KR100638091B1 - Process for nanoparticle patterning and preparation of sintered body using same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노입자 패터닝 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법에 관한 것으로서, a) 다분산 나노입자를 양극 하전 (bipolar charge) 상태로 만드는 단계; b) DMA (differential mobility analyzer)의 중심 전극을 조정하여 원하는 크기의 단분산 나노입자를 추출하는 단계; c) 원하는 감광막 패턴이 형성된 증착용 기판을 정전증착장치의 중심 전극 상에 위치시키고, 중심 전극에 전압을 인가하는 단계; d) 하전된 단분산 나노입자를 정전증착장치에 주입하여 중심 전극의 전압과 외통의 접지된 전압 사이에 발생하는 전기장에 의해 기판 상에 유도 증착시키는 단계; 및 e) 기판 상의 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 나노입자 패터닝 방법과 상기 방법으로 제조된 나노입자 패턴을 열처리하는 것을 포함하는 나노입자 소결체 제조 방법을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 방법은 패턴 밖에 증착되는 노이즈 입자의 수를 궁극적 수준까지 절감시키고, 그 생산성과 재현성 및 타 기술로의 이식성과 확장성이 우수하며, 또한 발명에 의한 나노입자 조립체 제조 방법은 선폭 감소 효과가 있어 경제적, 시간적 장점을 갖는다.The present invention relates to a nanoparticle patterning and a method for producing a sintered body using the same, comprising the steps of: a) making polydisperse nanoparticles into a bipolar charge; b) extracting monodisperse nanoparticles of a desired size by adjusting the center electrode of a differential mobility analyzer (DMA); c) placing the deposition substrate on which the desired photoresist pattern is formed on the center electrode of the electrostatic deposition apparatus and applying a voltage to the center electrode; d) injecting charged monodisperse nanoparticles into the electrostatic deposition apparatus and inducing deposition on the substrate by an electric field generated between the voltage of the center electrode and the grounded voltage of the outer cylinder; And e) a nanoparticle patterning method comprising the step of removing the photoresist pattern on the substrate and a method for producing a nanoparticle sintered body comprising heat-treating the nanoparticle pattern prepared by the above method. The method according to the present invention reduces the number of noise particles deposited outside the pattern to the ultimate level, and its productivity, reproducibility, and portability to other technologies and scalability are excellent, and the method of manufacturing the nanoparticle assembly according to the present invention reduces the line width. It is effective and has economic and time advantages.

Description

나노입자 패터닝 방법 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법{PROCESS FOR NANOPARTICLE PATTERNING AND PREPARATION OF SINTERED BODY USING SAME} Nanoparticle patterning method and manufacturing method of sintered body using the same {PROCESS FOR NANOPARTICLE PATTERNING AND PREPARATION OF SINTERED BODY USING SAME}             

도 1은 본 발명에 따른 나노입자 분급 및 정전증착 공정의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a nanoparticle classification and electrostatic deposition process according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 나노입자의 정전증착 공정의 개략도이다.2 is a schematic diagram of an electrostatic deposition process of nanoparticles according to the present invention.

도 3은 본 발명의 실시에 적합한 정전증착장치 (electro-static precipitator; ESP)를 개략적으로 도시한 것이다.Figure 3 schematically illustrates an electro-static precipitator (ESP) suitable for the practice of the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예에서 제조된 마이크로미터 선폭 패턴 구조물의 저배율 (low resolution) 및 고배율 (high resolution) SEM (scanning electron microscope) 사진이다.4 and 5 are low and high resolution scanning electron microscope (SEM) photographs of the micrometer linewidth pattern structure prepared in an embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에서 제조된 100 nm 선폭의 나노입자 구조물의 SEM 사진 및 800 nm에서 100 nm 선폭을 가진 나노입자 구조물들의 SPM (scanning probe microscope) 비접촉 스캐닝 사진이다.6 and 7 are SEM photographs of the 100 nm line width nanoparticle structures prepared in Examples of the present invention, and SPM (scanning probe microscope) non-contact scanning photographs of the nanoparticle structures having a 100 nm line width at 800 nm.

도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예 2에 따른 나노입자 조립 구조물의 도트 (dot) 형상 소결체의 SEM 사진 및 SPM 비접촉 스캐닝 사진이다.8 and 9 are SEM photographs and SPM non-contact scanning photographs of dot-shaped sintered bodies of the nanoparticle assembly structure according to Example 2 of the present invention.

본 발명은 나노입자 패터닝 방법 및 이를 이용한 소결체의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a nanoparticle patterning method and a method for producing a sintered body using the same.

마이크로 및 나노 사이즈의 구조물을 제작하는 방법은 크게 바텀-업 (bottom-up) 방식과 탑-다운 (top-down) 방식으로 나눌 수 있으나, 현재 이용되는 일련의 마이크로 소자 제조 공정은 대부분 탑-다운 방식이다. 종래의 탑-다운 방식은 재료 각각의 거시적 물성을 다층, 다단 구조를 통해 복합적으로 이용함으로써 소자로서의 새로운 기능성을 부여한다. 이에 반하여 바텀-업 방식으로 제조되는 나노입자 조립체 소자는 그 구성체인 나노입자 하나하나가 직접 소자로서의 역할을 갖도록 하는 개념으로써 구성 요소의 기능과 조립체의 기능 면에서 탑-다운 방식의 소자와 구별된다. The fabrication method of micro and nano-sized structures can be divided into bottom-up and top-down methods, but most of the series of micro device manufacturing processes currently used are top-down methods. That's the way. Conventional top-down systems provide new functionality as devices by using the macroscopic physical properties of each material in a multi-layered, multi-stage structure. In contrast, the nanoparticle assembly device manufactured by the bottom-up method is a concept that each nanoparticle, which is a component thereof, has a role as a direct device, and is distinguished from the top-down device in terms of the function of the component and the function of the assembly. .

이러한 바텀-업 방식으로 기능성 나노입자를 이용한 소자를 제작하는데 필요한 기술 중 핵심은 나노입자의 성장 제어와 제조 및 위치 제어, 즉 나노입자 패터닝 (patterning) 기술이다. 나노입자 패터닝이란 나노입자 (nanoparticle), 나노튜브 (nanotube), 나노와이어 (nanowire) 등으로 대표되는 나노 사이즈로 제조된 물질을 원하는 위치에 증착시키거나 나노입자로 구성된 조립체를 얻는 것으로서, 종래의 재료가 가졌던 거시적 물성과는 다른, 나노 사이즈 재료의 특이적 기능 (양자 효과, 높은 비표면적 등)을 이용하여 차세대 산업의 주역이 될 양자 소자 (quantum device), 단전자 트랜지스터 (single electron transistor), 테라레벨 저 장 매체 (tera-level memory device), 고성능 가스센서 등에 적용할 수 있는 기술이다.The core technology required for fabricating devices using functional nanoparticles in such a bottom-up method is nanoparticle growth control, manufacturing and position control, that is, nanoparticle patterning technology. Nanoparticle patterning refers to depositing a material made of nano size represented by nanoparticles, nanotubes, nanowires, etc. in a desired position or obtaining an assembly composed of nanoparticles. Different from the macroscopic properties of quantum materials, quantum devices, single electron transistors, This technology can be applied to tera-level memory devices and high-performance gas sensors.

최근 미국과 유럽을 중심으로 마이크로, 나노 구조물 또는 초미세 패턴 가공에서 나노입자 기술의 적용이 활발히 진행되고 있다. 현재까지 소개된 이 분야의 기술에는 입자빔을 이용한 방법, 컨택 하전법, 전자빔 혹은 이온빔을 이용한 기법, 및 SPM (scanning probe microscope) 직접 조작 등이 있다. 또한 수 마이크로의 정전 분무 노즐을 이용하여 수 나노 급의 나노입자를 발생시켜 패턴하는 공정, 화학적인 콜로이드법, LB (랑뮤어-블로젯; Langmuir-Blodgett)법과 자기조립 단분자막법 등을 이용하여 일정한 구조와 분자 배열을 가진 나노 구조를 형성하는 방법 등이 연구되고 있다. Recently, nanoparticle technology has been actively applied in micro, nano structure or ultra fine pattern processing, mainly in the United States and Europe. Techniques in this field introduced to date include method using particle beams, contact charging, electron or ion beams, and direct manipulation of a scanning probe microscope (SPM). In addition, a process of generating and patterning several nanoscale nanoparticles using several micro electrostatic spray nozzles, using a chemical colloid method, LB (Langmuir-Blodgett) method, and self-assembled monolayer method Methods of forming nanostructures with structures and molecular arrangements have been studied.

미국의 미시간 대학에서는 레이져 유도 입자빔을 이용한 직접 패턴 실험 장치를 개발하였고, 독일의 피산 (Fissan) 그룹은 마이크로 사이즈의 메탈 팁의 컨택을 통한 기판 하전으로 기상 제조 나노입자를 선형으로 패턴 증착을 하였다. 미시간 대학과 피산 그룹의 연구 결과, 양자 모두 나노입자의 확산력의 극복이 제대로 이뤄지지 않아 신뢰성있는 결과를 보이지 못했고, 피산 그룹의 결과는 특히 접촉 하전의 불균일성과 단일 팁에 의한 공정으로 인해 재현성과 생산성이 거의 없었다. 최근 미국 하버드대학 화이트사이드 (Whitesides) 그룹은 PDMS (polydimethylsiloxane) 소프트 몰드를 이용한 대면적 접촉 하전으로 마이크로 입자 패터닝에 성공하였다. 이는 소프트리소그래피 기법의 장점인 기판과 몰드의 접촉 재현성의 향상과 기존의 접촉 하전 기법의 장점인 입자 패턴 증착의 선택성만을 응용하여, 마이크로 입자에 대한 넓은 면적에서 어느 정도 균일한 재현성을 보이는 마이크로 패터닝이다.The University of Michigan in the United States developed a direct pattern experiment using laser-induced particle beams, and the German Fissan group used linear pattern deposition of vapor phase nanoparticles with substrate charge through contact with micro-sized metal tips. . Neither the University of Michigan nor the Pisan group found a reliable result, as the overcoming of the diffusivity of nanoparticles was poorly achieved. There was little. Recently, the Whitesides Group of Harvard University in the United States succeeded in patterning microparticles with large-area contact charge using PDMS (polydimethylsiloxane) soft mold. This is a micro-patterning which shows some uniform reproducibility in a large area for micro particles by applying only the improvement of contact reproducibility of the substrate and mold, which is an advantage of the soft lithography technique, and the selectivity of particle pattern deposition, which is an advantage of the conventional contact charge technique. .

그러나, 마이크로 사이즈의 입자들과는 달리, 100 nm 이하의 나노입자에서는 확산력 (diffusion force) 효과가 더욱 증대되어 중요한 변수로 여러 공정에 많은 영향을 미치게 되고, 이로 인해 최소 선폭 (critical dimension) 향상, 노이즈 입자의 최소화, 재현성과 생산성의 확보, 패턴의 균일도 향상 등 해결해야 할 문제점이 산적해 있다. However, unlike micro-sized particles, nanoparticles less than 100 nm intensify the effect of diffusion force, which affects many processes as important variables, resulting in improved minimum dimension and noise particles. There are a number of problems to be solved, such as minimizing the size, securing reproducibility and productivity, and improving pattern uniformity.

따라서 본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하여 고정밀도, 고효율의 나노입자 패터닝 방법을 구현하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to implement a nanoparticle patterning method of high precision and high efficiency.

본 발명은 또한 이와 같은 나노입자 패턴을 이용하여 선폭 감소 효과가 우수한 나노입자 소결체 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
Another object of the present invention is to provide a method for producing a nanoparticle sintered body having excellent line width reduction effect using such a nanoparticle pattern.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a) 다분산 나노입자를 양극 하전 (bipolar charge) 상태로 만드는 단계; b) DMA (differential mobility analyzer)의 중심 전극을 조정하여 원하는 크기의 단분산 나노입자를 추출하는 단계; c) 원하는 감광막 패턴이 형성된 증착용 기판을 정전증착장치의 중심 전극 상에 위치시키고, 중심 전극에 전압을 인가하는 단계; d) 하전된 단분산 나노입자를 정전증착 장치에 주입하여 중심 전극의 전압과 외통의 접지된 전압 사이에 발생하는 전기장에 의해 기판 상에 유도 증착시키는 단계; 및 e) 기판 상의 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 나노입자 패터닝 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of: a) making the polydisperse nanoparticles into a bipolar charge state; b) extracting monodisperse nanoparticles of a desired size by adjusting the center electrode of a differential mobility analyzer (DMA); c) placing the deposition substrate on which the desired photoresist pattern is formed on the center electrode of the electrostatic deposition apparatus and applying a voltage to the center electrode; d) injecting charged monodisperse nanoparticles into the electrostatic deposition apparatus and inducing deposition on the substrate by an electric field generated between the voltage of the center electrode and the grounded voltage of the outer cylinder; And e) removing the photoresist pattern on the substrate.

특히, 정전증착장치의 중심 전극에 가하는 전압과 외통의 접지된 전압 사이에 발생하는 전기장에 의해 하전된 나노입자가 유도되어 증착이 이루어지는데, 이는 정전증착장치 내에서 고전압을 가할 때 생기는 균일 전기장 (homogeneous electric-field)과 소프트 마스크로 사용하는 감광막 층을 통해 하전된 나노입자를 비균질 (non-homogenous) 전기장으로 유도하여 패턴 증착 시키는 것이다. 정전증착장치의 중심 전극 전압은 나노입자의 증착 효율 및 증착 양상 (geometry)과 관계가 있으며, 증착 효율과 가지상 집합체 (dendritic aggregate) 형성 문제를 고려하여 중심 전극 전압을 결정하여야 한다. 중심 전극 전압은 -10 내지 +10 kV의 범위에서 선택되는 것이 바람직하다. In particular, the deposited nanoparticles are induced by the electric field generated between the voltage applied to the center electrode of the electrostatic deposition apparatus and the grounded voltage of the outer cylinder, and the deposition is performed. Charged nanoparticles are induced into a non-homogenous electric field by pattern deposition through a photosensitive layer used as a homogeneous electric field and a soft mask. The center electrode voltage of the electrostatic deposition apparatus is related to the deposition efficiency and deposition geometry of the nanoparticles, and the center electrode voltage should be determined in consideration of the deposition efficiency and the formation of dendritic aggregates. The center electrode voltage is preferably selected in the range of -10 to +10 kV.

또한, 상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 나노입자 패턴을 열처리하는 것을 포함하는 나노입자 소결체 제조 방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above another object, the present invention provides a method for producing a nanoparticle sintered body comprising the heat treatment of the nanoparticle pattern produced by the above method.

상기 열처리 공정은 일반적인 나노 구조물의 소결 공정을 따른다. 예를 들어, 나노입자의 소결이 튜브로의 열처리 공정에서 진행되면, 소프트 마스크의 선폭으로 증착된 나노입자의 소결이 진행되어 세 방향에서의 부피 변화가 나타나게 되어, 10 내지 40 %의 선폭 감소 효과가 나타난다. 특히 이 기법은 그 메커니즘 측면에서, 도트 (dot) 형의 구조물의 제조에 더 효과적이고 최적의 결과를 보이므로 바람직하다. 상기 열처리 공정에서 온도는 200 내지 300 ℃가, 열처리 시간은 100 내지 150 분이 바람직하다. The heat treatment process follows a sintering process of a general nanostructure. For example, when the sintering of the nanoparticles is carried out in the heat treatment process to the tube, the sintering of the nanoparticles deposited with the line width of the soft mask proceeds, resulting in a volume change in three directions, resulting in a line width reduction effect of 10 to 40%. Appears. In particular, this technique is preferable in terms of its mechanism, because it is more effective and shows optimum results for the production of dot-shaped structures. In the heat treatment step, the temperature is preferably 200 to 300 ° C., and the heat treatment time is 100 to 150 minutes.

이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명하지만 본 발명의 범위가 그 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the scope of the present invention is not limited to the examples.

<실시예 1><Example 1>

증발 및 응축법 (evaporation and condensation method)을 이용하여 발생시킨 다분산 나노입자를 폴로늄 (210-polonium)을 이용해 볼츠만 분포로의 양극 하전 (bipolar charge) 상태로 만들었다. 다음으로, DMA (differential mobility analyzer)의 중심 전극 전압을 -810 V로 조정하여 20 nm 직경의 구형 은 나노입자를 추출할 수 있었다 (기하표준편차 (geometric standard deviation): 1.167). 상기 나노입자를 테스트 에어로졸로 사용하였다. 이와 같은 나노입자 분급 및 증착 과정은 도 1에 개략적으로 도시되어 있다. Polydisperse nanoparticles generated by the evaporation and condensation method were made into bipolar charge in the Boltzmann distribution using polonium (210-polonium). Next, spherical silver nanoparticles having a diameter of 20 nm were extracted by adjusting the center electrode voltage of the differential mobility analyzer (DMA) to -810 V (geometric standard deviation: 1.167). The nanoparticles were used as test aerosols. This nanoparticle classification and deposition process is schematically illustrated in FIG. 1.

상기에서 추출한 단분산 나노입자를 정전증착장치 (electro-static precipitator; ESP)에 연결하여 증착시켰다. 즉, 클리닝한 증착용 기판에 감광막을 스핀 코팅한 후, 포토리소그래피 과정을 거쳐 원하는 패턴을 형성하였다. 여기에 상기에서 추출한 하전된 단분산 나노입자를 증착시킨 후, 아세톤과 초순수를 이용하여 감광막을 제거하고, 클리닝 및 건조 과정을 거쳐 나노입자의 패턴 조립체를 얻었다. 이와 같은 나노입자의 증착 과정은 도 2에 개략적으로 도시되어 있다.The monodisperse nanoparticles extracted above were deposited by connecting to an electro-static precipitator (ESP). That is, after spin-coating a photosensitive film on the cleaned deposition substrate, a desired pattern was formed through a photolithography process. After depositing the charged monodisperse nanoparticles extracted therein, the photoresist was removed using acetone and ultrapure water, and a pattern assembly of nanoparticles was obtained by cleaning and drying. The deposition process of such nanoparticles is schematically illustrated in FIG. 2.

본 실시예에서는 증착 효율과 가지상 집합체 (dendritic aggregate) 형성 문 제를 고려하여 ESP 중심 전극 전압 -4.5 kV에서 단분산 나노입자를 증착시켰으며, 상기 정전증착장치의 구조는 도 3에 보다 상세하게 도시되어 있다.In this embodiment, monodisperse nanoparticles were deposited at the ESP center electrode voltage of -4.5 kV in consideration of deposition efficiency and dendritic aggregate formation problem, and the structure of the electrostatic deposition apparatus is described in more detail with reference to FIG. 3. Is shown.

도 4는 상기 실시예 1에서 얻은 20 nm 직경의 은 나노입자로 구현한 마이크로미터 선폭 패턴 구조물의 SEM 사진이며, 도 5는 도 4의 특정 블록을 확대한 고배율 사진이다. FIG. 4 is a SEM photograph of a micrometer linewidth pattern structure implemented with 20 nm diameter silver nanoparticles obtained in Example 1, and FIG. 5 is a high magnification photograph of a specific block of FIG. 4.

또한, 도 6은 상기 실시예 1에서 얻은 20 nm 직경의 은 나노입자로 구현한 100 nm 선폭의 나노미터선폭 패턴 구조물의 SEM 사진이며, 도 7은 800 nm 내지 100 nm 선폭을 가진 나노입자 구조물들의 비접촉 SPM 스캐닝 사진이다.6 is a SEM photograph of a nanometer linewidth pattern structure having a width of 100 nm, which is implemented with the 20 nm diameter silver nanoparticles obtained in Example 1, and FIG. 7 shows nanoparticle structures having a 800 nm to 100 nm linewidth. Non-contact SPM scanning picture.

도 4 내지 7에서 확인할 수 있듯이 본 발명의 나노 패터닝 방법은 패턴 밖에 증착되는 노이즈 입자의 수를 궁극적 수준까지 절감하며, 생산성과 재현성 또한 타 기법보다 월등히 높다. 또한 소프트 마스크 제조에 있어서는 기존의 포토리소그래피 (photolithography), 전자빔 선묘화 기법 (electron-beam direct writing)은 물론, 최근 각광받는 나노각인기법 (nanoimprint lithography), 소프트 리소그래피(soft lithography)에까지 적용될 수 있는 이식성과 확장성을 가지고 있다.As can be seen in Figures 4 to 7 the nano-patterning method of the present invention reduces the number of noise particles deposited outside the pattern to the ultimate level, productivity and reproducibility is also significantly higher than other techniques. In addition, in the manufacture of soft masks, portability that can be applied to conventional photolithography, electron-beam direct writing, nano-imprint lithography, and soft lithography. And scalability.

따라서 본 발명의 나노입자 패터닝 기술에 의해 나노입자로 조립된 구조물을 제작하는 경우, 기존의 가스센서보다 훨씬 큰 반응성을 가진 가스센서를 제작할 수 있고, 금속 나노입자의 패턴 증착에 있어서 나노튜브와 나노와이어 성장의 촉매입자가 되어 성장위치 제어에 응용이 가능하다.Therefore, when fabricating a structure assembled with nanoparticles by the nanoparticle patterning technology of the present invention, it is possible to manufacture a gas sensor having a much higher reactivity than the conventional gas sensor, nanotubes and nanoparticles in the pattern deposition of metal nanoparticles It becomes a catalyst particle of wire growth and can be applied to growth position control.

<실시예 2><Example 2>

상기 실시예 1에서 얻은 직경 20 nm의 은 나노입자의 감광막을 제거하고, 이것으로 구현한 500 nm 도트 (dot)를 튜브로의 열처리 공정에서 400 ℃로 120 분간 열처리하여 소결된 나노 구조물을 얻었다. The photoresist of the silver nanoparticles having a diameter of 20 nm obtained in Example 1 was removed, and the sintered nanostructures were obtained by heat-treating 500 nm dots formed therefrom at 400 ° C. for 120 minutes in a tube heat treatment process.

도 8은 상기 실시예 2에서 얻은 도트 형상 소결체의 SEM 사진이며, 도 9는 도 8에 도시한 소결체의 SPM 비접촉 모드에서의 스캐닝 사진이다.FIG. 8 is an SEM photograph of the dot-shaped sintered compact obtained in Example 2, and FIG. 9 is a scanning photograph in the SPM non-contact mode of the sintered compact shown in FIG. 8.

본 발명에 따른 나노입자 패턴 구조물의 제조 방법은 패턴 밖에 증착되는 노이즈 입자의 수를 궁극적 수준까지 절감시키고, 그 생산성과 재현성 및 타 기술로의 이식성과 확장성이 우수하다. 따라서 본 발명에 의하여 나노사이즈 패턴 구조물을 고효율, 고순도로 제작할 수 있으며, 또한 본 발명에 따른 나노입자 패턴의 소결체 제조 방법은 선폭 감소 효과가 있어 경제적, 시간적 장점을 갖는다.
The method for producing a nanoparticle pattern structure according to the present invention reduces the number of noise particles deposited outside the pattern to an ultimate level, and is excellent in productivity and reproducibility, and portability and expandability to other technologies. Therefore, according to the present invention, the nano-size pattern structure can be manufactured with high efficiency and high purity, and the sintered body manufacturing method of the nanoparticle pattern according to the present invention has an effect of reducing the line width and has an economical and time advantage.

Claims (6)

a) 다분산 나노입자를 양극 하전(bipolar charge) 상태로 만드는 단계;  a) making the polydisperse nanoparticles into a bipolar charge state; b) 하전된 나노입자를 DMA(differential mobility analyzer)에 도입하고, DMA의 중심 전극을 조정하여 원하는 크기의 단분산 나노입자를 추출하는 단계; b) introducing charged nanoparticles into a differential mobility analyzer (DMA) and adjusting the central electrode of the DMA to extract monodisperse nanoparticles of a desired size; c) 원하는 감광막 패턴이 형성된 증착용 기판을 정전증착장치의 중심전극 상에 위치시키고, 중심전극에 전압을 인가하는 단계; c) placing the deposition substrate on which the desired photoresist pattern is formed on the center electrode of the electrostatic deposition apparatus, and applying a voltage to the center electrode; d) 단계 b)에서 얻은, 하전된 단분산 나노입자를 정전증착장치에 주입하여 중심 전극의 전압과 외통의 접지된 전압 사이에 발생하는 전기장에 의해 기판 상에 유도 증착시키는 단계; 및 d) injecting the charged monodisperse nanoparticles obtained in step b) into the electrostatic deposition apparatus and inducing deposition on the substrate by an electric field generated between the voltage of the center electrode and the grounded voltage of the outer cylinder; And e) 기판 상의 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는, 나노입자 패터닝 방법.e) removing the photoresist pattern on the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 단분산 나노입자를 증발 및 응축법을 이용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 나노입자 패터닝 방법.Nanoparticle patterning method characterized in that for producing the monodisperse nanoparticles by evaporation and condensation method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다분산 나노입자를 폴로늄 (210-polonium)을 이용해 볼츠만 분포로의 양극 하전 (bipolar charge) 상태로 만드는 것을 특징으로 하는 나노입자 패터닝 방법.Nanoparticle patterning method characterized in that the polydispersion nanoparticles to make a bipolar charge state to the Boltzmann distribution using polonium (210-polonium). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 정전증착장치의 중심 전극에 인가하는 전압의 크기가 -10 내지 +10 kV의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 패터닝 방법.The method of nanoparticle patterning, characterized in that the magnitude of the voltage applied to the center electrode of the electrostatic deposition apparatus is selected in the range of -10 to +10 kV. 제 1 항의 방법으로 제조된 나노입자 패턴을 열처리하여 소결하는 것을 포함하는 나노입자 소결체 제조 방법.The nanoparticle sintered body manufacturing method comprising the heat treatment and sintering the nanoparticle pattern produced by the method of claim 1. 제 5 항에 있어서, The method of claim 5, wherein 나노입자 패턴을 튜브로의 열처리 공정에서 소결하는 것을 특징으로 하는 나노입자 소결체 제조 방법.A method for producing a nanoparticle sintered body, wherein the nanoparticle pattern is sintered in a heat treatment step into a tube.
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