 × 10-8 W/K 이하의 작은 값을 갖도록 한다.On the other hand, the thermal conductivity through the resistor leg 90 of the first support 70 and the second support 80 holding the resistor 53 of the bolometer has a small value of 3 × 10 -8 W / K or less. Have it.

또한, 각각의 제1 지지체(70) 및 제2 지지체(80) 상면에 상부 전극(52)과 볼로 미터의 저항체(53)가 형성되고, 볼로 미터의 저항체(53)에 흡수체(미도시)를 증착하여 구성될 수 있도록 한다.In addition, an upper electrode 52 and a resistor 53 of a bolometer are formed on the upper surfaces of each of the first and second supports 70 and 80, and an absorber (not shown) is attached to the resistors 53 of the bolometer. To be configured by deposition.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 적외선 볼로 미터의 구조를 A-A' 기준으로 절단한 단면도로서, 볼로 미터의 에너지 축적 구조를 설명하기 위해 도시한 것이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of the structure of an infrared bollometer according to an embodiment of the present invention, taken along the line A-A ', to illustrate an energy accumulation structure of the bollometer.

도시된 바와 같이, 볼로 미터의 에너지 축적 구조는, 신호를 읽어내는 기판(50)과; 기판 위에 형성된 하부 전극(51); 레저넌트 캐비티를 형성하기 위한 반사 층 역할도 하는 상부 전극(52); 흡수층(미도시)으로부터 흡수된 적외선 열에 의해 저항값이 변하는 볼로 미터의 저항체(53); 상부 전극(52)과 볼로 미터의 저항체(53) 사이에 형성된 신호 다리(60)로 이루어진다. 이때, 신호 다리(60)는 신호를 읽어낼 때와 신호를 읽어낸 후 저항체의 잔류열을 제거할 때만 저항체에 접촉되도록 구성된다. 다만, 전반적인 볼로 미터의 구조는 도 2에서 이미 상세히 설명되었고, 볼로 미터의 에너지 축적 구조를 설명하기 위한 구성만 나열한다.As shown, the energy storage structure of the bolometer includes: a substrate 50 for reading out a signal; A lower electrode 51 formed on the substrate; An upper electrode 52 which also serves as a reflective layer for forming the resonant cavity; A resistor 53 of the bolometer, the resistance of which is changed by infrared heat absorbed from the absorbing layer (not shown); It consists of a signal leg 60 formed between the upper electrode 52 and the resistor 53 of the bolometer. At this time, the signal bridge 60 is configured to be in contact with the resistor only when the signal is read and when the residual heat of the resistor is removed after reading the signal. However, the overall structure of the bolometer has already been described in detail in FIG. 2, and lists only the configuration for describing the energy accumulation structure of the bolometer.

전술한 바와 같은 구조에서, 볼로 미터의 에너지 축적은 다음과 같다.In the structure as described above, the energy accumulation of the bolometer is as follows.

볼로 미터의 저항체(53)는 상부 전극(52)과 소정의 공간을 가지고 이격 된 상태이다. 또한, 신호 다리(60)는 볼로 미터의 저항체(53) 및 상부 전극(52)과도 소정의 공간을 가지고 이격 되어 있다. 이때, 신호를 읽어내는 기판(50)의 상면에 형성된 하부 전극(51)과 상부 전극(52) 간에 전압을 인가하지 않은 상태이다. 이 상태에서 볼로 미터는 외부로부터 적외선을 받아 흡수층(미도시)을 통해 에너지를 축적한다.The resistor 53 of the bolometer is spaced apart from the upper electrode 52 with a predetermined space. The signal leg 60 is also spaced apart from the resistor 53 and the upper electrode 52 of the bolometer with a predetermined space. At this time, no voltage is applied between the lower electrode 51 and the upper electrode 52 formed on the upper surface of the substrate 50 for reading out the signal. In this state, the bolometer receives infrared rays from the outside and accumulates energy through an absorbing layer (not shown).

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 적외선 볼로 미터의 구조를 A-A' 기준으로 절단한 단면도로서, 볼로 미터의 측정 및 잔열 방출 구조를 설명하기 위해 도시한 것이다.Figure 4 is a cross-sectional view of the structure of the infrared bolometer according to an embodiment of the present invention cut along the line A-A ', it is shown to explain the measurement and residual heat emission structure of the bolometer.

도시된 바와 같이, 볼로 미터의 측정 및 잔열 방출 구조는, 신호를 읽어내는 기판(50)과; 기판 위에 형성된 하부 전극(51); 레저넌트 캐비티를 형성하기 위한 반사 층 역할도 하는 상부 전극(52); 흡수층으로부터 흡수된 적외선 열에 의해 저항값이 변하는 볼로 미터의 저항체(53); 상부 전극(52)과 볼로 미터의 저항체(53) 사이에 형성된 신호 다리(60)로 이루어진다. 이때, 신호 다리(60)는 신호를 읽어낼 때와 신호를 읽어낸 후 저항체의 잔류열을 제거할 때만 저항체에 접촉되도록 구성된다. 다만, 전반적인 볼로 미터의 구조는 도 2에서 이미 상세히 설명되었고, 볼로 미터의 측정 및 잔열 방출 구조를 설명하기 위한 구성만 나열한다.As shown, the measurement and residual heat release structure of the bolometer includes: a substrate 50 for reading out a signal; A lower electrode 51 formed on the substrate; An upper electrode 52 which also serves as a reflective layer for forming the resonant cavity; A resistor 53 of the bolometer, the resistance of which is changed by the infrared heat absorbed from the absorbing layer; It consists of a signal leg 60 formed between the upper electrode 52 and the resistor 53 of the bolometer. At this time, the signal bridge 60 is configured to be in contact with the resistor only when the signal is read and when the residual heat of the resistor is removed after reading the signal. However, the overall structure of the bolo meter has already been described in detail in FIG. 2, and lists only the components for describing the measurement and residual heat release structure of the bolo meter.

전술한 바와 같은 구조에서, 볼로 미터의 측정은 다음과 같다.In the structure as described above, the measurement of the bolometer is as follows.

볼로 미터의 에너지 축적 상태에서 상부 전극(52)과 하부 전극(51)에 소정의 전압을 인가한다. 이때, 상부 전극(52)과 하부 전극(51) 간에 정전력이 발생하여 상부 전극(52)은 제1 지지체(70)에 의해 지지가 되지 않는 대각선 부분이 정전력에 의하여 상부 전극(52)은 하부 전극(51) 방향으로 휘어지는 형상이 된다. 이때, 상부 전극(52)을 지지하는 제1 지지체(70)와 대각선 방향 상면에 형성된 제2 지지체(80)가 상부 전극(52)이 휘는 방향과 같이 아래로 딸려 내려오게 된다. 이에 따라 제2 지지체(80)와 연결된 볼로 미터의 저항체(53)가 신호 다리(60)와 접촉되고 전기적으로 온(on)이 된다. 이 상태에서 볼로 미터는 볼로 미터의 저항체(53)와 접촉된 신호 다리(60)를 통해 축적된 에너지를 읽어 측정한다.In the energy accumulation state of the bolometer, a predetermined voltage is applied to the upper electrode 52 and the lower electrode 51. At this time, the electrostatic force is generated between the upper electrode 52 and the lower electrode 51 so that the upper electrode 52 has a diagonal portion which is not supported by the first support 70 and the upper electrode 52 is formed by the electrostatic force. It becomes a shape curved in the lower electrode 51 direction. In this case, the first support 70 supporting the upper electrode 52 and the second support 80 formed on the diagonal upper surface come downward as the direction in which the upper electrode 52 is bent. Accordingly, the resistor 53 of the bolometer connected to the second support 80 comes into contact with the signal leg 60 and is electrically turned on. In this state, the bolometer reads and measures the energy accumulated through the signal bridge 60 in contact with the resistor 53 of the bolometer.

전술한 바와 같은 구조에서, 볼로 미터의 잔열 방출은 다음과 같다.In the structure as described above, the residual heat emission of the bolometer is as follows.

신호 다리(60)를 통해 축적된 열에너지를 읽어낸 후, 볼로 미터의 저항체(53)에 저장되어있는 열을 완전히 제거하기 위해 볼로 미터의 저항체(53)는 수 밀리 세컨드 동안 신호 다리(60)에 붙어 계속 온(on) 된다. 수 밀리 세컨드 경과 후, 전기적으로 오프(off) 되어 볼로 미터의 저항체(53)와 신호 다리(60)는 분리된다. 이후, 볼로 미터는 에너지 축적 상태로 돌아가서 다시 적외선을 받아 에너지를 축적한다.After reading the accumulated thermal energy through the signal bridge 60, the resistor 53 of the bolometer is applied to the signal bridge 60 for several milliseconds in order to completely remove the heat stored in the resistor 53 of the bolometer. Stuck on. After a few milliseconds, the resistor 53 and the signal leg 60 of the bolometer are electrically turned off. The bolometer then returns to the energy accumulation state and again receives infrared radiation to accumulate energy.

여기서, 볼로 미터의 신호 다리(60)가 볼로 미터의 저항체(53)에서 분리된 상태다. 볼로 미터의 열전도는 저항체 다리(90)와 제1 지지체(70) 및 제2 지지체(80)를 통해서만 이루어진다. 이에 따라 신호를 읽어내기 위한 금속 선의 열전도도를 배제할 수 있어서 열 전도성이 기존의 볼로 미터 구조보다 훨씬 낮게 된다. 이러한 낮은 열 전도성에 의해 같은 양의 적외선을 받더라도 기존의 볼로 미터 구조와 비교했을 때보다 훨씬 높은 열에너지가 볼로 미터의 저항체(53)에 저장되어 성능이 향상된다.Here, the signal leg 60 of the bolometer is separated from the resistor 53 of the bolometer. Thermal conduction of the bolometer is achieved only through the resistor leg 90, the first support 70, and the second support 80. This eliminates the thermal conductivity of the metal wires for reading out the signal, resulting in much lower thermal conductivity than conventional ballometer structures. Even though the same amount of infrared rays is received by the low thermal conductivity, much higher thermal energy is stored in the resistor 53 of the bollometer than the conventional bollometer structure, thereby improving performance.

여기서, 신호를 읽어내기 위한 신호 다리(60)의 열전도성은 다음과 같이 두 가지를 고려하여 설계한다. 첫째, 신호를 읽어내는 수 내지 수십 마이크로 초 동안 볼로 미터의 저항체(53)에 저장되어있는 열에너지가 신호 다리(60)를 통해서 기판(50)으로 가능한 한 빠져나가지 않도록 한다. 둘째, 신호를 읽어낸 후 볼로 미터의 저항체(53)에 남아있는 열을 수 밀리 세컨드 동안에 충분히 제거할 수 있는 열 전도성을 갖도록 제작한다.Here, the thermal conductivity of the signal bridge 60 for reading the signal is designed in consideration of two things as follows. First, the thermal energy stored in the resistor 53 of the bolometer for several to several tens of microseconds to read out the signal is prevented from escaping as far as possible through the signal bridge 60 to the substrate 50. Second, after the signal is read out, the heat remaining in the resistor 53 of the bolometer is manufactured to have a thermal conductivity that can be sufficiently removed for a few milliseconds.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above may be modified in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the exemplary embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all respects, and the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description, and the meaning and scope of the claims and All changes or modifications derived from the equivalent concept should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

상술한 본 발명의 구성에 따르면, 신호를 읽어낼 때에만 볼로 미터의 저항체가 기판으로 접촉할 수 있는 두 다리를 갖는 볼로 미터를 제공한다. 이에따라, 볼로 미터 내의 잔류열을 제거할 수 있고, 열 전도도를 최대한 배제하여 종래의 볼로 미터 구조보다 높은 응답도를 제공할 수 있다. According to the above-described configuration of the present invention, there is provided a ballometer having two legs in which a resistor of the ballometer can contact the substrate only when reading out a signal. Accordingly, residual heat in the bollometer can be removed, and thermal conductivity can be eliminated as much as possible to provide higher responsiveness than conventional bollometer structures.

또한, 본 발명의 구성에 따르면, 상기와 같은 볼로 미터 구조를 제공함으로 써 볼로 미터의 성능을 향상시켜, 민수용과 군수용 등으로 이용되는 볼로 미터에 응용이 가능하게 된다.In addition, according to the configuration of the present invention, by providing the above-described bollometer structure to improve the performance of the bollometer, it is possible to be applied to bollometers used for civil and military purposes.

Claims (10)

적외선 열을 검출하는 볼로 미터 구조에 있어서, In the bolometer structure which detects infrared heat, 신호를 읽어내는 기판; A substrate for reading out a signal; 상기 기판 상면에 형성되는 하부 전극; A lower electrode formed on an upper surface of the substrate; 상기 하부 전극과 소정의 공간으로 이격되는 상부 전극; An upper electrode spaced apart from the lower electrode by a predetermined space; 상기 상부 전극과 소정의 공간으로 이격되는 볼로 미터의 저항체; A resistor of a ballometer spaced apart from the upper electrode in a predetermined space; 상기 상부 전극을 지지하도록 상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 형성되는 제1 지지체; A first support formed between the upper electrode and the lower electrode to support the upper electrode; 상기 볼로 미터의 저항체를 지지하도록 상기 볼로 미터의 저항체와 상기 상부 전극 사이에 형성되는 제2 지지체; 및A second support formed between the resistor of the bolometer and the upper electrode to support the resistor of the bolometer; And 상기 기판 위에 고정되어 상기 볼로 미터의 저항체와 전기적으로 온-오프되는 신호 다리; 를 포함하고,A signal bridge fixed on the substrate and electrically on-off with the resistor of the bolometer; Including, 상기 하부 전극과 상부 전극 간에 소정의 전압 인가에 따라, 상기 상부 전극이 상기 하부 전극 방향으로 휘어지도록 하여, 상기 제2 지지체에 의해 상기 볼로 미터의 저항체가 상기 신호 다리와 전기적으로 온되는 것을 특징으로 하는, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.According to the application of a predetermined voltage between the lower electrode and the upper electrode, the upper electrode is bent in the direction of the lower electrode, so that the resistor of the bolometer is electrically turned on with the signal bridge by the second support. Bollometer structure with high responsiveness. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 지지체 및 제2 지지체는 각각 2개의 지지체가 대각선 방향으로 엇 각을 이루며 형성되는, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.The first support and the second support are each a two support body formed at an angle in the diagonal direction, the ballometer structure having a high response. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 신호 다리는 'ㄱ'자 형상을 갖는, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.The signal bridge has a '-' shape, high bolometer structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 신호 다리는 상기 볼로 미터의 저항체로부터 소정 간격만큼 이격 되어 형성되는, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.The signal bridge is a bollometer structure having a high responsiveness is formed spaced apart from the resistor of the bolometer by a predetermined interval. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 신호 다리는 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질을 이용하여 단층으로 형성되거나 또는 상기 단층을 제1층으로 하고, 제2층에 Polysilicon, SiO2, SixNy 또는 Silicon 중 어느 한 가지 물질을 증착하여 다층으로 형성되는, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.The signal bridge may be formed of a single layer using any one of Al, Au, Ni, Ti, or Cr, or the single layer may be a first layer, and a polysilicon, SiO 2 , Si x N y may be formed in the second layer. or A highly responsive bolometer structure formed by depositing any one of silicon materials in multiple layers. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하부 전극 상면에는 절연물질이 증착되는, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.A high responsive ballometer structure in which an insulating material is deposited on the lower electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 전극은 Al, Au, Ni, Ti 또는 Cr 중 어느 한 가지 물질을 이용하여 단층으로 형성되거나 또는 상기 단층을 제1층으로 하고, 제2층에 Polysilicon, SiO2, SixNy 또는 Silicon 중 어느 한 가지 물질을 증착하여 다층으로 형성되는, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.The upper electrode may be formed of a single layer using any one of Al, Au, Ni, Ti, or Cr, or the single layer may be a first layer, and a polysilicon, SiO 2 , Si x N y may be formed in the second layer. or A highly responsive bolometer structure formed by depositing any one of silicon materials in multiple layers. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하부 전극과 상부 전극 간에 소정의 전압 인가 시간은 수 밀리 세컨드 동안이며, 상기 수 밀리 세컨드 경과 후 상기 하부 전극과 상부 전극 간에 전압이 인가되지 않는 것인, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.The predetermined voltage application time between the lower electrode and the upper electrode is for a few milliseconds, and after a few milliseconds, no voltage is applied between the lower electrode and the upper electrode. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 소정의 전압 인가 시간에는, 상기 기판에서 신호 다리를 통하여 상기 볼로 미터의 저항체의 신호를 읽은 후, 상기 볼로 미터의 저항체에 저장되어 있는 열을 완전히 제거하는 것인, 높은 응답도를 갖는 볼로 미터 구조.At the predetermined voltage application time, after reading the signal of the resistor of the bollometer through the signal bridge from the substrate, the bollometer with high responsiveness, which completely removes the heat stored in the resistor of the bollometer rescue. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 볼로 미터의 저항체는 상기 제2 지지체에 의해 지지가 되는 부위에 소정 영역이 절취 된 저항체 다리를 가져 열 전도성을 최소화하는 구조인, 높은 응답 도를 갖는 볼로 미터 구조.The resistor of the bolometer is a structure having a high responsiveness, having a resistor leg with a predetermined area cut in a portion supported by the second support to minimize thermal conductivity.
KR1020050090106A 2005-09-27 2005-09-27 Bolometer structure with high responsivity KR100643708B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050090106A KR100643708B1 (en) 2005-09-27 2005-09-27 Bolometer structure with high responsivity

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050090106A KR100643708B1 (en) 2005-09-27 2005-09-27 Bolometer structure with high responsivity

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100643708B1 true KR100643708B1 (en) 2006-11-10

Family

ID=37654011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050090106A KR100643708B1 (en) 2005-09-27 2005-09-27 Bolometer structure with high responsivity

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100643708B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1019671A (en) 1996-07-05 1998-01-23 Nikon Corp Thermal infrared rays sensor and manufacturing of the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1019671A (en) 1996-07-05 1998-01-23 Nikon Corp Thermal infrared rays sensor and manufacturing of the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7288765B2 (en) Device for detecting infrared radiation with bolometric detectors
US8097850B2 (en) Infrared sensor
JP5335233B2 (en) Method of manufacturing a radiation thermal detection device comprising an active microbolometer and a passive microbolometer
JP5832007B2 (en) Infrared sensor and manufacturing method thereof
US7544942B2 (en) Thermal detector for electromagnetic radiation and infrared detection device using such detectors
KR20090065941A (en) The multi-level structure bolometer and fabricating method thereof
KR100517428B1 (en) Infrared Bolometer
JP2006514787A (en) Pixel structure and method for manufacturing the pixel structure
CN104412386B (en) Infrared sensor device and the method for manufacturing infrared sensor device
US5623147A (en) Radiation-sensitive detector
JP5122866B2 (en) Infrared sensor
JP2010107299A (en) Infrared detection element, sensor, and method for manufacturing infrared detection element
JPH09329499A (en) Infrared sensor and infrared detector
CN116002606B (en) Infrared thermal radiation detector and manufacturing method thereof
KR100643708B1 (en) Bolometer structure with high responsivity
JP2011203226A (en) Infrared sensor module
JP5406082B2 (en) Thermopile infrared sensor and method for manufacturing the same
US20200232913A1 (en) Infrared device
JP2725965B2 (en) Infrared sensor
JP2010101675A (en) Infrared imaging element and method of manufacturing the same
JPH04158586A (en) Infrared-ray detecting element
KR100339395B1 (en) pile bolometer sensor and fabrication methode of the same
CN117705293A (en) Method for manufacturing thermal radiation sensor and temperature sensing unit
JPH04158584A (en) Infrared-ray detecting element
JPH06137935A (en) Infrared sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111129

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131030

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee